TWI511276B - 具有雙向垂直致動的積體結構 - Google Patents
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- 230000002457 bidirectional effect Effects 0.000 title 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 92
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 52
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 52
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 40
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 claims description 18
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 14
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 claims description 13
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 12
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 4
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 claims 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 description 13
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 10
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 210000003298 dental enamel Anatomy 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 3
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 2
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 2
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-NJFSPNSNSA-N Aluminium-29 Chemical compound [29Al] XAGFODPZIPBFFR-NJFSPNSNSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012636 effector Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1203—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body the substrate comprising an insulating body on a semiconductor body, e.g. SOI
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B3/00—Devices comprising flexible or deformable elements, e.g. comprising elastic tongues or membranes
- B81B3/0035—Constitution or structural means for controlling the movement of the flexible or deformable elements
- B81B3/0056—Adjusting the distance between two elements, at least one of them being movable, e.g. air-gap tuning
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B2201/00—Specific applications of microelectromechanical systems
- B81B2201/02—Sensors
- B81B2201/0221—Variable capacitors
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B81—MICROSTRUCTURAL TECHNOLOGY
- B81B—MICROSTRUCTURAL DEVICES OR SYSTEMS, e.g. MICROMECHANICAL DEVICES
- B81B2203/00—Basic microelectromechanical structures
- B81B2203/05—Type of movement
- B81B2203/053—Translation according to an axis perpendicular to the substrate
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
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Description
本發明的各種方法和實施例通常係有關於一種微機電系統(MEMS)裝置，並且更特別是有關於以多個互補式金屬氧化物半導體(CMOS)一體成形製造的一個微機電系統裝置。
諸如開關，射頻(RF)通訊裝置，以及可變電容器的高頻裝置業已長期使用微影技術來製造。然而，此等高頻裝置的製造係呈現其它裝置不會另外體驗的挑戰，諸如加速度計和感測器。
電容器典型上係藉由一個介電質所分開的兩個平板、或電極來製作。一個可變電容器係由相同的材料來製作，而不同的是該等平板、或電極中的一者為可移動，從而變化電容。微機電系統裝置係立即地實施可變電容器。
一個特定的可變電容器，亦即具有一個可移動電極的微機電系統式可調諧電容器，係能夠達成高電容的開-關比。然而，現存設計係經常必須將致動電壓相對由於射頻訊號通過電容器引起的自行致動的可能性作平衡。高致動電壓係不容易產生晶載(on-chip)，並且可能導致諸如介電崩潰或電弧的不良效應。然而，假如該致動電壓太低，則可移動的電容器
電極係由於該射頻訊號產生的有效直流(DC)靜電力，而可移動並且自行致動。現存微機電系統式可變電容器設計的另一個問題係與多個控制電子構件的整合。
在一些先前技術的設計中，可變電容器業已建構在一個互補式金屬氧化物半導體晶圓的頂部上，或者是使用併排式系統級封裝(SIP)的模組方式。前者方式係具有下述不利因素：在該互補式金屬氧化物半導體和該微機電系統之間需要一層非常厚的隔離層，以避免射頻寄生以及在該微機電系統和該補式金屬氧化物半導體處理之間的潛在處理衝突。後者系統級封裝方式係產生較大的封裝尺寸，其對於注意空間的行動應用來說不是所欲的。最終，密封該等微機電系統裝置係具挑戰的。在一些方式中，具有經蝕刻空腔的一個矽罩(silicon cap)晶圓係可被接合至該等微機電系統/互補式金屬氧化物半導體晶圓；然而，此步驟係需要多次的微影和沉積步驟而可能花費不貲。
另或者，具有釋放孔洞的一個犧牲層和一個介電罩層係可被沉積在該微機電系統上方，後隨一個犧牲釋放和另一個沉積以密封在罩層中的孔洞。此方式係具有兩個不利因素：1)，該釋放處理由於需要維持在該罩層中的孔洞為小型而可能長時間並且不均勻的，以及2)生成的介電罩係薄且易碎的，並且可能由於銲錫球的沉積和印刷電路板(PCB)的附接而受損，從而因為需要將銲錫球置放在該罩表面的外側而迫使得到一個較大的佔位面積。
據此，出現對於將微機電系統裝置與個互補式金屬氧化物半導體裝置以一體成形方式製造並且適合高頻應用的需要。
