JP6322929B2 - Thermosetting resin composition for light reflection, substrate for mounting optical semiconductor element, method for manufacturing the same, and optical semiconductor device - Google Patents

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Description

本発明は、光反射用熱硬化性樹脂組成物、これを用いた光半導体素子搭載用基板及びその製造方法、並びに光半導体装置に関する。   The present invention relates to a thermosetting resin composition for light reflection, an optical semiconductor element mounting substrate using the same, a method for manufacturing the same, and an optical semiconductor device.

近年、LED(Light Emitting Diode:発光ダイオード)等の光半導体素子と蛍光体とを組み合わせた光半導体装置は、高エネルギー効率及び長寿命の利点から、屋外用ディスプレイ、携帯液晶バックライト、車載用途等の様々な用途に適用され、その需要が拡大しつつある。   In recent years, an optical semiconductor device in which an optical semiconductor element such as an LED (Light Emitting Diode) and a phosphor are combined is used for an outdoor display, a portable liquid crystal backlight, an in-vehicle application, etc. due to the advantages of high energy efficiency and long life. This is applied to various uses and its demand is expanding.

これに伴って、LEDデバイスの高輝度化が進み、素子の発熱量増大によるジャンクション温度の上昇、又は直接的な光エネルギーの増大による素子材料の劣化が問題視され、近年、熱劣化及び光劣化に対して耐性を有する素子材料の開発が課題となっている。   Along with this, the brightness of LED devices has been increasing, and the rise in junction temperature due to an increase in the amount of heat generated by the element, or the deterioration of element materials due to a direct increase in light energy, has been regarded as a problem. Development of a device material having resistance to the problem has been an issue.

熱又は光に起因する輝度低下の問題を防止する技術として、特許文献1には、光半導体素子が搭載される部位に、光反射率の高いリフレクターを設けた光半導体素子搭載用基板が提案されている。また、特許文献1及び2には、トランスファー成形によりリフレクターを形成することが開示され、その材料として、エポキシ樹脂、硬化剤、硬化触媒及び白色顔料を含有する光反射用熱硬化性樹脂組成物が提案されている。   As a technique for preventing the problem of luminance reduction caused by heat or light, Patent Document 1 proposes a substrate for mounting an optical semiconductor element in which a reflector having a high light reflectance is provided at a portion where the optical semiconductor element is mounted. ing. Patent Documents 1 and 2 disclose that a reflector is formed by transfer molding, and a light-reflective thermosetting resin composition containing an epoxy resin, a curing agent, a curing catalyst, and a white pigment is used as the material. Proposed.

特開2006−140207号公報JP 2006-140207 A 特開2013−155344号公報JP 2013-155344 A

LEDパッケージの製造では、光半導体素子搭載用基板と光半導体素子との接続、光半導体素子の樹脂封止、基板実装時のはんだリフロー等の高温プロセスを経る。また、LEDパッケージは使用時において、大気中の湿度の影響とLED素子から発せられる熱の影響とを受け、樹脂材料が加水分解することがある。従来の光反射用熱硬化性樹脂組成物を用いて作製された光半導体素子搭載用基板の場合、大気中の湿度又は動作時の発熱によって、LEDパッケージにおける初期の光学特性の確保が困難となることがある。   In manufacturing an LED package, a high-temperature process such as connection between a substrate for mounting an optical semiconductor element and the optical semiconductor element, resin sealing of the optical semiconductor element, and solder reflow during mounting on the substrate is performed. Further, when the LED package is used, the resin material may be hydrolyzed due to the influence of humidity in the atmosphere and the influence of heat generated from the LED element. In the case of an optical semiconductor element mounting substrate manufactured using a conventional thermosetting resin composition for light reflection, it is difficult to ensure the initial optical characteristics of the LED package due to atmospheric humidity or heat generated during operation. Sometimes.

一般に、トランスファー成形に用いられる光反射用熱硬化性樹脂組成物には、エポキシ樹脂が用いられる。光半導体装置がより高温高湿環境での安定した動作を行うためには、それらを構成するエポキシ樹脂には、熱又は湿度で変色し難いことが要求される。   Generally, an epoxy resin is used for the thermosetting resin composition for light reflection used for transfer molding. In order for an optical semiconductor device to perform a stable operation in a higher temperature and higher humidity environment, it is required that the epoxy resin constituting them be difficult to discolor due to heat or humidity.

本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、十分な光反射率を有し、耐湿性及び耐熱着色性に優れた成形体を形成できる光反射用熱硬化性樹脂組成物、それを用いた光半導体素子搭載用基板及びその製造方法、並びに、光半導体装置を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above circumstances, has a sufficient light reflectivity, and can form a molded article excellent in moisture resistance and heat-resistant colorability. It is an object of the present invention to provide an optical semiconductor element mounting substrate, a method for manufacturing the same, and an optical semiconductor device.

上記課題を解決するために、本発明者らが鋭意検討した結果、熱硬化性樹脂組成物に特定のエポキシ化合物を配合することで、光反射率の高い成形体をトランスファー成形により形成することができると共に、大気中の湿度に対する耐性を備え、高温での熱処理後における成形体の光反射率の低下を従来よりも小さくすることができることを見出し、本発明を完成するに至った。   As a result of intensive studies by the present inventors in order to solve the above-mentioned problems, it is possible to form a molded article with high light reflectance by transfer molding by blending a specific epoxy compound with a thermosetting resin composition. In addition, the present inventors have found that it has resistance to atmospheric humidity and can lower the light reflectivity of the molded product after heat treatment at high temperature, compared to the prior art.

本発明は、エポキシ樹脂、硬化触媒及び白色顔料を含み、エポキシ樹脂が、下記一般式(1)で示されるフッ素化エポキシ樹脂と、エポキシ基を有するポリオルガノシロキサンと、を含有する、光反射用熱硬化性樹脂組成物に関する。式(1)中、R、R、R及びRは各々独立に水素原子、炭素数1〜4のアルキル基又はハロゲン原子を示し、nは0〜40の数を示す。 The present invention includes an epoxy resin, a curing catalyst, and a white pigment, and the epoxy resin contains a fluorinated epoxy resin represented by the following general formula (1) and a polyorganosiloxane having an epoxy group. The present invention relates to a thermosetting resin composition. In formula (1), R 1 , R 2 , R 3 and R 4 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms or a halogen atom, and n represents a number from 0 to 40.

Figure 0006322929
Figure 0006322929

エポキシ基を有するポリオルガノシロキサンは、エポキシ基を有するシラン化合物と、エポキシ基を有しないシラン化合物との縮合物であることが好ましい。   The polyorganosiloxane having an epoxy group is preferably a condensate of a silane compound having an epoxy group and a silane compound having no epoxy group.

エポキシ基を有するポリオルガノシロキサンのエポキシ当量は、好ましくは150〜1000g/eqである。また、エポキシ基を有するポリオルガノシロキサンの数平均分子量は、好ましくは300〜5000である。   The epoxy equivalent of the polyorganosiloxane having an epoxy group is preferably 150 to 1000 g / eq. The number average molecular weight of the polyorganosiloxane having an epoxy group is preferably 300 to 5,000.

光反射用熱硬化性樹脂組成物は、硬化剤を更に含んでいてもよい。   The thermosetting resin composition for light reflection may further contain a curing agent.

白色顔料は、アルミナ、酸化マグネシウム、酸化アンチモン、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化ジルコニウム及び無機中空粒子からなる群より選ばれる少なくとも1種を含有することが好ましい。白色顔料の中心粒径は、好ましくは0.1〜50μmである。白色顔料の含有量は、熱硬化性樹脂組成物全量を基準として10〜85体積%であることが好ましい。白色顔料がこれら条件を満たしていることにより、本発明による効果がより一層顕著に奏される。   The white pigment preferably contains at least one selected from the group consisting of alumina, magnesium oxide, antimony oxide, titanium oxide, zinc oxide, zirconium oxide and inorganic hollow particles. The center particle diameter of the white pigment is preferably 0.1 to 50 μm. The content of the white pigment is preferably 10 to 85% by volume based on the total amount of the thermosetting resin composition. When the white pigment satisfies these conditions, the effect of the present invention is more remarkably exhibited.

別の側面において、本発明は、上記光反射用熱硬化性樹脂組成物の硬化物を備える、光半導体素子搭載用基板に関する。当該光半導体素子搭載用基板は、底面及び壁面から構成される凹部を有し、当該凹部の底面が光半導体素子の搭載部であってもよい。この場合、凹部の壁面の少なくとも一部が、上記光反射用熱硬化性樹脂組成物の硬化物である。当該光半導体素子搭載用基板は、基板と、当該基板上に設けられた第1の接続端子及び第2の接続端子と、第1の接続端子と第2の接続端子との間に設けられた、上記光反射用熱硬化性樹脂組成物の硬化物と、を備えていてもよい。   In another aspect, the present invention relates to an optical semiconductor element mounting substrate comprising a cured product of the light reflecting thermosetting resin composition. The substrate for mounting an optical semiconductor element may have a recess composed of a bottom surface and a wall surface, and the bottom surface of the recess may be a mounting portion for the optical semiconductor element. In this case, at least a part of the wall surface of the recess is a cured product of the thermosetting resin composition for light reflection. The optical semiconductor element mounting substrate is provided between the substrate, the first connection terminal and the second connection terminal provided on the substrate, and the first connection terminal and the second connection terminal. And a cured product of the thermosetting resin composition for light reflection.

さらに別の側面において、本発明は、上記光半導体素子搭載用基板と、当該光半導体素子搭載用基板に搭載された光半導体素子と、を具備する、光半導体装置に関する。   In still another aspect, the present invention relates to an optical semiconductor device comprising the optical semiconductor element mounting substrate and an optical semiconductor element mounted on the optical semiconductor element mounting substrate.

さらに別の側面において、本発明は、底面及び壁面から構成される凹部を有する光半導体素子搭載用基板の製造方法に関する。本発明に係る製造方法は、凹部の壁面の少なくとも一部を、上記光反射用熱硬化性樹脂組成物をトランスファー成形して形成する工程を備える。   In still another aspect, the present invention relates to a method for manufacturing a substrate for mounting an optical semiconductor element having a recess composed of a bottom surface and a wall surface. The manufacturing method according to the present invention includes a step of forming at least a part of the wall surface of the recess by transfer molding the thermosetting resin composition for light reflection.

本発明によれば、十分な光反射率を有し、耐湿性及び耐熱着色性に優れた成形体を形成できる光反射用熱硬化性樹脂組成物を提供することができる。すなわち、本発明によれば、可視光から近紫外光の波長領域における光反射率が高い硬化物が得られ、且つ、LEDパッケージ等の光半導体装置の製造時、又は、高温環境での使用時に変色の少ない硬化物を得ることが可能な光反射用熱硬化性樹脂組成物を提供することができる。また、そのような樹脂組成物を用いることによって、光学特性に優れ、信頼性の高い光半導体素子搭載用基板及び光半導体装置を製造することが可能となる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, the thermosetting resin composition for light reflection which can form the molded object which has sufficient light reflectivity and was excellent in moisture resistance and heat-resistant coloring property can be provided. That is, according to the present invention, a cured product having a high light reflectance in the wavelength region from visible light to near-ultraviolet light is obtained, and at the time of manufacturing an optical semiconductor device such as an LED package, or when used in a high temperature environment. A thermosetting resin composition for light reflection capable of obtaining a cured product with less discoloration can be provided. In addition, by using such a resin composition, it is possible to manufacture an optical semiconductor element mounting substrate and an optical semiconductor device having excellent optical characteristics and high reliability.

光半導体素子搭載用基板の好適な一実施形態を示す斜視図である。It is a perspective view which shows suitable one Embodiment of the board | substrate for optical semiconductor element mounting. 光半導体素子搭載用基板を製造する工程の一実施形態を示す概略図である。It is the schematic which shows one Embodiment of the process of manufacturing the board | substrate for optical semiconductor element mounting. 光半導体素子搭載用基板に光半導体素子を搭載した状態の一実施形態を示す斜視図である。It is a perspective view which shows one Embodiment in the state which mounted the optical semiconductor element in the board | substrate for optical semiconductor element mounting. 光半導体装置の一実施形態を示す模式断面図である。It is a schematic cross section showing one embodiment of an optical semiconductor device. 光半導体装置の他の実施形態を示す模式断面図である。It is a schematic cross section which shows other embodiment of an optical semiconductor device. 光半導体装置の他の実施形態を示す模式断面図である。It is a schematic cross section which shows other embodiment of an optical semiconductor device. 銅張積層板の好適な一実施形態を示す模式断面図である。It is a schematic cross section which shows suitable one Embodiment of a copper clad laminated board. 銅張積層板を用いて作製された光半導体装置の一例を示す模式断面図である。It is a schematic cross section which shows an example of the optical semiconductor device produced using the copper clad laminated board. 光半導体装置の他の実施形態を示す模式断面図である。It is a schematic cross section which shows other embodiment of an optical semiconductor device.

[光反射用熱硬化性樹脂組成物]
本実施形態の光反射用熱硬化性樹脂組成物は、(A)エポキシ樹脂、(B)硬化触媒及び(C)白色顔料を含む。該熱硬化樹脂組成物は、(A)エポキシ樹脂として、後述する特定のフッ素化エポキシ樹脂と、エポキシ基を有するポリオルガノシロキサンと、を含有することを特徴とする。以下、各成分について説明する。
[Thermosetting resin composition for light reflection]
The light-reflective thermosetting resin composition of the present embodiment includes (A) an epoxy resin, (B) a curing catalyst, and (C) a white pigment. The thermosetting resin composition is characterized by containing, as (A) an epoxy resin, a specific fluorinated epoxy resin described later and a polyorganosiloxane having an epoxy group. Hereinafter, each component will be described.

((A)成分:エポキシ樹脂)
光反射用熱硬化性樹脂組成物に含まれるフッ素化エポキシ樹脂は、下記一般式(1)で示されるエポキシ樹脂(以下、場合により「(A1)成分」という)である。
((A) component: epoxy resin)
The fluorinated epoxy resin contained in the light-reflective thermosetting resin composition is an epoxy resin represented by the following general formula (1) (hereinafter referred to as “component (A1)” in some cases).

Figure 0006322929
Figure 0006322929

式中、R、R、R及びRはそれぞれ独立に、水素原子、炭素数1〜4のアルキル基又はハロゲン原子を示し、水素原子、メチル基、エチル基又はハロゲン原子であることが好ましい。 In the formula, each of R 1 , R 2 , R 3 and R 4 independently represents a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms or a halogen atom, and is a hydrogen atom, a methyl group, an ethyl group or a halogen atom. Is preferred.

式中、nは0〜40の範囲であり、好ましくは0〜20の範囲である。nが40を超えると分子量が大きくなるため粘度及び軟化温度が上昇し、取り扱い性が低下する傾向にある。このnの値はエポキシ樹脂の製造時におけるビスフェノール化合物に対するエピハロヒドリンのモル比で制御することができ、nは平均値である。「(A1)成分」には、nが0の成分が10モル%以上含まれることが好ましい。nが0の成分が10モル%以上であると、粘度及び軟化温度が調整し易くなり、取り扱い易くなる。nの平均値はより好ましくは0〜10、特に好ましくは0〜5である。   In formula, n is the range of 0-40, Preferably it is the range of 0-20. When n exceeds 40, the molecular weight increases, so the viscosity and softening temperature increase, and the handleability tends to decrease. The value of n can be controlled by the molar ratio of the epihalohydrin to the bisphenol compound at the time of producing the epoxy resin, and n is an average value. The “component (A1)” preferably contains 10 mol% or more of a component having n = 0. When the component where n is 0 is 10 mol% or more, the viscosity and the softening temperature are easily adjusted, and the handling becomes easy. The average value of n is more preferably 0 to 10, particularly preferably 0 to 5.

