CN102804405A - 包括背接触电池的光伏模块的制造方法 - Google Patents

包括背接触电池的光伏模块的制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN102804405A
CN102804405A CN201080054360XA CN201080054360A CN102804405A CN 102804405 A CN102804405 A CN 102804405A CN 201080054360X A CN201080054360X A CN 201080054360XA CN 201080054360 A CN201080054360 A CN 201080054360A CN 102804405 A CN102804405 A CN 102804405A
Authority
CN
China
Prior art keywords
photovoltaic
layer
substrate
module
photovoltaic cell
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201080054360XA
Other languages
English (en)
Inventor
K·拜尔特
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC
Imec Corp
Original Assignee
Imec Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Imec Corp filed Critical Imec Corp
Publication of CN102804405A publication Critical patent/CN102804405A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/05—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells
    • H01L31/0504—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module
    • H01L31/0516—Electrical interconnection means between PV cells inside the PV module, e.g. series connection of PV cells specially adapted for series or parallel connection of solar cells in a module specially adapted for interconnection of back-contact solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/048—Encapsulation of modules
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L31/072—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier the potential barriers being only of the PN heterojunction type
    • H01L31/0745—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier the potential barriers being only of the PN heterojunction type comprising a AIVBIV heterojunction, e.g. Si/Ge, SiGe/Si or Si/SiC solar cells
    • H01L31/0747—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier the potential barriers being only of the PN heterojunction type comprising a AIVBIV heterojunction, e.g. Si/Ge, SiGe/Si or Si/SiC solar cells comprising a heterojunction of crystalline and amorphous materials, e.g. heterojunction with intrinsic thin layer or HIT® solar cells; solar cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells

Abstract

一种制造光伏模块的方法包括：提供具有前侧的多个光伏衬底(11)；将所述多个光伏衬底(11)附加到透明载体(20)，其中所述光伏衬底(11)的前侧朝向所述载体(20)；以及背侧处理多个光伏衬底(11)以形成光伏电池(21)，其中背侧处理包括单个金属化工艺，用于在所述多个光伏电池(21)背侧处形成到n型区和p型区的电接触，以及用于互连所述光伏模块内的光伏电池(21)。还提供了对应的光伏模块。