簡單來說，本發明的一個實施例係包含一微機電系統(MEMS)裝置，其係具有一個帶有一個第一表面和一個第二表面的一個第一基板，該第一基板係包含一個基底層，經佈置在該基底層上的一個可移動橫樑，至少一個金屬層，以及經佈置在該基底層上的一個或更多墊高件(standoff)，使得一個或更多金屬層係坐落在該一個或更多墊高件的頂側表面上。該微機電系統裝置係進一步包含一個第二基板，其係包含經接合至該一個或更多墊高件的一個或更多金屬層，以生成在該第二基板的一個或更多金屬層中的至少一部分和該底側表面上的至少一個電極及該頂側表面上的至少一個電極中的一者或更多之間的一個電性連接。
在本文中所揭示多個特定實施例的本質和有利因素的一個進一步瞭解係可藉由參考說明書的其餘部份和隨附的圖式而實現。
1、1’‧‧‧微機電系統裝置
2‧‧‧基板
3‧‧‧微機電系統基板
4‧‧‧基底層
6‧‧‧絕緣層
7‧‧‧底層致動電極
8‧‧‧電極
9‧‧‧中央致動電極
13‧‧‧間隔部
16‧‧‧間隔部
18‧‧‧薄絕緣層
19‧‧‧電容器電極
20‧‧‧金屬層
21‧‧‧電容器電極
22‧‧‧傳導性障壁層
24‧‧‧厚絕緣層
25‧‧‧絕緣層
27‧‧‧金屬層
28‧‧‧鍺(Ge)層
33‧‧‧矽質氧化層
34‧‧‧頂側金屬層
40‧‧‧犧牲層
42‧‧‧淺凹口
44‧‧‧薄氧化層
46‧‧‧通孔
48‧‧‧金屬層
50‧‧‧絕緣結構層
52‧‧‧通孔
54‧‧‧薄金屬層
56‧‧‧墊高件
58‧‧‧金屬層
66‧‧‧空腔
70‧‧‧重新分佈金屬層
72‧‧‧絕緣層
74‧‧‧銲錫球
80‧‧‧墊高件
圖1a係顯示依據本發明的一個實施例的一個微機電系統(MEMS)裝置。
圖1b係顯示依據本發明的另一個實施例的一個微機電系統裝置。
圖2a到2o係顯示用於製造圖1a和圖1b的微機電系統裝置的相關步驟。
圖3係顯示圖1a和圖1b的在互補式金屬氧化物半導體基板業已接合至微機電系統基板之後的微機電系統裝置。
圖4係顯示依據本發明的一個實施例的圖1a和圖1b經製造以
準備進行封裝的微機電系統裝置。
圖5係顯示依據本發明的另一個實施例的圖1a和圖1b經製造以準備進行封裝的微機電系統裝置。
在所述的實施例中，微機電系統(MEMS)係指稱一個結構或裝置類別，其係使用半導體類製程來製作，並且展現諸如移動或變形的能力的機械特徵。微機電系統經常，但不總是，與電性訊號互動。微機電系統裝置係包含，但不限制於，陀螺儀，加速度計，磁力計，麥克風，壓力感測器，和射頻(RF)構件。含有微機電系統結構的矽晶圓係被指稱作為微機電系統晶圓。
在所述的實施例中，一個微機電系統(MEMS)裝置係可指稱被實施作為一個微機電系統的一個半導體裝置一個。微機電系統結構係可指稱任何結構，其係可作為一個較大型微機電系統裝置的一部分。一個工程化絕緣體上矽(ESOI)晶圓係可指稱在矽質裝置層或基板下方具有多個空腔的一個絕緣體上矽晶圓。操作晶圓典型上係指稱一個較厚基板，其係使用作為用於一個絕緣體上矽晶圓中的較薄矽質裝置基板的一個載體。操作基板和操作晶圓係能交換。
在所述的實施例中，一個空腔係可指稱在一個基板晶圓中的一個開口或凹處，並且封閉體係可指稱一個被完全封閉的空間。接合腔室係可作為在一件接合設備中的一個封閉體，而晶圓接合製程係在該件接合設備中進行。在該接合腔室中的氣團係決定在經接合晶圓中所密封的氣團。
下述說明係敘述依據各種技術的一個微機電系統裝置，以及
用於製造其的方法。
本發明的特定實施例和方法係揭示一種微機電系統(MEMS)裝置，其係具有一個第一基板，該第一基板係包含一個第一表面和一個第二表面。該第一基板係包含一個基底層，以及經佈置在該基底層上的一個可移動橫樑。再者，至少一個金屬層，以及一個或更多墊高件(standoff)係被佈置在該基底層上，使得該一個或更多金屬層係坐落在該一個或更多墊高件的頂側表面上。該微機電系統裝置係進一步包含一個第二基板，其係經接合至該第一基板，該第二基板係包含經接合至該一個或更多墊高件的一個或更多金屬層，以生成在該第二基板的一個或更多金屬層中的至少一部分和該底側表面上的至少一個電極及該頂側表面上的至少一個電極中的一者或更多之間的一個電性連接。
現在參考圖1a，所示係依據本發明的一個實施例的一個微機電系統裝置1。所示的微機電系統裝置1係具有一個基板2以及一個微機電系統基板3，兩者係被接合一起並且垂直定向，其不久將變為顯明。
