JP6336688B1 - 電子モジュール - Google Patents

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Abstract

電子モジュールは、第一絶縁性基板６１と、前記第一絶縁性基板６１に第一導体層２１を介して設けられた第一電子素子４１とを有する第一電子ユニット５１と、第二絶縁性基板６２と、前記第二絶縁性基板６２に第二導体層２２を介して設けられた第二電子素子４２とを有する第二電子ユニット５２と、前記第一電子ユニット５１と前記第二電子ユニット５２との間に設けられた接続体２９と、前記接続体２９に巻き付けられたコイル７０と、を有する。

Description

本発明は、電子モジュールに関する。
従来から、トランスファーパワーモジュールといった電子モジュールは内蔵された電子素子等を冷却するために、電子モジュールの裏面に銅等からなる放熱板（放熱層）が設けられている（例えば特開２０１５−２１１５２４号参照）。このように放熱層が設けられると、導体層、絶縁性基板及び放熱層によってコンデンサとしての役割を果たすことがある（コンデンサ機能が形成されることがある）。このようにコンデンサ機能が形成されると、電子モジュール内の電子素子に起因するノイズが放熱層を介して電子モジュールの外部に放出されることがある。
このような点に鑑み、本発明は、ノイズを低減できる電子モジュールを提供する。
本発明の一態様による電子モジュールは、
第一絶縁性基板と、前記第一絶縁性基板に第一導体層を介して設けられた第一電子素子とを有する第一電子ユニットと、
第二絶縁性基板と、前記第二絶縁性基板に第二導体層を介して設けられた第二電子素子とを有する第二電子ユニットと、
前記第一電子ユニットと前記第二電子ユニットとの間に設けられた接続体と、
前記接続体に巻き付けられたコイルと、
を備えてもよい。
本発明の一態様による電子モジュールにおいて、
前記第一電子素子又は前記第二電子素子はスイッチング素子を有してもよい。
本発明の一態様による電子モジュールにおいて、
前記接続体は円柱形状となっていてもよい。
本発明の一態様による電子モジュールにおいて、
前記第一電子素子がスイッチング素子を有し、前記第二電子素子がスイッチング素子を有さない場合には、前記第二絶縁性基板側に冷却体が設けられ、前記第一絶縁性基板側に前記冷却体は設けられず、
前記第二電子素子がスイッチング素子を有し、前記第一電子素子がスイッチング素子を有さない場合には、前記第一絶縁性基板側に前記冷却体が設けられ、前記第二絶縁性基板側に前記冷却体は設けられなくてもよい。
本発明の一態様による電子モジュールは、
前記接続体及び前記コイルを固定した樹脂基板部をさらに備えてもよい。
本発明の一態様による電子モジュールにおいて、
前記樹脂基板部に、前記第一電子素子又は前記第二電子素子を制御する制御部が設けられてもよい。
本発明の一態様による電子モジュールにおいて、
前記コイルの巻き付けられた前記接続体は、前記第一絶縁性基板と前記第二絶縁性基板との間に設けられ、
前記第一電子素子及び前記第二電子素子と前記コイルとは電気的に接続されていなくてもよい。
本発明の一態様による電子モジュールにおいて、
前記コイルの巻き付けられた前記接続体は、前記第一電子素子又は前記第一導体層と前記第二電子素子又は前記第二導体層との間に設けられ、
前記第一電子素子及び前記第二電子素子と前記コイルとは電気的に接続されてもよい。
本発明では、接続体に巻き付けられたコイルが内蔵されている。このため、電子素子に起因するノイズの生成を抑制できる。
図１は、本発明の実施の形態による電子モジュールの縦断面図である。 図２は、本発明の実施の形態の別の態様による電子モジュールの縦断面図である。 図３は、本発明の実施の形態のさらに別の態様による電子モジュールの縦断面図である。 図４は、本発明の実施の形態において、樹脂基板部を採用した態様による電子モジュールの縦断面図である。 図５は、本発明の実施の形態で用いられうる態様の変形例（変形例１）を説明するための縦断面図である。 図６は、本発明の実施の形態で用いられうる態様の別の変形例（変形例２及び３）を説明するための縦断面図である。 図７は、本発明の実施の形態による電子モジュールで形成されうる疑似的なコンデンサを示した縦断面図である。 図８は、電子素子とコイルとが電気的に接続されていない態様において、本発明の実施の形態による電子モジュールで形成されうる疑似的なコンデンサを示した回路図である。 図９は、電子素子とコイルとが電気的に接続されている態様において、本発明の実施の形態による電子モジュールで形成されうる疑似的なコンデンサを示した回路図である。 図１０は、本発明の実施の形態で採用されうる樹脂基板部を示した平面図である。 図１１は、本発明の実施の形態において、放熱層パターンを採用した態様による電子モジュールの縦断面図である。
