JP2008296336A - 中空封止構造体及び中空封止構造体の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 中空封止構造体を小型化することができ、かつ、内部の犠牲層の除去時間を短縮できる中空封止構造体及び中空封止構造の製造方法を提供する。
【解決手段】 中空封止構造体1は、基板2,3と、基板2,3の主面上に設けられた機能素子4と、基板2,3の主面上に設けられて中空部6を形成し、この中空部6内において機能素子4を被覆する被覆部として、複数の開口7aを有する第1被覆構造部7と、第1被覆構造部7上に開口7aと機能素子4とを結ぶ仮想直線上に設けられる第2被覆構造部8と、第2被覆構造部8と第1被覆構造部7との間に形成される空隙を封止する封止構造部9と、を備えることを特徴とする。
【選択図】 図1
【解決手段】 中空封止構造体1は、基板2,3と、基板2,3の主面上に設けられた機能素子4と、基板2,3の主面上に設けられて中空部6を形成し、この中空部6内において機能素子4を被覆する被覆部として、複数の開口7aを有する第1被覆構造部7と、第1被覆構造部7上に開口7aと機能素子4とを結ぶ仮想直線上に設けられる第2被覆構造部8と、第2被覆構造部8と第1被覆構造部7との間に形成される空隙を封止する封止構造部9と、を備えることを特徴とする。
【選択図】 図1
Description
本発明は、例えば微小電気機械部品、マイクロマシンのパッケージング等、機能素子の中空封止構造体及び中空封止構造体の製造方法に関する。
基板上に搭載された機能素子を中空に封止する電気機械部品等の中空封止構造体が知られている。例えば、図15に示す中空封止構造体21は、ベース基板22、絶縁層23、機能素子24、信号用配線25、空隙部26、封止体としての第一封止体27および第二封止体28で構成されている。
機能素子24は例えば両持ちの梁構造であり、梁中央部が信号用配線25と数μm程度離間している。機能素子24の直下の絶縁層23には、信号用配線25がAuなどで形成されている。機能素子24は、ばね特性の高いTiN、Alなどで構成されており、静電力等の駆動力を与えることで信号用配線25の方へ近接するように変形する。また、駆動力を除くと、機能素子24は自身のばね特性により、再び元の位置に戻る。このように駆動力に応じて機能素子24と信号用配線25との間隔が変化することで、可変電気容量、スイッチングなどの機能を果たす。
このような機能素子24を中空に封止する技術として、製造コストの低減や小型化のため、成膜プロセスによる薄膜を用いるものがある(例えば特許文献1参照)。通常、薄膜による中空封止は以下のように行われる。図10に示すように、犠牲層(第1層)32をベース基板22及び絶縁層23からなる基板上に形成する。ついで図11に示すように、機能素子24を、犠牲層32上に形成する。図12に示すように、この犠牲層32上に形成された機能素子24に、犠牲層(第2層)33を形成し、犠牲層33上に、第一封止体27を形成する。図13に示すように、第一封止体27に、犠牲層除去用のエッチング材を導入するための開口部27aを形成する。
通常、後述する第2封止体28をスパッタリングまたは蒸着やCVD等の成膜方法で形成する場合に膜材が機能素子に堆積するのを防ぐため、機能素子から離れた位置に開口部27aを設けている。また、開口部27a付近における第1封止体27の下面と絶縁層23の上面との間には犠牲層除去用のエッチング材が流通するためのスペースが必要となる。ついで、図14に示すように開口部27aから犠牲層除去用のエッチング材を導入し、犠牲層32、33を完全に除去する。最後に第2封止体28を、第1封止体27上に形成し、開口部27aを閉塞する。以上により、第1及び第2封止体27,28によって、機能素子が中空に封止される中空封止構造体が完成する。
特開2005−207959号
しかしながら、上述した技術では、次のような問題があった。すなわち、上記の構造では機能素子から離れた位置に開口部を設けるため、第1封止膜を大きく構成する必要がある。したがって、中空封止構造体や内部の犠牲層が大きくなり、内部の犠牲層除去時間が長くなり、生産性が低下する。
