JP6352268B2 - 光電変換素子の製造方法 - Google Patents

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Description

本発明は、光電変換素子及び光電変換素子の製造方法に関する。本願は、2013年8月22日に、日本に出願された特願2013−172561号に基づき優先権を主張し、その内容をここに援用する。
近年、化石燃料に代わるクリーンエネルギーの発電装置として太陽電池が注目され、シリコン(Si)系太陽電池、および色素増感型太陽電池の開発が進められている。とりわけ色素増感型太陽電池は、安価で量産しやすいものとして、その構造及び製造方法が広く研究開発されている(例えば下記特許文献1)。
図7に示すように、特許文献1に記載された色素増感太陽電池100は、透明基板101の板面に透明導電膜102が成膜され、透明導電膜102の表面に色素を担持させた半導体層103が形成された光電極104と、対向基板105に、透明導電膜102に対向するよう設けられた対向導電膜106が成膜された対向電極107と、半導体層103を囲繞するとともに、光電極104の外周壁部と対向電極107の外周壁部とを貼り合わせて内部空間Sを形成しこの内部空間Sを密封する封止材108と、前記内部空間Sに注入された電解液109とを備えている。
特開2011−175939号公報
ところで、色素増感太陽電池100では、内部空間Sに電解液109が注入された場合に、封止材108と電解液109とが接触し、封止材108を劣化させ太陽電池100の品質を低下させてしまうという問題があった。封止材108が劣化すると、封止材108のバリヤ性低下により、電解液109が封止材108の内部に浸透する、あるいは、封止材108の接着強度低下により、封止材108と半導体層103等との界面が剥離するなどして、短絡が発生する恐れがある。
そこで、本発明は、上記課題に鑑み、封止材と電解液とが接触することを抑制可能な光電変換素子を提供することを課題とする。
本発明の光電変換素子は、第一の電極基板に半導体層が形成された光電極と、前記第一の電極基板に前記半導体層を介して対向配置される第二の電極基板を備えた対向電極と、前記光電極と前記対向電極との間を封止する封止材と、この封止材の内側に配される電解質とを備え、前記第一の電極基板及び前記第二の電極基板の少なくともいずれか一方には、前記第一の電極基板と前記第二の電極基板との離間寸法を拡大する空間拡大壁部が設けられ、前記封止材の内側に拡大空間を形成し、前記電解質は、前記拡大空間の内側で前記第一の電極基板と前記第二の電極基板との間に保持され、前記封止材に前記電解質と接触しない非接触部が形成されていることを特徴とする。
この構成によれば、封止材に電解質と接触しない非接触部が形成されているため、電解質による封止材の劣化が防止でき、それにより短絡の発生を抑制することができる。
なお、本願において示す「電解質」には、電解液、ゲル状の電解質及び固体状の電解質が含まれる。
前記拡大空間又は前記封止材の内部には、第一の電極基板及び第二の電極基板からなる群より選ばれる少なくとも1つの電極基板上に配される配線が設けられていることが好ましい。
この構成によれば、拡大空間に断面積の大きい前記配線を配設することができる。
本発明の前記空間拡大壁部は、前記離間寸法を前記封止材に向けて漸次拡大させる傾斜面を備えたものであってもよい。
この構成によれば、空間拡大壁部によって形成される拡大空間に電解質を保持して封止材に電解質が接触することを防止することができる。
本発明は、前記封止材の厚さ(鉛直方向の高さ)寸法と、前記半導体層が形成された領域の前記第一の電極基板の表面及び前記第二の電極基板の表面の間の寸法との差が30μm以上200μm以下とされていることが好ましい。
この構成によれば、封止材の内部に断面積を可及的に大きくした配線を埋め込むことができ、配線抵抗を低下させることができる。また、200μm以下とすることにより、封止材周辺にデッドスペースが多くなることによる発電有効面積の低下を招くことを防止できる。
