JP6381201B2 - 置換芳香族化合物、青色発光材料、有機el素子 - Google Patents
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Description
有機ELディスプレイは、プラズマディスプレイ(PDP)と同様に自発光型のディスプレイであり、液晶ディスプレイのようにバックライトを必要としない。そのためディスプレイの構成は単純であり、より薄くかつ軽量にすることが可能で持ち運び用の表示手段として適している。一部の携帯電話、携帯ゲーム機や音楽プレーヤーでは、有機ELディスプレイが液晶ディスプレイに取って代わりつつある状況である。また次世代のテレビとしての応用研究も始まっている。
例えば青色蛍光材料では、楠本らの非特許文献1に開示された下記式で示される4,4′−ビス[2,2−ビス(4−メチルフェニル)エテニル]−1,1′−ビフェニル(DTVBi)が良く知られている。
本発明の青色発光材料は、片側の末端に電子吸引性の置換基を有しており、色度座標上でx=0.15、y=0.06という従来にない深い青色発光を示し、外部量子効率においても5%を超える高効率を達成できる。このような高効率の青色発光材料は、有機EL照明の高い演色性、有機ELディスプレイの高い色再現性において必要不可欠なものである。したがって本発明の青色発光材料は、工業的に極めて有用である。
反応溶媒は、前記パラジウム触媒や塩基と反応しないものであれば特に限定されない。その例としては、トルエンやキシレンのような芳香族溶媒、1,4−ジオキサンや1,2−ジメトキシエタンのようなエーテル系溶媒が挙げられる。芳香族溶媒の場合、メタノールやエタノールなどのアルコール系溶媒と併用して使用することもできる。
中間原料の塩素化物からホウ酸化合物を得る反応については、塩素の反応性の低さからグリニャール試薬や金属リチウム試薬の合成が困難なため、下記〔化10〕に示す、S−Phos(2−ジシクロヘキシルホスフィノ−2′,6′−ジメトキシビフェニル)とビス(ピナコラート)ジボランを用いてボロン酸エステルを直接合成する。
本発明の青色発光材料を有機EL素子の発光材料に使用する場合、単独で用いてもよいし、適当なホスト材料と組み合わせて用いてもよい。
本発明の有機EL素子は、陽極と陰極間に複数層の有機化合物を積層した素子であり、発光層の発光材料として本発明の青色発光材料を含有する。発光層は、発光材料単独又は発光材料とホスト材料から構成される。
多層型の有機EL素子の構成例としては、例えば陽極(例えばITO)/ホール輸送層/発光層/電子輸送層/陰極、ITO/ホール輸送層/発光層/電子輸送層/電子注入層/陰極、ITO/ホール輸送層/発光層/ホールブロック層/電子輸送層/陰極、ITO/ホール輸送層/発光層/ホールブロック層/電子輸送層/電子注入層/陰極、ITO/ホール注入層(正孔注入層)/ホール輸送層/発光層/ホールブロック層/電子輸送層/電子注入層/陰極等の多層構成で積層したものが挙げられる。また、必要に応じて陰極上に封止層を有していても良い。
ホール輸送層、電子輸送層、及び発光層のそれぞれの層は、各機能を分離した多層構造であることが望ましい。またホール輸送層、電子輸送層はそれぞれの層で注入機能を受け持つ層(ホール注入層及び電子注入層)と輸送機能を受け持つ層(ホール輸送層及び電子輸送層)を別々に設けることもできる。
本発明の有機EL素子は基板に支持されていることが好ましい。基板の素材については特に制限はなく、従来の有機EL素子に慣用されているものが使用でき、例えばガラス、石英ガラス、透明プラスチックなどからなるものを用いることができる。
電極材料の具体例としては、リチウム、リチウム−インジウム合金、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、マグネシウム−銀合金、マグネシウム−インジウム合金、アルミニウム、アルミニウム−リチウム合金、アルミニウム−マグネシウム合金などが挙げられる。陰極は、これらの電極材料を用いて蒸着、スパッタリングなどの方法で薄膜を形成させることにより作製することができる。陰極のシート電気抵抗は数百Ω/cm2以下が好ましい。陰極の膜厚は材料にもよるが、一般に5〜1,000nm程度、好ましくは10〜500nmである。有機EL素子の発光を効率よく取り出すため、陽極と陰極の少なくとも一方は透明又は半透明であることが好ましい。