Description

包括背接触电池的光伏模块的制造方法
技术领域
本发明涉及一种光伏模块，尤其涉及一种包括薄的背接触光伏电池的光伏模块，例如，厚度小于180微米，以及制造这种光伏模块的方法。
背景技术
业界需要降低晶体硅光伏电池和模块成本，同时需要更高的能量转换效率。
晶体硅光伏模块成本的最重要部分可以归结于所使用硅衬底的成本，使用较薄的晶体硅衬底可以使模块的成本降低。对于较薄的衬底(例如厚度小于180微米的衬底，例如下至5微米)，需要合适的制造工艺，因为与较厚电池相比，薄衬底更易损坏。损坏例如可以是由热应力、机械应力或热-机械的应力引起。在薄衬底处理期间，例如下至5微米厚度的衬底，翘曲变形可以超过处理和工艺设备所允许的最大水平。翘曲例如可以是因为金属化工艺导致的。其例如可以由所沉积层的内建内应力和/或由所用材料(例如硅衬底和金属层)之间的不同TCE(热膨胀系数)导致的热应力所引起。损坏和翘曲都可以实质上影响制造工艺的成品率以及光伏电池和模块的成本。
致使光伏电池和模块成本降低的另一方面在于增加在同一机器运行中处理的硅衬底的数量，因为当处理面积增加时单位面积的工艺成本降低。这个方面具有上限，因为在更大面积上保持均匀会变得愈加困难。
为实现更高的能量转换效率，背接触光伏电池，即具有位于电池背侧的导电电极的光伏电池，会更加利于使用，因为这种类型的电池与具有前侧接触的电池相比没有阴影损耗或实质上较少的阴影损耗。
已经提出了一些用于制造包括背接触光伏电池的光伏模块的方法。例如，US2008/0236655和US5,972,732中提供了一种包括多个互连垫和电导体的背板。背接触光伏电池的导电接触与这些互连垫对齐设置。这些方法具有一些缺点，因为其需要连续制造并且对齐若干金属化层，这意味着巨大的成本和在使用中的失效风险。而且，在薄的背接触太阳能电池的情况下，考虑到衬底的脆性，在接触工艺期间光伏电池所经历的热应力和机械应力是关键。光伏电池的金属接触之间的中间接触材料(例如焊料或导电粘结剂)和背板上的导体可能是高局部应力的来源。
专利申请US2008/0160661揭示了一种利用层转移技术来形成光伏电池结构的方法，其中在将材料层(薄片)耦合到光学透明衬底之后，通过受控切割将其从半导体衬底移除，其中光伏电池从该转移层制得。该方法包括提供多个单晶硅薄片；在通常的工艺卡盘上支撑这多个薄片；在多个被支撑薄片的每一个上形成一个或多个光伏区；将多个薄片的每一个耦合至光学板；并且在多个薄片的每一个上形成一个或多个接触区。该方法具有所给定的光伏模块中的所有薄片能够被同时处理的优点，从而改善产出并且降低制造模块的成本。该方法例如可以用于形成包括薄的背接触光伏电池的光伏模块。
发明内容
本发明的目的是提供一种包括多个光伏电池的良好光伏模块。
上述目的通过根据本发明的方法和器件来完成。
本发明的一方面涉及一种制造光伏模块的方法，例如，包括背接触光伏电池(例如硅背接触光伏电池)的光伏模块，其中与现有技术中的方法相比，工艺步骤的数量得到减少。减少工艺步骤的数量可以致使成本降低和产出增加。本发明的方法可以用于制造包括薄的背接触光伏电池的光伏模块，与现有技术方案相比具有减小的翘曲和/或损坏的风险。本发明的实施例中，多个光伏电池的背侧处理在模块级下进行并且单个金属化工艺用于形成电池的金属接触和用于互连模块内的电池。
一种根据本发明实施例的制造光伏模块的方法包括：提供具有前侧的多个光伏衬底(例如具有经处理的前侧的衬底)；将多个光伏衬底附加到透明载体上，其中光伏衬底的前侧朝向载体；以及对多个光伏衬底进行背侧处理以形成光伏电池，其中背侧处理包括单个金属化工艺，用于在多个光伏电池背侧处形成到n型区和p型区的电接触以及用于互连光伏模块内的光伏电池。
在本发明的实施例中，衬底可以是硅衬底，例如薄的硅衬底(例如薄于180微米、薄于150微米、薄于100微米、薄于80微米、薄于60微米、薄于50微米、或薄于40微米、下至5微米)。光伏电池可以是背接触光伏电池。
用于在多个光伏电池背侧处形成到n型区和p型区的电接触以及用于互连光伏电池的单个金属化工艺(或合并金属化步骤)可以包括形成图案化籽层和进行镀金属步骤。可选的，合并金属化步骤可以包括使用低温固化的金属膏的丝网印刷步骤。在特定实施例中，可以提供应力释放结构用于减小或限制光伏电池之间的金属互连中的应力。
根据一个方面的方法进一步包括封装多个光伏电池。
根据本发明实施例的方法，背侧处理可以在将多个光伏衬底附加到透明载体之后进行。背侧处理可以包括以下背侧处理步骤的一个或多个：涂布、掺杂剂扩散、层的沉积、蚀刻、应用光刻步骤、局部去除部分沉积层、至少一个外延层的生长、印刷步骤。
根据本发明中的实施例，背侧处理可以在足够低的温度下实施以防止所用材料的劣化。
在第二方面，本发明提供一种包括电互连的多个光伏电池的光伏模块，其中单个金属化级(metallization level)用于在多个光伏电池背侧处制作到n型区和p型区的电接触以及用于电互连模块内的光伏电池。在特定实施例中，单个金属化层可以包括层的堆叠。
单个金属化级可以具有小于0.1Ohm cm2的光伏电池n型和p型区等效接触电阻，例如在1mΩcm2和0.1Ωcm2之间，但不限于此。
在根据本发明实施例的光伏模块中，多个光伏电池可以附加到透明载体上。透明载体可以是柔性载体。
在又一方面，本发明提供运用根据第一方面实施例的方法来制造包括背接触光伏电池的光伏模块。这种方法的使用的优势在于仅需要有限数量的处理步骤来完成光伏模块的制作。
本发明的特定和优选方面在所附的独立和从属权利要求中陈述。从属权利要求的特征可以与独立权利要求和其他从属权利要求的特征适当组合，而不仅仅是权利要求中所明确陈述的。
为总结某些发明方面和在现有技术上获得的优势，以上描述了本发明的某些目的和优势。当然，应当理解通过本发明的任意具体实施例并不一定能够实现所有目的或优势。因此，例如，本领域技术人员会意识到，本发明可以通过达到或优化本文所教导的优点中的一个或一组的方式来实现或实施，而没有必要达到本文所教导或建议的其他的目的或优点。进一步，应当理解，本概述仅是示例，而不旨在限制本发明的范围。关于结构和操作方法连同其特征和优点，本发明在与附图结合阅读时可以通过参考下述的详细描述来更好地理解。
附图简要说明
图1至图4示出根据本发明的一个实施例的光伏模块制作方法的工艺步骤。
图5示出根据本发明实施例将光伏衬底部分嵌入到粘结层。
图6至图8示出根据本发明实施例的利用合并金属化的光伏模块制作方法的工艺步骤。
图9示出根据本发明实施例的模块制作工艺中为合并金属化步骤提供籽层之后的结构的俯视图。
图10至图14示出根据本发明实施例的可在模块级进行的背侧处理步骤的示例性序列。
图15示出根据本发明实施例提供的用于减小或限制光伏电池金属互连中应力的应力释放结构。
在不同附图中，相同的附图标记指代相同或类似的元件。权利要求中的任何附图标记将不解释为限制范围。
具体实施方式
在下述详细描述中，阐明众多具体细节以提供对本发明的透彻理解以及其在具体实施例中如何实行。但是，应当理解，本发明的实施例可以在没有这些具体细节的情况下实行。在其它的实例中，将不会详细描述众所周知的方法、流程和技术，以不混淆本发明的教导。虽然参考具体实施例和参考特定附图对本发明进行描述，但是本发明并不限于此。文中包括和描述的附图是示意性的而并不限制本发明的范围。也应当注意到在附图中，一些元件的尺寸可能是放大的，为了说明目的没有按比例绘制。
进一步的，描述中的术语第一、第二、第三等用于类似元件之间的区分并且没有必要用于临时地、在空间上、排序上的还是其它方式描述顺序。应当理解所使用的术语在适当情况下是可互换的，并且本文所描述的发明实施例能够以除本文所描述或说明之外的其它顺序操作。
此外，在描述中的术语顶部、底部、在……之上、在……之下等用于描述目的，而不一定用于描述相对位置。应当理解，所使用的术语在适当情况下是可互换的，并且本文所描述的发明实施例能够以除本文所描述或说明之外的其它取向操作。
