JP6415015B2 - 炭化珪素mos型半導体装置の製造方法 - Google Patents
炭化珪素mos型半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6415015B2 JP6415015B2 JP2012246806A JP2012246806A JP6415015B2 JP 6415015 B2 JP6415015 B2 JP 6415015B2 JP 2012246806 A JP2012246806 A JP 2012246806A JP 2012246806 A JP2012246806 A JP 2012246806A JP 6415015 B2 JP6415015 B2 JP 6415015B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- layer film
- etching
- upper layer
- silicon carbide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Weting (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Insulated Gate Type Field-Effect Transistor (AREA)
Description
工程(b):シリコン酸化膜2上にフォトレジスト3を積層しパターニングを行う。
工程(d):フォトレジスト3を除去する。
工程(f):フッ酸などのウェットエッチングでシリコン酸化膜2を全面除去する。
上記(a)〜(f)の各工程において、工程(c)での異方性エッチング時に加工速度のばらつきから、シリコン酸化膜2開口部直下の炭化珪素半導体基板1が削れ、図4(c)の破線の囲み枠内に示すように基板1に表面段差4が生じる。このようにして形成された表面段差4はデバイスとして完成後に電界集中の要因や炭化珪素半導体基板1上に形成されている絶縁膜(例えばゲート酸化膜)の耐圧低下の要因になるので好ましくない。
前記上層膜を積層する工程は、該上層膜を不純物注入をする際に注入阻止できる厚さに形成し、前記不純物注入用開口部をエッチングで形成する工程は、該開口部の上層膜を完全に除去し、下層膜が完全に除去されずに厚さの一部が残り、該下層膜越しに不純物注入できる下層膜の厚さとし、
前記非金属耐熱性下層膜と前記非金属耐熱性上層膜の積層膜を上層膜/下層膜として、ポリシリコン膜/PSG膜、ポリシリコン膜/BPSG膜、シリコン酸化膜/PSG膜、シリコン酸化膜/BPSG膜、シリコン窒化膜/PSG膜、シリコン窒化膜/BPSG膜、シリコン膜/PSG膜、シリコン膜/BPSG膜から選ばれるいずれかの積層膜とし、
前記不純物注入用開口部をエッチングで形成するための条件が、上層膜/下層膜のエッチングレート選択比Sa、上層膜のエッチングレートRa、下層膜の厚さL1、オーバーエッチング時間Taとし、
不純物注入後に、前記上層膜を除去する際の条件が
上層膜/下層膜のエッチングレート選択比Sb、上層膜のエッチングレートRb、エッチング時間Tbとした時、不等式、
工程(b):下層膜12上に上層膜13を形成する。なお。上層膜13の厚さは不純物注入をする際に注入阻止できる厚さにする必要がある。例えば、CVD法で厚さ1000nmのポリシリコン膜を成膜する。
工程(d):前記開口部16を利用して、不純物元素のイオンを注入する領域の上層膜13をエッチングで(開口)除去する。エッチングには、反応性イオンエッチング(RIE)方式などの異方性エッチングが横方向へのエッチングが少なくて望ましい。エッチング条件は、上層膜13と下層膜12で高選択比が得られる条件が望ましい。なお、エッチング時間は、エッチングむらやバラツキによるエッチング残りを防ぐため、上層膜13に対して若干オーバータイムエッチングとすることが望ましいが、ジャストタイムエッチングやアンダータイムエッチングでもよい。例えば、エッチング条件として、SF6(6フッ化硫黄)=50sccm、O2(酸素)=10sccm、圧力=5Pa、ソースパワー=500W、バイアス=100W、オーバータイムエッチング10%とする。このエッチング条件により、上層膜13は全面すべてエッチアウトされ、下層膜12は完全に除去されずに厚さの一部が残る。前記アンダータイムエッチングとは上層膜13が完全にエッチアウトされない状態のエッチングである。
上層膜の厚さをL2、下層膜の厚さをL1、上層膜/下層膜のレート選択比をSa、エッチング後の下層膜の残り厚さをL1’ オーバーエッチングをP%とすると、下層膜のエッチング量はL2/Sa×(P/100)=(Ra×Ta/Sa)なので、
工程(f):下層膜12越し(下層膜14を残したまま、前記アンダータイムエッチングの場合は下層膜14の上にシリコン酸化膜13の残膜を残したまま)に不純物注入を行い、不純物注入領域15を形成する。例えば、不純物元素イオンとしてはアルミイオンを用い、ドーズ量は1×1015/cm2〜10×1015/cm2程度、イオン注入時の基板温度は200〜800℃程度から選択できる。例えば、500℃とする。
このとき上層膜13はエッチングにより開口部16が形成されており、この開口部16を通して下層膜12が露出している状態である。次に、この上層膜13の全面除去時に、露出する下層膜12が、さらに削れても炭化珪素半導体基板11が露出しないように、上層膜/下層膜のレート選択比が大きいエッチング条件が好ましいのである。上層膜の厚さをL2、下層膜の厚さをL1’、上層膜/下層膜のレート選択比をSbとすると、(L2/L1’)<Sbを満たすエッチング条件にすることで炭化珪素半導体基板が露出することを防ぐことができる。(L2/L1’)<SbからL1’>(L2/Sb)、L2=Rb×Tbであるから、
前記(2)式と(3)式から、
ドライエッチングの場合、例えば、前述の工程(d)と同じ条件SF6=50sccm、O2=10sccm、圧力=5Pa、ソースパワー=500W、バイアス=100W、エッチングのオーバータイムを+10%でエッチングをすればよい。
2、8 シリコン酸化膜
3、9、14 フォトレジスト
4 表面段差
5、10、15 不純物注入領域
7 ニッケル膜
12 下層膜
13 上層膜
16 開口部
Claims (1)
- 炭化珪素半導体基板表面のゲート絶縁膜形成領域に不純物元素のイオン注入マスクとなる非金属耐熱性下層膜を形成する工程と、該下層膜上に、該下層膜とは異なる材料からなる不純物元素のイオン注入マスクとなる非金属耐熱性上層膜を積層する工程と、該上層膜の所要の位置に不純物注入用開口部をエッチングで形成する工程と、上層膜を不純物注入マスクとして不純物注入を行い、前記炭化珪素半導体基板に不純物注入領域を形成する工程と、前記上層膜を全面除去する工程を備える炭化珪素MOS型半導体装置の製造方法において、
前記上層膜を積層する工程は、該上層膜を不純物注入をする際に注入阻止できる厚さに形成し、前記不純物注入用開口部をエッチングで形成する工程は、該開口部の上層膜を完全に除去し、下層膜が完全に除去されずに厚さの一部が残り、該下層膜越しに不純物注入できる下層膜の厚さとし、
前記非金属耐熱性下層膜と前記非金属耐熱性上層膜の積層膜を上層膜/下層膜として、ポリシリコン膜/PSG膜、ポリシリコン膜/BPSG膜、シリコン酸化膜/PSG膜、シリコン酸化膜/BPSG膜、シリコン窒化膜/PSG膜、シリコン窒化膜/BPSG膜、シリコン膜/PSG膜、シリコン膜/BPSG膜から選ばれるいずれかの積層膜とし、
前記不純物注入用開口部をエッチングで形成する工程におけるエッチング条件が、上層膜/下層膜のエッチングレート選択比Sa、上層膜のエッチングレートRa、下層膜の厚さL1、オーバーエッチング時間Taとし、
不純物注入後に、前記上層膜を除去する際の条件が
上層膜/下層膜のエッチングレート選択比Sb、上層膜のエッチングレートRb、エッチング時間Tbとした時、
[数1]
L1>(Ra×Ta/Sa)+(Rb×Tb/Sb)
を満たすことを特徴とする炭化珪素MOS型半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012246806A JP6415015B2 (ja) | 2012-11-09 | 2012-11-09 | 炭化珪素mos型半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012246806A JP6415015B2 (ja) | 2012-11-09 | 2012-11-09 | 炭化珪素mos型半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014096465A JP2014096465A (ja) | 2014-05-22 |
JP6415015B2 true JP6415015B2 (ja) | 2018-10-31 |
Family
ID=50939323
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012246806A Active JP6415015B2 (ja) | 2012-11-09 | 2012-11-09 | 炭化珪素mos型半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6415015B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6547469B2 (ja) * | 2015-07-09 | 2019-07-24 | 住友電気工業株式会社 | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
JP6597215B2 (ja) * | 2015-11-16 | 2019-10-30 | 富士電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
CN109560025B (zh) * | 2018-11-30 | 2021-07-02 | 上海华力微电子有限公司 | 酸槽式湿法刻蚀工艺 |
CN111933521B (zh) * | 2020-09-09 | 2021-01-01 | 南京晶驱集成电路有限公司 | 一种半导体器件制造方法 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6024009A (ja) * | 1983-07-19 | 1985-02-06 | Sanyo Electric Co Ltd | 半導体の不純物領域形成方法 |
JP3474692B2 (ja) * | 1994-12-19 | 2003-12-08 | 松下電器産業株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
DE19832329A1 (de) * | 1997-07-31 | 1999-02-04 | Siemens Ag | Verfahren zur Strukturierung von Halbleitern mit hoher Präzision, guter Homogenität und Reproduzierbarkeit |
JP2002016013A (ja) * | 2000-06-27 | 2002-01-18 | Nissan Motor Co Ltd | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
JP2005229105A (ja) * | 2004-01-13 | 2005-08-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体素子およびその製造方法 |
JP2005303010A (ja) * | 2004-04-12 | 2005-10-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 炭化珪素素子及びその製造方法 |
JP2007088003A (ja) * | 2005-09-20 | 2007-04-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JP5087834B2 (ja) * | 2005-11-15 | 2012-12-05 | 日産自動車株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP5439215B2 (ja) * | 2010-02-10 | 2014-03-12 | 株式会社東芝 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
CA2780359A1 (en) * | 2010-12-22 | 2012-06-22 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device |
-
2012
- 2012-11-09 JP JP2012246806A patent/JP6415015B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2014096465A (ja) | 2014-05-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9559188B2 (en) | Trench gate type semiconductor device and method of producing the same | |
JP5639926B2 (ja) | 炭化珪素半導体装置及びその製造方法 | |
JP4872217B2 (ja) | 炭化珪素半導体素子の製造方法 | |
TWI484567B (zh) | 半導體結構與其製造方法 | |
JP4435847B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP2008515190A (ja) | 金属ゲート電極半導体デバイス | |
US20070281462A1 (en) | Method for manufacturing silicon carbide semiconductor device | |
JP5883563B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP6415015B2 (ja) | 炭化珪素mos型半導体装置の製造方法 | |
JP6825719B2 (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
JP2022551159A (ja) | Ldmosデバイス及びその製造方法 | |
JP7073767B2 (ja) | 炭化珪素半導体装置の製造方法および炭化珪素基板の製造方法 | |
JP2008311260A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
WO2014102994A1 (ja) | 炭化珪素半導体装置及びその製造方法 | |
JP2021082689A (ja) | 炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法 | |
JP2007311547A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
TW201905973A (zh) | 形成鰭式電晶體之方法 | |
JP5553256B2 (ja) | 3次元構造のmosfet及びその製造方法 | |
US8796123B2 (en) | Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device | |
TW201214533A (en) | Semiconductor device and the manufacturing method of the same | |
CN217468441U (zh) | 碳化硅半导体器件 | |
US20240178289A1 (en) | Mosfet gate formation | |
JP4751023B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2010010382A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP6623772B2 (ja) | 炭化珪素半導体装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20151005 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20151005 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20151014 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20161014 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20161122 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170119 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20170627 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170921 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20171003 |
|
A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20171124 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20180618 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20181002 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6415015 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |