JP6399776B2 - 封止方法及びそれに関連するデバイス - Google Patents

封止方法及びそれに関連するデバイス Download PDF

Info

Publication number
JP6399776B2
JP6399776B2 JP2014057935A JP2014057935A JP6399776B2 JP 6399776 B2 JP6399776 B2 JP 6399776B2 JP 2014057935 A JP2014057935 A JP 2014057935A JP 2014057935 A JP2014057935 A JP 2014057935A JP 6399776 B2 JP6399776 B2 JP 6399776B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
electrical contact
sealing
titanium nitride
component
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2014057935A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2014197677A (ja
Inventor
トニー・メンドロン
ニコラ・トロ
Original Assignee
コミッサリア ア レネルジー アトミーク エ オ ゼネルジ ザルタナテイヴ
コミッサリア ア レネルジー アトミーク エ オ ゼネルジ ザルタナテイヴ
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by コミッサリア ア レネルジー アトミーク エ オ ゼネルジ ザルタナテイヴ, コミッサリア ア レネルジー アトミーク エ オ ゼネルジ ザルタナテイヴ filed Critical コミッサリア ア レネルジー アトミーク エ オ ゼネルジ ザルタナテイヴ
Publication of JP2014197677A publication Critical patent/JP2014197677A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6399776B2 publication Critical patent/JP6399776B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
    • H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
    • H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
    • H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
    • H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
    • H01L29/66742—Thin film unipolar transistors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
    • H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
    • H01L29/772—Field effect transistors
    • H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
    • H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0203—Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K10/00—Organic devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching; Organic capacitors or resistors having potential barriers
    • H10K10/80—Constructional details
    • H10K10/88—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/80—Constructional details
    • H10K30/88—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/17—Passive-matrix OLED displays
    • H10K59/179—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Contacts (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)
  • Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)

