JP5913432B2 - Chip light emitting device - Google Patents

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Description

本発明は、パイロットランプ等に用いられるチップ型発光素子の構造に関する。   The present invention relates to a structure of a chip-type light emitting device used for a pilot lamp or the like.

図５は、従来のチップ型発光素子を配線基板上にはんだを用いて接続した状態を示した図解的な断面図である。絶縁性基板５１の一方表面５１ａに一対の内部電極５２が設けられ、その一方にＬＥＤなどの発光体チップ５３がダイ・ボンディングされている。この発光体チップ５３と他方の内部電極５２とはボンディングワイヤー５４で接続されている。内部電極５２は絶縁性基板５１の端部近傍で、外部電極５５と接続されている。   FIG. 5 is a schematic cross-sectional view showing a state in which a conventional chip-type light emitting element is connected to a wiring board using solder. A pair of internal electrodes 52 are provided on one surface 51a of the insulating substrate 51, and a light emitting chip 53 such as an LED is die-bonded on one of the electrodes. The light emitting chip 53 and the other internal electrode 52 are connected by a bonding wire 54. The internal electrode 52 is connected to the external electrode 55 in the vicinity of the end of the insulating substrate 51.

発光体チップ５３、ボンディングワイヤー５４、およびそれらと内部電極５２との接合部を含む領域は、透光性部材５６によって保護されている。外部電極５５は、端面５１ｂを覆うように絶縁性基板５１端部に形成されている。   The light emitting chip 53, the bonding wire 54, and the region including the joint portion between them and the internal electrode 52 are protected by the light transmissive member 56. The external electrode 55 is formed at the end of the insulating substrate 51 so as to cover the end surface 51b.

このような構成のチップ型発光素子を、はんだ５７で配線基板５９上の電極パッド５８に接合する際、接合部、すなわちはんだ５７が存在する部分は、チップ型発光素子自身の占有面積をはみだし、チップ端面側方に接合のためだけに要する領域Ｃが生じていた。
このため、配線基板上の配線や各種電子部品は、このはんだ付けのための領域を避けて配さねばならなかったため、各種部品の実装密度が低くなるという問題があった。 When the chip-type light emitting device having such a structure is joined to the electrode pad 58 on the wiring board 59 with the solder 57, the joint portion, that is, the portion where the solder 57 is present protrudes the area occupied by the chip-type light emitting device itself, A region C required only for bonding was formed on the side of the chip end face.
For this reason, wiring and various electronic components on the wiring board had to be arranged avoiding the area for soldering, and there was a problem that the mounting density of various components was low.

そこで、この発明の目的は、実装時の占有面積を少なくすることができ、これにより配線基板上への部品の高密度実装を可能とするチップ型発光素子を提供することである。   SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a chip-type light emitting device that can reduce an occupied area during mounting, thereby enabling high-density mounting of components on a wiring board.

上記の目的を達成するための請求項１記載の発明は、いずれも平坦な表面からなる一方表面および他方表面を有する絶縁性基板と、前記絶縁性基板の前記一方表面に設けられた一対の内部電極と、各前記内部電極が配置された位置において前記一方表面と前記他方表面との間にそれぞれ形成された貫通孔と、各前記貫通孔内に配置された導電材と、前記絶縁性基板の前記一方表面の法線方向から見て一方の前記貫通孔に重なるように、かつ他方の前記貫通孔を避けるように、当該一方の貫通孔を覆う一方の前記内部電極上に設けられ、その内部電極にダイ・ボンディングされた発光体チップと、他方の前記内部電極と前記発光体チップとを接続するボンディングワイヤーと、前記絶縁性基板のいずれの側面からも内方に間隔をあけて、前記絶縁性基板の前記他方表面に設けられ、前記導電材を介して前記一方および他方の内部電極にそれぞれ電気的に接続された外部電極とを含み、前記発光体チップは、前記法線方向から見て、前記貫通孔を完全に被覆するように、かつ、前記発光体チップの中心が前記貫通孔の中心と重なるように配置されていることを特徴とするチップ型発光素子である。 In order to achieve the above object, the invention according to claim 1 is an insulating substrate having one surface and the other surface, both of which are flat surfaces, and a pair of internal parts provided on the one surface of the insulating substrate. An electrode, a through hole formed between the one surface and the other surface at a position where each internal electrode is disposed, a conductive material disposed in each through hole, and the insulating substrate. Provided on one internal electrode that covers the one through-hole so as to overlap with the one through-hole when viewed from the normal direction of the one surface and to avoid the other through-hole. A light emitting chip die-bonded to an electrode, a bonding wire connecting the other internal electrode and the light emitting chip, and an inward spacing from any side of the insulating substrate, the insulating chip. Provided on the other surface of the gender substrate, said conductive material through only contains an external electrode that is electrically connected to the internal electrodes of the one and the other, the light emitter chip is viewed from the normal direction Thus, the chip-type light emitting device is arranged so as to completely cover the through hole and so that the center of the light emitting chip overlaps the center of the through hole .

この発明によれば、チップ型発光素子の外部電極は、いずれも平坦な表面からなる一方表面および他方表面を有する絶縁性基板の他方表面（発光体チップ実装面とは反対側の表面）に形成されている。したがって、このチップ型発光素子を、配線基板上の電極パッドにはんだ付けして実装する場合、接合部の大半はこのチップ型発光素子自身の占有面積内に入る。より具体的には、外部電極は絶縁性基板の側面から距離をあけて設けられている。したがって、配線基板との接合時に、平面視において、接合部のほぼ全部がこのチップ型発光素子の占有面積内に入る。これにより、配線基板上におけるチップ型発光素子の実質的な占有面積を低減でき、電子部品等の高密度実装が可能となる。   According to the present invention, the external electrodes of the chip-type light emitting element are both formed on the other surface of the insulating substrate having a flat surface and the other surface (the surface opposite to the light emitting chip mounting surface). Has been. Therefore, when this chip type light emitting element is mounted by soldering to the electrode pad on the wiring board, most of the joint portion falls within the area occupied by the chip type light emitting element itself. More specifically, the external electrode is provided at a distance from the side surface of the insulating substrate. Therefore, at the time of bonding to the wiring board, almost all of the bonding portion falls within the area occupied by the chip-type light emitting element in plan view. Thereby, the substantial occupation area of the chip-type light emitting element on the wiring board can be reduced, and high-density mounting of electronic components and the like is possible.

また、この発明においては、絶縁性基板に設けられた貫通孔内に配置した導電材により、内部電極と外部電極との電気接続を達成するという単純な構造とすることにより、素子を安価なものとすることができる。
請求項２記載の発明は、前記貫通孔が前記導電材で満たされていることを特徴とする請求項１記載のチップ型発光素子である。貫通孔に満たされた導電材は、その表面が絶縁性基板の表面と面一になっていることが好ましい。 Further, in the present invention, the element can be made inexpensive by adopting a simple structure in which the electrical connection between the internal electrode and the external electrode is achieved by the conductive material disposed in the through hole provided in the insulating substrate. It can be.
The invention according to claim 2 is the chip-type light emitting element according to claim 1, wherein the through hole is filled with the conductive material. The surface of the conductive material filled in the through holes is preferably flush with the surface of the insulating substrate.

貫通孔内部を導電材で満たすことにより、貫通孔直上に内部電極を設けた場合に、この内部電極に対して、発光体チップからのボンディングワイヤーを良好に接合できる。すなわち、ワイヤー・ボンディング時に、与えた超音波が効率的に接合部に伝わるため、容易に接合を達成できる。 By filling the inside of the through hole with a conductive material, when an internal electrode is provided immediately above the through hole, a bonding wire from the light emitting chip can be satisfactorily bonded to the internal electrode. That is, since the applied ultrasonic wave is efficiently transmitted to the joint during wire bonding, the joining can be easily achieved .

請求項３記載の発明は、前記ボンディングワイヤーは、前記法線方向から見て、前記貫通孔と重なる領域で前記他方の内部電極に接続されていることを特徴とする、請求項１または２に記載のチップ型発光素子である。
請求項４記載の発明は、前記絶縁性基板の側面には、いずれの外部電極も形成されていないことを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載のチップ型発光素子である。 Third aspect of the present invention, the bonding wire, as viewed from the normal direction, characterized in that it is connected to the internal electrodes of the other in the region overlapping with the through hole, to claim 1 or 2 It is a chip type light emitting element of description.
A fourth aspect of the present invention is the chip type light emitting device according to any one of the first to third aspects, wherein any external electrode is not formed on a side surface of the insulating substrate.

この発明によれば、配線基板上に実装された場合、はんだ接合部の大半がこのチップ型発光素子の占有面積内に入る。
請求項５記載の発明は、前記絶縁性基板の側面とほぼ面一の側面を有し、前記発光体チップの周囲を被覆する透光性部材をさらに含むことを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載のチップ型発光素子である。 According to the present invention, when mounted on the wiring board, most of the solder joints fall within the area occupied by the chip-type light emitting device.
Invention of claim 5, wherein the side surface of the insulating substrate and has a substantially flush aspect, claims 1, further comprising a light transmissive member covering the periphery of the light emitter chip 4 A chip-type light emitting device according to any one of the above.

