JP6439546B2 - ガスセンサ及びその製造方法 - Google Patents
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Description
本実施形態では、グラフェンナノリボン(GNR)の端を様々な原子で修飾することにより、仕事関数やバンドギャップが異なるGNRを形成する。図1に、前駆体であるアントラセンダイマーから形成した、端部が修飾基、ここでは水素(H)で終端されたボトムアップGNRを例示する。
このガスセンサでは、表面にシリコン酸化膜等の絶縁膜を有するシリコン基板1上にチャネル層2が形成されている。チャネル層2は、短手方向の幅が10nm以下であり、H終端GNR2aの一端にF終端GNR2bが、他端にF終端GNR2cが接合されてなる。F終端GNR2bの端部(H終端GNR2aとの接続端とは反対側の端部)には、例えばTi/Auのソース電極3が形成されている。F終端GNR2cの端部(H終端GNR2aとの接続端とは反対側の端部)には、例えばTi/Auのドレイン電極4が形成されている。F終端GNR2bの表面及びF終端GNR2cの表面には、それぞれ所定の絶縁材料による保護膜5が形成されている。このガスセンサでは、H終端GNR2aの表面が露出しており、この露出部分がガス検知部10となる。
このガスセンサでは、表面にシリコン酸化膜等の絶縁膜を有するシリコン基板1上にチャネル層6が形成されている。チャネル層6は、短手方向の幅が10nm以下であり、H終端GNR6aの一端にNH2終端GNR6bが、他端にF終端GNR6cが接合されてなる。NH2終端GNR76の端部(H終端GNR6aとの接続端とは反対側の端部)には、例えばTi/Auのソース電極3が形成されている。F終端GNR6cの端部(H終端GNR7aとの接続端とは反対側の端部)には、例えばTi/Auのドレイン電極4が形成されている。NH2終端GNR6bの表面及びF終端GNR6cの表面には、それぞれ所定の絶縁材料による保護膜5が形成されている。このガスセンサでは、H終端GNR6aの表面が露出しており、この露出部分がガス検知部10となる。
このガスセンサでは、表面にシリコン酸化膜等の絶縁膜を有するシリコン基板1上にチャネル層7が形成されている。チャネル層7は、短手方向の幅が10nm以下であり、CH3終端GNR7aの一端にF終端GNR7bが、他端にNH2終端GNR7cが接合されてなる。F終端GNR7bの端部(CH3終端GNR7aとの接続端とは反対側の端部)には、例えばTi/Auのソース電極3が形成されている。NH2終端GNR7cの端部(CH3終端GNR7aとの接続端とは反対側の端部)には、例えばTi/Auのドレイン電極4が形成されている。F終端GNR7bの表面及びNH2終端GNR7cの表面には、それぞれ所定の絶縁材料による保護膜5が形成されている。このガスセンサでは、CH3終端GNR7aの表面が露出しており、この露出部分がガス検知部10となる。
以下、第1の実施形態について説明する。本実施形態では、GNRを用いたnpnトランジスタ構造を持つガスセンサについて、その製造方法と共に説明する。図15は、第1の実施形態によるnpn構造のガスセンサの製造方法を工程順に示す概略断面図である。
詳細には、端部がHで終端された、GNRの前駆体であるアントラセンダイマーを用い、熱エネルギーによりAu(111)基板上又はAg(111)基板上に重合する。なお、基板は個々で挙げたものに限定されるものではない。具体的には、非特許文献1と同様の手法を利用する。先ずアントラセンダイマー前駆体を例えば180℃程度〜250℃程度に加熱したAu(111)基板上又はAg(111)基板上に蒸着する。このとき、ラジカル重合によりアントラセンダイマー前駆体が直線上に連結する。
次に、H終端GNRを、表面にシリコン酸化膜等の絶縁膜を有するシリコン基板1上に転写する。以上により、シリコン基板1上にH終端GNR2aが形成される。
詳細には、先ず、シリコン基板1上にH終端GNR2aを覆うようにレジストを塗布し、レジストをリソグラフィーによりパターニングする。以上により、H終端GNR2aの両端部分を露出するレジストマスク11が形成される。なお、レジストマスク11の代わりに、より高温に耐えられる犠牲層(金属等)を形成し、マスクとして用いても良い。
詳細には、全面にレジストを塗布し、レジストをリソグラフィーによりパターニングするが、上記でフッ化に用いたマスクをそのまま用いることもできる。以上により、F終端GNR、またはその一部分を露出する開口が形成されたレジストマスクが形成される。
次に、蒸着法又はスパッタ法により金属(例えばTi/Au)を堆積する。そして、リフト・オフにより、レジストマスク及びその上に堆積したTi/Auを除去する。以上により、F終端GNR2b上にソース電極が、F終端GNR2c上にドレイン電極4がそれぞれ形成される。ここで、F終端GNR2c上にソース電極を、F終端GNR2b上にドレイン電極を形成するようにしても良い。
次いで、第2の実施形態について説明する。本実施形態では、GNRを用いたp+in+トンネルトランジスタ構造を持つセンサについて、その製造方法と共に説明する。図16は、第2の実施形態によるp+in+構造のガスセンサの製造方法を工程順に示す概略断面図である。
