JP6426865B1 - Electromagnetic shielding film - Google Patents

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Abstract

【課題】転写フィルムの剥離が容易な電磁波シールドフィルムを実現できるようにする。【解決手段】電磁波シールドフィルムは、絶縁保護層112と、絶縁保護層112の表面に設けられた転写フィルム115と、絶縁保護層112の転写フィルム115と反対側に設けられた導電性接着剤層111とを備えている。転写フィルム115の絶縁保護層112側の面は、最大谷深さ(Sv)が1μm以上、6μm以下、最大高さ(Sz)が2μm以上、10μm以下である。【選択図】図1To provide an electromagnetic wave shielding film in which peeling of a transfer film is easy. An electromagnetic shielding film includes an insulating protection layer, a transfer film provided on the surface of the insulating protection layer, and a conductive adhesive layer provided on the side of the insulating protection layer opposite to the transfer film. And 111 are provided. The surface on the insulating protective layer 112 side of the transfer film 115 has a maximum valley depth (Sv) of 1 μm or more and 6 μm or less and a maximum height (Sz) of 2 μm or more and 10 μm or less. [Selected figure] Figure 1

Description

本開示は、電磁波シールドフィルムに関する。   The present disclosure relates to an electromagnetic wave shielding film.

電子回路を電磁波から保護するために、電磁波シールドフィルムが用いられている。電磁波シールドフィルムは、導電性接着剤層と絶縁保護層とを有している。電磁波シールドフィルムは、基材フィルムの表面に絶縁保護層及び導電性接着剤層を順次形成して製造することが一般的である。基材フィルムは、電磁波シールドフィルムがプリント配線基板に接着された後、リフロー工程の前に除去される。この場合、基材フィルムは、その表面状態が絶縁保護層に転写される転写フィルムとして機能する。また、電磁波シールドフィルムがプリント配線基板に接着されるまで絶縁保護層を保護する保護フィルムとしても機能する。   An electromagnetic wave shielding film is used to protect electronic circuits from electromagnetic waves. The electromagnetic wave shielding film has a conductive adhesive layer and an insulating protective layer. The electromagnetic wave shielding film is generally manufactured by sequentially forming an insulating protective layer and a conductive adhesive layer on the surface of a base film. The base film is removed before the reflow process after the electromagnetic shielding film is bonded to the printed wiring board. In this case, the base film functions as a transfer film whose surface state is transferred to the insulating protective layer. Moreover, it functions as a protective film which protects an insulation protective layer until an electromagnetic wave shielding film adheres to a printed wiring board.

絶縁保護層の表面を艶消し面とするために、転写フィルムの表面には凹凸を設けることが一般的である。凹凸を設けることにより、転写フィルムと絶縁保護層との密着性が高くなり、転写フィルムを剥離する際に要する力が大きくなる。また、電磁波シールドフィルムをプリント配線基板に接着する際には、150℃〜200℃程度の温度で、数MPaの圧力を加えることが一般的である。このような温度と圧力にさらされると、転写フィルムの剥離がさらに困難になり、転写フィルムが破断する場合もある。   In order to make the surface of the insulating protective layer a matte surface, it is general to provide asperities on the surface of the transfer film. By providing the unevenness, the adhesion between the transfer film and the insulating protective layer is enhanced, and the force required to peel the transfer film is increased. Moreover, when adhering an electromagnetic wave shielding film to a printed wiring board, it is common to apply a pressure of several MPa at a temperature of about 150 ° C. to 200 ° C. When exposed to such temperature and pressure, peeling of the transfer film becomes more difficult, and the transfer film may break.

剥離の際の破断を防ぐために、転写フィルム自体を破れにくくすることが検討されている(例えば、特許文献1及び2を参照。)。   In order to prevent breakage at the time of peeling, making the transfer film itself hard to be broken is studied (see, for example, Patent Documents 1 and 2).

特開2015−185659号公報JP, 2015-185659, A 特開2016−97522号公報JP, 2016-97522, A

しかしながら、転写フィルム自体が破れにくくなったとしても、剥離の際に大きな力が必要であれば生産性が低下してしまう。また、絶縁保護層の側が損傷してしまうおそれもある。転写フィルムを容易に剥離できるようにするには、転写フィルムと絶縁保護層との相互作用を制御することが望まれる。   However, even if the transfer film itself is difficult to be broken, if a large force is required at the time of peeling, the productivity is lowered. In addition, the side of the insulating protective layer may be damaged. In order to make it easy to peel off the transfer film, it is desirable to control the interaction between the transfer film and the insulating protective layer.

本開示の課題は、転写フィルムの剥離が容易な電磁波シールドフィルムを実現できるようにすることである。   An object of the present disclosure is to enable realization of an electromagnetic wave shielding film in which peeling of the transfer film is easy.

本開示の電磁波シールドフィルムの一態様は、絶縁保護層と、絶縁保護層の表面に設けられた転写フィルムと、絶縁保護層の転写フィルムと反対側に設けられた導電性接着剤層とを備え、転写フィルムの絶縁保護層側の面は、最大谷深さ(Sv)が1μm以上、6μm以下、最大高さ(Sz)が2μm以上、10μm以下である。   One aspect of the electromagnetic wave shielding film of the present disclosure includes an insulating protective layer, a transfer film provided on the surface of the insulating protective layer, and a conductive adhesive layer provided on the opposite side of the transfer protective film to the insulating protective layer. The surface on the insulating protective layer side of the transfer film has a maximum valley depth (Sv) of 1 μm to 6 μm, and a maximum height (Sz) of 2 μm to 10 μm.

電磁波シールドフィルムの一態様において、転写フィルムの絶縁保護層側の面における最大谷深さ(Sv)の変動係数及び最大高さ(Sz)の変動係数は、0.2以下とすることができる。   In one aspect of the electromagnetic wave shielding film, the variation coefficient of the maximum valley depth (Sv) and the variation coefficient of the maximum height (Sz) in the surface on the insulating protective layer side of the transfer film can be 0.2 or less.

本開示の電磁波シールドフィルムによれば、転写フィルムの剥離が容易となり、生産性を向上させることができる。   According to the electromagnetic wave shielding film of the present disclosure, peeling of the transfer film is facilitated, and productivity can be improved.

一実施形態に係る電磁波シールドフィルムを示す断面図である。It is sectional drawing which shows the electromagnetic wave shield film which concerns on one Embodiment. 電磁波シールドフィルムの変形例を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the modification of an electromagnetic wave shielding film. 一実施形態に係る電磁波シールドフィルムを用いたシールドプリント配線基板を示す断面図である。It is sectional drawing which shows the shield printed wiring board using the electromagnetic wave shielding film which concerns on one Embodiment.