Description

本発明は、電子部品、特にオプトエレクトロニクス部品の封止の分野に関する。本発明はまた、このような部品を備える電子デバイスの分野に関する。
電子部品には、それらが正しく機能するためには制御された雰囲気下で維持されなければならないものがある。例えば、これは、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）などのオプトエレクトロニクス部品の場合である。これは、制御された雰囲気（特に、キャビティ内のガスの性質及び圧力の制御）を用いてこれらの部品をキャビティの中に密封し又は封止することによって達成される。
部品は通常、支持体（又は基板）に層を堆積することによって形成され、カバーによって覆われる。カバー及び基板は、共同して所望の密閉キャビティを形成する。このカバーは、時々“封止構造体”と呼ばれる。それは通常、封止層と呼ばれる少なくとも１つの薄層を堆積することによって形成され、部品及びその側部を覆う。
部品は、少なくとも１つの電気接触トラックに接続され、このトラックは、電気を運び、この部品に電力を供給し、この部品によって生成される信号を復元し、またその中に含まれる機能を制御することを可能にする。電気接触トラックは、典型的には基板上に形成される。電気接触トラックは、典型的には基板の直上に全体的に延長する。
封止層は、電気絶縁体である。
従って、部品の封止中に、電気接触トラックを封止層によって保護することを避けるために、電気接触トラックをどのように保護するかという問題が生じる。
この困難性は、通常の封止技術が封止層の局所的な堆積を可能にしないという事実による。従って、電気接触トラックは、封止層によって覆われる。
これは、特に化学気相堆積（ＣＶＤ）、特にプラズマ化学気相堆積（ＰＥＣＶＤ）又は原子層堆積（ＡＬＤ）中の場合である。ＣＶＤは、ガス前駆体から開始する薄膜用の真空堆積方法を意味する。ＣＶＤは、壊れやすい部品の完全性、特に有機部品の完全性を保護するという利点を有する。従って、局所堆積に使用され得る物理気相堆積（ＰＶＤ）などの他の堆積技術が望まれるが、それは、封止される部品を損傷する。
従来技術は、電気接触トラックを保護するための種々の技術を含む。
例えば、電気接触トラックを露出するために封止層を局所的に取り除く方法が知られている。このような方法は、レーザー放射に晒すことによる除去を開示する米国特許出願第２００６／００５１９５１号明細書に開示されている。この文献は、除去を効率化するための電気接触トラック上における特有の層の積層体を開示しているが、これは、この方法を特に時間が掛かる複雑なものにしている。
米国特許出願第２００６／００５１９５１号明細書
本発明の一目的は、従来技術の如何なる欠点も有することなく封止された部品を電気的に接続するための封止方法及び電子部品を開示することである。
特に、本発明の一目的は、封止された部品を電気的に接続する単純で効率的な方法を開示することである。
本発明は、原子層堆積によって酸化アルミニウムの封止層を堆積する段階を含む、金属層で構成される少なくとも１つの電気接触トラックに接続される少なくとも１つの電子部品の封止方法によって定義される。
本発明によれば、
−前記方法はまた、前記電気接触トラックの少なくとも一部の上に窒化チタン層を堆積する段階を含み、
−前記封止層が前記窒化チタン層を覆うように前記封止層は堆積される。
言い換えると、前記窒化チタン層は、前記電気接触トラックの少なくとも一部に直接堆積され、次いで前記封止層は、特に前記窒化チタン層上に堆積される。前記窒化チタン層に堆積される前記封止層の部分は、直接その上に堆積される。
有利には、次いで、前記封止層は、前記電気接触トラック上に位置する領域全体において前記窒化チタン層に直接接触する。同様に、前記窒化チタン層は、有利には、その全表面上で前記電気接触トラックに直接接触する。
前記窒化チタン層は、前記封止層の一部分によって完全に覆われ得る。
前記窒化チタン層は、物理気相堆積によって前記電気接触トラックの少なくとも一部に堆積され得る。
有利には、前記窒化チタン層は、前記部品の製造段階中に前記電気接触トラックの少なくとも一部に堆積され、前記部品は、少なくとも１つが窒化チタン層である層の連続堆積によって製造される。
本発明による方法は、前記封止層に堆積された電気接触要素を用いて前記電気接触トラックの少なくとも一部との電気接触を作る段階を含み得る。前記電気接触要素は、例えば、前記封止層上に堆積された接点（コンタクトポイント）又は接触ワイヤである。従って、電気接触は、前記窒化チタン層及び前記封止層を介して前記電気接触トラック及び前記電気接触要素（電力供給源に接続される）の間に形成される。
本発明はまた、
−少なくとも１つの電子部品、
−前記部品を覆って原子層堆積によって堆積される酸化アルミニウムの封止層及び、
−前記部品に接続され、金属層で構成される少なくとも１つの電気接触トラック、
を備える電子デバイスに関連する。
本発明によれば、前記電気接触トラックの少なくとも一部は、それ自体が前記封止層で覆われる窒化チタン層で覆われる。
言い換えると、前記封止層は、特に前記窒化チタン層に堆積され、前記窒化チタン層は、前記電気接触トラックの少なくとも一部に直接堆積される。前記窒化チタン層に堆積される前記封止層の部分は、この窒化チタン層に直接堆積される。
前記封止層は、前記デバイスの外部表面を形成し得る。特に、前記封止層は、前記電気接触トラック上に位置する領域において、前記デバイスの外部表面を形成し得る。
好ましくは、前記金属層は、アルミニウム及び銅の合金の層である。
あるいは、前記金属層は、銅層、又はアルミニウム層、又はクロム層であり得る。
前記封止層は、有利には２０ｎｍから２００ｎｍの厚さである。
前記窒化チタン層は、有利には５ｎｍから２５０ｎｍの厚さである。
前記部品は、太陽電池、ＯＬＥＤ、ＯＰＶ、又はトランジスタなどのマイクロエレクトニクス部品であり得る。
有利な一実施形態によれば、本発明によるデバイスは、前記封止層にワイヤ接続され、前記電気接触トラックに電流を流すように配置された電気接触要素をさらに含む。
本発明の基本原理を示す図である。 本発明による電子デバイスの第１の実施形態を示す図である。 本発明による電子デバイスの第２の実施形態を示す図である。 本発明による電子デバイスの第３の実施形態を示す図である。
本発明は、添付の図面を参照すると共に、単に情報として与えられ、何も限定するものではない実施例の詳細な説明を読むことによって理解されるだろう。
本発明の基本概念は、特定の層の積層体の電気伝導を示すことである。
この特性は、発電機１０５によって電圧が印加される積層体１０を示す図１において図式的に示される。
この積層体１０は、
−金属層１０１、
−金属層１０１に堆積される窒化チタン（ＴｉＮ）層１０２、及び、
−原子層堆積（ＡＬＤ）によって窒化チタン層１０２に堆積される酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）層１０３、
を含む。
“第２層に第１層を堆積する”という表現は、第１層が第２層に直接堆積されることを意味することに留意すべきである。言い換えると、堆積後、第１層は、第２層に直接接触する。また、第１層が第２層を覆うということができ、又は、第１層が第２層を直接覆うということさえもできる。第２層に第１層を堆積することは、第１層及び第２層の間に中間層がないという意味を含む。
金属層１０１及び酸化アルミニウム（アルミナ）層１０３の間に窒化チタン層１０２を組み込むことは、特に接点又は通常のワイヤボンディング技術を用いて、酸化アルミニウム層１０３を介した電気接触を設けることを可能にする。
確認として、ＡＬＤ技術は、極薄層を得るために、所定の時間間隔（堆積サイクル）中に、異なる化学的前駆体に表面を順々に晒すことからなるＣＶＤの特別な場合であることに留意すべきである。ＡＬＤは、表面上に極薄の単層を堆積するための少なくとも一サイクルを使用する。化学的前駆体は、用途に応じて極薄であり（典型的には単層又は１ｎｍから３０ｎｍの厚さである）、又は、厚い（例えば１００ｎｍまで、又は２５ｎｍから５０ｎｍまで）ものであり得る層で最終的に表面を覆うように、各サイクル中に反応する。サイクル数は、表面に要求される厚さを得るように変えられ得る。
この特性のある特有な有利な用途は、電気部品の封止の分野に適用され、特にオプロエレクトロニクス部品、特にこれらの部品が有機活性層を含む場合に適用される。
賢明な封止層（ＡＬＤによって堆積された酸化アルミニウム）の選択によって、また金属電気接触トラック及び封止層の間にチタン層を挿入することによって、封止層を介して電気接触トラックに電気接触が与えられる。特に、電流は、封止層を通り、電気接触トラックに達し得る。
従って、得られる結果は、封止された部品を電気接続することができ、ほんの少数の段階を含む封止である。本発明による方法は、非常に実施が容易である。特に、マスク又はフォトリソグラフィ及びエッチング段階が必要とされず、部分的な除去の必要もない。さらに、封止層が電気接触トラックにおいて開いていないので、本発明による電子デバイスは、優れた機械安定性を有する。
多くの場合、通常の封止方法が、酸化アルミニウム層で電気接触トラックを覆うということに留意すべきである。例えば、これは、例えば仏特許第２９８７９５号に開示されるような方法のようにＳＨＢ（Super High Barrier）と呼ばれる封止方法が使用される場合であろう。この方法によれば、部品は、酸化物層、有機ポリマー層及びＡＬＤによって堆積される外部のアルミニウム層で作られる三層の積層体を用いて効率的に保護される。このような場合、本発明による方法の適用は、中間の窒化チタン層の付加を要求するだけである。
本発明による他の利点は、電気接触トラック上の酸化アルミニウム層が周囲の攻撃に対してそれらを保護すること（特に腐食を避けること）であり、それは、電子デバイスの寿命を増加する。
本発明による電子デバイスの幾つかの実施形態は、後に記載される。電子デバイスの詳細な説明はまた、本発明による方法を示すだろう。
図２は、本発明による電子デバイス１の第１の実施形態を示す。
この実施形態によれば、基板３上に作られる電子部品又はオプトエレクトロニクス部品２は、単一の封止層４で構成される封止カバーによって封止される。
封止層４は、ＡＬＤによって堆積される酸化アルミニウムの薄層から形成される。
実際、酸化アルミニウムがＡＬＤによって堆積されたことが認識され得る。その理由は、それが通常密度が高く、非円柱上のマイクロ構造を有するからである。このマイクロ構造は、エネルギー分散Ｘ線分光分析（ＥＤＸ）が結合された透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）によって観察され得る。断面図で見られるようにＡＬＤ及びＰＶＤによって堆積されたＡｌ２Ｏ３のマイクロ構造を比較すると、第１の場合、均一な構造をもたらし、一方で第２の場合において、互いに部分的に重畳された楕円形の歪がある。
各々が、基板３上の金属層１０１で構成され、部品２に直接接触する、２つの電気接触トラックを部品２は有する。これらの電気接触トラックは、部品２の電気接続を得るために使用され、特に、封止カバーの外側に位置するアドレス電子部品にそれを接続することができる。従来技術による部品２の上及び周囲に封止層を堆積する最中に、これらの電気接触トラックは、酸化アルミニウムによって保護される。
本発明によれば、部品２及び電気接触トラックによって形成される組立体及び対応する窒化チタン層が封止層４によって覆われる前に、窒化チタン層１０２は、電気接触トラックを形成する金属層１０１の直上に堆積される。
金属電気接触トラック上に位置する封止層の一部は、図１を参照して示されるように酸化アルミニウム層１０３を形成する。従って、図１を参照して示されるような積層体１０は、電子デバイス１の領域５に形成される。
従って、本発明による電子部品１は、酸化アルミニウム層を介した電気接触を作ることを可能にする。言い換えると、本発明による電子部品１は、酸化アルミニウム層を介した電気接触を復元することを可能にする。次いで、封止層４の堆積の直後に、部品２の電気接続は、金属電気接触トラック１０１を用いて形成され得る。部品２の電気接続は、例えばワイヤボンディングを使用し得る。例えばアルミニウムで作られる接触ワイヤ（図示されない）は、金属層１０１上において、堆積され、封止層４に溶接される。本発明による方法は、封止層の直上に電気接触要素をワイヤ接続するこの段階を含み得る。
窒化チタン層１０２は、典型的には物理気相堆積（ＰＶＤ）によって堆積される。ＰＶＤは、表面上の気相の材料の凝縮によって表面に薄層を堆積する。
このような堆積タイプを使用することの１つの利点は、シャドーマスクの使用によって、電気接触トラックのみに層がより容易に局所的に堆積され得ることである。
ある場合、電気接触トラックは、錫がドープされた酸化インジウム（ＩＴＯ）などの金属層１０１のＰＶＤによって基板に形成され得る。
封止層４の厚さ１２０は、典型的には２０ｎｍから２００ｎｍであり、例えば５０ｎｍ又は１００ｎｍである。好ましくは、この厚さは、２５ｎｍから１２０ｎｍの間である。
このような厚さは、例えば、良好な封止及び長寿命を提供する封止層を形成するために使用され得る。このような厚さに関して、封止層を介した電気接触を復元することが常に可能であることが観察されている。
窒化チタン層１０２の厚さ１２１は、５ｎｍから２５０ｎｍであり、例えば７ｎｍ、２５ｎｍ、５０ｎｍ又は１００ｎｍである。この厚さは、好ましくは２５ｎｍから１２０ｎｍである。
従って、窒化チタンの非常に小さい厚さが所望の電気伝導効果を与え得ることが観察され得る。
金属層１０１は、例えばアルミニウム及び銅の合金ＡｌＣｕである。典型的には、この合金の銅含有量は、１％から２％である。
他の金属、例えばアルミニウム、クロム又は銅がまた考えられ得る。
本発明による積層体１０が、試験点と電気接触トラックを形成する金属層１０１との間に電気接触を与え得ることを示す数シリーズの実験が研究室において行われている。この電気接触は、所謂ソフトポイント、言い換えると酸化アルミニウム層を貫通しないポイントを用いて形成され得る。例えば、ソフトポイントは、ベリリウム銅の合金で作られ得る。
例えば以下の積層体が形成され得る：
−電子ビーム蒸着によって堆積された２００ｎｍのアルミニウム、
−大気温度でマグネトロンスパッタリングによって堆積された１００ｎｍの窒化チタン、
−８５℃の温度において、一変形例として２５０℃においてＡＬＤによって堆積された２５ｎｍの酸化アルミニウム。
このような積層体は、無視できる電気接触抵抗を与え、ソフトポイント及びアルミニウム層の間の電気接触を可能にする。
以下の積層体も形成され得る：
−電子ビーム蒸着によって堆積されたクロム、
−電子ビーム蒸着によって堆積された窒化アルミニウム、
−８５℃の温度においてＡＬＤによって堆積された２５ｎｍの酸化アルミニウム。
このような積層体は、１３Ωの接触抵抗を与え、ソフトポイント及びクロム層の間の電気接触を可能にする。
以下の積層体も形成され得る：
−マグネトロンスパッタリングによって５ｎｍの窒化チタンに堆積された２００ｎｍのＡｌＣｕ合金、
−マグネトロンスパッタリングによって堆積された７ｎｍの窒化チタン、
−８５℃の温度においてＡＬＤによって堆積された２５ｎｍ又は５０ｎｍの酸化アルミニウム。
このような積層体は、無視できる接触抵抗を与え、ソフトポイント及びＡｌＣｕ合金層の間の電気接触を可能にする。
以下の積層体も形成される：
−電子ビーム蒸着によって堆積された１００ｎｍのクロム、
−マグネトロンスパッタリングによって堆積された３０ｎｍの窒化チタン、
−８５℃の温度においてＡＬＤによって堆積された２５ｎｍの酸化アルミニウム。
このような積層体は、２９Ωの接触抵抗を与え、ソフトポイント及びクロム層の間の電気接触を可能にする。
酸化アルミニウムが、酸化シリコンＳｉＯｘなどの他の酸化物によって置き換えられると、ソフトポイントを有する電気接触は失われる。窒化チタンの中間層が除去された場合も同様である。
例えば、ＡＬＤは、１００℃未満の温度で行われ、特に８５℃未満の温度で行われる。
しかしながら、他の温度範囲も考えられる。特に、２５０℃における堆積が所望の効果を常に与えることが見られ得る。
部品２は、大気に敏感なデバイスである。それは、少なくとも以下のうちの１つの要素であり得る：
−支持基板上に構成される有機薄膜トランジスタ（ＯＴＦＴ）、有機太陽電池（ＯＰＶ）又はＯＬＥＤなどの有機デバイス、
−ＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）回路上に構成される有機ディスプレイ（特にＯＬＥＤ）によって形成されるマイクロディスプレイ、