チップ型発光素子を１．０ｍｍ×０．５ｍｍサイズ等の小型サイズに構成する場合、絶縁性基板上において透光性部材による被覆部の占める面積割合が大きくなる。しかし、この発明によれば、絶縁性基板の底面に外部電極が設けられ、その底面側において配線基板への接合を行う構成である。したがって、チップ型発光素子端部付近において絶縁性基板の表面を露出させておく必要がない。そこで、絶縁性基板の側面とほぼ面一の状態で透光性部材を配置して発光体チップの周囲を被覆することにより、素子の小型化が容易になるとともに、構造が簡単になり、生産性を向上させることができる。   When the chip-type light emitting device is configured in a small size such as 1.0 mm × 0.5 mm, the area ratio of the covering portion by the translucent member on the insulating substrate is increased. However, according to the present invention, the external electrode is provided on the bottom surface of the insulating substrate, and bonding to the wiring substrate is performed on the bottom surface side. Therefore, it is not necessary to expose the surface of the insulating substrate in the vicinity of the end of the chip type light emitting element. Therefore, by arranging the translucent member so as to be almost flush with the side surface of the insulating substrate and covering the periphery of the light emitting chip, the device can be easily downsized and the structure can be simplified and produced. Can be improved.

請求項６記載の発明は、前記絶縁性基板は、その側面が全周にわたってはんだぬれ性のない表面を呈することを特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載のチップ型発光素子である。
請求項７記載の発明は、前記絶縁性基板は、セラミックからなることを特徴とする請求項１ないし６のいずれかに記載のチップ型発光素子である。 The invention according to claim 6 is the chip-type light emitting device according to any one of claims 1 to 5 , wherein the insulating substrate has a side surface having a non-solderability on the entire circumference. .
The invention according to claim 7 is the chip-type light emitting element according to any one of claims 1 to 6 , wherein the insulating substrate is made of ceramic.

請求項８記載の発明は、前記一対の内部電極は、複数の導電材が積層された積層構造を有していることを特徴とする請求項１ないし７のいずれかに記載のチップ型発光素子である。
請求項９記載の発明は、前記一対の内部電極の前記導電材が、前記絶縁性基板側より、Ｃｕ、Ｎｉ、およびＡｕの３層構造により構成されていることを特徴とする請求項８に記載のチップ型発光素子である。 Invention of claim 8, wherein said pair of internal electrodes, the chip-type light-emitting device according to any one of claims 1 to 7, characterized in that it has a laminated structure in which a plurality of conductive material are stacked It is.
The invention of claim 9, wherein, the conductive material of said pair of internal electrodes, wherein the insulating substrate side, Cu, to claim 8, characterized in that it is constituted by a three-layer structure of Ni, and Au It is a chip type light emitting element of description.

この発明によれば、導電性の高いＣｕを基材とすることにより低抵抗が得られる。これを適度な硬度を持つＮｉで被覆することによりワイヤー・ボンディング時の作業性が向上する。さらにこれを耐候性の高いＡｕで被覆することにより電極部材の特性を経時的に一定に保っている。
請求項１０記載の発明は、前記外部電極は、複数の導電材が積層された積層構造を有していることを特徴とする請求項１ないし９のいずれかに記載のチップ型発光素子である。 According to this invention, low resistance can be obtained by using Cu having high conductivity as a base material. By covering this with Ni having an appropriate hardness, workability during wire bonding is improved. Further, by covering this with Au having high weather resistance, the characteristics of the electrode member are kept constant over time.
The invention according to claim 10 is the chip type light emitting device according to any one of claims 1 to 9 , wherein the external electrode has a laminated structure in which a plurality of conductive materials are laminated. .

請求項１１記載の発明は、前記外部電極の前記導電材が、前記絶縁性基板側より、Ｃｕ、Ｎｉ、およびＡｕの３層構造により構成されていることを特徴とする請求項１０に記載のチップ型発光素子である。
この発明によれば、導電性の高いＣｕを基材とすることにより低抵抗が得られる。これを適度な硬度を持つＮｉで被覆することにより配線基板へのはんだ接続時の作業性が向上する。さらにこれを耐候性の高いＡｕで被覆することにより電極部材の特性を経時的に一定に保っている。 The invention of claim 11 wherein, the conductive material of the external electrodes, wherein the insulating substrate side, Cu, according to claim 10, characterized in that it is constituted by a three-layer structure of Ni, and Au This is a chip-type light emitting device.
According to this invention, low resistance can be obtained by using Cu having high conductivity as a base material. By covering this with Ni having an appropriate hardness, workability during solder connection to the wiring board is improved. Further, by covering this with Au having high weather resistance, the characteristics of the electrode member are kept constant over time.

請求項１２記載の発明は、前記貫通孔に配置された前記導電材が、Ｃｕからなることを特徴とする請求項１ないし１１のいずれかに記載のチップ型発光素子である。
この発明によれば、導電性が高く低抵抗な導電材を貫通孔内に配置できる。
請求項１３記載の発明は、前記絶縁性基板は、長手形状を有していることを特徴とする請求項１ないし１２のいずれかに記載のチップ型発光素子である。 The invention according to claim 12 is the chip-type light emitting element according to any one of claims 1 to 11 , wherein the conductive material disposed in the through hole is made of Cu.
According to the present invention, a conductive material having high conductivity and low resistance can be disposed in the through hole.
The invention of claim 13 wherein, the insulating substrate is a chip type light emitting device according to any one of claims 1 to 12, characterized in Tei Rukoto has a longitudinal shape.

請求項１４記載の発明は、前記外部電極を介して配線基板へ接合する際、平面視において、前記外部電極の占有面積の外に、はんだがはみ出しても、はんだが、すべて、前記絶縁性基板の占有面積内に入るように、前記絶縁性基板の側面からの前記外部電極の間隔が設定されていることを特徴とする請求項１ないし１３のいずれかに記載のチップ型発光素子である。 According to the fourteenth aspect of the present invention, when bonding to the wiring board via the external electrode, even if the solder protrudes outside the area occupied by the external electrode in a plan view, the solder is entirely removed from the insulating substrate. to fall in the occupied within the area, a chip-type light-emitting device according to any one of claims 1 to 13, characterized in that distance between the external electrode from the side surface of the insulating substrate is set.

