JP6413943B2 - シリコンエピタキシャルウェーハの抵抗率測定方法 - Google Patents
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Description
ここで、経時変化とは、シリコンエピタキシャルウェーハが基板収納容器内に収納されている間の経時変化も含むものとする。
この場合、熱可塑性エラストマーの除去を、例えば、硫酸/過酸化水素(SPM)洗浄で行うことができる。このように、熱可塑性エラストマーの除去方法として、硫酸/過酸化水素洗浄を好適に用いることができる。
また、熱可塑性エラストマーの除去を、例えば、オゾン添加超純水洗浄で行うこともできる。このように、熱可塑性エラストマーの除去方法として、オゾン添加超純水洗浄も好適に用いることができる。
また、熱可塑性エラストマーの除去を、例えば、プラズマ処理で行うこともできる。このように、熱可塑性エラストマーの除去方法として、プラズマ処理も好適に用いることができる。
第2の基板収納容器として、例えば、FOUP(Front Opening Unified Pod)を用いることができる。
強反転状態の空乏層幅は不純物濃度の平方根に反比例するので、空乏層幅は不純物濃度に変換され、さらにASTM STANDARDS F723等の換算式により抵抗率に換算される。
直径300mm、エピタキシャル層の抵抗率が約10Ωcmのp型シリコンエピタキシャルウェーハを、エピタキシャル成長を行った気相成長装置から取り出し、直ちに基板収納容器FOSBに収納した。そして、基板収納容器FOSB内にそれぞれ5min(0.083hr)、6hr、30hrの間収納した後、シリコンエピタキシャルウェーハを取り出してSPV法による抵抗率測定を行った。
比較例と同時に作製した直径300mm、エピタキシャル層の抵抗率が約10Ωcmのp型シリコンエピタキシャルウェーハを、エピタキシャル成長を行った気相成長装置から取り出し、直ちに基板収納容器FOSBに収納した。そして、基板収納容器FOSB内に30hrの間収納した後、シリコンエピタキシャルウェーハを取り出して、硫酸/過酸化水素(SPM)洗浄を施して熱可塑性エラストマーを酸化分解し、さらにアンモニア/過酸化水素(SC−1)洗浄とリンスの後、スピン乾燥させて基板収納容器FOUPに20時間収納した。
実施例1と同様にして、SPV法による抵抗率測定を行った。ただし、熱可塑性エラストマーの除去は、シリコンエピタキシャルウェーハにオゾン添加超純水洗浄(オゾン濃度10ppm)を施して熱可塑性エラストマーを酸化分解し、さらに超純水でのリンス後、スピン乾燥させることで行った。
SPV法によるシリコンエピタキシャルウェーハ中心部の抵抗率測定結果は9.35Ωcmであり、比較例における5min収納後の抵抗率(9.39Ωcm)とほぼ同じであった。
実施例1と同様にして、SPV法による抵抗率測定を行った。ただし、熱可塑性エラストマーの除去は、シリコンエピタキシャルウェーハにプラズマ処理を施して熱可塑性エラストマーを酸化分解することで行った。
SPV法によるシリコンエピタキシャルウェーハ中心部の抵抗率測定結果は9.44Ωcmであり、比較例における5min収納後の抵抗率(9.39Ωcm)とほぼ同じであった。
6…熱可塑性エストラマー、 7…空乏層、 10…FOSB、
20…シリコンエピタキシャルウェーハ、 21…シリコン基板、
22…シリコンエピタキシャル層。
Claims (5)
- シリコンエピタキシャルウェーハを、熱可塑性エラストマーを含む材料からなる第1の基板収納容器内に収納する第1収納工程と、
前記第1収納工程後、前記シリコンエピタキシャルウェーハの表面に付着した熱可塑性エラストマーを除去する清浄化工程と、
清浄化した前記シリコンエピタキシャルウェーハを、熱可塑性エラストマーを含まない材料からなる第2の基板収納容器内に収納する第2収納工程と、
前記第2収納工程後、前記清浄化したシリコンエピタキシャルウェーハの表面にコロナ放電により静電気を帯電させ、表面光電圧法によって抵抗率を測定する抵抗率測定工程と
を有することを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハの抵抗率測定方法。 - 前記熱可塑性エラストマーの除去を硫酸/過酸化水素洗浄で行うことを特徴とする請求項1に記載のシリコンエピタキシャルウェーハの抵抗率測定方法。
- 前記熱可塑性エラストマーの除去をオゾン添加超純水洗浄で行うことを特徴とする請求項1に記載のシリコンエピタキシャルウェーハの抵抗率測定方法。
- 前記熱可塑性エラストマーの除去をプラズマ処理で行うことを特徴とする請求項1に記載のシリコンエピタキシャルウェーハの抵抗率測定方法。
- 前記第1の基板収納容器がFOSBであり、前記第2の基板収納容器がFOUPであることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれか1項に記載のシリコンエピタキシャルウェーハの抵抗率測定方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2015120650A JP6413943B2 (ja) | 2015-06-15 | 2015-06-15 | シリコンエピタキシャルウェーハの抵抗率測定方法 |
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Country | Link |
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JP (1) | JP6413943B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN115346889A (zh) * | 2022-10-17 | 2022-11-15 | 广州粤芯半导体技术有限公司 | 外延工艺的监控方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003152041A (ja) * | 2001-11-19 | 2003-05-23 | Toshiba Ceramics Co Ltd | シリコンウエハの清浄度評価方法 |
JP4232383B2 (ja) * | 2002-05-13 | 2009-03-04 | 信越半導体株式会社 | 半導体ウエーハの表面処理方法 |
JP2004260087A (ja) * | 2003-02-27 | 2004-09-16 | Shin Etsu Polymer Co Ltd | 収納容器 |
JP4233392B2 (ja) * | 2003-06-12 | 2009-03-04 | 信越ポリマー株式会社 | 基板収納容器 |
JP4667769B2 (ja) * | 2004-06-11 | 2011-04-13 | 信越ポリマー株式会社 | 基板収納容器 |
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Publication number | Publication date |
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JP2017005213A (ja) | 2017-01-05 |
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