应当注意术语“包括”不应当解释为限制在之后所列举的部件；它不排除其他的元件或步骤。因此其解释为具体说明指定特征、整数、步骤或所引用部件的存在，但是不排除一个或多个其他特征、整数、步骤或部件、及其组合的存在或增加。因此，“器件包括装置A和B”表达的范围应当不仅限于仅由部件A和B组成的器件。
在本发明的上下文中，光伏电池或光伏模块的前表面或前侧是适合于朝向光源从而用于接收照射的表面或一侧。光伏电池或光伏模块的背表面、后表面、背侧或背面是与前表面或前侧相对的表面或一侧。
在本发明的上下文中，“光伏衬底”用于指示已经在其上执行用于形成光伏电池的前侧处理而尚未完成用于形成光伏电池的背侧处理的衬底。前侧处理是指在形成光伏电池的工艺中在衬底前侧进行的所有工艺步骤。背侧处理是指在形成光伏电池的工艺中在衬底背侧进行的所有工艺步骤。
在本发明的上下文中，背接触电池是包括至少在电池背侧处到n型区和p型区的电接触的电池。
现将通过多个实施例的详细描述来描述本发明。应当清楚，本发明的其他实施例可以根据本领域技术人员的知识进行配置而不偏离本发明的真实精神或技术教导，本发明并不受此限制。
本发明的一个实施例涉及一种用于制作光伏模块的方法，例如，包括背接触光伏电池(例如硅背接触光伏电池)的光伏模块，其中与现有方法相比工艺步骤的数量得到减少。减少工艺步骤的数量可以致使成本降低和产出增加。本发明的方法可以用于制作包括薄的(例如薄于180微米、薄于150微米、薄于100微米、薄于80微米、薄于60微米、薄于50微米、或薄于40微米、下至5微米)背接触光伏电池的光伏模块，与现有技术方案相比具有减小的翘曲和/或损坏的风险。
虽然本方法进一步描述硅光伏电池的情况，该光伏电池可以是硅电池、锗电池、或采用或从任何其他合适半导体材料制成的电池。
对于在电池同一侧具有n型和p型接触的光伏电池(例如在电池的背侧)，两种类型的电池接触可以使用单个金属化步骤形成。当这些电池结合到光伏模块中时，需要模块级的金属化步骤来将电池彼此电连接。可选的，可以提供模块级互连垫，例如在背板上，并且光伏电池可以置于该背板上，其触点与互连垫完全对齐。在这些现有方法中，在制造具有背接触光伏电池的光伏模块的工艺中使用两个不同的金属化步骤：形成到光伏电池n型和p型区的电接触的第一金属化步骤或工艺和将模块内光伏电池彼此电连接的第二金属化步骤或工艺。
本发明的一个实施例涉及一种用于制作包括背接触光伏电池的光伏模块的方法，其中与现有技术方案相比工艺步骤的数量进一步减少。工艺步骤数量的减少是通过合并不同的步骤来获得，特别是通过合并不同的金属化步骤，例如，通过合并形成光伏电池的p型和n型区的电接触的步骤(包括分别相互电连接光伏电池中的n型区、p型区)，以及形成电池与电池间互连以形成光伏模块的步骤。该合并金属化可以例如是在将多个光伏衬底转移或固定到载体上之后进行，载体例如是刚性载体。该方法可以有利地用于制造包括薄的背接触光伏电池的模块，例如厚度在5微米和180微米范围之间，例如厚度在5微米和100微米范围之间，例如是在40微米和60微米之间。通过在进行金属化步骤之前将该薄的光伏衬底附加到刚性载体，可以避免晶片翘曲。在本发明的实施例中，除了背侧金属化，其他背侧处理步骤，例如涂布和杂质扩散、层(例如介电层或非晶半导体层)的沉积、蚀刻(例如蚀刻硅以纹理化)、应用光刻步骤、(例如通过激光烧蚀)的局部去除(部分)已沉积层、表面钝化、外延层生长、印刷步骤等，可以在将光伏衬底转移和附加到载体之后执行，载体例如是刚性载体。对于薄衬底，这将会致使损坏风险减少。
在本发明的实施例中提供一种具有合并金属化的光伏模块，例如一个金属化级用于在光伏电池背侧处制作到n型区和p型区的电接触(同时电连接光伏电池内的n型区和电连接光伏电池内的p型区)以及用于电连接模块内的光伏电池，例如电连接一个电池的n型区到另一个电池的p型区。换言之，单个金属化步骤或工艺用于同时形成到至少两个(例如多个)光伏电池的n型区和p型区的电接触以及用于将一个光伏电池的n型区电连接到另一个光伏电池的p型区，例如相邻的光伏电池。
该单个金属化级可以包括层的堆叠。其可以具有到光伏电池的n型和p型区的良好等效接触电阻，例如小于0.1Ohm cm2。这可以通过在半导体表面(n型和/或p型材料的表面)使用与n型和p型层具有良好电接触的材料(诸如Ti、TiN、Ta、TaN、NiSi、硅化物、自对准多晶硅化物或本领域技术人员所知的任何其他合适的材料)获得。此外，该单个金属化级可以具有高电导率，例如在3×106S/m和6×107S/m之间，在8×106S/m和6×107S/m之间，例如使用具有良好电导性的材料(诸如Cu)来形成电连接和/或通过将金属化制作得足够厚(例如10微米或更厚)。可以在低温下进行背侧处理，例如在足够低以防止所使用材料(载体或顶衬层(superstrate)，粘结层，封装层，…)劣化并且防止钝化表面和体材料钝化特性劣化的温度下。例如可以在低于250℃的温度下处理。背侧金属化的纵横比可以在0.1到100之间的范围内。单个金属化级可以包括层堆叠，同时提供与光伏电池的n和p区的良好接触和光伏电池之间的良好电互连。对于背侧金属化，可以使用允许直接图案化的方法。例如，这种方法可以包括提供籽层，例如通过金属喷射或通过薄膜沉积和图案化，随后的电镀步骤，或者其可包括使用能够在低温下固化的金属膏的丝网印刷步骤。
根据本发明实施例的制造具有合并金属化步骤的光伏模块的方法如图1至图4所示。
在第一步骤中，提供多个半导体衬底，诸如硅衬底，例如薄硅衬底10(图1)。薄硅衬底10可以通过公知方法形成，诸如EP1858087中描述的方法、US7,022,585或US6,649,485和US6,964,732中揭示的方法、根据US2008/0160661的方法或本领域技术人员所知的任何其它合适的方法。
前侧处理可以在例如在形成薄硅衬底10(例如在从厚硅晶片或例如从晶锭中剥离薄硅片)之前执行。可选的，前侧处理可以在形成薄硅衬底10之后形成。在这种情况下，在前侧处理期间该薄衬底10优选地置于支撑体上，例如临时支撑体。前侧处理是指用于形成光伏电池的过程中在多个衬底10的前侧执行的所有工艺步骤。前侧处理例如可以包括表面纹理化和/或提供前侧场和/或提供抗反射涂层。前侧处理可以同时在多个衬底上进行。
前侧处理之后，将具有经处理前侧的多个硅衬底(进一步称为光伏衬底11)转移并附加到透明载体20或顶衬层，例如通过粘结层12，使光伏衬底11的前侧(即已处理侧)面向透明载体20。这如图2所示。在前侧处理之后(背侧处理之前)就将光伏衬底11附加到透明载体20的优点是背侧处理可以同时对所有衬底11进行。此外，尤其对易碎的薄衬底11，在其安装到顶衬层20后操作和处理期间保护其不破裂，这是有利的。
在最终的光伏模块中，透明载体20可以充当前侧模块层或作为“顶衬层”。该透明顶衬层例如可以是玻璃顶衬层、陶瓷顶衬层、塑料或聚合物顶衬层。该顶衬层的TCE可以足够接近用于光伏衬底11的半导体衬底的TCE。“足够接近”意思是“在同一数量级”，例如低于10ppm/K；例如，在硅衬底的情况下该顶衬层可以是TCE为8ppm/K的苏打-石灰(soda-line)玻璃。该顶衬层可以足够刚性以为光伏模块提供机械强度，例如足够刚性用于户外应用的平坦模块。进一步的，其可以与后续处理步骤兼容，例如与在后续处理步骤中所使用的温度和/或化学品兼容。该顶衬层同时也在现场操作器件的环境中对元件提供保护，诸如湿度、温度、冰雹或砂砾的影响、UV线、酸雨、脏污和清洗剂。
在本发明的实施例中，该顶衬层可以是柔性顶衬层。在这种实施例中，可以通过使用对称层构建而使其TCE接近半导体衬底的TCE的要求放松，例如通过在光伏模块的背侧提供与顶衬层类似的层用于补偿由光伏衬底11前侧的顶衬层引起的TCE相关应力。可以在顶衬层上，例如柔性顶衬层上，提供附加的阻挡层以在现场操作环境中对元件提供足够的保护。
