JP6733666B2 - シンチレータパネルおよびその製造方法、並びに、放射線検出装置 - Google Patents
シンチレータパネルおよびその製造方法、並びに、放射線検出装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP6733666B2 JP6733666B2 JP2017516791A JP2017516791A JP6733666B2 JP 6733666 B2 JP6733666 B2 JP 6733666B2 JP 2017516791 A JP2017516791 A JP 2017516791A JP 2017516791 A JP2017516791 A JP 2017516791A JP 6733666 B2 JP6733666 B2 JP 6733666B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- partition wall
- scintillator panel
- coating film
- base material
- scintillator
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 230000005855 radiation Effects 0.000 title claims description 42
- 238000001514 detection method Methods 0.000 title claims description 19
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 15
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 154
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 110
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 87
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 85
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 75
- 239000002585 base Substances 0.000 claims description 60
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 58
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 44
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 39
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 37
- 239000011295 pitch Substances 0.000 claims description 23
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 18
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 12
- 229910000272 alkali metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000004840 adhesive resin Substances 0.000 claims description 8
- 229920006223 adhesive resin Polymers 0.000 claims description 8
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 8
- 238000011161 development Methods 0.000 claims description 6
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 claims description 5
- 238000011049 filling Methods 0.000 claims description 5
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 4
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 117
- 239000010408 film Substances 0.000 description 105
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 73
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 71
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 20
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 20
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 17
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 15
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 14
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 11
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 11
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 11
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 11
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 10
- 239000006089 photosensitive glass Substances 0.000 description 10
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 10
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 9
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 9
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- -1 cesium iodide (CsI) Chemical compound 0.000 description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 description 8
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 7
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 7
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 7
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 7
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000003570 air Substances 0.000 description 6
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 238000002438 flame photometric detection Methods 0.000 description 6
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 6
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 5
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 5
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 5
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 5
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 5
- YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 4-Butyrolactone Chemical compound O=C1CCCO1 YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 4
- XQPRBTXUXXVTKB-UHFFFAOYSA-M caesium iodide Chemical compound [I-].[Cs+] XQPRBTXUXXVTKB-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 4
- 150000002923 oximes Chemical class 0.000 description 4
- 239000003505 polymerization initiator Substances 0.000 description 4
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 4
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 3