実施の形態
《構成》
図１に示すように、本実施の形態の電子モジュールは、電子素子４０が積層されて配置されており、スタック構造となっている。より具体的には、図１に示すように、電子モジュールは、第一電子ユニット５１と、第二電子ユニット５２と、第一電子ユニット５１と第二電子ユニット５２との間に設けられた接続柱等からなる接続体２９と、接続体２９に巻き付けられたコイル７０と、を有してもよい。
本実施の形態では、電子モジュールの一例としては半導体モジュールを挙げることができ、電子素子４０の一例として半導体素子を挙げることができる。しかしながら、これに限られるものではなく、必ずしも「半導体」を用いる必要はない。
また、絶縁性基板６０、導体層２０及び電子素子４０は封止樹脂等からなる封止部９０で覆われてもよい。図１に示すように、封止部９０の裏面は絶縁性基板６０の裏面と同じ高さ位置となっていてもよい。図１では、放熱層１０が絶縁性基板６０の裏面に設けられ、放熱層１０が封止部９０の裏面から突出している態様となっているが、これに限られることはなく、絶縁性基板６０が封止部９０内に埋設され、放熱層１０の裏面が封止部９０の裏面と同じ高さ位置となっていてもよい。なお、放熱層１０は、ヒートシンク等の冷却体１００に設けられてもよい。
電子素子４０はスイッチング素子を含んでもよい。スイッチング素子としては、例えば、ＭＯＳＦＥＴ等のＦＥＴ、バイポーラトランジスタ、ＩＧＢＴ等を挙げることができ、典型例を挙げるとするとＭＯＳＦＥＴを挙げることができる。
第一電子ユニット５１は、第一絶縁性基板６１と、第一絶縁性基板６１の一方側（図１の上側）に設けられた第一導体層２１と、第一導体層２１の一方側に設けられた第一電子素子４１と、を有してもよい。第二電子ユニット５２は、第二導体層２２と、第二導体層２２に設けられた第二電子素子４２と、を有してもよい。第二電子ユニット５２は、第二電子素子４２の他方側（図１参照、図１の下側）又は一方側（図２参照、図２の上側）に設けられた第二絶縁性基板６２を有してもよい。第二電子ユニット５２でも、第一電子ユニット５１と同様、第二絶縁性基板６２に第二導体層２２が設けられ、第二導体層２２に第二電子素子４２が設けられてもよい。図１に示す態様では、第二電子ユニット５２は、第二絶縁性基板６２と、第二絶縁性基板６２の一方側に設けられた第二導体層２２と、第二導体層２２の一方側に設けられた第二電子素子４２と、を有している。図２に示す態様では、第二電子ユニット５２は、第二絶縁性基板６２と、第二絶縁性基板６２の他方側に設けられた第二導体層２２と、第二導体層２２の他方側に設けられた第二電子素子４２と、を有している。
第一電子ユニット５１は、第一絶縁性基板６１の他方側（図１の下側）に設けられた第一放熱層１１を有してもよい。第二電子ユニット５２は、第二絶縁性基板６２の一方側（図２の上側）に設けられた第二放熱層１２を有してもよい。また、図３に示すように、第一電子ユニット５１は、第一絶縁性基板６１の他方側（図３の下側）に設けられた第一放熱層１１を有し、かつ、第二電子ユニット５２は、第二絶縁性基板６２の一方側（図３の上側）に設けられた第二放熱層１２を有してもよい。
第一電子素子４１及び第二電子素子４２はスイッチング素子及び／又はスイッチング素子を制御する制御素子を有してもよい。また、第一電子素子４１及び第二電子素子４２の一方はスイッチング素子のみを有し、第一電子素子４１及び第二電子素子４２の他方は制御素子のみを有してもよい。
第一電子素子４１及び第二電子素子４２の一方がスイッチング素子を有し、第一電子素子４１及び第二電子素子４２の他方がスイッチング素子を有さない場合には、他方の電子素子４０に対応して放熱層１０が設けられ、当該放熱層１０に対して冷却体１００が接触するが、一方の電子素子４０に対応した放熱層１０は設けられず、一方の電子素子４０に対応した場所には冷却体が設けられなくてもよい。例えば、第一電子素子４１がスイッチング素子を有さず第二電子素子４２がスイッチング素子を有する場合には、第二放熱層１２は設けられず、第一放熱層１１だけが設けられ、第一放熱層１１だけが冷却体１００に当接されてもよい（図１参照）。第一電子素子４１がスイッチング素子を有し第二電子素子４２がスイッチング素子を有さない場合には、第一放熱層１１は設けられず、第二放熱層１２だけが設けられ、第二放熱層１２だけが冷却体１００に当接されてもよい（図２参照）。なお、この態様において、コイル７０が設けられていなくてもよい。
