JP2008510324A - 非対称薄膜cMUT素子及び製作方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 非対称薄膜容量性微細機械加工超音波変換器(cMUT)素子及び製作方法。好ましい実施形態では、本発明によるcMUT素子は、一般的に非対称特性を有する薄膜を含む。薄膜は、その端部が異なる幅を有するようにその長さにわたって変動する幅を有することができる。非対称薄膜は、その様々な幅寸法のために様々な撓み特性を有することができる。別の好ましい実施形態では、本発明によるcMUT素子は、一般的に非対称特性を有する電極要素を含む。電極要素は、その端部が異なる幅を有するようにその長さにわたって変動する幅を有することができる。非対称電極要素は、その様々な幅寸法のために異なる受信及び送信特性を有することができる。別の好ましい実施形態では、薄膜に沿って位置決めされた質量負荷が、薄膜の質量分布を変更することができる。また、他の実施形態も特許請求して説明する。
【選択図】 図13
Description
関連出願への相互参照及び優先権請求
本出願は、2004年3月11日出願の米国特許仮出願出願番号第60/552,082号の恩典を請求するものである。本出願はまた、共に2005年2月28日出願で「高調波CMUT素子及び製作方法」という名称であり、かつ共に2004年2月27日出願の米国特許仮出願出願番号第60/548,192号の恩典を主張する、米国特許出願出願番号第11/・・・、・・・号及びPCT特許出願出願番号PCT/US2005/・・・・・・に対する優先権を主張し、かつそれらの一部継続出願であり、本出願はまた、共に2005年2月28日出願で「多要素電極CMUT素子及び製作方法」という名称であり、かつ共に2004年2月27日出願の米国特許仮出願第60/548,193号及び2004年9月16日出願の米国特許仮出願第60/611,049号の恩典を主張する、米国特許出願出願番号第11/・・・、・・・号及びPCT特許出願出願番号PCT/US2005/・・・・・・に対する優先権を主張し、かつそれらの一部継続出願であり、本出願はまた、共に2005年2月7日出願で「CMUT素子及び製作方法」という名称であり、かつ共に2004年2月6日出願の米国特許仮出願第60/542,378号の恩典を主張する、米国特許出願第11/053,672号及びPCT特許出願出願番号PCT/US2005/003898に対する優先権を主張し、かつそれらの一部継続出願である。
更に、cMUT素子性能を増大及び強化するために薄膜の複数の振動モードと複数の振動高調波とを利用するcMUTを製作する方法に対する必要性が当業技術に存在する。
更に、cMUT薄膜に対する異なる振動モードに関連する周波数を使用して超音波エネルギを受信及び送信することができるCMUT素子に対する必要性が当業技術に存在する。
本発明の実施形態は、そのようなcMUTの製作とcMUT撮像アレイの製作を提供することに主として関連している。
cMUTは、素子の寄生キャパシタンスを低下させて、従って電気的性能を改善して光学検出法の使用を可能にするために、以下に限定されるものではないが、シリコン、水晶、又はサファイアのような誘電性又は透明な基板上に製作することができる。更に、本発明の好ましい実施形態により構成されたcMUTは、血管内カテーテル及び超音波撮像のような液浸用途で使用することができる。
複数の質量負荷要素は、薄膜の周波数応答を修正する。薄膜は、複数の振動モードを有することができ、薄膜の周波数調節器は、薄膜の振動モードが調和的に関連付けられるように薄膜を適応させることができる。薄膜は、基本周波数で振動するように適応させることができ、薄膜周波数調節器は、実質的に基本周波数の2倍に等しい周波数で振動するように薄膜を調節することができる。
本発明の様々な好ましい実施形態を特徴付けるこれら及び他の特徴並びに利点は、以下の詳細説明を読んで関連する図面を精査することから明らかになるであろう。
cMUTは、一般的に、導電性基板の上方に吊り下げられた薄膜内に配置された上部電極、又は基板の近くか又はそれに連結された下部電極を組み込んでいる。任意的に、基板と下部電極の間に接着層又は他の層を配置することができる。薄膜は、弾性特性を有し、刺激に応答してそれを変動させることができる。例えば、刺激は、以下に限定されるものではないが、薄膜に圧力を作用する外力と、cMUT電極を通して印加される静電気力とを含むことができる。