この発明によれば、はんだを用いて部品を実装する際に、隣合った電極パッドや配線間で、ブリッジと呼ばれるはんだによる短絡が生ずることがない。
請求項１５記載の発明は、いずれも平坦な表面からなる一方表面および他方表面を有する長手形状の絶縁性基板と、前記絶縁性基板の前記一方表面に設けられた一対の内部電極と、各前記内部電極が配置された位置において前記一方表面と前記他方表面との間にそれぞれ形成された貫通孔と、各前記貫通孔内に配置された導電材と、前記絶縁性基板の前記一方表面の法線方向から見て一方の前記貫通孔に重なるように、かつ他方の前記貫通孔を避けるように、当該一方の貫通孔を覆う一方の前記内部電極上に設けられ、その内部電極にダイ・ボンディングされた発光体チップと、他方の前記内部電極と前記発光体チップとを接続するボンディングワイヤーと、前記絶縁性基板のいずれの側面からも内方に間隔をあけて、前記絶縁性基板の前記他方表面に設けられ、前記導電材を介して前記一方および他方の内部電極にそれぞれ電気的に接続された外部電極とを含み、各前記外部電極は、各前記外部電極と前記絶縁性基板の長手方向端部との間の距離（Ｂ１）が、各前記外部電極と前記絶縁性基板の短手方向端部との間の距離（Ｂ２）に比べて大きくなるように形成されており、前記発光体チップは、前記法線方向から見て、前記貫通孔を完全に被覆するように、かつ、前記発光体チップの中心が前記貫通孔の中心と重なるように配置されていることを特徴とするチップ型発光素子である。
請求項１６記載の発明は、前記一対の内部電極は、複数の導電材が積層された積層構造を有していることを特徴とする請求項１５に記載のチップ型発光素子である。
請求項１７記載の発明は、前記一対の内部電極の前記導電材が、前記絶縁性基板側より、Ｃｕ、Ｎｉ、およびＡｕの３層構造により構成されていることを特徴とする請求項１６に記載のチップ型発光素子である。
請求項１８記載の発明は、前記外部電極は、複数の導電材が積層された積層構造を有していることを特徴とする請求項１５ないし１７のいずれかに記載のチップ型発光素子である。
請求項１９記載の発明は、前記外部電極の前記導電材が、前記絶縁性基板側より、Ｃｕ、Ｎｉ、およびＡｕの３層構造により構成されていることを特徴とする請求項１８に記載のチップ型発光素子である。
請求項２０記載の発明は、前記外部電極は、前記絶縁性基板の前記他方表面の法線方向から見た平面視において、矩形状に形成されていることを特徴とする請求項１５ないし１９のいずれかに記載のチップ型発光素子である。
請求項２１記載の発明は、前記絶縁性基板の側面には、いずれの外部電極も形成されていないことを特徴とする、請求項１５ないし２０のいずれかに記載のチップ型発光素子である。
請求項２２記載の発明は、各前記貫通孔は、前記絶縁性基板の前記一方表面の法線方向から見た平面視において、円形状に形成されていることを特徴とする請求項１５ないし２１のいずれかに記載のチップ型発光素子である。
請求項２３記載の発明は、各前記貫通孔は、同一の直径で形成されていることを特徴とする請求項２２に記載のチップ型発光素子である。
請求項２４記載の発明は、各前記貫通孔は、前記導電材で満たされていることを特徴とする請求項１５ないし２３のいずれかに記載のチップ型発光素子である。
請求項２５記載の発明は、前記貫通孔に配置された前記導電材が、Ｃｕからなることを特徴とする請求項１５ないし２４のいずれかに記載のチップ型発光素子である。
請求項２６記載の発明は、前記ボンディングワイヤーは、前記法線方向から見て、前記貫通孔と重なる領域で前記他方の内部電極に接続されていることを特徴とする請求項１５ないし２５のいずれかに記載のチップ型発光素子である。
請求項２７記載の発明は、前記絶縁性基板の側面とほぼ面一の側面を有し、前記発光体チップの周囲を被覆する透光性部材をさらに含むことを特徴とする請求項１５ないし２６のいずれかに記載のチップ型発光素子である。
請求項２８記載の発明は、前記透光性部材は、前記発光体チップ、前記ボンディングワイヤー、前記発光体チップと前記内部電極との接合部、前記発光体チップと前記ボンディングワイヤーとの接合部、および前記一対の内部電極の全体を被覆していることを特徴とする請求項２７に記載のチップ型発光素子である。
請求項２９記載の発明は、前記絶縁性基板は、その側面が全周にわたってはんだぬれ性のない表面を呈することを特徴とする請求項１５ないし２８のいずれかに記載のチップ型発光素子である。
請求項３０記載の発明は、前記絶縁性基板は、セラミックからなることを特徴とする請求項１５ないし２９のいずれかに記載のチップ型発光素子である。 According to the present invention, when a component is mounted using solder, a short circuit due to solder called a bridge does not occur between adjacent electrode pads or wires.
The invention according to claim 15 is a longitudinal insulating substrate having one surface and the other surface each having a flat surface, a pair of internal electrodes provided on the one surface of the insulating substrate, A through hole formed between the one surface and the other surface at a position where an internal electrode is disposed; a conductive material disposed in each through hole; and a method of the one surface of the insulating substrate Provided on one internal electrode covering the one through hole so as to overlap with the one through hole when viewed from the line direction and avoiding the other through hole, and die bonding to the internal electrode A light emitting chip, a bonding wire connecting the other internal electrode and the light emitting chip, and an inward distance from any side surface of the insulating substrate; External electrodes provided on the outer surface and electrically connected to the one and the other internal electrodes through the conductive material, and the external electrodes are formed in the longitudinal direction of the external electrodes and the insulating substrate. the distance between the side end portion (B1) is formed so as to be larger than the distance (B2) between the short-side direction end portion of the insulating substrate and each of the external electrodes, the light emitting The body chip is disposed so as to completely cover the through hole as viewed from the normal direction and so that the center of the light emitting chip overlaps the center of the through hole. This is a chip-type light emitting device.
The invention according to claim 16 is the chip-type light emitting element according to claim 15, wherein the pair of internal electrodes has a laminated structure in which a plurality of conductive materials are laminated.
The invention according to claim 17 is characterized in that the conductive material of the pair of internal electrodes is constituted by a three-layer structure of Cu, Ni, and Au from the insulating substrate side. It is a chip type light emitting element of description.
The invention according to claim 18 is the chip-type light emitting device according to any one of claims 15 to 17, wherein the external electrode has a laminated structure in which a plurality of conductive materials are laminated. .
The invention according to claim 19 is characterized in that the conductive material of the external electrode has a three-layer structure of Cu, Ni, and Au from the insulating substrate side. This is a chip-type light emitting device.
The invention according to claim 20 is characterized in that the external electrode is formed in a rectangular shape in plan view as viewed from the normal direction of the other surface of the insulating substrate. A chip-type light emitting device according to any one of the above.
The invention according to claim 21 is the chip-type light emitting device according to any one of claims 15 to 20, wherein any external electrode is not formed on a side surface of the insulating substrate.
According to a twenty-second aspect of the present invention, each of the through holes is formed in a circular shape in a plan view as viewed from the normal direction of the one surface of the insulating substrate. A chip-type light emitting device according to any one of the above.
The invention according to claim 23 is the chip-type light emitting element according to claim 22, wherein the through holes are formed with the same diameter.
The invention according to claim 24 is the chip type light emitting element according to any one of claims 15 to 23, wherein each of the through holes is filled with the conductive material.
The invention according to claim 25 is the chip light-emitting element according to any one of claims 15 to 24, wherein the conductive material disposed in the through hole is made of Cu .
Invention 請 Motomeko 26 wherein, the bonding wires, the when viewed from the normal direction, of claims 15 to 25, characterized in that it is connected to the internal electrodes of the other in the region overlapping with the through hole A chip-type light emitting device according to any one of the above.
The invention of claim 27 wherein, the side surface of the insulating substrate and has a substantially flush aspect, to claims 15, further comprising a light transmissive member covering the periphery of the light emitter chip 26 A chip-type light emitting device according to any one of the above.
The invention according to claim 28 is characterized in that the translucent member includes the light emitter chip, the bonding wire, a joint portion between the light emitter chip and the internal electrode, a joint portion between the light emitter chip and the bonding wire, 28. The chip-type light emitting device according to claim 27 , wherein the whole of the pair of internal electrodes is covered.
The invention according to claim 29 is the chip-type light emitting device according to any one of claims 15 to 28 , wherein the insulating substrate has a side surface having no solder wettability over the entire circumference. .
The invention according to claim 30 is the chip-type light emitting device according to any one of claims 15 to 29 , wherein the insulating substrate is made of ceramic.

請求項３１記載の発明は、いずれも平坦な表面からなる一方表面および他方表面を有し、前記一方表面に一対の内部電極が設けられている絶縁性基板と、この絶縁性基板の前記一方表面上に設けられ、前記内部電極と接続された発光体チップと、前記絶縁性基板の前記他方表面に設けられ、前記絶縁性基板内部に形成された配線部材を介して前記内部電極に電気的に接続された外部電極とを含むチップ型発光素子であって、前記配線部材は、前記絶縁性基板に形成された貫通孔内に配置された導電材を含み、前記貫通孔は、第１および第２の貫通孔を含み、前記一対の内部電極の一方および他方が、それぞれ前記第１および第２の貫通孔の直上に設けられており、前記発光体チップは、前記一対の内部電極の一方に、前記第１の貫通孔の直上でダイ・ボンディングされており、前記一対の内部電極の他方と前記発光体チップとは、ボンディングワイヤーで電気的に接続されており、前記外部電極は、前記絶縁性基板の側面から内方に間隔をあけて、前記他方表面上に形成されており、当該チップ型発光素子を、前記外部電極を介して配線基板へ接合する際、平面視において、前記外部電極の占有面積の外に、はんだがはみ出しても、はんだが、すべて、当該チップ型発光素子の占有面積内に入るように、前記絶縁性基板の側面からの前記外部電極の間隔が設定されていることを特徴とするチップ型発光素子である。 The invention according to claim 31 has an insulating substrate having one surface and the other surface each having a flat surface, and a pair of internal electrodes provided on the one surface, and the one surface of the insulating substrate. A light emitting chip provided on and connected to the internal electrode, and electrically connected to the internal electrode via a wiring member provided on the other surface of the insulating substrate and formed inside the insulating substrate A chip-type light emitting device including a connected external electrode, wherein the wiring member includes a conductive material disposed in a through hole formed in the insulating substrate; Two through-holes, one and the other of the pair of internal electrodes are provided directly above the first and second through-holes, respectively, and the light emitting chip is connected to one of the pair of internal electrodes. , Just above the first through hole The other of the pair of internal electrodes and the light emitting chip are electrically connected by a bonding wire, and the external electrode is spaced inward from the side surface of the insulating substrate. Open and formed on the other surface, and when the chip-type light emitting element is bonded to the wiring board via the external electrode, the solder protrudes outside the area occupied by the external electrode in plan view. However, the distance between the external electrodes from the side surface of the insulating substrate is set so that all the solder falls within the area occupied by the chip-type light-emitting element. is there.

