JP6978994B2 - Transfer film - Google Patents
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Description
本開示は、転写フィルムに関する。 The present disclosure relates to transfer films .
電子回路を電磁波から保護するために、電磁波シールドフィルムが用いられている。電磁波シールドフィルムは、導電性接着剤層と絶縁保護層とを有している。電磁波シールドフィルムは、基材フィルムの表面に絶縁保護層及び導電性接着剤層を順次形成して製造することが一般的である。基材フィルムは、電磁波シールドフィルムがプリント配線基板に接着された後、リフロー工程の前に除去される。この場合、基材フィルムは、その表面状態が絶縁保護層に転写される転写フィルムとして機能する。また、電磁波シールドフィルムがプリント配線基板に接着されるまで絶縁保護層を保護する保護フィルムとしても機能する。 An electromagnetic wave shielding film is used to protect electronic circuits from electromagnetic waves. The electromagnetic wave shielding film has a conductive adhesive layer and an insulating protective layer. The electromagnetic wave shielding film is generally manufactured by sequentially forming an insulating protective layer and a conductive adhesive layer on the surface of the base film. The substrate film is removed after the electromagnetic wave shielding film is adhered to the printed wiring board and before the reflow step. In this case, the base film functions as a transfer film whose surface state is transferred to the insulating protective layer. It also functions as a protective film that protects the insulating protective layer until the electromagnetic wave shielding film is adhered to the printed wiring board.
絶縁保護層の表面を艶消し面とするために、転写フィルムの表面には凹凸を設けることが一般的である。凹凸を設けることにより、転写フィルムと絶縁保護層との密着性が高くなり、転写フィルムを剥離する際に要する力が大きくなる。また、電磁波シールドフィルムをプリント配線基板に接着する際には、150℃〜200℃程度の温度で、数MPaの圧力を加えることが一般的である。このような温度と圧力にさらされると、転写フィルムの剥離がさらに困難になり、転写フィルムが破断する場合もある。 In order to make the surface of the insulating protective layer a matte surface, it is common to provide irregularities on the surface of the transfer film. By providing the unevenness, the adhesion between the transfer film and the insulating protective layer is improved, and the force required for peeling the transfer film is increased. Further, when the electromagnetic wave shielding film is adhered to the printed wiring board, it is common to apply a pressure of several MPa at a temperature of about 150 ° C. to 200 ° C. Exposure to such temperatures and pressures makes it even more difficult to peel off the transfer film and may break the transfer film.
剥離の際の破断を防ぐために、転写フィルム自体を破れにくくすることが検討されている(例えば、特許文献1及び2を参照。)。 In order to prevent breakage during peeling, it has been studied to make the transfer film itself difficult to tear (see, for example, Patent Documents 1 and 2).
しかしながら、転写フィルム自体が破れにくくなったとしても、剥離の際に大きな力が必要であれば生産性が低下してしまう。また、絶縁保護層の側が損傷してしまうおそれもある。転写フィルムを容易に剥離できるようにするには、転写フィルムと絶縁保護層との相互作用を制御することが望まれる。 However, even if the transfer film itself is hard to tear, the productivity will decrease if a large force is required for peeling. In addition, the side of the insulating protective layer may be damaged. In order to allow the transfer film to be easily peeled off, it is desired to control the interaction between the transfer film and the insulating protective layer.
本開示の課題は、転写フィルムの剥離が容易な電磁波シールドフィルムを実現できるようにすることである。 An object of the present disclosure is to realize an electromagnetic wave shielding film in which the transfer film can be easily peeled off.
本開示の電磁波シールドフィルムの一態様は、絶縁保護層と、絶縁保護層の表面に設けられた転写フィルムと、絶縁保護層の転写フィルムと反対側に設けられた導電性接着剤層とを備え、転写フィルムの絶縁保護層側の面は、最大谷深さ(Sv)が1μm以上、6μm以下、最大高さ(Sz)が2μm以上、10μm以下である。 One aspect of the electromagnetic wave shielding film of the present disclosure includes an insulating protective layer, a transfer film provided on the surface of the insulating protective layer, and a conductive adhesive layer provided on the opposite side of the transfer film of the insulating protective layer. The surface of the transfer film on the insulating protective layer side has a maximum valley depth (Sv) of 1 μm or more and 6 μm or less, and a maximum height (Sz) of 2 μm or more and 10 μm or less.
電磁波シールドフィルムの一態様において、転写フィルムの絶縁保護層側の面における最大谷深さ(Sv)の変動係数及び最大高さ(Sz)の変動係数は、0.2以下とすることができる。 In one aspect of the electromagnetic wave shielding film, the coefficient of variation of the maximum valley depth (Sv) and the coefficient of variation of the maximum height (Sz) on the surface of the transfer film on the insulating protective layer side can be 0.2 or less.
本開示の電磁波シールドフィルムによれば、転写フィルムの剥離が容易となり、生産性を向上させることができる。 According to the electromagnetic wave shielding film of the present disclosure, the transfer film can be easily peeled off, and the productivity can be improved.