図1は、本発明の好ましい実施形態による調和cMUT100の断面図である。cMUT100は、基板105、下部電極110、空洞150、薄膜115、及び上部電極130(好ましくは、第1の上部電極要素130A、第2の上部電極要素130B、第3の上部電極要素130Cとして形成された)を含めて一般的に基板105に近接した様々な構成要素を含む。cMUT100はまた、図に誇張された形状で示されて縮尺に従っていないことが理解される質量負荷155及び160を含むことができる。質量負荷155及び160は、薄膜115に近接するか、その上に配置するか、又はそれに沿って位置決めすることができ、薄膜115から分離するか、又はそれと一体化することができる。以下に図5と6に関連してより詳細に説明するように、cMUT撮像アレイに複数のcMUT100を使用することができる。
好ましい実施形態では、質量負荷155及び160は、薄膜115上に堆積されてパターン化され、不均一な質量分布の薄膜115を提供する。代替的に、薄膜115は、薄膜115の長さに沿ったある一定の点が厚み及び/又は密度の変動を通じて様々な質量を有するようにして、均一な質量分布を有するようにパターン化することができる。
本発明の好ましい実施形態では、「Shipley S−1813」のようなフォトレジストを使用してcMUTの様々な層をリソグラフ的に形成する。そのようなフォトレジスト材料は、バイアと材料層とをパターン化するための従来の高温の使用を必要としない。代替的に、多くの他のフォトレジスト又はリソグラフ材料を使用することができる。
下部電極110は、多要素電極にパターン化することができ、多要素電極は、基板105から様々な距離に配置することができる。アルミニウム、クロム、及び金は、下部電極110を形成するのに使用することができる例示的な材料である。本発明の好ましい実施形態では、下部電極110の厚さは、約1500オングストロームであり、堆積の後に回折グレーディングとして及び/又は様々な長さを有するようにパターン化することができる。
付加的な結合パッドを形成して電極に接続することができる。結合剤パッドにより、ワイヤ結合を使用して上部及び下部電極110及び130に対して外部電気接続を行うことが可能になる。一部の実施形態では、結合剤パッド上に金を堆積してパターン化することができ、ワイヤ結合の信頼性を改善することができる。
堆積された第1の薄膜層325は、次に、所定の厚さを有するようにパターン化され、第2の導電層130を次に第1の薄膜層325上に堆積させる(430)。第2の導電層130は、好ましくは、cMUT100の上部電極130を形成する。第2の導電層130は、パターン化されて複数の電極要素130A、130B、130Cを形成することができる。複数の電極要素130A、130B、130Cの少なくとも2つは、互い連結されて電極要素対を形成する。第2の導電層130が所定の形状にパターン化された後に、パターン化された第2の導電層130上に第2の薄膜層335を堆積させる(435)。第2の薄膜層335もまた、最適な幾何学的構成を有するようにパターン化することができる。
本発明の実施形態はまた、cMUT撮像システムのcMUTアレイを形成するために利用することができる。当業者は、図5及び6に示すcMUT撮像アレイが単に例示的であり、他の撮像アレイも本発明の実施形態に従って達成可能であることを認識するであろう。
図16は、図15に示す周波数応答に対応する周波数応答を生成するためのcMUT薄膜と対応する領域の上面図である。図示のように、領域1610は、周波数応答1510を生成し、領域1615は、周波数応答1515を生成し、領域1620は、周波数応答520を生成する。
図17に示すように、cMUTは、薄膜の広い端部が別の薄膜の狭い端部と近接するように、薄膜が方向を交替するように基板1705上に配向することができる。例えば、薄膜1740Bの幅の広い方の端部は、薄膜1745Bの短い方の幅の端部に近接して配置される。そのような配向は、非対称特性を有する複数のcMUTを単一基板1705上に配置することを可能にする。
薄膜1810の端部1810A及び1810Bを成形することにより、薄膜1810のモードの中心の周波数を望ましい位置まで移動させることができる。薄膜1810の振動モードを高調波のような望ましい中心周波数に配置するために質量負荷1820及び1825を使用することもできる。更に、質量負荷1820及び1825の幅をその長さ寸法にわたって変えることにより、周波数応答を台形薄膜のそれと類似にすることができる。薄膜1810の第1及びそれよりも高いモードの振動形状は、薄膜1810上の質量分布によって制御することができる。更に、電極要素1825の位置は、特定モードに対する信号の受信を最大にするように最適化することができる。
例示的な実施形態を特に参照して本発明の様々な実施形態を詳細に説明したが、当業者は、特許請求の範囲に規定された本発明の範囲内で変形及び修正を行うことができることを理解するであろう。従って、本発明の様々な実施形態の範囲は、上述の実施形態に制限されるべきではなく、特許請求の範囲及び全ての適用可能な均等物によってのみ規定されるべきである。
1305 基板
1315 薄膜
1330 電極要素
Claims (80)
- 長さと幅を有する薄膜、
を含み、
前記薄膜は、該薄膜の前記長さにわたって二等分線に関して非対称である、
ことを特徴とするcMUT。 - 前記薄膜は、第1の端部と第2の端部を更に有し、
前記第1の端部での前記薄膜の幅は、前記第2の端部での該薄膜の幅よりも広く、
前記第1の端部から前記第2の端部までの距離は、前記薄膜の前記長さを定義する、
ことを特徴とする請求項1に記載のcMUT。 - 前記薄膜は、前記第1の端部に近接する第1の点で該薄膜を崩壊状態まで駆動するために第1の崩壊力と、前記第2の端部に近接する第2の点で該薄膜を崩壊状態まで駆動するために第2の崩壊力とを必要とし、
前記第1の崩壊力は、前記第2の崩壊力よりも小さい、
ことを特徴とする請求項1に記載のcMUT。 - 第1の端部と第2の端部の間の距離として定義された長さを有する電極要素、
を更に含み、
前記電極要素は、該電極要素の前記長さにわたって二等分線に関して非対称である、
ことを特徴とする請求項1に記載のcMUT。 - 第1の端部と第2の端部の間の距離として定義された長さと、幅とを有する電極要素、
を更に含み、
前記第1の端部での前記電極要素の幅は、前記第2の端部での該電極要素の幅よりも狭い、
ことを特徴とする請求項3に記載のcMUT。 - 前記電極要素は、前記第1の崩壊力と前記第2の崩壊力をもたらすようになっており、前記第1の点と前記第2の点で実質的に等しい量で前記薄膜を撓ませる、
ことを特徴とする請求項5に記載のcMUT。 - 前記薄膜の幅は、該薄膜が複数の断面を有するように該薄膜の前記長さにわたって変動し、
前記複数の断面の各断面は、異なる幅を有し、
前記複数の断面の各断面は、異なる基本周波数を有する、
ことを特徴とする請求項1に記載のcMUT。 - 前記薄膜の前記長さは、前記第1の端部での該薄膜の幅の2倍よりも大きいことを特徴とする請求項2に記載のcMUT。
- 第1の端部と第2の端部の間の距離として定義された長さと、幅とを有する電極要素、
を更に含み、
前記第1の端部での前記電極要素の幅は、前記第2の端部での該電極要素の幅よりも狭く、
前記電極要素は、第1の崩壊力と第2の崩壊力をもたらすようになっており、前記第1の点と前記第2の点で実質的に等しい量で前記薄膜を撓ませるものであり、
前記薄膜は、振動モードを有し、
前記薄膜の前記幅は、該薄膜の前記振動モードと該薄膜の前記撓み特性とを変更するようになっている、
ことを特徴とする請求項1に記載のcMUT。 - 前記薄膜は、超広帯域信号を送信及び受信するようになっていることを特徴とする請求項1に記載のcMUT。
- 前記薄膜は、実質的に台形であることを特徴とする請求項1に記載のcMUT。
- cMUTを製作する方法であって、
長さと幅を有する薄膜を設ける段階と、
前記薄膜を該薄膜の前記長さにわたって二等分線に関して非対称になるように構成する段階と、
を含むことを特徴とする方法。 - 前記薄膜を該薄膜の前記長さにわたって二等分側線に関して実質的に非対称になるように構成する前記段階は、
前記薄膜を該薄膜の第1の端部で第1の幅と該薄膜の第2の端部で第2の幅とを有するように構成する段階、
を含み、
前記第1の幅は、前記第2の幅よりも広く、