所示的微機電系統基板3係包含基底層4，在其頂側上所示係形成有一個厚絕緣層24。在一個實施例中，該基底層4係可由一個半導體材料所製成。在該基底層4的頂側上所示係自一個第一金屬層10形成的多個底層致動電極7，並且在該等底層致動電極7的頂側上所示係形成有一個薄絕緣層18。該薄絕緣層18所示同樣係形成在一個空腔66上方，該空腔66所示係被佈置在多層薄絕緣層18之間，並且在該厚絕緣層24的頂側上。進一步被形成在該厚絕緣層24的頂側上並且在該等底層致動電極7之間的是一個第二電容器電極19。
該微機電系統基板3所示係在該薄絕緣層18的底側表面上額外包含間隔部16，所示在該空腔66上方。中央致動電極9所示係被形成在該空腔66和該薄絕緣層18上方，所示經定位在該空腔66上方並且在一個第一電容器電極21的任一側邊上。據此，在圖1a中的底層致動電極7和所示經直接定位在該底層致動電極7上方的中央致動電極9係形成中央致動電極。此外，該底層致動電極7和該中央致動電極9及該薄絕緣層18所示係被形成在該底層致動電極7上，在一個底側表面上，並且該薄絕緣層18所示係被形成在該中央致動電極9下方，在一個頂側表面上，上述所有的構件係定義一個可移動橫樑。
所示被形成在該中央致動電極9和該第一電容器電極21的頂側上的是一個絕緣層6，並且在該絕緣層6的頂側上所示係形成有一個經圖案化金屬層58。一個障壁層22係被形成在該經圖案化金屬層58上方。如上文參考圖1a所述，在該微機電系統基板3上方，該基板2係被形成，並且藉由一個鍺(Ge)層28以被接合至該微機電系統基板3。該基板2係可為一個互補式金屬氧化物半導體晶圓，其係含有多個電極及一個或更多電路和多個主動元件。
該微機電系統基板3所示係包含多個墊高件56，其係被置放在該絕緣層6的頂側上並且大致上在該等中央致動電極9上方。該等中央致動電極9中每一者所示係具有被形成在其一個底側表面上的一個間隔部。一個絕緣層25所示係被形成在該基板5和該等電極8上方，並且在該基板5和該等墊高件56之間。
要注意的是：該第一電容器電極21係被懸掛在該基底層4上
方，並且在操作上，當一個電壓被施加在該等中央致動電極9和該等底層致動電極7之間時，一個靜電力係推動該可移動元件朝向該基底層4。該等間隔部16作用上是在該可移動元件被向下拉時，避免該等中央致動電極9和第一電容器電極21與該底層致動電極7和第二電容器電極19接觸彼此。類似地，該基板2的間隔部13作用上是避免該等電極8和該金屬層27接觸彼此。另或者，額外的間隔部係可被形成在該絕緣層25下方，但是其高度需要適合避免在該等電極8和該金屬層27之間的接觸。
在該第一電容器電極和該第二電容器電極之間(亦即：圖1a中的第一電容器電極21和第二電容器電極19)的電容係在兩者和該薄絕緣層18的厚度和介電常數之間的間隙的一個函數，如在圖1a中顯示為該空腔66的間隙會隨著在該可移動元件和該基底層4之間的距離變化而出現變化。更具體來說，隨著該間隙出現變化，由該第一電容器電極21和該第二電容器電極19形成的電容器的電容同樣出現變化，如此係使該電容器變為一個可變電容器。
在操作期間，當該第一電容器電極21被向下拉時，該電容係增加。也就是說，當電壓被施加至該微機電系統裝置1時，該等中央致動電極9和第一電容器電極21係相對該基底層4而向上拉和向下拉，作作為該等電極8相對該基底層4而向上拉或者是該等底層致動電極7相對該基底層4而向下拉的一個函數。換另一種說法，當一個電壓被施加在該等中央致動電極9和該等電極8時，該移動元件係被拉向該基板2並且遠離該基底層4，而當一個電壓被施加在該等底層致動電極7和該等中央致動電極9時，該移動元件係被拉向該基底層4並且遠離該基板2。
圖1b係依據本發明的另一個實施例的一個微機電系統裝置1’。該微機電系統裝置1’係類似於該微機電系統裝置1，不同的是多個墊高件80被形成在該基板2中，而不是該微機電系統基板3。對照圖1a的實施例，該等墊高件80所示係被形成自該基板2的頂側金屬層34和絕緣層35的一個部分，而該等電極8係被形成自圖1b中的一個下方互補式金屬氧化物半導體金屬層。
圖2a到2o係顯示用於製作圖1a和1b的微機電系統裝置的相關步驟。為求簡潔有力，圖2a係顯示三個步驟，首先是提供包括一個矽質基材的基底層4，接下來示將該厚絕緣層24形成在該基底層4的頂側上，後隨有將該等底層致動電極7、第二電容器電極19和電極20形成在該厚絕緣層24的頂側上的一個第三步驟，其先藉由將一個金屬層沉積在該基底層4的頂側上，並且後續選用地沉積和蝕刻該薄絕緣層18。據此，該等底層致動電極7、第二電容器電極19和電極20係加以形成。