請求項３２記載の発明は、前記一対の内部電極は、複数の導電材が積層された積層構造を有していることを特徴とする請求項３１に記載のチップ型発光素子である。
請求項３３記載の発明は、前記一対の内部電極の前記導電材が、前記絶縁性基板側より、Ｃｕ、Ｎｉ、およびＡｕの３層構造により構成されていることを特徴とする請求項３２に記載のチップ型発光素子である。
請求項３４記載の発明は、前記外部電極は、複数の導電材が積層された積層構造を有していることを特徴とする請求項３１ないし３３のいずれかに記載のチップ型発光素子である。
請求項３５記載の発明は、前記外部電極の前記導電材が、前記絶縁性基板側より、Ｃｕ、Ｎｉ、およびＡｕの３層構造により構成されていることを特徴とする請求項３４に記載のチップ型発光素子である。
請求項３６記載の発明は、前記外部電極は、前記絶縁性基板の前記他方表面の法線方向から見た平面視において、矩形状に形成されていることを特徴とする請求項３１ないし３５のいずれかに記載のチップ型発光素子である。
請求項３７記載の発明は、前記絶縁性基板の側面には、いずれの外部電極も形成されていないことを特徴とする、請求項３１ないし３６のいずれかに記載のチップ型発光素子である。
請求項３８記載の発明は、前記第１および第２の貫通孔は、前記絶縁性基板の前記一方表面の法線方向から見た平面視において、円形状に形成されていることを特徴とする請求項３１ないし３７のいずれかに記載のチップ型発光素子である。
請求項３９記載の発明は、前記第１および第２の貫通孔は、同一の直径で形成されていることを特徴とする請求項３８に記載のチップ型発光素子である。
請求項４０記載の発明は、前記第１および第２の貫通孔は、前記導電材で満たされていることを特徴とする請求項３１ないし３９のいずれかに記載のチップ型発光素子である。
請求項４１記載の発明は、前記第１および第２の貫通孔に配置された前記導電材が、Ｃｕからなることを特徴とする請求項３１ないし４０のいずれかに記載のチップ型発光素子である。
請求項４２記載の発明は、前記発光体チップは、前記絶縁性基板の前記一方表面の法線方向から見た平面視において、前記第１の貫通孔を完全に被覆するように、かつ、前記発光体チップの中心が前記第１の貫通孔の中心と重なるように配置されていることを特徴とする請求項３１ないし４１のいずれかに記載のチップ型発光素子である。
請求項４３記載の発明は、前記ボンディングワイヤーは、前記絶縁性基板の前記一方表面の法線方向から見た平面視において、前記貫通孔と重なる領域で前記他方の内部電極に接続されていることを特徴とする請求項３１ないし４２のいずれかに記載のチップ型発光素子である。
請求項４４記載の発明は、前記絶縁性基板の側面とほぼ面一の側面を有し、前記発光体チップの周囲を被覆する透光性部材をさらに含むことを特徴とする請求項３１ないし４３のいずれかに記載のチップ型発光素子である。
請求項４５記載の発明は、前記透光性部材は、前記発光体チップ、前記ボンディングワイヤー、前記発光体チップと前記内部電極との接合部、前記発光体チップと前記ボンディングワイヤーとの接合部、および前記一対の内部電極の全体を被覆していることを特徴とする、請求項４４に記載のチップ型発光素子である。
請求項４６記載の発明は、前記絶縁性基板は、その側面が全周にわたってはんだぬれ性のない表面を呈することを特徴とする請求項３１ないし４５のいずれかに記載のチップ型発光素子である。
請求項４７記載の発明は、前記絶縁性基板は、セラミックからなることを特徴とする請求項３１ないし４６のいずれかに記載のチップ型発光素子である。 The invention according to claim 32 is the chip-type light emitting device according to claim 31 , wherein the pair of internal electrodes has a laminated structure in which a plurality of conductive materials are laminated.
The invention of claim 33 wherein, said conductive material of said pair of internal electrodes, from the insulating substrate side, Cu, to claim 32, characterized in that it is constituted by a three-layer structure of Ni, and Au It is a chip type light emitting element of description.
The invention according to claim 34 is the chip-type light emitting device according to any of claims 31 to 33 , wherein the external electrode has a laminated structure in which a plurality of conductive materials are laminated. .
The invention of claim 35 wherein, the conductive material of the external electrodes, wherein the insulating substrate side, Cu, according to claim 34, characterized in that it is constituted by a three-layer structure of Ni, and Au This is a chip-type light emitting device.
The invention of claim 36 wherein, the external electrodes, wherein in a plan view as viewed from the normal direction of the other surface of the insulating substrate, to 31 claims, characterized in that it is formed in a rectangular shape 35 of A chip-type light emitting device according to any one of the above.
The invention of claim 37 wherein the a side surface of the insulating substrate is characterized in that are not formed any external electrodes, a chip-type light emitting device according to any one of claims 31 to 36.
The invention according to claim 38 is characterized in that the first and second through holes are formed in a circular shape in a plan view as viewed from the normal direction of the one surface of the insulating substrate. A chip-type light emitting device according to any one of claims 31 to 37 .
The invention according to claim 39 is the chip-type light emitting device according to claim 38 , wherein the first and second through holes are formed with the same diameter.
The invention according to claim 40 is the chip-type light emitting device according to any one of claims 31 to 39 , wherein the first and second through holes are filled with the conductive material.
The invention according to claim 41 is the chip-type light emitting device according to any one of claims 31 to 40 , wherein the conductive material disposed in the first and second through holes is made of Cu. is there.
The invention according to claim 42 is characterized in that the luminous body chip completely covers the first through hole in a plan view as viewed from the normal direction of the one surface of the insulating substrate, and The chip-type light emitting device according to any one of claims 31 to 41 , wherein the center of the light emitting chip is disposed so as to overlap the center of the first through hole.
The invention according to claim 43 is characterized in that the bonding wire is connected to the other internal electrode in a region overlapping the through hole in a plan view as viewed from the normal direction of the one surface of the insulating substrate. 43. The chip-type light emitting device according to any one of claims 31 to 42 .
The invention of claim 44 wherein, the side surface of the insulating substrate and has a substantially flush aspect, to 31 claims, further comprising a light transmissive member covering the periphery of the light emitter chip 43 A chip-type light emitting device according to any one of the above.
The invention according to claim 45 is characterized in that the translucent member includes the light emitter chip, the bonding wire, a joint portion between the light emitter chip and the internal electrode, a joint portion between the light emitter chip and the bonding wire, 45. The chip-type light emitting device according to claim 44 , wherein the whole of the pair of internal electrodes is covered.
The invention according to claim 46 is the chip-type light emitting device according to any one of claims 31 to 45 , wherein the insulating substrate has a surface on which the side surface has no solder wettability. .
A 47th aspect of the present invention is the chip type light emitting device according to any of the 31st to 46th aspects, wherein the insulating substrate is made of ceramic.

本発明の一実施形態に係るチップ型発光素子の図解的な断面図である。1 is a schematic cross-sectional view of a chip-type light emitting device according to an embodiment of the present invention. 図１のチップ型発光素子の図解的な底面図である。FIG. 2 is a schematic bottom view of the chip type light emitting device of FIG. 1. 絶縁性基板の構造の変形例を示す図解的な断面図である。It is an illustration sectional view showing the modification of the structure of an insulating substrate. 本発明の他の実施形態に係るチップ型発光素子の図解的な断面図である。It is an illustration sectional view of a chip type light emitting element concerning other embodiments of the present invention. 従来の一般的なチップ型発光素子の図解的な断面図である。It is an illustration sectional view of the conventional general chip type light emitting element.

以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、本発明の一実施例に係るチップ型発光素子の構成を示す図解的な断面図である。
このチップ型発光素子は、いずれも平坦な表面からなる一方表面１ａおよび他方表面１ｃを有する絶縁性基板１の一方表面１ａ上に発光体チップ３を実装し、この発光体チップ３を透光性部材８で封止した構造を有している。すなわち、絶縁性基板１の一方表面１ａに、一対の内部電極２が形成され、その一方に発光体チップ３がダイ・ボンディングされ、これと他方の内部電極２とがボンディングワイヤー４で電気的に接続されている。絶縁性基板１は、セラミックからなる。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing the configuration of a chip-type light emitting device according to an embodiment of the present invention.
In this chip type light emitting device, a light emitting chip 3 is mounted on one surface 1a of an insulating substrate 1 having a flat surface and one surface 1a and the other surface 1c, and the light emitting chip 3 is made transparent. The structure is sealed with the member 8. That is, a pair of internal electrodes 2 is formed on one surface 1 a of the insulating substrate 1, and a light-emitting chip 3 is die-bonded on one of them, and this and the other internal electrode 2 are electrically connected by a bonding wire 4. It is connected. The insulating substrate 1 is made of ceramic.

本実施形態においては、内部電極２は絶縁性基板１側よりＣｕ（２ａ）、Ｎｉ（２ｂ）、Ａｕ（２ｃ）の３層により構成される。導電性の高いＣｕを基材とすることにより低抵抗が得られる。これを適度な硬度を持つＮｉで被覆することによりワイヤー・ボンディング時の作業性が向上する。さらにこれを耐候性の高いＡｕで被覆することにより電極部材の特性を経時的に一定に保っている。   In the present embodiment, the internal electrode 2 is composed of three layers of Cu (2a), Ni (2b), and Au (2c) from the insulating substrate 1 side. Low resistance can be obtained by using Cu having high conductivity as a base material. By covering this with Ni having an appropriate hardness, workability during wire bonding is improved. Further, by covering this with Au having high weather resistance, the characteristics of the electrode member are kept constant over time.

内部電極２ａは、絶縁性基板１にあけられた貫通孔６に満たされた導電材７によって、絶縁性基板１の他方表面１ｃに形成された外部電極５と電気的に接続されている。外部電極５は内部電極２と同様、絶縁性基板１側よりＣｕ（５ａ）、Ｎｉ（５ｂ）、Ａｕ（５ｃ）の３層により構成される。導電材７の材質としてはＣｕなど低抵抗のものを用いることが好ましい。   The internal electrode 2 a is electrically connected to the external electrode 5 formed on the other surface 1 c of the insulating substrate 1 by a conductive material 7 filled in the through hole 6 formed in the insulating substrate 1. As with the internal electrode 2, the external electrode 5 is composed of three layers of Cu (5a), Ni (5b), and Au (5c) from the insulating substrate 1 side. As the material of the conductive material 7, it is preferable to use a low resistance material such as Cu.

絶縁性基板１の表面１ａ上において、発光体チップ３、ボンディングワイヤー４、およびそれらと内部電極２ｃとの接合部を含む領域は、透光性部材８によって保護されている。
図２は、図１に示すチップ型発光素子を矢印Ａの方向から見た図解的な底面図である。外部電極５は、絶縁性基板１の側面１ｂから一定の距離Ｂ１、Ｂ２をあけて配されている。より具体的には、図２に示すように、絶縁性基板１は、長手形状（たとえば、１．０ｍｍ×０．５ｍｍの長手形状）に形成されている。各外部電極５は、各外部電極５と絶縁性基板１の長手方向端部との間の距離Ｂ１が、各外部電極５と絶縁性基板１の短手方向端部との間の距離Ｂ２に比べて大きくなるように形成されている。絶縁性基板１の側面１ｂには、いずれの電極も形成されておらず、この側面１ｂは全周にわたってはんだぬれ性のない表面を呈している。 On the surface 1 a of the insulating substrate 1, the region including the light emitting chip 3, the bonding wire 4, and the joint portion between them and the internal electrode 2 c is protected by the translucent member 8.
2 is a schematic bottom view of the chip-type light emitting device shown in FIG. The external electrode 5 is arranged at a certain distance B1 and B2 from the side surface 1b of the insulating substrate 1. More specifically, as shown in FIG. 2, the insulating substrate 1 is formed in a longitudinal shape (for example, a longitudinal shape of 1.0 mm × 0.5 mm). Each external electrode 5 has a distance B1 between each external electrode 5 and the longitudinal end portion of the insulating substrate 1 at a distance B2 between each external electrode 5 and the lateral end portion of the insulating substrate 1. It is formed to be larger than that. No electrode is formed on the side surface 1b of the insulating substrate 1, and the side surface 1b exhibits a surface without solder wettability over the entire circumference.