図１０に示すように、接続体２９は円柱形状となっていてもよい。図１乃至図４に示すように接続体２９は一つであってもよいし、図５及び図６に示すように接続体２９は複数あってもよい。また、複数の接続体２９の各々にコイル７０が巻き付けられてもよいし、複数の接続体２９のうちの一部にコイル７０が巻き付けられてもよい。図５に示す態様では、左側の接続体２９にはコイル７０が巻き付けられているが、右側の接続体２９にはコイル７０が巻き付けられていない。
第一絶縁性基板６１には複数の第一電子素子４１が設けられてもよい。また、第二絶縁性基板６２には複数の第二電子素子４２が設けられてもよい。複数の第一電子素子４１及び／又は複数の第二電子素子４２の各々がスイッチング素子であってもよい。
図１乃至図４に示すように、コイル７０の巻き付けられた接続体２９は第一絶縁性基板６１と第二絶縁性基板６２との間に設けられてもよい。この場合には、第一電子素子４１及び第二電子素子４２とコイル７０とは電気的に接続されていなくてもよく、例えば図８に示すように、コイル７０を含む回路が疑似的なコンデンサ（基板の浮遊容量）を介して仮想的に並列に配置されるようになってもよい（図７も参照）。なお、接続体２９は第一絶縁性基板６１の面方向の中心部と第二絶縁性基板６２の面方向の中心部とを連結するようにして設けられてもよい。
このような態様に限ることはなく、図９に示すように、第一電子素子４１及び／又は第二電子素子４２とコイル７０とは電気的に接続されていてもよい。図９では、一つの一対の電子素子４０（例えば第一電子素子４１及び第二電子素子４２）の間にコイル７０が設けられる態様が示されている。
コイル７０が第一電子素子４１及び／又は第二電子素子４２と電気的に接続されている場合には、コイル７０の巻き付けられた接続体２９は導体層２０の間に設けられてもよい。具体的には、図６の右側で示すように、第一導体層２１と第二導体層２２との間に接続体２９が設けられ、この接続体２９にコイル７０が巻き付けられてもよい。
コイル７０が第一電子素子４１及び／又は第二電子素子４２と電気的に接続されている場合には、コイル７０の巻き付けられた接続体２９は電子素子４０と導体層２０との間に設けられてもよい。具体的には、図５の左側で示すように、第一電子素子４１と第二導体層２２との間に接続体２９が設けられ、この接続体２９にコイル７０が巻き付けられてもよい。また、第二電子素子４２と第一導体層２１との間に接続体２９が設けられ、この接続体２９にコイル７０が巻き付けられてもよい。なお、図６に示すような態様であっても、コイル７０の巻き付けられた接続体２９は電子素子４０と導体層２０との間に設けられてもよい（図６の右側において破線で示した第一電子素子４１参照）。
コイル７０が第一電子素子４１及び／又は第二電子素子４２と電気的に接続されている場合には、コイル７０の巻き付けられた接続体２９は電子素子４０の間に設けられてもよい。具体的には、図６の左側で示すように、第一電子素子４１と第二電子素子４２との間に接続体２９が設けられ、この接続体２９にコイル７０が巻き付けられてもよい。
図４に示すように、接続体２９及びコイル７０を固定した樹脂基板部９５が設けられてもよい。この樹脂基板部９５には、接続体２９とコイル７０とが埋設されていてもよい。
図１０に示すように、樹脂基板部９５にはＩＣチップ、抵抗、コンデンサ等を含む制御部８０が設けられてもよい。制御部８０はスイッチング素子からなる第一電子素子４１及び／又は第二電子素子４２を制御する機能を有してもよい。
封止部９０と樹脂基板部９５とは異なる樹脂材料から形成されてもよい。一例としては、封止部９０は熱硬化性樹脂からなり、樹脂基板部９５は熱可塑性樹脂からなってもよい。
熱可塑性樹脂は特に限定されないが、プラスチック等を用いることができる。熱可塑性樹脂としては、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ−４−メチルペンテン−１、アイオノマー、ポリスチレン、ＡＳ樹脂、ＡＢＳ樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、メタクリル樹脂、ポリビニルアルコール、ＥＶＡ、ポリカーボネート、各種ナイロン、各種芳香族または脂肪族ポリエステル、熱可塑性ポリウレタン、セルロース系プラスチック、熱可塑性エラストマー、ポリアリレート樹脂、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルイミド、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリフェニレンサルファイド、ポリフェニルエーテル、ポリベンズイミダゾール、アラミド、ポリパラフェニレンベンゾビスオキサゾール等を挙げることができる。