一般式(1)で示されるフッ素化エポキシ樹脂のエポキシ当量は、224〜2000g/eqであることが好ましく、224〜1000g/eqであることがより好ましい。エポキシ当量が2000g/eq以下であると、取り扱い性が向上する傾向にある。   The epoxy equivalent of the fluorinated epoxy resin represented by the general formula (1) is preferably 224 to 2000 g / eq, and more preferably 224 to 1000 g / eq. When the epoxy equivalent is 2000 g / eq or less, the handleability tends to be improved.

一般式(1)で示されるフッ素化エポキシ樹脂は、下記一般式(2)で示されるビスフェノール化合物とエピハロヒドリンとの付加・閉環反応を、アルカリ金属水酸化物等の塩基の存在下で行うことにより得ることができる。   The fluorinated epoxy resin represented by the general formula (1) is obtained by performing an addition / ring-closure reaction between a bisphenol compound represented by the following general formula (2) and an epihalohydrin in the presence of a base such as an alkali metal hydroxide. Can be obtained.

Figure 0006322929
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式中、R、R、R及びRはそれぞれ独立に水素原子、炭素数1〜4のアルキル基又はハロゲン原子を示し、水素原子、メチル基、エチル基又はハロゲン原子であることが好ましい。 In the formula, R 1 , R 2 , R 3 and R 4 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms or a halogen atom, and may be a hydrogen atom, a methyl group, an ethyl group or a halogen atom. preferable.

一般式(1)で示されるフッ素化エポキシ樹脂の例としては、2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパンから得られるエポキシ樹脂、2,2−ビス(4−ヒドロキシ−3−メチルフェニル)ヘキサフルオロプロパンから得られるエポキシ樹脂、2,2−ビス(3−エチル−4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパンから得られるエポキシ樹脂、2,2−ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジメチルフェニル)ヘキサフルオロプロパンから得られるエポキシ樹脂、2,2−ビス(3−ブロモ−4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパンから得られるエポキシ樹脂、及び、2,2−ビス(3,5−ジブロモ−4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパンから得られるエポキシ樹脂が挙げられる。   Examples of the fluorinated epoxy resin represented by the general formula (1) include an epoxy resin obtained from 2,2-bis (4-hydroxyphenyl) hexafluoropropane, and 2,2-bis (4-hydroxy-3-methyl). Epoxy resin obtained from phenyl) hexafluoropropane, epoxy resin obtained from 2,2-bis (3-ethyl-4-hydroxyphenyl) hexafluoropropane, 2,2-bis (4-hydroxy-3,5-dimethyl) Epoxy resin obtained from phenyl) hexafluoropropane, epoxy resin obtained from 2,2-bis (3-bromo-4-hydroxyphenyl) hexafluoropropane, and 2,2-bis (3,5-dibromo-4) An epoxy resin obtained from -hydroxyphenyl) hexafluoropropane can be mentioned.

このようなエポキシ樹脂の製造原料となる一般式(2)で示されるビスフェノール化合物としては、2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス(4−ヒドロキシ−3−メチルフェニル)ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス(3−エチル−4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス(4−ヒドロキシ−3,5−ジメチルフェニル)ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス(3−フルオロ−4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス(3−ブロモ−4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン及び2,2−ビス(3,5−ジブロモ−4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパンが挙げられる。これらの中でR、R、R及びRが水素原子である2,2−ビス(4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパンが、原料入手の容易さの点で特に好ましい。 Examples of the bisphenol compound represented by the general formula (2) used as a raw material for producing such an epoxy resin include 2,2-bis (4-hydroxyphenyl) hexafluoropropane and 2,2-bis (4-hydroxy-3- Methylphenyl) hexafluoropropane, 2,2-bis (3-ethyl-4-hydroxyphenyl) hexafluoropropane, 2,2-bis (4-hydroxy-3,5-dimethylphenyl) hexafluoropropane, 2,2 -Bis (3-fluoro-4-hydroxyphenyl) hexafluoropropane, 2,2-bis (3-bromo-4-hydroxyphenyl) hexafluoropropane and 2,2-bis (3,5-dibromo-4-hydroxy) Phenyl) hexafluoropropane. Among these, 2,2-bis (4-hydroxyphenyl) hexafluoropropane, in which R 1 , R 2 , R 3 and R 4 are hydrogen atoms, is particularly preferable from the viewpoint of easy availability of raw materials.

一般式(2)で示されるビスフェノール化合物を濃度が50質量%となるようにケトン系溶媒に溶解した溶液の光線透過率(以下、場合により「光線透過率(50)」という)が80%以上であると、得られる光反射用熱硬化性樹脂組成物の色相が良くなる。色相が良くなるとは、得られた光反射用熱硬化性樹脂組成物の光学反射率が高くなるという意味であり、これを用いた光半導体装置の光出力を向上させることができる。   The light transmittance (hereinafter sometimes referred to as “light transmittance (50)”) of a solution obtained by dissolving the bisphenol compound represented by the general formula (2) in a ketone solvent so as to have a concentration of 50% by mass is 80% or more. When it is, the hue of the thermosetting resin composition for light reflections obtained will become good. The improvement in hue means that the optical reflectance of the obtained light-reflective thermosetting resin composition is increased, and the optical output of an optical semiconductor device using the same can be improved.

光線透過率(50)は、より具体的には、当該ビスフェノール化合物の濃度が50質量%となるように、ケトン系溶媒へ溶解した後、光路長が1cmの石英セルにこのビスフェノール化合物溶液を入れ、分光光度計を用いて400nmの波長で光線透過率を測定することにより求められる。ただし、この濃度は高精度に50質量%である必要はなく、49.5〜50.5質量%の濃度範囲なら構わない。ケトン系溶媒としては、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン又はこれらの混合溶媒を用いることができる。   More specifically, the light transmittance (50) is obtained by dissolving the bisphenol compound solution in a quartz cell having an optical path length of 1 cm after dissolving in a ketone solvent so that the concentration of the bisphenol compound is 50% by mass. , By measuring the light transmittance at a wavelength of 400 nm using a spectrophotometer. However, this concentration does not need to be 50% by mass with high accuracy, and may be a concentration range of 49.5 to 50.5% by mass. As the ketone solvent, acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, cyclohexanone, or a mixed solvent thereof can be used.

ビスフェノール化合物の光線透過率(50)は高い程好ましく、特に85%以上であることが好ましい。光線透過率(50)の上限については特に制限はないが、通常95%以下である。   The light transmittance (50) of the bisphenol compound is preferably as high as possible, and particularly preferably 85% or more. Although there is no restriction | limiting in particular about the upper limit of light transmittance (50), Usually, it is 95% or less.

一般式(2)で示されるビスフェノール化合物の光線透過率(50)が80%以上となるように色相を改善する方法としては、水溶性の有機溶媒と水(好ましくは純水)との混合溶媒中で再結晶化させて不純物を除去し、色相を改善する方法、還元剤又は吸着剤を用いて脱色する方法等が挙げられる。   As a method for improving the hue so that the light transmittance (50) of the bisphenol compound represented by the general formula (2) is 80% or more, a mixed solvent of a water-soluble organic solvent and water (preferably pure water) is used. Among them, there are a method of recrystallizing to remove impurities to improve the hue, a method of decolorizing using a reducing agent or an adsorbent, and the like.

ビスフェノール化合物の再結晶に用いることのできる有機溶媒としては、水と相溶し得るものであれば特に制限はなく、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、テトラヒドロフラン、ジオキサン、酢酸エチル、アセトニトリル及び水溶性のアルコール類が挙げられる。水溶性のアルコール類としては、例えば、メタノール、エタノール、n−プロパノール、イソプロパノール等の1価のアルコール類、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール等の2価のアルコール類、及び、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、ブチルセロソルブ等のセロソルブ類が挙げられる。これらの有機溶媒は、1種を単独で又は2種以上を混合して用いることができる。   The organic solvent that can be used for recrystallization of the bisphenol compound is not particularly limited as long as it is compatible with water. For example, acetone, methyl ethyl ketone, tetrahydrofuran, dioxane, ethyl acetate, acetonitrile, and water-soluble alcohols Is mentioned. Examples of water-soluble alcohols include monohydric alcohols such as methanol, ethanol, n-propanol, and isopropanol, divalent alcohols such as ethylene glycol, diethylene glycol, and triethylene glycol, and methyl cellosolve and ethyl cellosolve. And cellosolves such as butyl cellosolve. These organic solvents can be used individually by 1 type or in mixture of 2 or more types.

これらの有機溶媒の中で水溶性のアルコール類が、ビスフェノール化合物の純度が効果的に向上するという点で特に好ましく、再結晶に用いる有機溶媒と水の混合溶媒の混合比率は、有機溶媒5〜50質量%、水50〜95質量%とするのが好ましい。   Among these organic solvents, water-soluble alcohols are particularly preferable in that the purity of the bisphenol compound is effectively improved. The mixing ratio of the organic solvent used for recrystallization and the mixed solvent of water is 5 to 5. 50% by mass and 50 to 95% by mass of water are preferable.

ビスフェノール化合物の再結晶は、通常の方法で行うことができ、例として、ビスフェノール化合物1質量部に対し、有機溶媒と純水の混合溶媒1〜50質量部を添加し、該混合溶媒の沸点近くまで温度を上げて均一な溶液とし、その後室温付近まで冷却させて、再びビスフェノール化合物の結晶を析出させる方法が挙げられる。   Recrystallization of the bisphenol compound can be performed by a usual method. For example, 1 to 50 parts by mass of a mixed solvent of an organic solvent and pure water is added to 1 part by mass of the bisphenol compound, and the vicinity of the boiling point of the mixed solvent The temperature can be raised to a uniform solution, and then cooled to near room temperature to precipitate bisphenol compound crystals again.

還元剤又は吸着剤を用いてビスフェノール化合物を脱色する方法は、通常はビスフェノール化合物を溶媒等に溶解させた溶液と還元剤又は吸着剤を接触させ、還元剤によるキノン類の還元、又は、吸着剤による不純物の吸着除去をすることにより行うことができる。   A method of decolorizing a bisphenol compound using a reducing agent or an adsorbent is usually to contact a reducing agent or an adsorbent with a solution in which the bisphenol compound is dissolved in a solvent, and reduce the quinones with the reducing agent, or the adsorbent. It can be performed by removing impurities by adsorption.

還元剤の例としては、N,N−ジエチルヒドロキシルアミン、ヒドラジンヒドラート、アスコルビン酸、亜ニチアン酸ナトリウム、水素化ホウ酸ナトリウム、水素化リチウムアルミニウム、ポリメチルヒドロシロキサン、塩化第二スズ、三塩化チタン等のキノン類を還元し得る還元剤の1種又は2種以上が挙げられる。   Examples of reducing agents include N, N-diethylhydroxylamine, hydrazine hydrate, ascorbic acid, sodium nitrite, sodium borohydride, lithium aluminum hydride, polymethylhydrosiloxane, stannic chloride, trichloride One or more reducing agents capable of reducing quinones such as titanium are included.

吸着剤の例としては、活性白土、活性炭、酸化マグネシウム、シリカゲル、アルミナ、シリカアルミナ等の一般的に使用されている吸着剤の1種又は2種以上が使用できる。   Examples of the adsorbent include one or more commonly used adsorbents such as activated clay, activated carbon, magnesium oxide, silica gel, alumina, silica alumina, and the like.

還元剤による処理と吸着剤による処理とを併用してもよく、その場合には還元剤による処理を行った後吸着剤による処理を行ってもよく、逆に吸着剤による処理を行った後、還元剤による処理を行ってもよい。   The treatment with the reducing agent and the treatment with the adsorbent may be used together. In that case, the treatment with the adsorbent may be performed after the treatment with the reducing agent, and conversely, after the treatment with the adsorbent, You may perform the process by a reducing agent.

還元剤又は吸着剤による脱色処理を行う際、通常ビスフェノール化合物をエピクロルヒドリン及びアルコール系溶媒を用い、ビスフェノール化合物は通常10〜40質量%程度の濃度に溶解させて脱色処理に供される。脱色処理後にビスフェノール化合物を単離せず、続いてエポキシ化反応を行うことが好ましい。   When performing a decoloring process with a reducing agent or an adsorbent, an epichlorohydrin and an alcohol solvent are usually used for the bisphenol compound, and the bisphenol compound is usually dissolved in a concentration of about 10 to 40% by mass and used for the decoloring process. It is preferable not to isolate the bisphenol compound after the decolorization treatment, and then to perform an epoxidation reaction.

還元剤による脱色処理を行う場合、上述のようなビスフェノール化合物溶液に前述の還元剤を、ビスフェノール化合物に対して0.1〜5質量%程度添加して20〜50℃の温度で0.2〜3時間程度撹拌することによりキノン類を還元除去する。   When performing the decoloring process by a reducing agent, the above-mentioned reducing agent is added to the above bisphenol compound solution about 0.1-5 mass% with respect to a bisphenol compound, and it is 0.2- The quinones are reduced and removed by stirring for about 3 hours.

吸着剤による脱色処理を行う場合は、前述の吸着剤を充填したカラムにビスフェノール化合物溶液を通すか、ビスフェノール化合物溶液に吸着剤を添加して攪拌混合し、その後固液分離する。   In the case of performing a decolorization treatment with an adsorbent, the bisphenol compound solution is passed through a column filled with the adsorbent described above, or the adsorbent is added to the bisphenol compound solution with stirring and mixed, and then solid-liquid separation is performed.

このような脱色処理又は前述の再結晶を行うことにより、光線透過率(50)が80%以上のビスフェノール化合物を得ることができる。   By performing such decolorization treatment or the above-described recrystallization, a bisphenol compound having a light transmittance (50) of 80% or more can be obtained.

前述の脱色処理は、製造されたエポキシ樹脂に対して行うこともできる。この場合、エポキシ樹脂を溶解可能な有機溶媒の1種又は2種以上の溶媒に10〜50質量%程度の濃度に溶解させた溶液に対して前述のビスフェノール化合物に対すると同様の脱色処理を施せばよい。このような脱色処理を行うことにより、或いは、前述の再結晶又は脱色処理で光線透過率(50)80%以上としたビスフェノール化合物を用いてエポキシ樹脂を製造することにより、光線透過率(50)80%以上の(A1)成分のエポキシ樹脂を得ることができる。   The aforementioned decolorization treatment can also be performed on the produced epoxy resin. In this case, if the same decolorization treatment as that for the above-mentioned bisphenol compound is performed on a solution in which the epoxy resin can be dissolved in one or two or more organic solvents at a concentration of about 10 to 50% by mass. Good. By performing such decoloring treatment, or by producing an epoxy resin using a bisphenol compound having a light transmittance (50) of 80% or more by the above-mentioned recrystallization or decolorization treatment, light transmittance (50) 80% or more of the (A1) component epoxy resin can be obtained.

