JP6329716B2 - 隔壁形成用ガラス組成物 - Google Patents
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1. 隔壁を形成するためのガラス組成物であって、構成成分としてSiO2:34〜52mol%、B2O3:6〜22mol%、Al2O3:10〜26mol%、Li2O:10〜31mol%及びMgO:0〜9mol%を含み、SiO 2 +B 2 O 3 +Al 2 O 3 +Li 2 O+AlF 3 +MgOの合計量がガラス組成物中96mol%以上であり、かつ、フッ素成分がAlF3に換算した場合においてAlF3:0〜15mol%を含み、
前記隔壁は、50℃から300℃の間における平均熱膨張係数が7〜35×10 −7 /Kであり、かつ、低熱膨張性基板上に形成される、
ことを特徴とする隔壁形成用ガラス組成物(但し、SiO 2 :35〜65mol%、B 2 O 3 :1〜20mol%、Al 2 O 3 :5〜15mol%、Li 2 O:5〜40mol%、Na 2 O+K 2 O:0〜8mol%未満を含有することを特徴とするガラスを除く。)。
2. 隔壁は、拡散反射率が65%以上である、前記項1に記載の隔壁形成用ガラス組成物。
3. フッ素成分をAlF3換算で1mol%以上含有し、かつ、g線における屈折率が1.54以下である、前記項1又は2に記載の隔壁形成用ガラス組成物。
4. 隔壁は、50℃から300℃の間における平均熱膨張係数が20〜35×10−7/Kである、前記項1〜3のいずれかに記載の隔壁形成用ガラス組成物。
5. 低熱膨張性基板は、50℃から300℃の間における平均熱膨張係数が20〜35×10 −7 /Kである、前記項1〜4のいずれかに記載の隔壁形成用ガラス組成物。
6. 隔壁が、電子デバイスに搭載される隔壁である、前記項1〜4のいずれかに記載の隔壁形成用ガラス組成物。
7. 隔壁が、蛍光体を収容するセルを構成するための隔壁である、前記項1〜5のいずれかに記載の隔壁形成用ガラス組成物。
8. 前記項1〜7のいずれかに記載のガラス組成物、有機バインダー及び溶剤を含む隔壁形成用ペースト。
9. 感光性ペーストである、前記項8に記載の隔壁形成用ペースト。
10. ペースト中におけるフィラーの含有量が0〜5重量%である、前記項8又は9に記載の隔壁形成用ペースト。
11. 前記項8〜10のいずれかに記載の隔壁形成用ペーストによって形成された隔壁。
12. 前記項11に記載の隔壁を含むシンチレータパネル。
13. 前記項12に記載のシンチレータパネルを含む放射線検出装置。
11 放射線透過性基板
12 シンチレータ(蛍光体)
13 隔壁
14 シンチレータパネル
15 出力基板
16 緩衝層
h 隔壁高さ
t 隔壁幅(線幅)
本発明における隔壁は限定的ではないが、好ましくは低熱膨張性基板上に形成される隔壁として用いることができるものである。従って、例えば隔壁を搭載している公知又は市販の電子デバイスのいずれにも適用することができる。電子デバイスとしては、例えば放射線検出装置のシンチレータパネルのほか、プラズマディスプレイ等を挙げることができる。本発明では、この中でも、特に放射線検出装置のシンチレータパネルにおいて蛍光体を収容(格納)する隔壁を形成するために本発明ガラス組成物を好適に用いることができる。
以下、上記のような隔壁を形成するために用いられる本発明ガラス組成物の各成分及びその含有量について説明する。なお、各成分については、フッ素成分以外は下記の酸化物換算での含有量を示す。
SiO2含有量は、通常34〜52mol%とする。SiO2は結晶化後の熱膨張係数の低い結晶を構成する成分であるため、SiO2含有量を34mol%以上とする必要がある。他方、SiO2含有量が52mol%を超える場合は、ガラス状態の安定性が高まり、粘性も高まる結果、結晶化ピーク温度が高温となり、650℃程度の低い焼成温度で結晶化させることが困難になる。