ホール伝達物質としては、前記性能を有するものであれば特に制限はなく、従来光導電材料においてホールの電荷注入材料として慣用されているものや有機EL素子のホール輸送層に使用されている公知の材料の中から任意のものを選択して用いることができる。
ホール輸送層は、上記ホール伝達物質を一種又は二種以上用いた一層構成のもので良いが、更に上記以外のホール伝達物質からなるホール輸送層を積層したものでも良い。
電子輸送層は、上記電子輸送材料を一種又は二種以上用いた一層構成のもので良いが、更に上記以外の電子輸送材料からなる電子輸送層を積層したものでも良い。
併用する発光材料としては、ペリレン誘導体、ナフタセン誘導体、キナクリドン誘導体、クマリン誘導体(例えばクマリン1、クマリン540、クマリン545など)ピラン誘導体(例えばDCM−1、DCM−2、DCJTBなど)、有機金属錯体、例えばトリス(8−ヒドロキシキノリノラト)アルミニウム錯体(Alq3)、トリス(4−メチル−8−ヒドロキシキノリノラト)アルミニウム錯体(Almq3)等の蛍光材料や、[2−(4,6−ジフルオロフェニル)ピリジル−N,C2′]イリジウム(III)ピコリレート(FIrpic)、トリス{1−[4−(トリフルオロメチル)フェニル]−1H−ピラゾラート−N,C2′}イリジウム(III)(Irtfmppz3)、ビス[2−(4′,6′−ジフルオロフェニル)ピリジナト−N,C2′]イリジウム(III)テトラキス(1−ピラゾリル)ボレート(FIr6)、トリス(2−フェニルピリジナト)イリジウム(III)(Irppy3)などのリン光材料などが挙げられる。
本発明の青色発光材料は、ホスト材料に対して0.01〜40重量%用いることが好ましく、より好ましくは0.1〜20重量%である。
電子輸送層の製膜については、湿式製膜法で行うと下層が溶出する恐れがあるため乾式製膜法(真空蒸着法、イオン化蒸着法など)に限定される。
有機EL素子の作製全体については上記の製膜法を併用しても構わない。
また、本発明の有機EL素子は、酸素や水分等の接触を遮断するため保護層(封止層)を設けたり、不活性物質中に素子を封入して保護することができる。不活性物質としてはパラフィン、シリコンオイル、フルオロカーボン等が挙げられる。保護層に使用する材料としては、フッ素樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ポリエステル、ポリカーボネート、光硬化性樹脂等が挙げられる。
本発明の有機EL素子は、例えば電子写真感光体、フラットパネルディスプレイなどの平面発光体、複写機、プリンター、液晶ディスプレイのバックライト、計器等の光源、各種発光素子、各種表示装置、各種標識、各種センサー、各種アクセサリーなどに使用することができる。
図45は、本発明の有機EL素子の一例を示す断面図である。図45は、基板1上に陽極2、正孔輸送層5、発光層3、電子輸送層6及び陰極4を順次設けた構成のものである。これはキャリア輸送と発光の機能を分離したものであり、材料選択の自由度が増すので、発光の高効率化や発光色の自由度が増すことになる。
図46は、本発明の有機EL素子の他の例を示す断面図である。図46は、基板1上に陽極2、ホール注入層7、ホール輸送層5、発光層3、電子輸送層6及び陰極4を順次設けた構成のものである。ホール注入層7を設けることにより、陽極2とホール輸送層5の密着性が高まり、陽極からのホール注入が良くなり、発光素子の低電圧化に効果がある。
図48は、本発明の有機EL素子の他の例を示す断面図である。図48は、基板1上に陽極2、ホール注入層7、ホール輸送層5、発光層3、電子輸送層6、電子注入層8及び陰極4を順次設けた構成のものである。この場合、陽極2からのホール注入が良くなり、陰極4からの電子注入が良くなり、最も低電圧駆動に効果がある構成である。
図49〜図52で、ホール輸送層5,ホール注入層7、電子輸送層6、電子注入層8、発光層3、ホールブロック層9のそれぞれの層は、一層構造でも多層構造でも良い。
上記図45〜図52は、あくまでも基本的な素子構成であり、本発明の化合物を用いた有機EL素子の構成はこれらに限定されるものではない。
この薄黄色粉末を核磁気共鳴スペクトル(1H−NMR)及び質量分析(EI−MS)で確認した。1H−NMRの図を図1に、EI−MSの図を図2に示す。また得られた結果は、1H−NMR(400MHz,CDCl3)d8.50(s,1H),8.04(d,J=8.68Hz,2H),7.66(d,J=9.16Hz,2H),7.61−7.53(m,4H)7.47−7.42(m,4H),7.34(t,1H)ppm.EI−MS:m/z254[M+]であり、(1)の構造を支持するものであった。
この薄黄固体を、核磁気共鳴スペクトル(1H−NMR)及び質量分析(EI−MS)で確認した。1H−NMRの図を図3に、EI−MSの図を図4に示す。また、得られた結果は、1H−NMR(400MHz,CDCl3)d8.60(d,J=9.12Hz,2H),7.64(d,J=9.16Hz,2H),7.60−7.54(m,4H),7.41−7.35(m,5H)ppm.EI−MS:m/z333[M+]であり、(2)の構造を支持するものであった。
この薄黄色粉末を、核磁気共鳴スペクトル(1H−NMR)及び質量分析(EI−MS)で確認した。1H−NMRの図を図5に、EI−MSの図を図6に示す。また得られた結果は、1H NMR(400MHz,CDCl3)d8.54(s,1H),8.07(d,J=8.72Hz,2H),7.89(d,J=8.24Hz,2H),7.56(d,J=7.80Hz,2H)7.52−7.46(dd,dd,4H),7.40−7.36(dd,J=7.80Hz,J=7.32Hz,2H)ppm.EI−MS:m/z279[M+]であり、(3)の構造を支持するものであった。
この黄色固体を、核磁気共鳴スペクトル(1H−NMR)及び質量分析(EI−MS)で確認した。1H−NMRの図を図7に、EI−MSの図を図8に示す。また、得られた結果は、1H−NMR(400MHz,CDCl3):8.63(d,J=8.68,2H),7.89(d,J=8.24,2H),7.63−7.59(m,2H),7.54(d,J=8.24,2H),7.49(d,J=9.16,2H),7.43−7.39(m,2H)ppm.EI−MS:m/z357[M+]であり、(4)の構造を支持するものであった。
この薄黄色粉末を核磁気共鳴スペクトル(1H−NMR)及び質量分析(EI−MS)で確認した。1H−NMRの図を図9に、EI−MSの図を図10に示す。また得られた結果は、1H−NMR(400MHz,CDCl3):7.92(d,J=8.24Hz,2H),7.69−7.67(dd,J=3.20Hz,J=3.20Hz,2H),7.61-7.59(dd,J=4.60Hz,J=5.04Hz,4H),7.55-7.53(dd,J=3.20Hz,J=3.20Hz,2H),7.41(d,J=8.72,2H),7.40−7.36(dd,J=3.20Hz,J=3.20Hz,4H)ppm.EI−MS:m/z389[M+]であり、(5)の構造を支持するものであった。
この白色固体を、核磁気共鳴スペクトル(1H−NMR)及び質量分析(EI−MS)で確認した。1H−NMRの図を図11に、EI−MSの図を図12に示す。また得られた結果は、1H−NMR(400MHz,CDCl3,25°C):d=8.05(d,J=7.76Hz,2H),7.91(d,J=8.24Hz,2H),7.71−7.68(dd,J=2.76Hz,J=1.80Hz,2H),7.61(d,J=8.24Hz,2H),7.54−7.51(dd,J=2.28Hz,J=3.20Hz,2H),7.49(d,J=7.76Hz,2H),7.36−7.32(m,4H),1.43(s,12H)ppm.EI−MS:m/z482[M+]であり、(6)の構造を支持するものであった。
m.p.376℃.