根据本发明实施例将多个硅光伏衬底11转移和附加到顶衬层20的过程可以如下所述。首先将，对光伏衬底11和透明顶衬层20都具有良好粘附性的粘结层12(例如硅层)施加到顶衬层20上或薄光伏衬底11的前侧上或在透明顶衬层20和光伏衬底11的前侧上。设置粘结层12可以通过本领域技术人员所知的方法进行，例如通过刮涂、喷涂、滚筒刮刀涂布、浸涂或诸如扩散和凹版印刷之类的印刷技术、或通过层压。接下来将多个光伏衬底11(其中仅进行了诸如纹理化之类的前侧处理、设置抗反射涂层等)置于顶衬层20上(其间具有粘结层12)，将多个光伏衬底11的前侧朝向顶衬层20，使得光伏衬底11的背侧或后侧依然可用于对该侧的处理。可以通过本领域技术人员所知的方法(“晶片放置”)进行结合但是与晶片到晶片接合器的特征相适合(诸如应用压力、温度和以及用于避免气泡的方法)。
光伏衬底11的前侧和顶衬层20之间的气泡可能会在放置步骤中引入，而且可能会引起光伏模块的性能损失。因此需要在光伏衬底11和顶衬层20之间避免形成任何气泡，因为光伏电池和顶衬层之间的气泡会引起光散射和不匹配界面，从而减小能够到达光伏电池前侧的能量。为避免气泡，存在不同的可能途径。一种方式可以是在低压或真空腔中进行放置，其中腔内的压强足够低以避免气泡并且其中腔体和卡盘之间的压强差足够大以拾取光伏衬底，但是足够低以避免衬底的碎裂。另一种避免气泡的方法可以使用曲线卡盘或与顶衬层20并不完全平行的卡盘或者通过在放置到顶衬层20之前预弯曲光伏衬底11。这样，光伏衬底11的一点首先到达粘结层12的表面，然后逐渐朝着光伏衬底11的边缘压走空气，直到光伏衬底11完全与粘结层12的表面接触。可以使用的另一个技术包括在顶衬层20上将要放置光伏衬底11中心的位置分散多个胶点。这个技术可以例如是将光伏衬底11附加到临时支撑载体或支撑衬底(例如US7,022,585)或原始衬底(例如EP1858087)的情况下使用。在转移和附加到顶衬层20之后，可以移除支撑衬底或临时支撑载体。
在本发明的实施例中，可以将光伏衬底11压进粘结层12中，使最终结构(尤其是在光伏衬底11一侧的步骤中)的形貌得到减少或消除。这如图5所示。
当光伏模块处于使用中时，由于光将穿过顶衬层20并且穿过粘结层12，两者优选地都对能被光伏电池吸收的光波长是透明的，并且顶衬层20和粘结层12可以具有匹配的折射率以最小化反射。粘结层12可以不会被照射光降解，而且可以具有在光伏电池(特别是光伏电池的顶层，例如抗反射涂层)和模块顶衬层20之间匹配的折射率。粘结层12可以具有足够接近光伏衬底11的半导体材料和顶衬层20材料的TCE的TCE，并且相比于所述半导体材料和所述顶衬层材料，可以具有高弹性(允许应力释放)。这种层的示例是旋涂玻璃、硅树脂和环氧树脂。例如，可以使用硅树脂PV6010电池封装作为粘结层12。这个材料具有高透明度和高介电强度以及低E×TCE乘积，其中E是杨氏模量以及TCE是热膨胀系数。因此所得到的粘结层12可以非常软，其有利于用于低应力嵌入。其也可以具有很好的自填充和防潮特征。为本领域技术人员所知的具有合适特性的其他材料也可用于形成粘结层12。
在将多个光伏衬底11附加到顶衬层20上之后，可以在光伏衬底11侧面提供封装层13，例如至少在光伏衬底11之间，选择性地在光伏衬底11背侧的顶部之间，如图3和4所示。在本发明的特定实施例中，光伏衬底11背侧处理的至少一部分可以在提供封装层13之前进行。在本发明的实施例中，可以在模块级(即同时对模块内的多个光伏衬底11)进行多个光伏衬底11的背侧或背侧处理以形成光伏电池。背侧处理可以例如包括涂布和杂质扩散、层(例如金属层、介电层和/或半导体层)的沉积、蚀刻(例如用于纹理化的硅蚀刻步骤、光刻步骤)、(例如通过激光烧蚀或蚀刻)局部去除沉积层的一部分、外延层生长、涂布封装层以及(例如通过激光烧蚀)形成朝向电池的通孔、和/或背侧金属化。
例如，在背侧处理中，可以形成基极-发射极结。这可以通过不同的技术达到，诸如掺杂或直接沉积发射极层，例如掺杂的PECVD非晶硅层。在本发明的实施例中，在提供封装层13的步骤之前形成基极-发射极结是有利的。可能的附加工艺步骤包括在发射极层中提供与下面基极层接触的窗口，沉积和图案化绝缘层和在基极接触处形成背侧表面场。可以选择工艺条件使得背侧处理不对结构的其他层(诸如粘结层)造成负面影响。例如，背侧处理步骤可以在与该结构(诸如顶衬层20、粘结层12和封装层13)不同材料相兼容的温度下进行。例如，背侧处理可以在低于200℃的温度下进行。在附图中，在(至少)部分背侧处理之后的光伏衬底由附图标记21表示。
可以在工艺的这个阶段执行的背侧处理步骤示例在图10至图14中示出。例如，如图10所示，光伏衬底11可包括第一掺杂类型的薄半导体衬底(例如具有纹理化前表面(未示出)的薄n型晶体硅衬底10)，具有在前表面处用于提供前表面场、具有比所述第一掺杂类型的半导体衬底高的掺杂剂浓度的第一掺杂类型区(例如n+区30)，以及在前表面处的抗反射涂层40。在将多个光伏衬底11附加到顶衬层20之后(如图2和图10所示)，以及在执行清洁步骤之后，第二掺杂类型的半导体层(例如p+非晶硅层31)可以通过任何合适的方式沉积在光伏衬底11的背侧，例如通过PECVD，以形成发射极层，从而提供具有硅衬底10(作为基极层)的半导体结。如所示示例中，发射极层31是p型非晶硅层以及基极层是n型晶体硅衬底10。但是，在其他的实施例中，发射极层可以为n型非晶硅层以及基极层可以是p型晶体硅衬底。在下一步骤中，如图12所示，电绝缘层32(例如介电层，诸如氧化硅层或氮化硅层或硅树脂层)可以通过任何合适的方式(例如通过PECVD)设置在发射极层31上。接着可以执行蚀刻步骤用于局部去除介电层32和非晶半导体发射极层31，从而打开朝向下面基极层10的至少一个窗口(图13)。这个图案化步骤可以通过利用聚合物掩膜层和利用蚀刻介电层32和非晶硅半导体层31的蚀刻剂来执行。第一掺杂类型的非晶半导体层(例如n+非晶硅层33)可以通过任何合适的方式(例如通过PECVD)至少沉积在提供朝向基极层10的至少一个窗口的位置处，以在基极中创建背表面场。接着这个第一掺杂类型的非晶半导体层(例如n+非晶硅层33)和下面的介电层32被图案化以提供朝向下面发射极层31的开口。所得结构如图14所示。
在将多个光伏衬底11附加到顶衬层20上之后，以及例如在进行至少部分的背侧处理之后，可以在光伏衬底的背侧上提供封装层13，如图3所示。提供封装层13可以通过本领域技术人员所知的方法进行，例如刮涂、喷涂、滚筒刮刀涂覆、浸涂或通过诸如分散和凹版印刷的印刷工艺、或通过层压。在一些实施例中封装层13也可用于提供图12所示的电绝缘层32。
在工艺的这一阶段，光伏衬底11、21可以完全嵌入，但是必须进行背侧处理的至少一部分，例如背侧接触仍需形成以及电池仍需要进行电互连。因此，多个光伏衬底表面11、21的背表面需要清除，例如封装层13需要从多个光伏衬底的背侧去除。这可以用任何合适的方式进行，例如通过用CO2激光进行激光烧蚀。可以选择工艺条件使得光伏衬底11、21的表面不被破坏。
可选的，提供图案化的封装层13，例如可以仅在光伏衬底11、21之间的区域提供封装层13，例如通过丝网印刷、分散、喷射或喷涂，藉此可以避免在提供封装层13之后对多个光伏衬底11、21的背表面进行清除。
提供封装层13之后可以进行固化步骤用于硬化粘结层12和封装层13。该固化步骤例如可以包括在炉内加热到80℃。图4示出工艺的这一阶段中的结构。图案化封装层13可以覆盖光伏衬底11、21的侧壁，藉此避免后续金属化步骤导致的光伏电池n型区和p型区之间的短路。可以在光伏衬底11、21之间将应力释放特征结合到图案化封装层13中，诸如用于提供曲折互连的凸块或孔。这如图15所示，通过提供应力释放特征，在热机械循环过程中在封装层13顶部的电互连16会受到较少的应力。
在可替代实施例中，代替提供图案化封装层13，光伏衬底11可以压入粘结层中，例如胶层12，使得额外的胶填充光伏衬底11之间的区域并且充分覆盖光伏衬底的侧壁。