B2O3含有量は、通常6〜22mol%とする。B2O3含有量が6mol%未満では軟化点が高くなる結果、全く軟化せずに結晶化が起こるため、焼結性に乏しくなることがあり、また、液相温度が高くなり過ぎて、融液を冷却する際に結晶化してしまい、ガラス化が困難となることもある。他方、B2O3含有量が22mol%を超えると、低い熱膨張係数の結晶が析出しなくなる上、結晶化後に熱膨張係数の大きいガラスが残存し、35×10−7/℃以下の熱膨張係数を達成できなくなる。そして化学的耐久性が低くなるため、水分や感光性ペースト中の有機成分と反応して屈折率に変化をもたらすため、感光性ペーストの透過率を下げるおそれがある。
Al2O3含有量は、通常10〜26molとする。Al2O3は熱膨張係数の低い結晶を構成する成分であるから、含有量を10mol%以上とする必要がある。他方、Al2O3含有量が26mol%を超えると、全く軟化せずに結晶化が起こるため、焼結性に乏しくなることがあり、また液相温度が高くなり過ぎて融液を冷却する際に結晶化してしまい、ガラス化が困難となることもある。
Li2O含有量は、通常10〜31mol%とする。Li2Oは熱膨張係数の低い結晶を構成する成分であり、かつ、軟化温度と結晶化温度を下げる効果があるため、低い温度での焼結と結晶化を起こすために必須の成分である。このため、Li2O含有量を10mol%以上とする必要がある。他方、Li2O含有量が31mol%を超えると、ガラスの安定性が損なわれ、化学的耐久性は低下し、ガラス自体の熱膨張係数が高くなり過ぎるおそれがある。
本発明ガラス組成物では、任意成分としてフッ素成分を含有させることができる。フッ素成分は、軟化温度と結晶化温度を下げる効果があるほか、屈折率を下げる効果があり、特に1.54以下の屈折率を得る場合に最適な成分である。しかも、フッ素成分の添加により、良好な焼結性とともに、低熱膨張係数をより確実に達成することもできる。さらに、後記の実施例において説明するように、焼結体の拡散反射率を高める効果がある。シンチレータパネルにおいては蛍光を検出器に導くために、隔壁の拡散反射率が高い方が望ましい。他方、フッ素成分の含有量が多くなりすぎる場合には熱膨張係数が大きくなる。
本発明ガラス組成物では、任意成分としてMgOを含有させることができる。MgOは、ガラスの熱的・化学的安定性を向上させ、熱膨張係数を上昇させる働きがある。また、屈折率に対する寄与はLi2Oと同程度の効果がある。また、フッ素成分を添加する場合にはMgを併用することにより化学的耐久性を向上させることができる。さらに、焼結体の拡散反射率を高める効果がある。ただし、MgOが9mol%を超えると、ガラス軟化点が高くなり過ぎ、ガラスの失透も起きやすくなる。
本発明ガラス組成物中におけるSiO2+B2O3+Al2O3+Li2O+AlF3+MgOの合計量は限定的ではないが、本発明の効果をより確実に得るという見地より、特に90mol%以上とするのが好ましく、92mol%以上とするのがより好ましく、96mol%以上とするのが最も好ましい。
本発明の組成物を構成するガラスは、ガラスの各成分について上述の関係が満たされている限り、熱膨張係数、屈折率等を調整するために、必要に応じて他の成分を含有させることができる。例えば、以下のような成分を適宜配合することができる。
TiO2は、ガラスをより低温で結晶化させ、屈折率を大幅に上昇させ、ガラスの焼結性を阻害する効果がある。また、実施例において説明するように焼結体の拡散反射率を高める効果がみられる。このため、TiO2の含有量は5mol%以下とするのが好ましく、4mol%以下とするのがより好ましく、3mol%以下とするのが最も好ましい。
