JP6350669B2 - 脆性基板の分断方法 - Google Patents

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Description

本発明は脆性基板の分断方法に関する。
特許文献1によれば、カッターを脆性基板の表面に圧接させた状態で、脆性材料基板およびカッターの少なくとも一方を閉曲線を描くように移動させて、クラックからなるスクライブラインが形成される。その後、脆性材料基板に応力を加えてクラックを脆性材料基板の裏面まで成長させて、脆性材料基板が分断される。
特開2010−173905号公報
曲線部を有するスクライブラインは、直線のみからなるスクライブラインに比して、安定的に形成することが難しい。曲線部の曲率半径が5mm以下の場合、この問題は特に顕著である。このため、曲線部を有するスクライブラインを用いる上記公報に記載の方法では、曲線部を含む形状に沿って脆性基板を安定的に分断することが困難であった。
本発明は以上のような課題を解決するためになされたものであり、その目的は、曲線部を含む形状に沿って脆性基板を安定的に分断することができる、脆性基板の分断方法を提供することである。
本発明の脆性基板の分断方法は、以下の工程を有する。
表面を有し、表面に垂直な厚さ方向を有する脆性基板が準備される。脆性基板の表面に刃先が押し付けられる。
押し付けられた刃先を脆性基板の表面上で摺動させることによって脆性基板の表面上に塑性変形を発生させることで、溝形状を有するトレンチラインが形成される。トレンチラインを形成する工程は、トレンチラインの直下において脆性基板がトレンチラインと交差する方向において連続的につながっている状態であるクラックレス状態が得られるように行なわれる。トレンチラインは曲線部を含む。
トレンチラインに沿って厚さ方向における脆性基板のクラックを伸展させることによって、クラックラインが形成される。クラックラインによってトレンチラインの直下において脆性基板はトレンチラインと交差する方向において連続的なつながりが断たれている。
本発明によれば、脆性基板が分断される形状はトレンチラインの形状によって規定される。トレンチラインは、従来のスクライブラインと異なり、曲線部を含んでいても安定的に形成することができる。よって、曲線部を含む形状に沿って脆性基板を安定的に分断することができる。
本発明の実施の形態1における脆性基板の分断方法の第1および第2工程のそれぞれを概略的に示す上面図(A)および(B)である。 本発明の実施の形態1における脆性基板の分断方法の構成を概略的に示すフロー図である。 本発明の実施の形態1における脆性基板の分断方法に用いられる器具の構成を概略的に示す側面図(A)、および、上記器具が有する刃先の構成を図3(A)の矢印IIIBの視点で概略的に示す平面図(B)である。 図1(A)と図5(A)と図6(A)と図7(A)との各々における線IVA−IVAに沿う概略的な部分端面図(A)、および、図1(B)と図5(B)と図6(B)と図7(B)との各々における線IVB−IVBに沿う概略的な部分端面図(B)である。 本発明の実施の形態2における脆性基板の分断方法の第1および第2工程のそれぞれを概略的に示す上面図(A)および(B)である。 本発明の実施の形態3における脆性基板の分断方法の第1および第2工程のそれぞれを概略的に示す上面図(A)および(B)である。 本発明の実施の形態4における脆性基板の分断方法の第1および第2工程のそれぞれを概略的に示す上面図(A)および(B)である。 本発明の実施の形態5における脆性基板の分断方法に用いられる器具の構成を概略的に示す側面図(A)、および、上記器具が有する刃先の構成を図8(A)の矢印VIIIBの視点で概略的に示す平面図(B)である。
以下、図面に基づいて本発明の実施の形態について説明する。なお、以下の図面において同一または相当する部分には同一の参照番号を付しその説明は繰返さない。
(実施の形態1)
本実施の形態の脆性基板の分断方法について、以下に説明する。
図1(A)を参照して、ガラス基板4(脆性基板)が準備される(図2:ステップS10)。ガラス基板4は、表面SFを有する。
図3(A)および(B)を参照して、刃先51およびシャンク52を有するカッティング器具50が準備される。刃先51は、そのホルダとしてのシャンク52に固定されることによって保持されている。