光反射用熱硬化性樹脂組成物が後述する硬化剤を含む場合、(A1)成分は、硬化剤と互いに相溶であることが好ましい。エポキシ樹脂について「硬化剤と互いに相溶」とは、エポキシ樹脂がその他の硬化剤と親和性を示し、均一な溶液又は混合物として存在することを意味する。より具体的には、例えば、エポキシ樹脂と、硬化剤とを1/1の質量比で混合し、それら成分を120℃にて完全に溶解し、引き続き攪拌を行って得られる混合液について、30分にわたり静置した後に混合液の一部を取り出して目視した場合、成分間の分離がない透明な液体として確認できる状態を意味する。このような状態を、本明細書では「互いに相溶」と称し、成分が分離し不透明な液体となる場合を「互いに不溶」と称す。なお、互いに相溶ではあるが、溶解するまでに長い時間が必要であるようなエポキシ樹脂及び硬化剤の組み合わせは、長時間にわたる加熱、すなわち、より多くの熱エネルギーを必要とすることから、生産性又はコストの面で不利となる。そのため、短時間で相溶する組み合わせが好ましい。   When the light-reflective thermosetting resin composition contains a curing agent described later, the component (A1) is preferably compatible with the curing agent. The term “compatible with the curing agent” for the epoxy resin means that the epoxy resin has an affinity with other curing agents and exists as a uniform solution or mixture. More specifically, for example, a mixture obtained by mixing an epoxy resin and a curing agent at a mass ratio of 1/1, completely dissolving these components at 120 ° C., and subsequently stirring the mixture, When a part of the mixed liquid is taken out and visually observed after standing for a minute, it means a state that can be confirmed as a transparent liquid with no separation between components. In this specification, such a state is referred to as “compatible with each other”, and a case where components are separated and become an opaque liquid is referred to as “insoluble with each other”. The combination of epoxy resin and curing agent that are compatible with each other but require a long time to dissolve requires heating over a long period of time, that is, more heat energy. It is disadvantageous in terms of sex or cost. Therefore, a combination that is compatible in a short time is preferable.

更に上記混合操作において、エポキシ樹脂及び硬化剤の硬化反応物であるゲル等が析出する場合があるが、このような析出物による白濁がない混合物が得られるように適宜、温度、攪拌方法等の混合条件を選択することが好ましい。また、高粘度の材料を選択すると、攪拌により気泡を巻き込んでしまい、得られた混合物は微小な気泡が原因となって、外観上、白濁しているように観察される場合がある。その際には、公知の減圧脱泡法により気泡を取り除いた後の混合物の透明性を判定することが好ましい。なお、「白濁」とは、電磁波の可視光領域における散乱がないことを示す。より具体的には、光のレイリー散乱、ミー散乱、回折散乱現象を生じるような、散乱中心を有する微粒子又は微小な気泡が存在しないことを示す。   Furthermore, in the above mixing operation, a gel or the like that is a cured reaction product of an epoxy resin and a curing agent may be precipitated. It is preferable to select the mixing conditions. In addition, if a material having a high viscosity is selected, bubbles are involved by stirring, and the resulting mixture may be observed to be cloudy in appearance due to minute bubbles. In that case, it is preferable to determine the transparency of the mixture after removing bubbles by a known vacuum degassing method. Note that “white turbidity” indicates that there is no scattering of electromagnetic waves in the visible light region. More specifically, it indicates that there are no fine particles or minute bubbles having scattering centers that cause the Rayleigh scattering, Mie scattering, and diffraction scattering phenomena of light.

上記フッ素化エポキシ樹脂は、結合エネルギーの高い結合を有するとともに、フッ素化された主骨格が疎水性を示し、光反射用熱硬化性樹脂組成物の硬化成型物表面の表面自由エネルギーを低下させる性質を有する。このような性質から、トランスファー成形時に樹脂組成物が成形金型へ張り付くことを抑制することが可能となる。そして、このような化合物と(B)硬化触媒及び(C)白色顔料とを組み合わせることにより、高温環境下での酸化劣化による着色を抑制しつつ、高温で金型を用いる成形加工を行って十分な光反射率を有する成形体を製造する場合であっても、金型成形時に成形金型との離型性を十分確保することができ、高い光反射率、耐熱着色性及び成形加工性の全てを高度に満足させることができる。   The fluorinated epoxy resin has a bond with high binding energy, and the fluorinated main skeleton exhibits hydrophobicity, which reduces the surface free energy of the cured molded product surface of the thermosetting resin composition for light reflection. Have From such properties, it becomes possible to suppress the resin composition from sticking to the molding die during transfer molding. And by combining such a compound with (B) a curing catalyst and (C) a white pigment, it is sufficient to perform a molding process using a mold at a high temperature while suppressing coloring due to oxidative degradation in a high temperature environment. Even in the case of producing a molded article having a good light reflectance, it is possible to ensure sufficient releasability from the molding die at the time of molding the mold, and the high light reflectance, heat resistance coloring property and molding processability. Everything can be highly satisfied.

上記フッ素化エポキシ樹脂の融点又は軟化点は、0〜150℃であることが好ましく、30〜100℃であることがより好ましく、30〜80℃であることが更に好ましい。フッ素化エポキシ樹脂の融点又は軟化点が0℃以上であると、光反射用熱硬化性樹脂組成物における白色顔料の分散性が向上する傾向にあり、トランスファー成形のように金型を用いて成形する場合に樹脂バリが発生し難くなる。樹脂バリが発生すると、これが光半導体搭載用基板上の汚染物として残存し、その後の工程において光半導体素子を搭載したときに十分な接続強度が得られず、不良の原因となることがある。一方、上記化合物の融点又は軟化点が150℃以下であると、熱硬化性樹脂組成物の溶融粘度が増加し難く、溶融させて流動状態として成形するときの加工特性が向上する傾向にある。   The melting point or softening point of the fluorinated epoxy resin is preferably 0 to 150 ° C, more preferably 30 to 100 ° C, and still more preferably 30 to 80 ° C. When the melting point or softening point of the fluorinated epoxy resin is 0 ° C. or higher, the dispersibility of the white pigment in the thermosetting resin composition for light reflection tends to be improved, and molding is performed using a mold like transfer molding. In this case, resin burrs are less likely to occur. When the resin burrs are generated, they remain as contaminants on the optical semiconductor mounting substrate, and when the optical semiconductor element is mounted in a subsequent process, sufficient connection strength cannot be obtained, which may cause defects. On the other hand, when the melting point or softening point of the above compound is 150 ° C. or lower, the melt viscosity of the thermosetting resin composition hardly increases, and the processing characteristics when melted and molded into a fluid state tend to be improved.

上記フッ素化エポキシ樹脂の150℃における溶融粘度は、1.0〜1000mPa・sであることが好ましく、10〜1000mPa・sであることがより好ましく、100〜1000mPa・sであることが更に好ましい。この溶融粘度が1.0mPa・s以上であると、光反射用熱硬化性樹脂組成物における白色顔料の分散性が向上する傾向にあり、トランスファー成形のように金型を用いて成形する場合に樹脂バリが発生し難くなる。一方、上記溶融粘度が1000mPa・s以下であると、熱硬化性樹脂組成物の溶融粘度が増加し難く、溶融させて流動状態として成形するときの加工特性が向上する傾向にある。   The melt viscosity at 150 ° C. of the fluorinated epoxy resin is preferably 1.0 to 1000 mPa · s, more preferably 10 to 1000 mPa · s, and still more preferably 100 to 1000 mPa · s. When the melt viscosity is 1.0 mPa · s or more, the dispersibility of the white pigment in the light-reflective thermosetting resin composition tends to be improved, and when molding using a mold as in transfer molding. Resin burrs are less likely to occur. On the other hand, when the melt viscosity is 1000 mPa · s or less, the melt viscosity of the thermosetting resin composition hardly increases, and the processing characteristics when melted and molded into a fluid state tend to be improved.

本明細書において、「150℃における溶融粘度」、「軟化点(融点)」及び「数平均分子量(Mn)」はそれぞれ以下の測定方法により求められる。「150℃における溶融粘度」は、Research Equipment(London)LTD.製のICIコーンプレート型粘度計を用いて測定される。「軟化点(融点)」は、化合物をホットプレート上で加熱し、性状の変化を目視で確認する方法により得られる。「数平均分子量(Mn)」は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)法に従って標準ポリスチレンによる検量線を用いて測定した値を指し、より具体的には、GPC測定装置としてポンプ(株式会社日立製作所製、L−6200型)、カラム(TSKgel−G5000HXL及びTSKgel−G2000HXL、いずれも東ソー株式会社製、商品名)及び検出器(株式会社日立製作所製、L−3300RI型)を使用し、溶離液としてテトラヒドロフランを使用し、温度30℃、流量1.0mL/minの条件で測定される。   In the present specification, “melt viscosity at 150 ° C.”, “softening point (melting point)” and “number average molecular weight (Mn)” are determined by the following measuring methods, respectively. “Melt viscosity at 150 ° C.” is available from Research Equipment (London) LTD. It is measured using a manufactured ICI cone plate viscometer. The “softening point (melting point)” is obtained by heating the compound on a hot plate and visually confirming the change in properties. “Number average molecular weight (Mn)” refers to a value measured using a standard polystyrene calibration curve in accordance with a gel permeation chromatography (GPC) method. More specifically, a pump (Hitachi, Ltd.) is used as a GPC measuring device. Manufactured by L-6200 type), column (TSKgel-G5000HXL and TSKgel-G2000HXL, both manufactured by Tosoh Corporation, trade name) and detector (manufactured by Hitachi, Ltd., L-3300RI type) as an eluent. Tetrahydrofuran is used, and measurement is performed under the conditions of a temperature of 30 ° C. and a flow rate of 1.0 mL / min.

一般式(1)で示されるフッ素化エポキシ樹脂としては、商業的に入手可能なものを使用することができ、例えば、三菱化学株式会社製の商品名「YL7702」、「YL7763−65」及び「YL7763−65」が挙げられる。   As the fluorinated epoxy resin represented by the general formula (1), commercially available resins can be used. For example, trade names “YL7702”, “YL7763-65” and “YL7763-65” manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation can be used. YL7763-65 ".

光反射用熱硬化性樹脂組成物が(A1)成分を含有することにより、エポキシ基を有するポリオルガノシロキサン(以下、場合により「(A2)成分」という)、硬化触媒及び白色顔料を均一に相溶、分散混合することが可能となる。   When the thermosetting resin composition for light reflection contains the component (A1), a polyorganosiloxane having an epoxy group (hereinafter sometimes referred to as “component (A2)”), a curing catalyst and a white pigment are uniformly mixed. It becomes possible to dissolve and disperse and mix.

一般に、ポリオルガノシロキサンはエポキシ樹脂等の炭化水素系材料との相溶性は小さいこと知られている。通常、ポリオルガノシロキサン骨格を有するエポキシ樹脂を用いる場合、光反射用熱硬化性樹脂組成物の加工性を向上するため、エポキシ樹脂以外の成分と相溶性を有している必要がある。相溶性を付与するためには高分子量の炭化水素成分をポリオルガノシロキサンに変性したエポキシ樹脂が用いられる。しかしながら、炭化水素成分を多く含んだポリオルガノシロキサン含有エポキシ樹脂は、耐熱性及び耐湿性が十分でないことがある。   In general, it is known that polyorganosiloxane has low compatibility with hydrocarbon-based materials such as epoxy resins. Usually, when using an epoxy resin having a polyorganosiloxane skeleton, it is necessary to have compatibility with components other than the epoxy resin in order to improve the processability of the light-reflective thermosetting resin composition. In order to impart compatibility, an epoxy resin obtained by modifying a high molecular weight hydrocarbon component into polyorganosiloxane is used. However, the polyorganosiloxane-containing epoxy resin containing a large amount of hydrocarbon components may not have sufficient heat resistance and moisture resistance.

これに対し、本実施形態に係るエポキシ基を有するポリオルガノシロキサンは、結合エネルギーの高い結合を有すると共に、オルガノシロキサン骨格が疎水性を示し、樹脂組成物が熱硬化した後の耐湿性を向上させる性質を有する。このような化合物を上記フッ素化エポキシ樹脂と併用することで、光反射用熱硬化性樹脂組成物から形成される成形体における、高温環境下での酸化劣化による着色を抑制しつつ、耐湿性を向上し、高い光反射率、耐熱着色性及び成形加工性の全てを高度に満足させることができる。   On the other hand, the polyorganosiloxane having an epoxy group according to the present embodiment has a bond with high binding energy, the organosiloxane skeleton exhibits hydrophobicity, and improves the moisture resistance after the resin composition is thermally cured. Have properties. By using such a compound in combination with the fluorinated epoxy resin, the molded product formed from the light-reflective thermosetting resin composition suppresses coloring due to oxidative degradation under a high-temperature environment, while maintaining moisture resistance. It can improve and can fully satisfy all of high light reflectance, heat-resistant coloring property, and moldability.

エポキシ基を有するポリオルガノシロキサンとしては、エポキシ基を有するシラン化合物と、エポキシ基を有しないシラン化合物との縮合物を用いることができる。   As the polyorganosiloxane having an epoxy group, a condensate of a silane compound having an epoxy group and a silane compound having no epoxy group can be used.

エポキシ基を有するシラン化合物としては、例えば、下記一般式(3)で示される化合物が挙げられる。
(RSi(OX4−g (3)
As a silane compound which has an epoxy group, the compound shown by following General formula (3) is mentioned, for example.
(R 5 ) g Si (OX 1 ) 4-g (3)

式(3)中、Rは、エポキシ基を有する炭素数2〜20の有機基を示し、Xは、炭素数1〜10のアルキル基を示し、gは1又は2の整数を示し、gが2であるとき、2個のRは同一でも異なっていてもよい。 In Formula (3), R 5 represents an organic group having 2 to 20 carbon atoms having an epoxy group, X 1 represents an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, g represents an integer of 1 or 2, When g is 2, two R 5 may be the same or different.

エポキシ基を有する炭素数2〜20の有機基としては、特に限定されないが、例えば、2,3−エポキシプロピル基、3,4−エポキシブチル基、4,5−エポキシペンチル基,2−グリシドキシエチル基、3−グリシドキシプロピル基、4−グリシドキシブチル基及び下記式(3a)で示される基が挙げられる。   Although it does not specifically limit as a C2-C20 organic group which has an epoxy group, For example, 2,3-epoxypropyl group, 3,4-epoxybutyl group, 4,5-epoxypentyl group, 2-glycid Examples include a xylethyl group, a 3-glycidoxypropyl group, a 4-glycidoxybutyl group, and a group represented by the following formula (3a).

Figure 0006322929
Figure 0006322929

式(3a)中、pは1〜10の整数を示し、2〜6の整数であることが好ましく、2〜4の整数であることがより好ましい。式(3a)で示される基として、2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチル基又は3−(3,4−エポキシシクロヘキシル)プロピル基を好適に用いることができる。   In formula (3a), p represents an integer of 1 to 10, is preferably an integer of 2 to 6, and is more preferably an integer of 2 to 4. As the group represented by the formula (3a), a 2- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyl group or a 3- (3,4-epoxycyclohexyl) propyl group can be suitably used.

