JP6412120B2 - 光起電力電池及びラミネートの金属化 - Google Patents

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Description

本明細書において記載される主題の複数の実施形態は一般的に、太陽電池、光起電力ラミネート、及び光起電力モジュールを含む、光起電力アセンブリに関する。より具体的には、主題の複数の実施形態は、光起電力ラミネート及び製作プロセスに関する。
太陽電池は、太陽放射を電気エネルギーに変換するための周知のデバイスである。太陽電池は、半導体プロセス技術を使用して半導体ウエハ上に製作することができる。光起電力電池、又は太陽電池はP型及びN型の拡散領域を含む。太陽電池に衝突する太陽放射光によって電子及び正孔が生成され、これらの電子及び正孔が拡散領域に移動することにより、拡散領域間に電位差が生じる。裏面コンタクト式太陽電池においては、拡散領域、及び拡散領域と結合した金属製のコンタクトフィンガーは両方とも太陽電池の裏面にある。コンタクト領域、及びコンタクトフィンガーは、外部電気回路が太陽電池に結合され、太陽電池によって電力供給されることを可能にする。太陽電池は、様々なプロセス及び封入材料を使用して、光起電力ラミネートへとパッケージングすることができ、光起電力ラミネートは、更に、光起電力モジュールにパッケージングすることができる。1または複数の実施形態は、光起電力電池、又は太陽電池、及び光起電力ラミネート製造プロセスに関する。
光起電力ラミネートが開示される。光起電力ラミネートは、実質的に透明な層、実質的に透明な層上の第1封入層、太陽電池、及び太陽電池上の金属箔を含む場合がある。実施形態は、金属箔を第1太陽電池へと接続する金属結合を含み得る。いくつかの実施形態において、金属結合は、金属コンタクト領域を含み得る。実施形態はまた、金属箔上の裏材、及び裏材上の裏側層を含む場合がある。
光起電力ラミネートの金属化方法が開示される。方法は、第1封入材を実質的に透明な層上に配置することを含み得る。方法はまた、第1太陽電池を第1封入材上に配置することを含み得る。方法は、金属箔を第1太陽電池上に配置する工程を含む場合があり、金属箔は第1太陽電池と均一に接触する、工程と、金属箔を第1太陽電池に接続する金属結合を形成する工程と、を含み得る。方法は更に、裏材を金属箔上に配置して、裏材上に裏側層を形成する工程と、実質的に透明な層、第1封入材、第1太陽電池、金属箔、裏材、及び裏側層を結合して光起電力ラミネートを形成する工程とを含み得る。
光起電力ラミネートの金属化のための別の方法が開示される。方法は、金属箔を受容媒体上に配置することを含み得る。いくつかの実施形態において、受容媒体は、実質的に透明な層、犠牲ガラス、及び穿孔された媒体からなる群から選択される受容媒体を含み得る。方法は、第1太陽電池を金属箔上に配置する工程を含み得る。方法は、金属箔を第1太陽電池へと接続する、金属結合を形成する工程を含み得る。一実施形態において、金属結合を形成する工程は、受容媒体を通じて金属箔にレーザーを発射し、金属箔を第1太陽電池に接続する金属結合又は金属コンタクト領域を形成する工程を含み得る。方法は更に、第1封入材を第1太陽電池上に配置する工程、及び実質的に透明な層を第1封入材上に配置する工程を含み得る。方法はまた、裏材を金属箔上に配置する工程と、裏側層を裏材上に配置する工程と、実質的に透明な層、第1封入材、第1太陽電池、金属箔、裏材、及び裏側層を一緒に結合して光起電力ラミネートを形成する工程とを含み得る。
発明を実施するための形態、及び特許請求の範囲を、以下の図面と併せて考察し、参照することによって、本主題のより完全な理解を得ることができる。図面において、同様の参照番号は図面全体を通じて同様の要素を指し示す。
提示された光起電力ラミネートの金属化方法に従う、光起電力ラミネートの断面図である。 提示された光起電力ラミネートの金属化方法に従う、光起電力ラミネートの断面図である。 提示された光起電力ラミネートの金属化方法に従う、光起電力ラミネートの断面図である。 提示された光起電力ラミネートの金属化方法に従う、光起電力ラミネートの断面図である。 提示された光起電力ラミネートの金属化方法に従う、光起電力ラミネートの断面図である。 提示された光起電力ラミネートの金属化方法に従う、光起電力ラミネートの断面図である。 提示された光起電力ラミネートの金属化方法に従う、光起電力ラミネートの断面図である。
別の提示された光起電力ラミネートの金属化方法に従う、光起電力ラミネートの断面図である。 別の提示された光起電力ラミネートの金属化方法に従う、光起電力ラミネートの断面図である。 別の提示された光起電力ラミネートの金属化方法に従う、光起電力ラミネートの断面図である。 別の提示された光起電力ラミネートの金属化方法に従う、光起電力ラミネートの断面図である。 別の提示された光起電力ラミネートの金属化方法に従う、光起電力ラミネートの断面図である。 別の提示された光起電力ラミネートの金属化方法に従う、光起電力ラミネートの断面図である。 別の提示された光起電力ラミネートの金属化方法に従う、光起電力ラミネートの断面図である。 別の提示された光起電力ラミネートの金属化方法に従う、光起電力ラミネートの断面図である。
光起電力ラミネートを金属化するための図1〜15に提示された方法に従う、太陽電池の概略平面図である。 光起電力ラミネートを金属化するための図1〜15に提示された方法に従う、太陽電池の概略平面図である。 光起電力ラミネートを金属化するための図1〜15に提示された方法に従う、太陽電池の概略平面図である。 光起電力ラミネートを金属化するための図1〜15に提示された方法に従う、太陽電池の概略平面図である。 光起電力ラミネートを金属化するための図1〜15に提示された方法に従う、太陽電池の概略平面図である。 光起電力ラミネートを金属化するための図1〜15に提示された方法に従う、太陽電池の概略平面図である。 光起電力ラミネートを金属化するための図1〜15に提示された方法に従う、太陽電池の概略平面図である。 光起電力ラミネートを金属化するための図1〜15に提示された方法に従う、太陽電池の概略平面図である。
光起電力ラミネートの金属化のための方法のフローチャートの図である。 光起電力ラミネートの金属化のための方法のフローチャートの図である。 光起電力ラミネートの金属化のための方法のフローチャートの図である。 光起電力ラミネートの金属化のための方法のフローチャートの図である。 光起電力ラミネートの金属化のための方法のフローチャートの図である。 光起電力ラミネートの金属化のための方法のフローチャートの図である。
以下の詳細な説明は、本質的には、単なる例示に過ぎず、本主題の複数の実施形態、あるいは、かかる実施形態の応用及び用途を限定することを意図されない。本明細書で使用する場合、「例示の」という語は、「例、事例、実例として機能すること」を意味する。本明細書で例示として記載する任意の実施態様は、必ずしも他の実施態様よりも好ましい又は有利であると解釈すべきではない。更には、前述の技術分野、背景技術、概要、若しくは以下の発明を実施するための形態で提示される、明示又は示唆されるいずれの理論によっても、拘束されることを意図するものではない。
本明細書は、「一実施形態」又は「実施形態」への言及を含む。「一実施形態では」又は「実施形態では」という語句の出現は、必ずしも、同じ実施形態を指すものではない。特定の機構、構造、又は特性を、本開示と矛盾しない任意の好適な方式で組み合わせることができる。
用語。以下のパラグラフは、本開示(添付の請求項を含む)で見出される用語に関する、定義及び/又はコンテキストを提供する。
「備える」。この用語は、オープンエンド型である。添付の請求項で使用されるとき、この用語は、更なる構造又は工程を排除するものではない。
「第1の」、「第2の」など。本明細書で使用するとき、これらの用語は、それらが前に置かれる名詞に関する指標として使用されるものであり、いずれのタイプの(例えば、空間的、時間的、論理的などの)順序付けも暗示するものではない。例えば、「第1の」太陽電池への言及は、この誘電体が、順序として第1の太陽電池であることを必ずしも暗示するものではなく、「第1の」という用語は、この太陽電池を別の太陽電池(例えば、「第2の」太陽電池)から区別するために使用される。
「結合された」−以下の説明は、素子又はノード又は機構が一体に「結合された」ことについて言及する。本明細書で使用するとき、明示的に別段の定めがある場合を除き、「結合された」とは、1つの素子/ノード/機構が、別の素子/ノード/機構に、直接的又は間接的に接続される(又は、直接的若しくは間接的に連通する)ことを意味するものであり、これは、必ずしも機械的なものではない。
更には、特定の用語法もまた、参照のみを目的として、以下の説明で使用される場合があり、それゆえ、それらの用語法は、限定的であることを意図するものではない。例えば、「上側」、「下側」、「上方」、及び「下方」などの用語は、参照される図面内での方向を指す。「前部」、「後方」、「後部」、「側部」、「外側」、及び「内側」などの用語は、論考中の構成要素を説明するテキスト及び関連図面を参照することによって明確にされる、一貫性はあるが任意の基準系の範囲内での、構成要素の諸部分の向き及び/又は位置を説明するものである。そのような用語法は、具体的に上述された語、それらの派生語、及び類似の意味の語を含み得る。
本開示の大部分は、理解を容易にするために、太陽電池を含む、光起電力ラミネート及び太陽電池モジュールに関して記載されるが、開示される技術及び構造は、他の半導体構造体(例えば、シリコンウエハ一般)について当てはまる。
太陽電池、光起電力ラミネート、光起電力モジュールの金属化技術の改善は、光起電力モジュールの合計製造費用及び出力収率に大きな影響を与え得る。太陽電池は多くの場合、高効率の電池の製造を可能にするために、製造において多数の工程を必要とし、工程を低減することによって、製造出力収率の増加が得られる。本発明の金属化技術はまた、いくつかの工程を必要とし得る。これらの工程は、太陽電池に対し、物理蒸着プロセス(PVD)、アニーリング、及びめっきプロセスなどの、金属形成プロセスを行うことを含み得る。上記の太陽電池金属化形成プロセスに続き、光起電力モジュール内の多数の太陽電池を電気的に接続するために、太陽電池のはんだ付けが必要とされ得る。それゆえ、このような技術を改善すること、及び更にはこれらを全て排除することが、製造上の出力収率及び大幅な製造費用の削減の増加につながり得る。
上記の課題に対処するため、太陽電池上に金属を個別に形成し、その後金属相互接続を太陽電池にはんだ付けする代わりに、太陽電池を金属箔に接続し、単一の工程プロセスにより形成される、金属結合の使用を伴う、実施形態が提示される。また、太陽電池上に金属を形成し、金属相互接続を太陽電池に結合する技術は、少なくとも2つの工程プロセスであり得、提示される実施形態は、光起電力ラミネート製造の一部として、単一工程プロセスにおいて形成される。この解決法、及び同様の実施形態を含む他の解決法が、以下で詳細に記載される。
図1〜7は、光起電力ラミネートの金属化の方法を例示する。図1〜7の光起電力ラミネート100は、通常動作の間に太陽に面する前面102、及び前面102の反対側に裏面104を有する。図3〜5は、金属箔130が、図3の第1太陽電池120に直接接続され得る実施形態を示している。図6〜7は、金属箔130が、図6の第1太陽電池120上のシード金属層121に電気的に接続され得る実施形態を示している。
図1を参照し、第1封入材112の実質的に透明な層110への配置、及び第1太陽電池120の第1封入材112への配置が示されている。いくつかの実施形態において、方法は、複数の太陽電池を第1封入材112上に配置することを含み得る。一実施形態において、方法は、第2太陽電池を第1封入材112上に配置することを含み得る。別の実施形態において、第1太陽電池120を第1封入材112上に配置する前に、方法は、複数の太陽電池を分類する工程を含む場合があり、第1太陽電池及び第2太陽電池の配置は、この分類に従って行われる。第1太陽電池及び第2太陽電池を配置する工程が分類する工程を含む実施形態において、この方法は、視覚的品質、光起電力、及びエレクトロルミネセンス試験結果からなる群から選択される方法によって、複数の太陽電池を分類する工程を含み得る。一実施形態において、実質的に透明な層はガラスであり得る。いくつかの実施形態において、第1封入材は、エチレン酢酸ビニール(EVA)であり得る。一実施形態において、方法は更に、視覚的システムを使用して、第1太陽電池120を光起電力ラミネート100に位置合わせする工程を含み得る。方法が、第1太陽電池120を光起電力ラミネート100に位置合わせする工程を含む実施形態において、方法は位置合わせデータを保存する工程を含み得る。一実施形態において、方法は、加熱ランプによる硬化、紫外線(UV)による硬化、又は他のいずれかの適用可能な方法からなる群から選択される技術を使用して、第1封入材112上で第1太陽電池120を適所に固定する工程を含み得る。上記のように、光起電力ラミネート100は、前面102及び裏面104を有してもよく、前面102は裏面104の反対側である。
図2は、金属箔130を第1太陽電池120上に配置する工程を例示しており、金属箔130は第1太陽電池120と均一に接触している。一実施形態において、金属箔130は、キャリア媒体に取り付けられた金属箔を含む場合があり、金属箔は予めパターン化されている。いくつかの実施形態において、金属箔130は、パターン化した金属箔及び余剰な金属箔を含み得る。金属箔130がパターン化した金属箔及び余剰な金属箔を含む実施形態において、方法は更に、鍛造、機械的スクライビング、レーザーパターン化、レーザーアブレーション、水パターン化、水噴射、マスキング及びエッチング、又はいずれかの適用可能なパターン化タイプのプロセスからなる群から選択される技術を使用して、パターン化した金属箔を形成する工程を含み得る。一実施形態では、金属箔130は、アルミニウムを含み得る。金属箔130がアルミニウムである実施形態において、金属箔130は、5〜100μmの範囲の厚さを有し得る。いくつかの実施形態において、金属箔130を第1太陽電池120に位置合わせするために、視覚的システムが使用され得る。図1において上記のような位置合わせ情報を保存する工程を含む実施形態において、方法は更に、保存された位置合わせ情報によって太陽電池120上に金属箔130を配置する工程を含む場合がある。一実施形態において、金属箔130は、第1太陽電池120上に固定され得る。金属箔130が第1太陽電池120に固定される実施形態において、金属箔130を第1太陽電池120に固定する工程は、加熱ランプによる硬化、紫外線(UV)放射線による硬化、金属箔のローリング、圧力真空技術、及び他のいずれかの適用可能な方法からなる群から選択される方法を使用することを含み得る。
図3を参照し、金属箔130を第1太陽電池120へと接続する、金属結合160の形成が示されている。一実施形態において、金属結合160の形成は、金属コンタクト領域を形成して金属箔130及び第1太陽電池120を接続することを含み得る。実施形態は、レーザー源150を使用してレーザー152を金属箔130上に発射して、金属箔130を第1太陽電池120に接続する、金属結合160又は金属コンタクト領域を形成することを含み得る。一実施形態において、金属コンタクト領域160を形成することはまた、パターン化プロセスを行い、パターン化した金属箔及び余剰金属箔を生じることと、パターン化した金属箔を第1太陽電池120に接続する金属結合160又は金属コンタクト領域を形成することと、余剰な金属箔を取り除くこととを含む。実施形態は、代わりにレーザー結合プロセスを行うことを含み得る。一実施形態において、金属コンタクト領域は、金属箔130を第1太陽電池120に電気的に接続する。実施形態はまた、キャリア媒体に取り付けられた金属箔130を、第1太陽電池120に接続する、金属結合160又は金属コンタクト領域を形成することであって、金属箔130は予めパターン化されている、形成することと、金属結合を形成した後にキャリア媒体を取り除くこととを含み得る。実施形態はまた、レーザー152、又は結合160又は金属コンタクト領域の形成に使用される同じ装置を使用して、金属箔130からブスバ及びリボンをパターン化することを含み得る。一実施形態において、ブスバ及びリボンは、金属結合160の形成とは別個に、金属箔130からパターン化され得る。
図4は、金属箔130上に裏材142を配置することが例示されている。一実施形態では、裏材142は、第2封入材であり得る。いくつかの実施形態において、第2封入材は、エチレン酢酸ビニール(EVA)であり得る。一実施形態において、裏材142を配置する前に、金属ブスバを金属箔130に接続し、光起電力ラミネート100への、及びここからの電気伝導を可能にする。実施形態は、裏側層142を金属箔130上に堆積することを含む場合があり、裏側層142はシリコーンを含み得る。
図5を参照し、裏側層140を裏材142上に形成することが示されている。一実施形態において、方法はまた、裏材142なしに行うこともでき、裏側層140は金属箔130上に直接配置され得る。一実施形態では、裏材142は、第2封入材であり得る。いくつかの実施形態において、第2封入材は、エチレン酢酸ビニール(EVA)であり得る。実施形態は、裏材142を含む組み合わせた裏側層を含み得る。方法はまた、実質的に透明な層110、第1封入材112、第1太陽電池120(図3)、金属箔130、第2封入材142、及び裏側層140を結合して、光起電力ラミネート100を形成する工程を含み得る。一実施形態において、第2封入材142は、エチレン酢酸ビニール(EVA)であり得る。一実施形態において、裏側層140は、光起電力ラミネートの製造に一般的に使用されるバックシートからなる。実施形態は、裏側層140がポリエチレンであり得ることを含み得る。一実施形態において、方法は、結合後に光起電力ラミネート100の周囲にフレームを取り付ける工程と、フレーム取り付け後に裏側層140上に電気接続箱を形成して、光起電力モジュールを形成する工程とを含み得る。実施形態は、硬化、熱硬化、紫外線(UV)光による硬化、標準的な積層プロセスの実施からなる群から選択される方法を実施して、光起電力ラミネートを形成することを含み得る。いくつかの実施形態において、視覚的システムを使用して、裏材142又は裏側層140を、第1太陽電池120に位置合わせする。
図6は、金属化の別の実施形態を例示し、この実施形態は、金属箔130を第1太陽電池120上のシード金属層121に接続する、金属結合160を形成することを含み得る。方法は、シード金属層121を含む、図6の太陽電池100を準備することを含み得る。一実施形態において、金属結合160の形成は、金属コンタクト領域を形成して、金属箔130及び第1太陽電池120のシード金属層121を接続することを含む。実施形態はまた、レーザー源150を使用してレーザー152を金属箔130上に発射して、金属箔130をシード金属層121に接続する、金属結合160又は金属コンタクト領域を形成することを含み得る。一実施形態において、金属結合160を形成することはまた、パターン化プロセスを行い、パターン化した金属箔及び余剰金属箔を生じることと、パターン化した金属箔を第1太陽電池121に接続する金属結合160又は金属コンタクト領域を形成することと、余剰な金属箔を取り除くこととを含み得る。実施形態は、レーザー結合プロセスを行うことを含み得る。実施形態はまた、キャリア媒体に取り付けられた金属箔130を、シード金属層121に接続する、金属結合160又は金属コンタクト領域を形成することであって、金属箔130は予めパターン化されている、形成することと、金属結合160を形成した後にキャリア媒体を取り除くこととを含み得る。一実施形態において、金属結合160の形成は、はんだ付けプロセス、レーザー溶接、溶接、熱若しくは熱エネルギーの使用、金属箔130と第1太陽電池120のシード金属層121との間に金属結合160を形成するための超音波プロセス又はいずれかの適用可能な方法を行うことを含み得る。実施形態はまた、同じレーザー152、又は金属結合160又は金属コンタクト領域の形成に使用される装置を使用して、金属箔130からブスバ及びリボンをパターン化することを含み得る。一実施形態において、ブスバ及びリボンは、金属結合160の形成とは別個に、金属箔130からパターン化され得る。
図7を参照し、裏側層140を裏材142上に形成することが示されている。一実施形態では、裏材142は、第2封入材であり得る。いくつかの実施形態において、第2封入材は、エチレン酢酸ビニール(EVA)であり得る。方法はまた、図7の光起電力ラミネート100を形成するために、実質的に透明な層110、第1封入材112、シード金属層121を含む、第1太陽電池120(図6)、金属箔130、裏材142、及び裏側層140を結合する工程を含む。実施形態は、裏側層140は、光起電力ラミネートの製造に一般的に使用されるバックシートであり得ることを含み得る。一実施形態においては、裏側層140がポリエチレンであり得る。実施形態は、結合後に光起電力ラミネート100の周囲にフレームを取り付けることと、フレームの取り付け後に、裏側層140上に電気接続箱を形成して、光起電力モジュールを形成することとを含み得る。一実施形態において、結合して光起電力ラミネート100を形成することは、硬化、熱硬化、紫外線(UV)光による硬化、光起電力ラミネートを形成するための標準的な積層プロセスの実施からなる群から選択される方法を実施することを含み得る。いくつかの実施形態において、裏材142を第1太陽電池120に位置合わせするために、視覚的システムが使用され得る。実施形態は、裏材142を含む組み合わせた裏側層を含み得る。一実施形態において、方法はまた、裏材142なしに行うこともでき、裏側層140は金属箔130上に直接配置され得る。
図8〜15を参照し、光起電力ラミネートの別の金属化方法が示されている。図8〜15の光起電力ラミネート100は、通常動作の間に太陽に面する前面102、及び前面102の反対側に裏面104を有する。図10〜13は、金属箔130が、図10の第1太陽電池120に直接、電気的に接続され得る実施形態を示している。図14〜15は、金属箔130が、図14の第1太陽電池120上のシード金属層121に電気的に接続され得る実施形態を示している。
図8を参照し、金属箔130を受容媒体170上に配置することが示されている。いくつかの実施形態において、受容媒体170は、実質的に透明な媒体、犠牲ガラス、ガラス、ポリマー材料、レーザー放射線に対して透明であり非吸収性の材料、及び穿孔した媒体を含む群から選択される、受容媒体を含み得る。一実施形態において、金属箔130は、受容媒体170と均一に接触する。実施形態はまた、金属箔130をキャリア媒体に取り付けることを含む場合があり、金属箔は予めパターン化されている。いくつかの実施形態において、金属箔130は、パターン化した金属箔、及び余剰な金属箔を含み得る。金属箔130がパターン化した金属箔及び余剰な金属箔を含み得る実施形態において、方法は更に、鍛造、機械的スクライビング、レーザーパターン化、レーザーアブレーション、水パターン化、水噴射、マスキング及びエッチング、又はいずれかの適用可能なパターン化タイプのプロセスからなる群から選択される技術を使用して、パターン化した金属箔及び過剰な箔を形成する工程を含み得る。一実施形態では、第1の金属ペースト130は、アルミニウムであり得る。金属箔130がアルミニウムである実施形態において、金属箔130は、5〜100μmの範囲の厚さを有し得る。いくつかの実施形態において、金属箔130を第1太陽電池170に位置合わせするために、視覚的システムが使用され得る。一実施形態において、金属箔130は、第1太陽電池170上に固定され得る。金属箔130が受容媒体170に固定される実施形態において、金属箔130を第1太陽電池170に固定する工程は、加熱ランプによる硬化、紫外線(UV)放射線による硬化、金属箔のローリング、圧力真空技術、及び他のいずれかの適用可能な方法から選択される方法を使用することを含み得る。
図9を参照し、図8の光起電力ラミネートの金属箔130上に第1太陽電池120を配置することが示されている。いくつかの実施形態において、方法は、複数の太陽電池を金属箔130上に配置することを含み得る。例えば、方法はまた、第2太陽電池を金属箔130上に配置することを含み得る。いくつかの実施形態において、第1太陽電池及び第2太陽電池120を第1封入材130上に配置する前に、方法は、複数の太陽電池を分類する工程を含む場合があり、第1太陽電池及び第2太陽電池の配置は、この分類に従って行われ得る。分類を含む実施形態において、分類は、他の例の中でもとりわけ、視覚的品質、フォトルミネセンス、及びエレクトロルミネセンス試験結果に従って行われ得る。
図10は、金属箔130を第1太陽電池120へと接続する、金属結合160の形成が例示されている。一実施形態において、方法は、金属コンタクト領域を形成して金属箔130及び第1太陽電池120を接続することを含む。実施形態はまた、金属結合160、又は金属コンタクト領域160を形成して金属箔130及び第1太陽電池120を接続することを含む。一実施形態において、方法は、レーザー源150を使用してレーザー152を、受容媒体170を通じて金属箔130に発射して、金属箔130を第1太陽電池120に接続する、金属結合160又は金属コンタクト領域160を形成することを含み得る。実施形態は、レーザーパターン化プロセスを行い、パターン化した金属箔及び余剰な金属箔を生じることと、パターン化した金属箔を第1太陽電池120に接続する金属結合160又は金属コンタクト領域を形成することと、余剰金属箔を取り除くこととを含み得る。一実施形態において方法は、キャリア媒体に取り付けられた金属箔130を、第1太陽電池120に接続する、金属結合160又は金属コンタクト領域を形成することであって、金属箔130は予めパターン化されている、形成することと、金属結合160を形成した後にキャリア媒体を取り除くこととを含み得る。実施形態は、レーザー152、又は金属結合160の形成に使用される同じ装置を使用して、金属箔130からブスバ及びリボンをパターン化することを含み得る。一実施形態において、ブスバ及びリボンは、金属結合160の形成とは別個のプロセスで、金属箔130からパターン化され得る。金属結合160又は金属接触領域160を形成することを含む実施形態において、方法は更に、太陽電池120に対する損傷を防止するためにレーザープロセスパラメーターを修正することを含み得る。一実施形態において、受容媒体170は、レーザー152に対して透明である。
図11を参照し、第1封入材112の第1太陽電池120上への配置、及び実質的に透明な層110の第1封入材112への配置が示されている。一実施形態において、上記に記載されているのと同様に、実質的に透明な層はガラスで作製されている。いくつかの実施形態において、第1封入材は、エチレン酢酸ビニール(EVA)から作製されている。
図12は、光起電力ラミネート100が、前面102が受容媒体170に面するように、向け直されている106のを例示している。光起電力ラミネート100の向け直しは、裏材142及び裏側層140を、上側から容易に配置することを可能にするために行われ、裏材142及び裏側層はまた、下側から適合させることもできる。
図13を参照し、裏材142の金属箔130への配置、及び裏側層140の裏材142への配置が示されている。方法はまた、実質的に透明な層110、第1封入材112、第1太陽電池120、金属箔130、裏材142、及び裏側層140を一緒に結合して光起電力ラミネート100を形成することを含む。一実施形態において、方法はまた、裏材142なしに行うこともでき、裏側層140は金属箔130上に直接配置され得る。一実施形態では、裏材142は、第2封入材であり得る。いくつかの実施形態において、第2封入材は、エチレン酢酸ビニール(EVA)であり得る。実施形態は、裏材142を含む組み合わせた裏側層を含み得る。一実施形態において、裏側層140は、太陽電池モジュールの製造に一般的に使用されるバックシートである。更に別の実施形態において、裏側層140はポリエチレンで作製されている。また、光起電力ラミネート100のために先に記載された全ての実施形態、記載、及び詳細はまた、図10〜13の光起電力ラミネートにも当てはまり得る。
