JP2012036040A - グラフェンシート系材料の形成方法およびグラフェンシート系材料 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】
グラフェンシート系材料の表面に、電子供与性を有する官能基を発生する特定物質が含まれる雰囲気中で紫外線を照射することにより該特定物質を活性化し、グラフェンシート系材料に含まれるグラフェンシートの端部を電子供与性の官能基で修飾する工程を含むことを特徴とするグラフェンシート系材料の処理方法に関する。
【選択図】図1
Description
これは、ラジカル等の化学的に活性な種が発生すれば、何らかの物性の変化がグラフェンシート系材料の表面に生じているはずであるからである。
A=−log(T)=log(1/T)=εbcで表される法則をいう。
12 活性化反応容器
14 収容部
16 XeエキシマUVランプ
18 ガス導入管
20 ガス噴出口
22 金属ブロック
24 冷媒ダクト
26 冷却機構
28 基板載置ステージ
30 被処理基板
32 移動機構
34 混合ガス
36 VUV(真空紫外)光
38 活性化種
40 グラフェンシート系材料
42 遮蔽板
44 スリット
100 グラフェンチャネル層
101 ドレイン電極(TiAu)
102 ソース電極(TiAu)
103 絶縁層(SiO2 )
104 基板(p型Si)
105 ゲート電極(TiAu)
Claims (7)
- グラフェンシート系材料の表面において、
電子供与性を有する官能基を発生する特定物質が含まれる雰囲気中で紫外線を照射することにより該特定物質を活性化する工程と、
活性化された前記電子供与性の官能基で前記グラフェンシート系材料に含まれるグラフェンシートの端部を化学修飾または物理修飾する工程と、
を有することを特徴とするグラフェンシート系材料の形成方法。 - 前記電子供与性の官能基は、F−、CF3−、CF3CF2−、(CF3)2CH−、(CH3)3C−、CH3−、CH3CH2−、(CH3)2CH−、(CH3)3C−、3級アミノ基、およびそれらの誘導体を含むことを特徴とする請求項1に記載のグラフェンシート系材料の形成方法。
- グラフェンシート系材料の表面において、
電子吸引性を有する官能基を発生する特定物質が含まれる雰囲気中で紫外線を照射することにより該特定物質を活性化する工程と、
活性化された前記電子供与性の官能基で前記グラフェンシート系材料に含まれるグラフェンシートの端部を化学修飾する工程と、
を有することを特徴とするグラフェンシート系材料の形成方法。 - 前記電子吸引性の官能基は、OH−、COOH−、COOR−、スルホン酸基、シアノ基、カルボニル基、キノン基、フェニル基、およびそれらの誘導体であることを特徴とする請求項3に記載のグラフェンシート系材料の形成方法。
- 前記グラフェンシート系材料の端部に結合された末端基を、前記特定物質から生成するより安定な官能基に置換して前記端部を安定化する工程を、さらに有することを特徴とする請求項1または3に記載のグラフェンシート系材料の形成方法。
- 前記特定物質は、飽和炭化水素類、芳香族系炭化水素類、ハロゲン化アルキル類、又はこれらの混合物を含む郡から選択された少なくとも一の物質を含むことを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載のグラフェンシート系材料の形成方法。
- 請求項1乃至6のいずれかに記載の形成方法によって形成されたグラフェンシート系材料であって、グラフェンシートまたはその一部が化学修飾された該シート、またはその積層体であることを特徴とするグラフェンシート系材料。
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