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- ISAOCJYIOMOJEB-UHFFFAOYSA-N benzoin Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(O)C(=O)C1=CC=CC=C1 ISAOCJYIOMOJEB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- CREMABGTGYGIQB-UHFFFAOYSA-N carbon carbon Chemical compound C.C CREMABGTGYGIQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011203 carbon fibre reinforced carbon Substances 0.000 description 3
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 3
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 3
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 3
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 3
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UHFFVFAKEGKNAQ-UHFFFAOYSA-N 2-benzyl-2-(dimethylamino)-1-(4-morpholin-4-ylphenyl)butan-1-one Chemical compound C=1C=C(N2CCOCC2)C=CC=1C(=O)C(CC)(N(C)C)CC1=CC=CC=C1 UHFFVFAKEGKNAQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VVBLNCFGVYUYGU-UHFFFAOYSA-N 4,4'-Bis(dimethylamino)benzophenone Chemical compound C1=CC(N(C)C)=CC=C1C(=O)C1=CC=C(N(C)C)C=C1 VVBLNCFGVYUYGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 2
- CIWBSHSKHKDKBQ-JLAZNSOCSA-N Ascorbic acid Chemical compound OC[C@H](O)[C@H]1OC(=O)C(O)=C1O CIWBSHSKHKDKBQ-JLAZNSOCSA-N 0.000 description 2
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VZCYOOQTPOCHFL-OWOJBTEDSA-N Fumaric acid Chemical compound OC(=O)\C=C\C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-OWOJBTEDSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N Methacrylic acid Chemical compound CC(=C)C(O)=O CERQOIWHTDAKMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Propanedioic acid Natural products OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 244000028419 Styrax benzoin Species 0.000 description 2
- 235000000126 Styrax benzoin Nutrition 0.000 description 2
- 235000008411 Sumatra benzointree Nutrition 0.000 description 2
- 239000012190 activator Substances 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 2
- WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N alpha-terpineol Chemical compound CC1=CCC(C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 2
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N barium titanate Chemical compound [Ba+2].[Ba+2].[O-][Ti]([O-])([O-])[O-] JRPBQTZRNDNNOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002113 barium titanate Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 229960002130 benzoin Drugs 0.000 description 2
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 2
- 239000005345 chemically strengthened glass Substances 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N delta-terpineol Natural products CC(C)(O)C1CCC(=C)CC1 SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 2
- 239000002241 glass-ceramic Substances 0.000 description 2
- 235000019382 gum benzoic Nutrition 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 2
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 description 2
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 2
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 2
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 description 2
- IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N rubidium atom Chemical compound [Rb] IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 2
- 229940116411 terpineol Drugs 0.000 description 2
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000012719 thermal polymerization Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N triphenylphosphine Chemical compound C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006097 ultraviolet radiation absorber Substances 0.000 description 2
- 239000004034 viscosity adjusting agent Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- CNGTXGHYZBQUQS-UHFFFAOYSA-N ((1-(2-methoxyethoxy)ethoxy)methyl)benzene Chemical compound COCCOC(C)OCC1=CC=CC=C1 CNGTXGHYZBQUQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MLIWQXBKMZNZNF-PWDIZTEBSA-N (2e,6e)-2,6-bis[(4-azidophenyl)methylidene]-4-methylcyclohexan-1-one Chemical compound O=C1\C(=C\C=2C=CC(=CC=2)N=[N+]=[N-])CC(C)C\C1=C/C1=CC=C(N=[N+]=[N-])C=C1 MLIWQXBKMZNZNF-PWDIZTEBSA-N 0.000 description 1
- UZNOMHUYXSAUPB-UNZYHPAISA-N (2e,6e)-2,6-bis[(4-azidophenyl)methylidene]cyclohexan-1-one Chemical compound C1=CC(N=[N+]=[N-])=CC=C1\C=C(/CCC\1)C(=O)C/1=C/C1=CC=C(N=[N+]=[N-])C=C1 UZNOMHUYXSAUPB-UNZYHPAISA-N 0.000 description 1
- GJZFGDYLJLCGHT-UHFFFAOYSA-N 1,2-diethylthioxanthen-9-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=C(CC)C(CC)=CC=C3SC2=C1 GJZFGDYLJLCGHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YFKBXYGUSOXJGS-UHFFFAOYSA-N 1,3-Diphenyl-2-propanone Chemical compound C=1C=CC=CC=1CC(=O)CC1=CC=CC=C1 YFKBXYGUSOXJGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SFSLTRCPISPSKB-UHFFFAOYSA-N 10-methylideneanthracen-9-one Chemical compound C1=CC=C2C(=C)C3=CC=CC=C3C(=O)C2=C1 SFSLTRCPISPSKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PLGAYGHFBSTWCA-UHFFFAOYSA-N 10-phenylsulfanylacridin-9-one Chemical compound C1(=CC=CC=C1)SN1C=2C=CC=CC2C(C2=CC=CC=C12)=O PLGAYGHFBSTWCA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KWVGIHKZDCUPEU-UHFFFAOYSA-N 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(OC)(OC)C(=O)C1=CC=CC=C1 KWVGIHKZDCUPEU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JAHNSTQSQJOJLO-UHFFFAOYSA-N 2-(3-fluorophenyl)-1h-imidazole Chemical compound FC1=CC=CC(C=2NC=CN=2)=C1 JAHNSTQSQJOJLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BIVJXJNCTSUKAT-UHFFFAOYSA-N 2-[2-[2-[2-(2-methylprop-2-enoyloxy)propoxy]propoxy]propoxy]propyl 2-methylprop-2-enoate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCC(C)OCC(C)OCC(C)OCC(C)OC(=O)C(C)=C BIVJXJNCTSUKAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DZZAHLOABNWIFA-UHFFFAOYSA-N 2-butoxy-1,2-diphenylethanone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(OCCCC)C(=O)C1=CC=CC=C1 DZZAHLOABNWIFA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZCDADJXRUCOCJE-UHFFFAOYSA-N 2-chlorothioxanthen-9-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC(Cl)=CC=C3SC2=C1 ZCDADJXRUCOCJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XMLYCEVDHLAQEL-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxy-2-methyl-1-phenylpropan-1-one Chemical compound CC(C)(O)C(=O)C1=CC=CC=C1 XMLYCEVDHLAQEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FEWFXBUNENSNBQ-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxyacrylic acid Chemical compound OC(=C)C(O)=O FEWFXBUNENSNBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQZJOQXSCSZQPS-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-1,2-diphenylethanone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(OC)C(=O)C1=CC=CC=C1 BQZJOQXSCSZQPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LWRBVKNFOYUCNP-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-1-(4-methylsulfanylphenyl)-2-morpholin-4-ylpropan-1-one Chemical compound C1=CC(SC)=CC=C1C(=O)C(C)(C)N1CCOCC1 LWRBVKNFOYUCNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MYISVPVWAQRUTL-UHFFFAOYSA-N 2-methylthioxanthen-9-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC(C)=CC=C3SC2=C1 MYISVPVWAQRUTL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KTALPKYXQZGAEG-UHFFFAOYSA-N 2-propan-2-ylthioxanthen-9-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC(C(C)C)=CC=C3SC2=C1 KTALPKYXQZGAEG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YTPSFXZMJKMUJE-UHFFFAOYSA-N 2-tert-butylanthracene-9,10-dione Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC(C(C)(C)C)=CC=C3C(=O)C2=C1 YTPSFXZMJKMUJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UVNIWYMQSYQAIS-UHFFFAOYSA-N 3-(4-azidophenyl)-1-phenylprop-2-en-1-one Chemical compound C1=CC(N=[N+]=[N-])=CC=C1C=CC(=O)C1=CC=CC=C1 UVNIWYMQSYQAIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKISUZLXOYGIFP-UHFFFAOYSA-N 4,4'-dichlorobenzophenone Chemical compound C1=CC(Cl)=CC=C1C(=O)C1=CC=C(Cl)C=C1 OKISUZLXOYGIFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BMVWCPGVLSILMU-UHFFFAOYSA-N 5,6-dihydrodibenzo[2,1-b:2',1'-f][7]annulen-11-one Chemical compound C1CC2=CC=CC=C2C(=O)C2=CC=CC=C21 BMVWCPGVLSILMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XAHUQPLRZPTJGH-UHFFFAOYSA-N 6-[2-(3,5-ditert-butyl-4-hydroxyphenyl)propanoyloxy]hexyl 2-(3,5-ditert-butyl-4-hydroxyphenyl)propanoate Chemical compound C=1C(C(C)(C)C)=C(O)C(C(C)(C)C)=CC=1C(C)C(=O)OCCCCCCOC(=O)C(C)C1=CC(C(C)(C)C)=C(O)C(C(C)(C)C)=C1 XAHUQPLRZPTJGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HUKPVYBUJRAUAG-UHFFFAOYSA-N 7-benzo[a]phenalenone Chemical compound C1=CC(C(=O)C=2C3=CC=CC=2)=C2C3=CC=CC2=C1 HUKPVYBUJRAUAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N Acrylamide Chemical group NC(=O)C=C HRPVXLWXLXDGHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N Acrylonitrile Chemical compound C=CC#N NLHHRLWOUZZQLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OSDWBNJEKMUWAV-UHFFFAOYSA-N Allyl chloride Chemical compound ClCC=C OSDWBNJEKMUWAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000049 Carbon (fiber) Polymers 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910005540 GaP Inorganic materials 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018068 Li 2 O Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 description 1