刃先51には、天面SD1(第1の面)と、天面SD1を取り囲む複数の面とが設けられている。これら複数の面は側面SD2(第2の面)および側面SD3(第3の面)を含む。天面SD1、側面SD2およびSD3(第1〜第3の面)は、互いに異なる方向を向いており、かつ互いに隣り合っている。刃先51は、天面SD1、側面SD2およびSD3が合流する頂点を有し、この頂点によって刃先51の突起部PPが構成されている。また側面SD2およびSD3は、刃先51の側部PSを構成する稜線をなしている。側部PSは突起部PPから線状に延びている。また側部PSは、上述したように稜線であることから、線状に延びる凸形状を有する。
刃先51はダイヤモンドポイントであることが好ましい。すなわち刃先51は、硬度および表面粗さを小さくすることができる点からダイヤモンドから作られていることが好ましい。より好ましくは刃先51は単結晶ダイヤモンドから作られている。さらに好ましくは結晶学的に言って、天面SD1は{001}面であり、側面SD2およびSD3の各々は{111}面である。この場合、側面SD2およびSD3は、異なる向きを有するものの、結晶学上、互いに等価な結晶面である。
なお単結晶でないダイヤモンドが用いられてもよく、たとえば、CVD(Chemical Vapor Deposition)法で合成された多結晶体ダイヤモンドが用いられてもよい。あるいは、微粒のグラファイトや非グラファイト状炭素から、鉄族元素などの結合材を含まずに焼結された多結晶体ダイヤモンドや、ダイヤモンド粒子を鉄族元素などの結合材によって結合させた焼結ダイヤモンドが用いられてもよい。
シャンク52は軸方向AXに沿って延在している。刃先51は、天面SD1の法線方向が軸方向AXにおおよそ沿うようにシャンク52に取り付けられることが好ましい。
再び図1(A)を参照して、次に、ガラス基板4の表面SFに始点NS(一の箇所)で刃先51が押し付けられる(図2:ステップS20)。具体的には、刃先51の突起部PPおよび側部PSが、ガラス基板4が有する厚さ方向DTへ押し付けられる。
次に、押し付けられた刃先51が、ガラス基板4の表面SFの始点NSから、方向DAへ摺動させられる。方向DAは、突起部PPから側部PSに沿って延びる方向を表面SF上に射影したものであり、軸方向AXを表面SF上へ射影した方向におおよそ対応している。この場合、刃先51はシャンク52によって表面SF上を引き摺られる。摺動する刃先51の位置NCは、曲線部を含む軌跡を描き、最終的に再び始点NSへと近づく。
上記摺動によりガラス基板4の表面SF上に塑性変形を発生させることで、溝形状を有するトレンチラインTL(図4(A))が形成される(図2:ステップS30)。刃先51の位置NCの軌跡に対応して、トレンチラインTLは曲線部を含む。曲線部は5mm以下の曲率半径を有していてもよい。
トレンチラインTLを形成する工程は、トレンチラインTLの直下においてガラス基板4がトレンチラインTLと交差する方向DCにおいて連続的につながっている状態であるクラックレス状態が得られるように行なわれる。クラックレス状態においては、塑性変形によるトレンチラインTLは形成されているものの、それに沿ったクラックは形成されていない。クラックレス状態を得るために、刃先51に加えられる荷重は、クラックが発生しない程度に小さく、かつ塑性変形が発生する程度に大きくされる。
刃先51をさらに摺動させ続けることによって、刃先51の位置NCが始点NSに戻される。これにより、始点NSを含む閉曲線をなすトレンチラインTLが形成される。なお閉曲線は曲線部に加えて直線部を含んでもよい。
図1(B)を参照して、刃先51の位置NCが始点NSに戻されることによって、トレンチラインTLに沿って方向EAへクラックラインCL(図4(B))の形成が開始される(図2:ステップS40)。クラックラインCLは、トレンチラインTLに沿って厚さ方向DTにおけるガラス基板4のクラックを伸展させることによって形成される。クラックラインCLは、トレンチラインTLのくぼみから厚さ方向DTに伸展したクラックであり、表面SF上において線状に延びている。クラックラインCLによってトレンチラインTLの直下においてガラス基板4はトレンチラインTLと交差する方向DC(図4(B))において連続的なつながりが断たれている。ここで「連続的なつながり」とは、言い換えれば、クラックによって遮られていないつながりのことである。なお、上述したように連続的なつながりが断たれている状態において、クラックラインCLのクラックを介してガラス基板4の部分同士が接触していてもよい。
トレンチラインTLに沿ってクラックが伸展する方向EAは、トレンチラインTLを形成する工程において刃先51が摺動する方向DA(図1(A))と逆である。つまりクラックラインCLの伸展のしやすさには方向依存性が存在する。この方向依存性は、トレンチラインTLの形成時にガラス基板4中に生じる内部応力の分布に起因すると推測される。
なお、前述したスクライブラインは、刃先51の摺動または転動などによってトレンチラインTLおよびクラックラインCL(図(B))が同時に形成されるものであり、クラックラインCLが形成されるタイミングが本実施の形態とは異なっている。
次にクラックラインCLに沿ってガラス基板4が分断される(図2:ステップS50)。すなわち、いわゆるブレーク工程が行なわれる。ブレーク工程は、たとえば、ガラス基板4への外力の印加によってガラス基板4をたわませることにより行ない得る。
なおクラックラインCLがその形成時に厚さ方向DTに完全に進行した場合は、クラックラインCLの形成とガラス基板4の分断とが同時に生じ得る。この場合、ブレーク工程を省略し得る。
本実施の形態によれば、ガラス基板4が分断される形状はトレンチラインTLの形状によって規定される。トレンチラインTLは、従来のスクライブラインと異なり、曲線部を含んでいても安定的に形成することができる。よって、曲線部を含む形状に沿ってガラス基板4を安定的に分断することができる。特に曲線部が5mm以下の曲率半径を有する場合、本実施の形態を適用することの効果が大きい。
(実施の形態2)
図5(A)を参照して、本実施の形態においては、ガラス基板4の表面SFに始点NS(一の箇所)で押し付けられた刃先51は、方向DAではなく方向DBへ摺動させられる。方向DBは、側部PSに沿って突起部PPへ延びる方向(図3(A)および(B)参照)を表面SF上に射影したものであり、軸方向AXを表面SF上へ射影した方向と逆方向におおよそ対応している。この場合、刃先51はシャンク52によって表面SF上を押し進められる。上記摺動によりトレンチラインTL(図4(A))が形成される。
図5(B)を参照して、刃先51の位置NCが始点NSに戻されることによって、トレンチラインTLに沿って方向EBへクラックラインCL(図4(B))の形成が開始される(図2:ステップS40)。トレンチラインTLに沿ってクラックが伸展する方向EBは、トレンチラインTLを形成する工程において刃先51が摺動する方向D(図(A))と同じである。
なお、上記以外の構成については、上述した実施の形態1の構成とほぼ同じであるため、同一または対応する要素について同一の符号を付し、その説明を繰り返さない。
本実施の形態によっても実施の形態1とほぼ同様の効果が得られる。
(実施の形態3)
図6(A)を参照して、本実施の形態においては、ガラス基板4の表面SFの始点NSに押し付けられた刃先51(図3(A)および(B))は、始点NSから離れた終点NEまで方向DAへ摺動させられる。この摺動により、曲線部を含むトレンチラインTL(図4(A))が形成される。終点NEに達した刃先51はガラス基板4の表面SFから離される。
図6(B)を参照して、トレンチラインTL上においてガラス基板4に応力を加えることによって、クラックラインCLを形成する工程が開始される。本実施の形態においては、ガラス基板4の表面SF上に、トレンチラインTLと交差するスクライブラインSLが形成される。スクライブラインSLはトレンチラインTLと交点NaおよびNbの各々で交差する。これにより、交点NaおよびNbの各々から、方向DAと逆の方向EAへクラックラインCLの形成が開始される。クラックラインCLの形成を開始させるのに十分な応力がスクライブラインSLの形成によって得られない場合、スクライブラインSLに沿ったガラス基板4の分断によって、より大きな応力加えることで、クラックラインCLの形成を開始させてもよい。また必ずしも交点NaおよびNbの両方が設けられる必要はなく、方向EAへのクラックラインCLの形成の起点として適した交点が設けられればよい。具体的には、少なくとも交点Naが設けられれば、トレンチラインTLのうちその曲線部を含む主要部に沿って、クラックラインCLを形成することができる。また応力の印加方法は、上述した方法に限定されるものではない。
なお、上記以外の構成については、上述した実施の形態1の構成とほぼ同じであるため、同一または対応する要素について同一の符号を付し、その説明を繰り返さない。
本実施の形態によっても実施の形態1とほぼ同様の効果が得られる。また本実施の形態によれば、ガラス基板4を閉曲線でない形状に沿って分断することができる。
(実施の形態4)
図7(A)を参照して、本実施の形態においては、ガラス基板4の表面SFの始点NSに押し付けられた刃先51(図3(A)および(B))は、終点NEまで方向DBへ摺動させられる。この摺動により、曲線部を含むトレンチラインTL(図4(A))が形成される。終点NEに達した刃先51はガラス基板4の表面SFから離される。
図7(B)を参照して、トレンチラインTL上においてガラス基板4に応力を加えることによって、クラックラインCLを形成する工程が開始される。本実施の形態においては、ガラス基板4の表面SF上に、トレンチラインTLと交差するスクライブラインSLが形成される。スクライブラインSLはトレンチラインTLと交点NaおよびNbの各々で交差する。これにより、交点NaおよびNbの各々から、方向DBと同じ方向EBへクラックラインCLの形成が開始される。クラックラインCLの形成を開始させるのに十分な応力がスクライブラインSLの形成によって得られない場合、スクライブラインSLに沿ったガラス基板4の分断によって、より大きな応力加えることで、クラックラインCLの形成を開始させてもよい。また必ずしも交点NaおよびNbの両方が設けられる必要はなく、方向EBへのクラックラインCLの形成の起点として適した交点が設けられればよい。具体的には、少なくとも交点Nbが設けられれば、トレンチラインTLのうちその曲線部を含む主要部に沿って、クラックラインCLを形成することができる。また応力の印加方法は、上述した方法に限定されるものではない。
なお、上記以外の構成については、上述した実施の形態2または3の構成とほぼ同じであるため、同一または対応する要素について同一の符号を付し、その説明を繰り返さない。
本実施の形態によっても実施の形態3とほぼ同様の効果が得られる。
(実施の形態5)
図8(A)および(B)を参照して、上記各実施の形態において、刃先51(図3(A)および(B))に代わり、刃先51vが用いられてもよい。刃先51vは、頂点と、円錐面SCとを有する円錐形状を有する。刃先51vの突起部PPvは頂点で構成されている。刃先の側部PSvは頂点から円錐面SC上に延びる仮想線(図8(B)における破線)に沿って構成されている。これにより側部PSvは、線状に延びる凸形状を有する。
上記各実施の形態においては脆性基板としてガラス基板が用いられるが、脆性基板はガラス基板に限定されるものではなく、脆性材料から作られた基板であればよい。ガラス以外の脆性材料としては、たとえば、セラミックス、シリコン、化合物半導体、サファイア、または石英がある。
本発明は、その発明の範囲内において、各実施の形態を自由に組み合わせたり、各実施の形態を適宜、変形、省略することが可能である。
4 ガラス基板(脆性基板)
51,51v 刃先
CL クラックライン
SF 表面
SL スクライブライン
TL トレンチライン

Claims (5)

  1. 表面を有し、前記表面に垂直な厚さ方向を有する脆性基板を準備する工程と、
    前記脆性基板の前記表面に刃先を押し付ける工程と、
    前記押し付ける工程によって押し付けられた前記刃先を前記脆性基板の前記表面上で摺動させることによって前記脆性基板の前記表面上に塑性変形を発生させることで、溝形状を有するトレンチラインを形成する工程とを備え、前記トレンチラインを形成する工程は、前記トレンチラインの直下において前記脆性基板が前記トレンチラインと交差する方向において連続的につながっている状態であるクラックレス状態が得られるように行なわれ、前記トレンチラインは曲線部を含み、さらに
    前記トレンチラインに沿って前記厚さ方向における前記脆性基板のクラックを伸展させることによって、クラックラインを形成する工程を備え、前記クラックラインによって前記トレンチラインの直下において前記脆性基板は前記トレンチラインと交差する方向において連続的なつながりが断たれている、脆性基板の分断方法。
  2. 前記トレンチラインを形成する工程は、前記刃先が前記脆性基板の前記表面の一の箇所上を摺動する工程と、前記刃先をさらに摺動させ続けることによって前記刃先を前記一の箇所に戻す工程とを含み、
    前記クラックラインを形成する工程は、前記刃先が前記一の箇所に戻ることによって開始される、請求項1に記載の脆性基板の分断方法。
  3. 前記トレンチラインを形成する工程の後、かつ前記クラックラインを形成する工程の前に、前記脆性基板の前記表面から前記刃先を離す工程をさらに備え、
    前記クラックラインを形成する工程は、前記トレンチライン上において前記脆性基板に応力を加えることによって開始される、請求項1に記載の脆性基板の分断方法。
  4. 前記クラックラインを形成する工程において前記トレンチラインに沿ってクラックが伸展する方向は、前記トレンチラインを形成する工程において前記刃先が摺動する方向と逆である、請求項1から3のいずれか1項に記載の脆性基板の分断方法。
  5. 前記クラックラインを形成する工程において前記トレンチラインに沿ってクラックが伸展する方向は、前記トレンチラインを形成する工程において前記刃先が摺動する方向と同じである、請求項1から3のいずれか1項に記載の脆性基板の分断方法。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6589358B2 (ja) * 2015-04-30 2019-10-16 三星ダイヤモンド工業株式会社 脆性材料基板の分断方法
KR102167941B1 (ko) * 2016-05-25 2020-10-20 미쓰보시 다이야몬도 고교 가부시키가이샤 취성 기판의 분단 방법
JP6760641B2 (ja) * 2016-06-29 2020-09-23 三星ダイヤモンド工業株式会社 脆性基板の分断方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0791078B2 (ja) * 1988-09-27 1995-10-04 日本板硝子株式会社 ガラス板の切抜き方法
TWI226877B (en) * 2001-07-12 2005-01-21 Mitsuboshi Diamond Ind Co Ltd Method of manufacturing adhered brittle material substrates and method of separating adhered brittle material substrates
JP4843180B2 (ja) * 2002-12-12 2011-12-21 三星ダイヤモンド工業株式会社 チップホルダー、スクライブヘッドおよびスクライブ装置ならびにスクライブ方法
JP4256724B2 (ja) * 2003-06-05 2009-04-22 三星ダイヤモンド工業株式会社 脆性材料基板のスクライブ方法及びその装置
WO2009050938A1 (ja) * 2007-10-16 2009-04-23 Mitsuboshi Diamond Industrial Co., Ltd. 脆性材料基板のu字状溝加工方法およびこれを用いた除去加工方法およびくり抜き加工方法および面取り方法
JP4836150B2 (ja) * 2008-11-26 2011-12-14 株式会社日本製鋼所 カッターホイール
JP2010126383A (ja) * 2008-11-26 2010-06-10 Joyo Kogaku Kk ガラス切断用カッターホイール
TWI494284B (zh) * 2010-03-19 2015-08-01 Corning Inc 強化玻璃之機械劃割及分離
JP5244202B2 (ja) * 2011-01-27 2013-07-24 三星ダイヤモンド工業株式会社 脆性材料基板のスクライブ方法
KR20150014458A (ko) * 2012-04-24 2015-02-06 가부시키가이샤 토쿄 세이미쯔 다이싱 블레이드

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