図14は、金属箔130を第1太陽電池120上のシード金属層121に接続する、金属結合160を形成することを例示する。実施形態はまた、金属結合160を形成して金属箔130及び第1太陽電池120を接続することを含む。一実施形態において、方法は、レーザー源150を使用してレーザー152を、受容媒体170を通じて金属箔130に発射して、金属箔130を第1太陽電池120のシード金属層121に接続する、金属結合160又は金属コンタクト領域を形成することを含み得る。実施形態は、レーザーパターン化プロセスを行い、パターン化した金属箔及び余剰な金属箔を生じることと、パターン化した金属箔を第1太陽電池120のシード金属層121に接続する金属結合160又は金属コンタクト領域を形成することと、余剰な金属箔を取り除くこととを含み得る。一実施形態において方法は、キャリア媒体に取り付けられた金属箔130を、第1太陽電池120のシード金属層121に接続する、金属結合160又は金属コンタクト領域を形成することであって、金属箔130は予めパターン化されている、形成することと、金属結合160を形成した後にキャリア媒体を取り除くこととを含み得る。実施形態は、レーザー結合プロセスを行うことを含み得る。一実施形態において、金属結合160の形成は、レーザー溶接、溶接、はんだ付けプロセス、熱若しくは熱エネルギーの使用、超音波プロセスの使用、金属箔130と第1太陽電池120のシード金属層121との間に金属結合160を形成するためのいずれかの適用可能な方法を含み得る。
図15を参照し、裏材142の金属箔130への配置、及び裏側層140の裏材142への配置が示されている。方法はまた、実質的に透明な層110、第1封入材112、第1太陽電池120、金属箔130、裏材142、及び裏側層140を一緒に結合して光起電力ラミネート100を形成することを含む。また、光起電力ラミネート100のために先に記載された全ての実施形態、記載、及び詳細はまた、本明細書に記載される実施形態と共に使用され得る。一実施形態において、受容媒体170は、レーザー152に対して透明である。実施形態は、パターン化又は金属結合160の形成が行われない領域における支持を可能にするように太陽電池120をパターン化することを含む。
図16〜23を参照し、本明細書において記載される、光起電力ラミネートの金属化方法の概略平面図が示されている。
図16は、レーザー152を使用して金属箔130をパターン化154して、金属箔132上のパターン154、及びパターン化された金属箔132が形成されることを例示している。一実施形態では、金属箔130は、その場でパターン化される。
図17を参照し、第1バスバー領域131、及び第2バスバー領域133、並びに第1コンタクトフィンガー135、及び第2コンタクトフィンガー137を含む、パターン化された金属箔132を形成した後に、金属結合160を形成することが示されている。一実施形態において、方法は、余剰な金属箔を剥がすこと108を含み得る。
図18は、金属箔又はパターン化した金属箔132がキャリア媒体136に取り付けることができる実施形態を示し、金属コンタクト領域160の形成の後に、キャリア媒体136はその後除去されてもよい。一実施形態において、キャリア媒体136は、金属コンタクト領域160が形成される前に、除去される。別の実施形態において、キャリア媒体は、紙、エチレン酢酸ビニール(EVA)、ポリマー層、ポリエチレン、いずれかの一般的なプラスチック、及び他のいずれかの種類の適用可能なキャリアの種類の材料から選択される材料からなる。方法は、キャリア媒体136を剥がすこと108を含み得る。
図19を参照し、余剰な金属箔を除去した後の、太陽電池120が示され、パターン化した箔132は、金属コンタクト領域160を通じて太陽電池120に電気的に接続される。一実施形態において、余剰な金属箔は、金属コンタクト領域160が形成される前に、除去される。また、方法は、第1太陽電池120上に、第1ブスバ領域131及び第2ブスバ領域133、並びに第1コンタクトフィンガー135及び第2コンタクトフィンガー137を含む、パターン化した金属箔を形成することを含み得る。
図20は、パターン化された金属箔が相互接続166を含む実施形態を例示し、相互接続166は、接続されている太陽電池への電気伝導を可能にする。
図21を参照し、第1ブスバ131及び第2ブスバ133が、第1太陽電池120を超えてパターン化されている実施形態が示されている。
図22は、第1及び第2コンタクトフィンガー135、137を含む、コンタクトフィンガーが、第1太陽電池120を超えて延び得る、実施形態を例示している。
図23を参照し、コンタクトフィンガーが、第1太陽電池120を超えて第2太陽電池122へと延びる、実施形態が示されており、この設計は太陽電池間の電気伝導を可能にする。一実施形態において、第1太陽電池120、及び第2太陽電池122は、第1太陽電池120上のP型及びN型領域が、第2太陽電池122に対して交互の様式で位置合わせされ得るように、オフセットされ得、太陽電池を横断して延び、第1太陽電池120を第2太陽電池122に電気的に接続する、第1コンタクトフィンガー135、第2コンタクトフィンガー137、及び第3コンタクトフィンガー139などの複数のコンタクトフィンガーをパターン化することを可能にする。
図24は、光起電力ラミネートを金属化する方法の実施形態のフローチャートを例示している。上記のように、第1操作201は、第1封入材を実質的に透明な層上に配置することを含み得る。第2操作202は、第1太陽電池を第1封入材上に配置することを含み得る。第3操作203は、金属箔を第1太陽電池上に配置することを例示しており、金属箔は第1太陽電池と均一に接触している。最後の操作204は、金属箔を第1太陽電池へと接続する、金属結合の形成を含む。
図25を参照し、光起電力ラミネートを金属化する方法の別の実施形態のフローチャートが示されている。上記のように、第1操作211は、第1封入材を実質的に透明な層上に配置することを含み得る。第1操作211の複数の実施形態は、光起電力ラミネートの前面を含む、実質的に透明な層上に、第1封入材を配置することを含む。第2操作212は、第1太陽電池を第1封入材上に配置することを含み得る。第3操作213は、金属箔を第1太陽電池上に配置することを含んでおり、金属箔は第1太陽電池と均一に接触している。第4操作214は、金属箔上にパターン化プロセスを行うことを含み得る。第4操作214の実施形態はまた、金属箔を第1太陽電池へと接続する、金属結合の形成を含む。第5操作215は、金属箔を第1太陽電池へと接続する、金属結合の形成を含み得る。第6操作216は、裏材を金属箔上に配置することを含み得る。第7操作217は、裏側層を裏材上に形成することを含み得る。最後の操作218は、実質的に透明な層、第1封入材、第1太陽電池、金属箔、裏材、及び裏側層を結合して、光起電力ラミネートを形成することを含み得る。最後の操作218の実施形態はまた、実質的に透明な層、第1封入材、第1太陽電池、金属箔、裏材、及び裏側層を硬化して、光起電力ラミネートを形成することを含み得る。
図26は、光起電力ラミネートを金属化する方法の更に別の実施形態のフローチャートを例示している。上記のように、第1操作221の実施形態は、光起電力ラミネートの前面を含む、実質的に透明な層上に、第1封入材を配置することを含む。第2操作222は、第1太陽電池及び第2太陽電池を含む、複数の太陽電池を分類することを含み得る。第3操作223は、第1太陽電池及び第2太陽電池を第1封入材上に配置することを含み得る。第4操作224は、金属箔を第1太陽電池上に配置する工程を例示しており、金属箔は第1太陽電池及び第2太陽電池の裏面と均一に接触している。第5操作は2つの工程を含む場合があり、第1工程225は、金属箔を第1太陽電池及び第2太陽電池に接続する金属結合を形成することを含む場合があり、第2工程226は裏材を金属箔上に配置することを含み得る。第5操作の実施形態は、4つの工程を含む場合があり、第1工程227は、パターン化プロセスを行い、パターン化した金属箔及び余剰な金属箔を生じる工程を含む場合があり、第2工程228は、パターン化した金属箔を、第1太陽電池及び第2太陽電池に接続する金属結合を形成することを含む場合があり、第3工程は、余剰な金属箔を取り除くことを含む場合があり、第4工程231は、裏材をパターン化した金属箔上に配置することを含む場合がある。第5操作の実施形態はまた、3つの工程を含む場合があり、第1工程232は、キャリア媒体に取り付けられた金属箔を、第1太陽電池及び第2太陽電池に接続する金属結合を形成することを含む場合があり、金属箔は予めパターン化されており、第2工程233はキャリア媒体を取り除くことを含む場合があり、第3工程234は裏材を金属箔上に配置することを含み得る。第6操作235は、裏側層を裏材上に形成することを含み得る。最後の操作は、実質的に透明な層、第1封入材、第1太陽電池及び第2太陽電池、金属箔、裏材、並びに裏側層を硬化して、光起電力ラミネートを形成することを含み得る。上記のように、第1太陽電池及び第2太陽電池の配置は、上記の方法が、1つ又は2つの太陽電池のみではなく、複数の太陽電池と共に使用され得ることを例示している。
図27を参照し、光起電力ラミネートを金属化する方法の更に別の実施形態のフローチャートが示されている。上記のように、第1操作241は、金属箔を受容媒体上に配置することを含み得る。第2操作242は、第1太陽電池を金属箔上に配置することを含み得る。最後の操作243は、金属箔を第1太陽電池へと接続する、金属結合の形成を含み得る。
図28は、光起電力ラミネートを金属化する方法の実施形態のフローチャートを例示している。上記のように、第1操作251は、金属箔を受容媒体上に配置することを含み得る。第1操作251の実施形態は、金属箔を受容媒体上でローリングすることを含み得る。第1操作251の実施形態において、受容媒体は実質的に透明であり得る。第2操作252は、第1太陽電池を金属箔上に配置することを含み得る。第2操作252の実施形態は、第1太陽電池を金属箔上に配置することを含む場合があり、金属箔は第1太陽電池の裏側に均一に接触する。第3操作253は、金属箔を第1太陽電池へと接続する、金属結合の形成を含み得る。第3操作253の実施形態は、受容媒体を通じて金属箔にレーザーを発射し、金属箔を第1太陽電池に接続する金属結合を形成することができる。第4操作254は、第1封入材を第1太陽電池上に配置することを含み得る。第5操作255は、実質的に透明な層を第1封入材上に配置することを含み得る。第6操作256は、裏材を金属箔上に配置することを含み得る。第7操作257は、裏側層を裏材上に配置することを含み得る。最後の操作258は、実質的に透明な層、第1封入材、第1太陽電池、金属箔、裏材、及び裏側層を一緒に結合して、光起電力ラミネートを形成することを含み得る。
図29を参照し、光起電力ラミネートを金属化する方法の別の実施形態のフローチャートが示されている。上記のように、第1操作261は、金属箔を受容媒体上に配置することを含み、受容媒体は実質的に透明である。第2操作262は、第1太陽電池及び第2太陽電池を含む、複数の太陽電池を分類することを含み得る。第3操作263は、第1太陽電池及び第2太陽電池を金属箔上に配置することを含む場合があり、金属箔は第1太陽電池及び第2太陽電池の裏側に均一に接触する。第4操作264は、受容媒体を通じて金属箔にレーザーを発射し、金属箔を第1太陽電池及び第2太陽電池に接続する金属結合を形成することができる。第4操作264の実施形態は、3つの工程を含む場合があり、第1工程265は、パターン化プロセスを行い、パターン化した金属箔及び余剰な金属箔を生じる工程を含む場合があり、第2工程266は、パターン化した金属箔を、第1太陽電池及び第2太陽電池に接続する金属結合を形成することを含む場合があり、第3工程267は、余剰な金属箔を取り除くことを含む場合がある。第4操作264の実施形態は、2つの工程を含む場合があり、第1工程268は、キャリア媒体に取り付けられた金属箔を、第1太陽電池及び第2太陽電池に接続する金属結合を形成することを含む場合があり、金属箔は予めパターン化されており、第2工程269はキャリア媒体を取り除くことを含む場合がある。第5操作271は、第1封入材を第1及び第2太陽電池上に配置することを含み得る。第6操作272は、実質的に透明な層を第1封入材上に配置することを含み得る。第7操作273は、裏材を金属箔上に配置することを含み得る。第8操作274は、裏側層を裏材上に配置することを含み得る。最後の操作275は、実質的に透明な層、第1封入材、第1太陽電池及び第2太陽電池、金属箔、裏材、並びに裏側層を一緒に硬化して、光起電力ラミネートを形成することを含み得る。上記のように、第1太陽電池及び第2太陽電池の配置は、上記の方法が、1つ又は2つの太陽電池のみではなく、複数の太陽電池と共に使用され得ることを例示している。
図1〜15の方法はまた、複数の実施形態に従うことを含み得る。一実施形態において、方法は、金属結合160、又は金属コンタクト領域を形成する間、金属箔130からブスバ及びリボンを同時にパターン化することを含み得る。一実施形態において、ブスバ及びリボンは、金属結合160の形成とは別個に、金属箔130からパターン化され得る。図1の位置合わせ情報を保存する実施形態において、方法はまた、保存された位置合わせ情報に従って、金属箔130を第1太陽電池120に接続する金属結合160を含む場合がある。金属結合160又は金属コンタクト領域を形成することを含む実施形態において、方法は、太陽電池120に対する損傷を防止するためにレーザー発射パラメーターを修正することを含み得る。一実施形態において、方法は、金属結合160を形成した後に、金属相互接続を金属箔130に接続することを含み得る。いくつかの実施形態において、方法は、短絡をチェックするために、電気的導通のチェックを行うことを含み得る。一実施形態において、試験後、例えば、太陽電池の予めパターン化した金属箔の配置前、又は太陽電池の、予めパターン化した金属箔、及びその場でパターン化した金属箔の配置の後、光起電力ラミネート100は、いずれかの短絡、又は電気的損傷を修復することができる。
上記のように、光起電力ラミネート100は、通常動作中に太陽に向けられる前面102、及び前面102とは反対側の裏面104を含み得る。光起電力ラミネート100はまた、実質的に透明な層110、実質的に透明な層110上の第1封入層112、及び第1太陽電池120上の金属箔130を含む場合がある。一実施形態において、金属箔130は、第1太陽電池120と均一に接触する。光起電力ラミネート100はまた、金属箔130を第1太陽電池120へと電気的に接続する、金属結合160を含み得る。いくつかの実施形態において、金属結合160は、金属コンタクト領域を含み得る。光起電力ラミネート100は、金属箔130上の裏材142、及び裏材142上の裏側層140を含む場合がある。いくつかの実施形態において、光起電力ラミネート100は、複数の太陽電池を含み得る。実施形態はまた、図7及び図15に示されるように、光起電力ラミネート100を含む場合があり、金属結合160は、金属箔130を、第1太陽電池120上のシード金属層121に電気的に接続する。
やはり先に記載されたように、図1〜15の光起電力ラミネート100は、太陽電池120を含み得る。上記の全ての方法は、線形単軸設計が挙げられるがこれに限定されない様々な種類の太陽電池に対して適用可能であり、金属結合形成工程の間における、高スループットのプロセスを可能にし、位置合わせを単純化し、ツールの複雑性を低減する。一実施形態では、太陽電池120は、第1太陽電池120の裏面上に薄いアモルファスシリコン層を含む場合がある。いくつかの実施形態において、アモルファスシリコン層は、レーザープロセスウィンドー(例えば、異なる厚さのP型及びN型ドープ領域の裏面における誘電積層体を有する、電池構造)の増加を可能にする。一実施形態において、アモルファスシリコンは、ドープされてもよく、ドーパントはN型又はP型ドーパントであり得る。実施形態は、裏面コンタクト太陽電池、前面コンタクト太陽電池、単結晶シリコン太陽電池、多結晶シリコン太陽電池、アモルファスシリコン太陽電池、薄膜シリコン太陽電池、セレン化銅インジウムガリウム(CIGS)太陽電池、テルル化カドミウム太陽電池からなる群から選択される、太陽電池を提示することを含み得る。
いくつかの実施形態において、図1〜15の太陽電池120は、シリコン基材、シリコン基材上のドープ領域、アモルファスシリコン層、ドープ領域を分離するトレンチ領域、及び太陽電池120の裏面上の裏面反射防止コーティング(BARC)を有する、裏面コンタクト太陽電池であり得る。太陽電池120が裏面コンタクト太陽電池から作製される実施形態において、太陽電池120は、シリコン基材上の非平坦化領域、及び非平坦化領域上の反射防止コーティング(ARC)を含み得る。いくつかの実施形態において、太陽電池は、図5に示されるような、太陽電池のシリコン基材上に形成されたシード金属層を含み得る。やはり図5に示されるように、金属結合160は、金属箔130を第1太陽電池120上のシード金属層121に電気的に接続することができる。一実施形態において、第1ブスバ131及び第2ブスバ133を形成するシード金属層121の間に誘電層が形成されてもよく、第1ブスバ131、及び第2ブスバ133金属は、フレームサイズを低減するために、第1太陽電池120上で折り畳まれてもよい。複数の実施形態は、銅、錫、タングステン、チタン、タングステン化チタン、銀、金、窒化チタン、窒化タンタル、ルテニウム、又はプラチナなどの金属を含むシード金属層を含むが、これらに限定されない。
上述の発明を実施するための形態では、少なくとも1つの例示的な実施形態が提示されているが、数多くの変形が存在することを理解されるべきである。本明細書に記載される例示的な実施形態又は実施形態群は、特許請求される主題の範囲、適用性、又は構成を限定する意図が全くないこともまた、理解されるべきである。むしろ、上述の発明を実施するための形態は、説明された実施形態又は実施形態群を実装するための簡便な指針を当業者に提供するものである。本特許出願が出願される時点で既知の等価物、及び予見可能な等価物を含む、特許請求の範囲によって規定される範囲から逸脱することなく、諸要素の機能及び配置に、様々な変更が実施可能であることを理解するべきである。
[項目1]
光起電力ラミネートの金属化方法であって、
第1封入材を実質的に透明な層上に配置する工程と、
第1太陽電池を上記第1封入材上に配置する工程と、
上記第1太陽電池と均一に接触する金属箔を上記第1太陽電池上に配置する工程と、
上記金属箔を上記第1太陽電池に接続する、金属結合を形成する工程とを含む、方法。
[項目2]
裏材を上記金属箔上に配置する工程と、
裏側層を上記裏材上に形成する工程と、
上記実質的に透明な層、上記第1封入材、上記第1太陽電池、上記金属箔、上記裏材、及び上記裏側層を結合して、光起電力ラミネートを形成する工程とを更に含む、項目1に記載の方法。
[項目3]
第2太陽電池を上記第1封入材上に配置することを更に含む、項目1に記載の方法。
[項目4]
第1太陽電池を上記第1封入材上に配置する前に、複数の太陽電池を分類する工程を更に含み、上記第1太陽電池及び上記第2太陽電池の配置は、上記分類に従って行われる、項目3に記載の方法。
[項目5]
上記金属結合を形成する工程は、レーザー源を使用して金属コンタクト領域を形成する工程を含み、上記形成された金属コンタクト領域は上記金属箔を上記第1太陽電池に電気的に接続する、項目1に記載の方法。
[項目6]
上記金属結合を形成する工程は、
パターン化プロセスを行い、パターン化された金属箔及び余剰な金属箔を生じる工程と、
上記パターン化された金属箔を上記第1太陽電池に接続する、金属結合を形成する工程と、
上記余剰な金属箔を取り除く工程とを含む、項目1に記載の方法。
[項目7]
上記金属結合を形成する工程は、
キャリア媒体に取り付けられた予めパターン化されている金属箔を、上記第1太陽電池に接続する金属結合を形成する工程と、
上記金属結合を形成した後に、上記キャリア媒体を取り除く工程とを含む、項目1に記載の方法。
[項目8]
上記実質的に透明な層、上記第1封入材、上記第1太陽電池、上記金属箔、上記裏材、及び上記裏側層を結合して、光起電力ラミネートを形成する工程は、硬化、熱硬化、紫外線による硬化、及び光起電力を形成するための標準的積層プロセスの実施からなる群から選択される方法を行う工程を含む、項目1に記載の方法。
[項目9]
光起電力ラミネートを金属化する方法であって、上記光起電力ラミネートは、通常動作中に太陽に面する前面、及び上記前面と反対側の裏面を有し、上記方法は、
上記光起電力ラミネートの上記前面を含む、実質的に透明な層上に、第1封入材を配置する工程と、
第1太陽電池を上記第1封入材上に配置する工程と、
上記第1太陽電池の裏面と均一に接触する金属箔を上記第1太陽電池上に配置する工程と、
上記金属箔を上記第1太陽電池に接続する、金属結合を形成する工程、
裏材を上記金属箔上に配置する工程と、
裏側層を上記裏材層上に形成する工程と、
上記実質的に透明な層、上記第1封入材、上記第1太陽電池、上記金属箔、上記裏材、及び上記裏側層を硬化させて、光起電力ラミネートを形成する工程とを含む、方法。
[項目10]
光起電力ラミネートの金属化方法であって、
金属箔を受容媒体上に配置する工程と、
第1太陽電池を上記金属箔上に配置する工程と、
上記金属箔を上記第1太陽電池に接続する、金属結合を形成する工程とを含む、方法。
[項目11]
第1封入材を上記第1太陽電池上に配置する工程と、
実質的に透明な層を上記第1封入材上に配置する工程と、
裏材を上記金属箔上に配置する工程と、
裏側層を上記裏材上に形成する工程と、
上記実質的に透明な層、上記第1封入材、上記第1太陽電池、上記金属箔、上記裏材、及び上記裏側層を一緒に結合して、光起電力ラミネートを形成する工程とを更に含む、項目10に記載の方法。
[項目12]
金属箔を受容媒体上に配置する工程は、上記金属箔を、実質的に透明な層、犠牲ガラス、及び穿刺した媒体からなる群から選択される受容媒体上に配置する工程を含む、項目10に記載の方法。
[項目13]
上記第1太陽電池を上記金属箔上に配置する工程は、複数の太陽電池を上記金属箔上に配置する工程を含む、項目10に記載の方法。
[項目14]
第1太陽電池を金属箔上に配置する前に、複数の太陽電池を分類する工程を更に含み、上記第1太陽電池の配置は、上記分類に従って行われる、項目10に記載の方法。
[項目15]
上記金属結合を形成する工程は、レーザー源を使用して金属結合を形成する工程を含み、上記形成された金属結合は上記金属箔を上記第1太陽電池に電気的に接続する、項目10に記載の方法。
[項目16]
上記金属結合を形成する工程は、上記受容媒体を通じて上記金属箔にレーザーを発射し、上記金属箔を上記第1太陽電池に接続する金属結合を形成する、項目10に記載の方法。
[項目17]
上記金属結合を形成する工程は、
レーザーパターン化プロセスを行い、パターン化された金属箔及び余剰な金属箔を生じる工程と、
上記パターン化された金属箔及び上記第1太陽電池を接続する、金属結合を形成する工程と、
上記余剰な金属箔を取り除く工程とを含む、項目10に記載の方法。
[項目18]
上記金属結合を形成する工程は、
キャリア媒体に取り付けられた予めパターン化されている金属箔を、上記第1太陽電池に接続する金属結合を形成する工程と、
上記金属結合を形成した後に、上記キャリア媒体を取り除く工程とを含む、項目10に記載の方法。
[項目19]
上記実質的に透明な層、上記第1封入材、上記第1太陽電池、上記金属箔、上記裏材、及び上記裏側層を結合して、光起電力ラミネートを形成する工程は、硬化、熱硬化、紫外線による硬化、及び光起電力を形成するための標準的積層プロセスの実施からなる群から選択される方法を行う工程を含む、項目10に記載の方法。
[項目20]
金属箔を実質的に透明である受容媒体上に配置する工程でと、
第1太陽電池を上記第1太陽電池の裏面と均一に接触する上記金属箔上に配置する工程と、
上記受容媒体を通じて上記金属箔にレーザーを発射し、上記金属箔を上記第1太陽電池に接続する金属結合を形成する工程と、
第1封入材を上記第1太陽電池上に配置する工程と、
実質的に透明な層を上記第1封入材上に配置する工程と、
裏材を上記金属箔上に配置する工程と、
裏側層を上記裏材上に形成する工程と、
上記実質的に透明な層、上記第1封入材、上記第1太陽電池、上記金属箔、上記裏材、及び上記裏側層を一緒に硬化して、光起電力ラミネートを形成する工程とを更に含む、項目10に記載の方法。

Claims (8)

  1. 光起電力ラミネートの金属化方法であって、
    第1封入材を実質的に透明な層上に配置する工程と、
    第1太陽電池を前記第1封入材上に配置する工程と、
    属箔を前記第1太陽電池上に配置する工程と、
    前記金属箔を前記第1太陽電池に接続する、金属結合を形成する工程とを含み、
    前記金属結合を形成する工程が、
    キャリア媒体に取り付けられた予めパターン化されている金属箔を、前記第1太陽電池に接続する金属結合を形成する工程と、
    前記金属結合を形成した後に、前記キャリア媒体を取り除く工程とを含む、
    法。
  2. 通常動作中に太陽に面する前面、及び前記前面とは反対側の裏面を有する光起電力ラミネートを金属化する方法であって、
    前記光起電力ラミネートの前記前面を含む、実質的に透明な層上に、第1封入材を配置する工程と、
    第1太陽電池を前記第1封入材上に配置する工程と
    属箔を前記第1太陽電池上に配置する工程と、
    前記金属箔を前記第1太陽電池に接続する、金属結合を形成する工程とを含み、
    前記金属結合を形成する工程が、
    キャリア媒体に取り付けられた予めパターン化されている金属箔を、前記第1太陽電池に接続する金属結合を形成する工程と、
    前記金属結合を形成した後に、前記キャリア媒体を取り除く工程とを含む、
    法。
  3. 裏材を前記金属箔上に配置する工程と、
    裏側層を前記裏材上に形成する工程と、
    前記実質的に透明な層、前記第1封入材、前記第1太陽電池、前記金属箔、前記裏材、及び前記裏側層を結合して、光起電力ラミネートを形成する工程とを更に含む、請求項1または2に記載の方法。
  4. 第2太陽電池を前記第1封入材上に配置することを更に含む、請求項1から3のいずれか一項に記載の方法。
  5. 第1太陽電池を前記第1封入材上に配置する前に、複数の太陽電池を分類する工程を更に含み、前記第1太陽電池及び前記第2太陽電池の配置は、前記分類に従って行われる、請求項4に記載の方法。
  6. 前記金属結合を形成する工程は、レーザー源を使用して金属コンタクト領域を形成する工程を含み、前記形成された金属コンタクト領域は、前記金属箔を前記第1太陽電池に電気的に接続する、請求項1から5のいずれか一項に記載の方法。
  7. 前記金属結合を形成する工程が、
    パターン化プロセスを行い、パターン化された金属箔、及び余剰金属箔を生じる工程と、
    前記パターン化された金属箔を前記第1太陽電池に接続する、金属結合を形成する工程と、
    前記余剰金属箔を取り除く工程とを含む、請求項1から6のいずれか一項に記載の方法。
  8. 前記実質的に透明な層、前記第1封入材、前記第1太陽電池、前記金属箔、前記裏材、及び前記裏側層を結合して、光起電力ラミネートを形成する工程は、硬化、熱硬化、紫外線による硬化、及び光起電力を形成するための標準的積層プロセスの実行からなる群から選択される方法を行う工程を含む、請求項3に記載の方法。
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Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9331221B2 (en) * 2012-04-23 2016-05-03 Empire Technology Development Llc Lift-off layer for separation and disposal of energy conversion devices
US9666739B2 (en) * 2013-06-28 2017-05-30 Sunpower Corporation Photovoltaic cell and laminate metallization
US9818903B2 (en) 2014-04-30 2017-11-14 Sunpower Corporation Bonds for solar cell metallization
US9735308B2 (en) * 2014-09-18 2017-08-15 Sunpower Corporation Foil-based metallization of solar cells using removable protection layer
CN105609584B (zh) * 2014-11-19 2023-10-24 苏州易益新能源科技有限公司 一种太阳能电池组件生产方法
US9620661B2 (en) 2014-12-19 2017-04-11 Sunpower Corporation Laser beam shaping for foil-based metallization of solar cells
US9997651B2 (en) * 2015-02-19 2018-06-12 Sunpower Corporation Damage buffer for solar cell metallization
CN104795465A (zh) * 2015-04-10 2015-07-22 杭州福斯特光伏材料股份有限公司 一种太阳能电池组件的封装方法
US9620655B1 (en) * 2015-10-29 2017-04-11 Sunpower Corporation Laser foil trim approaches for foil-based metallization for solar cells
USD822890S1 (en) 2016-09-07 2018-07-10 Felxtronics Ap, Llc Lighting apparatus
US10115855B2 (en) * 2016-09-30 2018-10-30 Sunpower Corporation Conductive foil based metallization of solar cells
US11908958B2 (en) 2016-12-30 2024-02-20 Maxeon Solar Pte. Ltd. Metallization structures for solar cells
US10775030B2 (en) 2017-05-05 2020-09-15 Flex Ltd. Light fixture device including rotatable light modules
USD833061S1 (en) 2017-08-09 2018-11-06 Flex Ltd. Lighting module locking endcap
USD877964S1 (en) 2017-08-09 2020-03-10 Flex Ltd. Lighting module
USD862777S1 (en) 2017-08-09 2019-10-08 Flex Ltd. Lighting module wide distribution lens
USD872319S1 (en) 2017-08-09 2020-01-07 Flex Ltd. Lighting module LED light board
USD832494S1 (en) 2017-08-09 2018-10-30 Flex Ltd. Lighting module heatsink
USD846793S1 (en) 2017-08-09 2019-04-23 Flex Ltd. Lighting module locking mechanism
USD832495S1 (en) 2017-08-18 2018-10-30 Flex Ltd. Lighting module locking mechanism
USD862778S1 (en) 2017-08-22 2019-10-08 Flex Ltd Lighting module lens
USD888323S1 (en) 2017-09-07 2020-06-23 Flex Ltd Lighting module wire guard
CN112243537A (zh) * 2018-04-06 2021-01-19 太阳能公司 用于基板的激光辅助金属化的系统
WO2019195793A1 (en) 2018-04-06 2019-10-10 Sunpower Corporation Laser assisted metallization process for solar cell stringing
US20190308270A1 (en) * 2018-04-06 2019-10-10 Sunpower Corporation Systems for laser assisted metallization of substrates
US11362234B2 (en) 2018-04-06 2022-06-14 Sunpower Corporation Local patterning and metallization of semiconductor structures using a laser beam
US11646387B2 (en) * 2018-04-06 2023-05-09 Maxeon Solar Pte. Ltd. Laser assisted metallization process for solar cell circuit formation
WO2019195803A1 (en) * 2018-04-06 2019-10-10 Sunpower Corporation Laser assisted metallization process for solar cell fabrication
US10321603B1 (en) * 2018-07-23 2019-06-11 TAS Energy, Inc. Electrical power distribution for immersion cooled information systems
WO2020100528A1 (ja) * 2018-11-13 2020-05-22 株式会社カネカ 太陽電池モジュール及びその製造方法
US11165387B2 (en) 2020-03-03 2021-11-02 Sunpower Corporation Current cyclical testing for PV electrical connections
CN116944724A (zh) 2023-08-09 2023-10-27 晶科能源股份有限公司 电池串的焊接方法以及串焊机

Family Cites Families (48)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6459032B1 (en) * 1995-05-15 2002-10-01 Daniel Luch Substrate structures for integrated series connected photovoltaic arrays and process of manufacture of such arrays
US5972732A (en) * 1997-12-19 1999-10-26 Sandia Corporation Method of monolithic module assembly
US5951786A (en) 1997-12-19 1999-09-14 Sandia Corporation Laminated photovoltaic modules using back-contact solar cells
JPH11243224A (ja) * 1997-12-26 1999-09-07 Canon Inc 光起電力素子モジュール及びその製造方法並びに非接触処理方法
JP2004111464A (ja) * 2002-09-13 2004-04-08 Npc:Kk 太陽電池用のストリング製造装置及び太陽電池モジュール製造方法
JP2006041349A (ja) * 2004-07-29 2006-02-09 Canon Inc 光起電力素子およびその製造方法
US7759158B2 (en) * 2005-03-22 2010-07-20 Applied Materials, Inc. Scalable photovoltaic cell and solar panel manufacturing with improved wiring
DE102006044936B4 (de) * 2006-09-22 2008-08-07 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zur Metallisierung von Solarzellen und dessen Verwendung
US8035028B2 (en) 2006-10-09 2011-10-11 Solexel, Inc. Pyramidal three-dimensional thin-film solar cells
WO2008080160A1 (en) 2006-12-22 2008-07-03 Advent Solar, Inc. Interconnect technologies for back contact solar cells and modules
US8066840B2 (en) 2007-01-22 2011-11-29 Solopower, Inc. Finger pattern formation for thin film solar cells
JP5252472B2 (ja) 2007-09-28 2013-07-31 シャープ株式会社 太陽電池、太陽電池の製造方法、太陽電池モジュールの製造方法および太陽電池モジュール
US20120125256A1 (en) 2007-10-06 2012-05-24 Solexel, Inc. Apparatus and method for repeatedly fabricating thin film semiconductor substrates using a template
JP2009130116A (ja) * 2007-11-22 2009-06-11 Sharp Corp 素子間配線部材、光電変換素子およびこれらを用いた光電変換素子接続体ならびに光電変換モジュール
GB2459274A (en) 2008-04-15 2009-10-21 Renewable Energy Corp Asa Wafer based solar panels
US20100012172A1 (en) * 2008-04-29 2010-01-21 Advent Solar, Inc. Photovoltaic Modules Manufactured Using Monolithic Module Assembly Techniques
JP2011201928A (ja) * 2008-07-29 2011-10-13 Bridgestone Corp 太陽電池用封止膜、及びこれを用いた太陽電池
JP5410050B2 (ja) * 2008-08-08 2014-02-05 三洋電機株式会社 太陽電池モジュール
JP5131847B2 (ja) * 2008-09-09 2013-01-30 シャープ株式会社 太陽電池モジュールおよびその製造方法
EP2422377A4 (en) * 2009-04-22 2013-12-04 Tetrasun Inc LOCALIZED METAL CONTACTS BY LOCALIZED LASER-ASSISTED CONVERSION OF FUNCTIONAL FILMS IN SOLAR CELLS
JP2010287682A (ja) * 2009-06-10 2010-12-24 Mitsui Chemicals Inc 太陽電池モジュール用裏面保護シート
EP2439784A1 (en) * 2009-07-02 2012-04-11 Sharp Kabushiki Kaisha Solar battery cell with wiring sheet, solar battery module, and method for producing solar battery cell with wiring sheet
US20110017266A1 (en) 2009-07-24 2011-01-27 Farrell James F Thin film photovoltaic module having a lamination layer for enhanced reflection and photovoltaic output
TW201106490A (en) * 2009-08-12 2011-02-16 Day4 Energy Inc Method for interconnecting back contact solar cells and photovoltaic module employing same
JP2011054831A (ja) * 2009-09-03 2011-03-17 Sharp Corp バックコンタクト型太陽電池セル、太陽電池ストリングおよび太陽電池モジュール
US20110056532A1 (en) * 2009-09-09 2011-03-10 Crystal Solar, Inc. Method for manufacturing thin crystalline solar cells pre-assembled on a panel
JP2011091327A (ja) * 2009-10-26 2011-05-06 Sharp Corp 太陽電池モジュールおよび太陽電池モジュールの製造方法
CN102110727A (zh) * 2009-11-20 2011-06-29 日立电线株式会社 太阳电池模块,以及太阳电池模块用布线电路板
US8759664B2 (en) * 2009-12-28 2014-06-24 Hanergy Hi-Tech Power (Hk) Limited Thin film solar cell strings
EP2569804A2 (en) * 2010-05-10 2013-03-20 The University of Toledo Rapid thermal activation of flexible photovoltaic cells and modules
CN103038896B (zh) 2010-05-28 2018-02-23 太阳能世界工业有限公司 用于接通和连接太阳能电池的方法和太阳能电池组合体
US20110297208A1 (en) 2010-06-07 2011-12-08 Eurotron B.V. Method for the production of a solar panel and semi-product
US20130000715A1 (en) * 2011-03-28 2013-01-03 Solexel, Inc. Active backplane for thin silicon solar cells
CN102059843A (zh) * 2010-10-19 2011-05-18 张云峰 太阳能电池板层压固化设备
WO2012058053A2 (en) * 2010-10-29 2012-05-03 Applied Materials, Inc. Monolithic module assembly using back contact solar cells and metal ribbon
JP5643620B2 (ja) * 2010-11-29 2014-12-17 デクセリアルズ株式会社 太陽電池モジュール及び太陽電池モジュールの製造方法
US20120234593A1 (en) * 2011-03-18 2012-09-20 Applied Materials, Inc. Conductive foils having multiple layers and methods of forming same
DE102011075352A1 (de) * 2011-05-05 2012-11-08 Solarworld Innovations Gmbh Verfahren zum Rückseitenkontaktieren einer Silizium-Solarzelle und Silizium-Solarzelle mit einer solchen Rückseitenkontaktierung
US20130137244A1 (en) 2011-05-26 2013-05-30 Solexel, Inc. Method and apparatus for reconditioning a carrier wafer for reuse
CN103597915B (zh) * 2011-06-06 2017-05-24 帝斯曼知识产权资产管理有限公司 金属箔图案层叠体、金属箔层叠体、金属箔层叠基板、太阳能电池模块和金属箔图案层叠体的制造方法
DE102011052318B4 (de) 2011-08-01 2014-12-24 Hanwha Q.CELLS GmbH Solarmodul mit Kontaktfolie und Solarmodul-Herstellungsverfahren
WO2013017616A1 (en) * 2011-08-04 2013-02-07 Imec Interdigitated electrode formation
CN102437205A (zh) * 2011-12-08 2012-05-02 常州天合光能有限公司 具有透明前电极的太阳能电池及其组件
US20130160825A1 (en) * 2011-12-22 2013-06-27 E I Du Pont De Nemours And Company Back contact photovoltaic module with glass back-sheet
CN102544167B (zh) * 2012-02-24 2014-07-02 上饶光电高科技有限公司 一种mwt太阳电池组件及其制作方法
CN102709337A (zh) * 2012-04-27 2012-10-03 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 一种背接触太阳能电池片、使用电池片的太阳能组件及其制备方法
US9812592B2 (en) * 2012-12-21 2017-11-07 Sunpower Corporation Metal-foil-assisted fabrication of thin-silicon solar cell
US9666739B2 (en) * 2013-06-28 2017-05-30 Sunpower Corporation Photovoltaic cell and laminate metallization

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