熱硬化性樹脂は特に限定されないが、例えば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、不飽和ポリエステル樹脂等を挙げることができる。
《作用・効果》
次に、上述した構成からなる本実施の形態による作用・効果であって、未だ説明していないものについて説明する。「作用・効果」で記載するあらゆる構成も採用することができる。
本実施の形態では、接続体２９に巻き付けられたコイル７０が内蔵されている。このため、電子素子４０に起因するノイズの生成を抑制できる。
特に電子素子４０がスイッチング素子を有する場合には、スイッチング素子から発生したノイズが、放熱層１０、導体層２０、絶縁性基板６０等によって疑似的に形成されるコンデンサを介して（図７参照）、電子モジュールの外部に放出されることになる。本実施の形態では、コイル７０を接続体２９に設けることで、ノイズの発生を抑えることができる。なお、本明細書において、「電子素子４０」、「第一電子素子４１」及び「第二電子素子４２」という文言は、一つ又は複数の電子素子４０を総称したものである。このため、例えば「電子素子４０がスイッチング素子を有する」というのは、電子素子４０のうちの少なくとも一つがスイッチング素子であることを意味している。第一電子素子４１及び第二電子素子４２に関しても同様である。
また、図７に示すように、封止部９０内に設けられている絶縁性基板６０でも疑似的にコンデンサが形成されることもあるが、コイル７０を接続体２９に設けることで、このような疑似的に形成されるコンデンサによって、ノイズが電子モジュールの外部に放出されることを低減できる（図８参照）。
第一電子素子４１及び第二電子素子４２の一方はスイッチング素子を有し、他方はスイッチング素子を有さない場合において、他方の電子素子４０だけに対応して冷却体１００に当接する放熱層１０が設けられるが、一方の電子素子４０に対応した放熱層１０は設けられない態様を採用したときには、ノイズが電子モジュールの外部に放出されることを低減できる。より具体的には、第一電子素子４１がスイッチング素子を有さず第二電子素子４２がスイッチング素子を有する場合には、図１に示すように、第一放熱層１１は設けられるが第二放熱層１２は設けられない態様を採用し、第一放熱層１１だけが冷却体１００に当接する態様を採用することで、スイッチング素子を有する第二電子素子４２側において冷却体１００との間で疑似的なコンデンサが形成されることを防止できる（図７参照）。このため、ノイズが電子モジュールの外部に放出されることを低減できる。また、第一電子素子４１がスイッチング素子を有し第二電子素子４２がスイッチング素子を有さない場合に、図２に示すように、第二放熱層１２は設けられるが第一放熱層１１は設けられない態様を採用し、第二放熱層１２だけが冷却体１００に当接する態様を採用することで、スイッチング素子を有する第一電子素子４１側において冷却体１００との間で疑似的なコンデンサが形成されることを防止できる。このため、ノイズが電子モジュールの外部に放出されることを低減できる。
図１０に示すように、接続体２９を円柱形状とすることでコイル７０を巻き付け易くすることができ、製造工程を容易にし、ひいては製造コストを下げることを期待できる。
接続体２９及びコイル７０を固定した樹脂基板部９５、より具体的には、樹脂基板部９５に接続体２９とコイル７０とが埋設されている態様を採用した場合には（図１０参照）、予め接続体２９とコイル７０を位置決めした状態で電子モジュールを製造できる点で、製造工程を容易にし、ひいては製造コストを下げることを期待できる。
図１乃至図４に示すように、コイル７０の巻き付けられた接続体２９が第一絶縁性基板６１と第二絶縁性基板６２との間に設けられる態様を採用した場合には、第一絶縁性基板６１側に設けられた第一電子素子４１と、第二絶縁性基板６２側に設けられた第二電子素子４２に起因するノイズを当該コイル７０によって低減できる点で有益である。
図６の右側で示したように、コイル７０が巻き付けられた接続体２９が導体層２０の間に設けられている態様を採用した場合、より具体的には、コイル７０が巻き付けられた接続体２９が第一導体層２１と第二導体層２２との間に設けられている態様を採用した場合には、近接する第一電子素子４１及び第二電子素子４２から発生するノイズをコイル７０で低減できる点で有益である。
この態様において、スイッチング素子に対応してコイル７０の巻き付けられた接続体２９が設けられてもよい。この場合には、スイッチング素子によるノイズを低減する効果を高めることができる点で有益である。より具体的には、スイッチング素子の設けられた導体層２０とスイッチング素子の設けられた導体層２０とがコイル７０の巻き付けられた接続体２９で接続されてもよい。また、スイッチング素子の設けられた導体層２０とスイッチング素子ではない電子素子４０（例えば制御素子）の設けられた導体層２０とがコイル７０の巻き付けられた接続体２９で接続されてもよい。とりわけスイッチング素子の設けられた導体層２０とスイッチング素子の設けられた導体層２０とがコイル７０の巻き付けられた接続体２９で接続される態様を採用した場合には、より直接的にコイル７０によってノイズを低減できる点で有益である。
図５の左側で示したように、コイル７０が巻き付けられた接続体２９が電子素子４０と導体層２０との間に設けられている態様を採用した場合、より具体的には、コイル７０が巻き付けられた接続体２９が第一電子素子４１と第二導体層２２との間に設けられている、及び／又は、コイル７０が巻き付けられた接続体２９が第二電子素子４２と第一導体層２１との間に設けられている態様を採用した場合には、近接する第一電子素子４１及び第二電子素子４２から発生するノイズをコイル７０で低減できる点で有益である。
この態様において、スイッチング素子に対応してコイル７０の巻き付けられた接続体２９が設けられてもよい。この場合には、スイッチング素子によるノイズを低減する効果を高めることができる点で有益である。より具体的には、スイッチング素子とスイッチング素子の設けられた導体層２０とがコイル７０の巻き付けられた接続体２９で接続されてもよい。また、スイッチング素子とスイッチング素子ではない電子素子４０（例えば制御素子）の設けられた導体層２０とがコイル７０の巻き付けられた接続体２９で接続されてもよい。とりわけスイッチング素子とスイッチング素子の設けられた導体層２０とがコイル７０の巻き付けられた接続体２９で接続される態様を採用した場合には、より直接的にコイル７０によってノイズを低減できる点で有益である。
図６の左側で示したように、コイル７０が巻き付けられた接続体２９が電子素子４０の間に設けられている態様を採用した場合、より具体的には、コイル７０が巻き付けられた接続体２９が第一電子素子４１と第二電子素子４２との間に設けられている態様を採用した場合には、近接する第一電子素子４１及び第二電子素子４２から発生するノイズをコイル７０で低減できる点で有益である。
この態様において、スイッチング素子に対応してコイル７０の巻き付けられた接続体２９が設けられてもよい。この場合には、スイッチング素子によるノイズを低減する効果を高めることができる点で有益である。より具体的には、スイッチング素子とスイッチング素子とがコイル７０の巻き付けられた接続体２９で接続されてもよい。また、スイッチング素子とスイッチング素子ではない電子素子４０（例えば制御素子）とがコイル７０の巻き付けられた接続体２９で接続されてもよい。とりわけスイッチング素子とスイッチング素子とがコイル７０の巻き付けられた接続体２９で接続される態様を採用した場合には、より直接的にコイル７０によってノイズを低減できる点で有益である。
なお、導体層２０同士を介してコイル７０の巻き付けられた接続体２９が設けられる場合と比較して、導体層２０と電子素子４０とがコイル７０の巻き付けられた接続体２９を介して接続されている態様を採用した場合の方が直接的にコイル７０によるノイズをより直接的に低減できる場合がある。また、導体層２０と電子素子４０とがコイル７０の巻き付けられた接続体２９を介して接続されている態様と比較して、電子素子４０同士が直接、コイル７０の巻き付けられた接続体２９で接続される態様を採用した場合の方が、より直接的にコイル７０によってノイズを低減できる場合がある。
図１０に示すように、樹脂基板部９５に制御部８０が設けられている態様を採用した場合には、電子素子４０と制御部８０とを非常に近くに位置付けることができるので、予め誤作動の可能性を低減できる。また、このように制御部８０を電子モジュール内に設けることで、IPM（Intelligent Power Module）化が可能になる。
封止部９０と樹脂基板部９５とが異なる樹脂材料から形成されている態様を採用した場合には、内部側に位置する樹脂基板部９５と外部側に位置する封止部９０とで異なる機能を果たすことができる点で有益である。例えば、封止部９０が熱硬化性樹脂である場合であっても、樹脂基板部９５の材料として熱可塑性樹脂を採用した場合には、高い位置決め精度を期待できる。つまり、樹脂基板部９５として熱硬化性樹脂を用いた場合には、熱を加える前では硬度が十分ではないことから、コイル７０、接続体２９、制御部８０等の位置が予定していた位置からずれる可能性がある。この点、樹脂基板部９５として熱可塑性樹脂を採用した場合には、熱を加える前において硬度が十分あることから、コイル７０、接続体２９、制御部８０等の位置がずれる可能性を低減できる。
図１１で示すように、放熱層１０が面方向で区分された複数の放熱層パターン１５を有している態様を採用することもできる。このような放熱層パターン１５を採用することで放熱層１０の面内方向の面積を小さくすることができ、冷却体１００、放熱層１０、導体層２０、絶縁性基板６０等によって形成されるコンデンサ機能における容量（コンデンサの容量）を小さくできる。この結果、放出されるノイズを抑制できる。なお、平行板コンデンサにおける容量Ｃは、Ｃ＝εＳ／ｄ（ここで、「Ｓ」は平行板の面積、「ｄ」は平行板の距離、「ε」は平行板の間に存在する絶縁体の誘電率）として示されるところ、複数の放熱層パターン１５を採用することで「Ｓ」を小さくすることができる。また、図１１では、第一放熱層１１が放熱層パターン１５を有している態様を示しているが、これに限ることはなく、第一放熱層１１の代わりに又は第一放熱層１１に加えて、第二放熱層１２が放熱層パターンを有してもよい。
上述した実施の形態の記載、変形例の記載及び図面の開示は、請求の範囲に記載された発明を説明するための一例に過ぎず、上述した実施の形態の記載、変形例の記載又は図面の開示によって請求の範囲に記載された発明が限定されることはない。また、出願当初の請求項の記載はあくまでも一例であり、明細書、図面等の記載に基づき、請求項の記載を適宜変更することもできる。
１０ 放熱層
１５ 放熱層パターン
２０ 導体層
２９ 接続体
４０ 電子素子
４１ 第一電子素子
４２ 第二電子素子
５１ 第一電子ユニット
５２ 第二電子ユニット
６０ 絶縁性基板
６１ 第一絶縁性基板
６２ 第二絶縁性基板
７０ コイル
９５ 樹脂基板部

Claims (6)

  1. 第一絶縁性基板と、前記第一絶縁性基板に第一導体層を介して設けられた第一電子素子とを有する第一電子ユニットと、
    第二絶縁性基板と、前記第二絶縁性基板に第二導体層を介して設けられた第二電子素子とを有する第二電子ユニットと、
    前記第一電子ユニットと前記第二電子ユニットとの間に設けられた接続体と、
    前記接続体に巻き付けられたコイルと、
    を備え、
    前記コイルの巻き付けられた前記接続体は、前記第一絶縁性基板と前記第二絶縁性基板との間に設けられ、
    前記第一電子素子及び前記第二電子素子と前記コイルとは電気的に接続されていないことを特徴とする電子モジュール。
  2. 前記第一電子素子又は前記第二電子素子はスイッチング素子を有することを特徴とする請求項１に記載の電子モジュール。
  3. 前記接続体は円柱形状となっていることを特徴とする請求項１又は２のいずれかに記載の電子モジュール。
  4. 前記第一電子素子がスイッチング素子を有し、前記第二電子素子がスイッチング素子を有さない場合には、前記第二絶縁性基板側に冷却体が設けられ、前記第一絶縁性基板側に前記冷却体は設けられず、
    前記第二電子素子がスイッチング素子を有し、前記第一電子素子がスイッチング素子を有さない場合には、前記第一絶縁性基板側に前記冷却体が設けられ、前記第二絶縁性基板側に前記冷却体は設けられないことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の電子モジュール。
  5. 前記接続体及び前記コイルを固定した樹脂基板部をさらに備えることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の電子モジュール。
  6. 前記樹脂基板部に、前記第一電子素子又は前記第二電子素子を制御する制御部が設けられていることを特徴とする請求項５に記載の電子モジュール。
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