JP6402007B2 - レジスト剥離液及びレジスト剥離方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 28
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 57
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 50
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 44
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 claims description 42
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 claims description 15
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M Potassium chloride Chemical compound [Cl-].[K+] WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 12
- FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M Sodium chloride Chemical compound [Na+].[Cl-] FAPWRFPIFSIZLT-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 12
- KWGKDLIKAYFUFQ-UHFFFAOYSA-M lithium chloride Chemical compound [Li+].[Cl-] KWGKDLIKAYFUFQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 12
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 9
- ZHNUHDYFZUAESO-UHFFFAOYSA-N Formamide Chemical compound NC=O ZHNUHDYFZUAESO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 claims description 8
- 229910001508 alkali metal halide Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 229910001615 alkaline earth metal halide Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000001103 potassium chloride Substances 0.000 claims description 6
- 235000011164 potassium chloride Nutrition 0.000 claims description 6
- 239000011780 sodium chloride Substances 0.000 claims description 6
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 claims description 5
- HNJBEVLQSNELDL-UHFFFAOYSA-N pyrrolidin-2-one Chemical compound O=C1CCCN1 HNJBEVLQSNELDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- ZFPGARUNNKGOBB-UHFFFAOYSA-N 1-Ethyl-2-pyrrolidinone Chemical compound CCN1CCCC1=O ZFPGARUNNKGOBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 79
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 63
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 26
- 150000002500 ions Chemical group 0.000 description 15
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 12
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 10
- 229910001420 alkaline earth metal ion Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 8
- 229910001413 alkali metal ion Inorganic materials 0.000 description 7
- -1 fluoride ions Chemical class 0.000 description 6
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 5
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 4
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 238000005323 electroforming Methods 0.000 description 4
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 4
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- WMFOQBRAJBCJND-UHFFFAOYSA-M Lithium hydroxide Chemical compound [Li+].[OH-] WMFOQBRAJBCJND-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 238000007614 solvation Methods 0.000 description 3
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 3
- DLFVBJFMPXGRIB-UHFFFAOYSA-N Acetamide Chemical compound CC(N)=O DLFVBJFMPXGRIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 2
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATHHXGZTWNVVOU-UHFFFAOYSA-N N-methylformamide Chemical compound CNC=O ATHHXGZTWNVVOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002671 adjuvant Substances 0.000 description 2
- 229910000272 alkali metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001860 alkaline earth metal hydroxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- JBKVHLHDHHXQEQ-UHFFFAOYSA-N epsilon-caprolactam Chemical compound O=C1CCCCCN1 JBKVHLHDHHXQEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 2
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 2
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 2
