JP2009226500A - マイクロマシン装置の製造装置及びマイクロマシン装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】犠牲層除去の速度を向上し、除去に要する時間の短縮を図ることができるマイクロマシン装置の製造装置及びマイクロマシン装置の製造方法を提供する
【解決手段】マイクロマシン装置１の製造装置としての薄膜装置３０は、主面上に、電界の作用により変形する機構を備え該変形に伴って電気特性を変化させるＭＥＭＳ素子１６と、犠牲層１８を介してＭＥＭＳ素子１６を覆うとともに、犠牲層１６に連通する開口形状部２１ａを有する第１封止体２１と、が形成された基板１１を収容するチャンバ３１と、基板１１が配されたチャンバ３１内に、エッチング処理により犠牲層１８を除去するエッチングガス３７ａを導入する導入部３３と、チャンバ３１内の流体を排出する排出部３５と、エッチング処理の間に、チャンバ３１内の流体の量を変動させる調整手段としての絞り部３４３６と、を備えることを特徴とする。
【選択図】図９

Description

本発明は、例えば微小電気機械部品のパッケージング等のマイクロマシン装置の製造装置及びの製造方法に関する。

マイクロマシン装置の一例として、図１７〜図１９に示されるように、基板１０２上に動作を伴うマイクロマシンとしてのＭＥＭＳ素子１０４が搭載され、中空に封止された、微小電気機械部品（ＭＥＭＳ：Ｍｉｃｒｏ−Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ−Ｓｙｓｔｅｍｓ）１０１が知られている（例えば、特許文献１または２参照）。微小電気機械部品１０１は、基板１０２、絶縁層１０３、ＭＥＭＳ素子１０４、信号用配線１０５、駆動電極１０６、下部電極１０７、第１封止体１０８および第２封止体１０９で構成され、内部に中空部１１０を構成する。ＭＥＭＳ素子１０４は両持ちの梁構造であり、梁の中央部分が信号用配線１０５と数μｍ程度のギャップを持って成形されている。ＭＥＭＳ素子１０４の直下の絶縁層１０３には、信号用配線１０５がＡｕなどで形成されている。ＭＥＭＳ素子１０４は、ばね特性の高いＰｏｌｙ−Ｓｉ（ポリシリコン）もしくはＡｌ（アルミニウム）などで構成されており、静電力等の駆動力を与えることで信号用配線１０５の方へ近接する。また、この駆動力を除荷すると、ＭＥＭＳ素子１０４は自身のばね特性により、再び信号用配線１０５とギャップを持った位置に戻る。このようにＭＥＭＳ素子１０４と信号用配線１０５との間のギャップを変化させることで、可変電気容量、スイッチングなどの機能を果たす。

ＭＥＭＳ素子１０４の動作と保護のため、これを中空に封止する必要がある。製造コストの低減や小型化を目的として成膜プロセスによるマイクロマシン装置の製造方法が提供されている。図２０に示すように、まずＭＥＭＳ素子１０４と基板間にギャップを持たせるために、後の工程で完全に除去する犠牲層１１１を基板１０２上に形成する。ついで、ＭＥＭＳ素子１０４を、犠牲層１１１上に形成する。この犠牲層１１１上に形成されたＭＥＭＳ素子１０４に、第２の犠牲層１１２を形成する。第２の犠牲層１１２上に、第１封止体１０８を形成する。第１封止体１０８に、成膜中もしくは成膜後に、ＭＥＭＳ素子１０４の周囲の犠牲層１１１，１１２を除去する際にエッチングガスを導入するための開口形状部１０８ａを形成する。犠牲層除去用エッチングガスを開口形状部１０８ａより導入し、全ての犠牲層１１１，１１２を完全に除去する。最後に第２封止体１０９を、開口形状部１０８ａが完全に閉口するまで第１封止体１０８上に形成する。