このような構造を採ることにより、このチップ型発光素子を外部電極５を介して配線基板１４上の電極パッド１３に、はんだ１２により接続する際、接合部、すなわちはんだ１２が存在する部分は、平面視において、すべてチップ型発光素子自身の占有面積内に入る。換言すれば、はんだ１２が存在する部分は、平面視において、すべて絶縁性基板１の占有面積内に入る。したがって、はんだ接合のためだけに要する領域を配線基板１４上に確保する必要がない。   By adopting such a structure, when this chip-type light emitting element is connected to the electrode pad 13 on the wiring board 14 via the external electrode 5 by the solder 12, the joint portion, that is, the portion where the solder 12 exists, In plan view, all are within the area occupied by the chip-type light emitting element itself. In other words, the portion where the solder 12 exists is all within the area occupied by the insulating substrate 1 in plan view. Therefore, it is not necessary to secure an area required only for solder joining on the wiring board 14.

したがって図１に示すように、配線基板１４上に、電極パッド１３や配線１５をごく近接して配置することが可能となり、はんだ１２を用いて部品を実装する際に、隣合った電極パッドや配線間で、ブリッジと呼ばれるはんだによる短絡が生ずることがない。
とくに、この実施形態の構成では、図２に示すように、外部電極５は、絶縁性基板１の側面１ｂから一定の距離Ｂ１やＢ２をもって配されている。そのため、配線基板１４への接合の際、はんだが外部電極５の面積の外に多少はみ出しても、ブリッジが生ずることはない。 Therefore, as shown in FIG. 1, it is possible to arrange the electrode pads 13 and the wirings 15 on the wiring board 14 in close proximity, and when mounting components using the solder 12, There is no short circuit between the wires due to solder called a bridge.
In particular, in the configuration of this embodiment, as shown in FIG. 2, the external electrode 5 is arranged at a certain distance B <b> 1 or B <b> 2 from the side surface 1 b of the insulating substrate 1. For this reason, even when the solder protrudes out of the area of the external electrode 5 at the time of joining to the wiring board 14, no bridge is generated.

ワイヤー・ボンディングの作業性の面では、貫通孔６は、図１に示すように導電材７によって完全に満たされていることが望ましいが、図３に示すごとく貫通孔６の一部のみを導電材７Ａで満たすことも可能である。すなわち、ワイヤー・ボンディングの際、ボンディングワイヤー４を接続すべき内部電極２の下部は、図１のように中実であった方が、図３のように中空であった場合に比して、与えた超音波が効率的に接合部に伝わるため、接合が容易なものとなる。   In terms of workability of wire bonding, the through hole 6 is preferably completely filled with the conductive material 7 as shown in FIG. 1, but only a part of the through hole 6 is electrically conductive as shown in FIG. It is also possible to fill with material 7A. That is, at the time of wire bonding, the lower part of the internal electrode 2 to which the bonding wire 4 is to be connected is solid as shown in FIG. 1, compared to the case where it is hollow as shown in FIG. Since the applied ultrasonic wave is efficiently transmitted to the joining portion, joining becomes easy.

ただし、ワイヤー・ボンディングの作業性が問題にならない場合、たとえば、内部電極２の領域内で貫通孔６の直上でない部分でボンディングする場合など、図３のような構造を採ることができる。
図３の構造は、絶縁性基板１の一方表面１ａに内部電極２を形成後、他方表面１ｃより、レーザなどにより貫通孔６をあけ、貫通孔６内面を含む所定部分にメッキをすることなどにより得られる。この構造では、絶縁性基板１の底面１ｃより外部電極９と内部電極２とを電気的に接続する導電材７Ａは、外部電極９と一体化された導電膜からなっている。 However, when workability of wire bonding does not become a problem, for example, when bonding is performed at a portion not directly above the through hole 6 in the region of the internal electrode 2, a structure as shown in FIG. 3 can be adopted.
In the structure of FIG. 3, after forming the internal electrode 2 on the one surface 1 a of the insulating substrate 1, a through hole 6 is formed from the other surface 1 c with a laser or the like, and a predetermined portion including the inner surface of the through hole 6 is plated. Is obtained. In this structure, the conductive material 7 A that electrically connects the external electrode 9 and the internal electrode 2 from the bottom surface 1 c of the insulating substrate 1 is made of a conductive film integrated with the external electrode 9.

図４は、本発明の他の実施形態に係るチップ型発光素子の図解的な断面図である。この実施形態では、透光性部材８の端面８ｂが、絶縁性基板１の側面１ｂと、全周にわたって面一に形成されて、発光体チップ３の周囲を被覆している。外部電極５は部品底部にあるので、透光性部材８は従来の構成の場合（図５）のように、絶縁性基板１の表面１ａ側に露出部を確保した状態で設ける必要がなく、絶縁性基板１の側面１ｂとほぼ面一に形成して差し支えない。   FIG. 4 is a schematic cross-sectional view of a chip-type light emitting device according to another embodiment of the present invention. In this embodiment, the end surface 8 b of the translucent member 8 is formed flush with the side surface 1 b of the insulating substrate 1 over the entire circumference and covers the periphery of the light emitting chip 3. Since the external electrode 5 is located at the bottom of the component, the translucent member 8 does not need to be provided in a state where an exposed portion is secured on the surface 1a side of the insulating substrate 1 as in the conventional configuration (FIG. 5). The insulating substrate 1 may be formed substantially flush with the side surface 1b.

上述のような構成を採れば、複数個の素子分の導電材６、内部電極２、および外部電極５を形成した大きな絶縁性基板１上に、素子数分の発光体チップ３およびボンディングワイヤー４を設けた後、この大きな絶縁性基板１のほぼ全面を覆う透光性部材８を形成し、その後に個々の素子に切出すという製造方法を採ることが可能である。この方法によれば、複数個の素子の透光性部材８を一括で形成できるので生産性が向上する。   If the configuration as described above is adopted, the light emitting device chips 3 and bonding wires 4 corresponding to the number of elements are formed on the large insulating substrate 1 on which the conductive material 6, the internal electrodes 2 and the external electrodes 5 corresponding to a plurality of elements are formed. It is possible to adopt a manufacturing method in which a translucent member 8 that covers almost the entire surface of the large insulating substrate 1 is formed and then cut into individual elements. According to this method, the translucent member 8 of a plurality of elements can be formed at a time, so that productivity is improved.

これに対して、図５のような従来構造のチップ型発光素子においては、外部電極５５は絶縁性基板５１を所定の大きさに切り出した後に形成、その後に透光性部材５６を形成しなければならない。
チップ型発光素子と配線基板との接合は、はんだ以外に導電性接着剤を用いて作ることもできる。 On the other hand, in the chip type light emitting device having the conventional structure as shown in FIG. 5, the external electrode 55 is formed after the insulating substrate 51 is cut out to a predetermined size, and then the translucent member 56 is formed. I must.
The chip-type light emitting element and the wiring board can be joined using a conductive adhesive other than solder.

この明細書および図面の記載から、抽出される特徴を以下に示す。
項１．一方表面に内部電極が設けられており、セラミックからなる絶縁性基板と、この絶縁性基板の前記一方表面上に設けられ、前記内部電極と接続された発光体チップと、前記絶縁性基板の他方表面に設けられ、前記絶縁性基板内部に形成された配線部材を介して前記内部電極に電気的に接続された外部電極とを含むことを特徴とするチップ型発光素子。 The features extracted from the description of this specification and the drawings are shown below.
Item 1. An internal electrode is provided on one surface, an insulating substrate made of ceramic, a light emitting chip provided on the one surface of the insulating substrate and connected to the internal electrode, and the other of the insulating substrate A chip-type light emitting device comprising an external electrode provided on a surface and electrically connected to the internal electrode through a wiring member formed inside the insulating substrate.

項１によれば、チップ型発光素子の外部電極は、絶縁性基板の底面（発光体チップ実装面とは反対側の表面）に形成されている。したがって、このチップ型発光素子を、配線基板上の電極パッドにはんだ付けして実装する場合、接合部の大半はこのチップ型発光素子自身の占有面積内に入る。これにより、配線基板上におけるチップ型発光素子の実質的な占有面積を低減でき、電子部品等の高密度実装が可能となる。   According to Item 1, the external electrode of the chip-type light emitting element is formed on the bottom surface of the insulating substrate (the surface opposite to the light emitting chip mounting surface). Therefore, when this chip type light emitting element is mounted by soldering to the electrode pad on the wiring board, most of the joint portion falls within the area occupied by the chip type light emitting element itself. Thereby, the substantial occupation area of the chip-type light emitting element on the wiring board can be reduced, and high-density mounting of electronic components and the like is possible.