- LWIHDJKSTIGBAC-UHFFFAOYSA-K tripotassium phosphate Chemical compound [K+].[K+].[K+].[O-]P([O-])([O-])=O LWIHDJKSTIGBAC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- AVQQQNCBBIEMEU-UHFFFAOYSA-N 1,1,3,3-tetramethylurea Chemical compound CN(C)C(=O)N(C)C AVQQQNCBBIEMEU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-M Bromide Chemical compound [Br-] CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N Bromine atom Chemical compound [Br] WKBOTKDWSSQWDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SUAKHGWARZSWIH-UHFFFAOYSA-N N,N‐diethylformamide Chemical compound CCN(CC)C=O SUAKHGWARZSWIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OHLUUHNLEMFGTQ-UHFFFAOYSA-N N-methylacetamide Chemical compound CNC(C)=O OHLUUHNLEMFGTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000008045 alkali metal halides Chemical class 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003368 amide group Chemical group 0.000 description 1
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N bromine Substances BrBr GDTBXPJZTBHREO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001649 bromium compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 238000003421 catalytic decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 150000001805 chlorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- KRVSOGSZCMJSLX-UHFFFAOYSA-L chromic acid Substances O[Cr](O)(=O)=O KRVSOGSZCMJSLX-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 1
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- AWJWCTOOIBYHON-UHFFFAOYSA-N furo[3,4-b]pyrazine-5,7-dione Chemical compound C1=CN=C2C(=O)OC(=O)C2=N1 AWJWCTOOIBYHON-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002366 halogen compounds Chemical class 0.000 description 1
- LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N haloperidol Chemical compound C1CC(O)(C=2C=CC(Cl)=CC=2)CCN1CCCC(=O)C1=CC=C(F)C=C1 LNEPOXFFQSENCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 150000004694 iodide salts Chemical class 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 description 1
- 229940085991 phosphate ion Drugs 0.000 description 1
- 150000003016 phosphoric acids Chemical class 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 description 1
- IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N rubidium atom Chemical compound [Rb] IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012047 saturated solution Substances 0.000 description 1
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 1
- 239000001488 sodium phosphate Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N sulfuric acid Substances OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 229910000404 tripotassium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019798 tripotassium phosphate Nutrition 0.000 description 1
- RYFMWSXOAZQYPI-UHFFFAOYSA-K trisodium phosphate Chemical compound [Na+].[Na+].[Na+].[O-]P([O-])([O-])=O RYFMWSXOAZQYPI-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 229910000406 trisodium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019801 trisodium phosphate Nutrition 0.000 description 1
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N urethane group Chemical group NC(=O)OCC JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
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Description
[レジスト剥離液]
本実施形態のレジスト剥離液は、アミド系有機溶剤と、水と、アルカリ金属及び/又はアルカリ土類金属のハロゲン化物からなる剥離助剤を含有し、アミド系有機溶剤、水及び剥離助剤の合計量に対する、水の含有割合が、0.30mol/kg〜3.50mol/kg、剥離助剤の含有割合が、0.02mol/kg〜2.00mol/kgである。また、本実施形態のレジスト剥離液において、剥離助剤/水で示されるモル比は、0.02〜1.10である。本実施形態のレジスト剥離液は、基板上等に形成されたレジスト層、特に、通常の剥離方法では剥離が困難な、高架橋、高硬化されたレジスト層の剥離に用いられるレジスト剥離液である。
次に、本実施形態のレジスト剥離液を用いたレジスト剥離方法について説明する。本実施形態のレジスト剥離方法は、上記レジスト剥離液を用いて基板上に形成されたレジスト層を剥離する方法であり、アミド系有機溶剤と、水と、アルカリ金属及び/又はアルカリ土類金属のハロゲン化物からなる剥離助剤とを用いて、前記アミド系有機溶剤、前記水及び前記剥離助剤の合計量に対して前記水を0.30mol/kg〜3.50mol/kg、前記剥離助剤を0.02mol/kg〜2.00mol/kgを含むレジスト剥離液を調整する工程と、前記レジスト剥離液を50〜250℃に加温する工程と、前記加温したレジスト剥離液を前記基板上に形成されたレジスト層に接触させる工程とを備える。