前記第1の端部から前記第2の端部までの距離は、前記薄膜の前記長さを定義する、
ことを特徴とする請求項12に記載の方法。 - 第1の端部と第2の端部の間の距離として定義された長さを有する電極要素を設ける段階、
を更に含み、
前記電極要素は、該電極要素の前記長さにわたって二等分線に関して非対称である、
ことを特徴とする請求項12に記載の方法。 - 第1の端部と第2の端部の間の距離として定義された長さを有する電極要素を設ける段階と、
前記電極要素を該電極要素の前記第1の端部で第1の幅と該電極要素の前記第2の端部で第2の幅とを有するように構成する段階と、
を更に含み、
前記第1の幅は、前記第2の幅よりも狭い、
ことを特徴とする請求項12に記載の方法。 - 第1の端部に近接する第1の点で崩壊状態まで前記薄膜を駆動するための第1の崩壊力と、第2の端部に近接する第2の点で崩壊状態まで該薄膜を駆動するための第2の崩壊力とを有するように該薄膜を構成する段階、
を更に含み、
前記第1の崩壊力は、前記第2の崩壊力よりも小さい、
ことを特徴とする請求項12に記載の方法。 - 電極要素を設ける段階と、
前記第1の崩壊力と前記第2の崩壊力をもたらして前記第1の点と前記第2の点で実質的に等しい量で前記薄膜を撓ませるように前記電極要素を構成する段階と、
を更に含むことを特徴とする請求項16に記載の方法。 - 前記薄膜の前記長さが、前記第1の端部と前記第2の端部の一方で測定された該薄膜の幅の2倍よりも大きくなるように該薄膜を構成する段階、
を更に含むことを特徴とする請求項12に記載の方法。 - 超広帯域信号を送信及び受信するように前記薄膜を構成する段階、
を更に含むことを特徴とする請求項12に記載の方法。 - 前記薄膜を該薄膜の前記長さにわたって二等分側線に関して実質的に非対称になるように構成する前記段階は、
前記薄膜を実質的に台形形状に構成する段階、
を含むことを特徴とする請求項12に記載の方法。 - 薄膜と、
前記薄膜の振動モードを所定の周波数に調節するための薄膜周波数調節器と、
を含むことを特徴とするcMUT。 - 前記薄膜周波数調節器は、長さの少なくとも一部分に沿って不均一な質量分布を有する前記薄膜を含むことを特徴とする請求項21に記載のcMUT。
- 前記薄膜周波数調節器は、前記薄膜に近接した質量負荷を含むことを特徴とする請求項22に記載のcMUT。
- 前記質量負荷は、複数の別々の質量負荷要素を含むことを特徴とする請求項23に記載のcMUT。
- 前記質量負荷は、cMUTの電極要素であることを特徴とする請求項23に記載のcMUT。
- 前記質量負荷は、金であることを特徴とする請求項23に記載のcMUT。
- 前記複数の質量負荷要素は、前記薄膜の周波数応答を修正することを特徴とする請求項24に記載のcMUT。
- 前記薄膜は、複数の振動モードを有し、前記薄膜周波数調節器は、該複数の振動モードの少なくとも2つを調和的に関連付けるようになっていることを特徴とする請求項21に記載のcMUT。
- 前記薄膜は、基本周波数で振動するようになっており、前記薄膜周波数調節器は、該薄膜を該基本周波数の2倍に実質的に等しい周波数で振動するように調節することを特徴とする請求項21に記載のcMUT。
- 前記薄膜の振動モードに関連する位置に該薄膜に近接した電極要素を更に含むことを特徴とする請求項21に記載のcMUT。
- cMUTの振動モードを制御する方法であって、
薄膜を設ける段階と、
前記薄膜の目標振動周波数を判断する段階と、
前記薄膜の前記目標振動周波数を誘導するために、該薄膜の長さの少なくとも一部分に沿って該薄膜の質量分布を変更する段階と、
を含むことを特徴とする方法。 - 前記薄膜の前記目標振動周波数は、該薄膜の基本周波数の実質的に2倍であることを特徴とする請求項31に記載の方法。
- 前記薄膜の長さの少なくとも一部分に沿って該薄膜の質量分布を変更する前記段階は、該薄膜の該長さの少なくとも一部分に沿って厚みが変動する薄膜を設ける段階を含むことを特徴とする請求項31に記載の方法。
- 前記薄膜の長さの少なくとも一部分に沿って該薄膜の質量分布を変更する前記段階は、該薄膜の該長さの少なくとも一部分に沿って密度が変動する薄膜を設ける段階を含むことを特徴とする請求項31に記載の方法。