この薄黄色粉末を、核磁気共鳴スペクトル(1H−NMR)、質量分析(EI−MS)及び元素分析で確認した。1H−NMRの図を図13に、EI−MSの図を図14に示す。また、得られた結果は、1H−NMR(400MHz,CDCl3,25°C):d8.00(d,J=9.16Hz,2H),7.97(d,J=8.24Hz,2H),7.95(d,J=5.96Hz,2H),7.77(d,J=8.68Hz,2H),7.73(d,J=4.56Hz,2H),7.70(d,J=5.48Hz,2H),7.66(d,J=5.92Hz,2H),7.63(d,J=7.80Hz,2H),7.59(d,J=7.32Hz,2H),7.54−7.49(dd,dd,6H),7.45(d,J=8.24Hz,2H),7.41(d,J=7.12Hz,2H),7.40(t,1H)ppm.EI−MS:m/z608[M+].Anal.Calcd for C46H29N:C.92.89;H.4.81;N.2.30.Found C.92.71;H.5.04;N.2.25であり、1PA4CABの構造を支持するものであった。
この薄黄色粉末を、核磁気共鳴スペクトル(1H−NMR)及び質量分析(EI−MS)で確認した。1H−NMRの図を図15に、EI−MSの図を図16に示す。また得られた結果は、1H−NMR(400MHz,CDCl3):8.48(s,1H),8.04(d,J=8.24Hz,2H),7.72(d,J=8.68Hz,2H),7.48−7.44(dd,2H),7.37−7.35(dd,dd,4H),7.12(d,J=8.68Hz,2H),3.95(s,3H)ppm.EI−MS:m/z284[M+]であり、(7)の構造を支持するものであった。
この黄色固体を、核磁気共鳴スペクトル(1H−NMR)及び質量分析(EI−MS)で確認した。1H−NMRの図を図17に、EI−MSの図を図18に示す。また得られた結果は、1H−NMR(400MHz,CDCl3):8.61(d,J=9.16Hz,2H),7.71(d,J=8.68,2H),7.61-7.57(dd,J=7.76Hz,J=7.86Hz,2H),7.40-7.36(dd,J=9.16Hz,J=8.68Hz,2H),7.32(d,J=8.68,2H),7.12(d,J=8.72,2H),3.95(s,3H)ppm.EI−MS:m/z363[M+]であり(8)の構造を支持するものであった。
この黄色粉末を、核磁気共鳴スペクトル(1H−NMR)、質量分析(EI−MS)及び元素分析で確認した。1H−NMRの図を図19に、EI−MSの図を図20に示す。また得られた結果は、1H−NMR(400MHz,CDCl3,25°C):d8.00(d,J=8.72Hz,2H),7.96(d,J=1.84Hz,2H),7.94(d,J=1.36Hz,2H),7.82(d,J=8.72Hz,2H),7.73(d,J=4.56Hz,2H),7.72(d,J=3.64Hz,2H),7.68(d,J=8.24Hz,2H),7.61(d,J=8.68Hz,2H),7.52−7.49(m,4H),7.45(d.J=8.68Hz,2H),7.44−7.41(m,4H),7.18(d,J=8.24Hz,2H),3.98(s,3H)ppm.EI−MS:m/z638[M+].Anal.Calcd for C48H31NO:C.90.40;H.4.90;N.2.20.Found C.90.48;H.4.83;N.2.32であり、1MPA4CABの構造を支持するものであった。
の合成
1−〔10−(2−メチル−4−メトキシ)フェニルアントラセン−9−イル〕−4−〔10−(4−シアノフェニル)アントラセン−9−イル〕ベンゼン(1MMPA4CAB;表2のNo.33の化合物)の合成