- NQSMEZJWJJVYOI-UHFFFAOYSA-N Methyl 2-benzoylbenzoate Chemical compound COC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)C1=CC=CC=C1 NQSMEZJWJJVYOI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N Methyl methacrylate Chemical compound COC(=O)C(C)=C VVQNEPGJFQJSBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004820 Pressure-sensitive adhesive Substances 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DAKWPKUUDNSNPN-UHFFFAOYSA-N Trimethylolpropane triacrylate Chemical compound C=CC(=O)OCC(CC)(COC(=O)C=C)COC(=O)C=C DAKWPKUUDNSNPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007875 V-40 Substances 0.000 description 1
- XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N Vinyl acetate Chemical compound CC(=O)OC=C XTXRWKRVRITETP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BRHJUILQKFBMTL-UHFFFAOYSA-N [4,4-bis(dimethylamino)cyclohexa-1,5-dien-1-yl]-phenylmethanone Chemical compound C1=CC(N(C)C)(N(C)C)CC=C1C(=O)C1=CC=CC=C1 BRHJUILQKFBMTL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XQAXGZLFSSPBMK-UHFFFAOYSA-M [7-(dimethylamino)phenothiazin-3-ylidene]-dimethylazanium;chloride;trihydrate Chemical compound O.O.O.[Cl-].C1=CC(=[N+](C)C)C=C2SC3=CC(N(C)C)=CC=C3N=C21 XQAXGZLFSSPBMK-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 150000008065 acid anhydrides Chemical class 0.000 description 1
- 125000005396 acrylic acid ester group Chemical group 0.000 description 1
- HFBMWMNUJJDEQZ-UHFFFAOYSA-N acryloyl chloride Chemical compound ClC(=O)C=C HFBMWMNUJJDEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003647 acryloyl group Chemical group O=C([*])C([H])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 1
- 229910003481 amorphous carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N anthraquinone Natural products CCC(=O)c1c(O)c2C(=O)C3C(C=CC=C3O)C(=O)c2cc1CC(=O)OC PYKYMHQGRFAEBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004056 anthraquinones Chemical class 0.000 description 1
- RJGDLRCDCYRQOQ-UHFFFAOYSA-N anthrone Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC=CC=C3CC2=C1 RJGDLRCDCYRQOQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960005070 ascorbic acid Drugs 0.000 description 1
- 235000010323 ascorbic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000011668 ascorbic acid Substances 0.000 description 1
- 230000002238 attenuated effect Effects 0.000 description 1
- RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N benzophenone Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)C1=CC=CC=C1 RWCCWEUUXYIKHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012965 benzophenone Substances 0.000 description 1
- 125000001797 benzyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(C([H])=C1[H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- NDKBVBUGCNGSJJ-UHFFFAOYSA-M benzyltrimethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)CC1=CC=CC=C1 NDKBVBUGCNGSJJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- VYHBFRJRBHMIQZ-UHFFFAOYSA-N bis[4-(diethylamino)phenyl]methanone Chemical compound C1=CC(N(CC)CC)=CC=C1C(=O)C1=CC=C(N(CC)CC)C=C1 VYHBFRJRBHMIQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000416 bismuth oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007664 blowing Methods 0.000 description 1
- PVEOYINWKBTPIZ-UHFFFAOYSA-N but-3-enoic acid Chemical compound OC(=O)CC=C PVEOYINWKBTPIZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AXCZMVOFGPJBDE-UHFFFAOYSA-L calcium dihydroxide Chemical compound [OH-].[OH-].[Ca+2] AXCZMVOFGPJBDE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000000920 calcium hydroxide Substances 0.000 description 1
- 229910001861 calcium hydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 description 1
- 239000004917 carbon fiber Substances 0.000 description 1
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 229920002301 cellulose acetate Polymers 0.000 description 1
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 229910000428 cobalt oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N cobalt(ii) oxide Chemical compound [Co]=O IVMYJDGYRUAWML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 description 1
- LDHQCZJRKDOVOX-NSCUHMNNSA-N crotonic acid Chemical compound C\C=C\C(O)=O LDHQCZJRKDOVOX-NSCUHMNNSA-N 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- AFZSMODLJJCVPP-UHFFFAOYSA-N dibenzothiazol-2-yl disulfide Chemical compound C1=CC=C2SC(SSC=3SC4=CC=CC=C4N=3)=NC2=C1 AFZSMODLJJCVPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N dibismuth;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Bi+3].[Bi+3] TYIXMATWDRGMPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N diethanolamine Chemical compound OCCNCCO ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N dioxosilane;oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Si]=O.O=[Si]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O.O=[Al]O[Al]=O KZHJGOXRZJKJNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 1