本発明の光電変換素子の製造方法は、光電極に備えられた第一の電極基板上の半導体層に電解質を配する電解質配置工程と、前記第一の電極基板の端部及び第二の電極基板の端部の少なくともいずれかに封止材を配する封止材配置工程と、前記光電極に、第二の電極基板を備えた対向電極を積層する積層工程と、前記光電極と前記対向電極とを加圧し、前記電解質を前記半導体層に配しつつ前記第一の電極基板と前記第二の電極基板との間で保持させ、かつ前記封止材の近傍における前記第一の電極基板と前記第二の電極基板との離間寸法を拡大する空間拡大壁部を形成し、前記封止材に前記電解質と接触しない非接触部を形成する電解質延伸工程と、前記光電極と前記対向電極とを封止する封止工程と、を備えていることを特徴とする。
この構成によれば、上記に記載の光電変換素子を簡便に製造することができる。
本発明は、前記積層工程と前記電解質延伸工程と前記封止工程とが、前記光電極と前記対向電極との加圧により同時に行われることが好ましい。
この構成によれば、上記に記載の光電変換素子の製造工程がより一層シンプルになる。
本発明の前記空間拡大壁部は、前記第一の電極基板及び前記第二の電極基板の少なくとも一方に可撓性のある樹脂基材を用い、前記光電極と前記対向電極とを加圧する際に前記可撓性のある樹脂基材を変形させて形成することが好ましい。
この構成によれば、光電極と対向電極との積層及び加圧を同時に行うことができ、さらに封止材に電解質を接触させない非接触部を形成する構成を加圧時に成形することができる。
本発明によれば、封止材と電解質とが接触することを抑制して光電変換素子の品質劣化を防止することができるという効果を奏する。
また、本発明の光電変換素子の製造方法によれば、本発明の光電変換素子を簡便に効率的に製造することができるという効果を奏する。
本発明の一実施形態の光電変換素子を模式的に示した断面図である。 本発明の一実施形態の光電変換素子の製造工程の一部を模式的に示した断面図である。 本発明の一実施形態の光電変換素子の製造工程の一部を模式的に示した断面図である。 本発明の一実施形態の光電変換素子の製造工程を模式的に示した図である。 図4で示した本発明の一実施形態の光電変換素子の製造工程をY1−Y2線で矢視した断面図である。 本発明の一実施形態の光電変換素子の他の例を模式的に示した断面図である。 従来の光電変換素子を示した断面図である。
以下、図を参照して本発明の光電変換素子の各実施形態について、光電変換素子が色素増感太陽電池である場合を例として説明する。また、電解質として電解液を用いて光電変換素子が製造された場合を例として説明する。
(第1の実施形態)
図1に示すように、色素増感太陽電池(光電変換素子)(以下「太陽電池」と称する)1Aは、第一の電極基板2上に半導体層4が形成された光電極5と、第一の電極基板2に間隔を置いて対向配置された第二の電極基板6を備えた対向電極8とを備えている。
そして、光電極5と対向電極8との間が、第一の電極基板2の外端部2pと第二の電極基板6の外端部6pとにおいて封止材10及び超音波溶着などにより光電極5及び対向電極8の外周を巡るように枠状に封止され、封止された内部空間S及び半導体層4内の空隙(不図示)に電解液11が充填されている。図1においては、上記の様な構成を有する太陽電池が単位セルとして左右に連続して形成されている。前記単位セルの形状は、特に制限されず、三角形、四角形、これら以外の多角形、円形、楕円形などが例示できるが、製造効率などの観点から図4に示すように帯状であることが好ましい。
前記封止材10は、単位セル(太陽電池)の縁部の少なくとも一部に設けられる。即ち、前記封止材10は、単位セルを完全に囲繞するように設けられていてもよいし、本発明で目的とする効果が達成できる限り、単位セルの縁部の一部にのみ設けて縁部の残りの部分を他の手段で封止してもよい。また、前記封止材10を単位セルの縁部の一部にのみ設ける場合、複数の前記封止材10が断続的に単位セルの縁部に設けられていても良い。
例えば、単位セルが図4に示すように帯状の形状である場合における封止材10の配し方の具体例としては以下を挙げることができる:(1)封止材10を、単位セルの対向する一対の長辺部の一方にのみ設ける、(2)封止材10を、単位セルの対向する一対の長辺部の両方に設ける、(3)封止材10を、単位セルの対向する一対の長辺部の両方と、さらに一対の短辺部の一方にも設けることにより、封止材10をコの字型に配する、(4)封止材10を、単位セルの四辺全てに設けて単位セルを封止材10で完全に囲繞する。
ここで、第一の電極基板2は、封止材10が配された外端部2pの内側において傾斜面15aを備えた空間拡大壁部15を有している。
また、第二の電極基板6も第一の電極基板2と同様に、外端部6pの内側において傾斜面15aを有する空間拡大壁部15を有している。そして、この空間拡大壁部15、15は、封止材10の近傍において、第一の電極基板2の表面と第二の電極基板6の表面との離間距離L1を外端部2pの内側から外側すなわち封止材10に向かって漸次大きくし、内部空間Sの一部が広くなった拡大空間Eを形成している。
この間拡大壁部15,15に挟まれた領域X2に位置する拡大空間Eは、半導体層4及びその近傍の領域X1からはみ出た電解液11を十分に保持することができ、電解液11と封止材10との間を可及的に引き離して分離することができるようになっている。
また、電解液11と封止材10との間に、封止材10の劣化防止部材(不図示)を設けることが好ましい。具体的には、光電極5と対向電極8との間の電解液11が存在する空間と前記拡大空間Eと仕切るように劣化防止部材を設けることが好ましい。この劣化防止部材は、例えば、耐溶媒性及び/又は耐ヨウ素性を有するフッ素樹脂などの固体により形成されることが好ましい。劣化防止部材を設けることで、太陽電池に上から圧力がかかることにより前記電解液11が存在する空間が圧縮されても、電解液11が封止材10に接触することを防止することができる。
第一の電極基板2及び第二の電極基板6は、それぞれ例えば、ポリエチレンナフタレート(PEN)、ポリエチレンテレフタレート(PET)等の透明の熱可塑性樹脂材料を主材料とする樹脂基材P1,P2の表面に導電膜3,7が成膜されたものである。なお、樹脂基材P1,P2は、フィルム状に形成されたものであってもよい。
第一の電極基板2及び第二の電極基板6(樹脂基材P1及びP2)の形状については、特に制限はないが、図4に示すような帯状であることが好ましい。
第一の電極基板2に備えられた導電膜3又は第二の電極基板6に備えられた導電膜7のいずれか又は双方は、透明導電膜により形成されている。
導電膜3,7の材料には、例えば、スズドープ酸化インジウム(ITO)、酸化亜鉛、フッ素ドープ酸化スズ(FTO)、アルミドープ酸化亜鉛(AZO)、酸化スズ(SnO)、アンチモンドープ酸化スズ(ATO)、酸化インジウム/酸化亜鉛(IZO)、ガリウムドープ酸化亜鉛(GZO)等が用いられている。
半導体層4は、後述する増感色素から電子を受け取り輸送する機能を有するものであり、金属酸化物からなる半導体により導電膜3の表面に成膜されている。金属酸化物としては、例えば、酸化チタン(TiO2)、酸化亜鉛(ZnO)、酸化スズ(SnO2)等が用いられる。
半導体層4は、増感色素を担持している。増感色素は、有機色素または金属錯体色素で構成されている。有機色素としては、例えば、クマリン系、ポリエン系、シアニン系、ヘミシアニン系、チオフェン系等の各種有機色素を用いることができる。金属錯体色素としては、例えば、ルテニウム錯体等が好適に用いられる。
このように、第一の電極基板2の一方の板面に形成された半導体層4を設けて光電極5が構成されている。
第二の電極基板6に備えられた導電膜7としては、触媒層の役割を有さず導電膜としての役割を有する材料か、触媒層及び導電膜の双方の役割を果たし得る材料のいずれかが採用されている。前者の場合は、導電膜7上に更に触媒層が成膜されており、後者の場合には導電膜7のみが樹脂基材P2に成膜されている。
また、導電膜7の表面に成膜される触媒層としては、カーボンペースト,プラチナ等が採用されている。
このように構成された第二の電極基板6を備えて対向電極8が構成されている。
この対向電極8は、導電膜7を導電膜3に対向させて光電極5と対向配置されている。
封止材10としては、ホットメルト樹脂等が用いられている。
この封止材10は、一対の外端部2p,2p及び/又は一対の外端部6p,6pに配され、加熱プレスされて光電極5と対向電極8との間を接着している。また、封止材10が配された外端部2p,6pに交叉する端部(紙面手前側及び奥行き側に設けられる端部)は、封止材10を用いずに超音波溶着等により封止されている。
配線20は、導電膜3の表面に配され太陽電池1Aで生ずる電気を集電して引き出すことができるようになっている。この配線20は、拡大空間Eにおいて肉厚に配された封止材10内に断面積を大きくして埋設されている。そして、断面積が大きく形成された配線20が配されていることにより、太陽電池1Aに設置された配線20の低抵抗化が図られている。
また、配線20の断面形状は細長く形成され、第一の電極基板2と第二の電極基板6との間方向に厚く、これに交叉する方向(封止材10,10同士の間方向)に薄くなるように配設されている。配線20がこのように配設されていることにより、封止材10内に埋設されやすくなっている。
尚、図1に示すように、拡大される傾斜面の高さは、封止材内部の配線の高さの方よりもが大きい(即ち、前記封止材の鉛直方向の高さが、前記配線の鉛直方向の高さの方より大きい)ことが好ましい。それにより、厚さ方向に圧縮される力が加わった場合に、封止剤部分が優先的に変形し、配線部の変形を抑える効果が得られる。これにより、厚さ方向に圧縮される力が加わった場合において、発電電力の供給を継続することが可能となる。
電解液11は、半導体層4の内部に浸透し、そのほぼ表面全体に塗工されているとともに、拡大空間Eを介して封止材10よりも内側の領域X1付近に保持されている。
この電解液11は、所定の粘性を有しているとともに表面張力を有しているため、第一の電極基板2と第二の電極基板6とのそれぞれに密着している。したがって、電解液11は、領域X1及びその近傍から封止材10側に容易に流動しないようになっている。
そしてこのことにより、電解液11と封止材10との間には、これらの間を離間させる拡大空間Eが封止材10の内側に形成され、封止材10に電解液11が接触しない非接触部Nを形成している。
この非接触部Nについては、電解質に対向する前記封止材10の表面全体が電解質と接触しない非接触部Nとなっていることが好ましい。
また、前記拡大空間Eの体積(a)は、前記電解液11(電解質)の体積(b)に対する比(a/b)として、1/3より大きいことが好ましく、1/2以上であることが更に好ましく、1以上であることが特に好ましい。
なお電解液11としては、例えば、アセトニトリル、プロピオニトリル等の非水系溶剤;ヨウ化ジメチルプロピルイミダゾリウム又はヨウ化ブチルメチルイミダゾリウム等のイオン液体などの液体成分に、ヨウ化リチウム等の支持電解液とヨウ素とが混合された溶液等が用いられている。また、電解液11は、逆電子移動反応を防止するため、t−ブチルピリジンを含むものでもよい。
次に、太陽電池1Aの製造方法について図2〜図5を用いて説明する。尚、本発明の製造方法に用いることができる部品や材料などに関しては、光電変換素子に関して上述したものと同様のものを用いることができる。
第1の実施形態の太陽電池1Aの製造方法は、(I)光電極5に備えられた第一の電極基板2上の半導体層4に電解液11を配する電解質配置工程と、(II)第一の電極基板2の外端部2p,2p及び第二の電極基板6の外端部6p,6pのいずれか一方に封止材10を配する封止材配置工程と、(III)光電極5に対向電極8を積層する積層工程と、(IV)光電極5と対向電極8とを加圧し、電解液11を半導体層4に浸透させつつ第一の電極基板2と第二の電極基板6との間で保持させ、かつ、半導体層4と封止材10との間における第一の電極基板2と第二の電極基板6との離間寸法を拡大させる空間拡大壁部15を形成し封止材10に電解液11と接触しない非接触部Nを形成する電解質延伸工程と、(V)光電極5と対向電極8とを封止する封止工程とを備えている。
以下、各工程について説明する。
<光電極5及び対向電極8の準備>
図4に示すように、電解質配置工程の前に、まず、ロール状に巻回しておいた樹脂基材P1を一方向(矢印L方向)に引き出し、その一方の板面に導電膜3を成膜して第一の電極基板2とし、導電膜3の表面に半導体層4を形成し色素を担持させ光電極5とする。半導体層4への色素の担持は、例えば、スプレー塗布により行うことができる。なお、予め、樹脂基材P1の一方の板面に導電膜3が形成されたロール状の樹脂基材を使用しても良い。
また、ロール状に巻回しておいた樹脂基材P2を、例えば第一の電極基板2の上方で一方向と反対の方向に引き出し、その一方の板面に導電膜7を成膜して対向電極8とする。その後、対向電極8の板面を反転させて導電膜7を導電膜3に対向させ、光電極5と同方向に延設させる。
