JP6424999B1 - スピン素子の安定化方法及びスピン素子の製造方法 - Google Patents
スピン素子の安定化方法及びスピン素子の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6424999B1 JP6424999B1 JP2018546059A JP2018546059A JP6424999B1 JP 6424999 B1 JP6424999 B1 JP 6424999B1 JP 2018546059 A JP2018546059 A JP 2018546059A JP 2018546059 A JP2018546059 A JP 2018546059A JP 6424999 B1 JP6424999 B1 JP 6424999B1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- spin
- current
- predetermined
- layer
- current value
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/16—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
- G11C11/165—Auxiliary circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/16—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
- G11C11/165—Auxiliary circuits
- G11C11/1675—Writing or programming circuits or methods
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/16—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
- G11C11/161—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect details concerning the memory cell structure, e.g. the layers of the ferromagnetic memory cell
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/16—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
- G11C11/165—Auxiliary circuits
- G11C11/1659—Cell access
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/16—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
- G11C11/165—Auxiliary circuits
- G11C11/1693—Timing circuits or methods
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/04—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store with means for avoiding disturbances due to temperature effects
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
- H01F10/32—Spin-exchange-coupled multilayers, e.g. nanostructured superlattices
- H01F10/324—Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer
- H01F10/3254—Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer the spacer being semiconducting or insulating, e.g. for spin tunnel junction [STJ]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
- H01F10/32—Spin-exchange-coupled multilayers, e.g. nanostructured superlattices
- H01F10/324—Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer
- H01F10/329—Spin-exchange coupled multilayers wherein the magnetisation of the free layer is switched by a spin-polarised current, e.g. spin torque effect
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F41/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties
- H01F41/32—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying conductive, insulating or magnetic material on a magnetic film, specially adapted for a thin magnetic film
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N50/00—Galvanomagnetic devices
- H10N50/01—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N50/00—Galvanomagnetic devices
- H10N50/80—Constructional details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