図1に示すように、本実施形態の電磁波シールドフィルムは、絶縁保護層112と、絶縁保護層112の表面に設けられた転写フィルム115と、絶縁保護層112の転写フィルム115と反対側に設けられた導電性接着剤層111とを備えている。なお、図2に示すように、絶縁保護層112と導電性接着剤層111との間にシールド層113を設けることもできる。   As shown in FIG. 1, the electromagnetic wave shielding film of this embodiment is provided on the side of the insulating protective layer 112, the transfer film 115 provided on the surface of the insulating protective layer 112, and the transfer film 115 of the insulating protective layer 112. And the conductive adhesive layer 111. Note that, as shown in FIG. 2, the shield layer 113 can also be provided between the insulating protection layer 112 and the conductive adhesive layer 111.

本願発明者らは、転写フィルム115の絶縁保護層112側の面における最大谷深さ(Sv)を6μm以下、好ましくは5μm以下とし、最大高さ(Sz)を10μm以下、好ましくは9μm以下とすることにより、容易に剥離できる転写フィルム115となることを見いだした。   The inventors set the maximum valley depth (Sv) in the surface on the insulating protective layer 112 side of the transfer film 115 to 6 μm or less, preferably 5 μm or less, and the maximum height (Sz) to 10 μm or less, preferably 9 μm or less It turned out that it becomes the transfer film 115 which can peel easily by carrying out.

一方、算術平均高さ(Sa)が小さくても剥離が困難なフィルムが存在することを見いだした。これは、平均値としては同程度になる凹凸であっても、ピンポイントで深い谷又は高い山があると、その部分において密着性が高くなり、剥離が困難になるのではないかと考えられる。このため、転写フィルム115のSv及びSzを制御することが重要になる。なお、転写フィルム115のSa、Sv及びSzは、実施例において説明する方法により測定することができる。   On the other hand, it has been found that there is a film which is difficult to peel even if the arithmetic mean height (Sa) is small. This is considered to be due to the fact that if there are deep valleys or high peaks at the pinpoint, even if it is an unevenness having the same level as the average value, the adhesion becomes high in that part and peeling becomes difficult. Therefore, it is important to control Sv and Sz of the transfer film 115. In addition, Sa, Sv, and Sz of the transfer film 115 can be measured by the method demonstrated in the Example.

剥離を容易にする観点からは、転写フィルム115の絶縁保護層112側の面における最大谷深さが小さい方が好ましいが、絶縁保護層112の表面を艶消し面とする観点及びプリント配線基板に固定する前に転写フィルム115が剥がれてしまわないようにする観点からは、Svが1μm以上、好ましくは2μm以上で、Szが2μm以上、好ましくは3μm以上である。   From the viewpoint of facilitating peeling, it is preferable that the maximum valley depth on the surface on the insulating protective layer 112 side of the transfer film 115 be small. However, in terms of making the surface of the insulating protective layer 112 a matte surface and a printed wiring board From the viewpoint of preventing the transfer film 115 from peeling off before fixation, Sv is 1 μm or more, preferably 2 μm or more, and Sz is 2 μm or more, preferably 3 μm or more.

転写フィルム115の剥離強度は、容易に剥離する観点から、好ましくは5.0N/50mm以下、より好ましくは1.5N/50mm以下であり、使用前に転写フィルム115が剥離しないようにする観点から、好ましくは0.2N/50mm以上、より好ましくは0.5N/50mm以上である。なお、転写フィルム115の剥離強度は、実施例に示す方法により測定することができる。   The peel strength of the transfer film 115 is preferably 5.0 N / 50 mm or less, more preferably 1.5 N / 50 mm or less from the viewpoint of easy peeling, and from the viewpoint of preventing the transfer film 115 from peeling before use. Preferably, it is 0.2 N / 50 mm or more, more preferably 0.5 N / 50 mm or more. The peel strength of the transfer film 115 can be measured by the method shown in the examples.

剥離をより容易にする観点から、転写フィルム115の絶縁保護層112側の面におけるSvの変動係数及びSzの変動係数(CV)は、好ましくは0.2以下、より好ましくは0.15以下とする。ここでいう変動係数とは、実施例に示すように10点の算術平均及び標準偏差から求めた値である。   From the viewpoint of facilitating peeling, the coefficient of variation of Sv and the coefficient of variation (SV) of Sz in the surface on the insulating protective layer 112 side of the transfer film 115 are preferably 0.2 or less, more preferably 0.15 or less. Do. The coefficient of variation as referred to herein is a value determined from the arithmetic mean and standard deviation of 10 points as shown in the examples.

また、剥離をさらに容易にする観点から、Sv及びSz以外の、表面性状を表すパラメータも制御することが好ましい。例えば、尖り度(Sku)は、好ましくは2.0以上、より好ましくは3.0以上で、好ましくは8.5以下、より好ましくは7.5以下である。最小自己相関長さ(Sal)は、好ましくは7.5μm以上、より好ましくは8.5μm以上で、好ましくは20.0μm以下、より好ましくは15.0以下である。表面性状のアスペクト比(Str)は、好ましくは0.55以上、より好ましくは0.60以上で、好ましくは0.75以下である。突出谷部高さ(Svk)は、好ましくは0.20以上、より好ましくは0.25以上で、好ましくは0.75以下、より好ましくは0.70以下である。突出谷部とコア部を分離する負荷面積率(Smr2)は、好ましくは90.0%以上、より好ましくは94.0%以上である。これらの表面性状を表すパラメータも、実施例において示す方法により測定することができる。   In addition, from the viewpoint of further facilitating the peeling, it is preferable to control parameters representing surface characteristics other than Sv and Sz. For example, the sharpness (Sku) is preferably 2.0 or more, more preferably 3.0 or more, preferably 8.5 or less, more preferably 7.5 or less. The minimum autocorrelation length (Sal) is preferably 7.5 μm or more, more preferably 8.5 μm or more, preferably 20.0 μm or less, more preferably 15.0 or less. The aspect ratio (Str) of the surface property is preferably 0.55 or more, more preferably 0.60 or more, and preferably 0.75 or less. The protruding valley height (Svk) is preferably 0.20 or more, more preferably 0.25 or more, preferably 0.75 or less, more preferably 0.70 or less. The load area ratio (Smr2) for separating the protruding valley portion and the core portion is preferably 90.0% or more, more preferably 94.0% or more. Parameters representing these surface properties can also be measured by the methods shown in the examples.