項２．前記配線部材は、前記絶縁性基板に形成された貫通孔内に配置された導電材を含むことを特徴とする項１記載のチップ型発光素子。
項２によれば、絶縁性基板に設けられた貫通孔内に配置した導電材により内部電極と外部電極との電気接続を達成するという単純な構造とすることにより、素子を安価なものとすることができる。 Item 2. The chip-type light-emitting element according to claim 1, wherein the wiring member includes a conductive material disposed in a through hole formed in the insulating substrate.
According to the second aspect, the element can be made inexpensive by adopting a simple structure in which the electrical connection between the internal electrode and the external electrode is achieved by the conductive material disposed in the through hole provided in the insulating substrate. be able to.

項３．前記貫通孔が前記導電材で満たされていることを特徴とする項２記載のチップ型発光素子。
項３によれば、貫通孔内部を導電材で満たすことにより、貫通孔直上に内部電極を設けた場合に、この内部電極に対して、発光体チップからのボンディングワイヤーを良好に接合できる。すなわち、ワイヤー・ボンディング時に、与えた超音波が効率的に接合部に伝わるため、容易に接合を達成できる。 Item 3. 3. The chip-type light emitting device according to claim 2, wherein the through hole is filled with the conductive material.
According to Item 3, when the internal electrode is provided immediately above the through hole by filling the inside of the through hole with the conductive material, the bonding wire from the light emitting chip can be satisfactorily bonded to the internal electrode. That is, since the applied ultrasonic wave is efficiently transmitted to the joint during wire bonding, the joining can be easily achieved.

項４．前記絶縁性基板の側面には、いずれの外部電極も形成されていないことを特徴とする項１ないし３のいずれかに記載のチップ型発光素子。
項４によれば、配線基板上に実装された場合、はんだ接合部の大半がこのチップ型発光素子の占有面積内に入る。
項５．前記外部電極は、前記絶縁性基板の側面から内方に間隔をあけて、前記他方表面上に形成されていることを特徴とする項１ないし４のいずれかに記載のチップ型発光素子。 Item 4. 4. The chip-type light emitting device according to any one of claims 1 to 3, wherein any external electrode is not formed on a side surface of the insulating substrate.
According to item 4, when mounted on the wiring board, most of the solder joints fall within the area occupied by the chip-type light emitting device.
Item 5. 5. The chip-type light emitting device according to claim 1, wherein the external electrode is formed on the other surface with a space inward from a side surface of the insulating substrate.

項５によれば、外部電極は絶縁性基板の側面から距離をあけて設けられている。したがって、配線基板との接合時に、平面視において、接合部のほぼ全部がこのチップ型発
光素子の占有面積内に入る。
項６．前記絶縁性基板の側面とほぼ面一の側面を有し、前記発光体チップの周囲を被覆する透光性部材をさらに含むことを特徴とする項１ないし５のいずれかに記載のチップ型発光素子。 According to Item 5, the external electrode is provided at a distance from the side surface of the insulating substrate. Therefore, at the time of bonding to the wiring board, almost all of the bonding portion falls within the area occupied by the chip-type light emitting element in plan view.
Item 6. 6. The chip-type light emission according to claim 1, further comprising a translucent member having a side surface substantially flush with a side surface of the insulating substrate and covering the periphery of the light emitting chip. element.

チップ型発光素子を１．０ｍｍ×０．５ｍｍサイズ等の小型サイズに構成する場合、絶縁性基板上において透光性部材による被覆部の占める面積割合が大きくなる。しかし、項６によれば、絶縁性基板の底面に外部電極が設けられ、その底面側において配線基板への接合を行う構成である。したがって、チップ型発光素子端部付近において絶縁性基板の表面を露出させておく必要がない。そこで、絶縁性基板の側面とほぼ面一の状態で透光性部材を配置して発光体チップの周囲を被覆することにより、素子の小型化が容易になるとともに、構造が簡単になり、生産性を向上させることができる。   When the chip-type light emitting element is configured in a small size such as 1.0 mm × 0.5 mm, the area ratio of the covering portion by the translucent member on the insulating substrate is increased. However, according to the sixth aspect, the external electrode is provided on the bottom surface of the insulating substrate, and bonding to the wiring substrate is performed on the bottom surface side. Therefore, it is not necessary to expose the surface of the insulating substrate in the vicinity of the end of the chip type light emitting element. Therefore, by arranging the translucent member so as to be almost flush with the side surface of the insulating substrate and covering the periphery of the light emitting chip, the device can be easily downsized and the structure can be simplified and produced. Can be improved.

１ 絶縁性基板
１ａ 絶縁性基板表面
１ｂ 絶縁性基板側面
１ｃ 絶縁性基板底面
２ 内部電極
３ 発光体チップ
４ ボンディングワイヤー
５ 外部電極
６ 貫通孔
７ 導電材
８ 透光性部材
９ 外部電極
１２ はんだ
１４ 配線基板 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Insulating substrate 1a Insulating substrate surface 1b Insulating substrate side surface 1c Insulating substrate bottom face 2 Internal electrode 3 Light emitting chip 4 Bonding wire 5 External electrode 6 Through-hole 7 Conductive material 8 Translucent member 9 External electrode 12 Solder 14 Wiring substrate

Claims (47)