図1に示すように、本実施形態の電磁波シールドフィルムは、絶縁保護層112と、絶縁保護層112の表面に設けられた転写フィルム115と、絶縁保護層112の転写フィルム115と反対側に設けられた導電性接着剤層111とを備えている。なお、図2に示すように、絶縁保護層112と導電性接着剤層111との間にシールド層113を設けることもできる。
As shown in FIG. 1, the electromagnetic wave shielding film of the present embodiment is provided on the opposite side of the insulating
本願発明者らは、転写フィルム115の絶縁保護層112側の面における最大谷深さ(Sv)を6μm以下、好ましくは5μm以下とし、最大高さ(Sz)を10μm以下、好ましくは9μm以下とすることにより、容易に剥離できる転写フィルム115となることを見いだした。
The inventors of the present application set the maximum valley depth (Sv) on the surface of the
一方、算術平均高さ(Sa)が小さくても剥離が困難なフィルムが存在することを見いだした。これは、平均値としては同程度になる凹凸であっても、ピンポイントで深い谷又は高い山があると、その部分において密着性が高くなり、剥離が困難になるのではないかと考えられる。このため、転写フィルム115のSv及びSzを制御することが重要になる。なお、転写フィルム115のSa、Sv及びSzは、実施例において説明する方法により測定することができる。
On the other hand, it was found that there is a film that is difficult to peel off even if the arithmetic mean height (Sa) is small. It is considered that even if the unevenness has the same average value, if there are pinpoint deep valleys or high peaks, the adhesion will be high in that part and peeling will be difficult. Therefore, it is important to control Sv and Sz of the
剥離を容易にする観点からは、転写フィルム115の絶縁保護層112側の面における最大谷深さが小さい方が好ましいが、絶縁保護層112の表面を艶消し面とする観点及びプリント配線基板に固定する前に転写フィルム115が剥がれてしまわないようにする観点からは、Svが1μm以上、好ましくは2μm以上で、Szが2μm以上、好ましくは3μm以上である。
From the viewpoint of facilitating peeling, it is preferable that the maximum valley depth on the surface of the
転写フィルム115の剥離強度は、容易に剥離する観点から、好ましくは5.0N/50mm以下、より好ましくは1.5N/50mm以下であり、使用前に転写フィルム115が剥離しないようにする観点から、好ましくは0.2N/50mm以上、より好ましくは0.5N/50mm以上である。なお、転写フィルム115の剥離強度は、実施例に示す方法により測定することができる。
The peel strength of the
剥離をより容易にする観点から、転写フィルム115の絶縁保護層112側の面におけるSvの変動係数及びSzの変動係数(CV)は、好ましくは0.2以下、より好ましくは0.15以下とする。ここでいう変動係数とは、実施例に示すように10点の算術平均及び標準偏差から求めた値である。
From the viewpoint of facilitating peeling, the coefficient of variation of Sv and the coefficient of variation (CV) of Sz on the surface of the
また、剥離をさらに容易にする観点から、Sv及びSz以外の、表面性状を表すパラメータも制御することが好ましい。例えば、尖り度(Sku)は、好ましくは2.0以上、より好ましくは3.0以上で、好ましくは8.5以下、より好ましくは7.5以下である。最小自己相関長さ(Sal)は、好ましくは7.5μm以上、より好ましくは8.5μm以上で、好ましくは20.0μm以下、より好ましくは15.0以下である。表面性状のアスペクト比(Str)は、好ましくは0.55以上、より好ましくは0.60以上で、好ましくは0.75以下である。突出谷部高さ(Svk)は、好ましくは0.20以上、より好ましくは0.25以上で、好ましくは0.75以下、より好ましくは0.70以下である。突出谷部とコア部を分離する負荷面積率(Smr2)は、好ましくは90.0%以上、より好ましくは94.0%以上である。これらの表面性状を表すパラメータも、実施例において示す方法により測定することができる。 Further, from the viewpoint of further facilitating peeling, it is preferable to control parameters representing surface texture other than Sv and Sz. For example, the sharpness (Sku) is preferably 2.0 or more, more preferably 3.0 or more, preferably 8.5 or less, and more preferably 7.5 or less. The minimum autocorrelation length (Sal) is preferably 7.5 μm or more, more preferably 8.5 μm or more, preferably 20.0 μm or less, and more preferably 15.0 or less. The aspect ratio (Str) of the surface texture is preferably 0.55 or more, more preferably 0.60 or more, and preferably 0.75 or less. The protruding valley height (Svk) is preferably 0.20 or more, more preferably 0.25 or more, preferably 0.75 or less, and more preferably 0.70 or less. The load area ratio (Smr2) for separating the protruding valley portion and the core portion is preferably 90.0% or more, more preferably 94.0% or more. The parameters representing these surface textures can also be measured by the method shown in the examples.