は、炭素数1〜10のアルキル基であることが好ましく、メチル基又はエチル基であることがより好ましく、メチル基であることが更に好ましい。gは、1であることが好ましい。 X 1 is preferably an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, more preferably a methyl group or an ethyl group, and still more preferably a methyl group. g is preferably 1.

エポキシ基を有しないシラン化合物としては、例えば、下記一般式(4)で示される化合物を用いることができる。
(RSi(OX4−h (4)
As the silane compound having no epoxy group, for example, a compound represented by the following general formula (4) can be used.
(R 6 ) h Si (OX 2 ) 4-h (4)

式(4)中、Rはエポキシ基を有しない炭素数1〜20の有機基を示し、Xは、それぞれ独立に炭素数1〜6のアルキル基を示し、hは1又は2の整数を示し、hが2であるとき、2個のRは同一でも異なっていてもよい。 In Formula (4), R 6 represents an organic group having 1 to 20 carbon atoms that does not have an epoxy group, X 2 represents each independently an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, and h is an integer of 1 or 2. When h is 2, two R 6 may be the same or different.

エポキシ基を有しない炭素数1〜20の有機基としては、特に限定されないが、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基等のアルキル基;ビニル基、アリル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基等のアルケニル基;フェニル基、トリル基、キシリル基、ナフチル基等のアリール基;ベンジル基、フェネチル基等のアラルキル基;クロロメチル基、3−クロロプロピル基、3,3,3−トリフロロプロピル基、ノナフルオロブチルエチル基等の置換アルキル基が挙げられる。エポキシ基を有しない炭素数1〜20の有機基として、アルキル基又はアリール基が好ましく、メチル基又はフェニル基がより好ましい。   Although it does not specifically limit as a C1-C20 organic group which does not have an epoxy group, For example, alkyl groups, such as a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group, a pentyl group, a hexyl group, a heptyl group; Alkenyl groups such as phenyl group, tolyl group, xylyl group, naphthyl group; aralkyl groups such as benzyl group, phenethyl group; chloromethyl group, 3-chloro group, aryl group, butenyl group, pentenyl group, hexenyl group Examples thereof include substituted alkyl groups such as propyl group, 3,3,3-trifluoropropyl group, and nonafluorobutylethyl group. As a C1-C20 organic group which does not have an epoxy group, an alkyl group or an aryl group is preferable, and a methyl group or a phenyl group is more preferable.

は、炭素数1〜3のアルキル基であることが好ましく、メチル基又はエチル基であることがより好ましく、メチル基であることが更に好ましい。hは、1であることが好ましい。 X 2 is preferably an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, more preferably a methyl group or an ethyl group, and still more preferably a methyl group. h is preferably 1.

エポキシ基を有するポリオルガノシロキサンは、上記一般式(3)で示される化合物及び上記一般式(4)で示される化合物を含むシラン化合物を、水及び塩基性触媒の存在下、加水分解縮合することで得ることができる。一般式(3)で示される化合物及び一般式(4)で示される化合物は、それぞれ1種を単独で用いても2種以上を混合して用いてもよい。   The polyorganosiloxane having an epoxy group is obtained by hydrolytic condensation of a compound represented by the general formula (3) and a silane compound containing the compound represented by the general formula (4) in the presence of water and a basic catalyst. Can be obtained at The compound represented by the general formula (3) and the compound represented by the general formula (4) may be used singly or in combination of two or more.

上記一般式(3)で示される化合物及び上記一般式(4)で示される化合物と共に、下記一般式(5)で示される化合物を用い加水分解縮合してもよい。
(RSiOX (5)
Along with the compound represented by the general formula (3) and the compound represented by the general formula (4), hydrolysis condensation may be performed using a compound represented by the following general formula (5).
(R 7 ) 3 SiOX 3 (5)

式(5)中、Rはそれぞれ独立にエポキシ基を有しない炭素数1〜20の有機基を示し、Rと同様の基が例示される。Xは、炭素数1〜6のアルキル基を示し、炭素数1〜3のアルキル基であることが好ましく、メチル基又はエチル基であることがより好ましく、メチル基であることが更に好ましい。 In formula (5), R < 7 > shows the C1-C20 organic group which does not have an epoxy group each independently, The group similar to R < 6 > is illustrated. X 3 represents an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, preferably an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, more preferably a methyl group or an ethyl group, and still more preferably a methyl group.

一般式(5)で示される化合物としては、例えば、トリメチルメトキシシラン、トリメチルエトキシシラン、トリエチルメトキシシラン、トリエチルエトキシシラン等のモノアルコキシシラン化合物が挙げられる。   Examples of the compound represented by the general formula (5) include monoalkoxysilane compounds such as trimethylmethoxysilane, trimethylethoxysilane, triethylmethoxysilane, and triethylethoxysilane.

(A2)成分であるエポキシ基を有するポリオルガノシロキサンのエポキシ当量の下限値は、150g/eq以上が好ましく、200g/eq以上がより好ましく、320g/eq以上が更に好ましく、350g/eq以上が特に好ましい。エポキシ当量が150g/eq以上であると、(A2)成分中に含まれるシロキサンユニットの質量比が増加し、耐熱性及び耐着色性が向上する傾向にある。一方、エポキシ基を有するポリオルガノシロキサンのエポキシ当量の上限値は、1000g/eq以下が好ましく、500g/eq以下がより好ましく、450g/eq以下が更に好ましく、400g/eq以下が特に好ましい。エポキシ当量が1000g/eq以下であると、(A1)成分、硬化触媒等の成分と加熱混合して光反射用熱硬化性樹脂組成物を調製する際の相溶性が向上し、溶融成形する際の加工特性が優れる傾向にある。   The lower limit of the epoxy equivalent of the polyorganosiloxane having an epoxy group as the component (A2) is preferably 150 g / eq or more, more preferably 200 g / eq or more, still more preferably 320 g / eq or more, and particularly preferably 350 g / eq or more. preferable. When the epoxy equivalent is 150 g / eq or more, the mass ratio of the siloxane unit contained in the component (A2) increases, and the heat resistance and the color resistance tend to be improved. On the other hand, the upper limit of the epoxy equivalent of the polyorganosiloxane having an epoxy group is preferably 1000 g / eq or less, more preferably 500 g / eq or less, still more preferably 450 g / eq or less, and particularly preferably 400 g / eq or less. When the epoxy equivalent is 1000 g / eq or less, compatibility is improved when preparing a thermosetting resin composition for light reflection by mixing with components such as component (A1) and a curing catalyst, and melt molding. The processing characteristics tend to be excellent.

(A2)成分の数平均分子量は、700〜5000であることが好ましく、900〜4000であることがより好ましく、1000〜3000であることが更に好ましい。数平均分子量が700以上であると、(A2)成分中のシロキサンユニットの質量比が増加し、耐熱性及び耐着色性が向上する傾向にある。一方、数平均分子量が5000以下であると、熱硬化性樹脂組成物の溶融粘度を低減でき、溶融成形する際の加工特性が優れる傾向にある。   The number average molecular weight of the component (A2) is preferably 700 to 5000, more preferably 900 to 4000, and still more preferably 1000 to 3000. When the number average molecular weight is 700 or more, the mass ratio of the siloxane unit in the component (A2) increases, and the heat resistance and coloration resistance tend to be improved. On the other hand, when the number average molecular weight is 5000 or less, the melt viscosity of the thermosetting resin composition can be reduced, and the processing characteristics during melt molding tend to be excellent.

(A2)成分は、融点又は軟化点が0〜150℃であることが好ましく、20〜120℃であることがより好ましく、40〜100℃であることが更に好ましい。(A2)成分の融点又は軟化点が0℃以上であると、光反射用熱硬化性樹脂組成物における白色顔料の分散性が向上する傾向にあり、トランスファー成形のように金型を用いて成形する場合に樹脂バリが発生し難くなる。一方、(A2)成分の融点又は軟化点が150℃以下であると、熱硬化性樹脂組成物の溶融粘度が増加し難く、溶融させて流動状態として成形するときの加工特性が向上する傾向にある。   The component (A2) preferably has a melting point or softening point of 0 to 150 ° C, more preferably 20 to 120 ° C, and still more preferably 40 to 100 ° C. When the melting point or softening point of the component (A2) is 0 ° C. or higher, the dispersibility of the white pigment in the thermosetting resin composition for light reflection tends to be improved, and molding is performed using a mold as in transfer molding. In this case, resin burrs are less likely to occur. On the other hand, when the melting point or softening point of the component (A2) is 150 ° C. or less, the melt viscosity of the thermosetting resin composition is difficult to increase, and the processing characteristics when melted and molded into a fluid state tend to be improved. is there.

(A2)成分は、150℃における溶融粘度が1.0〜1000mPa・sであることが好ましい。(A2)成分の溶融粘度が1.0mPa・s以上であると、光反射用熱硬化性樹脂組成物における白色顔料の分散性が向上する傾向にあり、トランスファー成形のように金型を用いて成形する場合に樹脂バリが発生し難くなる。一方、上記溶融粘度が1000mPa・s以下であると、熱硬化性樹脂組成物の溶融粘度が難くし、溶融させて流動状態として成形するときの加工特性が向上する傾向にある。   The component (A2) preferably has a melt viscosity at 150 ° C. of 1.0 to 1000 mPa · s. When the melt viscosity of the component (A2) is 1.0 mPa · s or more, the dispersibility of the white pigment in the thermosetting resin composition for light reflection tends to be improved, and a mold is used as in transfer molding. Resin burrs are less likely to occur when molding. On the other hand, if the melt viscosity is 1000 mPa · s or less, the melt viscosity of the thermosetting resin composition becomes difficult, and the processing characteristics when melted and molded into a fluid state tend to be improved.

光反射用熱硬化性樹脂組成物における(A1)成分及び(A2)成分の含有量は、熱硬化性樹脂組成物の硬化後に固形分となる成分全量基準で、0.1〜20質量%であることが好ましく、3〜20質量%であることがより好ましい。   Content of the (A1) component and the (A2) component in the thermosetting resin composition for light reflection is 0.1-20 mass% on the basis of the total amount of components that become a solid content after curing of the thermosetting resin composition. It is preferable that it is 3 to 20% by mass.

光反射用熱硬化性樹脂組成物中の(A2)成分の含有量は、(A1)成分100質量部に対して、1〜1000質量部であることが好ましく、10〜800質量部であることがより好ましく、20〜500質量部であることが更に好ましい。(A2)成分が1000質量部以下であると、硬化触媒、白色顔料等との相溶性又は分散性が得られ易くなり、1質量部以上であると、ポリオルガノシロキサン骨格に基づく耐湿性の向上効果を発揮し易くなる。   The content of the component (A2) in the light-reflective thermosetting resin composition is preferably 1 to 1000 parts by mass, and 10 to 800 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the component (A1). Is more preferable, and it is still more preferable that it is 20-500 mass parts. When the component (A2) is 1000 parts by mass or less, it is easy to obtain compatibility or dispersibility with a curing catalyst, a white pigment and the like, and when it is 1 part by mass or more, improvement in moisture resistance based on the polyorganosiloxane skeleton. It becomes easy to demonstrate the effect.

光反射用熱硬化性樹脂組成物は、(A)エポキシ樹脂として、(A1)成分及び(A2)成分以外のエポキシ樹脂(以下、「(A3)成分」という)を更に含有することができる。この場合、高温環境下における光学反射率の低下を抑制する観点から、(A2)成分の含有量は、(A1)成分100質量部に対して、1〜200質量部であることが好ましく、10〜180質量部であることがより好ましく、20〜150質量部であることが更に好ましい。(A2)成分が200質量部以下であると、硬化触媒、白色顔料等との相溶性又は分散性が得られ易くなり、1質量部以上であると、ポリオルガノシロキサン骨格に基づく耐湿性の向上効果を発揮し易くなる。   The thermosetting resin composition for light reflection can further contain an epoxy resin (hereinafter referred to as “component (A3)”) other than the component (A1) and the component (A2) as the epoxy resin (A). In this case, from the viewpoint of suppressing a decrease in optical reflectance under a high temperature environment, the content of the component (A2) is preferably 1 to 200 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the component (A1). More preferably, it is -180 mass parts, and it is still more preferable that it is 20-150 mass parts. When the component (A2) is 200 parts by mass or less, compatibility or dispersibility with a curing catalyst, a white pigment or the like is easily obtained, and when it is 1 part by mass or more, improvement in moisture resistance based on the polyorganosiloxane skeleton. It becomes easy to demonstrate the effect.

(A3)成分としては、エポキシ樹脂成形材料として一般に公知のものを使用することができ、例えば、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂等のノボラック型エポキシ樹脂;ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂、アルキル置換ビスフェノール型エポキシ樹脂等のジグリシジルエーテル;ジアミノジフェニルメタン、イソシアヌル酸等のポリアミンと、エピクロルヒドリンとの反応により得られるグリシジルアミン型エポキシ樹脂;オレフィン結合を過酢酸等の過酸で酸化して得られる線状脂肪族エポキシ樹脂;及び脂環族エポキシ樹脂が挙げられる。これらは、1種を単独で又は2種以上を組み合わせて使用することができる。   As the component (A3), a generally known epoxy resin molding material can be used. For example, a novolac epoxy resin such as a phenol novolac epoxy resin or an orthocresol novolac epoxy resin; a bisphenol A epoxy resin, Diglycidyl ethers such as bisphenol F-type epoxy resin, bisphenol S-type epoxy resin, alkyl-substituted bisphenol-type epoxy resin; glycidylamine-type epoxy resin obtained by reaction of polyamines such as diaminodiphenylmethane and isocyanuric acid with epichlorohydrin; And linear aliphatic epoxy resins obtained by oxidation with a peracid such as peracetic acid; and alicyclic epoxy resins. These can be used alone or in combination of two or more.

(A3)成分としては、無色、淡黄色等の比較的着色していないエポキシ樹脂が好ましい。そのようなエポキシ樹脂の具体例としては、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂、ジグリシジルイソシアヌレート及びトリグリシジルイソシアヌレートが挙げられる。   As the component (A3), a relatively uncolored epoxy resin such as colorless or light yellow is preferable. Specific examples of such an epoxy resin include bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol S type epoxy resin, diglycidyl isocyanurate and triglycidyl isocyanurate.

((B)成分:硬化触媒)
硬化触媒としては、例えば、1,8−ジアザビシクロ[5.4.0]ウンデセン−7、トリエチレンジアミン、トリ−2,4,6−ジメチルアミノメチルフェノール等の3級アミン類;2−エチル−4メチルイミダゾール、2−メチルイミダゾール等のイミダゾール類;トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、テトラ−n−ブチルホスホニウム−o,o−ジエチルホスホロジチオエート、テトラ−n−ブチルホスホニウム−テトラフルオロボレート、テトラ−n−ブチルホスホニウム−テトラフェニルボレート等のリン化合物;4級アンモニウム塩;及び有機金属塩類;並びにこれらの誘導体が挙げられる。これらは、単独で使用しても、2種以上を併用してもよい。これら硬化触媒の中では、3級アミン類、イミダゾール類又はリン化合物を用いることが好ましい。
((B) component: curing catalyst)
Examples of the curing catalyst include tertiary amines such as 1,8-diazabicyclo [5.4.0] undecene-7, triethylenediamine, tri-2,4,6-dimethylaminomethylphenol; 2-ethyl-4 Imidazoles such as methylimidazole and 2-methylimidazole; triphenylphosphine, tetraphenylphosphonium tetraphenylborate, tetra-n-butylphosphonium-o, o-diethylphosphorodithioate, tetra-n-butylphosphonium-tetrafluoroborate And phosphorus compounds such as tetra-n-butylphosphonium-tetraphenylborate; quaternary ammonium salts; and organometallic salts; and derivatives thereof. These may be used alone or in combination of two or more. Among these curing catalysts, tertiary amines, imidazoles or phosphorus compounds are preferably used.

硬化触媒として、熱カチオン重合開始剤(熱酸発生剤)を用いることもできる。熱カチオン重合開始剤としては、へキサフルオロリン酸イオン、テトラフルオロホウ酸イオン、テトラフルオロアンチモン酸イオン又はテトラ(ヘキサフルオロフェニル)ホウ酸イオンをアニオン成分とするものを用いることができ、中でも、へキサフルオロリン酸イオンをアニオン成分とする、オニウム塩を用いることが好ましい。カチオン成分としては、例えば、ジアゾニウム塩、スルホニウム塩、ヨードニウム塩、セレニウム塩、ピリジニウム塩、フェロセニウム塩及びホスホニウム塩が挙げられる。熱による反応性の観点から、熱カチオン重合開始剤として、芳香族スルホニウム塩が好ましく、例えば、ジメチル−p−アセトキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモナートを用いることができる。   A thermal cationic polymerization initiator (thermal acid generator) can also be used as the curing catalyst. As the thermal cationic polymerization initiator, those having an anion component of hexafluorophosphate ion, tetrafluoroborate ion, tetrafluoroantimonate ion or tetra (hexafluorophenyl) borate ion can be used. It is preferable to use an onium salt containing a hexafluorophosphate ion as an anion component. Examples of the cation component include diazonium salts, sulfonium salts, iodonium salts, selenium salts, pyridinium salts, ferrocenium salts, and phosphonium salts. From the viewpoint of heat reactivity, an aromatic sulfonium salt is preferable as the thermal cationic polymerization initiator. For example, dimethyl-p-acetoxyphenylsulfonium hexafluoroantimonate can be used.

光反射用熱硬化性樹脂組成物における硬化触媒の含有量は、(A)エポキシ樹脂の全量を基準として、0.01〜8.0質量%であることが好ましく、0.1〜3.0質量%であることがより好ましく、0.3〜2.0質量%であることが更に好ましい。硬化触媒の含有量が、0.01質量%以上であると、硬化促進効果が得られ易くなり、8.0質量%以下であると、得られる硬化物(成形体等)が変色し難くなる。   The content of the curing catalyst in the light-reflective thermosetting resin composition is preferably 0.01 to 8.0% by mass based on the total amount of (A) the epoxy resin, and is preferably 0.1 to 3.0. It is more preferable that it is mass%, and it is still more preferable that it is 0.3-2.0 mass%. When the content of the curing catalyst is 0.01% by mass or more, a curing accelerating effect is easily obtained, and when it is 8.0% by mass or less, the obtained cured product (molded body or the like) is difficult to be discolored. .

(硬化剤)
光反射用熱硬化性樹脂組成物は、硬化触媒と共に硬化剤を用いてもよい。硬化剤としては、(A)エポキシ樹脂と反応して硬化物が得られるものであればよく、具体例として、酸無水物硬化剤、イソシアヌル酸誘導体及びフェノール系硬化剤が挙げられる。成形性及び硬化物の機械特性の観点から、硬化剤は、その分子量が100〜400程度のものが好ましい。また、硬化剤は、無色、淡黄色等の比較的着色していないものが好ましい。
(Curing agent)
The thermosetting resin composition for light reflection may use a curing agent together with a curing catalyst. Any curing agent may be used as long as it can react with the epoxy resin (A) to obtain a cured product, and specific examples thereof include acid anhydride curing agents, isocyanuric acid derivatives, and phenolic curing agents. From the viewpoint of moldability and the mechanical properties of the cured product, the curing agent preferably has a molecular weight of about 100 to 400. The curing agent is preferably a relatively uncolored one such as colorless or light yellow.

酸無水物硬化剤としては、例えば、無水フタル酸、無水マレイン酸、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、無水メチルナジック酸、無水ナジック酸、無水グルタル酸、無水ジメチルグルタル酸、無水ジエチルグルタル酸、無水コハク酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸及びメチルテトラヒドロ無水フタル酸が挙げられる。これらは、単独で使用しても、2種以上併用してもよい。   Examples of the acid anhydride curing agent include phthalic anhydride, maleic anhydride, trimellitic anhydride, pyromellitic anhydride, hexahydrophthalic anhydride, tetrahydrophthalic anhydride, methyl nadic anhydride, nadic anhydride, and glutaric anhydride. Dimethyl glutaric anhydride, diethyl glutaric anhydride, succinic anhydride, methyl hexahydrophthalic anhydride and methyl tetrahydrophthalic anhydride. These may be used alone or in combination of two or more.

イソシアヌル酸誘導体としては、例えば、1,3,5−トリス(1−カルボキシメチル)イソシアヌレート、1,3,5−トリス(2−カルボキシエチル)イソシアヌレート、1,3,5−トリス(3−カルボキシプロピル)イソシアヌレート及び1,3−ビス(2−カルボキシエチル)イソシアヌレートが挙げられる。これらは、単独で使用しても、2種以上併用してもよい。   Examples of the isocyanuric acid derivatives include 1,3,5-tris (1-carboxymethyl) isocyanurate, 1,3,5-tris (2-carboxyethyl) isocyanurate, 1,3,5-tris (3- Carboxypropyl) isocyanurate and 1,3-bis (2-carboxyethyl) isocyanurate. These may be used alone or in combination of two or more.

フェノール系硬化剤としては、例えば、フェノール、クレゾール、レゾルシン、カテコール、ビスフェノールA、ビスフェノールF、フェニルフェノール、アミノフェノール等のフェノール類及び/又はα−ナフトール、β−ナフトール、ジヒドロキシナフタレン等のナフトール類と、ホルムアルデヒド、ベンズアルデヒド、サリチルアルデヒド等のアルデヒド類とを酸性触媒下で縮合又は共縮合させて得られる、ノボラック型フェノール樹脂;フェノール類及び/又はナフトール類と、ジメトキシパラキシレン又はビス(メトキシメチル)ビフェニルとから合成されるフェノール・アラルキル樹脂;ビフェニレン型フェノール・アラルキル樹脂、ナフトール・アラルキル樹脂等のアラルキル型フェノール樹脂;フェノール類及び/又はナフトール類と、ジシクロペンタジエンとの共重合によって合成される、ジシクロペンタジエン型フェノール樹脂;トリフェニルメタン型フェノール樹脂;テルペン変性フェノール樹脂;パラキシリレン及び/又はメタキシリレン変性フェノール樹脂;メラミン変性フェノール樹脂;並びに、これら2種以上を共重合して得られるフェノール樹脂が挙げられる。これらは、単独で使用しても、2種以上併用してもよい。   Examples of phenolic curing agents include phenols such as phenol, cresol, resorcin, catechol, bisphenol A, bisphenol F, phenylphenol, and aminophenol, and / or naphthols such as α-naphthol, β-naphthol, and dihydroxynaphthalene. , Formaldehyde, benzaldehyde, salicylaldehyde, and other aldehydes obtained by condensation or cocondensation in the presence of an acidic catalyst; novolak-type phenol resins; phenols and / or naphthols; Phenol-aralkyl resins synthesized from aralkyl-type phenol resins such as biphenylene-type phenol-aralkyl resins and naphthol-aralkyl resins; phenols and / or naphtho Dicyclopentadiene type phenol resin; triphenylmethane type phenol resin; terpene modified phenol resin; paraxylylene and / or metaxylylene modified phenol resin; melamine modified phenol resin; And the phenol resin obtained by copolymerizing these 2 or more types is mentioned. These may be used alone or in combination of two or more.

上記の硬化剤の中では、無水フタル酸、無水トリメリット酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、無水グルタル酸、無水ジメチルグルタル酸、無水ジエチルグルタル酸又は1,3,5−トリス(3−カルボキシプロピル)イソシアヌレートを用いることが好ましい。これらは、単独で使用しても、2種以上併用してもよい。   Among the above curing agents, phthalic anhydride, trimellitic anhydride, hexahydrophthalic anhydride, tetrahydrophthalic anhydride, methylhexahydrophthalic anhydride, methyltetrahydrophthalic anhydride, glutaric anhydride, dimethylglutaric anhydride, anhydrous It is preferable to use diethyl glutaric acid or 1,3,5-tris (3-carboxypropyl) isocyanurate. These may be used alone or in combination of two or more.

光反射用熱硬化性樹脂組成物における硬化剤の含有量は、(A)エポキシ樹脂中のエポキシ基1当量に対して、当該エポキシ基と反応可能な(B)硬化剤中の活性基(酸無水物基又は水酸基)が0.5〜1.2当量となるような割合であることが好ましく、0.6〜1.0当量となるような割合であることがより好ましい。上記活性基が0.5当量未満の場合には、光反射用熱硬化性樹脂組成物の硬化速度が遅くなるとともに、得られる硬化物のガラス転移温度が低くなり、充分な弾性率が得られない場合がある。一方、上記活性基が1.2当量を超える場合には、硬化後の強度が低下する場合がある。   The content of the curing agent in the thermosetting resin composition for light reflection is (A) an active group (acid) in the curing agent that can react with the epoxy group with respect to 1 equivalent of the epoxy group in the epoxy resin. (Anhydride group or hydroxyl group) is preferably in a ratio such that 0.5 to 1.2 equivalents, and more preferably in a ratio such that 0.6 to 1.0 equivalents. When the active group is less than 0.5 equivalents, the curing rate of the light-reflective thermosetting resin composition is slowed, and the glass transition temperature of the resulting cured product is lowered, so that a sufficient elastic modulus is obtained. There may not be. On the other hand, when the active group exceeds 1.2 equivalents, the strength after curing may decrease.

((C)成分;白色顔料)
白色顔料としては、例えば、アルミナ、酸化マグネシウム、酸化アンチモン、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化ジルコニウム及び無機中空粒子が挙げられる。これらは、単独で使用しても、2種以上を併用してもよい。熱伝導性及び光反射特性の観点からは、酸化チタンを用いることが好ましい。
((C) component; white pigment)
Examples of the white pigment include alumina, magnesium oxide, antimony oxide, titanium oxide, zinc oxide, zirconium oxide, and inorganic hollow particles. These may be used alone or in combination of two or more. From the viewpoint of thermal conductivity and light reflection characteristics, it is preferable to use titanium oxide.

無機中空粒子としては、例えば、珪酸ソーダガラス、アルミ珪酸ガラス、硼珪酸ソーダガラス及びシラスが挙げられる。   Examples of the inorganic hollow particles include sodium silicate glass, aluminum silicate glass, borosilicate soda glass, and shirasu.

白色顔料の中心粒径は、0.1μm〜50μmの範囲にあることが好ましく、0.1〜20μmであることがより好ましく、0.1〜5μmであることが更に好ましい。この中心粒径が0.1μm以上であると粒子が凝集し難く分散性に優れる傾向があり、50μm以下であると硬化物の光反射特性が得られ易くなる。白色顔料の中心粒径は、光散乱現象を利用した市販の粒度分布計で測定することができる。   The center particle diameter of the white pigment is preferably in the range of 0.1 μm to 50 μm, more preferably 0.1 to 20 μm, and still more preferably 0.1 to 5 μm. If the center particle diameter is 0.1 μm or more, the particles tend not to aggregate and tend to be excellent in dispersibility, and if it is 50 μm or less, the light reflection characteristics of the cured product can be easily obtained. The center particle size of the white pigment can be measured with a commercially available particle size distribution meter utilizing a light scattering phenomenon.

光反射用熱硬化性樹脂組成物における白色顔料の含有量は、樹脂組成物全量を基準として10〜85体積%の範囲であることが好ましい。白色顔料の含有量が10体積%以上であると、硬化物の光反射特性が得られ易くなり、85体積%以下であると、熱硬化性樹脂組成物の成形性が向上し、光半導体素子搭載用基板を作製し易くなる。   It is preferable that the content of the white pigment in the thermosetting resin composition for light reflection is in the range of 10 to 85% by volume based on the total amount of the resin composition. When the content of the white pigment is 10% by volume or more, the light reflection property of the cured product is easily obtained, and when it is 85% by volume or less, the moldability of the thermosetting resin composition is improved, and the optical semiconductor element. It becomes easy to produce a mounting substrate.

光反射用熱硬化性樹脂組成物は、上述した成分以外に、無機充填剤、酸化防止剤、離型剤、分散剤、イオン捕捉剤等の各種添加剤を更に含有することができる。   The thermosetting resin composition for light reflection can further contain various additives such as an inorganic filler, an antioxidant, a release agent, a dispersant, and an ion scavenger in addition to the components described above.

無機充填剤としては、例えば、溶融球状シリカ、破砕状シリカ、シリカ、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、硫酸バリウム、炭酸マグネシウム及び炭酸バリウムが挙げられる。無機充填剤の中心粒径は、白色顔料とのパッキング効率を向上させる観点から、1〜100μmの範囲内にあることが好ましく、1〜50μmであることがより好ましく、1〜30μmであることが更に好ましい。無機充填剤の中心粒径は、光散乱現象を利用した市販の粒度分布計で測定することができる。光反射用熱硬化性樹脂組成物における無機充填剤の含有量は、熱硬化性樹脂組成物の硬化後に固形分となる成分全量を基準として、5〜75体積%の範囲であることが好ましい。   Examples of the inorganic filler include fused spherical silica, crushed silica, silica, aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, barium sulfate, magnesium carbonate, and barium carbonate. The center particle diameter of the inorganic filler is preferably in the range of 1 to 100 μm, more preferably 1 to 50 μm, and more preferably 1 to 30 μm from the viewpoint of improving the packing efficiency with the white pigment. Further preferred. The center particle size of the inorganic filler can be measured with a commercially available particle size distribution meter utilizing a light scattering phenomenon. The content of the inorganic filler in the light-reflective thermosetting resin composition is preferably in the range of 5 to 75% by volume based on the total amount of components that become solid after the thermosetting resin composition is cured.