- H01F10/32—Spin-exchange-coupled multilayers, e.g. nanostructured superlattices
- H01F10/324—Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer
- H01F10/3286—Spin-exchange coupled multilayers having at least one layer with perpendicular magnetic anisotropy
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N50/00—Galvanomagnetic devices
- H10N50/10—Magnetoresistive devices
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
- Mram Or Spin Memory Techniques (AREA)
Abstract
本発明の一態様にかかるスピン素子の安定化方法は、第1の方向に延在する通電部と、前記通電部の一面に積層され、強磁性体を含む素子部と、を備えるスピン素子において、前記通電部の前記第1の方向に、所定温度中で所定電流値以上の電流パルスをパルス印加総時間が所定時間以上となるように印加する。
Description
すなわち本発明は、上記課題を解決するため、以下の手段を提供する。
図1は、本実施形態にかかるスピン素子の一例であるスピン軌道トルク型磁気抵抗効果素子10の断面模式図である。図1に示すスピン軌道トルク型磁気抵抗効果素子10は、素子部1とスピン軌道トルク配線(通電部)2とを備える。スピン軌道トルク配線2の素子部1を挟む位置には、導電性を有する第1電極3及び第2電極4を備える。
以下、通電部が延在する第1の方向をx方向、素子部1の積層方向(第2の方向)をz方向、x方向及びz方向のいずれにも直交する方向をy方向と規定して説明する。
<スピン軌道トルク配線>
スピン軌道トルク配線2は、x方向に延在する。スピン軌道トルク配線2は、素子部1のz方向の一面に接続されている。スピン軌道トルク配線2は、素子部1に直接接続されていてもよいし、他の層を介し接続されていてもよい。
素子部1は、第1強磁性層1Aと第2強磁性層1Bとこれらに挟まれた非磁性層1Cとを備える。素子部1は、スピン軌道トルク配線2と交差する第2の方向(z方向)に積層されている。
図2は、本実施形態にかかるスピン素子の一例である磁壁移動型磁気記録素子20の断面模式図である。図2に示す磁壁移動型磁気記録素子20は、素子部11と磁気記録層(通電部)12とを備える。磁気記録層12の素子部11を挟む位置には、導電性を有する第1電極3及び第2電極4を備える。
素子部11は、第1強磁性層11Aと非磁性層11Bとを備える。第1強磁性層11A及び非磁性層11Bは、図1に示すスピン軌道トルク型磁気抵抗効果素子10と同様のものを用いることができる。
磁気記録層12は、x方向に延在している。磁気記録層12は、内部に磁壁12Aを有する。磁壁12Aは、互いに反対方向の磁化を有する第1の磁区12Bと第2の磁区12Cとの境界である。図2に示す磁壁移動型磁気記録素子20は、第1の磁区12Bが+x方向に配向した磁化を有し、第2の磁区12Cが−x方向に配向した磁化を有する。
本実施形態にかかるスピン素子の安定化方法は、通電部のx方向に、所定温度中で所定電流値以上の電流パルスをパルス印加総時間が所定時間以上となるように、以下の関係式(1)に基づき印加する。
本実施形態にかかるスピン素子の製造方法は、第1の方向に延在する通電部の一面に、強磁性体を含む素子部を形成する工程と、上述のスピン素子の安定化方法に従い、通電部にパルス電流を通電する工程と、を有する。
図1に示すスピン軌道トルク型磁気抵抗効果素子10を作製した。具体的には、Auからなる第1電極3及び第2電極4を設けた基板状にスピン軌道トルク配線2となる層を積層した。スピン軌道トルク配線2となる層としては、Taを5nm積層した。そして、フォトリソグラフィーによりスピン軌道トルク配線2となる層を配線状に加工し、スピン軌道トルク配線2を作製した。スピン軌道トルク配線2は、y方向の幅が0.2μm、x方向の長さが0.7μmであった。スピン軌道トルク配線2を構成するTaの活性化エネルギーは414kJ/molであった。
第1強磁性層1A:CoFeB、1.0nm
非磁性層1C:MgO、2.5nm
第2強磁性層1B:CoFeB、1.0nm
更に熱安定性を向上させるために、第2強磁性層1Bの上に、Ru(0.42nm)と[Co(0.4nm)/Pt(0.8nm)]nとを積層し、シンセティック構造とした。
実施例2は、印加するパルス電流の電流密度を5.68×107A/cm2とし、パルス幅を10nsecとした点が実施例1と異なる。すなわち、印加したパルス電流は、反転臨界電流の1.21倍とした。
実施例3は、スピン軌道トルク型磁気抵抗効果素子10の周囲の環境温度を80℃にした点が実施例1と異なる。印加するパルス電流の電流密度及びパルス幅は実施例1と同じとした。すなわち、印加したパルス電流は、反転臨界電流の1.12倍とした。
1A、11A 第1強磁性層
1B 第2強磁性層
1C、11B 非磁性層
2 スピン軌道トルク配線
3 第1電極
4 第2電極
10 スピン軌道トルク型磁気抵抗効果素子
12 磁気記録層
12A 磁壁
12B 第1の磁区
12C 第2の磁区
20 磁壁移動型磁気記録素子
Claims (9)
- 第1の方向に延在する通電部と、前記通電部の一面に積層され、強磁性体を含む素子部と、を備えるスピン素子において、
前記通電部の前記第1の方向に、所定温度中で所定電流値以上の電流パルスをパルス印加総時間が所定時間以上となるように、以下の関係式(1)に従い印加する、スピン素子の安定化方法;
- 前記所定温度が室温であり、
前記所定電流値が前記反転臨界電流値の1.1倍以上であり、
前記所定時間が0.1秒以上である、請求項1に記載のスピン素子の安定化方法。 - 前記所定温度が室温であり、
前記所定電流値が前記反転臨界電流値の1.2倍以上であり、
前記所定時間が0.01秒以上である、請求項1に記載のスピン素子の安定化方法。 - 前記所定温度が室温より高く、
前記所定電流値が前記反転臨界電流値の1.1倍以上であり、
前記所定温度と前記室温との差をΔTとした際に、前記所定時間が0.1×(1/ΔT)2秒以上である、請求項1に記載のスピン素子の安定化方法。 - 前記電流パルスのパルス幅が10nsec以下である、請求項1〜4のいずれか一項に記載のスピン素子の安定化方法。