[レジスト層付き基板の作製]
図1は、実施例において銅(Cu)基板2上にレジスト層3のパターンを形成したレジスト層付き基板1の一部を模式的に示す図である。レジスト層パターンは、図1に示すように、パターンが形成されず銅(Cu)基板2全面にレジスト層3の形成されたパターンなし(図1(a))、ライン幅LNが5〜50μm(LN=(5,6,7,8,9,10,15,20,30,40,50)μm)でそれぞれレジスト層3によるパターンが形成されたL/Sパターン(図1(b))、一辺の長さPMが5〜50μm(PM=(5,6,7,8,9,10,15,20,30,40,50))μmの正方形でそれぞれレジスト層3によるパターンが形成されたホールパターン(図1(c))の3種を形成した。L/Sパターンでは、ライン幅LNのレジスト層領域と、同幅LNのレジスト除去領域が隣り合って形成され、この同幅からなるレジスト層とレジスト除去領域の組合せが、ライン幅L11=50μmから、L10=40μm、・・・・、L1=5μmまでが幅方向にそれぞれ1個又は複数個ずつ順に設けられている。また、ホールパターンでは、一辺の長さ50μmの正方形からなるレジスト除去領域が横方向に間隔50μmで形成され、縦方向に、一辺の長さPMの正方形からなるレジスト除去領域と一辺の長さPM−1の正方形からなるレジスト除去領域が、幅PM−1のレジスト層領域を介し、横方向に各大きさを同数で配置して、P11=50μm、P10=40μm、・・・P1=5μmのレジスト除去領域が縦、横両方向にそれぞれ1個又は複数個ずつ、順に形成されている。
ガラス製100mlビーカーに、80℃に加温したアミド系有機溶剤50gを収容し、剥離助剤(NaCl、KCl、LiClのいずれか)及び純水を表1で示される量でそれぞれ添加してレジスト剥離液の調整を行った。このとき、剥離助剤は、全て溶解しきらず、ビーカー底に一部沈殿した。
アミド系有機溶剤:有機合成用 N−メチル−2−ピロリドン(脱水)、関東化学(株)社製(NMP)
NaCl:特級 塩化ナトリウム(結晶)、関東化学(株)社製
KCl:特級 塩化カリウム(結晶)、関東化学(株)社製
LiCl:特級 塩化リチウム(結晶)、関東化学(株)社製
図3は実施例におけるレジスト剥離処理に用いた装置を模式的に示す図である。上記ガラス製ビーカー4で調整したレジスト剥離液5を、デジタルホットプレートスターラー6(型番:PC−620、コーニング社製)を用い、液温80℃に維持した。この時、レジスト剥離液5の蒸発を防ぐために、ガラス製ビーカー4の上面に、時計皿7を蓋として載置した。
上記レジスト剥離処理後、純水洗浄、乾燥したレジスト層付き基板1の表面の、各区域をそれぞれ顕微鏡(型番:BH2、オリンパス(株)製)を用いて観察し、パターンなし区域(E)、L/Sパターンを形成した区域(A)、ホールパターンを形成した区域(B)についてレジスト剥離性能を次のように評価した。
1…レジスト層3が全く除去されなかった。
2…レジスト層3の総面積の40%以下程度が除去された。
3…レジスト層3の総面積の40%を超え70%以下程度が除去された。
4…レジスト層3の総面積の70%を超え100%までが度除去された。
1…レジスト層3が全く除去されなかった。
2…パターンサイズ50μm〜30μmのレジスト層3まで除去された。
3…パターンサイズ50μm〜10μmのレジスト層3まで除去された。
4…パターンサイズ50μm〜5μmのレジスト層3まで除去された。
Claims (4)
- アミド系有機溶剤と、水と、アルカリ金属及び/又はアルカリ土類金属のハロゲン化物からなる剥離助剤とを含むレジスト剥離液であって、
前記アミド系有機溶剤、前記水及び前記剥離助剤の合計量に対して、
前記水を0.30mol/kg〜3.50mol/kg、
前記剥離助剤を0.02mol/kg〜2.00mol/kg含み、
前記剥離助剤/前記水で示されるモル比が0.02〜1.10であることを特徴とするレジスト剥離液。 - 前記アミド系有機溶剤は、N−メチル−2−ピロリドン、N−エチル−2−ピロリドン、ホルムアミド及び2−ピロリドンから選ばれる1種以上であることを特徴とする請求項1記載のレジスト剥離液。
- 前記剥離助剤は、塩化ナトリウム、塩化カリウム及び塩化リチウムからから選ばれる1種以上であることを特徴とする請求項1又は2記載のレジスト剥離液。
- アミド系有機溶剤と、水と、アルカリ金属及び/又はアルカリ土類金属のハロゲン化物からなる剥離助剤とを含むレジスト剥離液を用いて、基板上に形成されたレジスト層を剥離するレジスト剥離方法であって、
前記アミド系有機溶剤、前記水及び前記剥離助剤の合計量に対して、
前記水を0.30mol/kg〜3.50mol/kg、前記剥離助剤を0.02mol/kg〜2.00mol/kgを含み、前記剥離助剤/前記水で示されるモル比が0.02〜1.10である前記レジスト剥離液を調整する工程と、
前記レジスト剥離液を50〜250℃に加温する工程と、
前記加温したレジスト剥離液を前記基板上に形成されたレジスト層に接触させる工程とを備えることを特徴とするレジスト剥離方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014231267A JP6402007B2 (ja) | 2014-11-14 | 2014-11-14 | レジスト剥離液及びレジスト剥離方法 |
Applications Claiming Priority (1)
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016095388A JP2016095388A (ja) | 2016-05-26 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6402007B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN107419282B (zh) * | 2016-11-29 | 2019-04-30 | 广东剑鑫科技股份有限公司 | 一种金属剥离剂及其制备方法 |
JP6983363B2 (ja) * | 2019-09-30 | 2021-12-17 | 太陽インキ製造株式会社 | 配線基板用基材の再利用方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003177556A (ja) * | 2001-12-12 | 2003-06-27 | Sharp Corp | フォトレジスト剥離剤組成物および剥離方法 |
JP2004323841A (ja) * | 2003-04-10 | 2004-11-18 | Kansai Paint Co Ltd | 被膜の剥離液及び被膜の剥離方法 |
JP4826235B2 (ja) * | 2005-12-01 | 2011-11-30 | 三菱瓦斯化学株式会社 | 半導体表面処理剤 |
JP2008216843A (ja) * | 2007-03-07 | 2008-09-18 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | フォトレジスト剥離液組成物 |
JP2009069505A (ja) * | 2007-09-13 | 2009-04-02 | Tosoh Corp | レジスト除去用洗浄液及び洗浄方法 |
TWI460557B (zh) * | 2008-03-07 | 2014-11-11 | Wako Pure Chem Ind Ltd | 半導體表面用處理劑組成物及使用半導體表面用處理劑組成物之半導體表面處理方法 |
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2014
- 2014-11-14 JP JP2014231267A patent/JP6402007B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Publication date |
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JP2016095388A (ja) | 2016-05-26 |
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