転写フィルム115の材質は、特に限定されず、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリイミド、ポリエチレンナフタレート又はポフィフェニレンサルファイド等 を用いることができる。転写フィルム115の厚さは、特に限定されないが、剥離を容易にする観点から、好ましくは25μm以上、好ましくは100μm以下である。   The material of the transfer film 115 is not particularly limited, and polyester, polyolefin, polyimide, polyethylene naphthalate, porphyrinene sulfide or the like can be used. The thickness of the transfer film 115 is not particularly limited, but is preferably 25 μm or more, and preferably 100 μm or less from the viewpoint of facilitating peeling.

転写フィルム115の少なくとも一方の面は、Sv及びSzを所定の値とするために、サンドブラスター処理等が行われていてもよい。また、微粒子を含有させることにより、Sv及びSzを所定の値とすることもできる。転写フィルム115に添加する微粒子は、特に限定されず、例えば不定形シリカ(コロイドシリカ)、シリカ、タルク、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、炭酸バリウム、硫酸カルシウム、硫酸バリウム、リン酸リチウム、リン酸カルシウム、リン酸マグネシウム、アルミナ、カーボンブラック、二酸化チタン、カオリン、及び合成ゼオライト等の無機粒子、並びに架橋ポリスチレン粒子、及び架橋アクリル粒子等の有機粒子を用いることができる。   At least one surface of the transfer film 115 may be sandblasted or the like in order to set Sv and Sz to predetermined values. Moreover, Sv and Sz can also be made into a predetermined value by containing microparticles | fine-particles. The fine particles to be added to the transfer film 115 are not particularly limited. For example, amorphous silica (colloidal silica), silica, talc, calcium carbonate, magnesium carbonate, barium carbonate, calcium sulfate, barium sulfate, lithium phosphate, calcium phosphate, phosphate Inorganic particles such as magnesium, alumina, carbon black, titanium dioxide, kaolin, and synthetic zeolite, and organic particles such as crosslinked polystyrene particles and crosslinked acrylic particles can be used.

転写フィルム115と、絶縁保護層112との間には離型剤層(図示せず)を設けることができる。離型剤層は、シリコン系又は非シリコン系の離型剤を、転写フィルム115の絶縁保護層112側の表面に塗布することにより形成することができる。離型剤層を形成する場合、その厚さは、数μm〜10数μm程度とすることができる。   A release agent layer (not shown) can be provided between the transfer film 115 and the insulating protection layer 112. The release agent layer can be formed by applying a silicon-based or non-silicon-based release agent to the surface of the transfer film 115 on the side of the insulating protective layer 112. When forming a release agent layer, the thickness can be about several micrometers-several dozen micrometers.

本実施形態において、絶縁保護層112は、充分な絶縁性を有し、導電性接着剤層111及び必要な場合にはシールド層113を保護できれば特に限定されないが、例えば、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、又は活性エネルギー線硬化性樹脂等を用いて形成することができる。   In the present embodiment, the insulating protective layer 112 is not particularly limited as long as it has sufficient insulating properties and can protect the conductive adhesive layer 111 and, if necessary, the shield layer 113, for example, thermoplastic resin, thermosetting Can be formed using an organic resin, an active energy ray curable resin, or the like.

熱可塑性樹脂は、特に限定されないが、スチレン系樹脂、酢酸ビニル系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリエチレン系樹脂、ポリプロピレン系樹脂、イミド系樹脂、又はアクリル系樹脂等を用いることができる。熱硬化性樹脂としては、特に限定されないが、フェノール系樹脂、エポキシ系樹脂、ウレタン系樹脂、メラミン系樹脂、ポリアミド系樹脂又はアルキッド系樹脂等を用いることができる。活性エネルギー線硬化性樹脂としては、特に限定されないが、例えば、分子中に少なくとも2個の(メタ)アクリロイルオキシ基を有する重合性化合物等を用いることができる。保護層は、単独の材料により形成されていても、2種以上の材料から形成されていてもよい。   The thermoplastic resin is not particularly limited, but a styrene resin, a vinyl acetate resin, a polyester resin, a polyethylene resin, a polypropylene resin, an imide resin, an acrylic resin or the like can be used. The thermosetting resin is not particularly limited, but phenol resins, epoxy resins, urethane resins, melamine resins, polyamide resins, alkyd resins and the like can be used. The active energy ray-curable resin is not particularly limited, but, for example, a polymerizable compound having at least two (meth) acryloyloxy groups in the molecule can be used. The protective layer may be formed of a single material or may be formed of two or more materials.

絶縁保護層112には、着色剤に限らず必要に応じて硬化促進剤、粘着性付与剤、酸化防止剤、可塑剤、紫外線吸収剤、消泡剤、レベリング剤、充填剤、難燃剤、粘度調節剤、及びブロッキング防止剤等の1つ以上が含まれていてもよい。   The insulating protective layer 112 is not limited to the coloring agent, but if necessary, a curing accelerator, a tackifier, an antioxidant, a plasticizer, an ultraviolet absorber, an antifoamer, a leveling agent, a filler, a flame retardant, viscosity One or more of modifiers, antiblocking agents, etc. may be included.

絶縁保護層112は、材質又は硬度若しくは弾性率等の物性が異なる2層以上の積層体であってもよい。例えば、硬度が低い外層と、硬度が高い内層との積層体とすれば、外層がクッション効果を有するため、電磁波シールドフィルム101をプリント配線基板102に加熱加圧する工程においてシールド層113に加わる圧力を緩和できる。このため、プリント配線基板102に設けられた段差によってシールド層113が破壊されることを抑えることができる。   The insulating and protective layer 112 may be a laminate of two or more layers having different materials or physical properties such as hardness or elastic modulus. For example, if a laminate of an outer layer with low hardness and an inner layer with high hardness is used, the pressure applied to the shield layer 113 in the process of heating and pressing the electromagnetic wave shield film 101 against the printed wiring board 102 It can be relaxed. For this reason, it can suppress that the shield layer 113 is destroyed by the level | step difference provided in the printed wiring board 102. FIG.

絶縁保護層112は、転写フィルム115の表面に絶縁保護層用組成物を塗布することにより形成することができる。絶縁保護層用組成物は、例えば絶縁保護層用の樹脂に適量の溶媒を加えて調製すればよい。   The insulating and protective layer 112 can be formed by applying the composition for insulating and protective layer on the surface of the transfer film 115. The composition for the insulating protective layer may be prepared, for example, by adding an appropriate amount of solvent to the resin for the insulating protective layer.