將下來在圖2b中，一個犧牲層40係被沉積在該薄絕緣層18、該厚絕緣層24和該第一金屬層20的頂側上。製作該犧牲層40的一個示範性材料係多晶矽(polycrystalline silicon)。圖2c中所示的一個矽質氧化層33(其厚度大於該犧牲層40)接著係被沉積，並且後續(如圖2c中所示)使用例如化學機械拋光(CMP)或其它技術進行拋光，以使其表面平坦化並且暴露出該犧牲層40。多個淺凹口42接著係被蝕刻在該犧牲層40中，以使該等間隔部能夠形成在後隨的數層中。
接下來，在圖2d中，另一個薄氧化層44接著係選用地被沉積。圖2e係例示多個通孔46經形成以穿過諸如薄氧化層44，該矽質氧化層33
和該薄絕緣層18的絕緣層而到該第一金屬層20。在圖2f中，該等通孔46接著係填充有經過保形沉積的一個傳導性材料47(諸如CVD鎢)，並且一個第二金屬層48係被沉積及連接至該傳導性材料47。該第二金屬層48接著係被圖案化以形成該可移動元件的中央致動電極9和第一電容器電極21。該薄氧化層44同樣係與該第二金屬層48一起被圖案化。
在圖2g中，諸如SiO2的一個絕緣結構層50係被沉積並且使用CMP或其它適合用於平坦化的方法進行平坦化。隨後，在圖2h中，多個通孔52係被形成穿過該絕緣結構層50而到圖1a的第二金屬層48或該等中央致動電極9和第一電容器電極21。該等通孔52係填充有一個保形的傳導性材料，並且一個薄金屬層54係被沉積在該等通孔52的頂側上，如在圖2i中所示。
接下來，在圖2j中，一個墊高件56係被形成自一個經過沉積且圖案化的絕緣層。接著，在圖2k中，一個第三金屬層58係經過沉積且圖案化，以在該可移動元件的頂側上形成多個電極。一個選用的傳導性障壁層22係被沉積在該第三金屬層58上並且圖案化，如在圖2l處所示。在其中一個共晶接合被用來將該基板接合至該微機電系統基板3的一個實施例中，該傳導性障壁層22係在該共晶接合期間避免銲料與該微機電系統金屬相互作用並使其液化。
接下來，在圖2m中，該鍺(Ge)層28係經過沉積且圖案化，使得其仍保留在該等墊高件56的頂側的第三金屬層58上。如在圖2n中所示，該等絕緣層44和絕緣結構層50係經過圖案化而停止在該犧牲層40上，以定義該可移動元件。接下來，在圖2o中，該犧牲層40係以一個同向性犧牲蝕刻進行移除，其選擇性地蝕刻該犧牲層40但是不蝕刻或以最小方式蝕刻在該犧
牲層40上方和下方的金屬及氧化層，諸如該等絕緣層50，44，24和18。在一個較佳實施例中，該犧牲蝕刻係使用XeF2
。
於此時點，在該過程中，該可移動元件係被釋放並且能夠移動。圖3係顯示圖1a和圖1b的在該互補式金屬氧化物半導體基板2業已接合至該微機電系統基板3之後的微機電系統裝置。
接下來在該微機電系統裝置1的製造過程中，如在圖3中所示，該微機電系統基板3係例如使用一個共晶接合以被接合至一個基板2，其介於經沉積在該微機電系統上的鍺層28和該互補式金屬氧化物半導體上的鋁29之間。該接合係在該等微機電系統元件周圍建立一個氣密式密封，並且在該等微機電系統金屬和互補式金屬氧化物半導體金屬之間設立多個電性連接。
圖4係依據本發明的一個實施例中的圖1a和1b以一個晶片級封裝(CSP)組態來製造的微機電系統裝置。作為一個封裝方式，該微機電系統裝置1係可使用直通矽晶穿孔(TSV)的晶片級封裝(CSP)技術進行封裝，如在圖4中所示。在此實施例中，多個通孔71係被蝕刻在該微機電系統基板3的背側中，以暴露出該第一金屬層10。一個絕緣層72係被沉積在該微機電系統基板3的背側上以及在該等通孔上。接著，該絕緣層72係係自該等通孔的底側處被移除，並且一個重新分佈金屬層70係被沉積在該等通孔上以及在該微機電系統基板3的背側表面上，使得該金屬70與該第一金屬層10在該等通孔內部進行電性接觸。該重新分佈金屬層70係被圖案化，並且一個選用的絕緣銲錫遮罩層接著係被沉積以及圖案化，並且接著多個銲錫球74係選用地被形成在該重新分佈金屬層70上，以使該微機電系統裝置1能被
組裝至一個印刷電路板(PCB)或其它類型的基板上。