在下一步骤中，根据本发明的实施例，向多个光伏衬底21设置具有合适图案的电接触，例如用于形成基极和发射极接触的手指图案，以及同时在同一个步骤中，不同的光伏电池被互连(由此形成光伏模块)。对于这个单个或合并金属化步骤，需要不导致下面任何层的降解的工艺。这意味着工艺温度需要足够低，并且有利地避免在处理期间任何通过降解物质辐射或轰击。该单个金属化步骤可以导致与光伏电池的p型和n型区的低欧姆接触电阻，例如低于0.1Ohm cm2的欧姆接触电阻，例如在1mΩcm2和0.1Ωcm2之间，并且可以允许形成具有低欧姆串联电阻的电池互连(以最小化电压损失和焦耳热)，例如在1mΩ和10mΩ之间，例如在1mΩ和5mΩ之间，以及形成良好的阶梯覆盖(例如在光伏衬底的侧面上)。此外期望对下层表面(光伏衬底、封装层)的良好粘结。可以使用允许直接图案化的方法。例如，可以使用丝网印刷的聚合物膏(例如Solamet PV410)，或者形成籽层，随后进行电镀步骤，或者可使用蒸发或溅射工艺。
例如，可以应用薄籽层，例如通过喷射印刷，以及后续的电镀可以用于增加金属化的纵横比。电镀可以提供比真空薄膜技术便宜的工艺，以及可以比低温固化Ag膏的丝网印刷提供更高的纵横比和较低的电阻。此外，当使用Cu电镀时，这会避免可能的未来花费和与Ag相关的供给问题。
图6和图8示出根据本发明实施例的具有合并金属化的光伏模块制作工艺的工艺步骤。在所示示例中，在光伏衬底11、21完全嵌入到封装层13中之后(如图3所示)，可以在封装层13的顶部提供吸收层14(图6)。该吸收层14例如可包括非晶硅或其他合适的材料，诸如氧化硅或氮化硅。这将作为在工艺的稍后阶段中进行的籽层图案化步骤的缓冲。提供吸收层14是可选的，例如该工艺也可以在不提供吸收层的情况下进行。
然后对多个光伏衬底的背侧进行清除，例如移除在光伏衬底11、21所在的位置上的封装层13。这可以用任何合适的方式进行，例如通过用CO2激光进行激光烧蚀。可以选择工艺条件使得光伏衬底11、21的背表面不被破坏。例如，这个工艺步骤的可行性通过使用功率为136mW、频率为100Hz以及通量为2.1J/cm2的激光在实验上进行验证。取决于封装层13的厚度，例如需要10至60激光脉冲以完全将封装层从光伏衬底上移除。所得结构如图7所示。
接着，光伏衬底11、21的背侧可以如上文所述地被进一步处理，并且可以执行根据本发明的合并金属化步骤。在不提供吸收层14的情况下执行模块制作工艺的实施例中，根据本发明实施例的合并金属化步骤可以在如图4所示的结构上进行。在使用吸收层14的实施例中，合并金属化步骤可以在如图7所示的结构上进行。
对于形成金属化层，首先可以在吸收层14上(或在没有使用吸收层的实施例中直接在封装层13上)提供图案化籽层15。这如图8所示。图9示出在模块制作工艺的这个阶段中所获得的结构的俯视图，示出示例籽层图案。可以使用其他合适的籽层图案，例如取决于所需的导电性、表面复合因素或用电接触作为反射器(在这种情况下尽量多的覆盖是有利的)。
提供籽层15可以包括直接提供图案化层，例如通过诸如喷墨或气雾喷射(aerosol jetting)之类的印刷技术。可选的，提供籽层15可包括在整个表面上提供层，例如通过诸如蒸镀或溅射(例如Ti、Cu、Ni、…)的薄膜技术，接着通过图案化步骤。这个图案化步骤例如可以通过激光烧蚀进行。使用具有能够被籽层15尽可能多地吸收的波长的激光，但是该波长仅能最小化地影响封装材料13。本文前面沉积的吸收层14可以作为保护光伏电池和保护嵌入材料的层，其中图案化提供电池间的互连。实验显示YAG激光或另一个UV激光可以用于图案化籽层15。
利用Trumark激光(355nm)进行实验。为了寻找合适范围的激光参数，使用用于具有不同功率设置(10至100％最大功率)和脉冲频率(10kHz至100kHz)的激光烧蚀的测试基质以形成激光烧蚀图案。对于这些实验，评价不同的金属层和不同的衬底：在抛光Si上的Ni、在粗糙(as-cut，原切割)Si上的30nm厚的Ti、在硅树脂上的30nm厚的Ti、在粗糙硅上的40nm厚的a-Si/Ti叠层、以及在硅树脂上的40nm厚的a-Si/Ti叠层。对抛光硅上的Ni以及粗糙硅上的Ti和a-Si/Ti获得良好的结果。而且，在硅树脂上的金属的激光烧蚀结果表明图案化金属层而不显著破坏下层硅树脂的可能性。这似乎存在宽泛范围的参数，其中该金属可以在硅树脂受影响之前被烧蚀。用下述在宽泛范围周围变化的激光功率和频率可以获得良好的结果：在10kHz下最大功率的30％、在10-20kHz下最大功率的40％、在20-30kHz下最大功率的50％、在30-40kHz下最大功率的60％、在40-50kHz下最大功率的70％、在50-60kHz下最大功率的80％、在60-70kHz下最大功率的90％、在70-80kHz下最大功率的100％，用于在硅(Si)顶层的Ni的烧蚀。硅树脂上Ti的烧蚀实验显示在硅树脂顶上烧蚀时需要较少的功率：下述可以获得良好结果，使用在10kHz下最大功率的10-20％、在20kHz下最大功率的30％、在20-30kHz下最大功率的40％、在40-50kHz下最大功率的50％、在50-60kHz下最大功率的60％、在70-80kHz下最大功率的70％、在80-90kHz下最大功率的80％、在90-100kHz下最大功率的90％、在100kHz下最大功率的100％。脉冲的数量不会强烈影响所获得的结果。但是，在同一点的多个连续脉冲的情况下，加热可能会影响所获得的结果。在另一方面，考虑到良好的工艺控制和取决于根据每脉冲功率的激光稳定性，在较低功率水平下使用多个脉冲相比于在较高功率水平下使用一个脉冲是有益的。
籽层15可提供到n型和p型半导体层的低欧姆接触，例如到光伏电池的n型和p型区。如果沉积工艺没有降解任何下层(例如嵌入材料和电池表面)，并且籽层15可以很好的粘结到这些下层，这是有利的。
接下来，电镀步骤可以作为背侧金属化工艺的一部分进行。例如，从Ti/Cu(30nm/150nm)籽层15开始，可以通过电镀工艺提供Cu层。
此后，可以提供外部模块接触，例如通过将条带焊接、胶合或焊接固定(welding tabbing)(例如涂覆Sn的Cu条)到背侧金属化的预定区。最后，可以在模块的背侧施加另一封装层，例如用于保护金属化不被腐蚀。该封装层可以很好的粘合到光伏电池、粘附层12和金属化层，并且具有保护整个组件不受环境(主要是湿度和热诱导应力)的影响的主要功能。取决于嵌入电池和金属化的散热，它也可以作为散热器，在这种情况下高热导性是有利的。例如，可以使用硅树脂层，例如PV 6010电池封装层。这个层需要针对光伏电池所典型遭受的大气环境为光伏电池提供完全保护。作为典型的要求，该光伏模块必须经受IEC 61215或IEC 61646所描述的测试。而且，该封装层应该易于在模块接触的位置移除。合适的封装层是可以通过涂布(例如刮涂)或层压施加的硅树脂，并且其中开口(通孔)可以通过例如激光烧蚀来形成。
在本发明的实施例中，外部模块接触同样可以提供在顶衬层20上，取代在封装层13上，例如以便避免在接触焊接过程中对金属化层的压力。这会需要用于打开朝向顶衬层的窗口的附加步骤，例如通过激光钻孔。
考虑到热循环期间互连图案的可靠性，可以使用高级的应力释放技术。例如，可以在多个光伏电池之间提供曲折的金属互连(例如图15中所示的水平曲折或垂直曲折)。
以上详细描述了本发明的某些实施例。但是应当明白，不管上文如何详细，本发明可以用许多不同的方式来实施。应该注意，描述本发明的某些特征或方面时所使用的特殊术语不应用来暗示该术语在文中是重新定义以使其限制于包括与该术语相关联的本发明的特征或方面的任何具体特征。
虽然以上详细描述给出、陈述、或指出了应用到不同实施例中的本发明的创新性特征，但是应当理解本领域技术人员可以对所示器件或工艺的形式和细节做出各种省略、替换和改变而不偏离本发明的精神。

Claims (14)

1.一种制造包括多个光伏电池的光伏模块的方法，所述方法包括：
提供具有前侧的多个光伏衬底(11)，
将所述多个光伏衬底(11)附加至透明载体(20)，其中所述光伏衬底(11)的前侧朝向所述载体(20)，以及
背侧处理所述多个光伏衬底(11)以形成光伏电池(21)，
其中背侧处理包括单个金属化工艺，用于在所述多个光伏电池(21)背侧处形成到n型区和p型区的电接触以及用于电互连所述光伏模块内的所述光伏电池(21)。
2.如权利要求1所述的方法，其中所述单个金属化工艺包括形成图案化籽层(15)和进行镀金属步骤。
3.如权利要求1所述的方法，其中所述单个金属化工艺包括执行使用低温固化金属膏的丝网印刷步骤。
4.如前述权利要求中任一项所述的方法，进一步包括提供用于限制光伏电池间金属互连中应力的应力释放结构。
5.如前述权利要求中任一项所述的方法，进一步包括封装所述多个光伏电池(21)。
6.如前述权利要求中任一项所述的方法，其中在将所述多个光伏衬底(11)附加到所述透明载体(20)之后执行背侧处理。
7.如权利要求6所述的方法，其中背侧处理进一步包括下述背侧处理步骤中的一个或多个：涂布、掺杂剂扩散、层沉积、蚀刻、应用光刻步骤、局部去除沉积层的一部分、生长至少一个外延层、印刷步骤。
8.如前述权利要求中任一项所述的方法，其中在足够低的温度下实施背侧处理以防止所用材料的劣化。
9.一种光伏模块，包括被电互连的多个光伏电池(21)，
其中单个金属化级用于在所述多个光伏电池(21)背侧处制作到n型区和p型区的电接触，以及用于电互连所述模块内的光伏电池(21)。
10.如权利要求9所述的光伏模块，其中所述单个金属化级包括层堆叠。
11.如权利要求9或10中任一项所述的光伏模块，其中所述单个金属化级具有小于0.1Ohm cm2的到所述光伏电池(21)的n型和p型区的等效接触电阻。
12.如权利要求9至11中任一项所述的光伏模块，其中所述多个光伏电池(21)附加到透明载体(20)。
13.如权利要求12所述的光伏模块，其中所述透明载体(20)是柔性载体。
14.使用如权利要求1至8中任一项所述的方法制作包括背接触光伏电池(21)的光伏模块。
CN201080054360XA 2009-11-30 2010-11-29 包括背接触电池的光伏模块的制造方法 Pending CN102804405A (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US26525509P 2009-11-30 2009-11-30
US61/265,255 2009-11-30
PCT/EP2010/068423 WO2011064368A1 (en) 2009-11-30 2010-11-29 Method for manufacturing photovoltaic modules comprising back-contact cells

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN102804405A true CN102804405A (zh) 2012-11-28

Family

ID=43881157

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201080054360XA Pending CN102804405A (zh) 2009-11-30 2010-11-29 包括背接触电池的光伏模块的制造方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US20120298172A1 (zh)
EP (1) EP2507839B1 (zh)
CN (1) CN102804405A (zh)
WO (1) WO2011064368A1 (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI552360B (zh) * 2015-03-27 2016-10-01 茂迪股份有限公司 太陽能電池
CN108183140A (zh) * 2018-01-22 2018-06-19 卢泰 一种用于柔性薄膜太阳能电池的金属电极及其制作方法
CN109950351A (zh) * 2019-03-19 2019-06-28 天津三安光电有限公司 一种可弯折柔性太阳电池及其制备方法

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB201115223D0 (en) * 2011-09-02 2011-10-19 Dow Corning Method of fabricating solar modules
DE202011052268U1 (de) * 2011-12-12 2012-01-25 Sitec Solar Gmbh Halbzeug für ein Modul mit einer Zelle aus photoaktivem Material
EP2757593B1 (en) * 2013-01-17 2018-10-17 ATOTECH Deutschland GmbH Plated electrical contacts for solar modules
JP6397273B2 (ja) * 2013-10-21 2018-09-26 アイメック・ヴェーゼットウェーＩｍｅｃ Ｖｚｗ シリコン太陽電池のモジュールレベル処理
US9978896B2 (en) * 2015-09-15 2018-05-22 Sunpower Corporation Encapsulant bonding methods for photovoltaic module manufacturing

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2006137746A1 (en) * 2005-06-24 2006-12-28 Renewable Energy Corporation Asa Stress relieving ribbons
CN101017858A (zh) * 2007-01-10 2007-08-15 北京市太阳能研究所有限公司 一种背接触式太阳能电池及其制作方法
WO2007128305A1 (de) * 2006-05-10 2007-11-15 Sitec Meldetechnik Gmbh Photovoltaikmodul mit mindestens einer kristallinen solarzelle
US20080210301A1 (en) * 2003-04-10 2008-09-04 Sunpower Corporation Metal contact structure for solar cell and method of manufacture
US20090101190A1 (en) * 2006-03-20 2009-04-23 Ferro Corporation Solar Cell Contacts Containing Aluminum And At Least One Of Boron, Titanium, Nickel, Tin, Silver, Gallium, Zinc, Indium And Copper
GB2459274A (en) * 2008-04-15 2009-10-21 Renewable Energy Corp Asa Wafer based solar panels

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5972732A (en) 1997-12-19 1999-10-26 Sandia Corporation Method of monolithic module assembly
US6964732B2 (en) 2000-03-09 2005-11-15 Interuniversitair Microelektronica Centrum (Imec) Method and apparatus for continuous formation and lift-off of porous silicon layers
AU781761B2 (en) 2000-03-09 2005-06-09 Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum (Imec) Method for the formation and lift-off of porous silicon layers
KR100331570B1 (ko) * 2000-06-13 2002-04-06 윤종용 전기도금법을 이용한 반도체 메모리 소자의 커패시터제조방법
EP1385199A1 (en) 2002-07-24 2004-01-28 IMEC vzw, Interuniversitair Microelectronica Centrum vzw Method for making thin film devices intended for solar cells or SOI application
EP2002484A4 (en) 2006-04-05 2016-06-08 Silicon Genesis Corp METHOD AND STRUCTURE FOR MANUFACTURING PHOTOVOLTAIC CELLS USING A LAYER TRANSFER PROCESS
EP1863100A1 (en) 2006-05-30 2007-12-05 INTERUNIVERSITAIR MICROELEKTRONICA CENTRUM vzw (IMEC) Method for the production of thin substrates
WO2008103293A1 (en) * 2007-02-16 2008-08-28 Nanogram Corporation Solar cell structures, photovoltaic modules and corresponding processes
WO2008121293A2 (en) 2007-03-29 2008-10-09 Baldwin Daniel F Solar module manufacturing processes
KR101539047B1 (ko) * 2008-12-24 2015-07-23 인텔렉츄얼 키스톤 테크놀로지 엘엘씨 광기전력 변환 소자 및 그의 제조방법

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080210301A1 (en) * 2003-04-10 2008-09-04 Sunpower Corporation Metal contact structure for solar cell and method of manufacture
WO2006137746A1 (en) * 2005-06-24 2006-12-28 Renewable Energy Corporation Asa Stress relieving ribbons
US20090101190A1 (en) * 2006-03-20 2009-04-23 Ferro Corporation Solar Cell Contacts Containing Aluminum And At Least One Of Boron, Titanium, Nickel, Tin, Silver, Gallium, Zinc, Indium And Copper
WO2007128305A1 (de) * 2006-05-10 2007-11-15 Sitec Meldetechnik Gmbh Photovoltaikmodul mit mindestens einer kristallinen solarzelle
CN101017858A (zh) * 2007-01-10 2007-08-15 北京市太阳能研究所有限公司 一种背接触式太阳能电池及其制作方法
GB2459274A (en) * 2008-04-15 2009-10-21 Renewable Energy Corp Asa Wafer based solar panels
CN102084501A (zh) * 2008-04-15 2011-06-01 可再生能源公司 基于晶片的太阳能电池板的生产方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI552360B (zh) * 2015-03-27 2016-10-01 茂迪股份有限公司 太陽能電池
CN108183140A (zh) * 2018-01-22 2018-06-19 卢泰 一种用于柔性薄膜太阳能电池的金属电极及其制作方法
CN109950351A (zh) * 2019-03-19 2019-06-28 天津三安光电有限公司 一种可弯折柔性太阳电池及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
WO2011064368A1 (en) 2011-06-03
EP2507839A1 (en) 2012-10-10
US20120298172A1 (en) 2012-11-29
EP2507839B1 (en) 2018-04-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US11742444B2 (en) Photovoltaic cell and laminate metallization
JP6250552B2 (ja) マルチレベルソーラーセルメタライゼーション
CN102804405A (zh) 包括背接触电池的光伏模块的制造方法
JP2017195401A (ja) 薄い結晶半導体吸収体を使用する高効率ソーラー光発電セルおよびモジュール
KR102015072B1 (ko) 웨이퍼 기초 솔라 패널의 제조 방법
US20170229591A1 (en) Systems and methods for monolithically isled solar photovoltaic cells and modules
US20160013335A1 (en) Active backplane for thin silicon solar cells
US20110083716A1 (en) Monolithic module assembly using back contact solar cells and metal ribbon
KR102015591B1 (ko) 박형 실리콘 태양 전지용 활성 후면판
WO2010087333A1 (ja) 光電変換セル、光電変換モジュールおよび光電変換セルの製造方法
US8772079B2 (en) Backside contacting on thin layer photovoltaic cells
KR101033259B1 (ko) 박막 태양전지 모듈 제조 시스템의 쿠퍼 와이어 셋팅 큐어링 장치와 쿠퍼 와이어 셋팅 큐어링 공정 방법
KR101026851B1 (ko) 박막 태양전지 모듈 제조 시스템의 버스 바 셋팅 큐어 접착 장치와 버스 바 셋팅 큐어 접착 공정 방법
JP2014229754A (ja) 太陽電池モジュールの製造方法及び太陽電池モジュール
Farah Dry-epitaxial lift-off, integration, interconnect and encapsulation of foldable/rollable high efficiency solar cell modules
US20120222721A1 (en) Photovoltaic module package and fabrication method

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20121128