本発明は上記の課題を解決するためになされたものであり、生産性が高い中空封止構造体及び中空封止構造の製造方法を提供することを目的とする。
本発明の一形態にかかる中空封止構造体は、基板と、前記基板の主面上に設けられた機能素子部と、前記基板の主面上に設けられて中空部を形成し、この中空部内において前記機能素子部を被覆する被覆部と、を具備し、前記被覆部は、複数の開口を有する第1被覆構造部と、前記第1被覆構造部上に前記開口と前記機能素子部とを結ぶ仮想直線上に設けられる第2被覆構造部と、前記第2被覆構造部と前記第1被覆構造部との間に形成される空隙を封止する封止構造部と、を備えることを特徴とする。
本発明の一形態にかかる中空封止構造体は、前記第2被覆構造部は、前記第1被覆構造部の外面における前記開口の周縁に支持される支持部と、前記支持部に支持されるとともに前記開口を前記仮想直線方向における外側から覆う蓋部と、を備え、前記蓋部の一部は、前記第1被覆構造部の外面における前記開口の周縁から離間し、前記空隙は、前記離間部分に形成されていることを特徴とする。
本発明の一形態にかかる中空封止構造体の製造方法は、基板の主面上に機能素子を配する工程と、前記機能素子上に第1犠牲層を形成する工程と、前記第1犠牲層及び前記基板の主面上に、複数の開口を有する第1被覆構造部と、前記開口と前記機能素子部とを結ぶ仮想直線上に設けられる第2被覆構造部とを形成する工程と、前記第2被覆構造部と前記第1被覆構造部との間に形成される間隙部から犠牲層除去用の流体を導入して前記第1犠牲層を除去する工程と、前記第2被覆構造部と前記第1被覆構造部との間に形成される空隙を封止する封止構造部を形成する工程と、を備えたことを特徴とする。
本発明の一形態にかかる中空封止構造体の製造方法は、基板の主面上に機能素子を配する工程と、前記機能素子上に第1犠牲層を形成する工程と、前記第1犠牲層及び前記基板の主面上に、複数の開口を有する第1被覆構造部を形成する工程と、前記第1被覆構造部の外面における前記開口の周縁に支持される支持部を形成する工程と、前記第1被覆構造部の前記開口部分における前記第1犠牲層上に第2犠牲層を形成する工程と、前記第2犠牲層上に前記支持部に支持されるとともに前記開口を前記仮想直線方向における外側から覆う蓋部を形成する工程と、前記蓋部と前記第1被覆構造部との間に形成される間隙部から犠牲層除去用の流体を導入して前記第1犠牲層及び第2犠牲層を除去する工程と、前記蓋部と前記第1被覆構造部との間に形成される空隙を封止する封止構造部を形成する工程と、を備えたことを特徴とする。
本発明によれば、生産性が高い中空封止構造体の提供を可能とする。
以下に本発明の第1実施形態にかかる封止構造体について、図1及び図3を参照して説明する。なお、各図において適宜構成を拡大・縮小・省略して概略的に示している。図2においては封止構造部9を省略している。
中空封止構造体1は例えば微小電気機械部品であり、基板を構成するベース基板2及び絶縁層3と、機能素子4(機能素子部)と、信号用配線5と、中空部6と、被覆部としての第1被覆構造部7、第2被覆構造部8及び封止構造部9とを有して構成されている。
ベース基板2は、例えばシリコン(Si)などから板状に形成されている。
絶縁層3は、ベース基板2上に形成され、例えばシリコン酸化膜(SiO2)からなる。これらベース基板2及び絶縁層3により基板が構成される。
絶縁層3は、ベース基板2上に形成され、例えばシリコン酸化膜(SiO2)からなる。これらベース基板2及び絶縁層3により基板が構成される。
絶縁層3の上面3aには、信号用配線5及び機能素子4が形成されている。信号用配線5はAuなどで形成され、図中Y方向に延びる矩形状を成している。
絶縁層3の上面3aには、機能素子4が形成されている。機能素子4は可動機構を含むマイクロマシンであり、段差を有する片持ち梁状を成し、支持部4aと梁部4bとを段差を介して一体に備えている。支持部4aが絶縁層3の上面3aに支持されて形成され、可動部分としての梁部4bが支持部4aの上端部分から水平に延びている。この梁部4bは信号用配線5の上方に、信号用配線5と数μm程度離間して、配されている。機能素子4は、ばね特性の高いTiN、Alなどで構成されており、静電力等の駆動力が与えられると信号用配線5の方へ近接し、駆動力が除去されると、自身のばね特性により、再び元の位置に戻る。すなわち、機能素子4は、駆動力に応じて信号用配線5との間隔を変化させるように変形することで、可変電気容量、スイッチングなどの機能を果たす。
第1被覆構造部7は、機能素子4の周囲に位置する支持部7cと、中空部6を介して機能素子4を上方から覆う覆部7dとが一体に形成されている。第1被覆構造部7の支持部7cは、絶縁層3の上面に支持されている。
覆部7dには上下方向に第1被覆構造部7が上下方向に貫通された開口7aが複数設けられている。複数の開口7aは、機能素子4の上方に配置されている。
複数の開口7a近傍には第2被覆構造部8が形成されている。第2被覆構造部8は、第1被覆構造部7の覆部7d上面(外面)から図中Z方向に延びる支持部としての矩形の側壁部8aと、側壁部8aの上端から図中Y方向に延びる矩形の蓋部8bとを備え、断面L字形状に形成されている。
蓋部8bは、開口7a付近の覆部7dの上面(外面)と離間する離間部分を有し上方に位置している。すなわち蓋部8bは、開口7aと機能素子4とを結ぶ仮想直線上であって、仮想直線方向における外側に位置している。この蓋部8bと外面との間に形成される間隙部8cにより、外部と開口7aとが横方向に連通する流通路8dが形成されている。この流通路8dと開口7aとにより横方向に開口する開口部10が構成される。この開口部10から、流通路8dを通って犠牲層除去用の流体を第1被覆構造部7の内部に導入することが可能となる。ここで、上方から下方に向かう成膜処理により封止構造部9が成膜される本実施形態では、堆積方向の外側は上方となる。開口7aは蓋部8bによってこの上方側から覆われているため、封止構造部9の成膜の際に、第2封止体が開口部10を通って内部の中空部6に侵入及び堆積することが防止される。
封止構造部9は、第1被覆構造部7上に形成され、第1被覆構造部7を外側から覆っている。この封止構造部9により第1被覆構造部7の内部の中空部6が密閉され、機能素子4が中空に封止される。
次に、本実施形態にかかる中空封止構造体1の製造方法について図4乃至図9を参照して説明する。
まず、図4に示すように、ベース基板2上に絶縁層3を形成し、絶縁層3上に信号用配線5を形成する。
まず、図4に示すように、ベース基板2上に絶縁層3を形成し、絶縁層3上に信号用配線5を形成する。
つぎに、機能素子4として、例えば、金(Au)を構成材料として用いたカンチレバー構造を有する静電駆動型高周波用スイッチを形成する。このとき、図5に示すように、まず信号用配線5上に所定形状の犠牲層12を形成して段差を形成してから、この犠牲層12上に機能素子4を形成する。以上により、機能素子4が、段差を有するとともに支持部4aと梁部4bを有する所定形状に形成される。
さらに、図6に示すように、例えば反応性ガスで除去可能な多結晶シリコンで、機能素子4を覆うように犠牲層13(第1犠牲層)を形成する。
この犠牲層13上に、図7に示すように、例えばシリコン窒化膜により、第1被覆構造部7を形成する。このとき、パターニングにより、上下に貫通する開口7aを形成する。すなわち、この開口7aでは犠牲層13は第1被覆構造部7によって覆われない。
次に、図7に示すように、開口7aを埋めるとともにその周囲を覆う所定の高さの犠牲層14(第2犠牲層)を形成する。
この犠牲層14上に、図8に示すように、第1封止体と同様の例えばシリコン窒化膜により、第2被覆構造部8を形成する。このとき、犠牲層14を覆うように成膜することにより、側壁部8aと蓋部8bと間隙部8cとを有するL字状の第2被覆構造部8が形成される。