圖5係顯示依據本發明的一個實施例中的圖1a和1b以一個晶片級封裝(CSP)組態來製造的微機電系統裝置。如在圖5中所示，在圖4中所例示的基底層4選用地在通孔形成之前先被移除，其是藉由研磨、蝕刻、或另一個方法來進行，以暴露出充當該微機電系統裝置1或1’的蓋罩(cap)的底側絕緣層，僅留下一個絕緣蓋罩而有利地降低在通孔金屬化中的寄生電容。
儘管本發明業已針對多個特定實施例來作出敘述，該等特定實施例係僅作例示用而不是限制用。
如在本文的發明說明中所使用和遍及申請專利範圍所依循，除非在上下文另外清楚指明，否則「一」和「該」係包含複數元件符號。同樣，如在本文的發明說明中所使用和遍及申請專利範圍所依循，除非在上下文另外清楚指明，否則「中」的意義係包含「中」和「上」。
因此，儘管業已在本文中敘述多個特定實施例，在上述揭示內容中預期有各種變化和取代，並且將顯明的是：在一些實例中，該等特定實施例的一些特徵將在沒有其它特徵的一個對應使用下被運用，而不會悖離所提及的範疇和精神。從而，可進行許多變化以使一個特定狀況或材料適應基本範疇和精神。
1‧‧‧微機電系統裝置
2‧‧‧基板
3‧‧‧微機電系統基板
4‧‧‧基底層
6‧‧‧絕緣層
7‧‧‧底層致動電極
8‧‧‧電極
9‧‧‧中央致動電極
13‧‧‧間隔部
16‧‧‧間隔部
18‧‧‧薄絕緣層
19‧‧‧電容器電極
20‧‧‧金屬層
21‧‧‧電容器電極
22‧‧‧傳導性障壁層
24‧‧‧厚絕緣層
25‧‧‧絕緣層
27‧‧‧金屬層
28‧‧‧鍺(Ge)層
56‧‧‧墊高件
58‧‧‧金屬層
66‧‧‧空腔
Claims (24)
- 一種微機電系統(MEMS)裝置，其係包括：一個第一基板，其係具有一個第一表面和一個第二表面，所述第一基板係包含：一個基底層；一個可移動橫樑，其係被附接至所述基底層，並且具有一個頂側表面和一個底側表面，所述底側表面係面對所述基底層，所述可移動橫樑係包含：一個或更多第一電極，其係被佈置在所述可移動橫樑的底側表面上；一個或更多第二電極，其係被佈置在所述可移動橫樑的頂側表面上；一個或更多墊高件(standoff)，其係被佈置在所述第一基板的第一表面上，使得一個或更多傳導性層係坐落在所述一個或更多墊高件的頂側表面上；以及一個第二基板，其係包含被接合至所述一個或更多墊高件的一個或更多金屬層，以在所述一個或更多金屬層的至少一部分和所述第一電極的一者或更多者或所述第二電極的一者或更多者中的一者之間生成一個電性連接。
- 如申請專利範圍第1項之微機電系統裝置，其中一個絕緣層係被佈置在所述一個或更多第一電極和所述一個或更多第二電極之間。
- 如申請專利範圍第1項之微機電系統裝置，其係進一步包括一個或更 多第三電極，其係被佈置在所述可移動橫樑和所述基底層之間，使得所述可移動橫樑係當一個電位被施加在所述一個或更多第三電極的至少一者和所述一個或更多第一電極的至少一者之間時出現位移。
- 如申請專利範圍第3項之微機電系統裝置，其中所述一個或更多第一電極的至少一者係攜載一個射頻訊號。
- 如申請專利範圍第3項之微機電系統裝置，其中所述一個或更多第三電極的至少一者係攜載一個射頻訊號。
- 如申請專利範圍第3項之微機電系統裝置，其係進一步包括一個或更多間隔部(spacer)，其係被佈置在所述一個或更多第一電極和所述一個或更多第三電極之間。
- 如申請專利範圍第3項之微機電系統裝置，其係進一步包括一個或更多第四電極，其係被佈置在所述第二基板上，所述一個或更多第四電極係當一個電位被施加在所述一個或更多第四電極和所述一個或更多第二電極的至少一者之間時，對所述可移動橫樑施加一個靜電力。
- 如申請專利範圍第7項之微機電系統裝置，其係進一步包括一個或更多間隔部，其係被佈置在所述一個或更多第二電極和所述一個或更多第四電極之間。
- 如申請專利範圍第1項之微機電系統裝置，其係進一步包括在所述第二基板上的至少一個互補式金屬氧化物半導體(CMOS)電路。
- 如申請專利範圍第1項之微機電系統裝置，其係進一步包括一個重新分配層，所述重新分配層係被佈置在所述第一基板的第二表面上。
- 如申請專利範圍第10項之微機電系統裝置，其係進一步包括一個絕 緣層，其係被佈置在所述第一基板和所述重新分配層之間。
- 如申請專利範圍第10項之微機電系統裝置，其係進一步包括被佈置在所述可移動橫樑和所述基底層之間的一個或更多第三電極以及從所述重新分配層到所述一個或更多第三電極中至少一者的一個導電路徑。
- 如申請專利範圍第12項之微機電系統裝置，其係進一步包括多個銲錫球，其係被佈置在所述重新分配層上。
- 如申請專利範圍第12項之微機電系統裝置，其係進一步包括在所述第一基板中的一個或更多通孔，其中所述一個或更多通孔係含有一個傳導性材料。
- 一種微機電系統(MEMS)裝置，其係包括：一個第一基板，其係具有一個第一表面和一個第二表面，所述第一基板係包含：一個基底層；一個可移動橫樑，其係被附接至所述基底層，並且具有一個頂側表面和一個底側表面，所述底側表面係面對所述基底層，所述可移動橫樑係包含：一個或更多第一電極，其係被佈置在所述可移動橫樑的底側表面上；一個或更多第二電極，其係被佈置在所述可移動橫樑的頂側表面上；一個第一絕緣層，其係被佈置在所述一個或更多第一電極和所述一個或更多第二電極上；以及 一個第二基板，其係包含：一個或更多金屬層，其係藉由一個或更多絕緣層分開彼此；一個或更多墊高件(standoff)，其係具有一個頂側表面，並且被形成自所述一個或更多金屬層和一個或更多第二絕緣層的一個部分，所述一個或更多金屬層的一個部分係坐落在所述一個或更多墊高件的頂側表面上，並且被接合至所述第一基板，使得一個電性連接係被形成在所述一個或更多金屬層的所述一個部分和所述一個或更多第一電極的至少一者或所述一個或更多第二電極的至少一者之間。
- 如申請專利範圍第15項之微機電系統裝置，其係進一步包括一個或更多第三電極，其係被佈置在所述可移動橫樑和所述基底層之間，使得所述可移動橫樑係當一個電位被施加在所述一個或更多第三電極的至少一者和所述一個或更多第一電極的至少一者之間時出現位移。
- 如申請專利範圍第16項之微機電系統裝置，其中所述一個或更多第一電極的至少一者係攜載一個射頻訊號。
- 如申請專利範圍第16項之微機電系統裝置，其中所述一個或更多第三電極的至少一者係攜載一個射頻訊號。
- 如申請專利範圍第16項之微機電系統裝置，其係進一步包括一個或更多間隔部，其係被佈置在所述一個或更多第一電極和所述一個或更多第三電極之間。
- 如申請專利範圍第16項之微機電系統裝置，其係進一步包括一個或更多第四電極，其係被佈置在所述第二基板上，所述一個或更多第四電極係當一個電位被施加在所述一個或更多第四電極和所述一個或更多第二電 極的至少一者之間時，對所述可移動橫樑施加一個靜電力。
- 如申請專利範圍第20項之微機電系統裝置，其係進一步包括一個或更多間隔部，其係被佈置在所述一個或更多第二電極和所述一個或更多第四電極之間。
- 如申請專利範圍第15項之微機電系統裝置，其係進一步包括在所述第二基板上的至少一個互補式金屬氧化物半導體電路。
- 一種微機電系統(MEMS)裝置，其係包括：一個基底層，其係具有一個第一表面；至少一個第一致動電極，其係被佈置在所述基底層的第一表面上；至少一個第一電容器電極，其係被佈置在所述基底層的第一表面上；一個可移動橫樑，其係具有一個頂側表面和一個底側表面，所述可移動橫樑係被佈置在所述至少一個第一致動電極和所述至少一個第一電容器電極上方，其中所述可移動橫樑係被附接至所述基底層，其中所述底側表面係面對所述基底層，其中所述可移動橫樑係進一步包含：至少一個第二致動電極，其係被佈置在所述可移動橫樑的底側表面上；至少一個第三致動電極，其係被佈置在所述可移動橫樑的頂側表面上；至少一個第二電容器電極，其係被佈置在所述可移動橫樑的底側表面上； 至少一個第四致動電極，其係被佈置在所述可移動橫樑上方；其中在所述至少一個第一致動電極和所述至少一個第二致動電極之間施加一個電位係使所述可移動橫樑位移朝向所述至少一個第一致動電極，其中在所述至少一個第三致動電極和所述至少一個第四致動電極之間施加一個電位係對所述可移動橫樑產生一個靜電力，而使其朝向所述至少一個第四致動電極。
- 如申請專利範圍第23項之微機電系統裝置，其係進一步包括：一個第一靜電力，其係藉由被施加在所述至少一個第一電容器電極和所述至少一個第二電容器電極之間的一個電性訊號所產生；以及一個第二靜電力，其係藉由被施加在所述至少一個第三致動電極和所述至少一個第四致動電極之間的一個第二電位所產生，其中所述第二靜電力係抵抗所述第一靜電力。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US13/831,470 US9035428B2 (en) | 2013-03-14 | 2013-03-14 | Integrated structure with bidirectional vertical actuation |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW201503327A TW201503327A (zh) | 2015-01-16 |