(I)<電解質配置工程>
図2に示すように、電解質配置工程では、引き出された光電極5の半導体層4の表面に電解液11を滴下する。この際、電解液11の総容量は、半導体層4の表面を十分に覆うとともに太陽電池1Aの内部空間Sの容積よりも小さいようにしておく。
(II)封止材配置工程
図3,図4に示すように、封止材配置工程では、半導体層4の外端から間隔を置いた外端部2p,2pの位置で半導体層4を間に挟んで封止材10を配置する。この際、封止材10は、集電を行う端部において、断面積の大きい配線20を配置した後に配線20上に配置し、封止材10内に配線20を埋設させてもよい。
なお、電解質配置工程と封止材配置工程とは、いずれを先に行ってもよい。
(III)積層工程
積層工程では、図4に示すように光電極5と対向電極8とをローラーR,Rで重なり合うように導き、半導体層4と導電膜7とを対向させて光電極5と対向電極8とを積層する。
(IV)<電解質延伸工程>
電解質延伸工程は、前記した積層工程と略同時に行われる。具体的には、積層工程で互いに重なり合うように導かれた光電極5と対向電極8とを重なり合せるのと同時に、図5に示すように第一の電極基板2の外側の表面2bと第二の電極基板6の外側の表面6bとの双方からローラーR,Rにより加圧する。ここで、ローラーRとしては、例えばその表層部R1が弾性変形可能なゴム等の材料により形成され、所定の圧以上の加圧力で弾性変形し、所定の圧以下の加圧力で弾性復帰し得るものを用いる。
そうすると、封止材10は所定の厚さ(鉛直方向の高さ)寸法をもっておりほとんど弾性変形しないため、ローラーR,Rの表層部R1に所定の圧以上の加圧力が掛かって表層部R1が弾性変形する。よって封止材10が配置された外端部2p,6pにおいて、封止材10の厚さ寸法をほぼ維持して第一の電極基板2と第二の電極基板6とを平行に延在させる。
一方、封止材10の内側においては、樹脂基材P1,P2が可撓性を有するため、第一の電極基板2と第二の電極基板6とがローラーR,R間を進行する過程でローラーR,Rに相対的に所定の圧以下の加圧力が掛かる。よって、ローラーR,Rの表層部R1は、第一の電極基板2と第二の電極基板6とを互いに接近する方向に変形(すなわち傾斜)させ空間拡大壁部15を形成する。その結果、第一の電極基板2及び第二の電極基板6には、図5に示したように、封止材10の近傍で互いに拡開する傾斜面15a,15aを有した空間拡大壁部15,15が形成され、この空間拡大壁部15,15により内部空間Sが拡大された拡大空間Eが形成される。そして更に、図1に示すように領域X1では、半導体層4の厚さよりも僅かに大きい離間距離L1をもって第一の電極基板2と第二の電極基板6とを平行に延在させる。
またこの際、図4に示すように所定の間隔で滴下された電解液11は、光電極5及び対向電極8がローラーR,R間を進行するにしたがって漸次進行方向に延伸され、半導体層4の表面及び近傍で表面張力をもって空気を排除しながら第一の電極基板2と第二の電極基板6とに密着しつつ半導体層4の全体に塗工される。
また、電解液11は、第一の電極基板2と第二の電極基板6と封止材10とにより形成される内部空間S及び半導体層4内に形成された空隙の容積よりも少ない総容量で滴下される。よって、引き伸ばされた電解液11は、空間拡大壁部15により形成された拡大空間Eの途中で延伸が止まり、拡大空間E内にほとんど侵入することなく半導体層4の近傍にとどまる。その結果、封止材10と電解液11とが分離し、封止材10に電解液11が接触しない非接触部N(図1参照)が形成される。
(V)<封止工程>
電解質延伸工程の後、封止工程では、封止材10が配置された箇所を加熱することにより光電極5と対向電極8とを貼着させ、かつ、図4に示すように、光電極5と対向電極8との搬送方向(矢印L1方向)に交叉する方向において超音波溶着装置50により貼着されて図1に示す太陽電池1Aを得る。
以上のように、図1に示す太陽電池1Aによれば、電解液11を拡大空間E内の領域X1において第一の電極基板2と第二の電極基板6との間に密着させ流動しないように保持させるとともに、封止材10に電解液11の非接触部Nを形成するように可及的に分離させて配している。したがって、電解液11が封止材10を劣化させることを可及的に抑制し、それにより高い性能を長期にわたり維持可能な太陽電池1Aを提供することができるという効果が得られる。