いずれも平坦な表面からなる一方表面および他方表面を有する絶縁性基板と、
前記絶縁性基板の前記一方表面に設けられた一対の内部電極と、
各前記内部電極が配置された位置において前記一方表面と前記他方表面との間にそれぞれ形成された貫通孔と、
各前記貫通孔内に配置された導電材と、
前記絶縁性基板の前記一方表面の法線方向から見て一方の前記貫通孔に重なるように、かつ他方の前記貫通孔を避けるように、当該一方の貫通孔を覆う一方の前記内部電極上に設けられ、その内部電極にダイ・ボンディングされた発光体チップと、
他方の前記内部電極と前記発光体チップとを接続するボンディングワイヤーと、
前記絶縁性基板のいずれの側面からも内方に間隔をあけて、前記絶縁性基板の前記他方表面に設けられ、前記導電材を介して前記一方および他方の内部電極にそれぞれ電気的に接続された外部電極とを含み、
前記発光体チップは、前記法線方向から見て、前記貫通孔を完全に被覆するように、かつ、前記発光体チップの中心が前記貫通孔の中心と重なるように配置されていることを特徴とするチップ型発光素子。 An insulating substrate having one surface and the other surface, both of which are flat surfaces;
A pair of internal electrodes provided on the one surface of the insulating substrate;
A through-hole formed between the one surface and the other surface at a position where each of the internal electrodes is disposed;
A conductive material disposed in each through hole;
On one internal electrode covering the one through hole so as to overlap the one through hole as seen from the normal direction of the one surface of the insulating substrate and to avoid the other through hole A light emitter chip provided and die bonded to its internal electrode;
A bonding wire connecting the other internal electrode and the light emitting chip,
Provided on the other surface of the insulating substrate, spaced inward from either side of the insulating substrate, and electrically connected to the one and other internal electrodes via the conductive material, respectively. Including external electrodes,
The light emitting chip is disposed so as to completely cover the through hole when viewed from the normal direction, and the center of the light emitting chip is overlapped with the center of the through hole. A chip-type light emitting device. 前記貫通孔が前記導電材で満たされていることを特徴とする請求項１記載のチップ型発光素子。   The chip-type light emitting device according to claim 1, wherein the through hole is filled with the conductive material. 前記ボンディングワイヤーは、前記法線方向から見て、前記貫通孔と重なる領域で前記他方の内部電極に接続されていることを特徴とする、請求項１または２のいずれかに記載のチップ型発光素子。   3. The chip-type light emitting device according to claim 1, wherein the bonding wire is connected to the other internal electrode in a region overlapping with the through hole when viewed from the normal direction. element. 前記絶縁性基板の側面には、いずれの外部電極も形成されていないことを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載のチップ型発光素子。   4. The chip-type light emitting device according to claim 1, wherein any external electrode is not formed on a side surface of the insulating substrate. 前記絶縁性基板の側面とほぼ面一の側面を有し、前記発光体チップの周囲を被覆する透光性部材をさらに含むことを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載のチップ型発光素子。   5. The chip mold according to claim 1, further comprising a translucent member having a side surface substantially flush with a side surface of the insulating substrate and covering the periphery of the light emitting chip. Light emitting element. 前記絶縁性基板は、その側面が全周にわたってはんだぬれ性のない表面を呈することを特徴とする請求項１ないし５のいずれかに記載のチップ型発光素子。   6. The chip-type light emitting device according to claim 1, wherein the insulating substrate has a surface having a solder wettability all around its side surface. 前記絶縁性基板は、セラミックからなることを特徴とする請求項１ないし６のいずれかに記載のチップ型発光素子。   The chip-type light emitting device according to claim 1, wherein the insulating substrate is made of ceramic. 前記一対の内部電極は、複数の導電材が積層された積層構造を有していることを特徴とする請求項１ないし７のいずれかに記載のチップ型発光素子。   8. The chip-type light emitting device according to claim 1, wherein the pair of internal electrodes has a laminated structure in which a plurality of conductive materials are laminated. 前記一対の内部電極の前記導電材が、前記絶縁性基板側より、Ｃｕ、Ｎｉ、およびＡｕの３層構造により構成されていることを特徴とする請求項８に記載のチップ型発光素子。   9. The chip-type light emitting device according to claim 8, wherein the conductive material of the pair of internal electrodes has a three-layer structure of Cu, Ni, and Au from the insulating substrate side. 前記外部電極は、複数の導電材が積層された積層構造を有していることを特徴とする請求項１ないし９のいずれかに記載のチップ型発光素子。   The chip-type light emitting device according to claim 1, wherein the external electrode has a laminated structure in which a plurality of conductive materials are laminated. 前記外部電極の前記導電材が、前記絶縁性基板側より、Ｃｕ、Ｎｉ、およびＡｕの３層構造により構成されていることを特徴とする請求項１０に記載のチップ型発光素子。   The chip-type light emitting device according to claim 10, wherein the conductive material of the external electrode has a three-layer structure of Cu, Ni, and Au from the insulating substrate side. 前記貫通孔に配置された前記導電材が、Ｃｕからなることを特徴とする請求項１ないし１１のいずれかに記載のチップ型発光素子。   12. The chip-type light emitting device according to claim 1, wherein the conductive material disposed in the through hole is made of Cu. 前記絶縁性基板は、長手形状を有していることを特徴とする請求項１ないし１２のいずれかに記載のチップ型発光素子。   The chip-type light emitting device according to claim 1, wherein the insulating substrate has a longitudinal shape. 前記外部電極を介して配線基板へ接合する際、平面視において、前記外部電極の占有面積の外に、はんだがはみ出しても、はんだが、すべて、前記絶縁性基板の占有面積内に入るように、前記絶縁性基板の側面からの前記外部電極の間隔が設定されていることを特徴とする請求項１ないし１３のいずれかに記載のチップ型発光素子。   When bonding to the wiring board via the external electrode, in a plan view, even if the solder protrudes outside the area occupied by the external electrode, the solder is all within the area occupied by the insulating substrate. 14. The chip-type light emitting device according to claim 1, wherein an interval between the external electrodes from a side surface of the insulating substrate is set. いずれも平坦な表面からなる一方表面および他方表面を有する長手形状の絶縁性基板と、
前記絶縁性基板の前記一方表面に設けられた一対の内部電極と、
各前記内部電極が配置された位置において前記一方表面と前記他方表面との間にそれぞれ形成された貫通孔と、
各前記貫通孔内に配置された導電材と、
前記絶縁性基板の前記一方表面の法線方向から見て一方の前記貫通孔に重なるように、かつ他方の前記貫通孔を避けるように、当該一方の貫通孔を覆う一方の前記内部電極上に設けられ、その内部電極にダイ・ボンディングされた発光体チップと、
他方の前記内部電極と前記発光体チップとを接続するボンディングワイヤーと、
前記絶縁性基板のいずれの側面からも内方に間隔をあけて、前記絶縁性基板の前記他方表面に設けられ、前記導電材を介して前記一方および他方の内部電極にそれぞれ電気的に接続された外部電極とを含み、
各前記外部電極は、各前記外部電極と前記絶縁性基板の長手方向端部との間の距離（Ｂ１）が、各前記外部電極と前記絶縁性基板の短手方向端部との間の距離（Ｂ２）に比べて大きくなるように形成されており、
前記発光体チップは、前記法線方向から見て、前記貫通孔を完全に被覆するように、かつ、前記発光体チップの中心が前記貫通孔の中心と重なるように配置されていることを特徴とするチップ型発光素子。 A longitudinal insulating substrate having one surface and the other surface each consisting of a flat surface,
A pair of internal electrodes provided on the one surface of the insulating substrate;
A through-hole formed between the one surface and the other surface at a position where each of the internal electrodes is disposed;
A conductive material disposed in each through hole;
On one internal electrode covering the one through hole so as to overlap the one through hole as seen from the normal direction of the one surface of the insulating substrate and to avoid the other through hole A light emitter chip provided and die bonded to its internal electrode;
A bonding wire connecting the other internal electrode and the light emitting chip,
Provided on the other surface of the insulating substrate, spaced inward from either side of the insulating substrate, and electrically connected to the one and other internal electrodes via the conductive material, respectively. Including external electrodes,
Each external electrode has a distance (B1) between each external electrode and a longitudinal end portion of the insulating substrate, and a distance between each external electrode and a short end portion of the insulating substrate. It is formed to be larger than (B2) ,
The light emitting chip is disposed so as to completely cover the through hole when viewed from the normal direction, and the center of the light emitting chip is overlapped with the center of the through hole. A chip-type light emitting device. 前記一対の内部電極は、複数の導電材が積層された積層構造を有していることを特徴とする請求項１５に記載のチップ型発光素子。   The chip-type light emitting device according to claim 15, wherein the pair of internal electrodes has a laminated structure in which a plurality of conductive materials are laminated. 前記一対の内部電極の前記導電材が、前記絶縁性基板側より、Ｃｕ、Ｎｉ、およびＡｕの３層構造により構成されていることを特徴とする請求項１６に記載のチップ型発光素子。   The chip-type light emitting device according to claim 16, wherein the conductive material of the pair of internal electrodes has a three-layer structure of Cu, Ni, and Au from the insulating substrate side. 前記外部電極は、複数の導電材が積層された積層構造を有していることを特徴とする請求項１５ないし１７のいずれかに記載のチップ型発光素子。   The chip-type light emitting device according to claim 15, wherein the external electrode has a laminated structure in which a plurality of conductive materials are laminated. 前記外部電極の前記導電材が、前記絶縁性基板側より、Ｃｕ、Ｎｉ、およびＡｕの３層構造により構成されていることを特徴とする請求項１８に記載のチップ型発光素子。   19. The chip-type light emitting device according to claim 18, wherein the conductive material of the external electrode has a three-layer structure of Cu, Ni, and Au from the insulating substrate side. 前記外部電極は、前記絶縁性基板の前記他方表面の法線方向から見た平面視において、矩形状に形成されていることを特徴とする請求項１５ないし１９のいずれかに記載のチップ型発光素子。   The chip-type light emitting device according to any one of claims 15 to 19, wherein the external electrode is formed in a rectangular shape in a plan view as viewed from a normal direction of the other surface of the insulating substrate. element. 前記絶縁性基板の側面には、いずれの外部電極も形成されていないことを特徴とする、請求項１５ないし２０のいずれかに記載のチップ型発光素子。   21. The chip-type light emitting device according to claim 15, wherein any external electrode is not formed on a side surface of the insulating substrate. 各前記貫通孔は、前記絶縁性基板の前記一方表面の法線方向から見た平面視において、円形状に形成されていることを特徴とする請求項１５ないし２１のいずれかに記載のチップ型発光素子。   The chip type according to any one of claims 15 to 21, wherein each of the through holes is formed in a circular shape in a plan view as viewed from the normal direction of the one surface of the insulating substrate. Light emitting element. 各前記貫通孔は、同一の直径で形成されていることを特徴とする請求項２２に記載のチップ型発光素子。   23. The chip-type light emitting device according to claim 22, wherein each of the through holes is formed with the same diameter. 各前記貫通孔は、前記導電材で満たされていることを特徴とする請求項１５ないし２３のいずれかに記載のチップ型発光素子。   24. The chip-type light emitting device according to claim 15, wherein each through hole is filled with the conductive material. 前記貫通孔に配置された前記導電材が、Ｃｕからなることを特徴とする請求項１５ないし２４のいずれかに記載のチップ型発光素子。   The chip-type light emitting device according to any one of claims 15 to 24, wherein the conductive material disposed in the through hole is made of Cu. 前記ボンディングワイヤーは、前記法線方向から見て、前記貫通孔と重なる領域で前記他方の内部電極に接続されていることを特徴とする請求項１５ないし２５のいずれかに記載のチップ型発光素子。 