光反射用熱硬化性樹脂組成物は、必要に応じてカップリング剤等が添加されていてもよい。この場合、(A)成分等の樹脂成分と、白色顔料、無機充填剤等の無機成分との界面接着性を向上させることができる。カップリング剤としては、例えば、シランカップリング剤及びチタネート系カップリング剤が挙げられる。シランカップリング剤としては、一般にエポキシシラン系、アミノシラン系、カチオニックシラン系、ビニルシラン系、アクリルシラン系若しくはメルカプトシラン系のカップリング剤、又は、これらの複合系カップリング剤等の公知の化合物を用いることができる。カップリング剤の使用量は、白色顔料に対する表面被覆量を考慮して適宜調整することが好ましいが、硬化性を向上させる観点から、熱硬化性樹脂組成物全量を基準として5質量%以下とすることが好ましい。白色顔料、無機充填剤等が予め上記カップリング剤で処理されていてもよい。   A coupling agent or the like may be added to the thermosetting resin composition for light reflection as necessary. In this case, the interfacial adhesion between the resin component such as the component (A) and the inorganic component such as the white pigment and the inorganic filler can be improved. Examples of the coupling agent include silane coupling agents and titanate coupling agents. As the silane coupling agent, generally known compounds such as epoxy silane-based, amino silane-based, cationic silane-based, vinyl silane-based, acrylic silane-based or mercapto silane-based coupling agents, or composite coupling agents thereof are used. Can be used. The amount of the coupling agent used is preferably adjusted as appropriate in consideration of the surface coating amount on the white pigment, but from the viewpoint of improving curability, the amount used is 5% by mass or less based on the total amount of the thermosetting resin composition. It is preferable. A white pigment, an inorganic filler, or the like may be previously treated with the coupling agent.

光反射用熱硬化性樹脂組成物は、その用途から、硬化後の波長350〜800nmにおける光反射率が、80%以上となることが好ましい。この光反射率が80%未満である場合、光半導体装置の輝度向上に十分に寄与できない傾向がある。光反射用熱硬化性樹脂組成物は、上記光反射率が90%以上となるものであることが好ましい。また、光半導体装置の輝度を向上させる点で、硬化後の、波長460nmにおける光反射率が、80%以上となることが好ましく、90%以上となることがより好ましい。   The light-reflective thermosetting resin composition preferably has a light reflectance at a wavelength of 350 to 800 nm after curing of 80% or more because of its use. When this light reflectance is less than 80%, there is a tendency that it cannot sufficiently contribute to the improvement of the luminance of the optical semiconductor device. The light-reflective thermosetting resin composition preferably has a light reflectance of 90% or more. Further, in terms of improving the luminance of the optical semiconductor device, the light reflectance after curing at a wavelength of 460 nm is preferably 80% or more, and more preferably 90% or more.

耐熱着色性を良好にする観点から、硬化後の成形物が、150℃の環境下に500時間晒す耐熱性試験の後でも、波長350〜800nmにおいて80%以上の光反射率を保持することが好ましく、波長460nmにおける光反射率が85%以上となることがより好ましく、90%以上となることが更に好ましい。このような熱硬化性樹脂組成物の光反射特性は、樹脂組成物を構成する各種成分の配合量を適切に調整することによって実現することができ、より具体的には、無色の熱硬化樹脂成分と高屈折率の白色顔料を高充填することで達成できる。   From the viewpoint of improving the heat-resistant coloring property, the molded product after curing can maintain a light reflectance of 80% or more at a wavelength of 350 to 800 nm even after a heat resistance test that is exposed to an environment of 150 ° C. for 500 hours. Preferably, the light reflectance at a wavelength of 460 nm is more preferably 85% or more, and still more preferably 90% or more. The light reflection characteristics of such a thermosetting resin composition can be realized by appropriately adjusting the blending amounts of various components constituting the resin composition, more specifically, a colorless thermosetting resin. This can be achieved by high loading of the components and the high refractive index white pigment.

光反射用熱硬化性樹脂組成物は、上述した各種成分を均一に分散混合することによって調製することができ、混合手段及び条件は特に制限されない。調製方法としては、例えば、ミキシングロール、押出機、ニーダー、ロール、エクストルーダー、らいかい機等の、自転と公転とを組み合わせた攪拌混合装置を用いて各種成分を混練し、次いで得られた混練物を冷却及び粉砕する方法が挙げられる。混練形式についても特に限定されないが、溶融混練とすることが好ましい。溶融混練時の条件は、使用する各種成分の種類又は配合量によって適宜決定すればよく、特に制限はない。例えば、溶融混練を、15〜100℃の温度範囲で5〜40分間にわたって実施することが好ましく、20〜100℃の温度範囲で10〜30分間にわたって実施することがより好ましい。溶融混練の温度が15℃以上であると、各種成分を十分に溶融混練し易くなり、分散性が向上する傾向がある。一方、溶融混練が100℃以下であると、樹脂組成物の高分子量化が進行し難くなり、成形品を成形する前に樹脂組成物が硬化するのを防ぐことができる。また、溶融混練の時間が1分以上であると、成形時に金型から樹脂が染み出し難くなり、バリが発生し難い傾向があり、40分以下であると、樹脂組成物の高分子化が進行し難くなり、成形前に樹脂組成物が硬化するのを防ぐことができる。   The thermosetting resin composition for light reflection can be prepared by uniformly dispersing and mixing the various components described above, and the mixing means and conditions are not particularly limited. As a preparation method, for example, various components are kneaded using a stirring and mixing device that combines rotation and revolution, such as a mixing roll, an extruder, a kneader, a roll, an extruder, a raking machine, and then the obtained kneading The method of cooling and grinding | pulverizing a thing is mentioned. The kneading type is not particularly limited, but melt kneading is preferable. The conditions at the time of melt-kneading may be appropriately determined depending on the type or blending amount of various components to be used, and are not particularly limited. For example, the melt kneading is preferably performed at a temperature range of 15 to 100 ° C. for 5 to 40 minutes, more preferably at a temperature range of 20 to 100 ° C. for 10 to 30 minutes. When the melt kneading temperature is 15 ° C. or higher, various components are sufficiently easily melt kneaded, and the dispersibility tends to be improved. On the other hand, when the melt-kneading is 100 ° C. or lower, it becomes difficult to increase the molecular weight of the resin composition, and the resin composition can be prevented from being cured before the molded product is molded. Further, if the melt-kneading time is 1 minute or longer, the resin is less likely to ooze out from the mold during molding, and burrs tend not to occur. If it is 40 minutes or shorter, the resin composition is polymerized. It becomes difficult to progress and it can prevent that a resin composition hardens | cures before shaping | molding.

光反射用熱硬化性樹脂組成物を調製する際、硬化剤を配合する場合、硬化剤として使用する化合物を(A)エポキシ樹脂の一部又は全部と予備混合してもよい。このような予備混合を実施することによって、硬化剤のベース樹脂に対する分散性を更に高めることができる。その結果、硬化剤の分散不具合に起因する金型及びパッケージ汚れの発生をより効果的に抑制することが可能となる。   When preparing a thermosetting resin composition for light reflection, when a curing agent is blended, a compound used as a curing agent may be premixed with a part or all of the epoxy resin (A). By carrying out such premixing, the dispersibility of the curing agent with respect to the base resin can be further enhanced. As a result, it is possible to more effectively suppress the occurrence of mold and package contamination due to the dispersion failure of the curing agent.

(A)エポキシ樹脂の全量と硬化剤として使用する化合物との間で予備混合を実施しても差し支えないが、(A)エポキシ樹脂の一部との予備混合であっても十分な効果が得られる。その場合、予備混合に用いる(A)エポキシ樹脂の量は、成分全量の10〜50質量%とすることが好ましい。   (A) Although premixing may be performed between the total amount of the epoxy resin and the compound used as the curing agent, (A) sufficient effect can be obtained even by premixing with a part of the epoxy resin. It is done. In that case, the amount of the (A) epoxy resin used for the preliminary mixing is preferably 10 to 50% by mass of the total amount of the components.

予備混合の方法は、特に制限されるものではなく、硬化剤として使用する化合物を(A)エポキシ樹脂中に分散させることが可能であればよい。例えば、室温〜220℃の温度条件下で、0.5〜20時間にわたって両成分を攪拌する方法等が挙げられる。分散性及び効率性の観点からは、好ましくは100〜200℃、より好ましくは150〜170℃の温度条件下、攪拌時間を好ましくは1〜10時間、より好ましくは3〜6時間とすることができる。ここで行う予備加熱混合は、例えば、(A)エポキシ樹脂100質量部及び硬化剤120質量部を耐熱ガラス製の容器に秤量し、この混合容器をシリコーンオイル、水等の流体を媒体とするヒーターを用いて、35〜180℃の温度範囲で加熱する方法が挙げられる。加熱方法としては上記の方法に限定されるものではなく、熱電対、電磁波照射等公知の方法を用いることができ、更に溶解を促進するために超音波等を照射してもよい。   The premixing method is not particularly limited as long as the compound used as the curing agent can be dispersed in the (A) epoxy resin. For example, a method in which both components are stirred for 0.5 to 20 hours under a temperature condition of room temperature to 220 ° C. From the viewpoint of dispersibility and efficiency, the stirring time is preferably 1 to 10 hours, more preferably 3 to 6 hours, preferably at a temperature of 100 to 200 ° C., more preferably 150 to 170 ° C. it can. For example, (A) 100 parts by mass of epoxy resin and 120 parts by mass of curing agent are weighed in a heat-resistant glass container, and the mixing container is a heater using a fluid such as silicone oil or water as a medium. The method of heating in the temperature range of 35-180 degreeC using is mentioned. The heating method is not limited to the above method, and a known method such as thermocouple or electromagnetic wave irradiation can be used, and ultrasonic wave or the like may be irradiated to further promote dissolution.

[光半導体素子搭載用基板]
本実施形態に係る光半導体素子搭載用基板は、底面及び壁面から構成される凹部を有する。凹部の底面が光半導体素子搭載部(光半導体素子搭載領域)であり、凹部の壁面、すなわち凹部の内周側面の少なくとも一部が上述の実施形態に係る光反射用熱硬化性樹脂組成物の硬化物からなる。
[Optical semiconductor device mounting substrate]
The substrate for mounting an optical semiconductor element according to the present embodiment has a recess composed of a bottom surface and a wall surface. The bottom surface of the recess is an optical semiconductor element mounting portion (optical semiconductor element mounting region), and at least a part of the wall surface of the recess, that is, the inner peripheral side surface of the recess, of the thermosetting resin composition for light reflection according to the above embodiment It consists of a cured product.

図1は、光半導体素子搭載用基板の一実施形態を示す斜視図である。光半導体素子搭載用基板110は、Ni/Agめっき104が形成された金属配線105(第1の接続端子及び第2の接続端子)と、金属配線105(第1の接続端子及び第2の接続端子)間に設けられた絶縁性樹脂成形体103’と、リフレクター103とを備え、Ni/Agめっき104が形成された金属配線105及び樹脂成形体103’とリフレクター103とから形成された凹部200を有している。この凹部200の底面は、Ni/Agめっき104が形成された金属配線105及び絶縁性樹脂成形体103’から構成され、凹部200の壁面はリフレクター103から構成される。リフレクター103及び絶縁性樹脂成形体103’が、上述の実施形態に係る光反射用熱硬化性樹脂組成物の硬化物からなる成形体である。   FIG. 1 is a perspective view showing an embodiment of a substrate for mounting an optical semiconductor element. The optical semiconductor element mounting substrate 110 includes a metal wiring 105 (first connection terminal and second connection terminal) on which Ni / Ag plating 104 is formed, and a metal wiring 105 (first connection terminal and second connection terminal). Insulating resin molded body 103 ′ provided between the terminals) and the reflector 103, the metal wiring 105 on which the Ni / Ag plating 104 is formed, and the recess 200 formed from the resin molded body 103 ′ and the reflector 103. have. The bottom surface of the recess 200 is composed of the metal wiring 105 on which the Ni / Ag plating 104 is formed and the insulating resin molded body 103 ′, and the wall surface of the recess 200 is composed of the reflector 103. The reflector 103 and the insulating resin molded body 103 ′ are molded bodies made of a cured product of the light reflecting thermosetting resin composition according to the above-described embodiment.

光半導体素子搭載用基板の製造方法は特に限定されないが、例えば、光反射用熱硬化性樹脂組成物を用いたトランスファー成形により製造することができる。図2は、光半導体素子搭載用基板を製造する工程の一実施形態を示す概略図である。光半導体素子搭載用基板は、例えば、金属箔から打ち抜き、エッチング等の公知の方法により金属配線105を形成し、電気めっきによりNi/Agめっき104を施す工程(図2(a))、次いで、該金属配線105を所定形状の金型151に配置し、金型151の樹脂注入口150から光反射用熱硬化性樹脂組成物を注入し、所定の条件でトランスファー成形する工程(図2(b))、そして、金型151を外す工程(図2(c))を経て製造することができる。このようにして、光半導体素子搭載用基板には、光反射用熱硬化性樹脂組成物の硬化物からなるリフレクター103に周囲を囲まれてなる光半導体素子搭載領域(凹部)200が形成される。また、凹部の底面は、第1の接続端子となる金属配線105及び第2の接続端子となる金属配線105と、これらの間に設けられ光反射用熱硬化性樹脂組成物の硬化物からなる絶縁性樹脂成形体103’とから構成される。なお、上記トランスファー成形の条件としては、金型温度170〜200℃、より好ましくは170〜190℃、成形圧力0.5〜20MPa、より好ましくは2〜8MPaで、60〜120秒間、アフターキュア温度120℃〜180℃で1〜3時間が好ましい。   Although the manufacturing method of the board | substrate for optical semiconductor element mounting is not specifically limited, For example, it can manufacture by transfer molding using the thermosetting resin composition for light reflection. FIG. 2 is a schematic view showing an embodiment of a process for manufacturing a substrate for mounting an optical semiconductor element. The optical semiconductor element mounting substrate is formed by, for example, punching from a metal foil, forming a metal wiring 105 by a known method such as etching, and applying Ni / Ag plating 104 by electroplating (FIG. 2A), The metal wiring 105 is placed in a mold 151 having a predetermined shape, a light-reflective thermosetting resin composition is injected from a resin injection port 150 of the mold 151, and transfer molding is performed under predetermined conditions (FIG. 2B). )) And a step of removing the mold 151 (FIG. 2C). In this manner, the optical semiconductor element mounting region (concave portion) 200 is formed on the optical semiconductor element mounting substrate. The optical semiconductor element mounting region (concave portion) 200 is surrounded by the reflector 103 made of a cured product of the light-reflective thermosetting resin composition. . The bottom surface of the recess is made of a metal wiring 105 serving as a first connection terminal and a metal wiring 105 serving as a second connection terminal, and a cured product of a light-reflective thermosetting resin composition provided therebetween. Insulating resin molded body 103 ′. In addition, as the conditions for the transfer molding, the mold temperature is 170 to 200 ° C., more preferably 170 to 190 ° C., the molding pressure is 0.5 to 20 MPa, more preferably 2 to 8 MPa, and the after cure temperature is 60 to 120 seconds. 1 to 3 hours are preferable at 120 ° C to 180 ° C.

[光半導体装置]
本実施形態に係る光半導体装置は、上記光半導体素子搭載用基板と、当該光半導体素子搭載用基板に搭載された光半導体素子とを有する。より具体的な例として、上記光半導体素子搭載用基板と、光半導体素子搭載用基板の凹部内に設けられた光半導体素子と、凹部を充填して光半導体素子を封止する蛍光体含有封止樹脂部とを備える光半導体装置が挙げられる。
[Optical semiconductor device]
The optical semiconductor device according to the present embodiment includes the optical semiconductor element mounting substrate and an optical semiconductor element mounted on the optical semiconductor element mounting substrate. As a more specific example, the optical semiconductor element mounting substrate, the optical semiconductor element provided in the recess of the optical semiconductor element mounting substrate, and the phosphor-containing envelope that fills the recess and seals the optical semiconductor element An optical semiconductor device provided with a stop resin part is mentioned.

