JP6350669B2 - 脆性基板の分断方法 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 77
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 33
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 27
- 206010011376 Crepitations Diseases 0.000 claims description 5
- 208000037656 Respiratory Sounds Diseases 0.000 claims description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 33
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 12
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical group [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000002050 diffraction method Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
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- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
- B28D5/0005—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by breaking, e.g. dicing
- B28D5/0011—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by breaking, e.g. dicing with preliminary treatment, e.g. weakening by scoring
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B28—WORKING CEMENT, CLAY, OR STONE
- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B28D—WORKING STONE OR STONE-LIKE MATERIALS
- B28D5/00—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor
- B28D5/0005—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by breaking, e.g. dicing
- B28D5/0017—Fine working of gems, jewels, crystals, e.g. of semiconductor material; apparatus or devices therefor by breaking, e.g. dicing using moving tools
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B33/00—Severing cooled glass
- C03B33/02—Cutting or splitting sheet glass or ribbons; Apparatus or machines therefor
- C03B33/04—Cutting or splitting in curves, especially for making spectacle lenses
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/76—Making of isolation regions between components
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
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Description
本実施の形態の脆性基板の分断方法について、以下に説明する。
図5(A)を参照して、本実施の形態においては、ガラス基板4の表面SFに始点NS(一の箇所)で押し付けられた刃先51は、方向DAではなく方向DBへ摺動させられる。方向DBは、側部PSに沿って突起部PPへ延びる方向(図3(A)および(B)参照)を表面SF上に射影したものであり、軸方向AXを表面SF上へ射影した方向と逆方向におおよそ対応している。この場合、刃先51はシャンク52によって表面SF上を押し進められる。上記摺動によりトレンチラインTL(図4(A))が形成される。
図6(A)を参照して、本実施の形態においては、ガラス基板4の表面SFの始点NSに押し付けられた刃先51(図3(A)および(B))は、始点NSから離れた終点NEまで方向DAへ摺動させられる。この摺動により、曲線部を含むトレンチラインTL(図4(A))が形成される。終点NEに達した刃先51はガラス基板4の表面SFから離される。
図7(A)を参照して、本実施の形態においては、ガラス基板4の表面SFの始点NSに押し付けられた刃先51(図3(A)および(B))は、終点NEまで方向DBへ摺動させられる。この摺動により、曲線部を含むトレンチラインTL(図4(A))が形成される。終点NEに達した刃先51はガラス基板4の表面SFから離される。
図8(A)および(B)を参照して、上記各実施の形態において、刃先51(図3(A)および(B))に代わり、刃先51vが用いられてもよい。刃先51vは、頂点と、円錐面SCとを有する円錐形状を有する。刃先51vの突起部PPvは頂点で構成されている。刃先の側部PSvは頂点から円錐面SC上に延びる仮想線(図8(B)における破線)に沿って構成されている。これにより側部PSvは、線状に延びる凸形状を有する。
51,51v 刃先
CL クラックライン
SF 表面
SL スクライブライン
TL トレンチライン
Claims (5)
- 表面を有し、前記表面に垂直な厚さ方向を有する脆性基板を準備する工程と、
前記脆性基板の前記表面に刃先を押し付ける工程と、
前記押し付ける工程によって押し付けられた前記刃先を前記脆性基板の前記表面上で摺動させることによって前記脆性基板の前記表面上に塑性変形を発生させることで、溝形状を有するトレンチラインを形成する工程とを備え、前記トレンチラインを形成する工程は、前記トレンチラインの直下において前記脆性基板が前記トレンチラインと交差する方向において連続的につながっている状態であるクラックレス状態が得られるように行なわれ、前記トレンチラインは曲線部を含み、さらに
前記トレンチラインに沿って前記厚さ方向における前記脆性基板のクラックを伸展させることによって、クラックラインを形成する工程を備え、前記クラックラインによって前記トレンチラインの直下において前記脆性基板は前記トレンチラインと交差する方向において連続的なつながりが断たれている、脆性基板の分断方法。 - 前記トレンチラインを形成する工程は、前記刃先が前記脆性基板の前記表面の一の箇所上を摺動する工程と、前記刃先をさらに摺動させ続けることによって前記刃先を前記一の箇所に戻す工程とを含み、
前記クラックラインを形成する工程は、前記刃先が前記一の箇所に戻ることによって開始される、請求項1に記載の脆性基板の分断方法。 - 前記トレンチラインを形成する工程の後、かつ前記クラックラインを形成する工程の前に、前記脆性基板の前記表面から前記刃先を離す工程をさらに備え、
前記クラックラインを形成する工程は、前記トレンチライン上において前記脆性基板に応力を加えることによって開始される、請求項1に記載の脆性基板の分断方法。 - 前記クラックラインを形成する工程において前記トレンチラインに沿ってクラックが伸展する方向は、前記トレンチラインを形成する工程において前記刃先が摺動する方向と逆である、請求項1から3のいずれか1項に記載の脆性基板の分断方法。
- 前記クラックラインを形成する工程において前記トレンチラインに沿ってクラックが伸展する方向は、前記トレンチラインを形成する工程において前記刃先が摺動する方向と同じである、請求項1から3のいずれか1項に記載の脆性基板の分断方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014194717 | 2014-09-25 | ||
JP2014194717 | 2014-09-25 | ||
PCT/JP2015/073100 WO2016047317A1 (ja) | 2014-09-25 | 2015-08-18 | 脆性基板の分断方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2016047317A1 JPWO2016047317A1 (ja) | 2017-06-29 |
JP6350669B2 true JP6350669B2 (ja) | 2018-07-04 |
Family
ID=55580848
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016550035A Expired - Fee Related JP6350669B2 (ja) | 2014-09-25 | 2015-08-18 | 脆性基板の分断方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP3199499A4 (ja) |
JP (1) | JP6350669B2 (ja) |
KR (1) | KR101901631B1 (ja) |
CN (1) | CN106795035B (ja) |
TW (1) | TWI657059B (ja) |
WO (1) | WO2016047317A1 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6589358B2 (ja) * | 2015-04-30 | 2019-10-16 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | 脆性材料基板の分断方法 |
KR102167941B1 (ko) * | 2016-05-25 | 2020-10-20 | 미쓰보시 다이야몬도 고교 가부시키가이샤 | 취성 기판의 분단 방법 |
JP6760641B2 (ja) * | 2016-06-29 | 2020-09-23 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | 脆性基板の分断方法 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0791078B2 (ja) * | 1988-09-27 | 1995-10-04 | 日本板硝子株式会社 | ガラス板の切抜き方法 |
TWI226877B (en) * | 2001-07-12 | 2005-01-21 | Mitsuboshi Diamond Ind Co Ltd | Method of manufacturing adhered brittle material substrates and method of separating adhered brittle material substrates |
JP4843180B2 (ja) * | 2002-12-12 | 2011-12-21 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | チップホルダー、スクライブヘッドおよびスクライブ装置ならびにスクライブ方法 |
JP4256724B2 (ja) * | 2003-06-05 | 2009-04-22 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | 脆性材料基板のスクライブ方法及びその装置 |
WO2009050938A1 (ja) * | 2007-10-16 | 2009-04-23 | Mitsuboshi Diamond Industrial Co., Ltd. | 脆性材料基板のu字状溝加工方法およびこれを用いた除去加工方法およびくり抜き加工方法および面取り方法 |
JP4836150B2 (ja) * | 2008-11-26 | 2011-12-14 | 株式会社日本製鋼所 | カッターホイール |
JP2010126383A (ja) * | 2008-11-26 | 2010-06-10 | Joyo Kogaku Kk | ガラス切断用カッターホイール |
TWI494284B (zh) * | 2010-03-19 | 2015-08-01 | Corning Inc | 強化玻璃之機械劃割及分離 |
JP5244202B2 (ja) * | 2011-01-27 | 2013-07-24 | 三星ダイヤモンド工業株式会社 | 脆性材料基板のスクライブ方法 |
KR20150014458A (ko) * | 2012-04-24 | 2015-02-06 | 가부시키가이샤 토쿄 세이미쯔 | 다이싱 블레이드 |
-
2015
- 2015-08-18 EP EP15843968.7A patent/EP3199499A4/en not_active Withdrawn
- 2015-08-18 WO PCT/JP2015/073100 patent/WO2016047317A1/ja active Application Filing
- 2015-08-18 KR KR1020177009531A patent/KR101901631B1/ko active IP Right Grant
- 2015-08-18 JP JP2016550035A patent/JP6350669B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2015-08-18 CN CN201580051762.7A patent/CN106795035B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2015-08-28 TW TW104128494A patent/TWI657059B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPWO2016047317A1 (ja) | 2017-06-29 |
TWI657059B (zh) | 2019-04-21 |
EP3199499A1 (en) | 2017-08-02 |
CN106795035A (zh) | 2017-05-31 |
KR101901631B1 (ko) | 2018-09-27 |
TW201615580A (zh) | 2016-05-01 |
CN106795035B (zh) | 2019-08-27 |
KR20170051511A (ko) | 2017-05-11 |
WO2016047317A1 (ja) | 2016-03-31 |
EP3199499A4 (en) | 2018-06-06 |
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Legal Events
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A621 | Written request for application examination |
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