- 前記通電部を構成する元素の活性化エネルギーが200kJ/mol以上である、請求項1〜5のいずれか一項に記載のスピン素子の安定化方法。
- 前記通電部がスピン軌道トルク配線であり、前記素子部が第1強磁性層と第2強磁性層とこれらに挟まれた非磁性層とを備える、請求項1〜6のいずれか一項に記載のスピン素子の安定化方法。
- 前記通電部が磁壁を備える磁気記録層であり、前記素子部が前記磁気記録層側から非磁性層と第3強磁性層とを備える、請求項1〜6のいずれか一項に記載のスピン素子の安定化方法。
- 第1の方向に延在する通電部の一面に、強磁性体を含む素子部を形成する工程と、
請求項1〜8のいずれか一項に記載のスピン素子の安定化方法に従い、前記通電部にパルス電流を通電する工程と、を有するスピン素子の製造方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/JP2018/007645 WO2019167197A1 (ja) | 2018-02-28 | 2018-02-28 | スピン素子の安定化方法及びスピン素子の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP6424999B1 true JP6424999B1 (ja) | 2018-11-21 |
JPWO2019167197A1 JPWO2019167197A1 (ja) | 2020-04-09 |
Family
ID=64379144
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018546059A Active JP6424999B1 (ja) | 2018-02-28 | 2018-02-28 | スピン素子の安定化方法及びスピン素子の製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10622048B2 (ja) |
JP (1) | JP6424999B1 (ja) |
CN (1) | CN110419116B (ja) |
WO (1) | WO2019167197A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6557444B1 (ja) * | 2018-03-08 | 2019-08-07 | Tdk株式会社 | スピン素子及び磁気メモリ |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2017222038A1 (ja) * | 2016-06-24 | 2017-12-28 | 国立研究開発法人物質・材料研究機構 | I-iii-vi2化合物半導体を用いた磁気抵抗素子及びその製造方法、これを用いた磁気記憶装置並びにスピントランジスタ |
JP6539008B1 (ja) * | 2018-02-19 | 2019-07-03 | Tdk株式会社 | スピン軌道トルク型磁化回転素子、スピン軌道トルク型磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ |
WO2019159428A1 (ja) * | 2018-02-19 | 2019-08-22 | Tdk株式会社 | スピン軌道トルク型磁化回転素子、スピン軌道トルク型磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ |
JP6428988B1 (ja) * | 2018-02-28 | 2018-11-28 | Tdk株式会社 | スピン素子の安定化方法及びスピン素子の製造方法 |
JP7228404B2 (ja) * | 2019-02-21 | 2023-02-24 | 日本放送協会 | 磁気光学型光変調素子および空間光変調器 |
US11522009B2 (en) * | 2019-07-30 | 2022-12-06 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | MRAM device having self-aligned shunting layer |
US11915734B2 (en) | 2021-08-13 | 2024-02-27 | International Business Machines Corporation | Spin-orbit-torque magnetoresistive random-access memory with integrated diode |
US12020736B2 (en) | 2021-08-13 | 2024-06-25 | International Business Machines Corporation | Spin-orbit-torque magnetoresistive random-access memory array |
US11793001B2 (en) | 2021-08-13 | 2023-10-17 | International Business Machines Corporation | Spin-orbit-torque magnetoresistive random-access memory |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010080006A (ja) * | 2008-09-26 | 2010-04-08 | Toshiba Corp | 磁気メモリの試験方法および試験装置 |
JP2016021272A (ja) * | 2014-06-16 | 2016-02-04 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 抵抗変化型不揮発性記憶装置 |
JP2017138136A (ja) * | 2016-02-02 | 2017-08-10 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 寿命判定装置及び寿命判定方法 |
JP2017168658A (ja) * | 2016-03-16 | 2017-09-21 | 株式会社東芝 | メモリセルおよび磁気メモリ |
WO2017183573A1 (ja) * | 2016-04-21 | 2017-10-26 | Tdk株式会社 | 磁壁利用型アナログメモリ素子および磁壁利用型アナログメモリ |
Family Cites Families (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6958502B2 (en) * | 2003-10-22 | 2005-10-25 | International Business Machines Corporation | Magnetic random access memory cell |
US8183652B2 (en) * | 2007-02-12 | 2012-05-22 | Avalanche Technology, Inc. | Non-volatile magnetic memory with low switching current and high thermal stability |
US7532505B1 (en) * | 2006-07-17 | 2009-05-12 | Grandis, Inc. | Method and system for using a pulsed field to assist spin transfer induced switching of magnetic memory elements |
US7502249B1 (en) * | 2006-07-17 | 2009-03-10 | Grandis, Inc. | Method and system for using a pulsed field to assist spin transfer induced switching of magnetic memory elements |
US8427863B2 (en) * | 2007-02-12 | 2013-04-23 | Avalanche Technology, Inc. | Low current switching magnetic tunnel junction design for magnetic memory using domain wall motion |
FR2914482B1 (fr) * | 2007-03-29 | 2009-05-29 | Commissariat Energie Atomique | Memoire magnetique a jonction tunnel magnetique |
JP2009081215A (ja) * | 2007-09-25 | 2009-04-16 | Toshiba Corp | 磁気抵抗効果素子およびそれを用いた磁気ランダムアクセスメモリ |
WO2009101827A1 (ja) | 2008-02-13 | 2009-08-20 | Nec Corporation | 磁壁移動素子及び磁気ランダムアクセスメモリ |
WO2010100728A1 (ja) * | 2009-03-04 | 2010-09-10 | 株式会社日立製作所 | 磁気メモリ |
JP5461683B2 (ja) * | 2010-03-05 | 2014-04-02 | 株式会社日立製作所 | 磁気メモリセル及び磁気ランダムアクセスメモリ |
FR2963153B1 (fr) | 2010-07-26 | 2013-04-26 | Centre Nat Rech Scient | Element magnetique inscriptible |
JP5786341B2 (ja) * | 2010-09-06 | 2015-09-30 | ソニー株式会社 | 記憶素子、メモリ装置 |
KR101195041B1 (ko) * | 2011-05-12 | 2012-10-31 | 고려대학교 산학협력단 | 자기 공명 세차 현상을 이용한 스핀전달토크 자기 메모리 소자 |
JP5728311B2 (ja) * | 2011-07-04 | 2015-06-03 | 株式会社東芝 | 磁気抵抗素子及び磁気メモリ |
CN103890855B (zh) | 2011-08-18 | 2016-09-21 | 康奈尔大学 | 自旋霍尔效应磁性设备、方法及应用 |
US8767446B2 (en) * | 2011-10-12 | 2014-07-01 | International Business Machines Corporation | Multi-bit spin-momentum-transfer magnetoresistence random access memory with single magnetic-tunnel-junction stack |
US9064589B2 (en) * | 2011-11-09 | 2015-06-23 | Qualcomm Incorporated | Three port MTJ structure and integration |
US9208845B2 (en) * | 2011-11-15 | 2015-12-08 | Massachusetts Instiute Of Technology | Low energy magnetic domain wall logic device |
US9030780B2 (en) * | 2012-08-08 | 2015-05-12 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Method and apparatus for reading a non-volatile memory using a spin torque oscillator |
US9728713B2 (en) * | 2013-11-20 | 2017-08-08 | Tdk Corporation | Magnetoresistive element, spin MOSFET, magnetic sensor, and magnetic head |
US9941468B2 (en) | 2014-08-08 | 2018-04-10 | Tohoku University | Magnetoresistance effect element and magnetic memory device |
JP2017139399A (ja) * | 2016-02-05 | 2017-08-10 | Tdk株式会社 | 磁気メモリ |
US10749107B2 (en) * | 2016-07-29 | 2020-08-18 | Tohoku University | Method of manufacturing magnetic tunnel coupling element |
-
2018
- 2018-02-28 JP JP2018546059A patent/JP6424999B1/ja active Active
- 2018-02-28 US US16/082,456 patent/US10622048B2/en active Active
- 2018-02-28 WO PCT/JP2018/007645 patent/WO2019167197A1/ja active Application Filing
- 2018-02-28 CN CN201880001275.3A patent/CN110419116B/zh active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010080006A (ja) * | 2008-09-26 | 2010-04-08 | Toshiba Corp | 磁気メモリの試験方法および試験装置 |
JP2016021272A (ja) * | 2014-06-16 | 2016-02-04 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 抵抗変化型不揮発性記憶装置 |
JP2017138136A (ja) * | 2016-02-02 | 2017-08-10 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 寿命判定装置及び寿命判定方法 |
JP2017168658A (ja) * | 2016-03-16 | 2017-09-21 | 株式会社東芝 | メモリセルおよび磁気メモリ |
WO2017183573A1 (ja) * | 2016-04-21 | 2017-10-26 | Tdk株式会社 | 磁壁利用型アナログメモリ素子および磁壁利用型アナログメモリ |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6557444B1 (ja) * | 2018-03-08 | 2019-08-07 | Tdk株式会社 | スピン素子及び磁気メモリ |
WO2019171715A1 (ja) * | 2018-03-08 | 2019-09-12 | Tdk株式会社 | スピン素子及び磁気メモリ |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN110419116B (zh) | 2022-11-15 |
CN110419116A (zh) | 2019-11-05 |
JPWO2019167197A1 (ja) | 2020-04-09 |
WO2019167197A1 (ja) | 2019-09-06 |
US10622048B2 (en) | 2020-04-14 |
US20190267064A1 (en) | 2019-08-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6424999B1 (ja) | スピン素子の安定化方法及びスピン素子の製造方法 | |
JP7495463B2 (ja) | スピン流磁化反転素子、磁気抵抗効果素子、磁気メモリ及び磁化反転方法 | |
JP6428988B1 (ja) | スピン素子の安定化方法及びスピン素子の製造方法 | |
JP6539008B1 (ja) | スピン軌道トルク型磁化回転素子、スピン軌道トルク型磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ | |
CN110462814B (zh) | 自旋元件及磁存储器 | |
JP6462191B1 (ja) | データの書き込み方法、検査方法、スピン素子の製造方法及び磁気抵抗効果素子 | |
US11276447B2 (en) | Spin current magnetoresistance effect element and magnetic memory | |
JP6462960B1 (ja) | データの書き込み方法及び磁気メモリ | |
JP6642773B2 (ja) | スピン流磁化反転素子、スピン軌道トルク型磁気抵抗効果素子、及びスピン流磁化反転素子の製造方法 | |
US11521776B2 (en) | Spin-orbit-torque magnetization rotational element, spin-orbit-torque magnetoresistance effect element, and spin-orbit-torque magnetization rotational element manufacturing method | |
JP2019145847A (ja) | 磁化回転素子、磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ | |
JP2019121614A (ja) | スピン軌道トルク型磁化回転素子、スピン軌道トルク型磁気抵抗効果素子及び磁気メモリ | |
WO2018101028A1 (ja) | スピン流磁化反転素子とその製造方法、磁気抵抗効果素子、磁気メモリ | |
JP6485588B1 (ja) | データの書き込み方法 | |
JP7124788B2 (ja) | スピン流磁化回転型磁気抵抗効果素子、及び磁気メモリ | |
JP2024100961A (ja) | スピン流磁化反転素子、磁気抵抗効果素子、磁気メモリ及び磁化反転方法 | |
CN117174759A (zh) | 自旋轨道转矩型磁化旋转元件、自旋轨道转矩型磁阻效应元件及磁存储器 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20180831 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20180831 |
|
A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20180919 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180925 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20181008 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6424999 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |