JP6374531B2 - 基板表面上に材料をスパッタリングするためのスパッタリング装置 - Google Patents

Description

本開示の実施形態は、基板表面上に材料をスパッタリングするためのスパッタリング装置に関し、基板表面上に材料をスパッタリングするための方法に関する。

プラスチック膜又は箔などのフレキシブル基板の処理は、パッケージング業界、半導体業界、及びその他の業界で需要が高い。処理は、金属、半導体、及び誘電体材料などの所望の材料でのフレキシブル基板のコーティング、エッチング、並びに所望の用途のために基板に対して行われるその他の処理ステップから成り得る。この作業を実施するシステムは、一般に、基板を搬送するための処理システムに連結されたコーティングドラム、例えば、円筒形状のローラを含み、このコーティングドラム上で基板の少なくとも一部分が処理される。基板上に材料を堆積させる方法は、スパッタリング処理を含む。通常、スパッタリング処理は、その中に基板が配置されるところの真空チャンバ内で実行され、ソース（ｓｏｕｒｃｅ）であるターゲットから基板表面上へ材料を取り出すことを含む。

コーティングされた層の厚さの均一性は、とりわけ、ソースと基板との間の距離に依存する。種々の材料を有する基板上への光学的応用（例えば、ウィンドウ膜、反射防止コーティング）のような真空コーティングシステムを使用して製造される新しい製品は、コーティングされた層のそのような均一性に対して増加された要件を課す。更に、（例えば、３０００ｎｍまで）基板の幅が増加するので、所与の均一性の要件を満たすことは困難である。

上述の観点から、当該技術分野での問題の少なくとも幾つかを克服する、新しいスパッタリング装置、及びその操作方法が望まれる。

上述のことに照らして、基板表面上に材料をスパッタリングするためのスパッタリング装置及び基板表面上に材料をスパッタリングするための方法が提供される。本開示の更なる態様、利点、及び特徴は、特許請求の範囲、明細書、及び添付の図面から明らかとなる。

一態様によれば、基板表面上に材料をスパッタリングするためのスパッタリング装置が提供される。スパッタリング装置は、第１の末端部分及び第２の末端部分を有する少なくとも１つのスパッタリングカソードであって、第１の軸に沿って延在する、少なくとも１つのスパッタリングカソード、基板を支持するように構成され、少なくとも１つのスパッタリングカソードと対向して配置される少なくとも１つの基板支持体であって、第２の軸に沿って延在し、第２の軸が第１の軸と共に第１の角度を形成する、少なくとも１つの基板支持体、並びに少なくとも１つのスパッタリングカソード、特に、第１の末端部分及び／又は第２の末端部分と、連結可能な少なくとも１つの駆動デバイスを含む。少なくとも１つの駆動デバイスは、特にスパッタリング処理の間に、第１の角度を変更するように構成される。

別の一態様によれば、第１の末端部分及び第２の末端部分を有する少なくとも１つのスパッタリングカソードであって、第１の軸に沿って延在する、少なくとも１つのスパッタリングカソードを有するスパッタリング装置を用いて、基板表面上に材料をスパッタリングするための方法が提供される。該方法は、スパッタリング処理の間に第１の軸の方向を変更することを含む。

更に別の一態様によれば、スパッタリング装置を用いて基板表面上に材料をスパッタリングするための方法が提供される。スパッタリング装置は、第１の末端部分及び第２の末端部分を有する少なくとも１つのスパッタリングカソードであって、第１の軸に沿って延在する、少なくとも１つのスパッタリングカソード、基板を支持するように構成され、少なくとも１つのスパッタリングカソードと対向して配置される少なくとも１つの基板支持体であって、第２の軸に沿って延在し、第２の軸が第１の軸と共に第１の角度を形成する、少なくとも１つの基板支持体、並びに少なくとも１つのスパッタリングカソード、特に、第１の末端部分及び／又は第２の末端部分と、連結可能な少なくとも１つの駆動デバイスを含む。少なくとも１つの駆動デバイスは、特にスパッタリング処理の間に、第１の角度を変更するように構成される。該方法は、スパッタリング処理の間に第１の軸の方向を変更することを含み、第１の軸の方向を変更することが、第１の角度を変更することをもたらす。

実施形態は、本開示の方法を実行するためのデバイスも対象とし、各説明された方法ステップを実行するためのデバイス部分を含む。これらの方法ステップは、ハードウェア構成要素、適切なソフトウェアによってプログラムされたコンピュータを手段として、又はこれらの２つの任意の組合せによって、或いは任意の他の方式で実行することができる。更に、本発明による実施形態は、それによって説明される装置が動作するところの方法も対象とする。該方法は、該装置のあらゆる機能を実行するための方法ステップを含む。

本開示の上述の特徴を詳細に理解するために、上で短く要約された本発明のより具体的な説明が、実施形態を参照することによって得られるだろう。添付の図面は、本開示の実施形態に関連し、以下の記述において説明される。

本明細書で説明される実施形態を使用するためのスパッタリング装置の側面断面図を示す。 図１のコーティングドラム及びスパッタリングカソードの前面断面図を示す。 図１のコーティングドラム、レシピエントプレート（ｒｅｃｉｐｉｅｎｔ ｐｌａｔｅ）、及びスパッタリングカソードの上面断面図を示す。 本明細書で説明される実施形態を使用するための別のスパッタリング装置の側面断面図を示す。 図３Ａのコーティングドラム、レシピエントプレート、及びスパッタリングカソードの上面断面図を示す。 本明細書で説明される実施形態による、スパッタリング装置の側面断面図を示す。 本明細書で開示される実施形態による、第１の角度を規定する第１の軸及び第２の軸を示す。 本明細書で説明される実施形態による、図４のスパッタリング装置の上面断面図を示す。 別のスパッタリング装置の側面断面図を示す。 図７Ａのスパッタリング装置の別の側面断面図を示す。 本明細書で説明される実施形態による、スパッタリング装置の側面断面図を示す。 本明細書で説明される実施形態による、ウェブコーティングのための複数のコーティングドラムを含む、スパッタリング装置の前面断面図を示す。 本明細書で説明される実施形態による、基板表面上に材料をスパッタリングするための方法のフローチャートを示す。