詳細には、端部がNH2で終端された、GNRの前駆体であるアントラセンダイマーを用い、第1の実施形態と同様の方法で熱エネルギーによりAu(111)基板上又はAg(111)基板上に重合する。アントラセンダイマーの代わりに、ペンタセンダイマー又はノナセンダイマー等を用いることもできる。以上により、端部がNH2で修飾されたNH2終端GNRが形成される。
次に、NH2終端GNRを、表面にシリコン酸化膜等の絶縁膜を有するシリコン基板1上に転写する。以上により、シリコン基板1上にNH2終端GNR6bが形成される。
詳細には、先ず、シリコン基板上にNH2終端GNR6bを覆うようにレジストを塗布し、レジストをリソグラフィーによりパターニングする。以上により、図16(a)のNH2終端GNRの6bの一方側(図示の例では右側)部分のみを露出するレジストマスク12が形成される。なお、レジストマスク12の代わりに、より高温に耐えられる犠牲層(金属等)を形成し、マスクとして用いても良い。
詳細には、先ず、シリコン基板1上にNH2終端GNR6b及びF終端GNR6cを覆うようにレジストを塗布し、レジストをリソグラフィーによりパターニングする。以上により、NH2終端GNR6bの他方側(図示の例では左側)部分のみを覆い、図16(b)のNH2終端GNR6bの中央部分及びF終端GNR6cを露出するレジストマスク13が形成される。なお、レジストマスク13の代わりに、より高温に耐えられる犠牲層(金属等)を形成し、マスクとして用いても良い。
詳細には、全面にレジストを塗布し、レジストをリソグラフィーによりパターニングする。以上により、NH2終端GNR6b及びF終端GNR6cを露出する開口が形成されたレジストマスクが形成される。
次いで、第3の実施形態について説明する。本実施形態では、第1の実施形態によるガスセンサにバックゲートが付加された構成を開示する。図17は、本実施形態によるガスセンサの一例を示す概略断面図である。
次いで、第4の実施形態について説明する。本実施形態では、第1の実施形態によるガスセンサにヒータ層が付加された構成を開示する。図18は、本実施形態によるガスセンサの一例を示す概略断面図である。
前記チャネル層の両端に形成された一対の電極と
を含み、
前記チャネル層は、その表面の一部が露出しており、当該露出部分がガス検知部とされていることを特徴とするガスセンサ。
前記一のグラフェンの少なくとも一部を、前記一の修飾基と異なる他の修飾基で端部が終端された他のグラフェンとし、前記一のグラフェンと前記他のグラフェンとが接合してなるチャネル層を形成する工程と、
前記チャネル層の両端に一対の電極を形成する工程と
を含み、
前記チャネル層の表面の一部を露出させ、当該露出部分をガス検知部とすることを特徴とするガスセンサの製造方法。
2,6,7 チャネル層
2a,6a H終端GNR
2b,2c,6c,7b F終端GNR
3 ソース電極
4 ドレイン電極
5 保護膜
6b,7c NH2終端GNR
7a CH3終端GNR
10 ガス検知部
11,12,13 レジストマスク
22,32 シリコン酸化膜
23 金属膜
33 ヒータ層
Claims (10)
- それぞれ相異なる修飾基で端部が終端された複数のグラフェンが接合されてなるチャネル層と、
前記チャネル層の両端に形成された一対の電極と
を含み、
前記チャネル層は、その表面の一部が露出しており、当該露出部分がガス検知部とされていることを特徴とするガスセンサ。 - 前記各グラフェンは、接合される前の状態において、フェルミ準位がそれぞれ相異なるものであることを特徴とする請求項1に記載のガスセンサ。
- 前記修飾基は、H,F,Cl,OH,NH2,CH3から選択された2種又は3種以上のものであることを特徴とする請求項1又は2に記載のガスセンサ。
- 接合された2種の前記グラフェンは、一方がn型にドープされ、他方がp型にドープされていることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載のガスセンサ。
- 前記チャネル層は、前記各グラフェンが接合されてpnp構造又はnpn構造を形成していることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載のガスセンサ。
- 前記チャネル層は、前記各グラフェンが接合されてp+n-(又はi)n+構造又はn+p-(又はi)p+構造を形成していることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載のガスセンサ。
- 前記チャネル層の下方にバックゲート構造を有していることを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載のガスセンサ。
- 前記チャネル層の下方にヒータ層を有していることを特徴とする請求項1〜7のいずれか1項に記載のガスセンサ。
- 一の修飾基で端部が終端された一のグラフェンを形成する工程と、
前記一のグラフェンの少なくとも一部を、前記一の修飾基と異なる他の修飾基で端部が終端された他のグラフェンとし、前記一のグラフェンと前記他のグラフェンとが接合してなるチャネル層を形成する工程と、
前記チャネル層の両端に一対の電極を形成する工程と
を含み、
前記チャネル層の表面の一部を露出させ、当該露出部分をガス検知部とすることを特徴とするガスセンサの製造方法。 - 前記他のグラフェンは、それぞれ相異なる修飾基で端部が終端された2種又は3種以上のグラフェンであることを特徴とする請求項9に記載のガスセンサの製造方法。
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