- 230000005670 electromagnetic radiation Effects 0.000 description 1
- 238000000572 ellipsometry Methods 0.000 description 1
- YQGOJNYOYNNSMM-UHFFFAOYSA-N eosin Chemical compound [Na+].OC(=O)C1=CC=CC=C1C1=C2C=C(Br)C(=O)C(Br)=C2OC2=C(Br)C(O)=C(Br)C=C21 YQGOJNYOYNNSMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YLQWCDOCJODRMT-UHFFFAOYSA-N fluoren-9-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC=CC=C3C2=C1 YLQWCDOCJODRMT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001530 fumaric acid Substances 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N gallium phosphide Chemical compound [Ga]#P HZXMRANICFIONG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002070 germicidal effect Effects 0.000 description 1
- 125000003055 glycidyl group Chemical group C(C1CO1)* 0.000 description 1
- VOZRXNHHFUQHIL-UHFFFAOYSA-N glycidyl methacrylate Chemical compound CC(=C)C(=O)OCC1CO1 VOZRXNHHFUQHIL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical class 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N isocyanate group Chemical group [N-]=C=O IQPQWNKOIGAROB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004898 kneading Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 229910000464 lead oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N lithium oxide Chemical compound [Li+].[Li+].[O-2] FUJCRWPEOMXPAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001947 lithium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 150000002734 metacrylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 125000005397 methacrylic acid ester group Chemical group 0.000 description 1
- VHRYZQNGTZXDNX-UHFFFAOYSA-N methacryloyl chloride Chemical compound CC(=C)C(Cl)=O VHRYZQNGTZXDNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LVHBHZANLOWSRM-UHFFFAOYSA-N methylenebutanedioic acid Natural products OC(=O)CC(=C)C(O)=O LVHBHZANLOWSRM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960000907 methylthioninium chloride Drugs 0.000 description 1
- 239000006060 molten glass Substances 0.000 description 1
- 229910052863 mullite Inorganic materials 0.000 description 1
- DASJFYAPNPUBGG-UHFFFAOYSA-N naphthalene-1-sulfonyl chloride Chemical compound C1=CC=C2C(S(=O)(=O)Cl)=CC=CC2=C1 DASJFYAPNPUBGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N oxolead Chemical compound [Pb]=O YEXPOXQUZXUXJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N oxonickel Chemical compound [Ni]=O GNRSAWUEBMWBQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000016 photochemical curing Methods 0.000 description 1
- 239000004014 plasticizer Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920002037 poly(vinyl butyral) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 1
- 229920006289 polycarbonate film Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920006267 polyester film Polymers 0.000 description 1
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- CHWRSCGUEQEHOH-UHFFFAOYSA-N potassium oxide Chemical compound [O-2].[K+].[K+] CHWRSCGUEQEHOH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001950 potassium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N praseodymium atom Chemical compound [Pr] PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000004886 process control Methods 0.000 description 1
- VHXJRLYFEJAIAM-UHFFFAOYSA-N quinoline-2-sulfonyl chloride Chemical compound C1=CC=CC2=NC(S(=O)(=O)Cl)=CC=C21 VHXJRLYFEJAIAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002601 radiography Methods 0.000 description 1
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 238000007790 scraping Methods 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N sodium oxide Chemical compound [O-2].[Na+].[Na+] KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001948 sodium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000000638 solvent extraction Methods 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N terbium atom Chemical compound [Tb] GZCRRIHWUXGPOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 description 1
- BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N thallium Chemical compound [Tl] BKVIYDNLLOSFOA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002562 thickening agent Substances 0.000 description 1
- 125000003396 thiol group Chemical group [H]S* 0.000 description 1
- YRHRIQCWCFGUEQ-UHFFFAOYSA-N thioxanthen-9-one Chemical compound C1=CC=C2C(=O)C3=CC=CC=C3SC2=C1 YRHRIQCWCFGUEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- LDHQCZJRKDOVOX-UHFFFAOYSA-N trans-crotonic acid Natural products CC=CC(O)=O LDHQCZJRKDOVOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
- C03C17/006—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with materials of composite character