ここで、本開示の様々な実施形態が詳細に参照されることになり、その１以上の実施例が図示される。図面に関する以下の説明の中で、同じ参照番号は同じ構成要素を指している。概して、個々の実施形態に関しての相違のみが説明される。本開示の説明として各実施例が与えられるが、本発明を限定するつもりはない。更に、１つの実施形態の部分として図示及び説明されている特徴は、更なる実施形態をもたらすために、他の実施形態と共に用いられてもよく、又は他の実施形態と併用してもよい。本明細書の説明は、かかる修正及び改変を含むことが意図されている。

図１は、分離された状態にある、本明細書で説明される実施形態を使用するためのスパッタリング装置１０の側面断面図を示す。スパッタリング装置１０は、真空チャンバ１１及びコーティングドラム１２を有する。コーティングドラム１２は、真空チャンバ１１内に配置され、（図示せぬ）コーティングされるべき基板を支持するように構成される。ある実施態様によれば、スパッタリング装置１０の複数のスパッタリングカソード１６は、「レシピエントプレート」とも呼ばれ得る保持デバイス１４に取り付けられている。図１で示されているように、スパッタリングカソード１６及び保持デバイス１４は、カンチレバー構成として形成され得る。そこに取り付けられているスパッタリングカソード１６を有する保持デバイス１４は、搬送デバイス１５上に提供され得る。スパッタリング装置１０を組み立てるために、スパッタリングカソード１６は、その開口部を通って真空チャンバ１１の中へ移動される。図２Ａの前面断面図及び図２Ｂの上面断面図で示されているように、スパッタリングカソード１６は、コーティングドラム１２を取り囲むように、真空チャンバ１１内に配置される。レシピエントプレート又は保持デバイス１４は、気密なやり方で真空チャンバ１１の開口部を密封し得る。

ある実施態様では、スパッタリングカソード１６と、コーティングドラム１２と、オプションとして保持デバイス１４及び／又はフレキシブル基板を搬送するための搬送手段などの更なる要素とを含むアセンブリが、真空チャンバ１１に対して移動可能なように提供され得る。一実施例として、スパッタリングカソード１６及びコーティングドラム１２は、真空チャンバ１１の中へ移動可能であり、且つ、真空チャンバ１１から外へ移動可能な独立した物（ｅｎｔｉｔｙ）として提供され得る。

本明細書で説明される他の実施形態と組み合わせることが可能な、ある実施形態によれば、スパッタリング装置は、真空チャンバ１１に連結され真空チャンバ１１をポンプアウト（ｐｕｍｐ ｏｕｔ）するように構成された（図示せぬ）１以上のポンプを更に含み得る。１以上のポンプは、真空チャンバ１１の内側の中真空〜高真空を生成するように適合され得る。例えば、処理チャンバ１１の内側の真空は、１０^−１ｍｂａｒ〜１０^−７ｍｂａｒの範囲内、特に、１０^−２ｍｂａｒ〜１０^−６ｍｂａｒの範囲内、例えば、１０^−３ｍｂａｒなどであり得る。

図１、図２Ａ、及び図２Ｂでは、スパッタリングカソード１６とコーティングドラム１２が平行であるように配置される、すなわち、スパッタリングカソード１６とコーティングドラム１２との間の距離が一定である、理想的な場合が示されている。しかし、図３Ａ及び図３Ｂで示されるような実際のシステムでは、特に、重力とレシピエントプレート又は保持デバイス１４に対するスパッタリングカソード１６の一方の側の取り付けからもたらされるレバーアームとのせいで、レシピエントプレート及び／又はスパッタリングカソード１６が曲がる。図３Ｂで示されるように、そのような曲げは、スパッタリングカソード１６とコーティングドラム１２の平行ではない構成をもたらす。

スパッタリングカソード１６の曲げは、（例えば、機械的な応力のために、分離された状態及び組み立てられた状態などの）種々の状況において異なり、例えば、真空チャンバ１１のポンピング及び通気の間に、特に、電極の位置に応じて変化し得る。曲げは、例えば、熱膨張のために、スパッタリング処理の間に更に変化し得る。そのような曲げは、コーティングされた層の厚さの不均一性をもたらす。一実施例として、スパッタリングカソード１６とコーティングドラム１２との間の約４ｍｍの平行ではない構成は、均一性に約２％ほどの影響を与え得る。

本開示は、特に、スパッタリングカソード及び／又は保持デバイスの曲げを埋め合わせることを可能にする、基板表面上に材料をスパッタリングするためのスパッタリング装置を提供する。

一態様によれば、基板表面上に材料をスパッタリングするためのスパッタリング装置が提供される。スパッタリング装置は、第１の末端部分及び第２の末端部分を有する少なくとも１つのスパッタリングカソードであって、第１の軸に沿って延在する、少なくとも１つのスパッタリングカソード、基板を支持するように構成され、少なくとも１つのスパッタリングカソードと対向して配置される少なくとも１つの基板支持体であって、第２の軸に沿って延在し、第２の軸が第１の軸と共に第１の角度を形成する、少なくとも１つの基板支持体、並びに少なくとも１つのスパッタリングカソード、特に、第１の末端部分及び／又は第２の末端部分と、連結可能な少なくとも１つの駆動デバイスを含む。少なくとも１つの駆動デバイスは、特にスパッタリング処理の間に、第１の角度を変更するように構成される。

したがって、本開示は、スパッタリングカソードと基板支持体との間の角度のインシトゥ（その場）（例えば、真空下）での制御を可能にし、基板表面上にコーティングされた材料の層の厚さの均一性を増加させる。特に、本開示は、コーティングソースと基板との間の距離の、インシトゥ（その場）（例えば、真空下）での調整及び自動距離制御も可能にし、最良の可能な厚さの均一性を得る。

本開示は、以下の有用な効果を提供する。スパッタリング装置は、種々のタイプの真空システムのために使用され、特に、種々のタイプの真空堆積システム又は塗工機（ｃｏａｔｅｒ）のために使用され得る。更に、種々のタイプのコーティング材料と同様に、回転可能な電極、平坦電極、ＭＦ電極、及びＤＣ電極などの、種々のタイプの電極（例えば、カソード）が使用され得る。コーティングされた材料の厚さの均一性などの、質に関するスパッタリング装置又はシステムの性能は、例えば、真空チャンバのポンピング及び通気の間の電極の移動から独立している。均一性は、例えば、スパッタリング処理の前及び／又は間において、通気なしにインシトゥ（その場）で調整され得る。本開示は、レシピエントプレートなどの保持デバイスの曲げ及び電極それ自身の曲げの埋め合わせを更に提供し、例えば、ターゲットの重量変化によるターゲットの寿命の間の電極の曲げの埋め合わせを提供する。更に、均一性の要件に応じて、堆積のプロファイルを形作るための開孔は必要とされない。制御に関しては、例えば、統合された均一性の測定システムを使用して、自動閉ループ制御又は調整が可能である。

図４は、分離された状態にある、本明細書で説明される実施形態による、スパッタリング装置２０の側面断面図を示す。図５は、本明細書で開示される実施形態による、第１の角度を規定する第１の軸及び第２の軸を示している。

スパッタリング装置２０は、第１の末端部分２６及び第２の末端部分２７を有する少なくとも１つのスパッタリングカソード２５を含む。各スパッタリングカソード２５は、それぞれの第１の軸２８に沿って延在する。図４の実施例では３つのスパッタリングカソード２５が示されているが、例えば、１つ、２つ、４つ、又は６つなどの、任意の適切な数のスパッタリングカソード２５が提供され得る。

少なくとも１つの基板支持体２２は、（図示せぬ）基板を支持するように構成され、少なくとも１つのスパッタリングカソード２５と対向して又はフェイストゥフェイス（ｆａｃｅ ｔｏ ｆａｃｅ）で配置される。通常、基板支持体２２は、真空チャンバ２１内に配置される。ある実施形態では、基板支持体２２がコーティングドラムであり得る。基板支持体２２は、第２の軸２３に沿って延在する。図５で示されるように、第２の軸２３は、第１の軸２８の各々と、それぞれの第１の角度２９を形成する。

本明細書で説明される他の実施形態と組み合わせることが可能な、ある実施形態によれば、スパッタリング装置２０は、真空チャンバ２１に連結され真空チャンバ２１をポンプアウトするように構成された（図示せぬ）１以上のポンプを更に含み得る。１以上のポンプは、真空チャンバ２１の内側の中真空〜高真空を生成するように適合され得る。例えば、処理チャンバ２１の内側の真空は、１０^−１ｍｂａｒ〜１０^−７ｍｂａｒの範囲内、特に、１０^−２ｍｂａｒ〜１０^−６ｍｂａｒの範囲内、例えば、１０^−３ｍｂａｒなどであり得る。

本明細書で説明される他の実施形態と組み合わせることが可能な、ある実施形態によれば、第１の角度は、第１の軸と第２の軸との間で形成される任意の角度であり得る。ある実施態様では、第１の角度が、第２の軸に対する第１の軸の傾きによって規定される角度であり得る。例えば、２つの軸は、それらの間で４つの角度を規定し、これらの４つの角度は、３次元座標系又は基準系において、すなわち、空間において任意に方向付けられ得る一平面内にある。２つのペアが４つの角度によって形成され、各ペアが２つの等しい角度を含む。第１の角度は、一平面、すなわち、任意に方向付けられた平面内の何れかの角度であり得る。

図４の実施例では、第１の角度２９が、垂直方向（すなわち、重力と平行な方向）において、第２の軸２３に対する第１の軸２８の傾きによって規定された角度である。別の一実施例では、第１の角度２９が、水平方向（すなわち、重力と垂直な方向）において、第２の軸２３に対する第１の軸２８の傾きによって規定された角度であり得る。しかし、第１の角度は、垂直及び水平方向に限られず、３次元空間内の任意の方向において規定され得る。

少なくとも１つの駆動デバイス３０が、少なくとも１つのスパッタリングカソード２５と連結可能である。ある実施形態では、少なくとも１つの駆動デバイス３０が、第１の末端部分２６及び／又は第２の末端部分２７と連結可能である。少なくとも１つの駆動デバイス３０は、特にスパッタリング処理の間に、第１の角度２９を変更するように構成される。ある実施形態では、少なくとも１つの駆動デバイス３０が、第２の軸２３に対する第１の軸２８の方向を変更するように構成され、それによって、第１の角度２９を変更し得る。第１の角度をインシトゥ（その場）（例えば、真空下）で変更することによって、例えば、熱膨張及び／又は機械的な応力によるスパッタリングカソード２５の曲げによってもたらされた第１の角度２９の変化が相殺され、それによって、基板上にコーティングされた材料の層の厚さの均一性が増加され得る。本明細書で開示される他の実施形態と組み合わせることが可能な、ある実施形態によれば、駆動デバイス３０は、真空チャンバ２１内に提供される。

本明細書で説明される他の実施形態と組み合わせることが可能な、ある実施形態によれば、少なくとも１つの駆動デバイス３０は、第１の角度２９をほぼゼロ度に変更し又は調整するように構成され得る。これは、第１の軸２８と第２の軸２３の平行な構成に対応し得る。他の実施形態では、少なくとも１つの駆動デバイス３０が、第１の角度２９を第１の値に変更し又は調整するように構成され得る。第１の値は、所定の値、又は例えばスパッタリング処理の間にリアルタイムで決定及び／若しくは適合された値であり得る。第１の値は、基板表面上でスパッタリングされた材料の層の厚さ、真空パラメータ、スパッタリング材料、及び／又は処理電力などの、スパッタリング処理の少なくとも１つの処理パラメータに基づいて計算又は決定され得る。

本明細書で説明される他の実施形態と組み合わせることが可能な、ある実施形態によれば、駆動デバイス３０は、第２の末端部分２７と連結可能である。一実施例として、第１の末端部分２６は適切な位置に固定され、第２の末端部分２７は、そこに連結された駆動デバイス３０によって移動可能又は変位可能に提供され得る。

本明細書で説明される他の実施形態と組み合わせることが可能な、ある実施形態によれば、少なくとも１つの駆動デバイス３０は、少なくとも１つのスパッタリングカソード２５の中間部分と連結可能であり得る。本明細書で使用されるように、「中間部分」という用語は、第１の末端部分２６と第２の末端部分２７との間の、少なくとも１つのスパッタリングカソード２５の何れかの部分を指し得る。

本明細書で説明される他の実施形態と組み合わせることが可能な、ある実施形態によれば、１つの駆動デバイス３０が、１つのスパッタリングカソード２５に対して提供され得る。言い換えると、１つのスパッタリングカソード２５が、それに関連付けられた１つの駆動デバイス３０を有し得る。これは、スパッタリングカソード２５の第１の末端部分２６が、保持デバイス２４、例えば、レシピエントプレートに固定された場合であり得る。そのとき、第２の末端部分２７は、それぞれの駆動デバイス３０と連結可能であり得る。ある実施形態では、１つの駆動デバイス３０が、スパッタリングカソード２５の各々に対して提供され、すなわち、駆動デバイス３０の数が、スパッタリングカソード２５の数と等しくなり得る。そのような場合では、それぞれの第１の角度２９が、個別に及び／又は互いから独立して制御又は調整され得る。

本明細書で説明される他の実施形態と組み合わせることが可能な、ある実施形態によれば、２つの駆動デバイス３０が、１つのスパッタリングカソード２５に対して提供され得る。言い換えると、１つのスパッタリングカソード２５が、それに関連付けられた２つの駆動デバイス３０を有し得る。これは、１つの駆動デバイス３０が第１の末端部分２６と連結可能であり、別の１つの駆動デバイス３０が第２の末端部分２７と連結可能である場合であり得る。ある実施形態では、２つの駆動デバイス３０が、スパッタリングカソード２５の各々に対して提供され、すなわち、駆動デバイス３０の数が、スパッタリングカソード２５の数の２倍であり得る。そのような場合では、それぞれの第１の角度２９が、個別に及び／又は互いから独立して制御又は調整され得る。

上述したように、ある実施形態によれば、スパッタリング装置２０は、２つの駆動デバイス３０を含み、１つの駆動デバイス３０が第１の末端部分２６と連結可能であり、別の１つの駆動デバイス３０が第２の末端部分２７と連結可能であり得る。そのような場合では、第１の末端部分２６は、適所に固定されないが、それに連結された他の駆動デバイス３０によって移動可能であり得る。ある実施形態では、第１の末端部分２６が、他の駆動デバイス３０を介して保持デバイス２４と連結され得る。第２の末端部分２７と第１の末端部分２６を互いに対して相対的に移動させることによって、第１の軸２８と第２の軸２３との間の第１の角度２９が変更され得る。この実施例では、第１の角度２９を変更するために、第１の末端部分２６が移動され、一方、第２の末端部分２７は移動されず若しくは適所に固定され、又は第１の末端部分２６が移動されず若しくは適所に固定され、一方、第２の末端部分２７が移動され、又は第１の末端部分２６と第２の末端部分２７の両方が、互いに対して相対的に移動され、特に、同時に互いに対して相対的に移動され得る。

本開示は、上述の構成に限定されず、任意の数の駆動デバイスが、第１及び／又は第２の末端部分のうちの少なくとも幾つかと連結されるように提供され得る。

本明細書で説明される他の実施形態と組み合わせることが可能な、ある実施形態によれば、保持デバイス２４は、少なくとも１つのスパッタリングカソード２５を保持するように構成され得る。一実施例として、少なくとも１つのスパッタリングカソード２５は、保持デバイス２４と連結され又は保持デバイス２４に固定され得る。通常、保持デバイスは、プレート、特に、レシピエントプレートであり得る。典型的な実施形態では、第１の末端部分２６が、保持デバイス２４に固定され又は取り付けられ得る。一実施例として、第１の末端部分２６は、適所に固定されるように保持デバイス２４と連結され、第２の末端部分２７は、移動可能又は変位可能な状態で少なくとも１つの駆動デバイス３０に対して連結可能なように提供され得る。第１の末端部分２６が適所に固定される一方で、第２の末端部分２７を移動させることによって、第１の軸２８と第２の軸２３との間の第１の角度２９が変更され得る。

ある実施形態では、スパッタリング装置２０を組み立てるために、少なくとも１つのスパッタリングカソード２５が、その開口部を通して真空チャンバ２１の中へ移動され得る。真空チャンバ２１内で、少なくとも１つのスパッタリングカソード２５が、少なくとも部分的に基板支持体２２を取り囲むように配置され得る。少なくとも１つのスパッタリングカソード２５を真空チャンバ２１内に配置する間に又はその後で、少なくとも１つのスパッタリングカソード２５が、少なくとも１つの駆動デバイス３０に、例えば、手動で又は自動で連結され得る。スパッタリング装置２０が、２以上のスパッタリングカソード２５を有しているときに、２以上のスパッタリングカソード２５のうちの少なくとも１つが、少なくとも１つの駆動デバイス３０と連結可能であり得る。ある実施形態では、全てのスパッタリングカソード２５が、少なくとも１つの駆動デバイス３０と連結可能であり得る。その後、真空チャンバ２１は気密に密封され、それによって、真空チャンバ２１内に真空が生成され得る。一実施例として、保持デバイス２４は、そこを通ってスパッタリングカソード２５が真空チャンバ２１の中へ挿入されるところの開口部を密封するように構成され得る。

ある実施態様では、スパッタリングカソード２５と、基板支持体２２と、オプションとして保持デバイス２４及び／又はフレキシブル基板を搬送するための搬送手段などの更なる要素とを含むアセンブリが、真空チャンバ２１に対して移動可能に提供され得る。一実施例として、スパッタリングカソード２５及び基板支持体は、真空チャンバ２１の中へ移動可能であり、且つ、真空チャンバ２１から外へ移動可能な独立した物として提供され得る。

本明細書で説明される他の実施形態と組み合わせることが可能な、ある実施形態によれば、少なくとも１つのスパッタリングカソード２５は、平坦なスパッタリングカソード又は回転可能なスパッタリングカソードである。スパッタリングカソード２５が、回転可能なスパッタリングカソードであるときに、第１の軸２８は、回転可能なスパッタリングカソードの回転軸であり得る。

本明細書で説明される他の実施形態と組み合わせることが可能な、ある実施形態によれば、少なくとも１つの基板支持体２２は、円筒形状であり、特に、コーティングドラムであり得る。一実施例として、第２の軸２３は、円筒形状の基板支持体の回転軸であり、特に、コーティングドラムの回転軸であり得る。

通常の実施態様では、スパッタリング装置２０が、２以上のスパッタリングカソード２５を含み得る。スパッタリングカソード２５の各々は、基板支持体２２の第２の軸２３と共にそれぞれの第１の角度２９を形成し得る。少なくとも１つの駆動デバイス３０は、これらの第１の角度２９のうちの少なくとも１つ、例えば、最も曲がる傾向を有するカソードの第１の角度を変更するように構成され得る。

図６は、本明細書で説明される実施形態による、組み立てられた状態にある図４のスパッタリング装置２０の上面断面図を示している。

図６の実施例では、２つのスパッタリングカソード２５が示されている。各第２の末端部分に対して、それぞれの駆動デバイス３０、３０’が連結されている。駆動デバイス３０、３０’は、各々、調整ユニット３１、３１’を含み得る。

調整ユニット３１、３１’は、モータ、ステッピングモータ、リニアモータ、機械的な調整ユニット、空気圧による調整ユニット、及び油圧による調整ユニットのうちの少なくとも１つを含み得る。機械的な調整ユニットは、真空チャンバの壁を通るフィードスルー（ｆｅｅｄ ｔｈｒｏｕｇｈ）を含み得る。したがって、機械的な調整ユニット３１、３１’は、真空チャンバ２１の外側から制御可能であり、特に、手動で制御可能である。

ある実施形態では、第２の末端部分を調整ユニット３１、３１’に連結させるために連結デバイス３２、３２’が提供され得る。連結デバイス３２、３２’は、スパッタリングカソード２５が真空チャンバ２１の中へ挿入又は移動されたときに、第２の末端部分との連結が確立されるように構成され得る。しかし、ある実施形態では、連結デバイスは提供されず、調整ユニット３１、３１’が、スパッタリングカソード２５の第２の末端部分と直接的に連結され得る。

少なくとも１つの駆動デバイス３０、３０’は、特にスパッタリング処理の間に、第１の角度を変更するように構成される。第１の角度をインシトゥ（その場）（例えば、真空下）で変更することによって、例えば、熱膨張又は機械的な応力によるスパッタリングカソードの曲げによってもたらされた第１の角度２９の変化が相殺され、それによって、基板上にコーティングされた材料の層の厚さの均一性が増加され得る。図６では、駆動デバイス３０、３０’が、真空チャンバ２１内に提供されている。

ある実施形態によれば、スパッタリングカソード２５は、保持デバイス２４又はレシピエントプレートに取り付けられる。したがって、基板支持体２２とスパッタリングカソード２５との間の距離２９２及び２９４が固定され得る。スパッタリングカソード２５の遊離端又は自由端における、基板支持体２２とスパッタリングカソード２５との間の距離２９１及び２９３は、（例えば、真空チャンバ内の圧力、カソードの位置、重量、スパッタリングカソード及び／又はレシピエントプレートの曲げなどに応じる）柔軟な独立した値であり得る。少なくとも１つの駆動デバイス３０、３０’を含むシステムは、各スパッタリングカソード２５の自由端又は遊離端において統合され、例えば、同じ距離２９１と２９３を得るやり方で、すなわち、基板支持体２２とスパッタリングカソード２５の平行な構成を得るやり方で、スパッタリングカソード２５を移動させ又は曲げるように適合され得る。

本明細書で説明される他の実施形態と組み合わせることが可能な、ある実施形態によれば、駆動デバイス３０、３０’は、距離２９１と２９３を、それぞれ、距離２９２と２９４に等しくさせるように変更し又は調整するように構成され得る。これは、基板支持体２２とスパッタリングカソード２５の平行な構成、すなわち、第１の軸２８と第２の軸２３の平行な構成に対応する。そのような制御は、例えば、少なくとも１つのスパッタリング処理パラメータに基づいて、スパッタリング処理の間にインシトゥ（その場）で及び／又はリアルタイムで実行され得る。スパッタリング処理パラメータは、基板表面上でスパッタリングされた材料の層の厚さ、真空パラメータ、スパッタリング材料、及び／又は処理電力から成るグループから選択された少なくとも１つのパラメータを含み得る。それによって、基板上にコーティングされた材料の層の厚さの均一性が増加される。

他の実施形態では、駆動デバイス３０、３０’が、距離２９１と２９３のうちの少なくとも１つを、それぞれの第１の値に変更し又は調整するように構成され得る。第１の値は、所定の値、又は例えばスパッタリング処理の間にリアルタイムで決定及び／若しくは適合された値であり得る。第１の値は、基板表面上でスパッタリングされた材料の層の厚さ、真空パラメータ、スパッタリング材料、及び／又は処理電力などの、スパッタリング処理の少なくとも１つの処理パラメータに基づいて計算又は決定され得る。距離２９１の第１の値は、距離２９３の第１の値から独立して計算又は決定され得る。或いは、一つの（すなわち、同じ）第１の値が、距離２９１と２９３の両方に対して使用され得る。

そのような調整は、システム（真空チャンバ）を通気することなしに、インシトゥ（その場）で容易に行われ得る。単一の層が、各カソードに順応（ｒｕｎ ｗｉｔｈ）し、均一性が、統合された光学的測定システムを用いて直接的に測定され得る。しかし、本開示は、単一の層に限定されず、統合された光学的測定システムは、多層システムに対して適合され得る。そのようなシステムを用いて得られたデータを使用して、必要とされる移動又は曲げ（の量）が直接的に計算され実行され得る。以下で説明するように、自動閉ループ制御も実施され得る。

本明細書で説明される他の実施形態と組み合わせることが可能な、ある実施形態によれば、スパッタリング装置２０は、少なくとも１つの駆動デバイス３０を制御して第１の角度を調整するように構成された（図示せぬ）コントローラを更に含み得る。一実施例として、（図示せぬ）コントローラは、駆動デバイス３０を制御して、第１の角度２９を上述のようにほぼゼロ度又は第１の値に変更するように構成され得る。一実施例として、第１の角度は、例えば、スパッタリング処理の間に、リアルタイムで決定及び／又は適合され得る。

ある実施形態では、コントローラが、１以上のスパッタリング処理パラメータに基づいて、少なくとも１つの駆動デバイス３０を制御して、第１の角度を調整するように構成され得る。一実施例として、スパッタリング処理パラメータは、基板表面上でスパッタリングされた材料の層の厚さ、真空パラメータ、スパッタリング材料、及び処理電力のうちの少なくとも１つを含み得る。基板表面上でスパッタリングされた材料の層の厚さを測定するために、スパッタリング装置は、統合された均一性測定システム、特に、インシトゥ（その場）での均一性測定システムを含み得る。

図７Ａ、図７Ｂ、及び図８は、マグネトロンスパッタリングのためのスパッタリング装置を示している。スパッタリングソースは、しばしば、強い電場及び磁場を利用して、荷電プラズマ粒子を、例えば、スパッタターゲットの表面に近いプラズマ雲内に閉じ込める、マグネトロンを採用する。

図７Ａは、対称なプラズマ雲４３がスパッタリングカソード４２と基板支持体４４との間に形成される、理想的な場合のスパッタリング装置４０を示している。スパッタリングカソード４２の第１の末端部分４５は、保持デバイス４１に取り付けられ、一方、スパッタリングカソード４２の第２の末端部分４６は、カンチレバーシステムを形成する遊離端又は自由端であり得る。空間的に変化する（均質ではない）磁場は、図７Ｂで示されているような非対称なプラズマ雲４３をもたらし得る。非対称なプラズマ雲４３は、今度は、コーティングされた層の均一性に影響を与え得る。特に、コーティングされた層は、不十分な均一性を有し得る。