転写フィルム115の材質は、特に限定されず、ポリエステル、ポリオレフィン、ポリイミド、ポリエチレンナフタレート又はポフィフェニレンサルファイド等 を用いることができる。転写フィルム115の厚さは、特に限定されないが、剥離を容易にする観点から、好ましくは25μm以上、好ましくは100μm以下である。
The material of the
転写フィルム115の少なくとも一方の面は、Sv及びSzを所定の値とするために、サンドブラスター処理等が行われていてもよい。また、微粒子を含有させることにより、Sv及びSzを所定の値とすることもできる。転写フィルム115に添加する微粒子は、特に限定されず、例えば不定形シリカ(コロイドシリカ)、シリカ、タルク、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、炭酸バリウム、硫酸カルシウム、硫酸バリウム、リン酸リチウム、リン酸カルシウム、リン酸マグネシウム、アルミナ、カーボンブラック、二酸化チタン、カオリン、及び合成ゼオライト等の無機粒子、並びに架橋ポリスチレン粒子、及び架橋アクリル粒子等の有機粒子を用いることができる。
At least one surface of the
転写フィルム115と、絶縁保護層112との間には離型剤層(図示せず)を設けることができる。離型剤層は、シリコン系又は非シリコン系の離型剤を、転写フィルム115の絶縁保護層112側の表面に塗布することにより形成することができる。離型剤層を形成する場合、その厚さは、数μm〜10数μm程度とすることができる。
A mold release agent layer (not shown) can be provided between the
本実施形態において、絶縁保護層112は、充分な絶縁性を有し、導電性接着剤層111及び必要な場合にはシールド層113を保護できれば特に限定されないが、例えば、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、又は活性エネルギー線硬化性樹脂等を用いて形成することができる。
In the present embodiment, the insulating
熱可塑性樹脂は、特に限定されないが、スチレン系樹脂、酢酸ビニル系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリエチレン系樹脂、ポリプロピレン系樹脂、イミド系樹脂、又はアクリル系樹脂等を用いることができる。熱硬化性樹脂としては、特に限定されないが、フェノール系樹脂、エポキシ系樹脂、ウレタン系樹脂、メラミン系樹脂、ポリアミド系樹脂又はアルキッド系樹脂等を用いることができる。活性エネルギー線硬化性樹脂としては、特に限定されないが、例えば、分子中に少なくとも2個の(メタ)アクリロイルオキシ基を有する重合性化合物等を用いることができる。保護層は、単独の材料により形成されていても、2種以上の材料から形成されていてもよい。 The thermoplastic resin is not particularly limited, but a styrene resin, a vinyl acetate resin, a polyester resin, a polyethylene resin, a polypropylene resin, an imide resin, an acrylic resin and the like can be used. The thermosetting resin is not particularly limited, but a phenol-based resin, an epoxy-based resin, a urethane-based resin, a melamine-based resin, a polyamide-based resin, an alkyd-based resin, or the like can be used. The active energy ray-curable resin is not particularly limited, and for example, a polymerizable compound having at least two (meth) acryloyloxy groups in the molecule can be used. The protective layer may be formed of a single material or may be formed of two or more kinds of materials.
絶縁保護層112には、着色剤に限らず必要に応じて硬化促進剤、粘着性付与剤、酸化防止剤、可塑剤、紫外線吸収剤、消泡剤、レベリング剤、充填剤、難燃剤、粘度調節剤、及びブロッキング防止剤等の1つ以上が含まれていてもよい。
The insulating
絶縁保護層112は、材質又は硬度若しくは弾性率等の物性が異なる2層以上の積層体であってもよい。例えば、硬度が低い外層と、硬度が高い内層との積層体とすれば、外層がクッション効果を有するため、電磁波シールドフィルム101をプリント配線基板102に加熱加圧する工程においてシールド層113に加わる圧力を緩和できる。このため、プリント配線基板102に設けられた段差によってシールド層113が破壊されることを抑えることができる。
The insulating
絶縁保護層112は、転写フィルム115の表面に絶縁保護層用組成物を塗布することにより形成することができる。絶縁保護層用組成物は、例えば絶縁保護層用の樹脂に適量の溶媒を加えて調製すればよい。
The insulating
絶縁保護層112の厚さは、特に限定されず、必要に応じて適宜設定することができるが、好ましくは1μm以上、より好ましくは4μm以上、そして好ましくは20μm以下、より好ましくは10μm以下、さらに好ましくは5μm以下とすることができる。絶縁保護層112の厚さを1μm以上とすることにより導電性接着剤層111及びシールド層113を充分に保護することができる。絶縁保護層112の厚さを20μm以下とすることにより、電磁波シールドフィルム101の弾性率及び破断伸びを所定の値とすることが容易となる。
The thickness of the insulating
シールド層113を設ける場合、シールド層113は、金属箔、蒸着膜及び導電性フィラー等により形成することができる。
When the
金属箔は、特に限定されないが、ニッケル、銅、銀、錫、金、パラジウム、アルミニウム、クロム、チタン、及び亜鉛等のいずれか、又は2つ以上を含む合金からなる箔とすることができる。 The metal foil is not particularly limited, but may be a foil made of any one of nickel, copper, silver, tin, gold, palladium, aluminum, chromium, titanium, zinc and the like, or an alloy containing two or more of them.
金属箔の厚さは、特に限定されないが、0.5μm以上が好ましく、1.0μm以上がより好ましい。金属箔の厚さが0.5μm以上であると、シールドプリント配線基板に10MHz〜100GHzの高周波信号を伝送したときに、高周波信号の減衰量を抑制することができる。また、金属箔の厚さは12μm以下が好ましく、10μm以下がより好ましく、7μm以下がさらに好ましい。金属層の厚さが12μm以下であると、原材料コストを抑えることができると共に、シールドフィルムの判断伸びが良好となる。 The thickness of the metal foil is not particularly limited, but is preferably 0.5 μm or more, and more preferably 1.0 μm or more. When the thickness of the metal foil is 0.5 μm or more, it is possible to suppress the attenuation of the high frequency signal when the high frequency signal of 10 MHz to 100 GHz is transmitted to the shield printed wiring board. The thickness of the metal foil is preferably 12 μm or less, more preferably 10 μm or less, and even more preferably 7 μm or less. When the thickness of the metal layer is 12 μm or less, the raw material cost can be suppressed and the judgment elongation of the shield film becomes good.
