JP6360205B2 - マイクロエレクトロニクスパッケージおよびマイクロエレクトロニクスパッケージを製造する方法 - Google Patents
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Description
−少なくとも1つの第1の開口部を有し、かつ1つの第1のキャビティを画定する1つのマイクロエレクトニクスパターンを準備するステップ。
−上記のマイクロエレクトニクスパターンの上方に1つのキャッピング層を形成するステップあって、ここでこのキャッピング層が、少なくとも1つの第2の開口部を備え、そして上記の第1のキャビティに接続される第2のキャビティを画定し、そしてこの第2の開口部が上記の第1の開口部の上方に配設されるように、このキャッピング層が配設されるステップ。
−上記の第2の開口部を1つのシーリング層で覆うステップであって、これにより上記の第1のキャビティおよび上記の第2のキャビティをシーリングするステップ。
第1の犠牲層を除去して上記の第1のキャビティを形成するステップを備えてよい。この第1の犠牲層は、上記の第1の開口部が、上記のマイクロエレクトニクスパターンにエッチングされた後に除去されてよい。
2 : マイクロエレクトロニクスパターン
3 : 第1の開口部
4 : 第1のキャビティ
5 : 基板
6 : アンカー層
7 : 自立した素子
8 : アクチュエータ電極
9 : キャッピング層
10 : 第2の開口部
11 : 第2のキャビティ
12 : スペーサ層
13 : シーリング層
14 : 堆積された材料
Claims (13)
- マイクロエレクトロニクスパッケージ(1)であって、
1つの基板(5)と、
少なくとも1つの第1の開口部(3)を有し、かつ1つの第1のキャビティ(4)を画定する1つのマイクロエレクトロニクスパターン(2)と、
少なくとも1つの第2の開口部(10)を備え、かつ前記第1のキャビティ(4)に接続される第2のキャビティ(11)を画定する1つのキャッピング層(9)であって、当該キャッピング層(9)は、前記第2の開口部(10)が前記第1の開口部(3)の上方に配設されるように、前記マイクロエレクトロニクスパターン(2)の上方に配設されるキャッピング層(9)と、
前記第2の開口部(10)を覆う1つのシーリング層(13)であって、前記第1のキャビティ(4)と前記第2のキャビティ(11)とをシーリングするシーリング層(13)と、
前記マイクロエレクトロニクスパターン(2)の下方に、前記基板(5)上に配設されている1つのアクチュエータ電極(8)と、
を備え、
前記第1の開口部(3)および前記第2の開口部(10)は、前記アクチュエータ電極の上方に配設されておらず、そして前記アクチュエータ電極は、前記マイクロエレクトロニクスパターン(2)を動かすように構成されている、
ことを特徴とするマイクロエレクトロニクスパッケージ。 - 前記第2の開口部(10)は、前記第1の開口部(3)の幅よりも小さな幅を有することを特徴とする、請求項1に記載のマイクロエレクトロニクスパッケージ。
- 前記第1の開口部(3)の幅は、前記第2の開口部(10)の幅の少なくとも2倍の大きさであることを特徴とする、請求項1または2に記載のマイクロエレクトロニクスパッケージ。
- 前記第1の開口部(3)の幅は、前記第2の開口部(10)の幅の少なくとも5倍の大きさであることを特徴とする、請求項1乃至3のいずれか1項に記載のマイクロエレクトロニクスパッケージ。
- 前記シーリング層(13)は、1つの無機材料を含むことを特徴とする、請求項1乃至4のいずれか1項に記載のマイクロエレクトロニクスパッケージ。
- 前記シーリング層は、二酸化ケイ素,水酸化ケイ素,および窒化ケイ素の1つを含むことを特徴とする、請求項1乃至5のいずれか1項に記載のマイクロエレクトロニクスパッケージ。
- 請求項1乃至6のいずれか1項に記載のマイクロエレクトロニクスパッケージにおいて、
前記キャッピング層(9)は、2つ以上の第2の開口部(10)を備え、
前記マイクロエレクトロニクスパターン(2)は、2つ以上の第1の開口部(3)を備え、
前記第2の開口部(10)の各々は、複数の前記第1の開口部(3)の1つの上方に配設されており、すなわち前記マイクロエレクトロニクスパターン(2)と重ならない前記キャッピング層(9)の部分に配設されている、
ことを特徴とするマイクロエレクトロニクスパッケージ。 - マイクロエレクトロニクスパッケージ(1)を製造する方法であって、
前記方法は、以下のステップ、
1つの基板(5)を準備するステップと、
少なくとも1つの第1の開口部(3)を有し、かつ1つの第1のキャビティ(4)を画定する1つのマイクロエレクトロニクスパターン(2)を準備するステップと、
前記マイクロエレクトロニクスパターン(2)の上方に1つのキャッピング層(9)を形成するステップであって、当該キャッピング層(9)が、少なくとも1つの第2の開口部(10)を備え、かつ前記第1のキャビティ(4)に接続される第2のキャビティ(11)を画定し、そして当該第2の開口部(10)が前記第1の開口部(3)の上方に配設されるように、当該キャッピング層(9)が配設されるステップと、
前記第2の開口部(10)を1つのシーリング層(13)で覆うステップであって、前記第1のキャビティ(4)および前記第2のキャビティ(11)をシーリングするステップと、
前記マイクロエレクトロニクスパターン(2)の下方に、前記基板(5)上に1つのアクチュエータ電極(8)を配設するステップと、
を備え、
前記第1の開口部(3)および前記第2の開口部(10)は、前記アクチュエータ電極の上方に配設されておらず、そして前記アクチュエータ電極は、前記マイクロエレクトロニクスパターン(2)を動かすように構成されている、
ことを特徴とする方法。 - 前記シーリング層(13)は、化学気相堆積によって形成されていることを特徴とする、請求項8に記載の方法。
- 請求項8または9に記載の方法において、
前記方法は、前記マイクロエレクトロニクスパターン(2)に前記第2の開口部(3)をエッチングするステップを備え、
前記方法は、第1の犠牲層を除去して前記第1のキャビティ(4)を形成するステップを備える、
ことを特徴とする方法。 - 請求項8乃至10のいずれか1項に記載の方法において、
前記方法は、前記キャッピング層(9)に前記第2の開口部(10)をエッチングするステップを備え、
前記方法は、第2の犠牲層を除去して前記第2のキャビティ(11)を形成するステップを備える、
ことを特徴とする方法。 - 前記キャッピング層(9)および前記シーリング層(13)は、薄膜技術で形成されていることを特徴とする、請求項8乃至11のいずれか1項に記載の方法。
- 前記シーリング層(13)は、1つの無機材料を含むことを特徴とする、請求項8乃至12のいずれか1項に記載の方法。
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