1−〔3−メチル−10−(4−メトキシフェニル)アントラセン−9−イル〕−4−〔10−(4−シアノフェニル)アントラセン−9−イル〕ベンゼン(3MMPA4CAB;表2のNo.35の化合物)の合成
1−〔10−(4−メトキシフェニル)アントラセン−9−イル〕−2−メチル−4−〔10−(4−シアノフェニル)アントラセン−9−イル〕ベンゼン(1MPA2M4CAB;表2のNo.38の化合物)の合成
1−〔10−(4−メトキシフェニル)アントラセン−9−イル〕−4−〔3−メチル−10−(4−シアノフェニル)アントラセン−9−イル〕ベンゼン(1MPA43MCAB;表2のNo.41の化合物)の合成
得られた白色結晶を、核磁気共鳴スペクトル(1H−NMR)で確認した。1H−NMRの図を図21に示す。また得られた結果は、1H−NMR(600MHz,CDCl3,25℃):δ9.08(s,1H),8.62(d,J=8.22Hz,2H),8.42(d,J=8.28Hz,2H),8.14(d,J=8.94Hz,2H),8.12(d,J=8.28Hz,2H),8.04(d,J=6.9Hz,1H),8.03(d,J=7.56Hz,1H),7.94(d,J=7.56Hz,1H),7.93(d,J=7.56Hz,1H)ppmであった。
得られたものを核磁気共鳴スペクトル(1H−NMR)で確認した。1H−NMRの図を図22に示す。なお、図22の下図は全体図、上図は一部拡大図である。また得られた結果は、1H−NMR(600MHz,CDCl3,25℃):δ 8.61(d,J=8.22,2H),7.84(d,J=7.56Hz,2H),7.60(d,J=6.84Hz,1H),7.58(d,J=6.84Hz,1H)
,7.53(d,J=7.56Hz,2H),7.52(d,J=8.9Hz,2H),7.39(d,J=6.9Hz,1H),7.38(d,J=6.18,1H)ppmであった。
得られたものを核磁気共鳴スペクトル(1H−NMR)で確認した。1H−NMRの図を図23に示す。なお、図23の下図は全体図、上図は一部拡大図である。また得られた結果は、1H−NMR(600MHz,CDCl3,25℃):δ8.14(d,J=8.22Hz,2H),7.84−7.82(m,6H),7.76−7.74(m,2H),7.63−7.61(m,2H),7.54−7.51(m,4H)ppmであった。
得られたものを核磁気共鳴スペクトル(1H−NMR)で確認した。1H−NMRの図を図24に示す。なお、図24の下図は全体図、上図は一部拡大図である。また得られた結果は、1H−NMR(600MHz,CDCl3,25℃):δ8.19(d,J=7.56Hz,2H),8.13(d,J=7.56Hz,2H),7.84(d,J=7.56Hz,2H),7.83(d,J=8.22Hz,2H),7.74(d,J=8.22Hz,2H),7.62(d,J=6.18Hz,2H),7.52−7.48(m,4H),1.60(S,12H)ppmであった。
得られたものを、核磁気共鳴スペクトル(1H−NMR)及び質量分析(EI−MS)で確認した。1H−NMRの図を図25に、EI−MSの図を図26に示す。なお、図25の下図は全体図、上図は一部拡大図である。また得られた結果は、1H−NMR(600MHz,CDCl3,25℃):δ8.18(d,J=8.22Hz,2H),8.17(d,J=8.22,2H),8.15(d,J=8.94Hz,2H),7.93(d,J=8.28Hz,2H),7.92(d,J=5.52Hz,2H),7.91(d,J=7.56Hz,2H),7.90(d,J=8.22Hz,2H),7.82(d,J=8.28Hz,2H),7.81(d,J=7.56Hz,2H),7.75(t,1H),7.69−7.54(m,10H)ppm.EI−MS:m/z651[M+1]であり、1PA4TABの構造を支持するものであった。