蒸着膜は、特に限定されないが、ニッケル、銅、銀、錫、金、パラジウム、アルミニウム、クロム、チタン、及び亜鉛等を蒸着して形成することができる。蒸着には、電解メッキ法、無電解メッキ法、スパッタリング法、電子ビーム蒸着法、真空蒸着法、化学気相堆積(CVD)法、又はメタルオーガニック堆積(MOCVD)法等を用いることができる。 The vapor deposition film is not particularly limited, but can be formed by vapor deposition of nickel, copper, silver, tin, gold, palladium, aluminum, chromium, titanium, zinc and the like. For the vapor deposition, an electrolytic plating method, a non-electroplating plating method, a sputtering method, an electron beam vapor deposition method, a vacuum vapor deposition method, a chemical vapor deposition (CVD) method, a metal organic deposition (MOCVD) method, or the like can be used.
蒸着膜の厚さは、特に限定されないが、0.05μm以上が好ましく、0.1μm以上がより好ましい。金属蒸着膜の厚さが0.05μm以上であると、シールドプリント配線基板において電磁波シールドフィルムが電磁波をシールドする特性に優れる。また、金属蒸着膜の厚さは0.5μm未満が好ましく、0.3μm未満であることがより好ましい。金属蒸着膜の厚さが0.5μm未満であると、電磁波シールドフィルムの耐屈曲性が優れ、プリント配線基板に設けられた段差によってシールド層が破壊されることを抑えることができる。 The thickness of the thin-film film is not particularly limited, but is preferably 0.05 μm or more, and more preferably 0.1 μm or more. When the thickness of the metal vapor-deposited film is 0.05 μm or more, the electromagnetic wave shielding film has excellent characteristics of shielding electromagnetic waves in the shield-printed wiring substrate. The thickness of the metal vapor deposition film is preferably less than 0.5 μm, more preferably less than 0.3 μm. When the thickness of the metal vapor-deposited film is less than 0.5 μm, the bending resistance of the electromagnetic wave shielding film is excellent, and it is possible to prevent the shield layer from being destroyed by the step provided on the printed wiring board.
導電性フィラーの場合、導電性フィラーを配合した溶剤を、絶縁保護層112の表面に塗布して乾燥することにより、シールド層113を形成することができる。導電性フィラーは、金属フィラー、金属被覆樹脂フィラー、カーボンフィラー及びそれらの混合物を使用することができる。金属フィラーとして、銅粉、銀粉、ニッケル粉、銀コ−ト銅粉、金コート銅粉、銀コートニッケル粉、及び金コートニッケル粉等を用いることができる。これら金属粉は、電解法、アトマイズ法、還元法により作成することができる。金属粉の形状は、球状、フレーク状、繊維状、樹枝状等が挙げられる。
In the case of the conductive filler, the
本実施形態においてシールド層113の厚さは、求められる電磁シールド効果及び繰り返し屈曲・摺動耐性に応じて適宜選択すればよいが、金属箔である場合には、破断伸びを確保する観点から12μm以下とすることが好ましい。
In the present embodiment, the thickness of the
本実施形態において、導電性接着剤層111は、熱可塑性樹脂及び熱硬化性樹脂等の樹脂成分と、導電性フィラーとを含んでいる。
In the present embodiment, the conductive
導電性接着剤層111が熱可塑性樹脂を含む場合、熱可塑性樹脂として例えばスチレン系樹脂、酢酸ビニル系樹脂、ポリエステル系樹脂、ポリエチレン系樹脂、ポリプロピレン系樹脂、イミド系樹脂、及びアクリル系樹脂等を用いることができる。これらの樹脂は、1種単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
When the conductive
導電性接着剤層111が熱硬化性樹脂を含む場合、熱硬化性樹脂として例えばフェノール系樹脂、エポキシ系樹脂、ウレタン系樹脂、メラミン系樹脂、ポリアミド系樹脂及びアルキッド系樹脂等を用いることができる。活性エネルギー線硬化性組成物としては、特に限定されないが、例えば、分子中に少なくとも2個の(メタ)アクリロイルオキシ基を有する重合性化合物等を用いることができる。これらの組成物は、1種単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
When the conductive
熱硬化性樹脂は、例えば反応性の第1の官能基を有する第1樹脂成分と、第1の官能基と反応する第2樹脂成分とを含む。第1の官能基は、例えばエポキシ基、アミド基、又は水酸基等とすることができる。第2の官能基は、第1の官能基に応じて選択すればよく、例えば第1官能基がエポキシ基である場合、水酸基、カルボキシル基、エポキシ基及びアミノ基等とすることができる。具体的には、例えば第1樹脂成分をエポキシ樹脂とした場合には、第2樹脂成分としてエポキシ基変性ポリエステル樹脂、エポキシ基変性ポリアミド樹脂、エポキシ基変性アクリル樹脂、エポキシ基変性ポリウレタンポリウレア樹脂、カルボキシル基変性ポリエステル樹脂、カルボキシル基変性ポリアミド樹脂、カルボキシル基変性アクリル樹脂、カルボキシル基変性ポリウレタンポリウレア樹脂、及びウレタン変性ポリエステル樹脂等を用いることができる。これらの中でも、カルボキシル基変性ポリエステル樹脂、カルボキシル基変性ポリアミド樹脂、カルボキシル基変性ポリウレタンポリウレア樹脂、及びウレタン変性ポリエステル樹脂が好ましい。また、第1樹脂成分が水酸基である場合には、第2樹脂成分としてエポキシ基変性ポリエステル樹脂、エポキシ基変性ポリアミド樹脂、エポキシ基変性アクリル樹脂、エポキシ基変性ポリウレタンポリウレア樹脂、カルボキシル基変性ポリエステル樹脂、カルボキシル基変性ポリアミド樹脂、カルボキシル基変性アクリル樹脂、カルボキシル基変性ポリウレタンポリウレア樹脂、及びウレタン変性ポリエステル樹脂等を用いることができる。これらの中でも、カルボキシル基変性ポリエステル樹脂、カルボキシル基変性ポリアミド樹脂、カルボキシル基変性ポリウレタンポリウレア樹脂、及びウレタン変性ポリエステル樹脂が好ましい。 