図3は、光半導体素子搭載用基板110に光半導体素子100を搭載した状態の一実施形態を示す斜視図である。図3に示すように、光半導体素子100は、光半導体素子搭載用基板110の光半導体素子搭載領域(凹部)200の所定位置に搭載され、金属配線105とボンディングワイヤ102により電気的に接続される。図4及び図5は、光半導体装置の一実施形態を示す模式断面図である。図4及び5に示すように、光半導体装置は、光半導体素子搭載用基板110と、光半導体素子搭載用基板110の凹部200内の所定位置に設けられた光半導体素子100と、凹部200を充填して光半導体素子を封止する蛍光体106を含む透明封止樹脂101からなる封止樹脂部とを備えており、光半導体素子100とNi/Agめっき104が形成された金属配線105とがボンディングワイヤ102又ははんだバンプ107により電気的に接続されている。   FIG. 3 is a perspective view showing an embodiment in which the optical semiconductor element 100 is mounted on the optical semiconductor element mounting substrate 110. As shown in FIG. 3, the optical semiconductor element 100 is mounted at a predetermined position in the optical semiconductor element mounting region (concave portion) 200 of the optical semiconductor element mounting substrate 110 and is electrically connected by the metal wiring 105 and the bonding wire 102. The 4 and 5 are schematic cross-sectional views showing an embodiment of an optical semiconductor device. As shown in FIGS. 4 and 5, the optical semiconductor device includes an optical semiconductor element mounting substrate 110, an optical semiconductor element 100 provided at a predetermined position in the concave portion 200 of the optical semiconductor element mounting substrate 110, and the concave portion 200. A sealing resin portion made of a transparent sealing resin 101 including a phosphor 106 that fills and seals the optical semiconductor element, and the optical semiconductor element 100 and the metal wiring 105 on which the Ni / Ag plating 104 is formed; Are electrically connected by bonding wires 102 or solder bumps 107.

図6もまた、光半導体装置の一実施形態を示す模式断面図である。図6に示す光半導体装置では、リフレクター303が形成されたリード304上の所定位置にダイボンド材306を介してLED素子300が配置され、LED素子300とリード304とがボンディングワイヤ301により電気的に接続され、蛍光体305を含む透明封止樹脂302によりLED素子300が封止されている。   FIG. 6 is also a schematic cross-sectional view showing an embodiment of the optical semiconductor device. In the optical semiconductor device shown in FIG. 6, the LED element 300 is disposed via a die bonding material 306 at a predetermined position on the lead 304 on which the reflector 303 is formed, and the LED element 300 and the lead 304 are electrically connected by the bonding wire 301. The LED element 300 is sealed with a transparent sealing resin 302 that is connected and includes a phosphor 305.

以上、本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明はこれに制限されるものではない。例えば、本発明の光反射用熱硬化性樹脂組成物は光反射コート剤として用いることができる。この実施形態として、銅張積層板、光半導体素子搭載用基板及び光半導体素子について説明する。   As mentioned above, although preferred embodiment of this invention was described, this invention is not restrict | limited to this. For example, the thermosetting resin composition for light reflection of the present invention can be used as a light reflection coating agent. As this embodiment, a copper-clad laminate, an optical semiconductor element mounting substrate, and an optical semiconductor element will be described.

本実施形態に係る銅張積層板は、上述した光反射用熱硬化性樹脂組成物を用いて形成された光反射樹脂層と、該白色樹脂層上に積層された銅箔と、を備えるものである。   The copper clad laminate according to the present embodiment includes a light reflecting resin layer formed using the above-described thermosetting resin composition for light reflection, and a copper foil laminated on the white resin layer. It is.

図7は、銅張積層板の好適な一実施形態を示す模式断面図である。図7に示すように、銅張積層板400は、基材401と、該基材401上に積層された白色樹脂層402と、該白色樹脂層402上に積層された銅箔403と、を備えている。ここで、白色樹脂層402は、上述した本発明の光反射用熱硬化性樹脂組成物を用いて形成されている。   FIG. 7 is a schematic cross-sectional view showing a preferred embodiment of a copper clad laminate. As shown in FIG. 7, a copper clad laminate 400 includes a base material 401, a white resin layer 402 laminated on the base material 401, and a copper foil 403 laminated on the white resin layer 402. I have. Here, the white resin layer 402 is formed using the above-described thermosetting resin composition for light reflection of the present invention.

基材401としては、銅張積層板に用いられる基材を特に制限なく用いることができるが、例えば、エポキシ樹脂積層板等の樹脂積層板、光半導体搭載用基板等が挙げられる。   Although the base material used for a copper clad laminated board can be especially used as the base material 401 without a restriction | limiting, For example, resin laminated boards, such as an epoxy resin laminated board, a board | substrate for optical semiconductor mounting, etc. are mentioned.

銅張積層板400は、例えば、樹脂組成物を基材401表面に塗布し、銅箔403を重ね、加熱加圧硬化して上記樹脂組成物からなる白色樹脂層402を形成することにより作製することができる。   The copper-clad laminate 400 is produced, for example, by applying a resin composition to the surface of the base material 401, stacking copper foils 403, and heating and pressing to form a white resin layer 402 made of the resin composition. be able to.

樹脂組成物の基板401への塗布方法としては、例えば、印刷法、ダイコート法、カーテンコート法、スプレーコート法、ロールコート法等の塗布方法を用いることができる。このとき、光反射用熱硬化性樹脂組成物には、塗布が容易となるように溶媒を含有させることができる。なお、溶媒を用いる場合、上述した各成分の配合割合で樹脂組成物全量を基準としたものについては、溶媒を除いたものを全量として設定することが好ましい。   As a method for applying the resin composition to the substrate 401, for example, a coating method such as a printing method, a die coating method, a curtain coating method, a spray coating method, or a roll coating method can be used. At this time, the light-reflective thermosetting resin composition can contain a solvent so as to facilitate application. In addition, when using a solvent, about the thing based on the resin composition whole quantity by the mixture ratio of each component mentioned above, it is preferable to set what remove | excluded the solvent as a whole quantity.

加熱加圧の条件としては、特に限定されないが、例えば、130〜180℃、0.5〜4MPa、30〜600分間の条件で加熱加圧を行うことが好ましい。   The heating and pressing conditions are not particularly limited. For example, it is preferable to perform heating and pressing under conditions of 130 to 180 ° C., 0.5 to 4 MPa, and 30 to 600 minutes.

上記銅張積層板を使用し、LED実装用等の光学部材用のプリント配線板を作製することができる。なお、図7に示した銅張積層板400は、基材401の片面に白色樹脂層402及び銅箔403を積層したものであるが、銅張積層板は、基材401の両面に白色樹脂層402及び銅箔403をそれぞれ積層したものであってもよい。また、銅張積層板は、基材401を用いることなく、白色樹脂層402及び銅箔403のみで構成されていてもよい。この場合、白色樹脂層402が基材としての役割をはたすこととなる。この場合、例えば、ガラスクロス等に樹脂組成物を含浸させ、硬化させたものを白色樹脂層402とすることができる。   Using the copper-clad laminate, a printed wiring board for an optical member such as an LED can be produced. The copper clad laminate 400 shown in FIG. 7 is obtained by laminating a white resin layer 402 and a copper foil 403 on one side of a base material 401, but the copper clad laminate is a white resin on both sides of the base material 401. The layer 402 and the copper foil 403 may be laminated. Further, the copper-clad laminate may be composed of only the white resin layer 402 and the copper foil 403 without using the base material 401. In this case, the white resin layer 402 plays a role as a base material. In this case, for example, a white resin layer 402 can be obtained by impregnating a resin composition into glass cloth or the like and curing the resin composition.

図8は、銅張積層板を用いて作製された光半導体装置の一例を示す模式断面図である。図8に示すように、光半導体装置500は、光半導体素子410と、該光半導体素子410が封止されるように設けられた透明な封止樹脂404とを備える表面実装型の発光ダイオードである。光半導体装置500において、半導体素子410は、接着層408を介して銅箔403に接着されており、ワイヤー409により銅箔403と電気的に接続されている。   FIG. 8 is a schematic cross-sectional view showing an example of an optical semiconductor device manufactured using a copper-clad laminate. As shown in FIG. 8, the optical semiconductor device 500 is a surface-mount type light emitting diode including an optical semiconductor element 410 and a transparent sealing resin 404 provided so as to seal the optical semiconductor element 410. is there. In the optical semiconductor device 500, the semiconductor element 410 is bonded to the copper foil 403 through the adhesive layer 408, and is electrically connected to the copper foil 403 by a wire 409.

更に、光半導体素子搭載用基板の他の実施形態として、上述した光反射用熱硬化性樹脂組成物を用いて、基材上の複数の導体部材(接続端子)間に形成された白色樹脂層を備える光半導体素子搭載用基板が挙げられる。また、光半導体装置の他の実施形態は、上記の光半導体素子搭載用基板に光半導体素子を搭載してなるものである。   Furthermore, as another embodiment of the substrate for mounting an optical semiconductor element, a white resin layer formed between a plurality of conductor members (connection terminals) on a base material using the above-described thermosetting resin composition for light reflection. And an optical semiconductor element mounting substrate. In another embodiment of the optical semiconductor device, the optical semiconductor element is mounted on the optical semiconductor element mounting substrate.

図9は、光半導体装置の好適な一実施形態を示す模式断面図である。図9に示すように、光半導体装置600は、基材601と、該基材601の表面に形成された複数の導体部材602と、複数の導体部材(接続端子)602間に形成された、上記光反射用熱硬化性樹脂組成物からなる白色樹脂層603と、を備える光半導体素子搭載用基板に、光半導体素子610が搭載され、該光半導体素子610が封止されるように透明な封止樹脂604が設けられた、表面実装型の発光ダイオードである。光半導体装置600において、光半導体素子610は、接着層608を介して導体部材602に接着されており、ワイヤー609により導体部材602と電気的に接続されている。   FIG. 9 is a schematic cross-sectional view showing a preferred embodiment of an optical semiconductor device. As shown in FIG. 9, the optical semiconductor device 600 is formed between a base member 601, a plurality of conductor members 602 formed on the surface of the base member 601, and a plurality of conductor members (connection terminals) 602. An optical semiconductor element 610 is mounted on a substrate for mounting an optical semiconductor element comprising a white resin layer 603 made of the thermosetting resin composition for light reflection, and is transparent so that the optical semiconductor element 610 is sealed. A surface-mount light emitting diode provided with a sealing resin 604. In the optical semiconductor device 600, the optical semiconductor element 610 is bonded to the conductor member 602 through the adhesive layer 608, and is electrically connected to the conductor member 602 through a wire 609.

基材601としては、光半導体素子搭載用基板に用いられる基材を特に制限なく用いることができるが、例えば、エポキシ樹脂積層板等の樹脂積層板が挙げられる。   As the substrate 601, a substrate used for an optical semiconductor element mounting substrate can be used without particular limitation, and examples thereof include a resin laminate such as an epoxy resin laminate.

導体部材602は、接続端子として機能するものであり、例えば、銅箔をフォトエッチングする方法等、公知の方法により形成することができる。   The conductor member 602 functions as a connection terminal, and can be formed by a known method such as a method of photoetching a copper foil.

光半導体素子搭載用基板は、光反射用熱硬化性樹脂組成物を基材601上の複数の導体部材602間に塗布し、加熱硬化して上記光反射用熱硬化性樹脂組成物からなる白色樹脂層603を形成することにより作製することができる。   The substrate for mounting an optical semiconductor element is a white color made of the above-described thermosetting resin composition for light reflection, which is obtained by applying a thermosetting resin composition for light reflection between a plurality of conductor members 602 on a base material 601 and curing by heating. It can be manufactured by forming the resin layer 603.

光反射用熱硬化性樹脂組成物の基板601への塗布方法としては、例えば、印刷法、ダイコート法、カーテンコート法、スプレーコート法、ロールコート法等の塗布方法を用いることができる。このとき、光反射用熱硬化性樹脂組成物には、塗布が容易となるように溶媒を含有させることができる。なお、溶媒を用いる場合、上述した各成分の配合割合で樹脂組成物全量を基準としたものについては、溶媒を除いたものを全量として設定することが好ましい。   As a method for applying the light-reflective thermosetting resin composition to the substrate 601, for example, a coating method such as a printing method, a die coating method, a curtain coating method, a spray coating method, or a roll coating method can be used. At this time, the light-reflective thermosetting resin composition can contain a solvent so as to facilitate application. In addition, when using a solvent, about the thing based on the resin composition whole quantity by the mixture ratio of each component mentioned above, it is preferable to set what remove | excluded the solvent as a whole quantity.

光反射用熱硬化性樹脂組成物の塗膜を加熱硬化する際の加熱条件としては、特に限定されないが、例えば、130〜180℃、30〜600分間の条件で加熱を行うことが好ましい。   Although it does not specifically limit as heating conditions at the time of heat-hardening the coating film of the thermosetting resin composition for light reflections, For example, it is preferable to heat on 130-180 degreeC and the conditions for 30 to 600 minutes.

その後、導体部材602表面に余分に付着した樹脂成分は、バフ研磨等により除去し、導体部材602からなる回路を露出させ、光半導体素子搭載用基板とする。   Thereafter, the resin component adhering excessively to the surface of the conductor member 602 is removed by buffing or the like to expose the circuit formed of the conductor member 602, thereby forming an optical semiconductor element mounting substrate.

また、白色樹脂層603と導体部材602との密着性を確保するために、導体部材602に対して酸化還元処理、CZ処理(メック株式会社製)等の粗化処理を行なうことも好ましい。   In order to ensure adhesion between the white resin layer 603 and the conductor member 602, it is also preferable to subject the conductor member 602 to a roughening treatment such as oxidation-reduction treatment or CZ treatment (manufactured by MEC Co., Ltd.).

以下、実施例及び比較例を挙げて本発明をより具体的に説明する。但し、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。   Hereinafter, the present invention will be described more specifically with reference to examples and comparative examples. However, the present invention is not limited to these examples.

<エポキシ基を有するポリオルガノシロキサンの合成>
(合成例1)
ガラス製の容器に48gの2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、51gのフェニルトリメトキシシラン、1.0gのメチルトリメトキシシラン及び100gのトルエンを攪拌し溶解し、0.11gの水酸化カリウム及び5.0gの蒸留水を加え還流を開始した。縮合により生成するメタノール及び水を留去し、水の留出が止まったところで冷却した。この系に酢酸を滴下し中和し、生成した酢酸カリウムを濾別した後、濾液からトルエンを留去し、95gの無色固体状のエポキシ基を有するポリオルガノシロキサンを得た。得られたエポキシ基を有するポリオルガノシロキサンは、Mn1700、軟化点60℃及びエポキシ基当量360であった。得られた生成物は、硬化剤として用いるヘキサヒドロ無水フタル酸と40〜180℃の範囲で相溶しなかった。
<Synthesis of polyorganosiloxane having epoxy group>
(Synthesis Example 1)
In a glass container, 48 g of 2- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, 51 g of phenyltrimethoxysilane, 1.0 g of methyltrimethoxysilane and 100 g of toluene are stirred and dissolved, 0.11 g Of potassium hydroxide and 5.0 g of distilled water were added to initiate reflux. Methanol and water produced by the condensation were distilled off, and the mixture was cooled when the distillation of water stopped. Acetic acid was added dropwise to the system for neutralization, and the produced potassium acetate was filtered off, and then toluene was distilled off from the filtrate to obtain 95 g of a polyorganosiloxane having a colorless solid epoxy group. The obtained polyorganosiloxane having an epoxy group had a Mn of 1700, a softening point of 60 ° C. and an epoxy group equivalent of 360. The obtained product was incompatible with hexahydrophthalic anhydride used as a curing agent in the range of 40 to 180 ° C.