The bonding wire, the as viewed from the normal direction, the chip-type light emitting device according to any one of claims 15 to 25, characterized in that it is connected to the internal electrodes of the other in the region overlapping with the through hole . 前記絶縁性基板の側面とほぼ面一の側面を有し、前記発光体チップの周囲を被覆する透光性部材をさらに含むことを特徴とする請求項１５ないし２６のいずれかに記載のチップ型発光素子。 The side of the insulating substrate and has a substantially flush aspect, a chip type according to any one of claims 15 to 26, further comprising a light transmissive member covering the periphery of the light emitter chip Light emitting element. 前記透光性部材は、前記発光体チップ、前記ボンディングワイヤー、前記発光体チップと前記内部電極との接合部、前記発光体チップと前記ボンディングワイヤーとの接合部、および前記一対の内部電極の全体を被覆していることを特徴とする請求項２７に記載のチップ型発光素子。 The translucent member includes the light emitting chip, the bonding wire, a bonding portion between the light emitting chip and the internal electrode, a bonding portion between the light emitting chip and the bonding wire, and the entire pair of internal electrodes. 28. The chip-type light emitting device according to claim 27 , wherein: 前記絶縁性基板は、その側面が全周にわたってはんだぬれ性のない表面を呈することを特徴とする請求項１５ないし２８のいずれかに記載のチップ型発光素子。 The chip-type light emitting device according to any one of claims 15 to 28 , wherein a side surface of the insulating substrate exhibits a surface having no solder wettability over the entire circumference. 前記絶縁性基板は、セラミックからなることを特徴とする請求項１５ないし２９のいずれかに記載のチップ型発光素子。 The insulating substrate is a chip-type light emitting device according to any one of claims 15 to 29, characterized in that it consists of ceramic. いずれも平坦な表面からなる一方表面および他方表面を有し、前記一方表面に一対の内部電極が設けられている絶縁性基板と、
この絶縁性基板の前記一方表面上に設けられ、前記内部電極と接続された発光体チップと、
前記絶縁性基板の前記他方表面に設けられ、前記絶縁性基板内部に形成された配線部材を介して前記内部電極に電気的に接続された外部電極とを含むチップ型発光素子であって、
前記配線部材は、前記絶縁性基板に形成された貫通孔内に配置された導電材を含み、
前記貫通孔は、第１および第２の貫通孔を含み、
前記一対の内部電極の一方および他方が、それぞれ前記第１および第２の貫通孔の直上に設けられており、
前記発光体チップは、前記一対の内部電極の一方に、前記第１の貫通孔の直上でダイ・ボンディングされており、前記一対の内部電極の他方と前記発光体チップとは、ボンディングワイヤーで電気的に接続されており、
前記外部電極は、前記絶縁性基板の側面から内方に間隔をあけて、前記他方表面上に形成されており、
当該チップ型発光素子を、前記外部電極を介して配線基板へ接合する際、平面視において、前記外部電極の占有面積の外に、はんだがはみ出しても、はんだが、すべて、当該チップ型発光素子の占有面積内に入るように、前記絶縁性基板の側面からの前記外部電極の間隔が設定されていることを特徴とするチップ型発光素子。 Both have one surface and the other surface consisting of flat surfaces, an insulating substrate provided with a pair of internal electrodes on the one surface;
A light emitting chip provided on the one surface of the insulating substrate and connected to the internal electrode;
A chip-type light emitting device including an external electrode provided on the other surface of the insulating substrate and electrically connected to the internal electrode via a wiring member formed inside the insulating substrate;
The wiring member includes a conductive material disposed in a through hole formed in the insulating substrate,
The through hole includes first and second through holes,
One and the other of the pair of internal electrodes are provided immediately above the first and second through holes, respectively.
The light emitting chip is die-bonded to one of the pair of internal electrodes immediately above the first through hole, and the other of the pair of internal electrodes and the light emitting chip are electrically connected by a bonding wire. Connected,
The external electrode is formed on the other surface, spaced inward from the side surface of the insulating substrate,
When the chip-type light emitting element is bonded to the wiring substrate via the external electrode, even if the solder protrudes outside the area occupied by the external electrode in a plan view, the solder is entirely covered by the chip-type light emitting element. The chip-type light emitting element is characterized in that the distance between the external electrodes from the side surface of the insulating substrate is set so as to fall within an occupied area of the insulating substrate. 前記一対の内部電極は、複数の導電材が積層された積層構造を有していることを特徴とする請求項３１に記載のチップ型発光素子。 32. The chip-type light emitting device according to claim 31 , wherein the pair of internal electrodes has a laminated structure in which a plurality of conductive materials are laminated. 前記一対の内部電極の前記導電材が、前記絶縁性基板側より、Ｃｕ、Ｎｉ、およびＡｕの３層構造により構成されていることを特徴とする請求項３２に記載のチップ型発光素子。 33. The chip-type light emitting device according to claim 32 , wherein the conductive material of the pair of internal electrodes has a three-layer structure of Cu, Ni, and Au from the insulating substrate side. 前記外部電極は、複数の導電材が積層された積層構造を有していることを特徴とする請求項３１ないし３３のいずれかに記載のチップ型発光素子。 The chip-type light emitting device according to any one of claims 31 to 33 , wherein the external electrode has a laminated structure in which a plurality of conductive materials are laminated. 前記外部電極の前記導電材が、前記絶縁性基板側より、Ｃｕ、Ｎｉ、およびＡｕの３層構造により構成されていることを特徴とする請求項３４に記載のチップ型発光素子。 35. The chip-type light emitting device according to claim 34 , wherein the conductive material of the external electrode has a three-layer structure of Cu, Ni, and Au from the insulating substrate side. 前記外部電極は、前記絶縁性基板の前記他方表面の法線方向から見た平面視において、矩形状に形成されていることを特徴とする請求項３１ないし３５のいずれかに記載のチップ型発光素子。 36. The chip-type light emitting device according to any one of claims 31 to 35 , wherein the external electrode is formed in a rectangular shape in a plan view as viewed from the normal direction of the other surface of the insulating substrate. element. 前記絶縁性基板の側面には、いずれの外部電極も形成されていないことを特徴とする、請求項３１ないし３６のいずれかに記載のチップ型発光素子。 37. The chip-type light emitting device according to any one of claims 31 to 36 , wherein any external electrode is not formed on a side surface of the insulating substrate. 前記第１および第２の貫通孔は、前記絶縁性基板の前記一方表面の法線方向から見た平面視において、円形状に形成されていることを特徴とする請求項３１ないし３７のいずれかに記載のチップ型発光素子。 The said 1st and 2nd through-hole is formed in circular shape in planar view seen from the normal line direction of the said one surface of the said insulating substrate, The one of Claims 31 thru | or 37 characterized by the above-mentioned. A chip-type light emitting device according to 1. 前記第１および第２の貫通孔は、同一の直径で形成されていることを特徴とする請求項３８に記載のチップ型発光素子。 39. The chip-type light emitting device according to claim 38 , wherein the first and second through holes are formed to have the same diameter. 前記第１および第２の貫通孔は、前記導電材で満たされていることを特徴とする請求項３１ないし３９のいずれかに記載のチップ型発光素子。 Wherein the first and second through-holes, chip type light emitting device according to any one of claims 31 to 39, characterized in that they are filled with the conductive material. 前記第１および第２の貫通孔に配置された前記導電材が、Ｃｕからなることを特徴とする請求項３１ないし４０のいずれかに記載のチップ型発光素子。 It said first and said conductive material disposed in the second through hole, a chip-type light emitting device according to any one of claims 31 to 40, characterized in that it consists of Cu. 前記発光体チップは、前記絶縁性基板の前記一方表面の法線方向から見た平面視において、前記第１の貫通孔を完全に被覆するように、かつ、前記発光体チップの中心が前記第１の貫通孔の中心と重なるように配置されていることを特徴とする請求項３１ないし４１のいずれかに記載のチップ型発光素子。 The light emitting chip covers the first through hole completely in a plan view as viewed from the normal direction of the one surface of the insulating substrate, and the center of the light emitting chip is the first 42. The chip-type light emitting device according to any one of claims 31 to 41 , wherein the chip type light emitting device is disposed so as to overlap with a center of one through hole. 前記ボンディングワイヤーは、前記絶縁性基板の前記一方表面の法線方向から見た平面視において、前記貫通孔と重なる領域で前記他方の内部電極に接続されていることを特徴とする請求項３１ないし４２のいずれかに記載のチップ型発光素子。 The bonding wire, said in a plan view as viewed from the normal direction of the one surface of the insulating substrate, to 31 claims, characterized in that it is connected to the internal electrodes of the other in the region overlapping with the through hole 42. The chip-type light emitting device according to any one of 42 . 前記絶縁性基板の側面とほぼ面一の側面を有し、前記発光体チップの周囲を被覆する透光性部材をさらに含むことを特徴とする請求項３１ないし４３のいずれかに記載のチップ型発光素子。 The side of the insulating substrate and has a substantially flush aspect, a chip type according to any one of claims 31 to 43, further comprising a light transmissive member covering the periphery of the light emitter chip Light emitting element. 前記透光性部材は、前記発光体チップ、前記ボンディングワイヤー、前記発光体チップと前記内部電極との接合部、前記発光体チップと前記ボンディングワイヤーとの接合部、および前記一対の内部電極の全体を被覆していることを特徴とする、請求項４４に記載のチップ型発光素子。 The translucent member includes the light emitting chip, the bonding wire, a bonding portion between the light emitting chip and the internal electrode, a bonding portion between the light emitting chip and the bonding wire, and the entire pair of internal electrodes. 45. The chip-type light-emitting element according to claim 44 , wherein: 前記絶縁性基板は、その側面が全周にわたってはんだぬれ性のない表面を呈することを特徴とする請求項３１ないし４５のいずれかに記載のチップ型発光素子。 46. The chip-type light emitting device according to any one of claims 31 to 45 , wherein a side surface of the insulating substrate exhibits a surface having no solder wettability over the entire circumference. 前記絶縁性基板は、セラミックからなることを特徴とする請求項３１ないし４６のいずれかに記載のチップ型発光素子。 The insulating substrate is a chip-type light emitting device according to any one of claims 31 to 46, characterized in that it consists of ceramic.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101627178B1 (en) * 2014-12-12 2016-06-03 주식회사 루멘스 Light emitting device package, backlight unit and lighting device
TWI744194B (en) * 2021-02-23 2021-10-21 晶呈科技股份有限公司 Light-emitting diode packaging structure and manufacturing method thereof

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0497366U (en) * 1991-01-17 1992-08-24
JP2717903B2 (en) * 1992-04-22 1998-02-25 三菱電線工業株式会社 Light emitting board
JP3832877B2 (en) * 1995-07-26 2006-10-11 日亜化学工業株式会社 Ceramic LED package and manufacturing method thereof
JPH1167967A (en) * 1997-08-21 1999-03-09 Sumitomo Metal Mining Co Ltd Board for mounting csp
JPH11161197A (en) * 1997-11-25 1999-06-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd Picture display device
JPH11330696A (en) * 1998-05-08 1999-11-30 Murata Mfg Co Ltd Ceramic multilayer board and its manufacture
JP2000022218A (en) * 1998-07-01 2000-01-21 Matsushita Electron Corp Chip-type electronic component and its manufacture
JP2000031545A (en) * 1998-07-16 2000-01-28 Rohm Co Ltd Semiconductor light emitting element and its manufacture
JP3819607B2 (en) * 1998-09-16 2006-09-13 三洋電機株式会社 Semiconductor device and manufacturing method thereof

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