- 前記薄膜は、第1の振動モードと該第1の振動モードの周波数の約2倍である第2の振動モードとを有し、該薄膜は、該第1の振動モードで超音波エネルギを送信し、該第2の振動モードで超音波エネルギを受信するようになっていることを特徴とする請求項31に記載の方法。
- cMUTを製作する方法であって、
薄膜を設ける段階と、
所定の周波数でエネルギを受信するために不均一な質量分布を有するように前記薄膜を構成する段階と、
を含むことを特徴とする方法。 - 不均一な質量分布を有するように前記薄膜を構成する前記段階は、該薄膜に近接して複数の質量負荷を設ける段階を含むことを特徴とする請求項36に記載の方法。
- 第1の振動モードで超音波エネルギを送信し、かつ第2の振動モードで超音波エネルギを受信するように前記薄膜を適応させる段階を更に含み、
前記第2の振動モードは、前記第1の振動モードの周波数の約2倍である、
ことを特徴とする請求項36に記載の方法。 - 前記薄膜の前記振動モードが調和的に関連付けられるように該薄膜を適応させる段階を更に含むことを特徴とする請求項36に記載の方法。
- 前記薄膜の振動モードに近接して電極要素を位置決めする段階を更に含むことを特徴とする請求項39に記載の方法。
- 第1の電極要素と第2の電極要素とを有する多要素第1電極、
を含み、
前記第1及び第2の電極要素は、超音波を送信するようになっている、
ことを特徴とするcMUT。 - 前記多要素第1電極は、cMUTのホット電極であることを特徴とする請求項41に記載のcMUT。
- 前記第1及び第2の電極要素は、薄膜内に配置されていることを特徴とする請求項41に記載のcMUT。
- 前記第1及び第2の電極要素は、基板に近接していることを特徴とする請求項41に記載のcMUT。
- 前記第1の電極要素と前記第2の電極要素は、電気的に結合されていることを特徴とする請求項41に記載のcMUT。
- 薄膜と、前記第1の電極要素と前記第2の電極要素の少なくとも一方を含む薄膜成形手段とを更に含むことを特徴とする請求項41に記載のcMUT。
- 前記多要素第1電極は、第3の電極要素を更に含み、前記第1の電極要素は、cMUTの第1の側面に近接し、前記第2の電極要素は、cMUTの他方の側面に近接し、該第3の電極要素は、cMUTの中央に近接していることを特徴とする請求項41に記載のcMUT。
- 前記第1の電極要素と前記第2の電極要素は、側面電極要素対であり、超音波信号の送信中に薄膜を協働して成形するように互いに電気的に結合していることを特徴とする請求項47に記載のcMUT。
- 下部電極を更に含み、
前記薄膜と前記下部電極は、電気的中立状態において間隙距離によって分離されており、
前記側面電極要素対は、超音波の送信中に前記間隙距離の1/3を越えて前記薄膜を撓ませるようになっている、
ことを特徴とする請求項48に記載のcMUT。 - 前記側面電極要素対は、送信要素であり、前記第3の要素は、受信要素であり、該側面電極要素対の前記第1及び第2の電極要素の各々は、てこの作用の曲げを利用するようにcMUTのそれぞれの側面に位置していることを特徴とする請求項48に記載のcMUT。
- 超音波を送受信する方法であって、
第1の電極要素と第2の電極要素とを組み込んだ多要素第1電極を有するcMUTを設ける段階と、
超音波を送信するために前記第1の電極要素及び前記第2の電極要素に第1の電圧を印加する段階と、
を含むことを特徴とする方法。 - 超音波信号を受信するために前記第1の電極要素及び前記第2の電極要素にバイアス電圧を印加する段階を更に含むことを特徴とする請求項51に記載の方法。
- 前記受信超音波信号を光学的に感知する段階を更に含むことを特徴とする請求項52に記載の方法。
- 前記受信超音波信号を電気的に感知する段階を更に含むことを特徴とする請求項52に記載の方法。
- cMUTを製作する方法であって、
上部導電体を設ける段階と、
前記上部導電体から間隙距離だけ分離した下部導電体を設ける段階と、
前記上部及び下部導電体の少なくとも一方を複数の電極要素に構成する段階と、
を含むことを特徴とする方法。 - 前記上部及び下部導電体を電圧供給装置に電気的に結合するように適応させる段階を更に含むことを特徴とする請求項55に記載の方法。
- 前記複数の前記電極要素の第1の電極要素に第1の電圧を供給する段階と、
前記複数の前記電極要素の第2の電極要素に第2の電圧を供給する段階と、
を更に含むことを特徴とする請求項55に記載の方法。 - 前記第1の導電体に近接して犠牲層を設ける段階と、
前記犠牲層に近接して第1の薄膜層を設ける段階と、
前記第2の導電体に近接して第2の薄膜層を設ける段階と、
前記犠牲層を除去する段階と、
を更に含むことを特徴とする請求項55に記載の方法。 - 前記第2の導電体は、前記第1の薄膜層と前記第2の薄膜層の間に配置されていることを特徴とする請求項58に記載の方法。
- 前記複数の電極要素の該電極要素のうちの少なくとも2つを電気的に結合する段階を更に含むことを特徴とする請求項55に記載の方法。
- 処理温度の表面を有する基板上にcMUTを製作する方法であって、
基板の表面に近接してエッチング液に対して抵抗性の第1の導電層を設ける段階と、
前記第1の導電層の一部分に近接して犠牲層を設ける段階と、
前記犠牲層の一部分をエッチングする前記エッチング液でcMUTをエッチングする段階と、
を含むことを特徴とする方法。 - 前記犠牲層に近接して第1の薄膜層を設ける段階と、
前記第1の薄膜層の一部分に近接して第2の導電層を設ける段階と、
前記第2の導電層に近接して第2の薄膜層を設ける段階と、
を更に含むことを特徴とする請求項61に記載の方法。 - 前記処理温度は、約300℃よりも低いことを特徴とする請求項61に記載の方法。
- 前記基板は、内蔵回路を含むことを特徴とする請求項61に記載の方法。
- 前記第1の導電層は、金を含むことを特徴とする請求項61に記載の方法。
- 前記犠牲層は、クロムを含むことを特徴とする請求項61に記載の方法。
- 前記基板として透明基板を設ける段階を更に含むことを特徴とする請求項61に記載の方法。
- 前記第1の導電層、前記第2の導電層、前記第1の薄膜層、及び前記第2の薄膜層のうちの少なくとも1つとして反射層を設ける段階を更に含むことを特徴とする請求項61に記載の方法。
- 光信号を受信及び供給するようになった回路を前記基板に近接して設ける段階を更に含むことを特徴とする請求項61に記載の方法。
- エッチング液に対して抵抗性である、基板に近接したcMUT素子の第1の導電層と、
前記エッチング液で犠牲層をエッチングすることによって形成された空洞を定める、前記第1の導電層に近接したcMUTの第1の薄膜層と、
を含むことを特徴とするcMUT素子。 - 前記第1の薄膜層に近接した第2の導電層と、
前記第2の導電層に近接した第2の薄膜層と、
を更に含むことを特徴とする請求項70に記載の素子。 - 光信号及び電気信号の少なくとも一方を前記第1の導電層へ及びそこから誘導及び受信する前記基板に近接した回路を更に含むことを特徴とする請求項70に記載の素子。
- 前記基板は、電気信号又は光信号の少なくとも一方が該基板を通過することを可能にすることを特徴とする請求項70に記載の素子。
- 前記第1の導電層は、金を含み、前記犠牲層は、クロムを含むことを特徴とする請求項70に記載の素子。
- 前記第1の導電層の少なくとも1つは、約300℃よりも低い温度の前記基板に近接して置かれていることを特徴とする請求項70に記載の素子。
- 前記基板は、内蔵回路を含むことを特徴とする請求項70に記載の素子。
- 表面を有する基板上にcMUTを製作する方法であって、
基板の表面に近接してエッチング液に対して抵抗性の第1の導電層を設ける段階と、
前記第1の導電層の少なくとも一部分に近接して犠牲層を設ける段階と、
前記犠牲層に近接して第1の薄膜層を設ける段階と、
前記第1の薄膜層の少なくとも一部分に近接して第2の導電層を設ける段階と、
前記第2の導電層に近接して第2の薄膜層を設ける段階と、
前記エッチング液で前記犠牲層の少なくとも一部分を除去する段階と、
を含むことを特徴とする方法。 - 前記基板の前記表面と第1の導電層との間に接着層を配置する段階から更に構成されることを特徴とする請求項77に記載の方法。
- 300℃よりも低い温度の前記第1の導電層、前記第2の導電層、及び前記犠牲層のうちの少なくとも1つを更に含むことを特徴とする請求項77に記載の方法。
- 前記基板は、光信号又は電気信号の少なくとも一方が該基板を通過することを可能にするようになっていることを特徴とする請求項77に記載の方法。
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