1−〔10−(4−メトキシフェニル)アントラセン−9−イル〕−4−〔10−(4−トリフルオロメチルフェニル)アントラセン−9−イル〕ベンゼン(1MPA4TAB;表3のNo.76の化合物)の合成
得られたものを、核磁気共鳴スペクトル(1H−NMR)及び質量分析(EI−MS)で確認した。1H−NMRの図を図27に、EI−MSの図を図28に示す。なお、図27の上は全体図、下は一部拡大図である。また得られた結果は、1H−NMR(600MHz,CDCl3,25℃):δ8.18(d,J=8.94Hz,2H),8.17(d,J=8.28Hz,2H),8.13(d,J=8.28、Hz,2H),7.96(d,J=8.28Hz,2H),7.91(d,J=10.3Hz,6H),7.81(d,J=8.94Hz,2H),7.67−7.54(m,10H),4.89(s,3H)ppm.EI−MS:m/z681[M+1]であり1MPA4TABの構造を支持するものであった。
1−〔10−(4−トリル)アントラセン−9−イル〕−4−〔10−(4−トリフルオロメチルフェニル)アントラセン−9−イル〕ベンゼン(1TA4TAB;表3のNo.63の化合物)の合成
得られたものを、核磁気共鳴スペクトル(1H−NMR)及び質量分析(EI−MS)で確認した。1H−NMRの図を図29に、EI−MSの図を図30に示す。なお、図29の上は全体図、下は一部拡大図である。また得られた結果は、1H−NMR(600MHz,CDCl3,25℃):δ8.18(d,J=8.94Hz,2H),8.17(d,J=7.56Hz,2H),8.14(d,J=8.94Hz,2H),7.93(D,J=8.28Hz,4H),7.91(d,J=8.28Hz,4H),7.67−7.53(m,12H),1.87(s,3H)ppm.EI−MS:m/z664[M+]であり1TA4TABの構造を支持するものであった。
実施例1の1PA4CAB、実施例2の1MPA4CAB、及び比較例1として、特開2006−114844号公報記載の下記の9,10−ジフェニルアントラセン誘導体{9−フェニル−10−[4−(10−フェニル−9−アントラセニル)フェニル]アントラセン(9P10PAPA)}の熱分析を行った。それぞれの化合物の融点及び分解温度の測定結果を表12及び、図31(融点)、図32(分解温度)に示す。図中の「compaund00」は「9P10PAPA」、「compaund01」は「1PA4CAB」、「compaund02」は「1MPA4CAB」である。
分解温度は、DTA(示差熱分析装置)にサンプルを加えて加熱していくと、サンプルが熱によって分解し重量が減少し出すので、5%重量が減少したところの温度を読んで、分解温度とした。測定装置には、SEIKO EXSTAR 6000 TG/DTA 6200を用い、窒素雰囲気下、昇温レート10℃/minで測定した。
実施例1の1PA4CAB、実施例2の1MPA4CAB、比較例1の9P10PAPAの光特性及び電気化学特性を測定した。光特性の結果を表13に、電気化学特性の結果を表14に示す。また、トルエン溶液で測定したUVとPLの結果を図33に、薄膜で測定したUVとPLの結果を図34に示す。図中の「○」は「9P10PAPA」、「△」は「1PA4CAB」、「□」は「1MPA4CAB」である。
エネルギーギャップとイオン化ポテンシャルの差(Eg)は、真空蒸着により作製した薄膜について紫外−可視吸光度計で吸収曲線を測定し、その薄膜の短波長側の立ち上がりのところに接線を引き、吸収曲線との交点の波長W(nm)を次の式に代入して求めた。
Eg=1240÷W
例えば接線を引いて得られたW(nm)が470nmならば、Egは次のようになる。
Eg=1240÷470=2.63(eV)