絶縁保護層112の厚さは、特に限定されず、必要に応じて適宜設定することができるが、好ましくは1μm以上、より好ましくは4μm以上、そして好ましくは20μm以下、より好ましくは10μm以下、さらに好ましくは5μm以下とすることができる。絶縁保護層112の厚さを1μm以上とすることにより導電性接着剤層111及びシールド層113を充分に保護することができる。絶縁保護層112の厚さを20μm以下とすることにより、電磁波シールドフィルム101の弾性率及び破断伸びを所定の値とすることが容易となる。   The thickness of the insulating protective layer 112 is not particularly limited and can be set as appropriate, but is preferably 1 μm or more, more preferably 4 μm or more, and preferably 20 μm or less, more preferably 10 μm or less, and further Preferably, it can be 5 μm or less. By setting the thickness of the insulating protective layer 112 to 1 μm or more, the conductive adhesive layer 111 and the shield layer 113 can be sufficiently protected. By setting the thickness of the insulating protective layer 112 to 20 μm or less, it is easy to set the elastic modulus and the breaking elongation of the electromagnetic wave shielding film 101 to predetermined values.

シールド層113を設ける場合、シールド層113は、金属箔、蒸着膜及び導電性フィラー等により形成することができる。   When the shield layer 113 is provided, the shield layer 113 can be formed of a metal foil, a vapor deposition film, a conductive filler, or the like.

金属箔は、特に限定されないが、ニッケル、銅、銀、錫、金、パラジウム、アルミニウム、クロム、チタン、及び亜鉛等のいずれか、又は2つ以上を含む合金からなる箔とすることができる。   The metal foil is not particularly limited, and can be a foil made of an alloy containing any of nickel, copper, silver, tin, gold, palladium, aluminum, chromium, titanium, zinc and the like, or two or more.

金属箔の厚さは、特に限定されないが、0.5μm以上が好ましく、1.0μm以上がより好ましい。金属箔の厚さが0.5μm以上であると、シールドプリント配線基板に10MHz〜100GHzの高周波信号を伝送したときに、高周波信号の減衰量を抑制することができる。また、金属箔の厚さは12μm以下が好ましく、10μm以下がより好ましく、7μm以下がさらに好ましい。金属層の厚さが12μm以下であると、原材料コストを抑えることができると共に、シールドフィルムの判断伸びが良好となる。   The thickness of the metal foil is not particularly limited, but is preferably 0.5 μm or more, and more preferably 1.0 μm or more. When the thickness of the metal foil is 0.5 μm or more, when the high frequency signal of 10 MHz to 100 GHz is transmitted to the shield printed wiring board, the attenuation amount of the high frequency signal can be suppressed. Moreover, 12 micrometers or less are preferable, as for the thickness of metal foil, 10 micrometers or less are more preferable, and 7 micrometers or less are more preferable. While being able to hold down raw material cost as the thickness of a metal layer is 12 micrometers or less, judgment extension of a shield film becomes good.

蒸着膜は、特に限定されないが、ニッケル、銅、銀、錫、金、パラジウム、アルミニウム、クロム、チタン、及び亜鉛等を蒸着して形成することができる。蒸着には、電解メッキ法、無電解メッキ法、スパッタリング法、電子ビーム蒸着法、真空蒸着法、化学気相堆積(CVD)法、又はメタルオーガニック堆積(MOCVD)法等を用いることができる。   The deposited film is not particularly limited, and can be formed by depositing nickel, copper, silver, tin, gold, palladium, aluminum, chromium, titanium, zinc and the like. For deposition, electrolytic plating, electroless plating, sputtering, electron beam evaporation, vacuum evaporation, chemical vapor deposition (CVD), metal organic deposition (MOCVD), or the like can be used.

蒸着膜の厚さは、特に限定されないが、0.05μm以上が好ましく、0.1μm以上がより好ましい。金属蒸着膜の厚さが0.05μm以上であると、シールドプリント配線基板において電磁波シールドフィルムが電磁波をシールドする特性に優れる。また、金属蒸着膜の厚さは0.5μm未満が好ましく、0.3μm未満であることがより好ましい。金属蒸着膜の厚さが0.5μm未満であると、電磁波シールドフィルムの耐屈曲性が優れ、プリント配線基板に設けられた段差によってシールド層が破壊されることを抑えることができる。   Although the thickness of a vapor deposition film is not specifically limited, 0.05 micrometer or more is preferable, and 0.1 micrometer or more is more preferable. When the thickness of the metal deposition film is 0.05 μm or more, the electromagnetic wave shielding film in the shield printed wiring board is excellent in the characteristic of shielding the electromagnetic wave. In addition, the thickness of the deposited metal film is preferably less than 0.5 μm, and more preferably less than 0.3 μm. When the thickness of the metal deposition film is less than 0.5 μm, the bending resistance of the electromagnetic wave shielding film is excellent, and it is possible to suppress the destruction of the shielding layer due to the level difference provided on the printed wiring board.

導電性フィラーの場合、導電性フィラーを配合した溶剤を、絶縁保護層112の表面に塗布して乾燥することにより、シールド層113を形成することができる。導電性フィラーは、金属フィラー、金属被覆樹脂フィラー、カーボンフィラー及びそれらの混合物を使用することができる。金属フィラーとして、銅粉、銀粉、ニッケル粉、銀コ−ト銅粉、金コート銅粉、銀コートニッケル粉、及び金コートニッケル粉等を用いることができる。これら金属粉は、電解法、アトマイズ法、還元法により作成することができる。金属粉の形状は、球状、フレーク状、繊維状、樹枝状等が挙げられる。   In the case of the conductive filler, the shield layer 113 can be formed by applying a solvent containing the conductive filler on the surface of the insulating protective layer 112 and drying. As the conductive filler, metal fillers, metal-coated resin fillers, carbon fillers and mixtures thereof can be used. As the metal filler, copper powder, silver powder, nickel powder, silver-coated copper powder, gold-coated copper powder, silver-coated nickel powder, gold-coated nickel powder, etc. can be used. These metal powders can be prepared by an electrolysis method, an atomization method, or a reduction method. The shape of the metal powder may, for example, be spherical, flake, fibrous, dendritic or the like.

本実施形態においてシールド層113の厚さは、求められる電磁シールド効果及び繰り返し屈曲・摺動耐性に応じて適宜選択すればよいが、金属箔である場合には、破断伸びを確保する観点から12μm以下とすることが好ましい。   In the present embodiment, the thickness of the shield layer 113 may be appropriately selected according to the required electromagnetic shielding effect and repeated bending / sliding resistance, but in the case of a metal foil, it is 12 μm from the viewpoint of securing breaking elongation. It is preferable to set it as the following.

