JP2009226498A - マイクロマシン装置及びマイクロマシン装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 マイクロマシンの振動を抑えることにより、出力信号のノイズを低減できるマイクロマシン装置及びマイクロマシン装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 主面上に信号用配線15が設けられた基板11と、前記基板11の前記主面上に設けられ、前記信号用配線15を跨ぐ梁部16を有し、電界の作用により前記梁部が前記信号用配線に接離するように弾性変形するとともに、該変形に伴って電気特性を変化させるマイクロマシン16と、前記梁部の前記信号線15と反対側に配置され、前記梁部の前記信号線から離間する変形を規制する規制ブリッジ18と、前記基板11の主面上に設けられ、中空部17を介して前記マイクロマシンを覆う封止体20と、を備えたことを特徴とする。
【選択図】 図2
【解決手段】 主面上に信号用配線15が設けられた基板11と、前記基板11の前記主面上に設けられ、前記信号用配線15を跨ぐ梁部16を有し、電界の作用により前記梁部が前記信号用配線に接離するように弾性変形するとともに、該変形に伴って電気特性を変化させるマイクロマシン16と、前記梁部の前記信号線15と反対側に配置され、前記梁部の前記信号線から離間する変形を規制する規制ブリッジ18と、前記基板11の主面上に設けられ、中空部17を介して前記マイクロマシンを覆う封止体20と、を備えたことを特徴とする。
【選択図】 図2
Description
本発明は、例えば微小電気機械部品のパッケージング等のマイクロマシン装置及びマイクロマシン装置の製造方法に関する。
マイクロマシン装置の一例として、図10〜図12に示されるように、基板102上に動作を伴うマイクロマシンとしてのMEMS素子104が搭載され、中空に封止された、微小電気機械部品(MEMS:Micro−Electro−Mechanical−Systems)101が知られている(例えば、特許文献1または2参照)。微小電気機械部品101は、基板102、絶縁層103、MEMS素子104、信号用配線105、駆動電極106、下部電極107、第1封止体108および第2封止体109で構成され、内部に中空部110を構成する。MEMS素子104は両持ちの梁構造であり、梁の中央部分が信号用配線105と数μm程度のギャップを持って成形されている。MEMS素子104の直下の絶縁層103には、信号用配線105がAuなどで形成されている。MEMS素子104は、ばね特性の高いPoly−Si(ポリシリコン)もしくはAl(アルミニウム)などで構成されており、静電力等の駆動力を与えることで信号用配線105の方へ近接する。また、この駆動力を除荷すると、MEMS素子104は自身のばね特性により、再び信号用配線105とギャップを持った位置に戻る。このようにMEMS素子104と信号用配線105との間のギャップを変化させることで、可変電気容量、スイッチングなどの機能を果たす。
MEMS素子104の動作と保護のため、これを中空に封止する必要がある。製造コストの低減や小型化を目的として成膜プロセスによるマイクロマシン装置の製造方法が提供されている。図13に示すように、まずMEMS素子104と基板間にギャップを持たせるために、後の工程で完全に除去する犠牲層111を基板102上に形成する。ついで、MEMS素子104を、犠牲層111上に形成する。この犠牲層111上に形成されたMEMS素子104に、第2の犠牲層112を形成する。第2の犠牲層112上に、第1封止体108を形成する。第1封止体108に、成膜中もしくは成膜後に、MEMS素子104の周囲の犠牲層111,112を除去する際にエッチング材を導入するための開口形状部108aを形成する。犠牲層除去用エッチング材を開口形状部108aより導入し、全ての犠牲層111,112を完全に除去する。最後に第2封止体109を、開口形状部108aが完全に閉口するまで第1封止体108上に形成する。
以上により、図10に示すように、第1および第2封止体108,109で構成された封止体によって、MEMS素子104を中空に封止することが可能となる。中空部110は減圧された雰囲気となっている。なお、ここでは、第2封止体109をCVD、スパッタリング等の成膜方法で形成する際に、開口形状部108aの直下に膜材が堆積するため、MEMS素子104に膜材を堆積させないよう、MEMS素子104から離れた位置に開口形状部108aが設けられている。
特開2005−207959号公報
米国特許第7008812B1号