−例えば酸化亜鉛（ＺｎＯ）に基づく無機太陽電池、
−環境に敏感な透明酸化物を用いたトランジスタなどのマイクロエレクトロニクスデバイス（ＩＮＺＯ（インジウムガリウム亜鉛酸化物）を含むトランジスタＴＦＴ又は“薄膜トランジスタ”）、
−ＰＣＢ（Printed Circuit Board）。
特に、これらの部品は、ＳＨＢ処理による保護を必要とし得る。言い換えると、封止は、ＡＬＤによって堆積される酸化アルミニウム層を用いて行われなければならない。
図３を参照して、本発明による電子デバイス１の第２の実施形態を以下に記載する。図３及び図２の相違点のみが記載される。
図３において、各電気接触トラック１０１は、部品２に属する金属層の端部によって形成される。特に、部品２は、第１の金属層３０がアノードを形成し、第２の金属層３１がカソードを形成し、第１の金属層の一端が第１の電気接触トラックを形成し、第２の金属層の一端が第２の電気接触トラックを形成する層の積層体によって形成される。
第１の金属層３０は、基板３側における部品２の下部層を形成する。第２の金属層３１は、基板３の反対側における部品２の上部層を形成する。
図３に示される実施形態において、絶縁体３２は、金属層３０及び３１を電気的に分離する。
部品２は、幾つかの層４１、４２を含む封止カバーによって覆われる。最も外側の封止層（部品２と反対のカバーの側における）は、ＡＬＤによって堆積される酸化アルミニウム層である。この最終層４２は、本発明による封止層を形成する。封止層４２のみが、それ自体が窒化チタン１０２のそれぞれの層によってのみ覆われる電気接触トラックで構成される組立体を覆う。封止カバーが幾つかの層の積層体で構成される多くの変形が考えられる。全ての場合において、窒化チタン及び酸化アルミニウムの積層体のみが接触トラックを覆うことが確認される。
図４を参照して、本発明による電子部品１の第３の実施形態を以下に記載する。図４及び図３の相違点のみが記載される。
この実施形態において、封止カバーは、ＡＬＤによって堆積され、本発明による封止層４を形成する酸化アルミニウムの単層のみで構成される。
部品２は、基板３及び封止層４の間に斜線で示される。
部品２は、薄層の連続堆積によって形成される。部品２を形成する薄層の１つは、窒化チタン層である。
電気接触トラックの１つにおいて、窒化チタン層１０２が、部品２の一部を形成する窒化チタン層を引き延ばすことによって単純に形成される。
図４に示される特定の実施例において、この窒化チタン層は、次いで金属電気トラック上に延長するように引き延ばされる部品２のアノード３０を形成する。
従って、この電気接触トラックに堆積される窒化チタン層は、部品２を形成する層の１つの単なる延長である。この実施形態は、特に有利である。その理由は、それが、部品を製造するために必要な段階を本発明の実施に特有の段階と結合させるからである。追加の段階は適用されない。その理由は、部品を形成する層の１つの堆積の延長に単に適合するだけで十分であるからである。
示されない一変形例によれば、窒化チタン層は、次いで金属電気トラック上に延長するように引き延ばされる部品２のカソードを形成する。
窒化チタン層が部品２の中間層である場合も考えられる。
これらの２つの変形例において、窒化チタン層は、電気接触トラックの少なくとも一部及び部品の中間層に堆積される。
ＯＬＥＤなどの頻繁に使用される部品、特にＣＭＯＳ回路上にマイクロディスプレイを製造するために使用される部品は、通常窒化チタン層を有する。ＡｌＣｕ／ＴｉＮ積層体（アルミニウム銅合金、続いて窒化チタン）はまた、半導体分野で頻繁に使用される。
本発明は、記載された実施形態に限定されない。特に、記載された実施形態の多くの組み合わせが考えられる。層の厚さの他の例、金属層を形成する金属の他の例、ＡＬＤにおける他の温度、封止カバーの他の実施形態を予想することが可能であろう。全ての場合において、接触トラックは、窒化チタン及び酸化アルミニウム積層体のみによって覆われる。
１ 電子デバイス
２ オプトエレクトロニクス部品
３ 基板
４ 封止層
５ 領域
３０ 金属層
３１ 金属層
３２ 絶縁体
４１ 層
４２ 封止層
１０１ 金属層
１０２ 窒化チタン層
１０３ 酸化アルミニウム層
１０５ 発電機