<光反射用熱硬化性樹脂組成物の調製>
(実施例1〜6及び比較例1〜7)
表1及び表2に示す配合割合(質量部)に従って、各成分を配合し、ミキサーによって十分に混練分散した後、ミキシングロールにより135℃で15分溶融混練することによって混練物を得た。次に、得られた混練物を冷却し、それらを粉砕することによって、白色固体状の光反射用熱硬化性樹脂組成物をそれぞれ調製した。
<Preparation of thermosetting resin composition for light reflection>
(Examples 1-6 and Comparative Examples 1-7)
Each component was blended according to the blending ratio (parts by mass) shown in Table 1 and Table 2, and sufficiently kneaded and dispersed with a mixer, and then melt-kneaded with a mixing roll at 135 ° C. for 15 minutes to obtain a kneaded product. Next, the obtained kneaded material was cooled and pulverized, thereby preparing a white solid light-reflective thermosetting resin composition.

なお、各表に示した各原料の配合量の単位は全て質量部であり、「−」の記載部分は該当する原料の配合がないことを意味している。   In addition, the unit of the compounding quantity of each raw material shown to each table | surface is all mass parts, and the description part of "-" means that there is no mixing | blending of a corresponding raw material.

表1及び2中、*1〜9の詳細は以下のとおりである。
*1:フッ素化エポキシ樹脂(三菱化学株式会社製、商品名:YL7702、式(1)中、R、R、R及びRが水素原子、n=0、Mn500、エポキシ当量238g/eq)
*2:エポキシ基を有するポリオルガノシロキサン(合成例1)
*3:トリスグリシジルイソシアヌレート(日産化学工業株式会社製、商品名:TEPIC−S、Mn300、エポキシ当量100g/eq、軟化点110℃)
*4:ヘキサヒドロ無水フタル酸(新日本理化株式会社製、商品名:HH)
*5:テトラ−n−ブチルホスホニウム−o,o−ジエチルホスホロジチエート(日本化学工業株式会社製、商品名:PX−4ET)
*6:ジメチル−p−アセトキシフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモナート(三新化学社製、商品名:SI−150)
*7:溶融シリカ(電気化学工業株式会社製、商品名:FB−950)
*8:溶融シリカ(株式会社アドマテックス製、商品名:SO−25R)
*9:酸化チタン(石原産業株式会社製、商品名:CR63)
The details of * 1 to 9 in Tables 1 and 2 are as follows.
* 1: Fluorinated epoxy resin (Mitsubishi Chemical Corporation, trade name: YL7702, in formula (1), R 1 , R 2 , R 3 and R 4 are hydrogen atoms, n = 0, Mn 500, epoxy equivalent 238 g / eq)
* 2: Polyorganosiloxane having an epoxy group (Synthesis Example 1)
* 3: Trisglycidyl isocyanurate (manufactured by Nissan Chemical Industries, trade name: TEPIC-S, Mn300, epoxy equivalent 100 g / eq, softening point 110 ° C.)
* 4: Hexahydrophthalic anhydride (manufactured by Shin Nippon Chemical Co., Ltd., trade name: HH)
* 5: Tetra-n-butylphosphonium-o, o-diethyl phosphorodithioate (manufactured by Nippon Chemical Industry Co., Ltd., trade name: PX-4ET)
* 6: Dimethyl-p-acetoxyphenylsulfonium hexafluoroantimonate (manufactured by Sanshin Chemical Co., Ltd., trade name: SI-150)
* 7: Fused silica (Electrochemical Industry Co., Ltd., trade name: FB-950)
* 8: Fused silica (manufactured by Admatechs Co., Ltd., trade name: SO-25R)
* 9: Titanium oxide (Ishihara Sangyo Co., Ltd., trade name: CR63)

Figure 0006322929
Figure 0006322929

Figure 0006322929
Figure 0006322929

<光反射用熱硬化性樹脂組成物の評価>
実施例1〜6及び比較例1〜7で得られた光反射用熱硬化性樹脂組成物を、成形金型温度180℃、成型圧力6.9MPa、硬化時間90秒の条件でトランスファー成形した後、150℃で2時間の後硬化を行って、厚み1.0mmの試験片を作製した。得られた試験片を用い、下記の方法にしたがって初期及び熱処理後の光反射率の測定を行った。なお、比較例1、2及び7では成形体を作製することができなかった。
<Evaluation of thermosetting resin composition for light reflection>
After transfer molding the light-reflective thermosetting resin compositions obtained in Examples 1 to 6 and Comparative Examples 1 to 7 under the conditions of a molding die temperature of 180 ° C., a molding pressure of 6.9 MPa, and a curing time of 90 seconds. Then, post-curing was performed at 150 ° C. for 2 hours to prepare a test piece having a thickness of 1.0 mm. Using the obtained test piece, the light reflectance after the initial stage and after the heat treatment was measured according to the following method. In Comparative Examples 1, 2, and 7, a molded body could not be produced.

(光反射率の測定)
[初期]
上記で得られた試験片について、積分球型分光光度計CM600d(コニカミノルタ株式会社製)を用いて、波長460nmにおける光反射率を測定した。
(Measurement of light reflectance)
[initial]
About the test piece obtained above, the light reflectance in wavelength 460nm was measured using integrating sphere type spectrophotometer CM600d (made by Konica Minolta Co., Ltd.).

[熱処理後]
上記で得られた試験片を一定温度のオーブン中に入れ、表に示す条件での熱処理をそれぞれ施した。各熱処理後の試験片について、上記と同様にして光反射率を測定した。
[After heat treatment]
The test piece obtained above was put in an oven at a constant temperature and subjected to heat treatment under the conditions shown in the table. About the test piece after each heat processing, the light reflectivity was measured like the above.

(耐湿性の測定)
上記で得られた試験片について、恒温恒湿槽を用いて、85℃85%RHの環境下に168h時間放置し、放置前後の重量変化を測定した。放置前後で増加した吸湿量について試験片重量との比を吸湿率と定めた。
(Measurement of moisture resistance)
The test piece obtained above was left in an environment of 85 ° C. and 85% RH for 168 hours using a constant temperature and humidity chamber, and the weight change before and after being left was measured. The ratio of the moisture absorption increased before and after standing to the weight of the test piece was defined as the moisture absorption rate.

表1に示すように、実施例1〜6の熱硬化性樹脂組成物によれば、トランスファー成形によって光反射率が十分に高い成形体が得られ、成形体の熱処理後の反射率低下、すなわち着色を高度に抑制できることが確認された。また、実施例1〜6の熱硬化性樹脂組成物は、吸湿率が小さく、耐湿性に優れることが確認された。   As shown in Table 1, according to the thermosetting resin compositions of Examples 1 to 6, a molded body having a sufficiently high light reflectance is obtained by transfer molding, and the reflectance decreases after heat treatment of the molded body, that is, It was confirmed that coloring can be highly suppressed. Moreover, it was confirmed that the thermosetting resin composition of Examples 1-6 has a small moisture absorption rate and is excellent in moisture resistance.

100…光半導体素子、101…透明封止樹脂、102…ボンディングワイヤ、103…光反射用熱硬化性樹脂組成物の硬化物(リフレクター)、103’…光反射用熱硬化性樹脂組成物の硬化物(絶縁性樹脂成形体)104…Ni/Agめっき、105…金属配線、106…蛍光体、107…はんだバンプ、110…光半導体素子搭載用基板、150…樹脂注入口、151…金型、200…光半導体素子搭載領域、300…LED素子、301…ボンディングワイヤ、302…透明封止樹脂、303…リフレクター、304…リード、305…蛍光体、306…ダイボンド材、400…銅張積層板、401…基材、402…白色樹脂層、403…銅箔、404…封止樹脂、408…接着層、409…ワイヤー、410…光半導体素子、500,600…光半導体装置、601…基材、602…導体部材、603…白色樹脂層、604…封止樹脂、608…接着層、609…ワイヤー、610…光半導体素子。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 100 ... Optical semiconductor element, 101 ... Transparent sealing resin, 102 ... Bonding wire, 103 ... Hardened | cured material (reflector) of the thermosetting resin composition for light reflection, 103 '... Curing of the thermosetting resin composition for light reflection Article (insulating resin molding) 104 ... Ni / Ag plating, 105 ... metal wiring, 106 ... phosphor, 107 ... solder bump, 110 ... substrate for mounting optical semiconductor element, 150 ... resin injection port, 151 ... mold, DESCRIPTION OF SYMBOLS 200 ... Optical semiconductor element mounting area, 300 ... LED element, 301 ... Bonding wire, 302 ... Transparent sealing resin, 303 ... Reflector, 304 ... Lead, 305 ... Phosphor, 306 ... Die bond material, 400 ... Copper-clad laminate, 401 ... base material, 402 ... white resin layer, 403 ... copper foil, 404 ... sealing resin, 408 ... adhesive layer, 409 ... wire, 410 ... optical semiconductor element, 50 , 600 ... optical semiconductor device, 601 ... substrate, 602 ... conductor member, 603 ... white resin layer, 604 ... sealing resin, 608 ... adhesive layer, 609 ... wire, 610 ... optical semiconductor element.

Claims (12)

エポキシ樹脂、硬化触媒及び白色顔料を含み、
前記エポキシ樹脂が、下記一般式(1)で示されるフッ素化エポキシ樹脂と、エポキシ基を有するポリオルガノシロキサンと、を含有し、
前記エポキシ基を有するポリオルガノシロキサンが、エポキシ基を有するシラン化合物と、エポキシ基を有しないシラン化合物との縮合物である、光反射用熱硬化性樹脂組成物。
Figure 0006322929

[式中、R、R、R及びRはそれぞれ独立に水素原子、炭素数1〜4のアルキル基又はハロゲン原子を示し、nは0〜40の数を示す。]
Including epoxy resin, curing catalyst and white pigment,
The epoxy resin contains a fluorinated epoxy resin represented by the following general formula (1) and a polyorganosiloxane having an epoxy group ,
A thermosetting resin composition for light reflection , wherein the polyorganosiloxane having an epoxy group is a condensate of a silane compound having an epoxy group and a silane compound not having an epoxy group .
Figure 0006322929

[Wherein, R 1 , R 2 , R 3 and R 4 each independently represents a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms or a halogen atom, and n represents a number from 0 to 40. ]
前記エポキシ基を有するポリオルガノシロキサンのエポキシ当量が150〜500g/eqである、請求項に記載の光反射用熱硬化性樹脂組成物。 The thermosetting resin composition for light reflection according to claim 1 , wherein an epoxy equivalent of the polyorganosiloxane having an epoxy group is 150 to 500 g / eq. 前記エポキシ基を有するポリオルガノシロキサンの数平均分子量が300〜5000である、請求項1又は2に記載の光反射用熱硬化性樹脂組成物。 The light-reflective thermosetting resin composition according to claim 1 or 2 , wherein the polyorganosiloxane having an epoxy group has a number average molecular weight of 300 to 5,000. 硬化剤を更に含む、請求項1〜のいずれか一項に記載の光反射用熱硬化性樹脂組成物。 The thermosetting resin composition for light reflection according to any one of claims 1 to 3 , further comprising a curing agent. 前記白色顔料が、アルミナ、酸化マグネシウム、酸化アンチモン、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化ジルコニウム及び無機中空粒子からなる群より選ばれる少なくとも1種を含有する、請求項1〜のいずれか一項に記載の光反射用熱硬化性樹脂組成物。 The said white pigment contains at least 1 sort (s) chosen from the group which consists of an alumina, magnesium oxide, antimony oxide, titanium oxide, a zinc oxide, a zirconium oxide, and an inorganic hollow particle, It is any one of Claims 1-4. The thermosetting resin composition for light reflection. 前記白色顔料の中心粒径が0.1〜50μmである、請求項1〜のいずれか一項に記載の光反射用熱硬化性樹脂組成物。 The thermosetting resin composition for light reflection according to any one of claims 1 to 5 , wherein the white pigment has a center particle diameter of 0.1 to 50 µm. 前記白色顔料の含有量が、当該熱硬化性樹脂組成物全量を基準として10〜85体積%である、請求項1〜のいずれか一項に記載の光反射用熱硬化性樹脂組成物。 The thermosetting resin composition for light reflection according to any one of claims 1 to 6 , wherein the content of the white pigment is 10 to 85% by volume based on the total amount of the thermosetting resin composition. 請求項1〜のいずれか一項に記載の光反射用熱硬化性樹脂組成物の硬化物を備える、光半導体素子搭載用基板。 A substrate for mounting an optical semiconductor element, comprising a cured product of the thermosetting resin composition for light reflection according to any one of claims 1 to 7 . 底面及び壁面から構成される凹部を有し、当該凹部の前記底面が光半導体素子の搭載部であり、
前記凹部の前記壁面の少なくとも一部が、請求項1〜のいずれか一項に記載の光反射用熱硬化性樹脂組成物の硬化物である、光半導体素子搭載用基板。
It has a recess composed of a bottom surface and a wall surface, and the bottom surface of the recess is a mounting portion for an optical semiconductor element,
The substrate for mounting an optical semiconductor element, wherein at least a part of the wall surface of the concave portion is a cured product of the thermosetting resin composition for light reflection according to any one of claims 1 to 7 .
基板と、
当該基板上に設けられた第1の接続端子及び第2の接続端子と、
前記第1の接続端子と前記第2の接続端子との間に設けられた、請求項1〜のいずれか一項に記載の光反射用熱硬化性樹脂組成物の硬化物と、
を備える、光半導体素子搭載用基板。
A substrate,
A first connection terminal and a second connection terminal provided on the substrate;
The cured product of the thermosetting resin composition for light reflection according to any one of claims 1 to 7 , provided between the first connection terminal and the second connection terminal,
A substrate for mounting an optical semiconductor element.
請求項10のいずれか一項に記載の光半導体素子搭載用基板と、当該光半導体素子搭載用基板に搭載された光半導体素子と、を具備する、光半導体装置。 An optical semiconductor device comprising: the optical semiconductor element mounting substrate according to any one of claims 8 to 10 ; and an optical semiconductor element mounted on the optical semiconductor element mounting substrate. 底面及び壁面から構成される凹部を有する光半導体素子搭載用基板の製造方法であって、
前記凹部の前記壁面の少なくとも一部を、請求項1〜のいずれか一項に記載の光反射用熱硬化性樹脂組成物をトランスファー成形して形成する工程を備える、光半導体素子搭載用基板の製造方法。
A method of manufacturing a substrate for mounting an optical semiconductor element having a recess composed of a bottom surface and a wall surface,
A substrate for mounting an optical semiconductor element comprising a step of forming at least a part of the wall surface of the concave portion by transfer molding the thermosetting resin composition for light reflection according to any one of claims 1 to 7. Manufacturing method.
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