- C03C17/007—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with materials of composite character containing a dispersed phase, e.g. particles, fibres or flakes, in a continuous phase
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C3/00—Glass compositions
- C03C3/04—Glass compositions containing silica
- C03C3/062—Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/02—Dosimeters
- G01T1/023—Scintillation dose-rate meters
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
- G01T1/2002—Optical details, e.g. reflecting or diffusing layers
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T1/00—Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
- G01T1/16—Measuring radiation intensity
- G01T1/20—Measuring radiation intensity with scintillation detectors
- G01T1/202—Measuring radiation intensity with scintillation detectors the detector being a crystal
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01T—MEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
- G01T7/00—Details of radiation-measuring instruments
-
- G—PHYSICS
- G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
- G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
- G21K4/00—Conversion screens for the conversion of the spatial distribution of X-rays or particle radiation into visible images, e.g. fluoroscopic screens
Landscapes
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Geochemistry & Mineralogy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Dispersion Chemistry (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- Measurement Of Radiation (AREA)
- Conversion Of X-Rays Into Visible Images (AREA)
- Apparatus For Radiation Diagnosis (AREA)
Description
(1)シート状の基材に形成した格子状の隔壁によって区画されたセルに放射線を受けて発光する蛍光体が充填された画素構造を有するシンチレータパネルであって、パネル外周部の非表示領域の少なくとも一部に表裏とも前記格子状の隔壁が露出した部分を有し、該露出部が光透過性を有するシンチレータパネル。
(2)前記格子状の隔壁がアルカリ金属酸化物を2〜20質量%含有する低融点ガラスを主成分とする材料から成る(1)に記載のシンチレータパネル。
(3)前記隔壁の表面に反射膜が形成されている(1)または(2)に記載のシンチレータパネル。
(4)(1)〜(3)のいずれかに記載のシンチレータパネルを製造する方法であって、基材A上に低融点ガラスと感光性有機成分とを含有する感光性ペーストを塗布し、感光性ペースト塗布膜を形成する工程と、当該感光性ペースト塗布膜を所定のパターンに露光する露光工程と、露光後の感光性ペースト塗布膜の現像液に可溶な部分を溶解除去する現像工程と、現像後の感光性ペースト塗布膜パターンを500℃〜700℃の焼成温度に加熱して有機成分を除去すると共に低融点ガラスを軟化および焼結させて隔壁とする焼成工程と、当該隔壁間に蛍光体を充填してシンチレータ層とする工程と、基材Aから前記シンチレータ層を剥離する工程と、前記シンチレータ層を、少なくとも一部に開口部または切欠き部を有する基材Bに貼り合わせる工程を含むシンチレータパネルの製造方法。
(5)(1)〜(3)のいずれかに記載のシンチレータパネルと、当該シンチレータパネルにおける前記格子状の隔壁と画素ピッチが対応するように光電変換素子が配列した受光基板とが貼り合わされてなる放射線検出装置。
(6)前記格子状の隔壁の画素ピッチが前記光電変換素子の画素ピッチの整数倍である(5)に記載の放射線検出装置。
(7)接着性樹脂または粘着テープにより前記シンチレータパネル外周部の非表示領域が前記受光基板と接着されてなる(5)または(6)に記載の放射線検出装置。
セラミックス粉末とガラスの粉末とを混合して焼結したガラスセラミックス板、
アルミニウムシート、鉄シート、銅シート等の金属シート、
好ましくは石英、ホウ珪酸ガラス、化学的強化ガラス等のガラスからなるガラス板等を用いることができる。
又は高軟化点ガラス粉末が好ましい。
又は酸化ケイ素、酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化ジルコニウム、チタン酸バリウム等の白色セラミックス粉末を適宜含有させることができる。
又はテトラメチルアンモニウムヒドロキサイド、トリメチルベンジルアンモニウムヒドロキサイド、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン等の有機アルカリ水溶液が挙げられるが、焼成工程における除去が容易であることから、有機アルカリ水溶液が好ましい。アルカリ水溶液の濃度は、0.05〜5質量%が好ましく、0.1〜2質量%がより好ましい。アルカリ濃度が過度に低いと、露光後の塗布膜における不要な部分が十分に除去されないことがある。一方で、アルカリ濃度が過度に高いと、焼成前パターンの剥離又は腐食のおそれがある。現像温度は、工程管理を容易にするため、20〜50℃が好ましい。
−0.1 < n1−n2 < 0.1
の関係を満たすことが好ましく、
−0.01 ≦ n1−n2 ≦ 0.01
の関係を満たすことがより好ましく、
−0.005 ≦ n1−n2 ≦ 0.005
の関係を満たすことがさらに好ましい。なお、ガラス粉末の屈折率は、ガラス粉末が含有する金属酸化物の組成によって、適宜調整することができる。
メタクリル酸エステル、アクリル酸エステル、スチレン、アクリロニトリル、酢酸ビニル又は2−ヒドロキシアクリレートを共重合することにより得られる。
アクリル酸クロライド、メタクリル酸クロライド、アリルクロライド、
グリシジル基若しくはイソシアネート基を有するエチレン性不飽和化合物
又はマレイン酸等のカルボン酸を反応させる方法が挙げられる。
アスコルビン酸若しくはトリエタノールアミン等との還元剤の組合せが挙げられる。
又はTiO2、ZrO2、Al2O3若しくはZnO等の金属酸化物が好ましい。
アルミナ、窒化アルミ、ムライト、ステアタイト、チッ化珪素、炭化珪素等のセラミックス基板、
セラミックス粉末とガラスの粉末とを混合して焼結したガラスセラミックス基板、
シリコン、ゲルマニウム、ガリウム砒素、ガリウム燐、ガリウム窒素等の半導体からなる半導体基板、
アルミニウムシート、鉄シート、銅シート等の金属シート、
石英、ホウ珪酸ガラス、化学的強化ガラス等のガラスからなるガラス板、
金属酸化物の被覆層を有する金属シート、
アモルファスカーボン基板が挙げられるが、なかでも、高分子材料からなる高分子フィルムは、原子番号の小さな炭素原子や水素原子を主とする材料で構成されており、放射線透過率が高いことから、高分子フィルムが好ましい。
ペーストの作製に用いた原料は次のとおりである。
感光性モノマーM−1 : トリメチロールプロパントリアクリレート
感光性モノマーM−2 : テトラプロピレングリコールジメタクリレート
感光性ポリマー : メタクリル酸/メタクリル酸メチル/スチレン=40/40/30の質量比からなる共重合体のカルボキシル基に対して0.4当量のグリシジルメタクリレートを付加反応させたもの(重量平均分子量43000;酸価100)
バインダー樹脂 : 100cPエチルセルロース
光重合開始剤 : 2−ベンジル−2−ジメチルアミノ−1−(4−モルフォリノフェニル)ブタノン−1(IC369;BASF社製)
熱重合開始剤 : V−40
重合禁止剤 : 1,6−ヘキサンジオール−ビス[(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシフェニル)プロピオネート])
紫外線吸収剤溶液 : スダンIV(東京応化工業株式会社製)のγ−ブチロラクトン0.3質量%溶液
粘度調整剤 : フローノンEC121(共栄社化学社製)
溶媒A : γ−ブチロラクトン
溶媒B : テルピネオール
低軟化点ガラス粉末 : SiO2 27質量%、B2O3 31質量%、ZnO 6質量%、Li2O 7質量%、MgO 2質量%、CaO 2質量%、BaO 2質量%、Al2O3 23質量%、屈折率(ng):1.56、ガラス軟化温度588℃、線膨張係数70×10−7(K−1)、平均粒子径2.3μm
高軟化点ガラス粉末 : SiO2 30質量%、B2O3 31質量%、ZnO 6質量%、MgO 2質量%、CaO 2質量%、BaO 2質量%、Al2O3 27質量%、屈折率(ng):1.55、軟化温度790℃、熱膨張係数32×10−7(K−1)、平均粒子径2.3μm
酸化ケイ素粉末 : アドマテックス社製SO−E1、平均粒子径0.25μm
酸化チタン粉末 : 石原産業社製ST−21、平均粒子径0.02μm