しかしながら、上記の技術では、以下のような問題があった。すなわち、梁状のMEMS素子は、そのばね特性により、静電力を除荷したときの振動が静定しにくいため、出力信号にノイズを含む原因となる。特に、中空部110内の減圧された雰囲気では流体抵抗が小さいため、MEMS素子の振動を静定することが困難である。
本発明は上記の課題を解決するためになされたものであり、マイクロマシンの振動を収まりやすくすることにより、出力信号のノイズを低減できるマイクロマシン装置を提供することを目的とする。
本発明の一形態にかかるマイクロマシン装置は、主面上に信号用配線が設けられた基板と、前記基板の前記主面上に設けられ、前記信号用配線を跨ぐ梁部を有し、電界の作用により前記梁部が前記信号用配線に接離するように弾性変形するとともに、該変形に伴って電気特性を変化させるマイクロマシンと、前記梁部の前記信号線と反対側に配置され、前記梁部の前記信号線から離間する変形を規制する規制部材と、前記基板の主面上に設けられ、中空部を介して前記マイクロマシンを覆う封止体と、を備えたことを特徴とする。
本発明の一形態にかかるマイクロマシン装置の製造方法は、信号線が設けられた基板の主面上に、電界の作用により変形する両持ち梁形状の梁部を有するとともに該変形に伴って前記信号線との相対関係を変化させて電気特性を変化させるマイクロマシンを配する工程と、前記マイクロマシン上に、前記梁部を挟んで前記信号線と反対側に配置され、前記梁部が前記信号線から離間する変形を規制する規制部材を配する工程と、前記マイクロマシン及び規制部材上に犠牲層を形成する工程と、前記犠牲層及び前記基板の主面上に、前記犠牲層を介して前記マイクロマシンを覆うとともに、前記犠牲層に連通する開口形状部を有する第1封止体を形成する工程と、前記開口形状部から犠牲層除去用の流体を導入して前記犠牲層を除去する工程と、前記第1封止体上に、第2封止体を成膜する工程と、を備えたことを特徴とする。
本発明は、出力信号のノイズが低減されたマイクロマシン装置の提供を可能とする。
以下に本発明の第1実施形態にかかるマイクロマシン装置1について、図1乃至図3を参照して説明する。なお、各図において適宜構成を拡大・縮小・省略して概略的に示している。図中X,Y,Zは、互いに直交する三方向を示している。
マイクロマシン装置1は例えば微小電気機械部品(MEMS)であり、基板を構成するベース基板11及び絶縁層12と、信号用配線15と、MEMS素子16(マイクロマシン)と、規制ブリッジ18(規制部材)等を備えるとともに、封止体20が基板と結合して、内部に常圧の気体が封入された雰囲気が形成される中空部17を形成した状態で、気密に封止されている。封止体20は、中空部17を規定する第1封止体21と第2封止体22とが順次積層されて構成されている。
ベース基板11は、シリコン(Si)基板、ガラス基板、またはサファイア基板であり、所定の板形状に形成されている。
絶縁層12は、ベース基板11上に形成され、例えばシリコン酸化膜(SiO2)からなる。これらベース基板11及び絶縁層12により基板が構成される。
絶縁層12は、ベース基板11上に形成され、例えばシリコン酸化膜(SiO2)からなる。これらベース基板11及び絶縁層12により基板が構成される。
絶縁層12の上面には、下部電極13、駆動電極14、信号用配線15及びMEMS素子16が形成されている。信号用配線15はAu(金)などで形成され、図2中Y方向に延びて形成されている。駆動電極14は、絶縁層12上であって、信号用配線15を挟んで図中X方向における両側に設けられている。
絶縁層12の上面には、MEMS素子16が形成されている。MEMS素子16は封止体20の外部に通じる下部電極13に接続されている。MEMS素子16の直下の絶縁層12の表面には、信号用配線15が配置されている。
MEMS素子16はマイクロマシンの可動機構部であり、段差を有する両持ち梁状を成し、その両端部分は下部電極13に接続され、中央の梁部16aは、信号用配線15と数μm程度のギャップを持って離間して配されている。例えば、後述するように数μm程度の厚さをもつ犠牲層23a上にMEMS素子16を形成するような製造プロセスを経ることでギャップ構造を確保することが可能である。
MEMS素子16は、例えばPoly−SiやAl等で構成された矩形の板状部材がSiO2等の絶縁材料から矩形の板状に構成された接続継手19を介して接続されて両持ち梁状に構成されている。この梁状のMEMS素子16は、ばね特性を有し、その中央部分が上下方向に変位するように厚み方向に弾性的に曲げ変形可能であり、弾性復元力を有する。
MEMS素子16は、例えば、電界の作用として駆動電極14から静電力等の駆動力が与えられると、弾性変形して中央部分が信号用配線15の方へ近接し、駆動力が除去されると、自身のばね特性により、再び元の位置に戻る。すなわち、MEMS素子16は、静電力等の駆動力が印加、除荷されることにより、MEMS素子16が駆動力に応じて信号用配線15との間隔を変化させるように変形することで、マイクロマシン装置1の電気特性を変える。その変え方に応じて、可変電気容量、スイッチングなどの機能を果たす。
MEMS素子16の梁部16aには、厚み方向に貫通された複数の開口16bが形成されている。このため、梁部16aは、プルイン時に下方へ変形しやすい上、犠牲層除去用のドライエッチングガスがこの開口16bを通ることにより短時間で犠牲層18をエッチングすることが可能となる。
複数の規制ブリッジ18は、TiN、AlなどMEMS素子16と同質材でも可能であるが、MEMS素子16の電気特性に影響しにくい絶縁性材料(SiO、SiN)で構成されていることが好ましい。
規制ブリッジ18はMEMS素子16上に支持されて、信号用配線15を跨ぐ方向に延びる両持ち梁状を成す。規制ブリッジ18は、MEMS素子16を挟んで信号用配線15と反対側、すなわち上方に配置されている。規制ブリッジ18は、その両端部分がMEMS素子16に支持されて結合しているとともに、その中央部分が所定のギャップを介してMEMS素子16の梁部16aを上方から覆う。MEMS素子16の静電力が除荷された際に梁部16aが信号用配線15から離間するように上方へ変形した場合に、このMEMS素子16に規制ブリッジ18が接触することにより変形を規制する。
この規制ブリッジ18でMEMS素子16が上側から覆われていることにより、MEMS素子16に膜材が堆積することが防止されるため、後述するように犠牲層23除去用のドライエッチングガスを導入するための開口形状部21aをMEMS素子16の周囲に加え、MEMS素子16の直上にも配置することが可能である
第1封止体21は、その辺縁部分がMEMS素子16と離間した位置で周囲の絶縁層12の上面に結合しているとともに、その中央部分が中空部17を介してMEMS素子16を上方から覆うように形成されている。すなわち、第1封止体21はMEMS素子16から離間している。
第1封止体21は、その辺縁部分がMEMS素子16と離間した位置で周囲の絶縁層12の上面に結合しているとともに、その中央部分が中空部17を介してMEMS素子16を上方から覆うように形成されている。すなわち、第1封止体21はMEMS素子16から離間している。
第1封止体21は、厚さ1〜2μm程度の膜であり、MEMS素子16と数〜数十μm程度距離を保って設置される。例えば、後述するように、数十μm程度の厚さをもつ犠牲層を形成した後に第1封止体21を形成し、犠牲層23を除去することにより、中空部17の形成が可能となる
第1封止体21は、製造工程において、犠牲層除去用のドライエッチングガス(O2プラズマガス等)の導入のために設けられた開口であった第1開口形状部21aが複数設けられている。第1開口形状部21aは、MEMS素子16の直上であり、かつ複数の規制ブリッジ18の直上に対応する位置を含めて複数箇所に配置されている。この開口形状部21aを含む第1封止体21の外側は、第2封止体22に覆われている。
第1封止体21は、製造工程において、犠牲層除去用のドライエッチングガス(O2プラズマガス等)の導入のために設けられた開口であった第1開口形状部21aが複数設けられている。第1開口形状部21aは、MEMS素子16の直上であり、かつ複数の規制ブリッジ18の直上に対応する位置を含めて複数箇所に配置されている。この開口形状部21aを含む第1封止体21の外側は、第2封止体22に覆われている。
第2封止体22は、1〜2μm程度の厚みを有する膜であり、SiN(シリコンナイトライド)等の無機材料から構成されている。第2封止体22は第1開口形状部21aを気密に閉塞して、中空部17を密封するように成膜される。
このような構成のマイクロマシン装置1において、駆動電流が印加されたプルイン時には、図4に示すように、の中央部分が下方に向かって変位するように梁部16aが変形し、信号用配線15に接触するとともに、中央部分の左右近傍が駆動電極14にそれぞれ接触する。
駆動電流を除荷したプルアウトの際には、図5に示すように、プルイン時の変形が元に戻るよう弾性復元力が生じ、これにより中央部分が信号用配線15及び駆動電極14から離れる方向すなわち上方に向かって変位するように梁部16aが変形する。この弾性復元力により梁部16aが厚み方向に振動する。
この際、上方に変位した梁部16aが上方に配置された規制ブリッジ18に当接し、反力を受けることにより振動がすぐに静定される。したがって、電力除荷後の減衰時間が短縮される。
次に、本実施形態にかかるマイクロマシン装置1の製造方法について図6乃至図11を参照して説明する。
まず、図6に示すように、ベース基板11上に絶縁層12を形成し、絶縁層12上に信号用配線15を形成する。ついで、MEMS素子16として、例えば、Auを構成材料として用いたカンチレバー構造を有する静電駆動型高周波用スイッチを形成する。
まず、図6に示すように、ベース基板11上に絶縁層12を形成し、絶縁層12上に信号用配線15を形成する。ついで、MEMS素子16として、例えば、Auを構成材料として用いたカンチレバー構造を有する静電駆動型高周波用スイッチを形成する。
このとき、まず信号用配線15とMEMS素子16との間にギャップを持たせるために、信号用配線15上に、後の工程で完全に除去する所定形状の犠牲層23aを形成して段差を形成してから、この犠牲層23a上にMEMS素子16を形成する。以上により、MEMS素子16が、段差を有し、信号用配線15から離間する梁部16aを有する所定の両持ち梁形状に形成される。
特に、開口16bが、2次元的に配置されていると、犠牲層23aを除去する際、短時間でエッチングが可能である。
ついで、MEMS素子16上に無機材料を用いて段差を有する梁状の規制ブリッジ18を形成する。このとき、まず、MEMS素子16との間にギャップを持たせるために、MEMS素子16上に、後の工程で完全に除去する所定形状の犠牲層23bを形成して段差を形成してから、この犠牲層23b上に規制ブリッジ18を形成する。以上により、規制ブリッジ18が、両端においてMEMS素子16に支持されるとともに、中央部分が段差を有してMEMS素子16から離間する梁部分を有する所定の両持ち梁形状に形成される。
さらに、図7に示すように、MEMS素子16及び規制ブリッジ18が形成された状態の上に、MEMS素子16を覆うように犠牲層23cを形成する。
犠牲層23a、23b,23cは、例えば、スピンコート法によりポリイミド膜が成膜され、パターニングにより所定形状に形成され、硬化されて構成されている。
図8に示すように、犠牲層23a,23bの形成後、第1封止体21として、プラズマCVD装置により、SiO2を、所定厚さで形成する。
さらに、フォトリソグラフィ処理等により、第1封止体21に、成膜中もしくは成膜後にMEMS素子16の周囲の犠牲層23a,23b、23cを除去する際に除去材を導入するための犠牲層除去用の開口であり、犠牲層除去の後で閉塞される開口形状部21aを複数形成する。
ついで、犠牲層除去用のエッチング材を開口形状部21aより導入し、図9に示すように、全ての犠牲層23a,23b,23cを完全に除去する。例えば、多結晶シリコンを選択的に除去するXeF2ガスを、開口形状部21aから導入することにより、全ての犠牲層が除去される。この結果、第1封止体21覆われる内部に外部側と連通する中空部17が形成される。
ついで、第1封止体21上に、ついで、例えば、プラズマCVD装置もしくはスパッタ装置により、第1封止体21を覆うように、低透湿のSiNを、例えば数μm以上の厚さで成膜し、第2封止体22を形成する。この第2封止体22が薄膜プロセスによって形成されることで、第1封止体21の開口形状部21aが密封されることにより、中空部17の気密性が保たれ、内気の漏れが防止される。
以上により、図1及び図2に示すマイクロマシン装置1が完成する。このようにして構成されたマイクロマシン装置1としてのパッケージは、例えばドライバICチップ等に用いることができる。
本実施形態にかかる及びマイクロマシン装置1及びマイクロマシン装置1の製造方法は以下に掲げる効果を奏する。すなわち、MEMS素子16上方に規制ブリッジ18を設けたことにより、駆動電力を除荷した場合にMEMS素子16の弾性復元力により生じる振動を抑制することができる。なお、規制ブリッジ18は上方にのみ設けられているため、下方に変形して信号用配線15に接するプルインの際の特性に対する影響は少ない。
例えば、図4及び図5に示す梁部16aの中央における振動は、規制ブリッジ18が無い場合の中空封止構造と比べ、その減衰率を3倍以上とすることが可能である。したがって、出力信号のノイズを抑え、部品としての精度を向上することができる。
規制ブリッジ18によりMEMS素子16の上方が覆われることにより、第一封止体のMEMS素子上部に対応するMEMS素子16の近くを含む多数の開口形状部21aを設けても、第2封止体がMEMS素子16に堆積しないので、開口形状部の位置が限定されない。したがって、犠牲層23除去時間を短縮することが可能となる。
MEMS素子16の梁部16aを貫通する開口を多数設けたことにより、駆動電流を印加したプルインの際に変形しやすい構造とするとともに、犠牲層23除去の際のエッチングガスの流動を可能として除去時間を短縮することが可能となる。
さらに、封止体20は、SiO2、SiNなどの絶縁性を有する材料で構成されているため、導電性をもつMEMS素子16との間に電気容量を形成しない。したがって、MEMS素子16と周囲の導体とでの容量形成を回避し可変電気容量を用途とした電気機械部品において、高い容量変化をもつ性能を実現できる。
さらに、封止体20は、SiO2、SiNなどの絶縁性を有する材料で構成されているため、導電性をもつMEMS素子16との間に電気容量を形成しない。したがって、MEMS素子16と周囲の導体とでの容量形成を回避し可変電気容量を用途とした電気機械部品において、高い容量変化をもつ性能を実現できる。
なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、各構成要素の材質、形状、配置、サイズ、構造・動作等を適宜変更して実施することができる。
例えば梁部16aは接続継手19を介して接続されている場合について説明したが、梁部16aが1つの板状の部材によって形成されている場合も同様である。
また、パターニング方法や犠牲層の除去方法の一例としては、エッチングガスによるドライエッチングや、薬液によるウェットエッチング等が挙げられる。また、複数の犠牲層23a,23b,23cは同一材料でなくても良い。また、基板として、ベース基板11上に絶縁層12を備えた構造について説明したが絶縁層12を省略してベース基板11のみで基板を構成し、このベース基板11上にMEMS素子16、信号用配線15を形成してもよい。
この他、本発明は、実施段階においてその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。
1…マイクロマシン装置、11…ベース基板、12…絶縁層、
13…下部電極、14…駆動電極、15…信号用配線、16…MEMS素子、16a…梁部、16b…開口、17…中空部、18…規制ブリッジ、20…封止体、21…第1封止体、21a…第1開口形状部、22…第2封止体、
23a.23b.23c…犠牲層。
13…下部電極、14…駆動電極、15…信号用配線、16…MEMS素子、16a…梁部、16b…開口、17…中空部、18…規制ブリッジ、20…封止体、21…第1封止体、21a…第1開口形状部、22…第2封止体、
23a.23b.23c…犠牲層。
Claims (5)
- 主面上に信号用配線が設けられた基板と、
前記基板の前記主面上に設けられ、前記信号用配線を跨ぐ梁部を有し、電界の作用により前記梁部が前記信号用配線に接離するように弾性変形するとともに、該変形に伴って電気特性を変化させるマイクロマシンと、
前記梁部の前記信号線と反対側に配置され、前記梁部の前記信号線から離間する変形を規制する規制部材と、
前記基板の主面上に設けられ、中空部を介して前記マイクロマシンを覆う封止体と、
を備えたことを特徴とするマイクロマシン装置。 - 前記マイクロマシンは前記基板上に支持されて、前記信号用配線を跨ぐ方向に延びる両持ち梁状を成し、
前記規制部材は、その両端が前記マイクロマシン上に支持されて、前記信号用配線を跨ぐ方向に延びる両持ち梁状を成すとともに前記マイクロマシンを外側から覆うことを特徴とする請求項1記載のマイクロマシン装置。 - 前記梁部が、前記信号線と反対側に変位した際に前記規制部材に当接することにより、前記変位が規制されることを特徴とする請求項1又は2記載のマイクロマシン装置。
- 前記封止体は、前記基板の主面上に設けられ、気体を収容した中空部を介して前記マイクロマシンを覆うとともに、前記中空部と外部とを連通する第1開口形状部を有する第1封止体と、前記第2封止体上に成膜され、前記開口形状部と外部とを密封する第2封止体と、を備え、
前記開口形状部は、前記マイクロマシンの上方であって、かつ、前記規制部材の上方に配置されていることを特徴とする請求項1乃至3のいずれか記載のマイクロマシン装置。 - 信号線が設けられた基板の主面上に、電界の作用により変形する両持ち梁形状の梁部を有するとともに該変形に伴って前記信号線との相対関係を変化させて電気特性を変化させるマイクロマシンを配する工程と、
前記マイクロマシン上に、前記梁部を挟んで前記信号線と反対側に配置され、前記梁部が前記信号線から離間する変形を規制する規制部材を配する工程と、
前記マイクロマシン及び規制部材上に犠牲層を形成する工程と、
前記犠牲層及び前記基板の主面上に、前記犠牲層を介して前記マイクロマシンを覆うとともに、前記犠牲層に連通する開口形状部を有する第1封止体を形成する工程と、
前記開口形状部から犠牲層除去用の流体を導入して前記犠牲層を除去する工程と、
前記第1封止体上に、第2封止体を成膜する工程と、
を備えたことを特徴とするマイクロマシン装置の製造方法。
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20110607 |