Claims (12)

  1. 原子層堆積によって酸化アルミニウムの封止層（４、４２）を堆積する段階を含む、金属層（１０１）で構成される少なくとも１つの電気接触トラックに接続される少なくとも１つの電子部品（２）の封止方法であって、
    前記方法がまた、前記電気接触トラック（１０１）の少なくとも一部の直上に窒化チタン層（１０２）を堆積する段階を含み、
    前記封止層（４、４２）が前記窒化チタン層（１０２）を直接覆うように前記封止層が堆積され、
    前記封止層が、前記電気接触トラック（１０１）において開いていないことを特徴とする、電子部品（２）の封止方法。
  2. 前記窒化チタン層（１０２）が、物理気相堆積によって前記電気接触トラック（１０１）の少なくとも一部に堆積されることを特徴とする、請求項１に記載の方法。
  3. 前記窒化チタン層（１０２）が、前記部品（２）の製造段階中に前記電気接触トラック（１０１）の少なくとも一部に堆積され、前記部品（２）が、少なくとも１つが窒化チタン層である層の連続堆積によって製造されることを特徴とする、請求項１または２に記載の方法。
  4. 前記封止層（４、４２）に堆積された接点又は接触ワイヤを用いて前記電気接触トラックの少なくとも一部との電気接触を作る段階を特徴とする、請求項１から３の何れか一項に記載の方法。
  5. 少なくとも１つの電子部品（２）、
    前記部品（２）を覆う酸化アルミニウムの封止層（４、４２）、及び、
    前記部品（２）に接続され、金属層（１０１）で構成される少なくとも１つの電気接触トラック、
    を備え、
    前記電気接触トラック（１０１）の少なくとも一部が、それ自体が前記封止層（４、４２）で直接覆われる窒化チタン層（１０２）で直接覆われ、前記封止層が、前記電気接触トラック（１０１）において開いていないことを特徴とする、電子デバイス（１）。
  6. 前記封止層（４、４２）が、前記デバイス（１）の外部表面を形成することを特徴とする、請求項５に記載のデバイス（１）。
  7. 前記金属層（１０１）が、アルミニウム及び銅の合金層であることを特徴とする、請求項５または６に記載のデバイス（１）。
  8. 前記金属層（１０１）が、銅層、又はアルミニウム層、又はクロム層であることを特徴とする、請求項５または６に記載のデバイス（１）。
  9. 前記封止層（４、４２）が、２０ｎｍから２００ｎｍの厚さであることを特徴とする、請求項５から８の何れか一項に記載のデバイス（１）。
  10. 前記窒化チタン層（１０２）が、５ｎｍから２５０ｎｍの厚さであることを特徴とする、請求項５から９の何れか一項に記載のデバイス（１）。
  11. 前記部品（２）が、太陽電池、ＯＬＥＤ、ＯＰＶ、又はトランジスタなどのマイクロエレクトニクス部品であることを特徴とする、請求項５から１０の何れか一項に記載のデバイス（１）。
  12. 前記封止層（４、４２）にワイヤ接続され、前記電気接触トラック（１０１）に電流を流すように配置された電気接触要素をさらに含むことを特徴とする、請求項５から１１の何れか一項に記載のデバイス（１）。
JP2014057935A 2013-03-21 2014-03-20 封止方法及びそれに関連するデバイス Active JP6399776B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR1352533A FR3003693B1 (fr) 2013-03-21 2013-03-21 Procede d'encapsulation et dispositif associe.
FR1352533 2013-03-21

