JP6416232B2 - Cmutデバイス製造方法、cmutデバイス、及び装置 - Google Patents
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Claims (15)
- 基板上の第1の電極と電気絶縁メンブレンに埋め込まれた第2の電極とを有する容量性マイクロマシン超音波トランスデューサ(CMUT)デバイスを製造する方法であって、前記第1の電極と前記メンブレンとが、前記第1の電極と前記メンブレンとの間の犠牲材料の除去によって形成されるキャビティによって離隔され、当該方法は、前記第2の電極上のメンブレン部分と、該メンブレン部分から前記犠牲材料の横に沿って前記基板の方に延在する更なるメンブレン部分とを形成することを有し、前記メンブレン部分及び前記更なるメンブレン部分のそれぞれの厚さが、前記キャビティを形成する前に前記犠牲材料の厚さを少なくとも5倍上回る、方法。
- 前記更なるメンブレン部分の厚さが前記メンブレン部分の厚さを上回る、請求項1に記載の方法。
- 前記メンブレン部分の厚さが前記犠牲材料の厚さの少なくとも10倍である、請求項1又は2に記載の方法。
- 前記犠牲材料を除去する段階が、前記犠牲材料へのアクセスを作り出すことを有し、当該方法は更に、前記キャビティを形成した後に前記アクセスを封止することを有し、前記封止する段階は、前記メンブレン部分及び前記更なるメンブレン部分の上に封止部を形成することを含む、請求項1乃至3の何れかに記載の方法。
- 前記封止する段階に先立って、前記メンブレン部分上にエッチング停止層を形成することと、
前記メンブレン部分から前記封止部をエッチング除去することであり、前記エッチング停止層上で終了するエッチング除去することと、
前記エッチング除去する段階の後に、前記エッチング停止層を除去することと、
を更に有する請求項4に記載の方法。 - 前記エッチング停止層は、前記エッチング除去する段階の完了を受けて前記封止部のリングが前記更なるメンブレン部分上に残存するような寸法にされる、請求項5に記載の方法。
- 前記メンブレンは、少なくとも部分的に、
前記犠牲材料を覆って第1の誘電材料層を形成し、
前記第1の誘電材料層上に第2の電極を形成し、且つ
前記第2の電極上に前記メンブレン部分を形成し、前記メンブレン部分は第2の誘電材料層の一部を形成する、
ことによって形成される、請求項1乃至6の何れかに記載の方法。 - 基板上の第1の電極と電気絶縁メンブレンに埋め込まれた第2の電極とを有する容量性マイクロマシン超音波トランスデューサ(CMUT)デバイスであって、前記第1の電極と前記メンブレンとがキャビティによって離隔され、前記メンブレンは、前記第2の電極上の単一層メンブレン部分と、該単一層メンブレン部分から前記キャビティの横に沿って前記基板の方に延在する更なるメンブレン部分とを有し、前記単一層メンブレン部分及び前記更なるメンブレン部分は各々、前記キャビティの高さを少なくとも5倍上回る厚さを有する、CMUTデバイス。
- 前記単一層メンブレン部分及び前記更なるメンブレン部分は各々、前記キャビティの高さを少なくとも10倍上回る厚さを有する、請求項8に記載のCMUTデバイス。
- 前記更なるメンブレン部分の厚さが前記単一層メンブレン部分の厚さを上回る、請求項8又は9に記載のCMUTデバイス。
- 当該CMUTデバイスは更に、前記更なるメンブレン部分上に電気絶縁材料のリングを有し、前記単一層メンブレン部分は少なくとも部分的に、前記リングの内側で露出されている、請求項10に記載のCMUTデバイス。
- 前記キャビティから延在した封止材料の突出部、を更に有する請求項8乃至10の何れかに記載のCMUTデバイス。
- 前記封止材料は、アルミニウムなどの金属又はアルミニウム系合金などの金属合金である、請求項12に記載のCMUTデバイス。
- 当該CMUTデバイスは、請求項1乃至7の何れかに記載の方法によって得られる、請求項8乃至13の何れかに記載のCMUTデバイス。
- 請求項8乃至14の何れかに記載のCMUTデバイスを有する装置。
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EP4289521A3 (en) * | 2016-12-22 | 2024-03-27 | Koninklijke Philips N.V. | Systems and methods of operation of capacitive radio frequency micro-electromechanical switches |
EP3533386A1 (en) * | 2018-02-28 | 2019-09-04 | Koninklijke Philips N.V. | Pressure sensing with capacitive pressure sensor |
CN108871389B (zh) * | 2018-05-10 | 2020-03-31 | 京东方科技集团股份有限公司 | 超声波传感单元及制作方法、超声波传感器及显示装置 |
TWI718073B (zh) * | 2020-06-19 | 2021-02-01 | 友達光電股份有限公司 | 電容式換能裝置及其製造方法 |
CN112275338B (zh) * | 2020-10-29 | 2024-08-23 | 王晓冬 | 一种液滴单层平铺式核酸检测芯片的制备方法 |
TWI813407B (zh) * | 2022-08-02 | 2023-08-21 | 友達光電股份有限公司 | 電容式換能裝置及其的製造方法 |
Family Cites Families (29)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005207959A (ja) * | 2004-01-26 | 2005-08-04 | Mitsubishi Electric Corp | 薄膜中空構造体 |
WO2005077012A2 (en) * | 2004-02-06 | 2005-08-25 | Georgia Tech Research Corporation | Cmut devices and fabrication methods |