Na2O、K2Oは、少なくとも1種を用いることができる。これらの成分は、ガラスの軟化点を下げる成分であるとともに、結晶化を起こしにくくし、熱膨張係数を高める役割がある。また、後記の実施例において説明するように、焼結体の拡散反射率を低下させる効果がみられる。このため、Na2O、K2Oは合計して8mol%以下とするのが好ましく、6mol%以下とするのがより好ましく、4mol%以下とするのが最も好ましい。
CaO、SrO、BaOは、少なくとも1種を用いることができる。これらの成分は、ガラスの軟化点を下げ、ガラスの化学的耐久性を高める成分であるが、屈折率を高め、結晶化を起こしにくくし、熱膨張係数を高める任意添加成分である。従って、これらは合計で8mol%以下とするのが好ましく、7mol%以下とするのがより好ましく、6mol%以下とするのが最も好ましい。
3族、4族、12〜16族元素は、少なくとも1種を用いることができる。これらの成分は、ガラスの屈折率を高める成分である。酸化物換算で、合計して8mol%以下とするのが好ましく、7mol%以下とするのがより好ましく、6mol%以下とするのが最も好ましい。
5族〜11族にあたる遷移金属元素成分は、着色により透明性を損なうおそれがあることから、酸化物換算で合計して1mol%以下とすることが好ましく、0.1mol%以下とすることがより好ましく、実質的に含有させないことが最も好ましい。
本発明の組成物を構成するガラスの軟化点(後述する測定条件におけるDTAの軟化点)は、650℃以下での焼成を可能にするという点で、500〜670℃とすることが好ましい。結晶化ピーク温度(後述する測定条件におけるDTAの結晶化ピーク温度)は750℃以下であれば、650℃で数時間保持した場合に十分に結晶化し得る。
本発明ガラス組成物は、公知のガラス組成物の製造方法と同様の方法で製造することができる。材料としては、本発明におけるガラスの各成分の供給源となる化合物を出発原料として使用すれば良い。例えばB2O3のためにH3BO3、B2O3等を用いることができる。また例えばAl2O3のためにAl(OH)3、Al2O3等を用いることができる。他の成分についても、SiO2、Mg(OH)2、Li2CO3等のように、各種酸化物、水酸化物、炭酸塩、硝酸塩等のように、ガラスの製造で通常に用いられる形態で使用することができる。そして、これらを所定の割合で含有する混合物を出発原料として用いて混合物の溶融を行えば良い。
第1工程では、所望のガラスの組成・比率となるように前記出発原料を秤量し、混合することにより混合物を調製する。この場合、各成分の原料の混合順序等は特に制限されず、同時に配合しても良く、特定の化合物順に配合しても良い。原料は、通常は粉末の形態でガラス溶融炉に供給される。そのための原料粉末は、各成分を含む原料を公知の方法で粉砕、混合等を行うことにより調製することができる。
第2工程では、上記の混合物を溶融することにより溶融物を得る。溶融に際しては、原料の組成に応じてガラス溶融温度を設定すれば良いが、通常は1000〜1500℃程度とすれば良い。得られた溶融物は、必要に応じて、溶融物からそのまま粉末を製造する工程に供しても良い。例えば、溶融物を冷却ロールにて冷却しながらフレーク状粉末を得ることができる。また、溶融物を冷却した後、必要に応じて粉砕、分級等の処理をすることにより粉末を得ることもできる。このように本発明のガラス組成物は、粉末状として好適に提供することができる。
本発明ガラス組成物を用いて隔壁を形成する場合、公知又は市販のガラス組成物と同様の方法で用いることができる。例えば、粉末状の本発明ガラス組成物(以下「本発明ガラス粉末」ともいう。)を含むペーストとして隔壁形成のために好適に使用することができる。より具体的には、本発明ガラス粉末、有機バインダー及び溶剤を含む隔壁形成用ペーストを調製すれば良い。このような隔壁形成用ペーストも本発明に包含される(以下「本発明ペースト」ともいう。)。