本実施形態において、導電性接着剤層111は、熱可塑性樹脂及び熱硬化性樹脂等の樹脂成分と、導電性フィラーとを含んでいる。   In the present embodiment, the conductive adhesive layer 111 contains a resin component such as a thermoplastic resin and a thermosetting resin, and a conductive filler.

導電性接着剤層111が熱可塑性樹脂を含む場合、熱可塑性樹脂として例えばスチレン系樹脂、酢酸ビニル系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリエチレン系樹脂、ポリプロピレン系樹脂、イミド系樹脂、及びアクリル系樹脂等を用いることができる。これらの樹脂は、1種単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。   When the conductive adhesive layer 111 contains a thermoplastic resin, for example, a styrene resin, a vinyl acetate resin, a polyester resin, a polyethylene resin, a polypropylene resin, an imide resin, and an acrylic resin as a thermoplastic resin It can be used. These resins may be used alone or in combination of two or more.

導電性接着剤層111が熱硬化性樹脂を含む場合、熱硬化性樹脂として例えばフェノール系樹脂、エポキシ系樹脂、ウレタン系樹脂、メラミン系樹脂、ポリアミド系樹脂及びアルキッド系樹脂等を用いることができる。活性エネルギー線硬化性組成物としては、特に限定されないが、例えば、分子中に少なくとも2個の(メタ)アクリロイルオキシ基を有する重合性化合物等を用いることができる。これらの組成物は、1種単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。   When the conductive adhesive layer 111 contains a thermosetting resin, for example, a phenolic resin, an epoxy resin, a urethane resin, a melamine resin, a polyamide resin, an alkyd resin, etc. can be used as the thermosetting resin. . The active energy ray-curable composition is not particularly limited. For example, a polymerizable compound having at least two (meth) acryloyloxy groups in the molecule can be used. These compositions may be used alone or in combination of two or more.

熱硬化性樹脂は、例えば反応性の第1の官能基を有する第1樹脂成分と、第1の官能基と反応する第2樹脂成分とを含む。第1の官能基は、例えばエポキシ基、アミド基、又は水酸基等とすることができる。第2の官能基は、第1の官能基に応じて選択すればよく、例えば第1官能基がエポキシ基である場合、水酸基、カルボキシル基、エポキシ基及びアミノ基等とすることができる。具体的には、例えば第1樹脂成分をエポキシ樹脂とした場合には、第2樹脂成分としてエポキシ基変性ポリエステル樹脂、エポキシ基変性ポリアミド樹脂、エポキシ基変性アクリル樹脂、エポキシ基変性ポリウレタンポリウレア樹脂、カルボキシル基変性ポリエステル樹脂、カルボキシル基変性ポリアミド樹脂、カルボキシル基変性アクリル樹脂、カルボキシル基変性ポリウレタンポリウレア樹脂、及びウレタン変性ポリエステル樹脂等を用いることができる。これらの中でも、カルボキシル基変性ポリエステル樹脂、カルボキシル基変性ポリアミド樹脂、カルボキシル基変性ポリウレタンポリウレア樹脂、及びウレタン変性ポリエステル樹脂が好ましい。また、第1樹脂成分が水酸基である場合には、第2樹脂成分としてエポキシ基変性ポリエステル樹脂、エポキシ基変性ポリアミド樹脂、エポキシ基変性アクリル樹脂、エポキシ基変性ポリウレタンポリウレア樹脂、カルボキシル基変性ポリエステル樹脂、カルボキシル基変性ポリアミド樹脂、カルボキシル基変性アクリル樹脂、カルボキシル基変性ポリウレタンポリウレア樹脂、及びウレタン変性ポリエステル樹脂等を用いることができる。これらの中でも、カルボキシル基変性ポリエステル樹脂、カルボキシル基変性ポリアミド樹脂、カルボキシル基変性ポリウレタンポリウレア樹脂、及びウレタン変性ポリエステル樹脂が好ましい。   The thermosetting resin includes, for example, a first resin component having a reactive first functional group, and a second resin component that reacts with the first functional group. The first functional group can be, for example, an epoxy group, an amido group, or a hydroxyl group. The second functional group may be selected according to the first functional group. For example, when the first functional group is an epoxy group, it may be a hydroxyl group, a carboxyl group, an epoxy group, an amino group or the like. Specifically, for example, when the first resin component is an epoxy resin, an epoxy group modified polyester resin, an epoxy group modified polyamide resin, an epoxy group modified acrylic resin, an epoxy group modified polyurethane polyurea resin, and a carboxyl group as the second resin component. A group modified polyester resin, a carboxyl group modified polyamide resin, a carboxyl group modified acrylic resin, a carboxyl group modified polyurethane polyurea resin, and a urethane modified polyester resin can be used. Among these, carboxyl group modified polyester resin, carboxyl group modified polyamide resin, carboxyl group modified polyurethane polyurea resin, and urethane modified polyester resin are preferable. When the first resin component is a hydroxyl group, an epoxy group modified polyester resin, an epoxy group modified polyamide resin, an epoxy group modified acrylic resin, an epoxy group modified polyurethane polyurea resin, a carboxyl group modified polyester resin as the second resin component, A carboxyl group modified polyamide resin, a carboxyl group modified acrylic resin, a carboxyl group modified polyurethane polyurea resin, a urethane modified polyester resin, etc. can be used. Among these, carboxyl group modified polyester resin, carboxyl group modified polyamide resin, carboxyl group modified polyurethane polyurea resin, and urethane modified polyester resin are preferable.

熱硬化性樹脂は、熱硬化反応を促進する硬化剤を含んでいてもよい。熱硬化性樹脂が第1の官能基と第2の官能基とを有する場合、硬化剤は、第1の官能基及び第2の官能基の種類に応じて適宜選択することができる。第1の官能基がエポキシ基であり、第2の官能基が水酸基である場合には、イミダゾール系硬化剤、フェノール系硬化剤、及びカチオン系硬化剤等を使用することができる。これらは1種を単独で使用することもでき、2種以上を併用することもできる。この他、任意成分として消泡剤、酸化防止剤、粘度調整剤、希釈剤、沈降防止剤、レベリング剤、カップリング剤、着色剤、及び難燃剤等を含んでいてもよい。   The thermosetting resin may contain a curing agent that accelerates the thermosetting reaction. When the thermosetting resin has the first functional group and the second functional group, the curing agent can be appropriately selected according to the types of the first functional group and the second functional group. When the first functional group is an epoxy group and the second functional group is a hydroxyl group, an imidazole-based curing agent, a phenol-based curing agent, a cationic curing agent, or the like can be used. One of these may be used alone, or two or more may be used in combination. In addition, as an optional component, an antifoamer, an antioxidant, a viscosity modifier, a diluent, an antisettling agent, a leveling agent, a coupling agent, a coloring agent, a flame retardant and the like may be contained.