また、従来の太陽電池は、樹脂基材P1,P2が平坦な板状材により形成されていたため、電解液11による電子の輸送抵抗が増大し得ることを考慮して、樹脂基材P1,P2間の間隔が数十ミクロン以下に抑制されていた。すなわち、樹脂基材P1,P2間の間隔を広げると電池の性能が大幅に低下する問題があったため、従来は、樹脂基材P1、P2間の距離を30μm程度とするのが限界となっていた。したがって、樹脂基材P1,P2間に挿入される配線部材等も樹脂基材P1,P2間の距離に収まる範囲に制限されていた。
これに対し、太陽電池1Aによれば、図1に示すように電解液11が配される領域X1を可及的に薄型に形成しつつも、封止材10が配される外端部2p,6p間の離間距離L2は、領域X1における第一の電極基板2と第二の電極基板6との間の距離L1の20倍以上大きく採ることができ(ただし、図1は模式図であるためL2の距離はL1の距離の20倍以上となるよう表示されていない)、この封止材10内もしくは封止材10に隣接する拡大空間Eに断面積が大きい集電用の配線20を配することができる。したがって、配線20の抵抗を低減した高品質の太陽電池1Aとすることができるという効果が得られる。
また、配線20の断面形状が細長く形成され、第一の電極基板2と第二の電極基板6との間方向に厚く、これに交叉する方向(封止材10,10同士の間方向)に薄くなるように配設されている。したがって、封止材10内に埋設されやすく、かつ、半導体層4における発電有効面積となる積を可及的に広く取ることができ光電変化効率を可及的に高めることができるという効果が得られる。
また、封止材10の厚さ(鉛直方向の高さ)を可及的に大きくしつつもその厚さを200μm以下とすることにより、封止材10の周辺にデッドスペースが多くなることによる半導体層4における発電有効面積の低下を招くことを防止できるという効果が得られる。
また、太陽電池1Aは、導電膜3と導電膜7とが近接している部分においては導電性の低い半導体層4が介在し、それ以外の部分では、第一の電極基板2と第二の電極基板6とが互いに離間する方向に反り返って漸次離間する方向に形成されている。したがって、導電膜3と導電膜7との間に不織布等からなるセパレータを介装させなくても短絡の可能性が低い太陽電池1Aとすることができるという効果が得られる。
また、セパレータに要するコスト及びセパレータを介装させる工程を割愛した低コストな太陽電池1Aとすることができるという効果が得られる。なお、セパレータは光電極5と対向電極8との間に介装されていても構わない。
また、内部空間S内に充填する電解液11を最小限とすることができるため、製造コストを抑えた太陽電池1Aを提供することができるという効果が得られる。
また、上記実施形態の本発明の太陽電池1Aの製造方法は、図4に示すように、光電極5と対向電極8との間を封止する前に半導体層4に電解液11を滴下し、その後光電極5と対向電極8とを貼り合せる構成となっている。また、その際に使用する電解液11は内部空間Sから溢れない。したがって、太陽電池1Aの製造において、貼着させた光電極5と対向電極8とを真空雰囲気下に置く必要がなく、また光電極5と対向電極8とを貼り合せた状態で電解液11に浸すことがないため、太陽電池1Aの外表面の電解液11を拭き取る作業を割愛することができる。したがって、高価な真空設備を用いることなく、製造工程を簡略にして太陽電池1Aを製造することができるという効果が得られる。
更に、上記実施形態の太陽電池1Aの製造方法によれば、光電極5と対向電極8とをローラーR,Rで加圧しながら、積層工程、電解液延伸工程を同時に行うことができる。
また更に、この方法は、各製造工程を一方向に送出しながら、封止材10,10・・により長手方向(矢印L方向)に延在する外端部2p,6pを接着し、封止材10に交叉する方向の封止を、太陽電池1Aの先端から任意の位置で超音波溶着等することにより封止及び切断することができる。すなわち、光電極5及び対向電極8を帯状に形成してその長手方向に搬送しながら太陽電池1Aを製造するいわゆるRoll to Roll製造を利用して、光電極5と対向電極8との貼り合せ位置を考慮することなく、極めて簡便、効率的かつスピーディに太陽電池1Aを製造することができるという有利な効果が得られる。
なお、上記実施形態において、太陽電池1Aは、第一の電極基板2及び第二の電極基板6共に可撓性を有する樹脂基材P1,P2を用いた構成としたが、本発明はこの実施形態の構成に限定されるものではない。すなわち、図6に示すように、第一の電極基板2と第二の電極基板6のいずれか一方にのみ可撓性を有する樹脂基材を適用しても、拡大空間Eと封止材10に非接触部Nを形成することができる。したがって、上記と略同様の作用、機能及び効果が得られる。
なお、上記実施形態及びその変形例において、半導体層4は、封止材10に接触しないように成膜された構成となっているが、本発明はこのような構成に限定されるものではない。すなわち、電解液11が拡大空間Eを介して封止材10と間隔を空けて配されている限り、半導体層4は封止材10に接するように配されていてもよい。
また、上記実施形態において、配線20は封止材10に埋設された構成となっているが、この配線20は、拡大空間E内に配されていてもよい。配線20を拡大空間E内に配設する場合にも、配線20の厚みを第一の電極基板2と第二の電極基板6との間の方向に厚くして配線20の抵抗を低減するとともに、封止材10,10間方向を薄くして細線化することにより、半導体層4の発電有効面積(すなわち半導体層4を平面視した際の表面積)を可及的に大きくすることができるという効果が得られる。
また、上記実施形態において、光電極5と対向電極8との間に電解液11を配した例を用いて本発明を説明したが、本発明は、ゲル状又は固体状の電解質を用いても好適に実施することができる。なお、ゲル状又は固体状の電解質を用いる場合には、半導体層4にゲル状又は固体状の電解質を配し、その後光電極5と対向電極8とを積層させた後で、加熱及び加圧をしてゲル状又は固体の電解質を半導体層4内に浸透させるとよい。
また、上記実施形態においては封止材10,10が配された外端部2p,6pに交叉する外端部を超音波溶着で封止した構成とされているが、超音波溶着以外の封止方法により適宜封止するものであってもよい。
また更に、上記実施形態は、半導体層4が第一の電極基板2の幅方向に2列並べて成膜された構成を例として説明したが、本発明の構成はこのような構成に限定されるものではなく、半導体層4は、一列又は3列以上成膜されたものであってもよい。
1A 太陽電池(光電変換素子)
2 第一の電極基板
3 導電膜
4 半導体層
5 光電極
6 第二の電極基板
7 導電膜
8 対向電極
11 電解液(電解質)
15 空間拡大壁部
15a 傾斜面
E 拡大空間
L1,L2 離間寸法
N 非接触部
X1 半導体層が形成された領域

Claims (3)

  1. 光電極に備えられた第一の電極基板上の半導体層に電解質を配する電解質配置工程と、
    前記第一の電極基板の端部及び第二の電極基板の端部の少なくともいずれかに封止材を配する封止材配置工程と、
    前記光電極に第二の電極基板を備えた対向電極を積層する積層工程と、
    前記光電極と前記対向電極とを加圧し、前記電解質を前記半導体層に配しつつ前記第一の電極基板と前記第二の電極基板との間で保持させ、かつ前記封止材の近傍における前記第一の電極基板と前記第二の電極基板との離間寸法を拡大する空間拡大壁部を形成し、前記封止材に前記電解質と接触しない非接触部を形成する電解質延伸工程と、
    前記光電極と前記対向電極とを封止する封止工程と、
    を備えていることを特徴とする光電変換素子の製造方法。
  2. 前記積層工程と前記電解質延伸工程と前記封止工程とが、前記光電極と前記対向電極との加圧により同時に行われることを特徴とする請求項に記載の光電変換素子の製造方法。
  3. 前記空間拡大壁部は、前記第一の電極基板及び前記第二の電極基板の少なくとも一方に可撓性のある樹脂基材を用い、前記光電極と前記対向電極とを加圧する際に前記可撓性のある樹脂基材を変形させて形成することを特徴とする請求項又はに記載の光電変換素子の製造方法。
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