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2014197677A JP2014197677A (ja) 2014-10-16
JP6399776B2 true JP6399776B2 (ja) 2018-10-03

Family

ID=48771621

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014057935A Active JP6399776B2 (ja) 2013-03-21 2014-03-20 封止方法及びそれに関連するデバイス

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9224621B2 (ja)
EP (1) EP2782156B1 (ja)
JP (1) JP6399776B2 (ja)
KR (1) KR102164586B1 (ja)
FR (1) FR3003693B1 (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR3032065A1 (fr) * 2015-01-28 2016-07-29 Astron Fiamm Safety Procede de realisation d'un contact par pulverisation
EP3443139A4 (en) * 2016-04-12 2019-05-08 Picosun Oy COATING BY ALD TO REMOVE METAL BARBES

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63269541A (ja) * 1987-04-27 1988-11-07 Nec Corp 半導体装置
JPH10154720A (ja) * 1996-11-21 1998-06-09 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置の製造方法
US5913147A (en) * 1997-01-21 1999-06-15 Advanced Micro Devices, Inc. Method for fabricating copper-aluminum metallization
JPH1167763A (ja) * 1997-08-21 1999-03-09 Sony Corp 半導体装置およびその製造方法
EP0899987A1 (en) * 1997-08-29 1999-03-03 TDK Corporation Organic electroluminescent device
US6552488B1 (en) * 1999-08-24 2003-04-22 Agilent Technologies, Inc. Organic electroluminescent device
JP4797285B2 (ja) * 2001-06-18 2011-10-19 凸版印刷株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法
JP2003208975A (ja) * 2002-01-11 2003-07-25 Denso Corp 有機ｅｌ素子の製造方法
US6926572B2 (en) * 2002-01-25 2005-08-09 Electronics And Telecommunications Research Institute Flat panel display device and method of forming passivation film in the flat panel display device
JP2003273113A (ja) * 2002-03-18 2003-09-26 Seiko Epson Corp 半導体装置および配線形成方法
US6583507B1 (en) * 2002-04-26 2003-06-24 Bum Ki Moon Barrier for capacitor over plug structures
JP2003317971A (ja) * 2002-04-26 2003-11-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置およびその作製方法
JP2003347042A (ja) * 2002-05-24 2003-12-05 Denso Corp 有機電子デバイス用の封止膜およびその製造方法
US20050248270A1 (en) * 2004-05-05 2005-11-10 Eastman Kodak Company Encapsulating OLED devices
US7745340B2 (en) 2004-06-26 2010-06-29 Emagin Corporation Method of clearing electrical contact pads in thin film sealed OLED devices
US7342356B2 (en) * 2004-09-23 2008-03-11 3M Innovative Properties Company Organic electroluminescent device having protective structure with boron oxide layer and inorganic barrier layer
US8129266B2 (en) * 2008-07-09 2012-03-06 Semiconductor Componenets Industries, LLC Method of forming a shielded semiconductor device and structure therefor
JP2011071481A (ja) * 2009-08-28 2011-04-07 Fujifilm Corp 固体撮像装置，固体撮像装置の製造方法，デジタルスチルカメラ，デジタルビデオカメラ，携帯電話，内視鏡
FR2958795B1 (fr) 2010-04-12 2012-06-15 Commissariat Energie Atomique Dispositif optoelectronique organique et son procede d'encapsulation.
TWI527207B (zh) * 2011-10-21 2016-03-21 友達光電股份有限公司 可撓式有機發光裝置及其製作方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2014197677A (ja) 2014-10-16
FR3003693B1 (fr) 2017-01-20
EP2782156A2 (fr) 2014-09-24
FR3003693A1 (fr) 2014-09-26
EP2782156B1 (fr) 2019-04-24
US20140284807A1 (en) 2014-09-25
KR20140116024A (ko) 2014-10-01
US9224621B2 (en) 2015-12-29
EP2782156A3 (fr) 2018-01-17
KR102164586B1 (ko) 2020-10-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102648401B1 (ko) 디스플레이 장치
KR102413942B1 (ko) 그래핀 시트 상의 패시베이션 층의 침착
US10069109B2 (en) Organic light emitting device and method of fabricating the same
TWI557893B (zh) 有機發光二極體顯示器及其製造方法
JP6154572B2 (ja) 薄膜蒸着用のマスクフレームアセンブリー
US20220223806A1 (en) Method for producing a display having a carrier substrate, a carrier substrate produced according to said method, and a cover glass intended for a flexible display
CN106098938B (zh) 柔性有机发光二极管显示器及其制造方法
JP5869761B2 (ja) 有機発光表示装置及びその製造方法
TW201025695A (en) Organic light emitting diode apparatus and package method thereof
TWI566405B (zh) 有機無機混合型電晶體
US20070248808A1 (en) Passivation film for electronic device and method of manufacturing the same
JP6040140B2 (ja) 有機エレクトロルミネッセンスデバイス
JP2011129865A (ja) 薄膜トランジスター、及びその形成方法
JP6399776B2 (ja) 封止方法及びそれに関連するデバイス
US9716135B2 (en) Organic thin film transistor array substrate and fabrication method thereof
JP4927938B2 (ja) 有機膜のパターニング方法
JP2006002243A (ja) マスク、マスクの製造方法、成膜方法、電子デバイス、及び電子機器
KR101022650B1 (ko) 평판 디스플레이 장치
KR101375333B1 (ko) 유기 발광 디스플레이 장치
US10529955B2 (en) Method for producing an organic electronic device
CN107046049A (zh) 电极的制造方法和具有电极的显示装置的制造方法
KR101493410B1 (ko) 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
US10686147B2 (en) Organic light emitting display device and manufacturing method thereof
US20170012239A1 (en) Light emitting apparatus
US20140346471A1 (en) Structure and method for packaging organic photoelectric device

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20170314

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20171218

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20171214

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20180314

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20180806

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20180904

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6399776

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250