WO2005084284A2 (en) * | 2004-02-27 | 2005-09-15 | Georgia Tech Research Corporation | Multiple element electrode cmut devices and fabrication methods |
JP2008510324A (ja) * | 2004-03-11 | 2008-04-03 | ジョージア テック リサーチ コーポレイション | 非対称薄膜cMUT素子及び製作方法 |
US20060004289A1 (en) * | 2004-06-30 | 2006-01-05 | Wei-Cheng Tian | High sensitivity capacitive micromachined ultrasound transducer |
US8309428B2 (en) | 2004-09-15 | 2012-11-13 | Sonetics Ultrasound, Inc. | Capacitive micromachined ultrasonic transducer |
US7888709B2 (en) | 2004-09-15 | 2011-02-15 | Sonetics Ultrasound, Inc. | Capacitive micromachined ultrasonic transducer and manufacturing method |
US7489593B2 (en) * | 2004-11-30 | 2009-02-10 | Vermon | Electrostatic membranes for sensors, ultrasonic transducers incorporating such membranes, and manufacturing methods therefor |
US7615834B2 (en) | 2006-02-28 | 2009-11-10 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Capacitive micromachined ultrasonic transducer(CMUT) with varying thickness membrane |
JP2008213057A (ja) * | 2007-03-01 | 2008-09-18 | Seiko Epson Corp | 振動子構造体及びその製造方法 |
US20100256498A1 (en) * | 2007-11-16 | 2010-10-07 | Hiroki Tanaka | Ultrasonic imaging device |
CN102159334A (zh) * | 2008-09-16 | 2011-08-17 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 电容性微机械加工的超声换能器 |
US20110316383A1 (en) * | 2009-03-05 | 2011-12-29 | Hitachi Medical Corporation | Ultrasonic transducer, method of producing same, and ultrasonic probe using same |
US8760974B2 (en) * | 2009-04-21 | 2014-06-24 | Hitachi Medical Corporation | Ultrasonic probe and ultrasonic imaging apparatus |
JP5377066B2 (ja) * | 2009-05-08 | 2013-12-25 | キヤノン株式会社 | 静電容量型機械電気変換素子及びその製法 |
CN101712028B (zh) * | 2009-11-13 | 2012-02-01 | 中国科学院声学研究所 | 一种薄膜超声换能器及其制备方法 |
JP5733898B2 (ja) | 2010-02-14 | 2015-06-10 | キヤノン株式会社 | 静電容量型電気機械変換装置 |
JP5875243B2 (ja) | 2011-04-06 | 2016-03-02 | キヤノン株式会社 | 電気機械変換装置及びその作製方法 |
JP5921079B2 (ja) * | 2011-04-06 | 2016-05-24 | キヤノン株式会社 | 電気機械変換装置及びその作製方法 |
WO2013005486A1 (ja) * | 2011-07-04 | 2013-01-10 | オリンパスメディカルシステムズ株式会社 | 静電容量型超音波振動子及び電子機器 |
JP2013065983A (ja) | 2011-09-16 | 2013-04-11 | Canon Inc | 電気機械変換装置、及びその製造方法 |
JP6190387B2 (ja) * | 2012-01-27 | 2017-08-30 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェKoninklijke Philips N.V. | 容量型微細加工トランスデューサ及びその製造方法 |
CN104066521B (zh) * | 2012-01-27 | 2017-07-11 | 皇家飞利浦有限公司 | 电容式微机械换能器及制造所述电容式微机械换能器的方法 |
JP5986441B2 (ja) * | 2012-07-06 | 2016-09-06 | キヤノン株式会社 | 静電容量型トランスデューサ |
EP2922707B1 (en) * | 2012-11-20 | 2022-04-27 | Koninklijke Philips N.V. | Capacitive micro-machined transducer and method of manufacturing the same |
JP6257176B2 (ja) * | 2013-06-07 | 2018-01-10 | キヤノン株式会社 | 静電容量型トランスデューサ、及びその作製方法 |
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