The thermosetting resin contains, for example, a first resin component having a reactive first functional group and a second resin component that reacts with the first functional group. The first functional group can be, for example, an epoxy group, an amide group, a hydroxyl group, or the like. The second functional group may be selected according to the first functional group. For example, when the first functional group is an epoxy group, it may be a hydroxyl group, a carboxyl group, an epoxy group, an amino group or the like. Specifically, for example, when the first resin component is an epoxy resin, the second resin component is an epoxy group-modified polyester resin, an epoxy group-modified polyamide resin, an epoxy group-modified acrylic resin, an epoxy group-modified polyurethane polyurea resin, or a carboxyl. Basically modified polyester resin, carboxyl group modified polyamide resin, carboxyl group modified acrylic resin, carboxyl group modified polyurethane polyurea resin, urethane modified polyester resin and the like can be used. Among these, a carboxyl group-modified polyester resin, a carboxyl group-modified polyamide resin, a carboxyl group-modified polyurethane polyurea resin, and a urethane-modified polyester resin are preferable. When the first resin component is a hydroxyl group, the second resin component includes an epoxy group-modified polyester resin, an epoxy group-modified polyamide resin, an epoxy group-modified acrylic resin, an epoxy group-modified polyurethane polyurea resin, and a carboxyl group-modified polyester resin. A carboxyl group-modified polyamide resin, a carboxyl group-modified acrylic resin, a carboxyl group-modified polyurethane polyurea resin, a urethane-modified polyester resin, and the like can be used. Among these, a carboxyl group-modified polyester resin, a carboxyl group-modified polyamide resin, a carboxyl group-modified polyurethane polyurea resin, and a urethane-modified polyester resin are preferable.
熱硬化性樹脂は、熱硬化反応を促進する硬化剤を含んでいてもよい。熱硬化性樹脂が第1の官能基と第2の官能基とを有する場合、硬化剤は、第1の官能基及び第2の官能基の種類に応じて適宜選択することができる。第1の官能基がエポキシ基であり、第2の官能基が水酸基である場合には、イミダゾール系硬化剤、フェノール系硬化剤、及びカチオン系硬化剤等を使用することができる。これらは1種を単独で使用することもでき、2種以上を併用することもできる。この他、任意成分として消泡剤、酸化防止剤、粘度調整剤、希釈剤、沈降防止剤、レベリング剤、カップリング剤、着色剤、及び難燃剤等を含んでいてもよい。 The thermosetting resin may contain a curing agent that promotes a thermosetting reaction. When the thermosetting resin has a first functional group and a second functional group, the curing agent can be appropriately selected depending on the type of the first functional group and the second functional group. When the first functional group is an epoxy group and the second functional group is a hydroxyl group, an imidazole-based curing agent, a phenol-based curing agent, a cationic-based curing agent, or the like can be used. These can be used alone or in combination of two or more. In addition, an antifoaming agent, an antioxidant, a viscosity modifier, a diluent, an antioxidant, a leveling agent, a coupling agent, a coloring agent, a flame retardant and the like may be contained as optional components.
導電性フィラーは、特に限定されないが、例えば、金属フィラー、金属被覆樹脂フィラー、カーボンフィラー及びそれらの混合物を使用することができる。金属フィラーとしては、銅粉、銀粉、ニッケル粉、銀コ−ト銅粉、金コート銅粉、銀コートニッケル粉、及び金コートニッケル粉等を挙げることができる。これら金属粉は、電解法、アトマイズ法、又は還元法等により作製することができる。中でも銀粉、銀コート銅粉及び銅粉のいずれかが好ましい。 The conductive filler is not particularly limited, and for example, a metal filler, a metal-coated resin filler, a carbon filler, and a mixture thereof can be used. Examples of the metal filler include copper powder, silver powder, nickel powder, silver coat copper powder, gold-coated copper powder, silver-coated nickel powder, and gold-coated nickel powder. These metal powders can be produced by an electrolytic method, an atomizing method, a reducing method, or the like. Of these, any of silver powder, silver-coated copper powder and copper powder is preferable.
導電性フィラーは、フィラー同士の接触の観点から、平均粒子径が好ましくは1μm以上、より好ましくは3μm以上、好ましくは50μm以下、より好ましくは40μm以下である。導電性フィラーの形状は特に限定されず、球状、フレーク状、樹枝状、又は繊維状等とすることができる。 From the viewpoint of contact between the fillers, the conductive filler has an average particle size of preferably 1 μm or more, more preferably 3 μm or more, preferably 50 μm or less, and more preferably 40 μm or less. The shape of the conductive filler is not particularly limited, and may be spherical, flake-shaped, dendritic, fibrous, or the like.
導電性フィラーの含有量は、用途に応じて適宜選択することができるが、全固形分中で好ましくは5質量%以上、より好ましくは10質量%以上、好ましくは95質量%以下、より好ましくは90質量%以下である。埋め込み性の観点からは、好ましくは70質量%以下、より好ましくは60質量%以下である。また、異方導電性を実現する場合には、好ましくは40質量%以下、より好ましくは35質量%以下である。 The content of the conductive filler can be appropriately selected depending on the intended use, but is preferably 5% by mass or more, more preferably 10% by mass or more, preferably 95% by mass or less, more preferably 95% by mass or less in the total solid content. It is 90% by mass or less. From the viewpoint of embedding property, it is preferably 70% by mass or less, more preferably 60% by mass or less. Further, in the case of realizing anisotropic conductivity, it is preferably 40% by mass or less, more preferably 35% by mass or less.
導電性接着剤層111は、例えば絶縁保護層112又は絶縁保護層112の上に形成されたシールド層113の上に、導電性接着剤層用組成物を塗布することにより形成することができる。導電性接着剤層用組成物は、導電性接着剤層用の樹脂及びフィラーに適量の溶剤を加えて調製すればよい。
The conductive
導電性接着剤層111の厚さは、埋め込み性を制御する観点から、1μm〜50μmとすることが好ましい。
The thickness of the conductive
なお、必要に応じて、導電性接着剤層111の表面に剥離可能な保護用フィルムを貼り合わせてもよい。
If necessary, a peelable protective film may be attached to the surface of the conductive
本実施形態の電磁波シールドフィルム101は、図3に示すようにプリント配線基板102と組み合わせてシールド配線基板103とすることができる。電磁波シールドフィルム101は、シールド層113を有するものであってもよい。
As shown in FIG. 3, the electromagnetic
プリント配線基板102は、例えば、ベース部材122と、ベース部材122の上に設けられたグランド回路125を含むプリント回路を有している。ベース部材122の上には接着剤層123により絶縁フィルム121が接着されている。絶縁フィルム121にはグランド回路125を露出する開口部が設けられている。グランド回路125の露出部分には金めっき層等の表面層が設けられていてもよい。なお、プリント配線基板102は、フレキシブル基板であってもリジッド基板であってもよい。
The printed
電磁波シールドフィルム101をプリント配線基板102に接着する際には、導電性接着剤層111が開口部の上に位置するように、電磁波シールドフィルム101をプリント配線基板102上に配置する。そして、所定の温度(例えば120℃)に加熱した2枚の加熱板(図示せず)により、電磁波シールドフィルム101とプリント配線基板102とを、上下方向から挟んで所定の圧力(例えば0.5MPa)で短時間(例えば5秒間)押圧する。これによって、電磁波シールドフィルム101はプリント配線基板102に仮止めされる。
When the electromagnetic
続いて、2枚の加熱板の温度を、上記仮止め時よりも高温の所定の温度(例えば、170℃)とし、所定の圧力(例えば3MPa)で所定時間(例えば30分)加圧する。これによって、電磁波シールドフィルム101をプリント配線基板102に固定できる。加圧した際に、導電性接着剤層111が開口部に十分に埋め込まれることにより、電磁波シールドフィルム101が必要とする強度及び導電性を実現することができる。
Subsequently, the temperature of the two heating plates is set to a predetermined temperature (for example, 170 ° C.) higher than that at the time of the temporary fixing, and the pressure is applied at a predetermined pressure (for example, 3 MPa) for a predetermined time (for example, 30 minutes). As a result, the electromagnetic
電磁波シールドフィルム101をプリント配線基板102に固定した後、転写フィルム115を剥離する。この後、部品実装のためのはんだリフローを行う。本実施形態の電磁波シールドフィルム101は、電磁波シールドフィルム101をプリント配線基板102に固定した後で、転写フィルム115を容易に剥離することができるので、生産効率を向上さ競ることができる。
After fixing the electromagnetic
以下に、本開示の電磁波シールドフィルムについて実施例を用いてさらに詳細に説明する。以下の実施例は例示であり、本発明を限定することを意図するものではない。 Hereinafter, the electromagnetic wave shielding film of the present disclosure will be described in more detail using examples. The following examples are exemplary and are not intended to limit the invention.
<電磁波シールドフィルムの作製>
所定の転写フィルムの表面に離型剤を塗布した。離型剤を塗布した転写フィルムの表面に、絶縁保護層用組成物を、ワイヤーバーを用いて塗布し、加熱乾燥することで、絶縁保護層を形成した。次に、絶縁保護層の上に導電性接着剤層用組成物をワイヤーバーにより塗布した後、100℃×3分の乾燥を行い、電磁波シールドフィルムを作製した。
<Making an electromagnetic wave shield film>
A mold release agent was applied to the surface of a predetermined transfer film. The composition for the insulating protective layer was applied to the surface of the transfer film coated with the release agent using a wire bar, and heated and dried to form the insulating protective layer. Next, the composition for the conductive adhesive layer was applied onto the insulating protective layer with a wire bar, and then dried at 100 ° C. for 3 minutes to prepare an electromagnetic wave shielding film.
絶縁保護層用組成物は、厚さが2μmのポリエステル系透明樹脂のハードコート層と、厚さが3μmのカーボンブラック含有エポキシ系黒色樹脂のソフトコート層との2層構造とした。導電性接着剤層用組成物は、リン系難燃剤含有エポキシ系樹脂に導電性微粒子として平均粒子径5μmの樹枝状銀被覆銅紛を添加したものとした。導電性接着剤層の厚さは15μmとした。 The composition for the insulating protective layer has a two-layer structure consisting of a hard coat layer of a polyester-based transparent resin having a thickness of 2 μm and a soft coat layer of a carbon black-containing epoxy-based black resin having a thickness of 3 μm. The composition for the conductive adhesive layer was prepared by adding a dendritic silver-coated copper powder having an average particle diameter of 5 μm as conductive fine particles to a phosphorus-based flame retardant-containing epoxy resin. The thickness of the conductive adhesive layer was 15 μm.
<表面性状の測定>
表面性状に関するパラメータは、レーザーマイクロスコープ(VK-X210、キーエンス(株)社製」、レンズ倍率50倍)を用い、ISO25178に準拠して測定した。測定は、5.0cm×5.0cmに切り抜いた未使用の転写フィルムの絶縁保護層を形成する面に対して行った。面内の任意の10箇所に対して測定を行い、その算術平均値を測定値として採用した。また、標準偏差(SD)及び変動係数(CV)を算出した。
<Measurement of surface texture>
The parameters related to the surface texture were measured according to ISO25178 using a laser microscope (VK-X210, manufactured by KEYENCE CORPORATION, lens magnification 50 times). The measurement was performed on the surface of the unused transfer film cut out to 5.0 cm × 5.0 cm to form the insulating protective layer. Measurements were made at any 10 points in the plane, and the arithmetic mean value was adopted as the measured value. In addition, the standard deviation (SD) and the coefficient of variation (CV) were calculated.
<剥離強度の測定>
電磁波シールドフィルムに、プレス機を用いて、温度:170℃、時間:30分、圧力:2〜3MPaの条件でプレスを行った。電磁波シールドフィルムが常温に戻った後、表面の剥離フィルムを剥離強度テスター((株)パルメック製、PFT50S)を用い、転写フィルムの剥離強度を測定した。測定は常温で、引張速度1000mm/分、剥離角度170°の条件で行った。測定は、10回行い、最小値、最大値及び平均値を求めた。
<Measurement of peel strength>
The electromagnetic wave shield film was pressed using a press machine under the conditions of temperature: 170 ° C., time: 30 minutes, and pressure: 2 to 3 MPa. After the electromagnetic wave shielding film returned to room temperature, the peeling strength of the transfer film was measured using a peeling strength tester (PFT50S, manufactured by Palmec Co., Ltd.) for the peeling film on the surface. The measurement was performed at room temperature under the conditions of a tensile speed of 1000 mm / min and a peeling angle of 170 °. The measurement was performed 10 times, and the minimum value, the maximum value and the average value were obtained.
(実施例1)
転写フィルムとして厚さが50μmのPETフィルムを用いた。転写フィルムを剥離した後の絶縁保護層の表面は艶消し表面となっていた。転写フィルムの絶縁保護層形成面におけるSvは3.1μm、Szは8.0μm、Saは0.69μmであった。Svの変動係数は0.15、Szの変動係数は0.02であった。剥離強度の最小値は0.51N/50mm、最大値は0.75N/50mm、平均値は0.63N/50mmであった。
(Example 1)
A PET film having a thickness of 50 μm was used as the transfer film. The surface of the insulating protective layer after the transfer film was peeled off was a matte surface. The Sv on the insulating protective layer forming surface of the transfer film was 3.1 μm, the Sz was 8.0 μm, and the Sa was 0.69 μm. The coefficient of variation of Sv was 0.15, and the coefficient of variation of Sz was 0.02. The minimum value of the peel strength was 0.51 N / 50 mm, the maximum value was 0.75 N / 50 mm, and the average value was 0.63 N / 50 mm.
(実施例2)
転写フィルムとして厚さが50μmのPETフィルムを用いた。転写フィルムを剥離した後の絶縁保護層の表面は艶消し表面となっていた。転写フィルムの絶縁保護層形成面におけるSvは2.5μm、Szは6.6μm、Saは0.41μmであった。Svの変動係数は0.12、Szの変動係数は0.08であった。剥離強度の最小値は0.60N/50mm、最大値は0.76N/50mm、平均値は0.68N/50mmであった。
(Example 2)
A PET film having a thickness of 50 μm was used as the transfer film. The surface of the insulating protective layer after the transfer film was peeled off was a matte surface. The Sv on the insulating protective layer forming surface of the transfer film was 2.5 μm, the Sz was 6.6 μm, and the Sa was 0.41 μm. The coefficient of variation of Sv was 0.12, and the coefficient of variation of Sz was 0.08. The minimum value of the peel strength was 0.60 N / 50 mm, the maximum value was 0.76 N / 50 mm, and the average value was 0.68 N / 50 mm.