以上により、図１７に示すように、第１および第２封止体１０８，１０９で構成された封止体によって、ＭＥＭＳ素子１０４を中空に封止することが可能となる。中空部１１０は減圧された雰囲気となっている。なお、ここでは、第２封止体１０９をＣＶＤ、スパッタリング等の成膜方法で形成する際に、開口形状部１０８ａの直下に膜材が堆積するため、ＭＥＭＳ素子１０４に膜材を堆積させないよう、ＭＥＭＳ素子１０４から離れた位置に開口形状部１０８ａが設けられている。

このような微小電気機械部品１０１では、通常、犠牲層をドライエッチングにより除去する場合、第１封止体１０８で覆われた状態の基板毎、真空チャンバ内に配置し、チャンバ内の圧力を所定の圧力を維持するように設定し、所定流量のエッチングガスをチャンバ内に導入、ＲＦ出力が一定の状態が、犠牲層が除去されるまで維持される。すなわち、チャンバ内の圧力が一定になるように流量調整されている。エッチングガスは封止体に設けられた開口形状部１０８ａから導入され、内部の犠牲層１１１，１１２を、徐々に除去する。
特開２００５−２０７９５９号公報

しかしながら、上記の技術では、以下のような問題があった。すなわち、上記のように流体の量及び圧力が一定に調整されたチャンバ内においては、開口形状部から導入された流体は犠牲層除去とともに分解された分解ガスがチャンバ内に留まる。犠牲層除去が進むとこの分解後の流体の割合が増し、犠牲層除去速度が低下する。特に、例えば第２封止体が開口形状部の下方のマイクロマシン素子に堆積するのを防ぐためにマイクロマシンから離れた位置に開口形状部を設けたものでは、封止体の中心近傍には開口が無く、犠牲層を完全に除去するまでに長時間を要する。開口の大きさと配置を調節することにより除去速度を早めることも考えられるが、開口の配置や大きさは構造によって制限されるため、調節が困難である。

本発明は上記の課題を解決するためになされたものであり、犠牲層除去の速度を向上し、除去に要する時間の短縮を図ることができるマイクロマシン装置の製造装置及びマイクロマシン装置の製造方法を提供することを目的とする。

本発明の一形態にかかるマイクロマシン装置の製造装置は、主面上に、電界の作用により変形する機構を備え該変形に伴って電気特性を変化させるマイクロマシンと、犠牲層を介して前記マイクロマシンを覆うとともに、前記犠牲層に連通する開口形状部を有する封止体と、が形成された基板を収容するチャンバと、前記基板が配された前記チャンバ内に、エッチング処理により前記犠牲層を除去する流体を導入する導入手段と、前記チャンバ内の前記流体を排出する排出手段と、前記エッチング処理の間に、前記チャンバ内の流体の量を変動させる調整手段と、を備えることを特徴とする。

本発明の一形態にかかるマイクロマシン装置の製造方法は、信号線が設けられた基板の主面上に、電界の作用により変形するとともに該変形に伴って前記信号線との相対関係を変化させて電気特性を変化させるマイクロマシンを配する工程と、前記マイクロマシン上に犠牲層を形成する工程と、前記犠牲層及び前記基板の主面上に、前記犠牲層を介して前記マイクロマシンを覆うとともに、前記犠牲層に連通する開口形状部を有する第１封止体を形成する工程と、前記基板が配されるチャンバに内にエッチング処理用の流体を導入し、前記開口形状部から導入される前記流体のエッチング処理によって前記犠牲層を除去する工程と、前記エッチング処理の間に、前記チャンバ内の前記流体の量を変動させる工程と、
前記第１封止体上に、第２封止体を成膜し、前記開口形状部を塞ぐ工程と、を備えたことを特徴とする。

本発明によれば、犠牲層除去の速度の向上及除去に要する時間の短縮が可能となる。

以下に本発明の第１実施形態にかかるマイクロマシン装置１について、図１乃至図３を参照して説明する。なお、各図において適宜構成を拡大・縮小・省略して概略的に示している。図中Ｘ，Ｙ，Ｚは、互いに直交する三方向を示している。

マイクロマシン装置１は例えば微小電気機械部品（ＭＥＭＳ）であり、基板を構成するベース基板１１及び絶縁層１２と、ＭＥＭＳ素子１６（マイクロマシン）と、信号用配線１５（信号線）等を備えるとともに、封止体２０が基板と結合して、内部に常圧の気体が封入された雰囲気が形成される中空部１７を形成した状態で、気密に封止されている。封止体２０は、中空部１７を規定する第１封止体２１と第２封止体２２とが順次積層されて構成されている。

ベース基板１１は、シリコン（Ｓｉ）基板、ガラス基板、またはサファイア基板であり、所定の板形状に形成されている。
絶縁層１２は、ベース基板１１上に形成され、例えばシリコン酸化膜（ＳｉＯ_２）からなる。これらベース基板１１及び絶縁層１２により基板が構成される。

絶縁層１２の上面には、下部電極１３、駆動電極１４、信号用配線１５及びＭＥＭＳ素子１６が形成されている。信号用配線１５はＡｕ（金）などで形成され、図２中Ｙ方向に延びて形成されている。駆動電極１４は、絶縁層１２上であって、信号用配線１５を挟んで図中Ｘ方向における両側に設けられている。

絶縁層１２の上面には、ＭＥＭＳ素子１６が形成されている。ＭＥＭＳ素子１６は封止体２０の外部に通じる下部電極１３に接続されている。ＭＥＭＳ素子１６の直下の絶縁層１２の表面に信号用配線１５が配置されている。

ＭＥＭＳ素子１６はマイクロマシンの可動機構部であり、段差を有する両持ち梁形状部を成し、その両端部分は下部電極１３に接続され、梁状の中央部分は、信号用配線１５と数μｍ程度のギャップを持って離間して配されている。例えば、後述するように数μｍ程度の厚さをもつ犠牲層１８ａ上にＭＥＭＳ素子１６を形成するような製造プロセスを経ることでギャップ構造を確保することが可能である。

ＭＥＭＳ素子１６は、例えばＰｏｌｙ−ＳｉやＡｌ等で構成された矩形の板状部材が絶縁性のＳｉＯ_２やＳｉＮから矩形の板状に構成された接続継手１９を介して接続されて両持ち梁状に構成されている。この梁状のＭＥＭＳ素子１６は、ばね特性を有し、その中央部分が上下方向に変位するように厚み方向に弾性的に曲げ変形可能であり、弾性復元力を有する。

ＭＥＭＳ素子１６は、例えば、電界の作用として駆動電極１４から静電力等の駆動力が与えられると、弾性変形して中央部分が信号用配線１５の方へ近接し、駆動力が除去されると、自身のばね特性により、再び元の位置に戻る。すなわち、ＭＥＭＳ素子１６は、静電力等の駆動力が印加、除荷されることにより、ＭＥＭＳ素子１６が駆動力に応じて信号用配線１５との間隔を変化させるように変形することで、マイクロマシン装置１の電気特性を変える。その変え方に応じて、可変電気容量、スイッチングなどの機能を果たす。

ＭＥＭＳ素子１６の板状部材１６ａには、厚み方向に貫通された複数の開口１６ｂが形成されている。このため、板状部材１６ａは、プルイン時に下方へ変形しやすい。また、犠牲層除去用のドライエッチングガスがこの開口１６ｂを通ることにより短時間で犠牲層１８をエッチングすることが可能となる。

第１封止体２１は、その辺縁部分がＭＥＭＳ素子１６と離間した位置で周囲の絶縁層１２の上面に結合しているとともに、その中央部分が中空部１７を介してＭＥＭＳ素子１６を上方から覆うように形成されている。すなわち、第１封止体２１はＭＥＭＳ素子１６から離間している。

第１封止体２１は、厚さ１〜２μｍ程度の膜であり、ＭＥＭＳ素子１６と数〜数十μｍ程度距離を保って設置される。例えば、後述するように、数十μｍ程度の厚さをもつ犠牲層を形成した後に第１封止体２１を形成し、犠牲層１８を除去することにより、中空部１７の形成が可能となる。

第１封止体２１は、製造工程において、犠牲層を除去するためのドライエッチング用のエッチングガスの導入のために設けられた開口であった第１開口形状部２１ａが複数設けられている。第１開口形状部２１ａは、ＭＥＭＳ素子１６の上方を避けて、ＭＥＭＳ素子１６の周囲において、例えば５０μｍの間隔で並列されて形成されている。

この開口部を含む第１封止体２１の外側は、第２封止体２２に覆われている。第２封止体２２は、１〜２μｍ程度の厚みを有する膜であり、ＳｉＮ（シリコンナイトライド）等の無機材料から構成されている。第２封止体２２は第１開口形状部２１ａを気密に閉塞して、中空部１７を密封するように成膜される。

このような構成のマイクロマシン装置１において、駆動電流が印加されたプルイン時には、図４に示すように、の中央部分が下方に向かって変位するように板状部材１６ａが変形し、信号用配線１５に接触するとともに、中央部分の左右近傍が駆動電極１４にそれぞれ接触する。

駆動電流を除荷したプルアウトの際には、図５に示すように、プルイン時の変形が元に戻るよう弾性復元力が生じ、これにより中央部分が信号用配線１５及び駆動電極１４から離れる方向すなわち上方に向かって変位するように板状部材１６ａが変形する。この弾性復元力により板状部材１６ａが厚み方向に振動する。

次に、本実施形態にかかるマイクロマシン装置１の製造装置としての薄膜装置３０及び製造方法について図６乃至図１２を参照して説明する。
まず、図６に示すように、ベース基板１１上に絶縁層１２を形成し、絶縁層１２上に信号用配線１５を形成する。ついで、ＭＥＭＳ素子１６として、例えば、Ａｕを構成材料として用いたカンチレバー構造を有する静電駆動型高周波用スイッチを形成する。

このとき、まず信号用配線１５とＭＥＭＳ素子１６との間にギャップを持たせるために、信号用配線１５上に、後の工程で完全に除去する所定形状の犠牲層１８ａを形成して段差を形成してから、この犠牲層１８ａ上にＭＥＭＳ素子１６を形成する。以上により、ＭＥＭＳ素子１６が、段差を有し、信号用配線１５から離間する板状部材１６ａを有する所定の両持ち梁形状に形成される。

さらに、図７に示すように、ＭＥＭＳ素子１６が形成された状態の上に、ＭＥＭＳ素子１６を覆うように犠牲層１８ｂを形成する。

犠牲層１８ａ、１８ｂは、例えば、スピンコート法によりポリイミド膜が成膜され、図７に示すように、パターニングにより所定形状に形成され、硬化されて構成されている。

図８に示すように、犠牲層１８ａ，１８ｂの形成後、第１封止体２１として、プラズマＣＶＤ装置により、ＳｉＯ_２を、所定厚さで形成する。

さらに、フォトリソグラフィ処理等により、第１封止体２１に、成膜中もしくは成膜後にＭＥＭＳ素子１６の周囲の犠牲層１８ａ，１８ｂを除去する際にエッチングガスを導入するための犠牲層除去用の開口であり、犠牲層除去の後で閉塞される開口形状部２１ａを複数形成する。

次に第２封止体２２を形成するため、図９に示すように、上記犠牲層１８ｂを介してＭＥＭＳ素子１６が第１封止体２１で覆われた状態で、ベース基板１１毎、真空度の高い薄膜装置３０（製造装置）のチャンバ３１内に投入する。

薄膜装置３０は、チャンバ３１と、このチャンバ３１内に犠牲層除去用の流体としてのエッチングガス３７ａを導入する導入部３２と、この導入部３２に設けられ、エッチングガス３７ａの導入量を示すフローメータ３３、導入部におけるエッチングガス３７ａの導入量を調節する導入側絞り部３４と、チャンバ内の流体を排出する真空ポンプ等の排出部３５と、この排出部３５での排出量を調整する排出量調整手段としての排出側絞り部３６と、を備える。なお、排出される流体は、エッチングガス３７ａと、エッチング後の分解ガス３７ｂを含む。導入側絞り部３４または排出側絞り部３６を手動又は制御部（制御手段）の制御により調整可能である。

エッチングガス３７ａとしては、例えば多結晶シリコンを選択的に除去するＸｅＦ_２ガス、Ｏ_２プラズマガス、ＣＦ_４等が用いられる。エッチングガス３７ａは犠牲層を分解した後、ＣＯ_２，ＣＯ、Ｈ_２Ｏ等の分解ガス３７ｂとなる。

導入側の流量、すなわち導入量３３ｑと、排出側の流量すなわち排出量３５ｑの調節により、薄膜装置３０のチャンバ３１内の流体の量や、圧力が調節可能となっている。すなわち、排出量３５ｑを導入量３３ｑより少なくすることでチャンバ３１内の流体の量を増加するとともに圧力が増加する。一方、排出量３５ｑを導入量３３ｑより多くすると、チャンバ３１内の流体の量が低減するとともに圧力が低下する。

このエッチング処理の間、エッチングの条件に応じて導入量３３ｑ又は排出量３５ｑが調整され、変動する。すなわち、例えば、犠牲層除去速度であるエッチングレート、開口形状部２１ａから、犠牲層分解面１８ｄまでの距離、エッチング処理の時間等に応じて、導入量、または排出量を調整することにより、チャンバ３１内部の分解ガス３７ｂの残渣を低減し、新たなエッチングガス３７ａの導入を可能とすることにより、高いエッチングレートを維持する。

図１０は、開口形状部２１ａを有する第１封止体２１によって犠牲層が覆われている状態を斜視図で示している。ここでは複数の微小電気機械部品が並列して形成されている様子を示す。図１１は、図１０におけるＡ部分の一部を切欠して、内部の犠牲層１８を除去する様子を示す斜視図である。

図９に示すように、チャンバ３１内に、犠牲層除去用のエッチングガスを開口形状部２１ａより導入し、犠牲層１８ａ，１８ｂをエッチングにより除去する。

まず、図１２に示すように、エッチングガス３７ａにより犠牲層１８が分解され、開口形状部２１ａに近い部分から、除序に犠牲層１８が除去される。除去開始から所定時間は、導入を主力（３３ｑ＞３５ｑ）とし、エッチングガス３７ａを導入する。

所定時間経過すると、やがて、前記１３に示すように、犠牲層１８の除去が進行するとともに、チャンバ内の圧力が高くなる。犠牲層１８の除去が進行すると、エッチングガスが犠牲層１８との反応によって分解した分解ガス３７ｂがチャンバ内及び第１封止体２１内に溜まる。この状態が進行するとエッチレートが大きく低下する。このように分解ガス３７ｂが溜まりエッチレートが低下する手前のチャンバ内の圧力をＰ１とする。

チャンバ内の圧力がＰ１に到達したら、エッチレートが大きく低下する前に、図１４に示すように、排出を主力としてチャンバ内の流体をチャンバ外部へ排出する。すなわち、導入量３３ｑ＜排出量３５ｑとして、チャンバ内の流体を低減し、分解ガス３７ｂを低減させるとともに、圧力を低下させる。低下後のチャンバ内の圧力はＰ１よりさらに低い所定の値である第２圧力Ｐ２とする。これによりエッチング後の分解ガス３７ｂの残渣が減り、新たなエッチングガスを導入しやすい環境となる。

その後、図１５に示すように、導入を主力として３３ｑ＞３５ｑとすることにより、あらたなエッチングガス３７ａをチャンバ３１内に導入する。例えばチャンバ内の圧力が再び第１圧力Ｐ１となるまで継続する。これにより新たなエッチングガス３７ａを導入することができ、高いエッチレートでのエッチング処理が可能となる。以上の導入と排出を繰り返し、流量及び圧力の変動を繰り返す。

この導入と排出のタイミング等の調整条件は、例えば、開口形状部２１ａや中空部１７の形状、配置、犠牲層１８やエッチングガスの種類に応じて適宜に決定される。例えば、第１圧力Ｐ１と第２圧力Ｐ２は、例えば５〜１０％程度の差に設定する。１、２秒等の一定時間毎に、圧力を切り替えるように調整する。

この結果、図１６に示すように、第１封止体２１及び第２封止体２２で覆われる内部に中空部１７が形成される。犠牲層１８の除去処理においては、エッチレートが大きく低下する前に、分解ガス３７ｂを排出することにより、エッチレートを初期レベルに戻すことができるので、エッチング完了時間を短縮することができる。また、チャンバ３１内部が清浄化される。

さらに、犠牲層１８ａ、１８ｂの除去後、この減圧雰囲気内において、プラズマＣＶＤ法もしくはスパッタ法により、第１封止体２１を覆うように、例えばＳｉＮを、数μｍ以上の厚さで成膜し、第２封止体２２を形成する。この第２封止体２２が薄膜プロセスによって形成されることで、第１封止体２１の開口形状部２１ａが密封されることにより、中空部１７の気密性が保たれ、内気の漏れが防止される。

以上により、図１及び図２に示すマイクロマシン装置１が完成する。このようにして構成されたマイクロマシン装置１としてのパッケージは、例えばドライバＩＣチップ等に用いることができる。

本実施形態にかかる及びマイクロマシン装置１及びマイクロマシン装置１の製造方法は以下に掲げる効果を奏する。すなわち、排出量と導入量の調整によりチャンバ３１内部が清浄化されるので、封止体２１内のエッチング残渣を低減することができる。したがって新たなエッチングガスを導入することでエッチング処理の効率を向上することができ、処理時間を短縮することができる。

ＭＥＭＳ素子１６の板状部材１６ａを貫通する開口１６ｂを多数設けたことにより、駆動電流を印加した際の変形しやすい構造とするとともに、犠牲層１８除去の際のエッチングガスの流動を可能として除去時間を短縮することが可能となる。

さらに、封止体２０は、ＳｉＯ_２、ＳｉＮなどの絶縁性を有する材料で構成されているため、導電性をもつＭＥＭＳ素子１６との間に電気容量を形成しない。したがって、ＭＥＭＳ素子１６と周囲の導体とでの容量形成を回避し可変電気容量を用途とした電気機械部品において、高い容量変化をもつ性能を実現できる。

なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、各構成要素の材質、形状、配置、サイズ、構造・動作等を適宜変更して実施することができる。

また、パターニング方法や犠牲層の除去方法の一例としては、エッチングガスによるドライエッチングや、薬液によるウェットエッチング等が挙げられる。すなわち流体は気体に限らず液体であっても良い。

また、複数の犠牲層１８ａ，１８ｂは同一材料であっても異なる材料であっても良い。また、基板として、ベース基板１１上に絶縁層１２を備えた構造について説明したが絶縁層１２を省略してベース基板１１のみで基板を構成し、このベース基板１１上にＭＥＭＳ素子１６、信号用配線１５を形成してもよい。また、ＭＥＭＳ素子１６は接続継手１９を介して接続されている場合について説明したが、梁状部材が一体に板状に形成されている場合も同様である。

この他、本発明は、実施段階においてその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。

本発明の１実施形態にかかるマイクロマシン装置を示す平面図。 同マイクロマシン装置の断面図。 同マイクロマシン装置のＭＥＭＳ素子の構成を示す平面図。 同マイクロマシン装置のプルイン時の動作を示す断面図。 同マイクロマシン装置のプルアウト時の動作を示す断面図。 同マイクロマシン装置の製造工程を示す断面図。 同マイクロマシン装置の製造工程を示す断面図。 同マイクロマシン装置の製造工程を示す断面図。 同マイクロマシン装置の製造工程を示す断面図。 同マイクロマシン装置の製造工程を示す斜視図 図１０のＡ部を一部切欠して示す断面図。 同マイクロマシン装置の製造工程を模式的に示す説明図。 同マイクロマシン装置の製造工程を模式的に示す説明図。 同マイクロマシン装置の製造工程を模式的に示す説明図。 同マイクロマシン装置の製造工程を模式的に示す説明図。 同マイクロマシン装置の製造工程を示す断面図。 マイクロマシン装置の一例を示す断面図。 同マイクロマシン装置を一部切欠して示す斜視図。 同マイクロマシン装置を示す平面図。 同マイクロマシン装置の製造工程を示す断面図。

符号の説明

１…マイクロマシン装置、１１…ベース基板、１２…絶縁層、１３…下部電極、
１４…駆動電極、１５…信号用配線、１６…ＭＥＭＳ素子、１６ａ…板状部材、
１６ｂ…開口、１７…中空部、１８ａ．１８ｂ…犠牲層、１８ｄ…犠牲層分解面、
１９…接続継手、２０…封止体、２１…第１封止体、２１ａ…開口形状部、
２２…第２封止体、３０…薄膜装置、３１…チャンバ、３２…導入部、
３３…フローメータ、３３ｑ…導入量、３４…導入側絞り部、３５…排出部、３５ｑ…排出量、３６…排出側絞り部、３７ａ…エッチングガス、
３７ｂ…分解ガス。

Claims (7)

1. マイクロマシン装置の製造装置であって、
   主面上に、電界の作用により変形する機構を備え該変形に伴って電気特性を変化させるマイクロマシンと、犠牲層を介して前記マイクロマシンを覆うとともに、前記犠牲層に連通する開口形状部を有する封止体と、が形成された基板を収容するチャンバと、
   前記基板が配された前記チャンバ内に、エッチング処理により前記犠牲層を除去する流体を導入する導入手段と、
   前記チャンバ内の前記流体を排出する排出手段と、
   前記エッチング処理の間に、前記チャンバ内の流体の量を変動させる調整手段と、を備えることを特徴とするマイクロマシン装置の製造装置。
2. 前記調整手段は、前記エッチング処理におけるエッチングレートが所定値以下となった場合に、チャンバ内の流体を排出し、その後、前記チャンバ内に流体を導入する制御手段を有することを特徴とする請求項１記載のマイクロマシン装置の製造装置。
3. 前記調整手段は、前記犠牲層のエッチングの開始から所定時間以上経過した場合に、チャンバ内の流体を排出し、その後、前記チャンバ内に流体を導入する制御手段を有することを特徴とする請求項１記載のマイクロマシン装置の製造装置。
4. 前記調整手段は、前記犠牲層のエッチングの開始から所定時間毎に、前記流体の排出処理及び導入処理を繰り返す制御手段を有することを特徴とする請求３項記載のマイクロマシン装置の製造装置。
5. 信号線が設けられた基板の主面上に、電界の作用により変形するとともに該変形に伴って前記信号線との相対関係を変化させて電気特性を変化させるマイクロマシンを配する工程と
   前記マイクロマシン上に犠牲層を形成する工程と、
   前記犠牲層及び前記基板の主面上に、前記犠牲層を介して前記マイクロマシンを覆うとともに、前記犠牲層に連通する開口形状部を有する第１封止体を形成する工程と、
   前記基板が配されるチャンバに内にエッチング処理用の流体を導入し、前記開口形状部から導入される前記流体のエッチング処理によって前記犠牲層を除去する工程と、
   前記エッチング処理の間に、前記チャンバ内の前記流体の量を変動させる工程と、
   前記第１封止体上に、第２封止体を成膜し、前記開口形状部を塞ぐ工程と、
   を備えたことを特徴とするマイクロマシン装置の製造方法。
6. 前記流体の量を変動させる工程において、前記エッチング処理のエッチングレートが所定値以下となった場合に、前記チャンバ内の流体を排出し、その後、前記チャンバ内に流体を導入することを特徴とする請求項５記載のマイクロマシン装置の製造方法。
7. 前記流体の量を変動させる工程において、前記エッチング処理の開始から所定時間以上経過した場合に、前記チャンバ内の流体を排出し、その後、前記チャンバ内に流体を導入することを特徴とする請求項５記載のマイクロマシン装置の製造方法。

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