JP2016137565A - 厚い可動膜を備えるmems構造体 - Google Patents
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Abstract
【課題】動作の信頼性を向上させるMEMSデバイスの製造方法を提供する。【解決手段】犠牲ベース層102上に第1膜層101を形成し、前記第1膜層上に第2膜層105を形成し、前記第2膜層は、前記第1膜層の側方部を露出する側方凹部(R)を備え、前記第1膜層の移動を制限するストッパ104を形成する。また、第1膜層と、前記第1膜層上に形成された第2膜層とを備える可動膜を備え、前記第2膜層は、前記第1膜層の側方部を露出する側方凹部(R)を備える。第1膜層は、従来用いられた均一な厚みの膜よりも薄いので膜の自由移動距離は減少し、それにより動作の信頼性が向上する。【選択図】図3e
Description
本発明は、微小電気機械システム(Micro Electromechanical Systems(MEMS))に関し、特に、厚い膜を備えるRF−MEMS(Radio Frequency-Micro Electromechanical System)スイッチ及びキャパシタに関する。
微小電気機械システム(MEMS)は、センサ、アクチュエータ又は受動素子として、非常に広い多様な用途に用いられている。特に、RF−MEMSは、無線伝送などの無線周波用途や、モバイル通信のような様々な産業において用いられる。例えば、携帯電話では、RF−MEMSは、アンテナ同調又はアンテナ切り替えのRFフロントエンドにおいて用いられうる。MEMS構成要素は、固体デバイスなどの他の技術に比べて、非常に低い挿入損失、スイッチの場合には高いアイソレーション、及び、非常に高い直線性(IIP3で70デシベル超)のような、強力な技術的利点をこれらの用途に提供する。
すなわち、RF−MEMSスイッチについては、作動原理はすべて既存の技術と同じまま、導電伝送線は電気機械の作動によって開閉される。伝送線の閉鎖は、例えば、伝送線における電気伝導を避けるために互いに分離された伝送線の2つの導電端部から短い距離に位置するビーム、ブリッジ又は膜に装備された導電素子を用いてなされうる。ビーム、ブリッジ又は膜は電気機械的に作動し、装備された導電素子は、例えば、オーミックコンタクトを介して伝送線の2つの導電端部の間の回路を短絡し、導電線を形成し、スイッチを閉鎖する。
前に述べたように、導電素子を支持する部分は、(一方の端部が固定された)ビーム、(2つの端部が固定された)ブリッジ、又は、(自由な又はいくつかの固定を備える)膜でありうる。実施の形態によれば、膜は完全に自由であり、ピラーやストッパによって維持されている(特許文献1及び2参照)。
自由に支持された膜を備える既知のMEMSスイッチ構造の例が図1に示される。自由に支持された膜1を屈曲させるために、MEMS構造体10は、膜の機能部を下げるために可撓性膜を屈曲するように適合された電気作動手段を備える。膜の機能部は、2つのポスト間で、膜の一部の下に装備された導電素子8であり、閉鎖モードでは伝送線を短絡させる。電気降下作動手段は、典型的には、膜1の下に位置する外部作動電極2Aによって構成され、外部作動電極2Aに作動電圧が印加されたときに、ポスト間で膜1に直接静電引張応力を加えるように適合されている。
ポスト3のレバー効果と組み合わされたこれらの引張応力は、膜1を曲げることが可能である。曲がった膜によって、伝送線4へのオーミック接触が、膜の下に現れる接触のおかげで実現される。伝送線4は、RF信号を伝送するように適合されうる。図示の例では、電極2、ポスト3、伝送線4は、同一の基板5上に形成されている。停止位置に戻るか、分離位置(導電要素と導電プロットとの間の間隙が最大である位置)に移動するために、電極2Aの作動電圧は0に戻り、作動電圧は、ポスト3とレバー効果を実行する外部電極2Bに印加され、膜を他方に曲げる。なお、自由に支持された膜スイッチはまた、オーミックコンタクトスイッチではなく、容量性接触スイッチとして機能することができる。
図1に示されるように、ストッパ6は、3つのすべての方向に自由膜1の移動を制限するために設けられる必要がある。典型的な用途において、膜の移動は、スイッチ構造体の信頼性のある、再現可能な動作を保証するために、数μmに制限される必要がある。
図1に示すスイッチ構造体を製造する従来の方法は、製造工程の仕上げ状態で除去される犠牲ベース層102(図2a参照)上の膜層101の形成を含む。次に、犠牲層103が、膜層101と膜層101によって覆われていない犠牲ベース層102の部分の上に形成される(図2b参照)。ストッパ層が、犠牲層103上に形成され、図2cに示すように、ストッパ104を形成するためにエッチングされる。ストッパ104を形成した後、犠牲層103が除去される(図2d)。その後又は同時に、犠牲ベース層102が除去され、膜層101は、図1に示されるポスト3上に落ちることができる。
しかしながら、MEMSデバイスの信頼性のある動作は、例えば、自由に支持された膜1を備えるMEMSスイッチが、提示された技術において、(機械的な理由のため)中央部の膜1の厚さが少なくとも3μmであることを要求する。図2aから2dに示すように、従来の処理では、膜層101の信頼性のある被覆のための犠牲層103の必要な厚さは、各々のストッパ104と膜1の対応する端部との間の約1.5μmの側方の間隔をもたらし、約3μmの膜1の側方の自由移動空間が得られる。このような自由に支持された膜1の比較的大きい側方の自由移動空間は、MEMSスイッチの信頼性のある動作に悪影響を及ぼしうる。同様の推論は、容量を調整するために移動可能である、膜電極を備えた可変容量の動作にも当てはまる。
従って、従来と比較して動作の信頼性を向上させる、改良されたMEMSデバイス及びその製造方法が必要である。
上述の目的は、請求項1に記載のMEMSデバイスの製造方法によって対応できる。方法は、犠牲ベース層の上に(over)(例えば、上に接して(on))第1膜層を形成し、第1膜層上に(over)(例えば、上に接して(on))第2膜層を形成し、第2膜層は、第1膜層の側方部を露出する側方凹部を備え、MEMSデバイスが動作するときに、第1膜層の移動を制限するストッパを形成するステップを備える。第2膜層によって露出された第1膜層の側方部は、原理的には、他の材料層により覆われている。本発明によれば、膜は、凹部が第2膜層に形成されており、側方の領域以外が第2膜層により覆われた第1膜層を備えるMEMSデバイスの移動要素として提供される。凹部は、第2膜層の端部で、膜の縦方向に配置されている(以下の詳細な説明参照)。ここで、「縦(longitudinal)」の用語は、膜の縦軸を表わし、「横方向(transverse)」の用語は、同横軸を表わしている。
第1膜層及び第2膜層を備える膜の移動は、第1膜層のストッパへの機械的接触により、制限される。動作において、第1膜層は、当該第1膜層に接触したときに第2膜層に接触しない、第2膜層の凹部内に部分的に延びるストッパに接触しうる。膜の自由移動距離は、ストッパと第1膜層の端部との間の間隙により与えられる。製造プロセス中、薄い厚さの犠牲層が膜上に適用されるため、第1膜層は、従来用いられた均一な厚みの膜よりも薄く、膜の自由移動距離は従来と比較して減少し、それにより、動作の信頼性が向上される。
特に、第2膜層は、第1膜層よりも厚く形成されうる。第1膜層は、最大でも2μm、せいぜい1μmの厚みで形成され、第2膜層は、少なくとも2μmの厚みで形成されうる。
実施の形態によれば、(例えば、ポリマー又は他の誘電材料により形成された)犠牲層は、第1膜層上に(over)(例えば、上に接して(on))、及び、第1膜層により覆われていない犠牲ベース層の一部の上に形成されており、ストッパの形成は、犠牲層上にストッパ層を形成し、第1膜層の移動を制限するために設けられるストッパを形成するために、ストッパ層を、例えば、エッチングによりパターニングすることを備える。第1膜層の厚みは、犠牲層の厚みを決定し(以下の詳細な説明参照)、それにより、MEMSデバイスの動作中の第1及び第2膜層を備える膜の自由移動距離が決定される。
さらに、発明の方法は、第1膜層の一部上の犠牲層を、例えばエッチングで、除去し、犠牲層の除去処理により露出された第1膜層の一部上に第2膜層を形成することを含む。本実施の形態では、上述の第2膜層の凹部は、第2膜層の形成前に除去されていない犠牲層の一部により、第2膜層によって第1膜層が完全には覆われていないことにより形成される。
ストッパ及び第2膜層は、同じ処理ステップで形成することができ、それによって全体の処理を加速、簡略化することができる。また、ストッパ層及び第2膜層は、例えば、金属又は導電性合金の同じ材料により形成することができる。他の実施の形態によれば、ストッパだけでなくストッパ層も、第1膜層の一部上の(over)(例えば、上に接した(on))犠牲層の除去の前に形成される。
MEMSデバイスは、基板上に形成された、作動手段としての電極を備えている。基板は、シリコンのウエハ、シリコン・オン・インシュレータ、シリコン・オン・サファイア、ガリウム砒素、窒化ガリウム、ガラス、石英、アルミニウム、半導体デバイスの製造に使用される任意の他の材料であってもよい。基板は、さらに、例えば、窒化ケイ素、二酸化ケイ素、酸化アルミニウム、又はマイクロエレクトロニクスデバイスの製造に使用される任意の他の誘電体層からなる、絶縁材料の薄い層で覆われうる。さらに、膜層の製造前に、電気接続、保護バンプ、又は、支持ピラーのような、材料の機能層及び機能構造が、前記ウエハに装備されうる。
ストッパは、基板と機械的接触を形成し、方法は、さらに、基板上にポスト、伝送線(例えば、アルミニウム又は金により形成される)を形成し、ポストに接触して(on)又はポストの上に(over)形成されうる犠牲ベース層を除去し、第1膜層(及び、第1膜層上に形成された第2膜層)を、第1及び第2膜層を備える膜の自由移動を可能にするポスト上に配置することを含む。
MEMSデバイスの製造方法の上述した実施例のステップは、容量性又はオーミックコンタクトMEMSスイッチを得るために実行される。一方、MEMSデバイスの製造方法の上述した実施例は、MEMSキャパシタを得るために実行されうる。MEMSキャパシタの場合、膜は、キャパシタの一方の電極を表わしうる。
実施の形態によれば、方法は、さらに、その上に膜が置かれるポスト上の領域及び/又は伝送線上の領域に、局所的に第2膜層の上に(over)(例えば、上に接して(on))第3膜層を形成することを含む。第3膜層が第2膜層に部分的にのみ重なるように、第3膜層は、ポストのうちの一つの上(特に、全てのポスト上)の領域及び/又は伝送線上の領域で、第1膜層上に形成されうる。第2膜層が、第3膜層が当該第3膜層が形成された領域に隣接して形成されていない領域を有するように、第3膜層は、ポストのうちの一つ上(特に、全てのポスト上)の領域及び/又は伝送線上の領域で、第1膜層上に形成される。第3膜層は、その幅方向において、ポスト及び/又は伝送線(導電線)にいくらか重なりうる。例えば、重なりは、ポスト/伝送線の2つの幅又は1つの幅でありうる。第3膜層は、(横方向の)ポストの全ての長さに沿って延びる領域に、又は、ポストに沿って部分的にのみ、形成され、ポストを完全に又は部分的に覆い、ポストの幅の1/4から2倍の範囲の幅を有する。第3膜層は、(横方向の)伝送線の全ての長さに沿って延びる領域に、又は、伝送線に沿って部分的にのみ、形成され、伝送線を完全に又は部分的に覆い、伝送線の幅の1/4から2倍の範囲の幅又はそれ以上を有する。第3膜層は、スイッチング処理の信頼性を高めることを可能にし、スイッチング速度を改善する。特に、局所的に膜を硬化させる第3膜層は、接触力を増加させ、挿入損失を低減するために設けられていてもよい。
さらに、方法は、前記第2膜層の側方凹部の凹部上に、前記第2膜層の張り出し部を形成する。張出し部を設けることにより、第1膜層は、第2膜層(及びストッパ)を形成するための材料層をパターニングする処理の間、保護される(詳細は、以下を参照)。第2膜層は、例えば、凹部全てにわたって延びる張出し部を備える。