| TWI511276B true TWI511276B (zh) | 2015-12-01 |
Family
ID=50687426
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW103108340A TWI511276B (zh) | 2013-03-14 | 2014-03-11 | 具有雙向垂直致動的積體結構 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9035428B2 (zh) |
| EP (1) | EP2778118B1 (zh) |
| CN (1) | CN104051456B (zh) |
| TW (1) | TWI511276B (zh) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9079761B2 (en) * | 2013-03-14 | 2015-07-14 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Stacked semiconductor device and method of forming the same related cases |
| US9809450B2 (en) * | 2015-08-27 | 2017-11-07 | Invensense, Inc. | CMOS-MEMS integration using metal silicide formation |
| US9896327B2 (en) * | 2016-05-19 | 2018-02-20 | Invensense, Inc. | CMOS-MEMS structures with out-of-plane MEMS sensing gap |
| GB2569632B (en) * | 2017-12-21 | 2020-08-05 | Univ Bristol | Electromechanical relay |
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2013
- 2013-03-14 US US13/831,470 patent/US9035428B2/en active Active
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2014
- 2014-03-11 TW TW103108340A patent/TWI511276B/zh active
- 2014-03-14 CN CN201410094159.4A patent/CN104051456B/zh active Active
- 2014-04-09 EP EP14250072.7A patent/EP2778118B1/en active Active
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN104051456B (zh) | 2016-06-29 |
| CN104051456A (zh) | 2014-09-17 |
| EP2778118A2 (en) | 2014-09-17 |
| US9035428B2 (en) | 2015-05-19 |
| EP2778118B1 (en) | 2016-06-29 |
| TW201503327A (zh) | 2015-01-16 |
| US20140264645A1 (en) | 2014-09-18 |
| EP2778118A3 (en) | 2014-10-29 |
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