図８は、本明細書で説明される実施形態による、スパッタリング装置５０を示している。スパッタリング装置５０は、（図示せぬ）基板を支持するように構成された基板支持体４４と、第１の末端部分４５及び第２の末端部分４６を有するスパッタリングカソード４２とを含む。スパッタリングカソード４２の第１の末端部分４５は、保持デバイス４１に取り付けられ、一方、スパッタリングカソード４２の第２の末端部分４６は、カンチレバーシステムを形成する遊離端又は自由端であり得る。ある実施形態によれば、スパッタリングカソード４２は第１の軸４７に沿って延在し、基板支持体４４は第２の軸４８に沿って延在する。第１の軸４７と第２の軸４８は、第１の角度を形成する。言い換えると、第１の軸４７と第２の軸４８は、第１の角度を形成するように互いに対して方向付けられている。

本明細書で説明される他の実施形態と組み合わせることが可能な、ある実施形態によれば、第１の角度は、第１の軸と第２の軸との間で形成される任意の角度であり得る。特に、第１の角度は、第１の軸と第２の軸の交差点であり得る、共通の終点を共有する２つの軸によって形成され得る。一実施例として、２つの軸が１つのポイントで交差するときに、４つの角度が形成される。ペアのこれらの角度は、互いに対するそれらの位置に従って名前が付けられる。２つの交差している軸によって形成された、互いに対向する角度のペアは、「垂直角度」又は「対向角度」又は「垂直対向角度」と呼ばれる。垂直に対向する（ｖｅｒｔｉｃａｌｌｙ ｏｐｐｏｓｉｔｅ）角度は等しい。ある実施態様では、第１の角度が、第２の軸に対する第１の軸の傾きによって規定される角度であり得る。

図８の実施例では、第１の角度が、垂直方向（すなわち、重力と平行な方向）において、第２の軸４８に対する第１の軸４７の傾きによって規定された角度である。別の一実施例では、第１の角度が、水平方向（すなわち、重力と垂直な方向）において、第２の軸４８に対する第１の軸４７の傾きによって規定された角度であり得る。しかし、第１の角度は、垂直及び水平方向に限られず、３次元空間内の任意の方向において規定され得る。

本開示のある実施形態によれば、図８で示されるように、スパッタリング装置５０は、スパッタリングカソード４２の第２の末端部分４６に連結可能な少なくとも１つの駆動デバイス３００を更に有する。少なくとも１つの駆動デバイス３００は、上述された駆動デバイス３０、３０’と同様に構成され、特に、調整ユニット３１０及び連結デバイス３２０を含み得る。上述の駆動デバイス３０、３０’の説明、特に、調整ユニット３１、３１’及び連結デバイス３２、３２’の説明は、駆動デバイス３００、調整ユニット３１０、及び連結デバイス３２０にも適用され、したがって、繰り返すことはしない。

通常の実施態様では、少なくとも１つの駆動デバイス３００が、特にスパッタリング処理間に、第１の末端部分４５が適所にほぼ固定されている一方で、第２の末端部分４６を移動又は変位させることによって、第１の角度を変更するように構成され得る。少なくとも１つの駆動デバイス３００は、基板支持体４４の第２の軸４８に対して、スパッタリングカソード４２、特に、第１の軸４７の方向を変化させ、それによって、第１の角度２９を変更し得る。

本明細書で説明される他の実施形態と組み合わせることが可能な、ある実施形態によれば、１つの駆動デバイス３００が、スパッタリングカソード４２に対して提供される。本明細書で説明される他の実施形態と組み合わせることが可能な、ある実施形態によれば、２つの駆動デバイス３００が、スパッタリングカソード４２に対して提供され得る。言い換えると、スパッタリングカソード４２は、それに関連付けられた２つの駆動デバイス３００を有し得る。例えば、一方の駆動デバイス３００は、第１の末端部分４５に連結可能であり、他方の駆動デバイス３００は、第２の末端部分４６に連結可能であり得る。

本明細書で説明される他の実施形態と組み合わせることが可能な、ある実施形態によれば、少なくとも１つの駆動デバイス３００は、スパッタリングカソード４２の中間部分と連結可能であり得る。「中間部分」という用語は、第１の末端部分４５と第２の末端部分４６との間のスパッタリングカソード４２の何れかの部分を指し得る。

スパッタリング装置５０は、スパッタリングカソード４２の方向を曲げ又は調整することによって、プラズマの不均一性に対する埋め合わせを提供する。それによって、基板上にコーティングされた材料の層の厚さの均一性が増加される。

図９は、本明細書で説明される実施形態による、スパッタリング装置を有する薄膜堆積システム１０００を示している。

薄膜堆積システム１０００は、巻き戻しステーション１１０、巻き取りステーション１１０’、第１のスパッタリング装置１２０、及び第２のスパッタリング装置１３０を含む。スパッタリング装置１２０と１３０は、各々、処理チャンバとして構成され得る真空チャンバを含む。ロードロックチャンバ１０１０は、巻き戻しステーション１１０と第１のスパッタリング装置１２０の第１のチャンバとの間に提供され得る。更なるロードロックチャンバ１０１０が、レーザスクライビングチャンバ１０２０と巻き取りステーション１１０’との間に提供され得る。ロードロックチャンバ１０１０は、各々、シール１０１２を含み、シール１０１２は、例えば、フレキシブル基板１００が薄膜堆積システム１０００を通って搬送される間に、又はフレキシブル基板１００の存在なしに閉じられ（ｃｌｏｓｅｄ）得る。それによって、巻き取りステーション１１０及び巻き戻しステーション１１０’は、オープンになり、残りのシステムが排気されている間に大気圧を有し得る。更に、ロードロックチャンバ１０１０は、中真空段階を提供するために使用され、それによって、例えば、巻き取りステーション１１０と第１のスパッタリング装置１２０の真空チャンバとの間の圧力差が増加され得る。

フレキシブル基板１００は、「ウェブ」とも呼ばれ得る。「ウェブ」という用語は、特に、何らかの種類のフレキシブル基板を指し得る。一実施例として、ウェブは、任意の適切な帯形状のフレキシブル材料であり得る。典型的な例は、箔である。

図９の実施例に対して示されているように、チャンバ及びステーションは、薄膜堆積システム１０００を異なる領域へ分離させ得る。それによって、領域を分割するように適合された分離手段が、異なる領域内のフレキシブルユースモジュール（ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｕｓｅ ｍｏｄｕｌｅ）の概念に基づいて提供され得る。ある実施形態によれば、ガス分離１６３、ガス分離１１６３、及び／又はガス分離１１６４が提供され得る。それによって、異なる処理雰囲気、例えば、異なる処理圧が、薄膜堆積システム１０００内の異なる領域内に提供され得る。

例えば、システムは、巻き取りステーション１１０’、巻き戻しステーション１１０内の領域１１１０、ロードロックチャンバ１０１０内の領域１０１１、レーザスクライビングチャンバ１０２０内の領域１０２４、スパッタリング装置１２０及び１３０の真空チャンバ内のガスクッション領域１１２３、スパッタリング装置１２０及び１３０の真空チャンバ内のウェブガイディング領域１１２２、並びにスパッタリング装置１２０及び１３０の真空チャンバ内の処理領域１１２１及び１１２０を示している。これらの領域の１以上は、各々、異なる雰囲気、例えば、圧力を有し得る。例えば、ガスクッション領域によるガス投入は、ガス分離手段によって分離されて、他の領域への影響を低減させ得る。

本明細書で説明される他の実施形態と組み合わせることが可能な、異なる実施形態によれば、ガスクッション領域１１２３は、１ｍｂａｒから約１・１０^−２ｍｂａｒまでの圧力を有し、一方、動作の間に、他の領域は、１・１０^−２ｍｂａｒから１・１０^−４ｍｂａｒの圧力まで排気され得る。

本明細書で説明される他の実施形態と組み合わせることが可能な、また更なる実施形態によれば、スパッタリング装置１２０及び１３０の各々の後で、レーザスクライビングチャンバ１０２０が提供され得る。レーザスクライビングチャンバ１０２０は、各々、フレキシブル基板１００の前面をレーザ処理するための装備を含む。異なる実施形態によれば、レーザ１０２２、１以上の鏡１０２５、及び／又は少なくとも１つのレンズ１０２６が、レーザスクライビングチャンバ１０２０内に提供される。レーザビーム１０２８は、フレキシブル基板１００の前面、すなわち、以前の処理チャンバ内で、その上に薄膜が堆積されたところの表面上に導かれる。

本明細書で説明される他の実施形態と組み合わせることが可能な、ある実施形態によれば、スパッタリング装置１２０は、ウェブ（例えば基板１００）を搬送するように構成された２以上のコーティングドラム６１、６２、６３を含み、且つ、少なくとも１つのスパッタリングカソード６４を含み得る。図９の実施例では３つのコーティングドラム６１、６２、６３が示されているが、本開示は、それらに限定されるものではなく、任意の適切な数のコーティングドラムが提供され得る。一実施例として、２つ又は４つのコーティングドラムが提供され得る。本開示のいくつかの実施形態によれば、コーティングドラムは回転可能な基板支持体とも呼ばれうる。よって、２以上の回転可能な基板支持体が、図９の左側の堆積チャンバに示されるようにフリースパン堆積システムを提供しうるか、又は、１つのコーティングドラムが、図９の右側の堆積チャンバに示されるようにウェブがコーティングドラムと接触している間に材料を堆積するために利用されうる。

ある実施形態によれば、２以上のコーティングドラム６１、６２、６３は、２以上のコーティングドラム６１、６２、６３の間に形成される隔たりを伴って平行に配置される。一実施例として、第１のコーティングドラム６１及び第２のコーティングドラム６２が提供され、第１のコーティングドラム６１と第２のコーティングドラム６２との間に隙間が形成され得る。ある実施態様では、少なくとも１つのスパッタリングカソード６４が、隙間に面する領域内に配置され得る。それによって、隙間領域、すなわち、ウェブが自由でありコーティングドラム６１、６２、６３によって支持されていない領域内で堆積が生じる。これは、「フリースパン堆積（ｆｒｅｅ ｓｐａｎ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）」とも呼ばれる。

ある実施形態によれば、各スパッタリングカソード６４は、それぞれの第１の軸に沿って延在し、コーティングドラム６１、６２、６３は、それぞれの第２の軸に沿って延在する。第２の軸は、それぞれのコーティングドラム６１、６２、６３の回転軸であり得る。第１の軸と第２の軸は、第１の角度を形成する。言い換えると、第１の軸と第２の軸は、第１の角度を形成するように互いに対して方向付けられている。

本開示のある実施形態によれば、スパッタリング装置１２０は、スパッタリングカソード６４のうちの少なくとも１つに連結可能な（図示せぬ）少なくとも１つの駆動デバイスを有し得る。少なくとも１つの駆動デバイスは、コーティングドラム６１、６２、６３のうちの少なくとも１つに対する少なくとも１つのスパッタリングカソード６４の方向を変更し、それによって、少なくとも１つの第１の角度を調整するように構成され得る。少なくとも１つの駆動デバイスは、上述された駆動デバイス３０、３０’、及び３００と同様に構成され、特に、調整ユニット及び連結デバイスを含み得る。上述の駆動デバイス３０、３０’、３００の説明、特に、調整ユニット及び連結デバイスの説明は、この駆動デバイスにも適用され、したがって、繰り返すことはしない。

本明細書で説明される他の実施形態と組み合わせることが可能な、ある実施形態によれば、スパッタリング装置１３０は、図１から図８に関して詳細に説明されたスパッタリング装置のうちの何れか一つとして構成され得る。

図１０は、本明細書で説明される実施形態による、基板表面上に材料をスパッタリングするための方法８０のフローチャートを示している。

基板表面上に材料をスパッタリングするための方法は、第１の末端部分及び第２の末端部分を有する少なくとも１つのスパッタリングカソードであって、第１の軸に沿って延在する、少なくとも１つのスパッタリングカソードを有するスパッタリング装置を使用する。該方法は、スパッタリング処理の間に第１の軸の方向を変更すること（ブロック８１）を含む。スパッタリング装置は、上述されたスパッタリング装置のうちの何れか一つとして構成され得る。

該方法において使用されるスパッタリング装置は、基板を支持するように構成され、且つ、少なくとも１つのスパッタリングカソードと対向して配置される少なくとも１つの基板支持体であって、第２の軸に沿って延在し、第２の軸が第１の軸と共に第１の角度を形成する、少なくとも１つの基板支持体を更に含み得る。該方法では、第１の軸の方向の変更が第１の角度の変更を提供し得る。それによって、基板上にコーティングされた材料の層の厚さの均一性が増加される。

本明細書で説明される他の実施形態と組み合わせることが可能な、ある実施形態によれば、該方法は、特に閉ループ制御によって、少なくとも１つのスパッタリング処理パラメータに基づいて、第１の角度を変更すること（ブロック８２）を更に含み得る。一実施例として、スパッタリング処理パラメータは、基板表面上でスパッタリングされた材料の層の厚さ、真空パラメータ、スパッタリング材料、及び処理電力から成るグループから選択された少なくとも１つの処理パラメータを含み得る。基板表面上でスパッタリングされた材料の層の厚さを測定するために、スパッタリング装置は、統合された均一性測定システムを含み得る。

ある実施形態によれば、統合された均一性測定システムは、閉ループ制御、特に、自動閉ループ制御を実施するために使用され得る。一実施例として、そのようなシステムを用いて得られたデータを使用して、必要とされる移動又は曲げ（の量）が、例えば、コーティングされた層の均一性を順応させ又は改良するために決定及び実行され得る。

本開示は、スパッタリングカソードと基板支持体との間の角度のインシトゥ（その場）（例えば、真空下）での制御を可能にし、基板表面上にコーティングされた材料の層の厚さの均一性を増加させる。特に、本開示は、コーティングソースと基板との間の距離の、インシトゥ（その場）（例えば、真空下）での調整及び自動距離制御を可能にして、最良の可能な厚さの均一性を得る。

以上の説明は本開示の実施形態を対象としているが、本開示の基本的な範囲を逸脱することなく本開示の他の追加の実施形態を考案することができ、本開示の範囲は添付の特許請求の範囲によって定められる。

Claims (13)

1. 基板表面上に材料をスパッタリングするためのスパッタリング装置であって、
   第１の末端部分及び第２の末端部分を有する少なくとも１つのスパッタリングカソードであって、第１の軸に沿って延在する、少なくとも１つのスパッタリングカソード、
   前記基板を支持するように構成され、前記少なくとも１つのスパッタリングカソードと対向して配置される少なくとも１つの基板支持体であって、前記少なくとも１つの基板支持体が、第２の軸に沿って延在し、前記第２の軸が、前記第１の軸と第１の角度を成す、少なくとも１つの基板支持体、並びに
   前記少なくとも１つのスパッタリングカソードと連結可能な少なくとも１つの駆動デバイスであって、前記第１の角度を変更するために、前記第２の軸に対する第１の軸の方向を変更するように構成された、少なくとも１つの駆動デバイスを備え、
   前記少なくとも１つの基板支持体が、コーティングドラムであり、前記第２の軸が、前記コーティングドラムの回転軸である、スパッタリング装置。
2. 前記少なくとも１つの駆動デバイスが、第１の末端部分及び第２の末端部分で前記少なくとも１つのスパッタリングカソードと連結可能で、前記少なくとも１つの駆動デバイスが、スパッタリング処理の間に、前記第１の角度を変更するように構成されている、請求項１に記載のスパッタリング装置。
3. 前記少なくとも１つのスパッタリングカソードを保持するように構成された保持デバイスを更に含む、請求項１に記載のスパッタリング装置。
4. 前記第２の末端部分と連結可能な１つの駆動デバイスを含み、又は２つの駆動デバイスであって、前記２つの駆動デバイスのうちの一方の駆動デバイスが前記第１の末端部分と連結可能であり、前記２つの駆動デバイスのうちの他方の駆動デバイスが前記第２の末端部分と連結可能である、２つの駆動デバイスを含む、請求項１から３の何れか一項に記載のスパッタリング装置。
5. 前記少なくとも１つのスパッタリングカソードが、平坦なスパッタリングカソード、又は回転可能なスパッタリングカソードであって、前記第１の軸が前記回転可能なスパッタリングカソードの回転軸である、回転可能なスパッタリングカソードである、請求項１から４のいずれか一項に記載のスパッタリング装置。
6. 前記基板を搬送するための第１の回転可能な基板支持体と第２の回転可能な基板支持体との間に形成される隔たりを伴って平行に配置された、前記第１の回転可能な基板支持体と前記第２の回転可能な基板支持体を備える、請求項１から５のいずれか一項に記載のスパッタリング装置。
7. 前記駆動デバイスが、前記第１の角度をほぼゼロ度に変更するように構成される、請求項１から６のいずれか一項に記載のスパッタリング装置。
8. １以上のスパッタリング処理パラメータに基づいて、前記駆動デバイスを制御して、前記第１の角度を調整するように構成されたコントローラを更に含む、請求項１から７のいずれか一項に記載のスパッタリング装置。
9. 少なくとも２つのスパッタリングカソード、３個のスパッタリングカソード、又は６個のスパッタリングカソードを含む、請求項１から８のいずれか一項に記載のスパッタリング装置。
10. 真空チャンバであって、前記少なくとも１つの基板支持体及び／又は前記少なくとも１つの駆動デバイスが前記真空チャンバ内に提供された、真空チャンバを更に含む、請求項１から９のいずれか一項に記載のスパッタリング装置。
11. 第１の末端部分及び第２の末端部分を有する少なくとも１つのスパッタリングカソードであって、第１の軸に沿って延在する、少なくとも１つのスパッタリングカソードを有するスパッタリング装置を用いて、基板表面上に材料をスパッタリングするための方法であって、
    スパッタリング処理の間に前記第１の軸の方向を変更することを含み、
    前記スパッタリング装置が、
    前記基板を支持するように構成され、前記少なくとも１つのスパッタリングカソードと対向して配置される少なくとも１つの基板支持体であって、前記少なくとも１つの基板支持体が、第２の軸に沿って延在し、前記第２の軸が、前記第１の軸と第１の角度を成し、前記少なくとも１つの基板支持体が、コーティングドラムであり、前記第２の軸が、前記コーティングドラムの回転軸である、少なくとも１つの基板支持体を更に備え、
    前記第１の軸の前記方向を変更することが、前記第１の角度を変更することをもたらす、方法。
12. 少なくとも１つのスパッタリング処理パラメータに基づいて、前記第１の軸の前記方向を変更することを更に含む、請求項１１に記載の方法。
13. 前記スパッタリング処理パラメータが、前記基板表面上でスパッタリングされた前記材料の層の厚さ、真空パラメータ、スパッタリング材料、及び処理電力から成るグループから選択された少なくとも１つのパラメータを含む、請求項１２に記載の方法。

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