JP2016095388A - レジスト剥離液及びレジスト剥離方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】アミド系有機溶剤と、水と、アルカリ金属及び/又はアルカリ土類金属のハロゲン化物からなる剥離助剤とを含むレジスト剥離液であって、前記アミド系有機溶剤、前記水及び前記剥離助剤の合計量に対して、前記水を0.30mol/kg〜3.50mol/kg、前記剥離助剤を0.02mol/kg〜2.00mol/kg含み、前記剥離助剤/前記水で示されるモル比が0.02〜1.10であるレジスト剥離液。
【選択図】なし
Description
[レジスト剥離液]
本実施形態のレジスト剥離液は、アミド系有機溶剤と、水と、アルカリ金属及び/又はアルカリ土類金属のハロゲン化物からなる剥離助剤を含有し、アミド系有機溶剤、水及び剥離助剤の合計量に対する、水の含有割合が、0.30mol/kg〜3.50mol/kg、剥離助剤の含有割合が、0.02mol/kg〜2.00mol/kgである。また、本実施形態のレジスト剥離液において、剥離助剤/水で示されるモル比は、0.02〜1.10である。本実施形態のレジスト剥離液は、基板上等に形成されたレジスト層、特に、通常の剥離方法では剥離が困難な、高架橋、高硬化されたレジスト層の剥離に用いられるレジスト剥離液である。
次に、本実施形態のレジスト剥離液を用いたレジスト剥離方法について説明する。本実施形態のレジスト剥離方法は、上記レジスト剥離液を用いて基板上に形成されたレジスト層を剥離する方法であり、アミド系有機溶剤と、水と、アルカリ金属及び/又はアルカリ土類金属のハロゲン化物からなる剥離助剤とを用いて、前記アミド系有機溶剤、前記水及び前記剥離助剤の合計量に対して前記水を0.30mol/kg〜3.50mol/kg、前記剥離助剤を0.02mol/kg〜2.00mol/kgを含むレジスト剥離液を調整する工程と、前記レジスト剥離液を50〜250℃に加温する工程と、前記加温したレジスト剥離液を前記基板上に形成されたレジスト層に接触させる工程とを備える。
[レジスト層付き基板の作製]
図1は、実施例において銅(Cu)基板2上にレジスト層3のパターンを形成したレジスト層付き基板1の一部を模式的に示す図である。レジスト層パターンは、図1に示すように、パターンが形成されず銅(Cu)基板2全面にレジスト層3の形成されたパターンなし(図1(a))、ライン幅LNが5〜50μm(LN=(5,6,7,8,9,10,15,20,30,40,50)μm)でそれぞれレジスト層3によるパターンが形成されたL/Sパターン(図1(b))、一辺の長さPMが5〜50μm(PM=(5,6,7,8,9,10,15,20,30,40,50))μmの正方形でそれぞれレジスト層3によるパターンが形成されたホールパターン(図1(c))の3種を形成した。L/Sパターンでは、ライン幅LNのレジスト層領域と、同幅LNのレジスト除去領域が隣り合って形成され、この同幅からなるレジスト層とレジスト除去領域の組合せが、ライン幅L11=50μmから、L10=40μm、・・・・、L1=5μmまでが幅方向にそれぞれ1個又は複数個ずつ順に設けられている。また、ホールパターンでは、一辺の長さ50μmの正方形からなるレジスト除去領域が横方向に間隔50μmで形成され、縦方向に、一辺の長さPMの正方形からなるレジスト除去領域と一辺の長さPM−1の正方形からなるレジスト除去領域が、幅PM−1のレジスト層領域を介し、横方向に各大きさを同数で配置して、P11=50μm、P10=40μm、・・・P1=5μmのレジスト除去領域が縦、横両方向にそれぞれ1個又は複数個ずつ、順に形成されている。
ガラス製100mlビーカーに、80℃に加温したアミド系有機溶剤50gを収容し、剥離助剤(NaCl、KCl、LiClのいずれか)及び純水を表1で示される量でそれぞれ添加してレジスト剥離液の調整を行った。このとき、剥離助剤は、全て溶解しきらず、ビーカー底に一部沈殿した。
アミド系有機溶剤:有機合成用 N−メチル−2−ピロリドン(脱水)、関東化学(株)社製(NMP)
NaCl:特級 塩化ナトリウム(結晶)、関東化学(株)社製
KCl:特級 塩化カリウム(結晶)、関東化学(株)社製
LiCl:特級 塩化リチウム(結晶)、関東化学(株)社製
図3は実施例におけるレジスト剥離処理に用いた装置を模式的に示す図である。上記ガラス製ビーカー4で調整したレジスト剥離液5を、デジタルホットプレートスターラー6(型番:PC−620、コーニング社製)を用い、液温80℃に維持した。この時、レジスト剥離液5の蒸発を防ぐために、ガラス製ビーカー4の上面に、時計皿7を蓋として載置した。
上記レジスト剥離処理後、純水洗浄、乾燥したレジスト層付き基板1の表面の、各区域をそれぞれ顕微鏡(型番:BH2、オリンパス(株)製)を用いて観察し、パターンなし区域(E)、L/Sパターンを形成した区域(A)、ホールパターンを形成した区域(B)についてレジスト剥離性能を次のように評価した。
1…レジスト層3が全く除去されなかった。
2…レジスト層3の総面積の40%以下程度が除去された。
3…レジスト層3の総面積の40%を超え70%以下程度が除去された。
4…レジスト層3の総面積の70%を超え100%までが度除去された。
1…レジスト層3が全く除去されなかった。
2…パターンサイズ50μm〜30μmのレジスト層3まで除去された。
3…パターンサイズ50μm〜10μmのレジスト層3まで除去された。
4…パターンサイズ50μm〜5μmのレジスト層3まで除去された。
Claims (4)
- アミド系有機溶剤と、水と、アルカリ金属及び/又はアルカリ土類金属のハロゲン化物からなる剥離助剤とを含むレジスト剥離液であって、
前記アミド系有機溶剤、前記水及び前記剥離助剤の合計量に対して、
前記水を0.30mol/kg〜3.50mol/kg、
前記剥離助剤を0.02mol/kg〜2.00mol/kg含み、
前記剥離助剤/前記水で示されるモル比が0.02〜1.10であることを特徴とするレジスト剥離液。 - 前記アミド系有機溶剤は、N−メチル−2−ピロリドン、N−エチル−2−ピロリドン、ホルムアミド及び2−ピロリドンから選ばれる1種以上であることを特徴とする請求項1記載のレジスト剥離液。
- 前記剥離助剤は、塩化ナトリウム、塩化カリウム及び塩化リチウムからから選ばれる1種以上であることを特徴とする請求項1又は2記載のレジスト剥離液。
- アミド系有機溶剤と、水と、アルカリ金属及び/又はアルカリ土類金属のハロゲン化物からなる剥離助剤とを含むレジスト剥離液を用いて、基板上に形成されたレジスト層を剥離するレジスト剥離方法であって、
前記アミド系有機溶剤、前記水及び前記剥離助剤の合計量に対して、
前記水を0.30mol/kg〜3.50mol/kg、前記剥離助剤を0.02mol/kg〜2.00mol/kgを含み、前記剥離助剤/前記水で示されるモル比が0.02〜1.10である前記レジスト剥離液を調整する工程と、
前記レジスト剥離液を50〜250℃に加温する工程と、
前記加温したレジスト剥離液を前記基板上に形成されたレジスト層に接触させる工程とを備えることを特徴とするレジスト剥離方法。
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