蛍光体粉末 : 日亜化学工業社製3010−54TOR、平均粒径10μm。
3質量部のバインダー樹脂、1.5質量部の感光性モノマーM−1、0.5質量部の感光性モノマーM−2、0.05質量部の熱重合開始剤を、55質量部の溶媒Bに、温度60℃で加熱溶解した。得られた有機溶液を冷却した後、40質量部の酸化ケイ素粉末を添加し、3本ローラー混練機にて混練し、ガラス粉末含有ペーストBを作製した。
4質量部のバインダー樹脂を、50質量部の溶媒Bに、温度60℃で加熱溶解した。得られた有機溶液を冷却した後、46質量部の低軟化点ガラス粉末を添加した後、3本ローラー混練機にて混練し、ガラス粉末含有ペーストCを作製した。
4質量部の感光性モノマーM−1、6質量部の感光性モノマーM−2、24質量部の感光性ポリマー、6質量部の光重合開始剤、0.2質量部の重合禁止剤及び12.8質量部の紫外線吸収剤溶液を、38質量部の溶媒Aに、温度80℃で加熱溶解した。得られた溶液を冷却した後、9質量部の粘度調整剤を添加して、有機溶液1を作製した。60質量部の有機溶液1に、5質量部の低軟化点ガラス粉末及び35質量部の高軟化点ガラス粉末を添加した後、3本ローラー混練機にて混練し、ガラス粉末含有ペーストDを作製した。
60質量部の有機溶液1に、30質量部の低軟化点ガラス粉末及び10質量部の高軟化点ガラス粉末を添加した後、3本ローラー混練機にて混練し、ガラス粉末含有ペーストEを作製した。
3質量部のバインダー樹脂を、37質量部の溶媒Bに、温度60℃で加熱溶解した。得られた有機溶液を冷却した後、60質量部の酸化チタン粉末を添加した後、3本ローラー混練機にて混練し、反射膜ペーストFを作製した。
3質量部のバインダー樹脂を、20質量部の溶媒Bに、温度60℃で加熱溶解した。得られた有機溶液を冷却した後、77質量部の蛍光体粉末を添加した後、攪拌混合機にて攪拌し、蛍光体ペーストGを作製した。
基材Aとして、500mm×500mm×1.8mmのガラス板(PD−200;旭硝子社製、線膨張係数83×10−7(K−1))を用いた。基材Aの表面に、ガラス粉末含有ペーストBを乾燥厚さが5μmとなるようにスクリーン印刷で一面塗布して乾燥し、塗布膜Bを形成した。塗布膜Bの表面にガラス粉末含有ペーストCを乾燥厚さが24μmとなるようダイコーターで一面塗布して乾燥し、塗布膜Cを形成した。この際に塗布膜Cの塗布面積を塗布膜Bよりも広く、かつ塗布膜B全体を覆うような配置とした。これを空気中585℃で15分間焼成した。焼成により有機成分が焼失し、塗布膜Bは非焼結の剥離補助層、塗布膜Cは焼結層である隔壁補強層となった。上記のように塗布膜Cを塗布膜Bよりも広く形成することで、焼成後に基材Aと塗布膜Cとが直接接触するエリアは融着し、塗布膜Cが剥離してしまうことは無かった。
隔壁パターン加工に使用するフォトマスクのパターンピッチを254μmとし、実施例1の画素ピッチの2倍のものを使用した以外は実施例1と同様の方法でシンチレータパネルを製造した。
実施例1に示したシンチレータパネルで周囲に光透過性のある隔壁露出構造をもたないシンチレータパネルを製造し、光電変換素子に貼り合わせて放射線検出装置を作成した。画素同士のアライメントは2視野カメラをパネル間に挿入し、シンチレータパネルと光電変換素子のパターン表面を同時に撮像することで実施した。実施例1の評価値を100とした場合の輝度の相対値は80、画像鮮明度の評価値は80となり、ともに実施例1を下回る結果となった。隔壁の画素と光電変換素子の画素の位置ずれにより、光電変換素子の受光エリアに発光しない隔壁部分が存在することで受光効率が低下し、隣接する光電変換素子に発光光が漏れ込んで本来の画像鮮明度が得られなかったためと考えられる。位置ずれの原因としては2視野カメラの光軸の精度、パネル貼り合わせの駆動軸の精度などが考えられ、いずれも貼り合わせるパネル同士に距離がある状態でアライメントしたことによる弊害と考えられる。
実施例1に示した製法のうち剥離補助層および非焼結隔壁を形成する工程を省略することで基材A上に隔壁構造を持つシンチレータ層を形成できる。この際、フォトマスクのパターンレイアウトを変更することで光電変換素子のアライメントマークに対応する位置に隔壁で同一形状のマークを形成することができる。マークは線幅100ミクロン、縦横幅1000ミクロンの十字形状とした。このフォトマスクを用いてシンチレータパネルを作成した。剥離補助層を設けないため基材Aからシンチレータ層を剥離しない。隔壁で形成したマークと光電変換素子のアライメントマークを整合させるようにCCDカメラを用いてアライメントし、貼り合わせて放射線検出装置を作成した。実施例1の評価値を100とした場合の輝度の相対値は70、画像鮮明度の評価値は80となり、ともに実施例1を下回る結果となった。輝度評価値の低下は基材AによるX線吸収が実施例1で用いたような白PETフィルムよりも大きいことに起因し、画像鮮明度の低下は比較例1同様画素の位置ずれに起因するものと考えられる。この位置ずれは隔壁で形成した十字形状のマークが格子パターンから独立した位置に存在するため、焼成時にひずみを生じやすく、設計寸法位置からずれたことに起因すると考えられる。
2 シンチレータパネル
3 受光基板
4 基材開口部
5 基材B
6 隔壁
6’貫通隔壁
7 光電変換素子
8 配線パターン
9 粘着層
10 隔壁補強層
11 反射膜
12 蛍光体
13 出力層
14 基板
15 電源部
16 接着層
17 基材A
18 塗布膜B
19 塗布膜D
20 塗布膜E
21 非焼結隔壁
Claims (7)
- シート状の基材に形成した格子状の隔壁によって区画されたセルに放射線を受けて発光する蛍光体が充填された画素構造を有するシンチレータパネルであって、パネル外周部の非表示領域の少なくとも一部に表裏とも前記格子状の隔壁が露出した部分を有し、該露出部が光透過性を有するシンチレータパネル。
- 前記格子状の隔壁がアルカリ金属酸化物を2〜20質量%含有する低融点ガラスを主成分とする材料から成る請求項1に記載のシンチレータパネル。
- 前記隔壁の表面に反射膜が形成されている請求項1または2に記載のシンチレータパネル。
- 請求項1〜3のいずれかに記載のシンチレータパネルを製造する方法であって、基材A上に低融点ガラスと感光性有機成分とを含有する感光性ペーストを塗布し、感光性ペースト塗布膜を形成する工程と、当該感光性ペースト塗布膜を所定のパターンに露光する露光工程と、露光後の感光性ペースト塗布膜の現像液に可溶な部分を溶解除去する現像工程と、現像後の感光性ペースト塗布膜パターンを500℃〜700℃の焼成温度に加熱して有機成分を除去すると共に低融点ガラスを軟化および焼結させて隔壁とする焼成工程と、当該隔壁間に蛍光体を充填してシンチレータ層とする工程と、基材Aから前記シンチレータ層を剥離する工程と、前記シンチレータ層を、少なくとも一部に開口部または切欠部を有する基材Bに貼り合わせる工程を含むシンチレータパネルの製造方法。
- 請求項1〜3のいずれかに記載のシンチレータパネルと、当該シンチレータパネルにおける前記格子状の隔壁と画素ピッチが対応するように光電変換素子が配列した受光基板とが貼り合わされてなる放射線検出装置。
- 前記格子状の隔壁の画素ピッチが前記光電変換素子の画素ピッチの整数倍である請求項5に記載の放射線検出装置。
- 接着性樹脂または粘着テープにより前記シンチレータパネル外周部の非表示領域が前記受光基板と接着されてなる請求項5または6に記載の放射線検出装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016088897 | 2016-04-27 | ||
JP2016088897 | 2016-04-27 | ||
PCT/JP2017/011652 WO2017187854A1 (ja) | 2016-04-27 | 2017-03-23 | シンチレータパネルおよびその製造方法、並びに、放射線検出装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2017187854A1 JPWO2017187854A1 (ja) | 2019-02-28 |
JP6733666B2 true JP6733666B2 (ja) | 2020-08-05 |
Family
ID=60160421
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017516791A Active JP6733666B2 (ja) | 2016-04-27 | 2017-03-23 | シンチレータパネルおよびその製造方法、並びに、放射線検出装置 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10741298B2 (ja) |
EP (1) | EP3451348A4 (ja) |
JP (1) | JP6733666B2 (ja) |
KR (1) | KR102197808B1 (ja) |
CN (1) | CN108475550B (ja) |
TW (1) | TWI713728B (ja) |
WO (1) | WO2017187854A1 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2019155813A1 (ja) * | 2018-02-06 | 2019-08-15 | 東レ株式会社 | 放射線検出器の製造方法および放射線検出器の製造装置 |
TWI833894B (zh) | 2019-02-08 | 2024-03-01 | 日商富士軟片股份有限公司 | 放射線檢測器的製造方法及放射線圖像攝影裝置 |
CN112114347B (zh) * | 2019-06-21 | 2024-05-17 | 清华大学 | 用于制造闪烁体探测器的设备和方法 |
JP7501419B2 (ja) | 2021-03-23 | 2024-06-18 | 東レ株式会社 | シンチレータパネル、放射線検出器および放射線検出器の製造方法 |
Family Cites Families (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5153438A (en) * | 1990-10-01 | 1992-10-06 | General Electric Company | Method of forming an x-ray imaging array and the array |
JPH0560871A (ja) | 1991-09-04 | 1993-03-12 | Hamamatsu Photonics Kk | 放射線検出素子 |