さらに、上述の目的は、第1膜層と、第1膜層(101)上に(over)(例えば、上に接して(on))形成された第2膜層とを備える可動膜を備え、第2膜層は、第1膜層の側方部を露出する側方凹部を備える、MEMSデバイス(特に、容量性又はオーミックコンタクトスイッチ又はMEMSキャパシタ)によって対応できる。第2膜層によって露出された第1膜層の側方部は、原理的には、他の材料層により覆われている。動作中、ストッパは、第2膜層よりも大きい又は小さい全表面積を有する第1膜層の端部で膜と機械的に接触しうる。機械的接触は、例えば、第2膜層の凹部内に限局化していてもよく、ストッパは、第1膜層に接触するときに、第2膜層に接触することなく、凹部内に部分的に延びうる。
特に、第2膜層は、第1膜層よりも厚くてもよい。この場合、第1膜層は、最大でも2μm、せいぜい1μmの厚みで形成され、第2膜層は、少なくとも2μmの厚みで形成されうる。
実施の形態によれば、MEMSデバイスは、さらに、第1膜層を支持するポストを備える。第1膜層は、(当該第1膜層上に形成された第2膜層とともに)ポスト上で移動可能である。ストッパは、例えば、第2膜層の凹部内に置いて、第1膜層の端部に接触するように構成されうる。ストッパは、当該ストッパの他の部分が第1膜層に接触するときに、第2膜層の凹部内に延びる部分を有する。
上述のMEMSデバイスは、さらに、基板と、(例えば、耐熱性金属から形成された)電極と、伝送線を備え、電極、伝送線及び上述のポストは、基板上に形成されている。上述したように、基板は、シリコンのウエハ、シリコン・オン・インシュレータ、シリコン・オン・サファイア、ガリウム砒素、窒化ガリウム、ガラス、石英、アルミニウム、半導体デバイスの製造に使用される任意の他の材料であってもよい。
MEMSデバイスは、さらに、その上に膜が置かれるポスト上の領域及び/又は伝送線上の領域に、局所的に第2膜層の上に形成された第3膜層を備える。第3膜層が第2膜層に部分的にのみ重なるように、第3膜層は、ポストのうちの一つの上(特に、全てのポスト上)の領域及び/又は伝送線上の領域で、第2膜層上に形成されうる。第2膜層が、第3膜層が当該第3膜層が形成された領域に隣接して形成されていない領域を有するように、第3膜層は、ポストのうちの一つ上(特に、全てのポスト上)の領域及び/又は伝送線上の領域で、第2膜層上に形成される。第3膜層は、その幅方向において、ポスト及び/又は伝送線にいくらか重なりうる。例えば、重なりは、ポスト/伝送線の2つの幅又は1つの幅でありうる。第3膜層は、(横方向の)ポストの全ての長さに沿って延びる領域に、又は、ポストに沿って部分的にのみ、形成され、ポストを完全に又は部分的に覆い、ポストの幅の1/4から2倍の範囲の幅を有する。第3膜層は、(横方向の)伝送線の全ての長さに沿って延びる領域に、又は、伝送線に沿って部分的にのみ、形成され、伝送線を完全に又は部分的に覆い、伝送線の幅の1/4から2倍の範囲の幅又はそれ以上を有する。第2膜層は、当該第2膜層の側方凹部の凹部上に、張り出し部を備える。第2膜層は、全ての凹部上に延びる張り出し部を備えうる。
本発明の他の特徴及び利点は、図面を参照して説明されうる。説明では、発明の好ましい実施の形態の説明することを意図している添付の図面が参照される。このような実施の形態は、本発明のすべての範囲を表わすものではないことを理解されたい。
図3aから8を参照して、本発明の実施例に係る2層可撓性膜を備えるMEMSスイッチの製造方法を説明する。MEMSデバイスは、例えば、導電性合金又は金属から形成される2層膜の形の可動素子を備える。原理的には、MEMSデバイスは、容量性又はオーミックコンタクトのMEMSスイッチ、あるいはキャパシタであってもよい。
図3aに示すように、第1膜層101は、犠牲ベース層102の上に(over)形成されている。犠牲ベース層102は、層100の上に形成されている。以下では、例示の目的で、層100は、基板上に形成されたポスト(図1参照)を表すものとする。最終的に製造された膜は、ポスト上に置かれる(以下の説明参照)。犠牲層103は、第1膜層101及び、第1膜層101によって覆われていない部分の犠牲ベース層102の上に形成されている(図3b参照)。犠牲層103は、例えば、ポリマー又は誘電材料のスピンコーティングによって形成されうる。
ストッパ層は、犠牲層103の上に形成され、層100に結合するストッパ104を形成するためにエッチングされる(図3c参照)。次に、犠牲層103は、第1膜層101の大部分上がエッチングされる。エッチングプロセスの後、犠牲層103は、第1膜層101の比較的小さい側方の領域上のみに残る。露出された第1膜層101の大部分上に、第2膜層105が形成される(図3d参照)。なお、第2膜層105は、必ずしも厳密に第1膜層101の中心としなくてもよい。第1膜層101の表面積は、その上に形成された第2膜層105よりも大きくても小さくてもよい。第2膜層105は、第1膜層101と同じ材料、例えば、導電性合金又は金属材料(例えば、アルミニウム又は金)から形成することができる。ストッパ層と第2膜層105のいずれも、蒸着によって形成することができる。
図3eに示すように、犠牲層103は、例えば、反応性イオンエッチング又はプラズマエッチングにより除去される。得られた第2膜層105は、犠牲層103が除去された第1膜層101の側方部上に配置された、側方凹部Rを表わしている。また、犠牲ベース層102は除去される。犠牲層103及び犠牲ベース層102は、例えば、1回のエッチングプロセス中に除去することができる、又は、それらは、順に除去することができる。犠牲ベース層102の除去の後、第1膜層101及び第2膜層105を備える自由可動膜は、層100上に落ちる(図3eには示されていない)。ストッパ104は、第2膜層105に接触することなく、第2膜層105の凹部内に第1膜層101の端部に接触するように配置されている(第1膜層101及び第2膜層105と、第2膜層105の凹部内に部分的に配置されたストッパ104とを含む構成の上面図を示す図7参照)。第1膜層101にいくつかの部分で接触したとき、ストッパは、第2膜層105の凹部R内に延びる部分で第2膜層105に接触しない。得られた側方の自由移動空間(距離)は、犠牲層の厚さに依存する。合計では、側方の自由移動距離は最大で2A加えられる(図3e参照)。特定の実施例によれば、2Aは、約1μmを超えない。例えば、第1膜層101は、約1μmの厚さを有し、第2膜層105の厚さは約2μm又はそれ以上であり、犠牲層103の厚さは約0.5μmである。
従来に対して、本発明によれば、膜は、第2膜層105の凹部Rで厚い部分と薄い部分とを備える。従来と比較すると、薄い部分は、薄い犠牲層を可能にし、(自由に支持されている)可動膜の小さい側方の自由移動空間(距離)が得られる。小さい側方の自由移動空間は、得られたMEMSスイッチのより信頼性の高い動作を可能にする。図3aから3eに示された例では、第2膜層105は、ストッパ104の形成に続いて形成される。しかしながら、図3eに示された構成は、様々な方法で形成されうる。特に、第2膜層105は、ストッパ104と同時に形成することができる。これらの層の厚さは同じであってもよいし、互いに異なっていてもよい。
図4aに示される例によれば、図3bに示された構成は、ストッパ104の形成の前に第1膜層101の大部分上の犠牲層103を除去するために、エッチングされる。犠牲層103は、第1膜層101の異なる側方の領域に保持される。繰り返すが、犠牲層103は、ポリマー又は誘電体材料から形成することができ、例えば、反応性イオンエッチングによりエッチングされうる。第2膜層105は、エッチングされた領域の第1膜層101上に形成される。さらに、ストッパ層は、犠牲層103上に形成され、層100に接続されたストッパ104を形成するためにエッチングされる(図4b参照)。例えば、ストッパ104と第2膜層105は、金属材料又は導電性合金である同じ材料により形成されうる。例えば、ストッパ104と第2膜層105は、同じ処理ステップで形成されうる。処理ステップは、従来から知られている蒸着技術からなりうる。蒸着技術は、例えば、電気めっきシード層続いて、その後、第2膜層105とストッパ104とを形成するためにパターニングされる材料層の電気めっきの堆積を含む。
