JP2013158882A - 微細素子およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】可変容量素子131,132は、第5金属パターン層117により構成した可動電極と、第2金属パターン層107および第3金属パターン層108により構成した固定電極との距離を、可動電極を変位させることで変化させて容量を可変させている。インダクタ素子141は、第5金属パターン層117により構成した渦巻き状の配線部により、インダクタを構成している。また、スイッチ素子151,152は、第2金属パターン層107により構成した梁構造を、基板101の平面方向に変位させて第4金属パターン層111に形成した電極を移動させることでスイッチ動作を実現している。
【選択図】 図1L
Description
はじめに、本発明の実施の形態1について、図1A〜図1Mを用いて説明する。図1A〜図1Lは、本発明の実施の形態1における微細素子の製造方法を説明するための途中工程における状態を模式的に示す断面図であり、図1Mは平面図である。図1A〜図1Lは、図1Mのxx’線の断面を示している。
次に、本発明の実施の形態2について、図2A〜図2Mを用いて説明する。図2A〜図2Lは、本発明の実施の形態2における微細素子の製造方法を説明するための途中工程における状態を模式的に示す断面図であり、図2Mは平面図である。図2A〜図2Lは、図2Mのxx’線の断面を示している。
次に、本発明の実施の形態3について、図3A〜図3Mを用いて説明する。図3A〜図3Lは、本発明の実施の形態3における微細素子の製造方法を説明するための途中工程における状態を模式的に示す断面図であり、図3Mは平面図である。図3A〜図3Lは、図3Mのxx’線の断面を示している。
次に、本発明の実施の形態4について、図4A〜図4Mを用いて説明する。図4A〜図4Lは、本発明の実施の形態4における微細素子の製造方法を説明するための途中工程における状態を模式的に示す断面図であり、図4Mは平面図である。図4A〜図4Lは、図4Mのxx’線の断面を示している。
次に、本発明の実施の形態5について、図5A〜図5Mを用いて説明する。図5A〜図5Lは、本発明の実施の形態5における微細素子の製造方法を説明するための途中工程における状態を模式的に示す断面図であり、図5Mは平面図である。
次に、本発明の実施の形態5について、図7を用いて説明する。図7は、可変フィルタの回路を示す回路図である。
Claims (4)
- 基板の上に絶縁層を形成する第1工程と、
前記絶縁層の上に第1金属パターン層を形成する第2工程と、
前記第1金属パターン層の上に前記絶縁層と離間して第2金属パターン層を形成する第3工程と、
前記第2金属パターン層の上に第3金属パターン層を形成する第4工程と、
前記第3金属パターン層の上に前記絶縁層と離間して第4金属パターン層を形成する第5工程と、
前記第4金属パターン層の上に前記絶縁層と離間して第5金属パターン層を形成する第6工程と
を少なくとも備え、
前記第1金属パターン層は、複数の第1電極配線を構成する金属パターンを含んで形成し、
前記第2金属パターン層は、ばね部および固定電極を構成する金属パターンを含んで形成し、
前記第4金属パターン層は、第1可動電極を構成する金属パターンを含んで形成し、
前記第5金属パターン層は、第2電極配線,第3電極配線、連結部,および第2可動電極を構成する金属パターンを含んで形成し、
前記固定電極,前記第2可動電極,前記ばね部により前記第1電極配線のいずれかに接続する可変容量素子を構成し、
前記第2電極配線は、前記第1電極配線のいずれかに接続するインダクタ素子を構成し、
前記第1可動電極および前記第3電極配線は、前記第1電極配線のいずれかに接続するスイッチ素子を構成し、
前記第3金属パターン層の金属パターンにより前記第2金属パターン層の一部の金属パターンと前記第4金属パターン層の一部の金属パターンとの前記基板の上部方向の間隔を制御する
ことを特徴とする微細素子の製造方法。 - 請求項1記載の微細素子の製造方法において、
前記固定電極,前記ばね部,前記第2可動電極は、前記第1電極配線のいずれかに接続される加速度センサ素子を構成する
ことを特徴とする微細素子の製造方法。 - 基板の上に形成された絶縁層と、
前記絶縁層の上に形成された第1金属パターン層と、
前記第1金属パターン層の上に前記絶縁層と離間して形成された第2金属パターン層と、
前記第2金属パターン層の上に形成された第3金属パターン層と、
前記第3金属パターン層の上に前記絶縁層と離間して形成された第4金属パターン層と、
前記第4金属パターン層の上に前記絶縁層と離間して形成された第5金属パターン層と
を少なくとも備え、
前記第1金属パターン層は、複数の第1電極配線を構成する金属パターンを含んで形成され、
前記第2金属パターン層は、ばね部および固定電極を構成する金属パターンを含んで形成され、
前記第4金属パターン層は、第2可動電極および第1可動電極を構成する金属パターンを含んで形成され、
前記第5金属パターン層は、第2電極配線,第3電極配線、連結部,および第2可動電極を構成する金属パターンを含んで形成され、
前記固定電極,前記第2可動電極,前記ばね部により前記第1電極配線のいずれかに接続する可変容量素子が構成され、
前記第2電極配線は、前記第1電極配線のいずれかに接続するインダクタ素子が構成され、
前記第1可動電極および前記第3電極配線は、前記第1電極配線のいずれかに接続するスイッチ素子が構成され、
前記第3金属パターン層の金属パターンにより前記第2金属パターン層の一部の金属パターンと前記第4金属パターン層の一部の金属パターンとの前記基板の上部方向の間隔が制御されている
ことを特徴とする微細素子。 - 請求項3記載の微細素子において、
前記固定電極,前記ばね部,前記第2可動電極は、前記第1電極配線のいずれかに接続する加速度センサ素子を構成する
ことを特徴とする微細素子。
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