隔壁の形成に際しては、本発明ガラス組成物を含むペーストによる塗膜で隔壁パターンを基板(特にガラス基板)上に形成する工程及び隔壁パターンを焼成する工程を含む製造方法によって隔壁を製造することができる。隔壁パターンを形成する方法は、公知の方法に従えば良く、例えば印刷法(スクリーン印刷等)のほか、感光性プロセス等の各種の公知のプロセスを採用することができる。特に、本発明では、本発明ペースト(特に感光性ペースト)を用いて感光性プロセスにより高く細い隔壁をより確実に形成することができる。また、基板としては、無アルカリガラス基板(ガラス基板等)を好適に用いることができ、例えば50〜300℃における熱膨張係数α50−300が30〜35×10−7/℃程度の基板を用いることが好ましい。
〔ガラスの製造〕
表1及び2の実施例1〜10、比較例1〜6にそれぞれ示した組成となるように出発原料を用いて秤量し、これらを均一に混合した後、白金質のルツボを用いて1400〜1550℃の温度で1〜2時間溶融した。得られた融液をステンレススチール製の冷却ロールにて急冷し、厚さ0.5〜1.0mmのガラスフレークを作製した。次いで、このガラスフレークを粉砕し、気流分級により、平均粒径(D50)1〜4μm、最大粒径20μm以下の粉末ガラスを得た。粉末ガラスの粒径は、レーザー散乱式粒度分布測定機を用いて測定し、それにより気流分級条件を求めた。
なお、実施例及び比較例の各ガラス組成物を作製するための上記出発原料(各成分の供給源)として、SiO2、H3BO3、Al(OH)3、Li2CO3、Na2CO3、Mg(OH)2、CaCO3、TiO2及びAlF3をそれぞれ用いた。
実施例及び比較例で調製されたガラス組成物について、下記Aに従って評価試料を作製し、下記Bの評価をそれぞれ行った。その結果を表1〜表3に示す。
1.ガラスの示差熱分析:気流分級により得られた上記粉末ガラスを示差熱分析(DTA)用試料とした。
2.ガラスの熱膨張係数測定:溶融して得られた上記ガラスを約5mm径×15〜20mm長のロッド状に加工し、熱膨張係数測定用試料とした。
3.ガラス焼成体の熱膨張係数測定:粉末ガラス3gを20mm径のペレット状に成形し(厚みは約7mmとなった)、650℃×1時間の条件で焼成して得られた焼成体の直径を計り、焼結性の指標とした。直径が小さくなるほど焼結性が高いことを示す。焼結体を約5mm径×15〜20mm長のロッド状に加工し、熱膨張係数測定用試料とした。
4.ガラス焼成物の拡散反射率測定:粉末ガラス6gを30mm径のペレット状に成形し、その成形体を650℃で1時間焼成した。得られた焼成体を粗さ#600で研削し、その研削面を測定面とした。
1.ガラス転移点、屈伏点、軟化点、結晶化温度、結晶化ピーク温度
各ガラスの粉末状試料の約50mgを白金セルに入れ、アルミナ粉末を標準試料として、大気雰囲気下に、示差熱分析装置(型名「TG−8120」、(株)リガク製)を用いて室温から20K/分の昇温速度でDTA曲線を得た。最初の吸熱ピークの開始点(外挿点)をガラス転移点とし、その吸熱の極小値の温度を屈伏点とした。第2の吸熱ピークの開始点(外挿点)をガラス軟化点とした。発熱ピークの開始点(外挿点)を結晶化温度とした。発熱ピークの頂点(外挿点)を結晶化ピーク温度とした。なお、屈伏点と結晶化温度が近いために軟化点を判断できない試料あるいは結晶化ピークの生じない試料も存在した。
表1〜3中、「DTA−Tg」はガラス転移点、「DTA−Mg」は屈伏点、「DTA−Ts」は軟化点、「DTA−Tx」は結晶化温度、「DTA−Txp」は結晶化ピーク温度をそれぞれ示す。
2.熱膨張係数(α)
各ガラス及びガラス焼成物の実施例及び比較例のロッド状試料と石英ガラスにより形成された標準試料とを、熱機械測定装置(型名「TMA8310」、(株)リガク製)を用いて、室温から10K/分で昇温して熱膨張曲線の測定を行い、50℃〜300℃までに観測される熱膨張係数の値を平均して各試料の熱膨張係数(α50−300)とした。
3.比重
各ガラスの比重を、それらのフレークを用いてアルキメデス法により測定した。
4.屈折率(ng)
各実施例及び比較例の直方体試料を、屈折率はヘリウムg線を光源とし、精密屈折計(型名「KPR200」、(株)島津デバイス製造製)を用いるVブロック法により測定した。表1〜表3中、「ng」で示す。
5.結晶相の同定
ガラス焼成物について粉末X線回折により結晶相を同定した。β−スポジュメン型固溶体(表1〜表3においてβ−Spo.と表す。)、β−ユークリプタイト型固溶体(表1〜表3においてβ−Euc.と表す。)、LiAl7B4O17型固溶体(LA7B4と表す。)が存在した。また、非晶質相の多い試料(表1〜表3においてamorphousと表す。)も存在した。
6.拡散反射率
分光光度計(型名「U−3010」、(株)日立ハイテクノロジーズ製)に積分球を付属させた装置を用いて、入射光角度は0度として拡散反射光のみを測定した。標準サンプルにはAl2O3からなる標準白色板を用いた。表1〜表3には550nmにおける測定値を示す。
Claims (13)
- 隔壁を形成するためのガラス組成物であって、構成成分としてSiO2:34〜52mol%、B2O3:6〜22mol%、Al2O3:10〜26mol%、Li2O:10〜31mol%及びMgO:0〜9mol%を含み、SiO 2 +B 2 O 3 +Al 2 O 3 +Li 2 O+AlF 3 +MgOの合計量がガラス組成物中96mol%以上であり、かつ、フッ素成分がAlF3に換算した場合においてAlF3:0〜15mol%を含み、
前記隔壁は、50℃から300℃の間における平均熱膨張係数が7〜35×10 −7 /Kであり、かつ、低熱膨張性基板上に形成される、
ことを特徴とする隔壁形成用ガラス組成物(但し、SiO 2 :35〜65mol%、B 2 O 3 :1〜20mol%、Al 2 O 3 :5〜15mol%、Li 2 O:5〜40mol%、Na 2 O+K 2 O:0〜8mol%未満を含有することを特徴とするガラスを除く。)。 - 隔壁は、拡散反射率が65%以上である、請求項1に記載の隔壁形成用ガラス組成物。
- フッ素成分をAlF3換算で1mol%以上含有し、かつ、g線における屈折率が1.54以下である、請求項1又は2に記載の隔壁形成用ガラス組成物。
- 隔壁は、50℃から300℃の間における平均熱膨張係数が20〜35×10−7/Kである、請求項1〜3のいずれかに記載の隔壁形成用ガラス組成物。
- 低熱膨張性基板は、50℃から300℃の間における平均熱膨張係数が20〜35×10 −7 /Kである、請求項1〜4のいずれかに記載の隔壁形成用ガラス組成物。
- 隔壁が、電子デバイスに搭載される隔壁である、請求項1〜4のいずれかに記載の隔壁形成用ガラス組成物。
- 隔壁が、蛍光体を収容するセルを構成するための隔壁である、請求項1〜5のいずれかに記載の隔壁形成用ガラス組成物。
- 請求項1〜7のいずれかに記載のガラス組成物、有機バインダー及び溶剤を含む隔壁形成用ペースト。
- 感光性ペーストである、請求項8に記載の隔壁形成用ペースト。
- ペースト中におけるフィラーの含有量が0〜5重量%である、請求項8又は9に記載の隔壁形成用ペースト。
- 請求項8〜10のいずれかに記載の隔壁形成用ペーストによって形成された隔壁。
- 請求項11に記載の隔壁を含むシンチレータパネル。
- 請求項12に記載のシンチレータパネルを含む放射線検出装置。
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