ストッパ104と第2膜層105の形成の後、犠牲層103が除去される(図4c)。さらに、犠牲ベース層102除去され、第1膜層101及び第2膜層105を備える膜は、層(ポスト)100上に落ちることができる。図3eに示す実施例と同様に、従来と比較して小さい(自由に支持された)可動膜の側方の自由移動空間(距離)2Aが得られる。
図4aから4cに示された実施例の改良版が、図5aから5cに示される。図4aから4cに示された実施例と異なるのは、第2膜層105が、第2膜層105の凹部の方向に延びる張り出し部115を備えている点である。図4bに示す構造に達するために、材料層は、図4aに示す構造上に連続して形成され、パターンマスクによって覆われ、ストッパ104と第2膜層105とを得るためにエッチングされる。
しかしながら、犠牲層103がさらなる手順で適切に除去されることを保証するために、材料層は、犠牲層103上ある程度までオーバーエッチされる必要がある。第2膜層105と犠牲層103との間のいくらかのミスマッチに起因して、材料層のエッチングの間、下にある第1膜層101が(第2膜層105の下端で)アタックを受けうる。このリスクは、図5b及び図5cに示すように、犠牲層103上の張り出し部115の形成によって回避することができる。
図4aから4cに示された実施例のさらなる改良版が、図6aから6cに示される。この改良例の製造は、第2膜層105上に形成された追加の第3膜層106以外、図4aから4cを参照して説明されたものと同様である。第3膜層106は、ポスト上及び/又は伝送(導電)線(図1、8参照)上に形成されうる。第3膜層106は、伝送(導電)線上に設けられたとき、接触力の増強を生じさせることができ、それによりスイッチングプロセスの信頼性の向上が得られる。自由可動膜がその上に置かれるポスト上に形成されたとき、第3膜層106は、ポストへの力の伝達を改善し、それによりスイッチングプロセスの加速を可能にする。
図3e、4c、5cに示す構成の上面図が図7に示される。図7からわかるように、第2膜層105は、第2膜層105は、第1膜層101の一部を露出させる、(左から右の)縦方向に沿って配置された側方凹部を備える。動作中、第1膜層101及び第2膜層105を備える膜の動きは、第2膜の凹部内に部分的に設けられたストッパ104によって規制される。
図6cに示す構成の上面図が図8に示される。第3膜層106は、その上に膜が置かれるポスト上及びスイッチングプロセスの間、膜の下に装備された導電部と接触する導電線上に、第2膜層105の領域上に形成される。第3膜層は、縦方向及び/又は横方向において、ポスト及び/又は膜の下に形成された伝送線に完全に又は部分的に重なっていてもよい。ポスト及び導電線は、横方向(上下)に延びている。第2膜層の凹部は、(左から右の)縦方向に沿って配置されている。
図7、8に示される両方の構成では、第2膜層の全表面積は、第1膜層より大きくても小さくてもよい。第1膜層は、凹部の全領域にわたって延びないように成形してもよい。また、第1及び第2膜層を備える膜の形状を変化させることができる。例えば、第1及び第2膜層において追加の凹部が縦方向に設けられていてもよい。具体的には、第1及び第2膜層は、伝送線がMEMSデバイスの基板上に配置される縦方向の位置で、側方凹部を備えることができる。第1膜層101及び第2膜層105を含み、追加の第3膜層106を含み、第2層105の張り出し部分を含む構成は、それぞれ自由に組み合わせることができることに留意されたい。
図3e、4c、5c、6c、7、8に示された構成は、動作の信頼性が向上されたMEMSスイッチを得るために、図1に示されたMEMSスイッチに実装されうる。
上述した実施例によれば、MEMSスイッチが形成されるが、同一の製造工程は、MEMSキャパシタを形成する工程で使用されうる。この場合、第1膜層101及び第2膜層105を備える膜は、図1に示したものと同一の構成で、電極として機能しうる。また、図1に示したものと同一の構成において、MEMSキャパシタの他方の電極は、伝送線4の位置に形成されうる(図1で説明されたスイッチの伝送線4はキャパシタの電極として機能する)。作動電極2によって、MEMSキャパシタの電極間の距離は変更でき、それにより静電容量が調整される。これにより、キャパシタの電極及びストッパを表わす可動膜を備える可変MEMSキャパシタが得られる。
上述した全ての実施形態は、限定するものでなく、本発明の特徴及び利点を説明する例示として機能する。なお、上述の特徴のいくつか又は全てはまた、様々な方法で組み合わせることができることが理解されるであろう。
Claims (15)
- 犠牲ベース層(102)上に第1膜層(101)を形成し、
前記第1膜層(101)上に第2膜層(105)を形成し、
前記第2膜層(105)は、前記第1膜層(101)の側方部を露出する側方の凹部(R)を備え、
前記第1膜層(101)の移動を制限するストッパ(104)を形成する、
容量性スイッチ、オーミックコンタクトスイッチ又はMEMSキャパシタのMEMSデバイスの製造方法。 - 前記MEMSデバイスの動作中、前記ストッパは、前記第2膜層(105)の前記凹部(R)中に第1膜層(101)のエッジに接触するように配置される、
請求項1の方法。 - 前記第2膜層(105)は、第1膜層(101)よりも厚く形成される、
請求項1又は2に記載の方法。 - さらに、前記第1膜層(101)及び前記第1膜層(101)に覆われていない前記犠牲ベース層(102)の一部の上に犠牲層(103)を形成し、
前記ストッパ(104)の形成は、
前記犠牲層(103)上にストッパ層を形成し、
前記ストッパ層をエッチングして、ストッパ(104)を形成する、
請求項1〜3のいずれか1項に記載の方法。 - さらに、前記第1膜層(101)の一部から前記犠牲層(103)を除去し、
前記第2膜層(105)は、前記除去の処理によって露出された前記第1膜層(101)の一部上に形成される、
請求項4に記載の方法。 - 前記ストッパ層及び前記第2膜層(105)は、同じ処理ステップ及び又は同じ材料で形成される、
請求項5に記載の方法。 - 前記ストッパ層及び前記ストッパは、前記第1膜層(101)の一部上の犠牲層(103)を除去する前に形成される、
請求項5に記載の方法。 - 前記ストッパ(104)は、基板と機械的接触を形成し、
さらに、前記基板上に、ポスト、電極及び伝送線形成し、
前記犠牲ベース層(102)を除去し、
前記ポスト上に前記第1膜層(101)及び第2膜層(105)を配置する、
請求項1〜7のいずれか1項に記載の方法。 - さらに、前記ポスト上の領域及び/又は前記伝送線上の領域に前記第2膜層(105)上に第3膜層(106)を形成し、
前記第3膜層(106)は、前記第2膜層(105)に部分的にのみ重なる、
請求項8に記載の方法。 - さらに、前記第2膜層(105)の前記側方の凹部の凹部上に、前記第2膜層(105)の張り出し部(115)を形成する、
請求項1〜9のいずれか1項に記載の方法。 - 第1膜層(101)と、前記第1膜層(101)上に形成された第2膜層(105)とを備える可動膜を備え、
前記第2膜層は、前記第1膜層(101)の側方部を露出する側方の凹部(R)を備える、
容量性スイッチ、オーミックコンタクトスイッチ又はMEMSキャパシタのMEMSデバイス。 - ポスト上で移動可能な前記第1膜層(101)を支持するポストと、
前記第2膜層(105)の前記凹部(R)内において、前記第1膜層(101)の端部に接触するよう構成されたストッパ(104)と、
をさらに備える、
請求項11に記載のMEMSデバイス。 - 基板と、電極と、伝送線をさらに備え、
前記電極、前記伝送線及び前記ポストは、前記基板上に形成されている、
請求項12に記載のMEMSデバイス。 - 前記ポスト上の領域及び/又は前記伝送線上の領域で、前記第2膜層(105)上の第3膜層(106)をさらに備え、
前記第3膜層(106)は、前記第2膜層(105)に部分的にのみ重なる、
請求項13に記載のMEMSデバイス。 - 前記第2膜層(105)は、前記第2膜層(105)の前記側方の凹部(R)の凹部(R)上に、前記第2膜層(105)の張り出し部(115)を備える、
請求項11〜14のいずれか1項に記載のMEMSデバイス。
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