JPH05188148A (ja) | 1992-01-13 | 1993-07-30 | Hamamatsu Photonics Kk | 放射線検出素子 |
US5418377A (en) * | 1993-07-09 | 1995-05-23 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Pixelized phosphor |
US5519227A (en) * | 1994-08-08 | 1996-05-21 | The University Of Massachusetts Medical Center | Structured scintillation screens |
US5956382A (en) * | 1997-09-25 | 1999-09-21 | Eliezer Wiener-Avnear, Doing Business As Laser Electro Optic Application Technology Comp. | X-ray imaging array detector and laser micro-milling method for fabricating array |
US6292529B1 (en) * | 1999-12-15 | 2001-09-18 | Analogic Corporation | Two-dimensional X-ray detector array for CT applications |
US6298113B1 (en) * | 2000-02-07 | 2001-10-02 | General Electric Company | Self aligning inter-scintillator reflector x-ray damage shield and method of manufacture |
JP2002228757A (ja) * | 2001-02-05 | 2002-08-14 | Canon Inc | 放射線検出装置及びそれに用いる波長変換体 |
DE102004060932B4 (de) * | 2004-12-17 | 2009-06-10 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung eines Strahlungsdetektors |
DE102006033497B4 (de) * | 2006-07-19 | 2014-05-22 | Siemens Aktiengesellschaft | Strahlungsdetektor für Röntgen- oder Gammastrahlen und Verfahren zu seiner Herstellung |
JP4064431B1 (ja) * | 2006-09-26 | 2008-03-19 | シャープ株式会社 | 固体撮像装置およびその製造方法ならびに製造装置 |
RU2487373C2 (ru) * | 2007-12-21 | 2013-07-10 | Конинклейке Филипс Электроникс Н.В. | Чувствительный к излучению детектор со сцинтиллятором в композиционной смоле |
JP2011007552A (ja) | 2009-06-24 | 2011-01-13 | Konica Minolta Medical & Graphic Inc | シンチレータパネル、放射線検出装置、及びシンチレータパネルの製造方法 |
EP2717272B1 (en) | 2011-05-26 | 2016-10-05 | Toray Industries, Inc. | Scintillator panel and method for manufacturing scintillator panel |
CN102435747A (zh) * | 2011-10-26 | 2012-05-02 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 | 面向急性心肌梗死诊断的生物传感器及其制备方法 |
KR20150079591A (ko) * | 2012-11-01 | 2015-07-08 | 도레이 카부시키가이샤 | 방사선 검출 장치 및 그 제조 방법 |
JP2014106022A (ja) * | 2012-11-26 | 2014-06-09 | Toray Ind Inc | シンチレータパネル |
WO2014080941A1 (ja) * | 2012-11-26 | 2014-05-30 | 東レ株式会社 | シンチレータパネルおよびその製造方法 |
JP2014182001A (ja) * | 2013-03-19 | 2014-09-29 | Fujifilm Corp | 放射線画像検出装置 |
JP6329716B2 (ja) * | 2013-10-31 | 2018-05-23 | 日本山村硝子株式会社 | 隔壁形成用ガラス組成物 |
US10176902B2 (en) * | 2013-11-20 | 2019-01-08 | Toray Industries, Inc. | Scintillator panel |
JP6624056B2 (ja) * | 2014-07-07 | 2019-12-25 | 東レ株式会社 | シンチレータパネル、放射線検出器およびその製造方法 |
US10580547B2 (en) | 2014-08-08 | 2020-03-03 | Toray Industries, Inc. | Scintillator panel and radiation detector |
US9476991B2 (en) * | 2014-10-07 | 2016-10-25 | Terapede Systems Inc. | 3D high resolution X-ray sensor with integrated scintillator grid |
-
2017
- 2017-03-23 CN CN201780006674.4A patent/CN108475550B/zh active Active
- 2017-03-23 US US16/093,261 patent/US10741298B2/en active Active
- 2017-03-23 EP EP17789143.9A patent/EP3451348A4/en active Pending
- 2017-03-23 WO PCT/JP2017/011652 patent/WO2017187854A1/ja active Application Filing
- 2017-03-23 KR KR1020187017500A patent/KR102197808B1/ko active IP Right Grant
- 2017-03-23 JP JP2017516791A patent/JP6733666B2/ja active Active
- 2017-04-20 TW TW106113203A patent/TWI713728B/zh active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN108475550A (zh) | 2018-08-31 |
US10741298B2 (en) | 2020-08-11 |
EP3451348A1 (en) | 2019-03-06 |
EP3451348A4 (en) | 2019-12-04 |
JPWO2017187854A1 (ja) | 2019-02-28 |
TWI713728B (zh) | 2020-12-21 |
KR102197808B1 (ko) | 2021-01-04 |
WO2017187854A1 (ja) | 2017-11-02 |
CN108475550B (zh) | 2022-06-14 |
TW201743121A (zh) | 2017-12-16 |
KR20180136430A (ko) | 2018-12-24 |
US20190131027A1 (en) | 2019-05-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9632185B2 (en) | Scintillator panel and method for manufacturing the same | |
JP6277721B2 (ja) | 放射線検出装置およびその製造方法 | |
US10176902B2 (en) | Scintillator panel | |
TWI639568B (zh) | 立體結構物之製造方法、閃爍器面板之製造方法、立體結構物及閃爍器面板 | |
US9564253B2 (en) | Scintillator panel | |
JP5488773B1 (ja) | シンチレータパネルおよびシンチレータパネルの製造方法 | |
KR20140012728A (ko) | 신틸레이터 패널 및 신틸레이터 패널의 제조 방법 | |
JP6733666B2 (ja) | シンチレータパネルおよびその製造方法、並びに、放射線検出装置 | |
WO2014021415A1 (ja) | シンチレータパネルおよびシンチレータパネルの製造方法 | |
JP6075028B2 (ja) | シンチレータパネル |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20191212 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20191212 |
|
A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20191216 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200218 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200609 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200622 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6733666 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |