JP2010205771A - 半導体装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】小型化が可能であり部材コストを低減できる半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】半導体装置としてのマイクロマシン装置１は、基板１０と、前記基板１０の主面に設けられたＭＥＭＳ素子１６と、無機材料を含み前記基板１０の主面に設けられ気体を収容した中空部１７を介して前記ＭＥＭＳ素子１６を覆うとともに前記中空部１７に連通する開口形状部２１ａを有する内側無機封止膜２１と、有機材料を含み前記内側無機封止膜２１上に形成され前記開口形状部２１ａを塞ぐ有機封止膜２２と、無機材料を含み前記有機封止膜２２上に形成され前記有機封止膜２２を覆う外側無機封止膜２３と、前記有機封止膜２２を設ける工程と同様の薄膜形成工程により前記外側無機封止膜２３上に設けられ、前記外側無機封止膜２３を覆う補強層２４と、を備えたことを特徴とする。
【選択図】図１

Description

本発明は、例えば微小電気機械部品のパッケージング等の半導体装置及び半導体装置の製造方法に関する。

半導体装置の一例として、基板上に動作を伴う素子部としてのＭＥＭＳ素子が搭載され、中空に封止されたマイクロマシン装置（微小電気機械部品）が知られている（例えば、特許文献１または２参照）。

例えば図１２に示すように、マイクロマシン装置（ＭＥＭＳ：Ｍｉｃｒｏ−Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ−Ｓｙｓｔｅｍｓ）１００は、ベース基板１０２及び絶縁層１０３からなる基板１０１と、基板１０１上に形成されたＭＥＭＳ素子１０４と、信号用配線１０５と、中空部１０６と、第１封止膜１０７および第２封止膜１０８で構成される。ＭＥＭＳ素子１０４は片持ちまたは両持ちの梁構造であり、梁の中央部分が信号用配線１０５と数μｍ程度のギャップを持って構成される。

ＭＥＭＳ素子１０４の直下の絶縁層１０３には、信号用配線１０５がＡｕ、Ａｌなどで形成されている。ＭＥＭＳ素子１０４は、ばね特性の高いＰｏｌｙ−Ｓｉ（ポリシリコン）もしくはＡｌ（アルミニウム）などで構成されており、静電力等の駆動力を与えることで信号用配線１０５の方へ近接する。また、この駆動力を除荷すると、ＭＥＭＳ素子１０４は自身のばね特性により、再び信号用配線１０５とギャップを持った位置に戻る。このようにＭＥＭＳ素子１０４と信号用配線１０５との間のギャップを変化させることで、可変電気容量、スイッチングなどの機能を果たす。

ＭＥＭＳ素子１０４の動作と保護のため、封止体により中空に封止する必要があり、製造コストの低減や小型化を目的として成膜プロセスによる半導体装置の製造方法が提供されている。まず、マイクロマシンと基板１０１との間にギャップを持たせるために、後の工程で完全に除去する第１の犠牲層を基板１０１上に形成する。ついで、マイクロマシンとしてのＭＥＭＳ素子１０４を、第１の犠牲層上に形成する。この第１の犠牲層上に形成されたＭＥＭＳ素子に、第２の犠牲層を形成する。第２の犠牲層上に、第１封止膜１０７を形成する。第１封止膜１０７に、成膜中もしくは成膜後にＭＥＭＳ素子１０４周囲の犠牲層を除去する際にエッチング材を導入するための開口形状部１０７ａを形成する。犠牲層除去用エッチング材を開口形状部１０７ａより導入し、全ての犠牲層を完全に除去する。最後に第２封止膜１０８を、開口形状部１０７ａが完全に閉口するまで第１封止膜１０７上に形成する。以上により、第１および第２封止膜１０７，１０８で構成される封止体によって、ＭＥＭＳ素子１０４を中空に封止することが可能となる。中空部１０６は減圧された雰囲気となっている。

このような半導体装置１００においては、気密封止後のトランスファーモールド工程でかかる、１８０℃／１２ＭＰａ加圧程度の負荷による封止体の変形を抑えるため、印刷法により厚い補強層１１１を形成している。補強層１１１はマスク１１２により所定形状に形成される。

特開２００５−２０７９５９号公報 米国特許第７００８８１２Ｂ１号

しかしながら、上記の技術では、以下のような問題があった。すなわち、補強層用の印刷工程は半導体薄膜形成工程から外れた工程であるため、工程間移動に伴い製造工程時間が増加する。また、印刷法では、印刷マスクの位置合わせ精度が低く、誤差が数十ミクロンと大きいため、マスクの位置ずれを見込んでサイズを大きく取る必要があり、小型化が困難である。

そこで、本発明は、小型化が可能であり製造時間を短縮できる半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。

本発明の一形態にかかる半導体装置は、基板と、前記基板の主面に設けられた素子部と、無機材料を含み、前記基板の主面に設けられ、気体を収容した中空部を介して前記素子部を覆うとともに、前記中空部に連通する開口形状部を有する、内側無機封止膜と、有機材料を含み、前記内側無機封止膜上に形成され前記開口形状部を塞ぐ有機封止膜と、無機材料を含み、前記有機封止膜上に形成され前記有機封止膜を覆う外側無機封止膜と、前記有機封止膜を設ける工程と同様の薄膜形成工程により前記外側無機封止膜上に設けられ、前記外側無機封止膜を覆う補強層と、
を備えたことを特徴とする。

本発明の他の一形態に係る半導体装置の製造方法は、素子部を基板の主面に配する工程と、前記素子部上に犠牲層を形成する工程と、減圧下において、前記犠牲層及び前記基板の主面上に、無機材料を含み、前記犠牲層を介して前記素子部を覆うとともに、前記中空部に連通する開口形状部を有する、内側無機封止膜を形成する工程と、前記開口形状部から犠牲層除去用の流体を導入して前記犠牲層を除去する工程と、前記内側無機封止膜の前記開口形状部を覆うように、有機材料を含む有機封止膜を形成する工程と、減圧下において、無機材料を含む外側無機封止膜を形成し、前記有機封止膜の外側を覆う工程と、前記有機封止膜と同様の薄膜形成工程により前記外側無機封止膜上に補強層を形成する工程と、を備えたことを特徴とする。

本発明は、小型化が可能であり、製造時間を短縮できる半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。

本発明の第１実施形態にかかるマイクロマシン装置を示す断面図。 同マイクロマシン装置を模式的に示す説明図。 同マイクロマシン装置の製造工程を示す説明図。 同マイクロマシン装置の製造工程を示す説明図。 同マイクロマシン装置の製造工程を示す説明図。 同マイクロマシン装置の製造工程を示す説明図。 同マイクロマシン装置の製造工程を示す説明図。 同マイクロマシン装置の製造工程を示す説明図。 同マイクロマシン装置の製造工程を示す説明図。 同マイクロマシン装置の製造工程を示す説明図。 同マイクロマシン装置のパッケージ化の一例を示す説明図。 比較例としてのマイクロマシン装置の製造工程の一例を示す説明図。

以下に本発明の第１実施形態にかかるマイクロマシン装置１について、図１及び図２を参照して説明する。なお、各図において適宜構成を拡大・縮小・省略して概略的に示している。図中Ｘ，Ｙ，Ｚは、互いに直交する三方向を示している。

図１に示すように、マイクロマシン装置（半導体装置）１は例えば微小電気機械部品（ＭＥＭＳ）であり、基板１０と、基板１０上に形成された下部電極１３、駆動電極１４、及び信号用配線１５と、信号用配線１５を跨いで配置されたマイクロマシンとしてのＭＥＭＳ素子１６（素子部）と、内部に常圧の気体が封入された雰囲気が形成される中空部１７を介してＭＥＭＳ素子１６を気密に封止する封止体２０と、封止体２０を覆う補強層２４と、を備えて構成されている。

封止体２０は、中空部１７を規定する内側無機封止膜２１のほか、有機封止膜２２、外側無機封止膜２３が順次積層されてドーム形状に構成されている。

ベース基板１１は、シリコン（Ｓｉ）基板、ガラス基板、またはサファイア基板であり、所定の板形状に形成されている。

絶縁層１２は、ベース基板１１上に形成され、例えばシリコン酸化膜（ＳｉＯ_２）からなる。これらベース基板１１及び絶縁層１２により基板１０が構成される。

絶縁層１２の上面には、下部電極１３、駆動電極１４、信号用配線１５及びＭＥＭＳ素子１６が形成されている。信号用配線１５と駆動電極１４と下部電極１３の上面には絶縁膜１９が形成されている。絶縁膜１９は例えばＳｉＮ（窒化珪素）やＡｌＯ（酸化アルミニウム）などの無機膜で形成されている。

信号用配線１５は絶縁層１２上に例えばＡｕで形成され、ＭＥＭＳ素子１６の下部において図２中Ｙ方向に延びる所定形状を成している。

ＭＥＭＳ素子１６はマイクロマシンの可動機構部であり、段差を有する両持ち梁状を成す。ＭＥＭＳ素子１６の両端の下部は封止体２０の外部に通じる下部電極１３に接続されている。ＭＥＭＳ素子１６の梁状の中央部分は、信号用配線１５と数μｍ程度のギャップを持って離間して配されている。例えば、後述するように数μｍ程度の厚さをもつ犠牲層１８ａ上にＭＥＭＳ素子１６を形成するような製造プロセスを経ることでギャップ構造を確保することが可能である。ＭＥＭＳ素子１６の直下の絶縁層１２の表面には、信号用配線１５がＡｕ（金）などで形成されている。

ＭＥＭＳ素子１６は、例えばＰｏｌｙ−ＳｉやＡｌ等で構成され、ばね特性を有する。ＭＥＭＳ素子１６は、例えば、電界の作用として駆動電極１４から静電力等の駆動力が与えられると、信号用配線１５の方へ弾性変形して近接し、駆動力が除去されると、自身のばね特性により、再び元の位置に戻る。

すなわち、ＭＥＭＳ素子１６は、静電力等の駆動力が印加、除荷されることにより、ＭＥＭＳ素子１６が駆動力に応じて信号用配線１５との間隔を変化させるように変形することで、マイクロマシン装置１の電気特性を変える。その変え方に応じて、可変電気容量、スイッチングなどの機能を果たす。

内側無機封止膜２１は、その辺縁部分がＭＥＭＳ素子１６と離間した位置で周囲の絶縁層１２の上面に結合しているとともに、その中央部分が中空部１７を介してＭＥＭＳ素子１６を上方から覆う。すなわち、内側無機封止膜２１はＭＥＭＳ素子１６から離間している。

内側無機封止膜２１には、製造工程において、犠牲層除去用のドライエッチングガス（Ｏ_２プラズマガス等）導入用の開口であった開口形状部２１ａが複数設けられている。複数の開口形状部２１ａは、ＭＥＭＳ素子１６の直上を含む面内に２次元的に配置され、例えば５０μｍの間隔で形成されている。

内側無機封止膜２１上には、有機封止膜２２が形成されている。有機封止膜２２は、例えば東レ製 ネガ型感光性ポリイミド ＰＮ−２０００シリーズ等の樹脂材が成膜されてなり、所定の厚みを有して内側無機封止膜２１を覆っている。この有機封止膜２２により、開口形状部２１ａが閉塞されている。

なお、有機封止膜２２を成膜する際に温度が高くなると、内部圧力の上昇により有機膜に泡が発生してしまうため、有機封止膜２２を形成する工程は低温にすることが望ましい。したがって、有機封止膜２２を構成する樹脂としては、ＵＶ（光）硬化型の樹脂が適している。あるいは、熱を伴わない硬化反応が期待できればＵＶ以外の波長の光によって硬化する樹脂を用いてもよい。有機封止膜２２上に外側無機封止膜２３が形成されている。

外側無機封止膜２３は、有機封止膜２２を構成する有機材料よりも透水性の低い無機材料、例えばＳｉＮ（シリコンナイトライド）等から構成され、有機封止膜２２の外側を覆うように成膜されている。

この外側無機封止膜２３により、水分の吸収及び透過が抑止される。また、外側無機封止膜２３は、中空部１７が加圧雰囲気である場合には中空部１７から外界への成分透過を抑制する障壁ともなる。

補強層２４は、外側無機封止膜２３の外側を覆う所定の形状に構成されている。補強層２４は、有機封止膜２２と同じ材料と同じ工程により、例えば東レ製 ネガ型感光性ポリイミド ＰＮ−２０００シリーズ等からピンコート法により、成膜され、パターニングにより所定形状に形成され、硬化されて構成されている。

次に、本実施形態にかかるマイクロマシン装置１の製造方法について図１乃至図９を参照して説明する。
この製造方法においてはベース基板１１を構成する１つのウェハ上に、複数のマイクロマシン装置１をマトリクス状に形成してから個片化するが、図１乃至図１０では説明のため１つのマイクロマシン装置１のみを示している。

まず、図３に示すように、ベース基板１１上に、絶縁層１２を形成し、絶縁層１２上に下部電極１３、駆動電極１４及び信号用配線１５を形成する。

ついで、図４に示すように、これら下部電極１３、駆動電極１４及び信号用配線１５上に絶縁膜１９を形成する。

ついで、ＭＥＭＳ素子１６として、例えば、Ａｕを構成材料として用いたカンチレバー構造を有する静電駆動型高周波用スイッチを形成する。

このとき、図５に示すように、まず信号用配線１５とＭＥＭＳ素子１６との間にギャップを持たせるために、信号用配線１５上に、後の工程で完全に除去する所定形状の犠牲層１８ａを形成して段差を形成してから、この犠牲層１８ａ上にＭＥＭＳ素子１６を形成する。以上により、ＭＥＭＳ素子１６が、段差を有し、信号用配線１５から離間する梁部分を有する所定の両持ち梁形状に形成される。

さらに、ＭＥＭＳ素子１６が形成された状態の上に、ＭＥＭＳ素子１６を覆うように第２の犠牲層１８ｂを形成する。

犠牲層１８ａ、１８ｂは、例えば、スピンコート法によりポリイミド膜が成膜され、パターニングにより所定形状に形成され、硬化されて構成されている。

犠牲層１８ａ，１８ｂの形成後、図６に示すように、内側無機封止膜２１として、プラズマＣＶＤ装置により、ＳｉＯ_２を、所定厚さ形成する。内側無機封止膜２１の厚さは、例えば１ミクロン程度である。

さらに、フォトリソグラフィ処理等により、内側無機封止膜２１に、開口形状部２１ａを複数形成する。開口形状部２１ａは、成膜中もしくは成膜後にＭＥＭＳ素子１６の周囲の犠牲層１８ａ，１８ｂを除去する際に除去材を導入するための犠牲層除去用の開口であり、犠牲層除去の後で閉塞される。

特に、開口形状部２１ａが、ＭＥＭＳ素子１６の直上を含む面内に２次元的に配置されていると、犠牲層１８ａ，１８ｂを除去する際、短時間でエッチングが可能である。

ついで、図７に示すように、犠牲層除去用のエッチング材を開口形状部２１ａより導入し、全ての犠牲層１８ａ，１８ｂを完全に除去する。例えば、有機物層を選択的に除去するＯ_２プラズマを、開口形状部２１ａから導入することにより、全ての犠牲層が除去される。この結果、内側無機封止膜２１の内部に中空部１７が形成される。なお、犠牲層１８ａ、１８ｂを多結晶シリコンで構成する場合には、ＸｅＦ２ガスを用いても良い。

犠牲層１８ａ，１８ｂを除去した後、マイクロマシン装置１を、大気状態に放置する。これにより、開口形状部２１ａで外部に連通した中空部１７は０．１ＭＰａ程度の大気圧に近い内圧となる。したがって、真空雰囲気の場合と比べて中空部１７内の流体抵抗が大きい。この他、例えば、犠牲層除去後に窒素雰囲気に曝すことで、開口形状部２１ａで外部に連通した中空部１７を窒素雰囲気にすることも可能である。

次に、図８に示すように、常圧状態において、例えば圧力０．１ＭＰａ（大気圧）、の条件化で、有機封止膜２２を成膜することにより樹脂封止を行う。有機封止膜２２は、スピンコート法による塗布により、開口形状部２１ａを埋めるのに十分な厚さに成膜される。ここでは、まず、有機封止樹脂をスピンコート塗布した後、露光／現像／硬化を行い、所定の形状にパターニングする。スピンコートする樹脂としては、例えば東レ製 ネガ型感光性ポリイミドＰＮ−２０００シリーズを用いることができ、粘度は２００〜３０００ｍＰａ・ｓ程度が用いられる。

以上により、開口形状部２１ａが閉塞され、中空部１７を介してＭＥＭＳ素子１６が気密に封止される。スクリーン印刷及びＵＶ硬化を不活性ガスＮ２雰囲気中で行うと、封止体２０の内部にＮ２が充填された構造になる。

次に、図９に示すように、マイクロマシン装置１を真空度の高い薄膜装置チャンバー内に投入し、外側無機封止膜２３を形成する。例えば、プラズマＣＶＤ装置もしくはスパッタ装置により、有機封止膜２２を覆うように、低透湿のＳｉＮを、例えば０．５〜１ミクロンの厚さに成膜し、外側無機封止膜２３を形成する。

次に、図１０に示すように、後のトランスファーモールド工程での負荷（１８０℃／１２ＭＰａ加圧）による封止体２０の変形を抑えるため、補強層２４を、有機封止膜２２と同じ工程及び同じ材料である感光性ポリイミドで、有機封止膜２２より厚くなる条件で、塗布する。例えば、有機封止膜２２よりも低速なスピンコート速度で塗布し、補強層２４を形成する。

すなわち、常圧状態において、例えば圧力０．１ＭＰａ（大気圧）、の条件化で、成膜することにより樹脂封止を行う。ここでは、まず、有機封止樹脂をスピンコート塗布した後、露光／現像／硬化を行い、図１に示す所定の形状にパターニングする。補強層２４としてスピンコートする樹脂としては、例えば東レ製 ネガ型感光性ポリイミドＰＮ−２０００シリーズを用いることができ、粘度は２００〜３０００ｍＰａ・ｓ程度がよい。

以上により、１枚のウェハ上に多数のマイクロマシン装置１がマトリクス状に並列して形成される。これをマイクロマシン装置１毎に個片化することにより、多数のマイクロマシン装置１を得ることができる。

個片化されたマイクロマシン装置１は、パッケージとして、ドライバＩＣチップ、高周波バリュアブルキャパシタチップ等に用いることができる。例えば図１１に示すように、基板４０上に、このマイクロマシン装置１と、ドライバチップ４１とを、接着材４２を介して積層し、さらにトランスファーモールド工程でエポキシ樹脂等の樹脂４３によりパッケージ化する。このトランスファーモールド工程において、１８０℃、１２ＭＰａ程度の負荷がかかるが、補強層２４により、負荷による封止体２０の変形が防止される。

本実施形態にかかる及びマイクロマシン装置１及びマイクロマシン装置１の製造方法は以下に掲げる効果を奏する。すなわち、補強層２４を、薄膜の封止体２０上に、有機封止膜２２と同じ樹脂材料を同じ工程で形成することにより、工程間移動に伴うタクトタイム増加の抑制と、部材共通化による材料コストの低減が可能となる。

すなわち、機械的強度補強、熱的安定性確保のための補強層２４を、犠牲層１８ａ，１８ｂ除去のための開口形状部２１ａを閉口した有機封止膜２２の樹脂と同じ材料を用いて形成することにより、中空部１７内部に透水し難く、経時変化が起こり難い封止構造とするとともに、生産性および耐久性に優れた半導体素子提供が可能となる。

さらに、感光性ポリイミドのパターニングに用いるフォトリソグラフィは位置合わせ精度が１ミクロン以下と高いため、印刷法において誤差を見込んで大きく構成していた誤差用のサイズの縮小が可能となる。また、これにより同じサイズのウェハに形成できるマイクロマシン装置１の数を増やすことができ、製造コストの低減が可能となる。

例えば比較例としてマスク１１２を用いて印刷塗布により補強層１１１を形成するマイクロマシン装置１００を図１２に示す。補強層１１１の材料としてはシリカフィラー等を含むエポキシ樹脂からなる補強材料を用いる。この場合、印刷法によるマスク１１２の寸法誤差が１００μｍ程度である。このため、補強層１１１における封止体の外周を囲む周縁部分の面方向の寸法Ｘ０を１００μｍ程度確保する必要がある。したがって、ＭＥＭＳ素子１０４を囲む封止体の周縁のＸ方向の寸法が３４０μｍ程度である場合には、補強層１１１を含めた寸法は５４０μｍとなる。

これに対し、本実施形態のマイクロマシン装置１によれば露光の位置精度が高く、図１に示すように、補強層２４の封止体２０を囲む周縁部分のＸ方向の寸法Ｘ１を１０μｍ程度として実現可能となる。このため、封止体２０の周縁のＸ方向の寸法が３４０μｍ程度である場合には、補強層２４を含めたＸ方向の寸法は３６０μｍとなる。したがって、マイクロマシン装置１のサイズを小さくすることが可能となり、チップサイズを小型化することが可能となる。

また、有機封止膜２２を塗布することとしたため、樹脂の粘度が高く、成膜の際に、開口形状部２１ａから下方に堆積することを防止できる。したがって、開口形状部２１ａの配置が限定されず、ＭＥＭＳ素子１６の直上など、内側無機封止膜２１の全域に開口形状部２１ａを設けることが可能である。したがって、犠牲層の完全除去までの時間を短縮させることができる。

すなわち、第２封止体が開口形状部の下方に堆積するマイクロマシン装置では、マイクロマシンから離れた位置に開口形状部を設ける必要があるため、素子が位置する封止体の中心近傍には開口形状部が無く、犠牲層を完全に除去するまでに時間を要するが、本実施形態では、開口形状部２１ａをＭＥＭＳ素子１６の上方に設けることができ、したがって内部の犠牲層除去の時間短縮を図ることができる。

なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、各構成要素の材質、形状、配置、サイズ、構造・動作等を適宜変更して実施することができる。例えばＭＥＭＳ素子１６は肩持ち梁状であってもよく、パターニング方法や犠牲層の除去方法の一例としては、エッチングガスによるドライエッチングや、薬液によるウェットエッチング等が挙げられる。また、複数の犠牲層は同一でなくてもかまわない。さらに素子部はＭＥＭＳ素子以外であってもよく、たとえば半導体素子等を適用してもよい。また、基板１０として、ベース基板１１上に絶縁層１２を備えた構造について説明したが絶縁層１２を省略してベース基板１１のみで基板を構成し、このベース基板１１上にＭＥＭＳ素子１６、信号用配線１５を形成してもよい。さらに、補強層２４の厚さは上記に限らず、例えば有機封止膜２２と同じであっても良い。

さらに、上述の例ではＭＥＭＳ素子１６を両持ち梁状に構成したが、変形性を向上するために、ＭＥＭＳ素子１６の梁状部分に貫通孔を形成してもよいし、絶縁性の継手を介して複数の部材を接続して梁形状を構成してもよい。

この他、本発明は、実施段階においてその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。

１…マイクロマシン装置（半導体装置）、１０…基板、１１…ベース基板、１２…絶縁層、１３…下部電極、１４…駆動電極、１５…信号用配線、
１６…ＭＥＭＳ素子（マイクロマシン）、１７…中空部、１８ａ．１８ｂ…犠牲層、
２０…封止体、２１…内側無機封止膜、２１ａ…開口形状部、
２２…有機封止膜、２３…外側無機封止膜、２４…補強層。

Claims (8)

1. 基板と、
   前記基板の主面に設けられた素子部と、
   無機材料を含み、前記基板の主面に設けられ、気体を収容した中空部を介して前記素子部を覆うとともに、前記中空部に連通する開口形状部を有する、内側無機封止膜と、
   有機材料を含み、前記内側無機封止膜上に形成され前記開口形状部を塞ぐ有機封止膜と、
   無機材料を含み、前記有機封止膜上に形成され前記有機封止膜を覆う外側無機封止膜と、
   前記有機封止膜を設ける工程と同様の薄膜形成工程により前記外側無機封止膜上に設けられ、前記外側無機封止膜を覆う補強層と、
   を備えたことを特徴とする半導体装置。
2. 前記有機封止膜及び前記補強層は、同じ有機材料を含むことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
3. 前記中空部内は大気または不活性ガス雰囲気であることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置。
4. 前記内側無機封止膜及び前記外側無機封止膜は、ＳｉＯまたはＳｉＮを含む材料からなることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の半導体装置。
5. 前記有機封止膜及び前記補強層は、感光性樹脂からなることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
6. 前記補強層の厚さは前記有機封止膜の厚さよりも同じかまたは厚いことを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれかにに記載の半導体装置。
7. 素子部を基板の主面に配する工程と、
   前記素子部上に犠牲層を形成する工程と、
   減圧下において、前記犠牲層及び前記基板の主面上に、無機材料を含み、前記犠牲層を介して前記素子部を覆うとともに、前記中空部に連通する開口形状部を有する、内側無機封止膜を形成する工程と、
   前記開口形状部から犠牲層除去用の流体を導入して前記犠牲層を除去する工程と、
   前記内側無機封止膜の前記開口形状部を覆うように、有機材料を含む有機封止膜を形成する工程と、
   減圧下において、無機材料を含む外側無機封止膜を形成し、前記有機封止膜の外側を覆う工程と、
   前記有機封止膜と同様の薄膜形成工程により前記外側無機封止膜上に補強層を形成する工程と、を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。
8. 前記有機封止膜及び前記補強層は、同じ有機材料を含むことを特徴とする請求項７に記載の半導体装置の製造方法。

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