ついで、図8に示すように、間隙部8cを通じて犠牲層12、犠牲層13および犠牲層14を除去する。除去方法としては、例えば、多結晶シリコンを選択的に除去するXeF2ガスを、間隙部8c及び開口7aによって横方向に連通して形成された横方向の開口部10から導入することにより、犠牲層14、犠牲層13および犠牲層12が除去される。この結果、開口部10に空隙が形成されるとともに第1被覆構造部7の内部に中空部6が形成される。
中空部6の形成後、第1被覆構造部7の上方から、例えば、スパッタリングまたは蒸着やCVD等の成膜処理により、開口7aを埋めるのに十分な厚さのシリコン窒化膜(SiN)を成膜し、封止構造部9を形成する。このとき、開口7aは上方から覆われているため、中空部6内に封止構造部9が堆積することが防止される。すなわち、開口部10の開口方向である横方向と、封止構造部9の処理方向である上方向とは直交しているため、開口部10から封止構造部9が内部に侵入することが防止される。
以上により封止構造部9により開口部10の空隙が封止され、開口7aが密閉され、第1被覆構造部7及び封止構造部9により、中空部6を介して内部の機能素子4が封止され、図1乃至図3に示す中空封止構造体1が完成する。
本実施形態にかかる及び中空封止構造体1及び中空封止構造体1の製造方法は以下に掲げる効果を奏する。
被覆部を上記のような構造とすることによって、機能素子4に近い場所に犠牲層除去用の開口を配置することができるため、被覆部全体の大きさを縮小させ、中空部内に形成された犠牲層の除去速度を大幅に速くし、かつ、除去後の開口の封止においても機能素子の構造に変化を与えずにすむので、生産性を向上することができる。すなわち、本実施形態では間隙部8cから犠牲層除去用の気体や液体を第1被覆構造部7の内部に導入可能とするとともに、蓋部8bによって開口7aを堆積方向外側である上方側から覆う構造により、封止構造部9を形成する際に、第2封止体が開口7aを通って内部に侵入することが防止される。このため、開口7aを機能素子4の上方に設けることができ、また、犠牲層除去用の気体や液体の通路確保のために設けていた第1封止体と絶縁層の主面との間の間隔を省略することが可能となる。したがって、中空封止構造体全体を小さく構成することが可能であり、中空封止構造体を小型化するとともに内部の犠牲層を減少することができ、犠牲層除去の時間短縮を図ることができる。
被覆部を上記のような構造とすることによって、機能素子4に近い場所に犠牲層除去用の開口を配置することができるため、被覆部全体の大きさを縮小させ、中空部内に形成された犠牲層の除去速度を大幅に速くし、かつ、除去後の開口の封止においても機能素子の構造に変化を与えずにすむので、生産性を向上することができる。すなわち、本実施形態では間隙部8cから犠牲層除去用の気体や液体を第1被覆構造部7の内部に導入可能とするとともに、蓋部8bによって開口7aを堆積方向外側である上方側から覆う構造により、封止構造部9を形成する際に、第2封止体が開口7aを通って内部に侵入することが防止される。このため、開口7aを機能素子4の上方に設けることができ、また、犠牲層除去用の気体や液体の通路確保のために設けていた第1封止体と絶縁層の主面との間の間隔を省略することが可能となる。したがって、中空封止構造体全体を小さく構成することが可能であり、中空封止構造体を小型化するとともに内部の犠牲層を減少することができ、犠牲層除去の時間短縮を図ることができる。
なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、各構成要素の材質、形状、配置、サイズ、構造・動作等を適宜変更して実施することができる。例えば、パターニング方法や犠牲層の除去方法の一例としては、エッチングガスによるドライエッチングや、薬液によるウェットエッチング等が挙げられる。また、複数の犠牲層は同一でなくてもかまわない。また、基板として、ベース基板2上に絶縁層3を備えた構造について説明したが絶縁層3を省略してベース基板2のみで基板を構成し、このベース基板2上に機能素子4、信号用配線5、第1被覆構造部7を形成してもよい。また、第1被覆構造部7、第2被覆構造部8及び封止構造部9は成膜可能でかつパターニング可能な材料であれば、有機物、無機物、金属を問わず用いることが出来る。
また、上記第1実施形態にかかる製造方法においては、第2被覆構造部8が側壁部8a及び蓋部8bを有する断面L字状の構造について説明したが、この形状に限られるものではない。例えば断面コ字状であってもよいし、ドーム状に構成され横方向に間隙を有するものであっても適用可能である。
この他、本発明は、実施段階においてその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。
1…中空封止構造体、2…ベース基板、3…絶縁層、3a…上面、
4…機能素子(機能素子部)、4a…支持部、4b…梁部、5…信号用配線、6…中空部、7…第1被覆構造部、7a…開口、7c…支持部、7d…覆部、8…第2被覆構造部、8a…側壁部、8b…蓋部、8c…間隙部、8d…流通路、
9…封止構造部、10…開口部、12…犠牲層、13…犠牲層(第1犠牲層)、
14…犠牲層(第2犠牲層)。
4…機能素子(機能素子部)、4a…支持部、4b…梁部、5…信号用配線、6…中空部、7…第1被覆構造部、7a…開口、7c…支持部、7d…覆部、8…第2被覆構造部、8a…側壁部、8b…蓋部、8c…間隙部、8d…流通路、
9…封止構造部、10…開口部、12…犠牲層、13…犠牲層(第1犠牲層)、
14…犠牲層(第2犠牲層)。
Claims (4)
- 基板と、
前記基板の主面上に設けられた機能素子部と、
前記基板の主面上に設けられて中空部を形成し、この中空部内において前記機能素子部を被覆する被覆部と、を具備し、
前記被覆部は、複数の開口を有する第1被覆構造部と、前記第1被覆構造部上に前記開口と前記機能素子部とを結ぶ仮想直線上に設けられる第2被覆構造部と、前記第2被覆構造部と前記第1被覆構造部との間に形成される空隙を封止する封止構造部と、を備えることを特徴とする中空封止構造体。 - 前記第2被覆構造部は、前記第1被覆構造部の外面における前記開口の周縁に支持される支持部と、前記支持部に支持されるとともに前記開口を前記仮想直線方向における外側から覆う蓋部と、を備え、
前記蓋部の一部は、前記第1被覆構造部の外面における前記開口の周縁から離間し、
前記空隙は、前記離間部分に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の中空封止構造体。 - 基板の主面上に機能素子を配する工程と、
前記機能素子上に第1犠牲層を形成する工程と、
前記第1犠牲層及び前記基板の主面上に、複数の開口を有する第1被覆構造部と、前記開口と前記機能素子部とを結ぶ仮想直線上に設けられる第2被覆構造部とを形成する工程と、
前記第2被覆構造部と前記第1被覆構造部との間に形成される間隙部から犠牲層除去用の流体を導入して前記第1犠牲層を除去する工程と、
前記第2被覆構造部と前記第1被覆構造部との間に形成される空隙を封止する封止構造部を形成する工程と、を備えたことを特徴とする中空封止構造体の製造方法。 - 基板の主面上に機能素子を配する工程と、
前記機能素子上に第1犠牲層を形成する工程と、
前記第1犠牲層及び前記基板の主面上に、複数の開口を有する第1被覆構造部を形成する工程と、
前記第1被覆構造部の外面における前記開口の周縁に支持される支持部を形成する工程と、
前記第1被覆構造部の前記開口部分における前記第1犠牲層上に第2犠牲層を形成する工程と、
前記第2犠牲層上に前記支持部に支持されるとともに前記開口を前記仮想直線方向における外側から覆う蓋部を形成する工程と、
前記蓋部と前記第1被覆構造部との間に形成される間隙部から犠牲層除去用の流体を導入して前記第1犠牲層及び第2犠牲層を除去する工程と、
前記蓋部と前記第1被覆構造部との間に形成される空隙を封止する封止構造部を形成する工程と、を備えたことを特徴とする中空封止構造体の製造方法。
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