(実施例3)
転写フィルムとして厚さが50μmのPETフィルムを用いた。転写フィルムを剥離した後の絶縁保護層の表面は艶消し表面となっていた。転写フィルムの絶縁保護層形成面におけるSvは5.9μm、Szは9.6μm、Saは0.69μmであった。Svの変動係数は0.07、Szの変動係数は0.09であった。剥離強度の最小値は0.98N/50mm、最大値は1.50N/50mm、平均値は1.25N/50mmであった。
(Example 3)
A PET film having a thickness of 50 μm was used as the transfer film. The surface of the insulating protective layer after the transfer film was peeled off was a matte surface. The Sv on the insulating protective layer forming surface of the transfer film was 5.9 μm, the Sz was 9.6 μm, and the Sa was 0.69 μm. The coefficient of variation of Sv was 0.07, and the coefficient of variation of Sz was 0.09. The minimum value of the peel strength was 0.98 N / 50 mm, the maximum value was 1.50 N / 50 mm, and the average value was 1.25 N / 50 mm.
(比較例1)
転写フィルムとして厚さが50μmのPETフィルムを用いた。転写フィルムを剥離した後の絶縁保護層の表面は艶消し表面となっていた。転写フィルムの絶縁保護層形成面におけるSvは6.8μm、Szは11.4μm、Saは0.48μmであった。Svの変動係数は0.43、Szの変動係数は0.40であった。剥離強度の最小値は7.0N/50mm、最大値は10N/50mmを越えており測定できなかった。
(Comparative Example 1)
A PET film having a thickness of 50 μm was used as the transfer film. The surface of the insulating protective layer after the transfer film was peeled off was a matte surface. The Sv on the insulating protective layer forming surface of the transfer film was 6.8 μm, the Sz was 11.4 μm, and the Sa was 0.48 μm. The coefficient of variation of Sv was 0.43, and the coefficient of variation of Sz was 0.40. The minimum value of the peel strength was 7.0 N / 50 mm, and the maximum value exceeded 10 N / 50 mm, so that it could not be measured.
(比較例2)
転写フィルムとして厚さが50μmのPETフィルムを用いた。転写フィルムを剥離した後の絶縁保護層の表面は光沢がある表面となっていた。転写フィルムの絶縁保護層形成面におけるSvは0.8μm、Szは1.3μm、Saは0.06μmであった。Svの変動係数は0.23、Szの変動係数は0.13であった。剥離強度の最小値は0.08N/50mm、最大値は0.15N/50mm、平均値は0.10N/50mmであった。
(Comparative Example 2)
A PET film having a thickness of 50 μm was used as the transfer film. The surface of the insulating protective layer after the transfer film was peeled off was a glossy surface. Sv on the insulating protective layer forming surface of the transfer film was 0.8 μm, Sz was 1.3 μm, and Sa was 0.06 μm. The coefficient of variation of Sv was 0.23, and the coefficient of variation of Sz was 0.13. The minimum value of the peel strength was 0.08 N / 50 mm, the maximum value was 0.15 N / 50 mm, and the average value was 0.10 N / 50 mm.
表1に各実施例及び比較例の結果をまとめて示す。Sv、Szの他に、尖り度(Sku)、最小自己相関長さ(Sal)、表面性状のアスペクト比(Str)、突出谷部高さ(Svk)及び突出谷部とコア部を分離する負荷面積率(Smr2)についてもデータを記載する。 Table 1 summarizes the results of each example and comparative example. In addition to Sv and Sz, sharpness (Sku), minimum autocorrelation length (Sal), surface aspect ratio (Str), protruding valley height (Svk), and load separating the protruding valley and core. Data is also described for the area ratio (Smr2).
本開示の電磁波シールドフィルムは、転写フィルムの剥離が容易であり、生産性を向上させることができる。 The electromagnetic wave shielding film of the present disclosure can easily peel off the transfer film and improve productivity.
101 電磁波シールドフィルム
102 プリント配線基板
103 シールド配線基板
111 導電性接着剤層
112 絶縁保護層
113 シールド層
115 転写フィルム
121 絶縁フィルム
122 ベース部材
123 接着剤層
125 グランド回路
101 Electromagnetic
Claims (4)
前記転写フィルムの前記樹脂層形成面は、最大谷深さ(Sv)が1μm以上、5μm以下、最大高さ(Sz)が2μm以上、9m以下であり、最小自己相関長さ(Sal)が8.5μm以上、20μm以下である、転写フィルム。 A transfer film in which a resin layer is formed on a resin layer forming surface coated with a mold release agent, and the surface of the resin layer is used as a matte surface due to the unevenness of the resin layer forming surface.
The resin layer forming surface of the transfer film has a maximum valley depth (Sv) of 1 μm or more and 5 μm or less, a maximum height (Sz) of 2 μm or more and 9 m or less, and a minimum autocorrelation length (Sal) of 8. A transfer film having a thickness of .5 μm or more and 20 μm or less.
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