HOMO(最高占有軌道)の値は、イオン化ポテンシャル測定装置(理研計器社製AC−3)を用い、サンプルがイオン化を開始したときの電圧(eV)の値とした。
LUMO(最低被占有軌道)の値は、HOMOからEgを引いた値である。
実施例1の1PA4CAB、実施例2の1MPA4CAB、比較例1の9P10PAPAを、それぞれ発光層に用いた、実施例15、16、比較例2の各有機EL素子を作製し素子特性を評価した。素子作製に用いた他の材料は以下のとおりである。
・比較例2:ITO(陽極)/TAPC(40nm)(ホール輸送層)/9P10PAPA(20nm)(発光層)/B3PyPB(40nm)(電子輸送層)/LiF(1nm)(電子注入層)/Al(80nm)(陰極)
・実施例15:ITO(陽極)/TAPC(40nm)(ホール輸送層)/1PA4CAB(20nm)(発光層)/B3PyPB(40nm)(電子輸送層)/LiF(1nm)(電子注入層)/Al(80nm)(陰極)
・実施例16:ITO(陽極)/TAPC(40nm)(ホール輸送層)/1MPA4CAB(20nm)(発光層)/B3PyPB(40nm)(電子輸送層)/LiF(1nm)(電子注入層)/Al(80nm)(陰極)
作製した素子の、電流密度−電圧−輝度特性を図35に、電流効率−輝度特性を図36に、電力効率−輝度特性を図37に、外部量子効率−電流密度特性を図38に、ELスペクトルを図39にそれぞれ示す。図中の「○」は比較例2、「△」は実施例15、「□」は実施例16である。
また、100cd/m2時及び1000cd/m2時の電圧、電力効率、電流効率及び外部量子効率の値と、1000cd/m2時の最大発光波長、半値幅及び色度座標の値を表15に示す。
下記のCBP〔4,4′−ジ(カルバゾール−9−イル)−1,1′−ビフェニル〕に対し、実施例1の1PA4CAB、実施例2の1MPA4CAB、比較例1の9P10PAPAを、それぞれ6重量%共蒸着して発光層を形成した、実施例17、18、比較例3の各有機EL素子を作製し、素子特性を評価した。
・比較例3:ITO(陽極)/TAPC(40nm)(ホール輸送層)/CBP:6重量%9P10PAPA(20nm)(発光層)/B3PyPB(40nm)(電子輸送層)/LiF(1nm)(電子注入層)/Al(80nm)(陰極)
・実施例17:ITO(陽極)/TAPC(40nm)(ホール輸送層)/CBP:6重量%1PA4CAB(20nm)(発光層)/B3PyPB(40nm)(電子輸送層)/LiF(1nm)(電子注入層)/Al(80nm)(陰極)
・実施例18:ITO(陽極)/TAPC(40nm)(ホール輸送層)/CBP:6重量%1MPA4CAB(20nm)(発光層)/B3PyPB(40nm)(電子輸送層)/LiF(1nm)(電子注入層)/Al(80nm)(陰極)
作製した素子の電流密度−電圧−輝度特性を図40に、電流効率−輝度特性を図41に、電力効率−輝度特性を図42に、外部量子効率−輝度特性を図43に、ELスペクトルを図44にそれぞれ示す。図中の「○」は比較例3、「△」は実施例17、「□」は実施例18である。
また、100cd/m2時及び1000cd/m2時の電圧、電力効率、電流効率及び外部量子効率の値と、1000cd/m2時の最大発光波長、半値幅及び色度座標の値を表16に示す。
実施例1の1PA4CAB、実施例2の1MPA4CAB、比較例1の9P10PAPをそれぞれ用いたニート膜と、これらの化合物を前記CBPにそれぞれ3重量%共蒸着した膜(3%ドープCBP膜)の蛍光量子効率を測定した。結果を表17に示す。
2 陽極(ITO)
3 発光層
4 陰極
5 正孔(ホール)輸送層
6 電子輸送層
7 正孔(ホール)注入層
8 電子注入層
9 ホールブロック層
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