導電性フィラーは、特に限定されないが、例えば、金属フィラー、金属被覆樹脂フィラー、カーボンフィラー及びそれらの混合物を使用することができる。金属フィラーとしては、銅粉、銀粉、ニッケル粉、銀コ−ト銅粉、金コート銅粉、銀コートニッケル粉、及び金コートニッケル粉等を挙げることができる。これら金属粉は、電解法、アトマイズ法、又は還元法等により作製することができる。中でも銀粉、銀コート銅粉及び銅粉のいずれかが好ましい。   The conductive filler is not particularly limited, and, for example, metal fillers, metal-coated resin fillers, carbon fillers and mixtures thereof can be used. Examples of the metal filler include copper powder, silver powder, nickel powder, silver-coated copper powder, gold-coated copper powder, silver-coated nickel powder, and gold-coated nickel powder. These metal powders can be produced by an electrolysis method, an atomization method, a reduction method or the like. Among them, silver powder, silver-coated copper powder and copper powder are preferable.

導電性フィラーは、フィラー同士の接触の観点から、平均粒子径が好ましくは1μm以上、より好ましくは3μm以上、好ましくは50μm以下、より好ましくは40μm以下である。導電性フィラーの形状は特に限定されず、球状、フレーク状、樹枝状、又は繊維状等とすることができる。   The conductive filler preferably has an average particle diameter of 1 μm or more, more preferably 3 μm or more, preferably 50 μm or less, more preferably 40 μm or less, from the viewpoint of contact between the fillers. The shape of the conductive filler is not particularly limited, and may be spherical, flake-like, dendritic or fibrous.

導電性フィラーの含有量は、用途に応じて適宜選択することができるが、全固形分中で好ましくは5質量%以上、より好ましくは10質量%以上、好ましくは95質量%以下、より好ましくは90質量%以下である。埋め込み性の観点からは、好ましくは70質量%以下、より好ましくは60質量%以下である。また、異方導電性を実現する場合には、好ましくは40質量%以下、より好ましくは35質量%以下である。   The content of the conductive filler can be appropriately selected according to the application, but it is preferably 5% by mass or more, more preferably 10% by mass or more, preferably 95% by mass or less, in the total solid content. It is 90 mass% or less. From the viewpoint of embeddability, it is preferably 70% by mass or less, more preferably 60% by mass or less. Moreover, when realizing anisotropic conductivity, it is preferably 40% by mass or less, more preferably 35% by mass or less.

導電性接着剤層111は、例えば絶縁保護層112又は絶縁保護層112の上に形成されたシールド層113の上に、導電性接着剤層用組成物を塗布することにより形成することができる。導電性接着剤層用組成物は、導電性接着剤層用の樹脂及びフィラーに適量の溶剤を加えて調製すればよい。   The conductive adhesive layer 111 can be formed, for example, by applying a composition for a conductive adhesive layer on the insulating protective layer 112 or the shield layer 113 formed on the insulating protective layer 112. The composition for the conductive adhesive layer may be prepared by adding an appropriate amount of solvent to the resin and the filler for the conductive adhesive layer.

導電性接着剤層111の厚さは、埋め込み性を制御する観点から、1μm〜50μmとすることが好ましい。   The thickness of the conductive adhesive layer 111 is preferably 1 μm to 50 μm from the viewpoint of controlling the embeddability.

なお、必要に応じて、導電性接着剤層111の表面に剥離可能な保護用フィルムを貼り合わせてもよい。   In addition, you may bond the film for protection which can be peeled on the surface of the conductive adhesive layer 111 as needed.

本実施形態の電磁波シールドフィルム101は、図3に示すようにプリント配線基板102と組み合わせてシールド配線基板103とすることができる。電磁波シールドフィルム101は、シールド層113を有するものであってもよい。   The electromagnetic wave shielding film 101 of the present embodiment can be combined with the printed wiring board 102 as shown in FIG. The electromagnetic wave shielding film 101 may have the shielding layer 113.

プリント配線基板102は、例えば、ベース部材122と、ベース部材122の上に設けられたグランド回路125を含むプリント回路を有している。ベース部材122の上には接着剤層123により絶縁フィルム121が接着されている。絶縁フィルム121にはグランド回路125を露出する開口部が設けられている。グランド回路125の露出部分には金めっき層等の表面層が設けられていてもよい。なお、プリント配線基板102は、フレキシブル基板であってもリジッド基板であってもよい。   The printed wiring board 102 has, for example, a printed circuit including a base member 122 and a ground circuit 125 provided on the base member 122. An insulating film 121 is adhered on the base member 122 by an adhesive layer 123. The insulating film 121 is provided with an opening for exposing the ground circuit 125. The exposed portion of the ground circuit 125 may be provided with a surface layer such as a gold plating layer. The printed wiring board 102 may be a flexible board or a rigid board.

電磁波シールドフィルム101をプリント配線基板102に接着する際には、導電性接着剤層111が開口部の上に位置するように、電磁波シールドフィルム101をプリント配線基板102上に配置する。そして、所定の温度(例えば120℃)に加熱した2枚の加熱板(図示せず)により、電磁波シールドフィルム101とプリント配線基板102とを、上下方向から挟んで所定の圧力(例えば0.5MPa)で短時間(例えば5秒間)押圧する。これによって、電磁波シールドフィルム101はプリント配線基板102に仮止めされる。   When the electromagnetic wave shielding film 101 is adhered to the printed wiring board 102, the electromagnetic shielding film 101 is disposed on the printed wiring board 102 so that the conductive adhesive layer 111 is positioned above the opening. Then, the electromagnetic wave shield film 101 and the printed wiring board 102 are vertically sandwiched by two heating plates (not shown) heated to a predetermined temperature (for example, 120 ° C.) and a predetermined pressure (for example, 0.5 MPa) ) For a short time (for example 5 seconds). The electromagnetic wave shielding film 101 is temporarily fixed to the printed wiring board 102 by this.

続いて、2枚の加熱板の温度を、上記仮止め時よりも高温の所定の温度(例えば、170℃)とし、所定の圧力(例えば3MPa)で所定時間(例えば30分)加圧する。これによって、電磁波シールドフィルム101をプリント配線基板102に固定できる。加圧した際に、導電性接着剤層111が開口部に十分に埋め込まれることにより、電磁波シールドフィルム101が必要とする強度及び導電性を実現することができる。   Subsequently, the temperature of the two heating plates is set to a predetermined temperature (eg, 170 ° C.) higher than that at the time of the temporary fixing, and is pressurized at a predetermined pressure (eg, 3 MPa) for a predetermined time (eg, 30 minutes). By this, the electromagnetic wave shielding film 101 can be fixed to the printed wiring board 102. When the pressure is applied, the conductive adhesive layer 111 is sufficiently embedded in the opening, so that the strength and conductivity required for the electromagnetic shielding film 101 can be realized.

電磁波シールドフィルム101をプリント配線基板102に固定した後、転写フィルム115を剥離する。この後、部品実装のためのはんだリフローを行う。本実施形態の電磁波シールドフィルム101は、電磁波シールドフィルム101をプリント配線基板102に固定した後で、転写フィルム115を容易に剥離することができるので、生産効率を向上さ競ることができる。   After fixing the electromagnetic wave shielding film 101 to the printed wiring board 102, the transfer film 115 is peeled off. After this, solder reflow for component mounting is performed. The electromagnetic wave shielding film 101 of the present embodiment can easily peel off the transfer film 115 after fixing the electromagnetic wave shielding film 101 to the printed wiring board 102, and therefore, the production efficiency can be improved and competed.

以下に、本開示の電磁波シールドフィルムについて実施例を用いてさらに詳細に説明する。以下の実施例は例示であり、本発明を限定することを意図するものではない。   Hereinafter, the electromagnetic wave shielding film of the present disclosure will be described in more detail using examples. The following examples are illustrative and are not intended to limit the present invention.

<電磁波シールドフィルムの作製>
所定の転写フィルムの表面に離型剤を塗布した。離型剤を塗布した転写フィルムの表面に、絶縁保護層用組成物を、ワイヤーバーを用いて塗布し、加熱乾燥することで、絶縁保護層を形成した。次に、絶縁保護層の上に導電性接着剤層用組成物をワイヤーバーにより塗布した後、100℃×3分の乾燥を行い、電磁波シールドフィルムを作製した。
<Preparation of electromagnetic wave shield film>
A release agent was applied to the surface of a predetermined transfer film. The composition for an insulating protective layer was applied to the surface of the transfer film coated with a release agent using a wire bar, and dried by heating to form an insulating protective layer. Next, after apply | coating the composition for electroconductive adhesive layers with a wire bar on an insulation protective layer, 100 degreeC * 3 minutes drying was performed and the electromagnetic shielding film was produced.

絶縁保護層用組成物は、厚さが2μmのポリエステル系透明樹脂のハードコート層と、厚さが3μmのカーボンブラック含有エポキシ系黒色樹脂のソフトコート層との2層構造とした。導電性接着剤層用組成物は、リン系難燃剤含有エポキシ系樹脂に導電性微粒子として平均粒子径5μmの樹枝状銀被覆銅紛を添加したものとした。導電性接着剤層の厚さは15μmとした。   The composition for the insulating protective layer had a two-layer structure of a hard coat layer of a polyester-based transparent resin having a thickness of 2 μm and a soft coat layer of a carbon black-containing epoxy-based black resin having a thickness of 3 μm. The composition for a conductive adhesive layer was prepared by adding a dendritic silver-coated copper powder having an average particle diameter of 5 μm as a conductive fine particle to a phosphorus-based flame retardant-containing epoxy resin. The thickness of the conductive adhesive layer was 15 μm.

<表面性状の測定>
表面性状に関するパラメータは、レーザーマイクロスコープ(VK-X210、キーエンス(株)社製」、レンズ倍率50倍)を用い、ISO25178に準拠して測定した。測定は、5.0cm×5.0cmに切り抜いた未使用の転写フィルムの絶縁保護層を形成する面に対して行った。面内の任意の10箇所に対して測定を行い、その算術平均値を測定値として採用した。また、標準偏差(SD)及び変動係数(CV)を算出した。
<Measurement of surface properties>
The parameters relating to the surface properties were measured according to ISO 25178 using a laser microscope (VK-X210, manufactured by KEYENCE CO., LTD., Lens magnification 50 times). The measurement was performed on the surface of the unused transfer film cut out to 5.0 cm × 5.0 cm to form the insulating protective layer. The measurement was performed on any ten places in the plane, and the arithmetic mean value was adopted as the measurement value. In addition, standard deviation (SD) and coefficient of variation (CV) were calculated.

<剥離強度の測定>
電磁波シールドフィルムに、プレス機を用いて、温度:170℃、時間:30分、圧力:2〜3MPaの条件でプレスを行った。電磁波シールドフィルムが常温に戻った後、表面の剥離フィルムを剥離強度テスター((株)パルメック製、PFT50S)を用い、転写フィルムの剥離強度を測定した。測定は常温で、引張速度1000mm/分、剥離角度170°の条件で行った。測定は、10回行い、最小値、最大値及び平均値を求めた。
<Measurement of peel strength>
The electromagnetic wave shield film was pressed using a press under the conditions of temperature: 170 ° C., time: 30 minutes, pressure: 2 to 3 MPa. After the electromagnetic wave shielding film returned to normal temperature, the peeling strength of the transfer film was measured using a peeling strength tester (manufactured by Palmec Co., Ltd., PFT50S) for the peeling film on the surface. The measurement was conducted at normal temperature, under conditions of a tensile speed of 1000 mm / min and a peeling angle of 170 °. The measurement was performed ten times, and the minimum value, the maximum value and the average value were determined.

(実施例1)
転写フィルムとして厚さが50μmのPETフィルムを用いた。転写フィルムを剥離した後の絶縁保護層の表面は艶消し表面となっていた。転写フィルムの絶縁保護層形成面におけるSvは3.1μm、Szは8.0μm、Saは0.69μmであった。Svの変動係数は0.15、Szの変更係数は0.02であった。剥離強度の最小値は0.51N/50mm、最大値は0.75N/50mm、平均値は0.63N/50mmであった。
Example 1
A 50 μm thick PET film was used as a transfer film. The surface of the insulating protective layer after peeling off the transfer film was a matte surface. Sv in the insulation protective layer formation surface of a transfer film was 3.1 micrometers, Sz was 8.0 micrometers, and Sa was 0.69 micrometers. The variation coefficient of Sv was 0.15, and the change coefficient of Sz was 0.02. The minimum value of peel strength was 0.51 N / 50 mm, the maximum value was 0.75 N / 50 mm, and the average value was 0.63 N / 50 mm.

(実施例2)
転写フィルムとして厚さが50μmのPETフィルムを用いた。転写フィルムを剥離した後の絶縁保護層の表面は艶消し表面となっていた。転写フィルムの絶縁保護層形成面におけるSvは2.5μm、Szは6.6μm、Saは0.41μmであった。Svの変動係数は0.12、Szの変更係数は0.08であった。剥離強度の最小値は0.60N/50mm、最大値は0.76N/50mm、平均値は0.68N/50mmであった。
(Example 2)
A 50 μm thick PET film was used as a transfer film. The surface of the insulating protective layer after peeling off the transfer film was a matte surface. In the insulation protective layer formation surface of a transfer film, Sv was 2.5 micrometers, Sz was 6.6 micrometers, and Sa was 0.41 micrometer. The variation coefficient of Sv was 0.12, and the change coefficient of Sz was 0.08. The minimum value of the peel strength was 0.60 N / 50 mm, the maximum value was 0.76 N / 50 mm, and the average value was 0.68 N / 50 mm.

参考例
転写フィルムとして厚さが50μmのPETフィルムを用いた。転写フィルムを剥離した後の絶縁保護層の表面は艶消し表面となっていた。転写フィルムの絶縁保護層形成面におけるSvは5.9μm、Szは9.6μm、Saは0.69μmであった。Svの変動係数は0.07、Szの変更係数は0.09であった。剥離強度の最小値は0.98N/50mm、最大値は1.50N/50mm、平均値は1.25N/50mmであった。
( Reference example )
A 50 μm thick PET film was used as a transfer film. The surface of the insulating protective layer after peeling off the transfer film was a matte surface. Sv was 5.9 μm, Sz was 9.6 μm, and Sa was 0.69 μm on the surface on which the insulating protective layer is formed of the transfer film. The variation coefficient of Sv was 0.07, and the change coefficient of Sz was 0.09. The minimum value of peeling strength was 0.98 N / 50 mm, the maximum value was 1.50 N / 50 mm, and the average value was 1.25 N / 50 mm.

(比較例1)
転写フィルムとして厚さが50μmのPETフィルムを用いた。転写フィルムを剥離した後の絶縁保護層の表面は艶消し表面となっていた。転写フィルムの絶縁保護層形成面におけるSvは6.8μm、Szは11.4μm、Saは0.48μmであった。Svの変動係数は0.43、Szの変更係数は0.40であった。剥離強度の最小値は7.0N/50mm、最大値は10N/50mmを越えており測定できなかった。
(Comparative example 1)
A 50 μm thick PET film was used as a transfer film. The surface of the insulating protective layer after peeling off the transfer film was a matte surface. In the insulation protection layer formation surface of a transfer film, Sv was 6.8 micrometers, Sz was 11.4 micrometers, and Sa was 0.48 micrometers. The variation coefficient of Sv was 0.43, and the change coefficient of Sz was 0.40. The minimum value of peel strength was 7.0 N / 50 mm, and the maximum value exceeded 10 N / 50 mm, and could not be measured.

(比較例2)
転写フィルムとして厚さが50μmのPETフィルムを用いた。転写フィルムを剥離した後の絶縁保護層の表面は光沢がある表面となっていた。転写フィルムの絶縁保護層形成面におけるSvは0.8μm、Szは1.3μm、Saは0.06μmであった。Svの変動係数は0.23、Szの変更係数は0.13であった。剥離強度の最小値は0.08N/50mm、最大値は0.15N/50mm、平均値は0.10N/50mmであった。
(Comparative example 2)
A 50 μm thick PET film was used as a transfer film. The surface of the insulating protective layer after peeling off the transfer film was a glossy surface. Sv on the insulation protective layer formation surface of the transfer film was 0.8 μm, Sz was 1.3 μm, and Sa was 0.06 μm. The variation coefficient of Sv was 0.23, and the change coefficient of Sz was 0.13. The minimum value of peel strength was 0.08 N / 50 mm, the maximum value was 0.15 N / 50 mm, and the average value was 0.10 N / 50 mm.

表1に各実施例及び比較例の結果をまとめて示す。Sv、Szの他に、尖り度(Sku)、最小自己相関長さ(Sal)、表面性状のアスペクト比(Str)、突出谷部高さ(Svk)及び突出谷部とコア部を分離する負荷面積率(Smr2)についてもデータを記載する。   Table 1 summarizes the results of each example and comparative example. In addition to Sv and Sz, sharpness (Sku), minimum autocorrelation length (Sal), aspect ratio of surface quality (Str), height of protruding valley (Svk) and load for separating protruding valley and core Data are also described for the area ratio (Smr2).

Figure 0006426865
Figure 0006426865

本開示の電磁波シールドフィルムは、転写フィルムの剥離が容易であり、生産性を向上させることができる。   The electromagnetic wave shielding film of the present disclosure can easily peel off the transfer film, and can improve the productivity.

101 電磁波シールドフィルム
102 プリント配線基板
103 シールド配線基板
111 導電性接着剤層
112 絶縁保護層
113 シールド層
115 転写フィルム
121 絶縁フィルム
122 ベース部材
123 接着剤層
125 グランド回路
101 electromagnetic wave shield film 102 printed wiring board 103 shield wiring board 111 conductive adhesive layer 112 insulation protection layer 113 shield layer 115 transfer film 121 insulation film 122 base member 123 adhesive layer 125 ground circuit

Claims (2)

絶縁保護層と、
前記絶縁保護層の表面に剥離可能に設けられた転写フィルムと、
前記絶縁保護層の前記転写フィルムと反対側に設けられた導電性接着剤層とを備え、
前記転写フィルムの前記絶縁保護層側の面は、最大谷深さ(Sv)が1μm以上、μm以下、最大高さ(Sz)が2μm以上、μm以下、最小自己相関長さ(Sal)が8.5μm以上、20μm以下である、電磁波シールドフィルム。
An insulating protective layer,
A transfer film releasably provided on the surface of the insulating and protective layer;
And a conductive adhesive layer provided on the side opposite to the transfer film of the insulating protective layer,
The surface on the insulating protective layer side of the transfer film has a maximum valley depth (Sv) of 1 μm or more and 5 μm or less, and a maximum height (Sz) of 2 μm or more and 9 μm or less , a minimum autocorrelation length (Sal) Is an electromagnetic wave shielding film of not less than 8.5 μm and not more than 20 μm .
前記転写フィルムの前記絶縁保護層側の面における最大谷深さ(Sv)の変動係数及び最大高さ(Sz)の変動係数は、0.2以下である、請求項1に記載の電磁波シールドフィルム。
The electromagnetic wave shielding film according to claim 1, wherein the variation coefficient of the maximum valley depth (Sv) and the variation coefficient of the maximum height (Sz) in the surface on the insulating protective layer side of the transfer film are 0.2 or less. .
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