JP6566121B2 - Thermosetting resin composition, substrate for mounting optical semiconductor element, method for manufacturing the same, and optical semiconductor device - Google Patents

Thermosetting resin composition, substrate for mounting optical semiconductor element, method for manufacturing the same, and optical semiconductor device Download PDF

Info

Publication number
JP6566121B2
JP6566121B2 JP2018507952A JP2018507952A JP6566121B2 JP 6566121 B2 JP6566121 B2 JP 6566121B2 JP 2018507952 A JP2018507952 A JP 2018507952A JP 2018507952 A JP2018507952 A JP 2018507952A JP 6566121 B2 JP6566121 B2 JP 6566121B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin composition
optical semiconductor
thermosetting resin
semiconductor element
alkenyl group
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2018507952A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPWO2017168649A1 (en
Inventor
香澄 中村
香澄 中村
勇人 小谷
勇人 小谷
智弘 林
智弘 林
達也 松野
達也 松野
鈴木 光
光 鈴木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Showa Denko Materials Co Ltd
Original Assignee
Hitachi Chemical Co Ltd
Showa Denko Materials Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Chemical Co Ltd, Showa Denko Materials Co Ltd filed Critical Hitachi Chemical Co Ltd
Publication of JPWO2017168649A1 publication Critical patent/JPWO2017168649A1/en
Application granted granted Critical
Publication of JP6566121B2 publication Critical patent/JP6566121B2/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161Disposition
    • H01L2224/16151Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16245Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Description

本発明は、熱硬化性樹脂組成物、該熱硬化性樹脂組成物を用いた光半導体素子搭載用基板及びその製造方法、並びに、光半導体装置に関する。   The present invention relates to a thermosetting resin composition, a substrate for mounting an optical semiconductor element using the thermosetting resin composition, a method for manufacturing the same, and an optical semiconductor device.

熱硬化性樹脂はその特有な架橋構造に由来する優れた各種特性を示すため、広い用途に使用されている。用途の一つとして、近年、LED(Light Emitting Diode:発光ダイオード)等の光半導体素子と蛍光体とを組み合わせた光半導体装置は、高エネルギー効率及び長寿命等の利点から、屋外用ディスプレイ、携帯液晶バックライト、車載用途等の様々な用途に適用され、その需要が拡大している。   Thermosetting resins are used in a wide range of applications because they exhibit various excellent properties derived from their unique cross-linked structures. As one of the applications, in recent years, an optical semiconductor device in which an optical semiconductor element such as an LED (Light Emitting Diode) and a phosphor are combined is used for an outdoor display, a mobile phone, and the like because of advantages such as high energy efficiency and long life. It is applied to various applications such as liquid crystal backlights and in-vehicle applications, and its demand is expanding.

光半導体装置の一種として、表面実装型光半導体装置が挙げられる。表面実装型光半導体装置の中には、光半導体素子及び当該光半導体素子を囲うように設けられたリフレクター(反射部)を有するものがある。特許文献1には、ビニル基及びアリル基のいずれか一方と、水素原子が、直接ケイ素原子に結合してなる構造を有するシリコーン樹脂を用いた光半導体素子収納用実装パッケージ用樹脂組成物が開示されている。   One type of optical semiconductor device is a surface-mounted optical semiconductor device. Some surface-mount optical semiconductor devices have an optical semiconductor element and a reflector (reflecting portion) provided so as to surround the optical semiconductor element. Patent Document 1 discloses a resin composition for a mounting package for housing an optical semiconductor element using a silicone resin having a structure in which any one of a vinyl group and an allyl group and a hydrogen atom is directly bonded to a silicon atom. Has been.

ここで、熱硬化性樹脂組成物を加熱硬化して成形体を作製する作業では、各工程を連続して行うことがある。例えば、特許文献2には、トランスファー成形する際のリードフレームに装着した電子部品を樹脂材料にて封止成形するための樹脂封止装置が記載され、該樹脂封止装置を用い連続的に樹脂封止する方法が開示されている。   Here, in the operation | work which heat-hardens a thermosetting resin composition and produces a molded object, each process may be performed continuously. For example, Patent Literature 2 describes a resin sealing device for sealing and molding an electronic component mounted on a lead frame at the time of transfer molding with a resin material. A method for sealing is disclosed.

特開2009−21394号公報JP 2009-21394 A 特開2014−222711号公報JP 2014-222711 A

しかしながら、シリコーン樹脂を含有する熱硬化性樹脂組成物から形成される硬化物の場合、連続的に成形を行った場合に、工程の途中で成形体に割れ又はクラックが生じる可能性がある。   However, in the case of a cured product formed from a thermosetting resin composition containing a silicone resin, there is a possibility that cracks or cracks may occur in the molded product during the process when molding is performed continuously.

本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、割れ及びクラックが発生し難い強靱な成形体を形成することができる熱硬化性樹脂組成物、該熱硬化性樹脂組成物を用いた光半導体素子搭載用基板及びその製造方法、並びに、光半導体装置を提供することを目的とする。   The present invention has been made in view of the above circumstances, and is a thermosetting resin composition capable of forming a tough molded body in which cracks and cracks are unlikely to occur, and light using the thermosetting resin composition It is an object of the present invention to provide a semiconductor element mounting substrate, a method for manufacturing the same, and an optical semiconductor device.

本発明は、ヒドロシリル基含有シリコーン樹脂と、アルケニル基当量が50〜1000g/molであるアルケニル基含有シリコーン樹脂とを含むシリコーン樹脂及び顔料を含有する熱硬化性樹脂組成物に関する。   The present invention relates to a thermosetting resin composition containing a silicone resin and a pigment containing a hydrosilyl group-containing silicone resin and an alkenyl group-containing silicone resin having an alkenyl group equivalent of 50 to 1000 g / mol.

上記アルケニル基含有シリコーン樹脂は、ケイ素原子に結合する有機基の全量を基準としてアルケニル基を75モル%以上有していてもよい。また、上記アルケニル基含有シリコーン樹脂の重量平均分子量が200〜10000であってもよい。   The alkenyl group-containing silicone resin may have 75 mol% or more of alkenyl groups based on the total amount of organic groups bonded to silicon atoms. The alkenyl group-containing silicone resin may have a weight average molecular weight of 200 to 10,000.

さらに、上記アルケニル基含有シリコーン樹脂は、下記式(I)で表される構造を有していてもよい。

Figure 0006566121
[式中、R11はそれぞれ独立にアルケニル基を示す。]Furthermore, the alkenyl group-containing silicone resin may have a structure represented by the following formula (I).
Figure 0006566121
[Wherein, each R 11 independently represents an alkenyl group. ]

本発明の熱硬化性樹脂組成物は、当該熱硬化性樹脂組成物の全量を基準として、上記アルケニル基含有シリコーン樹脂を0.0005〜35質量%含んでいてもよい。   The thermosetting resin composition of the present invention may contain 0.0005 to 35% by mass of the alkenyl group-containing silicone resin based on the total amount of the thermosetting resin composition.

上記熱硬化性樹脂組成物において、硬化物の光反射率を向上する観点から、上記顔料は、酸化チタン、酸化亜鉛、アルミナ、酸化マグネシウム、酸化アンチモン及び酸化ジルコニウムからなる群より選ばれる少なくとも1種の白色顔料を含んでいてもよく、中空粒子を含んでいてもよい。   In the thermosetting resin composition, from the viewpoint of improving the light reflectance of the cured product, the pigment is at least one selected from the group consisting of titanium oxide, zinc oxide, alumina, magnesium oxide, antimony oxide, and zirconium oxide. The white pigment may be included, and hollow particles may be included.

本発明はまた、上記熱硬化性樹脂組成物から形成される硬化物に関する。別の側面において、本発明は、上述の熱硬化性樹脂組成物から形成された成形体を有する光半導体素子搭載用基板に関する。当該光半導体素子搭載用基板は、底面及び壁面から構成される凹部を有し、当該凹部の底面が光半導体素子の搭載部であり、凹部の壁面の少なくとも一部が上述の熱硬化性樹脂組成物から形成された成形体である。また、本発明の光半導体素子搭載用基板は、基板と、当該基板上に設けられた第1の接続端子及び第2の接続端子とを備え、第1の接続端子と第2の接続端子との間に、上述の熱硬化性樹脂組成物から形成された成形体を有していてもよい。   The present invention also relates to a cured product formed from the thermosetting resin composition. In another aspect, the present invention relates to an optical semiconductor element mounting substrate having a molded body formed from the thermosetting resin composition described above. The optical semiconductor element mounting substrate has a recess composed of a bottom surface and a wall surface, the bottom surface of the recess is a mounting portion for the optical semiconductor element, and at least a part of the wall surface of the recess is the thermosetting resin composition described above. It is the molded object formed from the thing. The optical semiconductor element mounting substrate of the present invention includes a substrate, a first connection terminal and a second connection terminal provided on the substrate, and the first connection terminal and the second connection terminal are provided. In between, you may have the molded object formed from the above-mentioned thermosetting resin composition.

さらに別の側面において、本発明は、上記光半導体素子搭載用基板と、当該光半導体素子搭載用基板に搭載された光半導体素子とを備える、光半導体装置に関する。   In still another aspect, the present invention relates to an optical semiconductor device comprising the optical semiconductor element mounting substrate and an optical semiconductor element mounted on the optical semiconductor element mounting substrate.

本発明はまた、底面及び壁面から構成される凹部を有する光半導体素子搭載用基板の製造方法に関する。本発明に係る製造方法は、凹部の壁面の少なくとも一部を、上述の熱硬化性樹脂組成物を用いてトランスファー成形又はコンプレッション成形して形成する工程を備える。   The present invention also relates to a method for manufacturing a substrate for mounting an optical semiconductor element having a recess composed of a bottom surface and a wall surface. The manufacturing method according to the present invention includes a step of forming at least a part of the wall surface of the recess by transfer molding or compression molding using the thermosetting resin composition described above.

本発明によれば、割れ及びクラックが発生し難い強靱な硬化物を形成することができる熱硬化性樹脂組成物、該熱硬化性樹脂組成物を用いた光半導体素子搭載用基板及びその製造方法、並びに、光半導体装置を提供することができる。   INDUSTRIAL APPLICABILITY According to the present invention, a thermosetting resin composition capable of forming a tough cured product that is less likely to crack and crack, a substrate for mounting an optical semiconductor element using the thermosetting resin composition, and a method for manufacturing the same. In addition, an optical semiconductor device can be provided.

光半導体素子搭載用基板の一実施形態を示す斜視図である。It is a perspective view which shows one Embodiment of the board | substrate for optical semiconductor element mounting. 光半導体素子搭載用基板を製造する工程の一実施形態を示す概略図である。It is the schematic which shows one Embodiment of the process of manufacturing the board | substrate for optical semiconductor element mounting. 光半導体素子搭載用基板に光半導体素子を搭載した状態の一実施形態を示す斜視図である。It is a perspective view which shows one Embodiment in the state which mounted the optical semiconductor element in the board | substrate for optical semiconductor element mounting. 光半導体装置の一実施形態を示す模式断面図である。It is a schematic cross section showing one embodiment of an optical semiconductor device. 光半導体装置の他の実施形態を示す模式断面図である。It is a schematic cross section which shows other embodiment of an optical semiconductor device. 光半導体装置の他の実施形態を示す模式断面図である。It is a schematic cross section which shows other embodiment of an optical semiconductor device. 銅張積層板の一実施形態を示す模式断面図である。It is a schematic cross section which shows one Embodiment of a copper clad laminated board. 銅張積層板を用いて作製された光半導体装置の一例を示す模式断面図である。It is a schematic cross section which shows an example of the optical semiconductor device produced using the copper clad laminated board. 光半導体装置の他の実施形態を示す模式断面図である。It is a schematic cross section which shows other embodiment of an optical semiconductor device.

以下、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。ただし、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。   Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail. However, the present invention is not limited to the following embodiments.

なお、本明細書において端点による数値範囲の使用には、その範囲内に含まれる全ての数(例えば、0.5〜5には、0.5、1.5、2、2.75、3、3.80、4、5等が含まれる)及びその範囲内の任意の範囲が含まれる。   Note that in this specification, the use of numerical ranges by endpoints includes all numbers included in the range (for example, 0.5 to 5, 0.5, 1.5, 2, 2.75, 3 3.80, 4, 5, etc.) and any range within that range.

[熱硬化性樹脂組成物]
本実施形態の熱硬化性樹脂組成物は、ヒドロシリル基含有シリコーン樹脂と、アルケニル基当量が50〜1000g/molであるアルケニル基含有シリコーン樹脂とを含むシリコーン樹脂及び顔料を含有する。以下、本実施形態の熱硬化性樹脂組成物に含有される各成分について説明する。
[Thermosetting resin composition]
The thermosetting resin composition of this embodiment contains a silicone resin and a pigment containing a hydrosilyl group-containing silicone resin and an alkenyl group-containing silicone resin having an alkenyl group equivalent of 50 to 1000 g / mol. Hereinafter, each component contained in the thermosetting resin composition of this embodiment is demonstrated.

(ヒドロシリル基含有シリコーン樹脂)
ヒドロシリル基含有シリコーン樹脂は、水素原子が直接ケイ素原子に結合した基(Si−H)であるヒドロシリル基を有するシリコーン樹脂であれば特に限定されない。
(Hydrosilyl group-containing silicone resin)
The hydrosilyl group-containing silicone resin is not particularly limited as long as it is a silicone resin having a hydrosilyl group that is a group (Si-H) in which a hydrogen atom is directly bonded to a silicon atom.

ヒドロシリル基含有シリコーン樹脂は、ヒドロシリル基を有する構造単位として、例えば、HSiO3/2で表される単位、HSiO2/2で表される単位又はHSiO1/2で表される単位を有することができる。The hydrosilyl group-containing silicone resin may have, for example, a unit represented by HSiO 3/2 , a unit represented by HSiO 2/2 , or a unit represented by HSiO 1/2 as a structural unit having a hydrosilyl group. it can.

ヒドロシリル基を有する構造単位は、例えば、メチルメトキシジシラン、ジメトキシジシラン、メトキシトリシラン、エチルメトキシジシラン、ジメチルエトキシシラン、プロピルジエトキシシラン、プロピルエトキシジシラン、n−ブチルジメトキシシラン、フェニルジメトキシシラン、フェニルメトキシジシラン、トリエトキシシラン等のアルコキシハイドロキシシラン;メチルジクロロシラン、n−プロピルジクロロシラン、イソプロピルジクロロシラン(1,1−ジクロロ−2−メチル−1−シラプロパン)、n−ブチルジクロロシラン、n−ペンチルジクロロシラン、シクロペンチルジクロロシラン、シクロヘキシルジクロロシラン等のアルキルジクロロシランなどを用いてシリコーン樹脂中に導入することができる。   The structural unit having a hydrosilyl group is, for example, methylmethoxydisilane, dimethoxydisilane, methoxytrisilane, ethylmethoxydisilane, dimethylethoxysilane, propyldiethoxysilane, propylethoxydisilane, n-butyldimethoxysilane, phenyldimethoxysilane, phenylmethoxy. Alkoxyhydroxysilanes such as disilane and triethoxysilane; methyldichlorosilane, n-propyldichlorosilane, isopropyldichlorosilane (1,1-dichloro-2-methyl-1-silapropane), n-butyldichlorosilane, n-pentyldi It can introduce | transduce into a silicone resin using alkyl dichlorosilanes, such as chlorosilane, cyclopentyl dichlorosilane, and cyclohexyl dichlorosilane.

ヒドロシリル基含有シリコーン樹脂は、水素原子以外の基がケイ素原子に結合している構造、すなわち、ヒドロシリル基以外の構造単位を有していてもよい。ヒドロシリル基以外の構造単位としては、例えば、炭素数1〜12の有機基がケイ素原子に結合している構造単位が挙げられ、合成容易性の観点から、炭素数1〜8の有機基がケイ素原子に結合している構造単位であってもよい。該有機基は、合成容易性の観点から炭化水素基であることが好ましく、炭化水素基としては、例えば、アルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基及びアリール基が挙げられる。アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基及びプロピル基が挙げられる。シクロアルキル基としては、例えば、シクロペンチル基及びシクロヘキシル基が挙げられる。アラルキル基としては、例えば、ベンジル基が挙げられる。アリール基としては、例えば、フェニル基、トリル基及びキシリル基が挙げられる。これらの基は、水素原子が部分的に塩素原子、フッ素原子等で置換されたハロゲン化炭化水素基であってもよい。シリコーン樹脂の合成の容易さ及び硬度を更に向上させる観点から、有機基としては、アリール基が好ましく、フェニル基がより好ましい。   The hydrosilyl group-containing silicone resin may have a structure in which a group other than a hydrogen atom is bonded to a silicon atom, that is, a structural unit other than a hydrosilyl group. Examples of the structural unit other than the hydrosilyl group include a structural unit in which an organic group having 1 to 12 carbon atoms is bonded to a silicon atom. From the viewpoint of ease of synthesis, an organic group having 1 to 8 carbon atoms is silicon. It may be a structural unit bonded to an atom. The organic group is preferably a hydrocarbon group from the viewpoint of ease of synthesis, and examples of the hydrocarbon group include an alkyl group, a cycloalkyl group, an aralkyl group, and an aryl group. Examples of the alkyl group include a methyl group, an ethyl group, and a propyl group. Examples of the cycloalkyl group include a cyclopentyl group and a cyclohexyl group. Examples of the aralkyl group include a benzyl group. Examples of the aryl group include a phenyl group, a tolyl group, and a xylyl group. These groups may be halogenated hydrocarbon groups in which hydrogen atoms are partially substituted with chlorine atoms, fluorine atoms, or the like. From the viewpoint of further improving the ease of synthesis and hardness of the silicone resin, the organic group is preferably an aryl group, and more preferably a phenyl group.

ヒドロシリル基含有シリコーン樹脂は、ヒドロシリル基以外の構造単位として、RSiO3/2で表される単位を有していてもよく、RSiO3/2で表される単位と、RSiO2/2で表される単位、RSiO1/2で表される単位及びSiO4/2で表される単位から選ばれる少なくとも1種の単位とを有していてもよい。The hydrosilyl group-containing silicone resin may have a unit represented by R 1 SiO 3/2 as a structural unit other than the hydrosilyl group, and a unit represented by R 1 SiO 3/2 and R 2 SiO It may have at least one unit selected from a unit represented by 2/2 , a unit represented by R 3 SiO 1/2 and a unit represented by SiO 4/2 .

、R及びRは、それぞれ独立に1価の有機基を示し、入手容易性の観点から、炭素数1〜12の炭化水素基であることが好ましい。炭化水素基としては、上述した炭化水素基と同じものが例示される。ヒドロシリル基含有シリコーン樹脂の合成の容易さの点から、R、R及びRは、それぞれ独立にアルキル基又はアリール基であることが好ましく、メチル基又はフェニル基であることがより好ましい。R 1 , R 2 and R 3 each independently represent a monovalent organic group, and are preferably a C 1-12 hydrocarbon group from the viewpoint of availability. As a hydrocarbon group, the same thing as the hydrocarbon group mentioned above is illustrated. From the viewpoint of ease of synthesis of the hydrosilyl group-containing silicone resin, R 1 , R 2 and R 3 are preferably each independently an alkyl group or an aryl group, and more preferably a methyl group or a phenyl group.

ヒドロシリル基含有シリコーン樹脂の重量平均分子量は特に限定されないが、熱硬化性樹脂組成物の成形性を向上する観点から、200以上であると好ましく、1000以上であるとより好ましく、2000以上であると更に好ましい。一方、ヒドロシリル基含有シリコーン樹脂の重量平均分子量は、硬化物の硬さをより向上する観点から、15000以下であると好ましく、10000以下であるとより好ましく、7000以下であると更に好ましい。すなわち、ヒドロシリル基含有シリコーン樹脂の重量平均分子量は、200〜15000であってもよく、1000〜10000であってもよく、2000〜7000であってもよい。   The weight average molecular weight of the hydrosilyl group-containing silicone resin is not particularly limited, but from the viewpoint of improving the moldability of the thermosetting resin composition, it is preferably 200 or more, more preferably 1000 or more, and 2000 or more. Further preferred. On the other hand, the weight average molecular weight of the hydrosilyl group-containing silicone resin is preferably 15000 or less, more preferably 10,000 or less, and further preferably 7000 or less, from the viewpoint of further improving the hardness of the cured product. That is, the weight average molecular weight of the hydrosilyl group-containing silicone resin may be 200 to 15000, 1000 to 10,000, or 2000 to 7000.

本明細書における重量平均分子量Mwは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー法(GPC)により標準ポリスチレンによる検量線を用いて下記条件で測定することで得られる。
(GPC条件)
ポンプ:L−6200型(株式会社日立製作所製、商品名)
カラム:TSKgel―G5000HXL及びTSKgel−G2000HXL(東ソー株式会社製、商品名)
検出器:L−3300RI型(株式会社日立製作所製、商品名)
溶離液:テトラヒドロフラン
測定温度:30℃
流量:1.0mL/分
The weight average molecular weight Mw in the present specification can be obtained by measuring under the following conditions using a standard polystyrene calibration curve by gel permeation chromatography (GPC).
(GPC conditions)
Pump: L-6200 type (manufactured by Hitachi, Ltd., trade name)
Column: TSKgel-G5000HXL and TSKgel-G2000HXL (trade name, manufactured by Tosoh Corporation)
Detector: L-3300RI type (manufactured by Hitachi, Ltd., trade name)
Eluent: Tetrahydrofuran Measurement temperature: 30 ° C
Flow rate: 1.0 mL / min

熱硬化性樹脂組成物中のヒドロシリル基含有シリコーン樹脂の含有量は特に限定されないが、熱硬化性樹脂組成物の成形性を向上する観点から、樹脂組成物全体に対して0.01〜40質量%であることが好ましく、0.1〜35質量%であることがより好ましく、1.0〜30質量%であることが更に好ましい。   Although content of the hydrosilyl group containing silicone resin in a thermosetting resin composition is not specifically limited, From a viewpoint of improving the moldability of a thermosetting resin composition, 0.01-40 mass with respect to the whole resin composition. %, More preferably 0.1 to 35% by mass, and still more preferably 1.0 to 30% by mass.

(アルケニル基含有シリコーン樹脂)
本実施形態の熱硬化性樹脂組成物は、アルケニル基当量が50〜1000g/molであるアルケニル基含有シリコーン樹脂を含有する。アルケニル基当量とは、アルケニル基1molを得るのに必要なアルケニル基含有シリコーン樹脂の重量を表す。該アルケニル基は、上述したヒドロシリル基含有シリコーン樹脂が有するヒドロシリル基と、好ましくは硬化触媒の存在下、付加反応することで熱硬化性樹脂組成物の硬化物を形成することができる。アルケニル基当量が上記範囲内であれば、硬化後の樹脂の構造は架橋密度の高いものとなる。
(Alkenyl group-containing silicone resin)
The thermosetting resin composition of the present embodiment contains an alkenyl group-containing silicone resin having an alkenyl group equivalent of 50 to 1000 g / mol. The alkenyl group equivalent represents the weight of the alkenyl group-containing silicone resin necessary to obtain 1 mol of alkenyl group. The alkenyl group can form a cured product of the thermosetting resin composition by an addition reaction with the hydrosilyl group contained in the above-described hydrosilyl group-containing silicone resin, preferably in the presence of a curing catalyst. When the alkenyl group equivalent is within the above range, the resin structure after curing has a high crosslink density.

特許文献2のような装置を用いて光半導体装置の成形を連続的に行った場合に成形体に割れ又はクラックが生じる原因として、成形体の硬度が低いことが挙げられる。すなわち、機械による成形体の運搬においては制御が困難なため、運搬時に発生する衝撃に成形体が耐え切れなくなってしまうのである。特に、成形体が光半導体装置のリフレクターである場合、複雑な形状を有するため一部に圧力が集中し易くなり、割れ又はクラックが生じる可能性は高くなる。本実施形態では上記のアルケニル基含有シリコーン樹脂を用いているため、ヒドロシリル化反応可能な部分が多くなり、形成される硬化物の架橋密度が高い。そのため、硬度の高い成形体を得ることが可能になる。硬度の高い成形体は割れ又はクラックの発生を低減させ、光半導体装置の生産性を向上させることが可能である。   When the optical semiconductor device is continuously formed using an apparatus such as Patent Document 2, a cause of cracking or cracking in the molded body is that the hardness of the molded body is low. That is, since it is difficult to control the transport of the molded body by a machine, the molded body cannot withstand the impact generated during transport. In particular, when the molded body is a reflector of an optical semiconductor device, since it has a complicated shape, pressure tends to concentrate on a part thereof, and the possibility that a crack or a crack will occur increases. In the present embodiment, since the above alkenyl group-containing silicone resin is used, the number of portions capable of hydrosilylation reaction increases, and the formed cured product has a high crosslinking density. Therefore, it becomes possible to obtain a molded body having high hardness. A molded body having high hardness can reduce the occurrence of cracks or cracks and improve the productivity of the optical semiconductor device.

硬化物の架橋密度及び硬度をより向上させるために、アルケニル基含有シリコーン樹脂のアルケニル基当量は、50〜500g/molであることが好ましく、50〜300g/molであることがより好ましく、50〜250g/molであることが更に好ましい。シリコーン樹脂のアルケニル基当量は、ヨウ素価を測定し、下記式に従って計算できる。
Y=MI2×100/X
In order to further improve the crosslinking density and hardness of the cured product, the alkenyl group equivalent of the alkenyl group-containing silicone resin is preferably 50 to 500 g / mol, more preferably 50 to 300 g / mol, and 50 to More preferably, it is 250 g / mol. The alkenyl group equivalent of the silicone resin can be calculated according to the following formula by measuring the iodine value.
Y = M I2 × 100 / X

式中、Xは、ヨウ素価を示し、Yは、アルケニル基当量を示し、MI2はヨウ素分子の分子量を示す。ヨウ素価は、JIS K 0070:1992に記載の方法に従って、不飽和結合にヨウ素を付加させ、過剰のヨウ素をチオ硫酸ナトリウム溶液で滴定することで算出できる。In the formula, X represents an iodine value, Y represents an alkenyl group equivalent, and M I2 represents a molecular weight of an iodine molecule. The iodine value can be calculated by adding iodine to an unsaturated bond and titrating excess iodine with a sodium thiosulfate solution according to the method described in JIS K 0070: 1992.

シリコーン樹脂中に存在するアルケニル基は、必ずしもケイ素原子と直接結合していなくともよい。アルケニル基としては、例えば、ビニル基、アリル基、1−ブテニル基、2−ブテニル基及び2−ペンテニル基が挙げられる。アルケニル基は、耐熱性及び耐光性の観点から、ビニル基であることが好ましい。   The alkenyl group present in the silicone resin is not necessarily bonded directly to the silicon atom. As an alkenyl group, a vinyl group, an allyl group, 1-butenyl group, 2-butenyl group, and 2-pentenyl group are mentioned, for example. The alkenyl group is preferably a vinyl group from the viewpoint of heat resistance and light resistance.

アルケニル基は、例えば、アルケニル基を有するシラン化合物を用いてシリコーン樹脂中に導入することができる。アルケニル基を有するシラン化合物としては、例えば、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、ビニルトリス(2−メトキシエトキシ)シラン、メチルビニルジメトキシシラン、アリルトリメトキシシラン、アリルトリエトキシシラン、メチルアリルジメトキシシラン等のアルケニルアルコキシシランなどが挙げられる。   The alkenyl group can be introduced into the silicone resin using, for example, a silane compound having an alkenyl group. Examples of the silane compound having an alkenyl group include vinyltrimethoxysilane, vinyltriethoxysilane, vinyltris (2-methoxyethoxy) silane, methylvinyldimethoxysilane, allyltrimethoxysilane, allyltriethoxysilane, and methylallyldimethoxysilane. And alkenylalkoxysilane.

アルケニル基含有シリコーン樹脂は、シロキサン骨格としてはしご型構造を有していることが好ましい。はしご型構造とは、隣接する構成単位が2個以上の原子を介して連結している構造を指す。はしご型構造を有するシリコーン樹脂を用いることで、熱硬化性樹脂組成物の硬化後の架橋密度が更に上がり、強靱な硬化物をより形成し易くなる。   The alkenyl group-containing silicone resin preferably has a ladder structure as a siloxane skeleton. The ladder structure refers to a structure in which adjacent structural units are connected via two or more atoms. By using a silicone resin having a ladder structure, the crosslink density after curing of the thermosetting resin composition is further increased, and a tough cured product is more easily formed.

はしご型構造を有するシリコーン樹脂としては、例えば下記式(I)に示すような構造単位を持つ化合物が挙げられる。式中、R11はそれぞれ独立にアルケニル基を示す。なお、下記式(I)は上記構成単位及び構成単位を連結する2つの酸素原子を有していると解され、はしご型構造を有するシリコーン樹脂は(R11SiO3/2で表される構造を有していてもよい。

Figure 0006566121
Examples of the silicone resin having a ladder structure include compounds having a structural unit as shown in the following formula (I). In the formula, each R 11 independently represents an alkenyl group. In addition, it is understood that the following formula (I) has the above structural unit and two oxygen atoms that connect the structural unit, and the silicone resin having a ladder structure is represented by (R 11 SiO 3/2 ) 2. It may have a structure.
Figure 0006566121

はしご型構造を有するシリコーン樹脂は、式(I)に示す構造を連続して有することが好ましく、その場合、シリコーン樹脂は、例えば、下記式(I’)に示す構造を有することができる。なお、下記式(I’)は、構成単位を3組、それらを連結する2つの酸素原子を2組、及び更に右に隣接する構成単位(図示せず)を連結する2つの酸素原子を1組有していると解される。

Figure 0006566121
The silicone resin having a ladder structure preferably has a structure represented by the formula (I) continuously. In that case, the silicone resin can have a structure represented by the following formula (I ′), for example. In the following formula (I ′), three sets of structural units, two sets of two oxygen atoms connecting them, and two oxygen atoms connecting constituent units (not shown) adjacent to the right are 1 It is understood that you have a pair.
Figure 0006566121

シリコーン樹脂が式(I)に示す構造を連続して有する場合、式(I)に示す構造の繰り返し単位数は特に限定されないが、硬化後の架橋密度をより向上させる観点から、3〜5000であることが好ましく、5〜3000であることがより好ましく、10〜2000であることが更に好ましい。   When the silicone resin continuously has the structure represented by the formula (I), the number of repeating units of the structure represented by the formula (I) is not particularly limited, but is 3 to 5000 from the viewpoint of further improving the crosslinking density after curing. It is preferable that it is 5 to 3000, more preferably 10 to 2000.

アルケニル基含有シリコーン樹脂は、アルケニル基以外の基を有していてもよい。アルケニル基以外の基を有する構造単位としては、例えば、RSiO3/2又はRSiO2/2で表される構造単位が挙げられる。すなわち、アルケニル基含有シリコーン樹脂は、式(I)で表される構造((R11SiO3/2)及びRSiO3/2又はRSiO2/2で表される構造を有していてもよい。R及びRは、それぞれ独立に1価の有機基を示し、入手容易性の点からは炭素数1〜12の炭化水素基であることが好ましい。炭化水素基としては、前述のR、R及びRと同じものが例示される。The alkenyl group-containing silicone resin may have a group other than the alkenyl group. Examples of the structural unit having a group other than an alkenyl group include a structural unit represented by R 4 SiO 3/2 or R 5 SiO 2/2 . That is, the alkenyl group-containing silicone resin has a structure represented by the formula (I) ((R 11 SiO 3/2 ) 2 ) and a structure represented by R 4 SiO 3/2 or R 5 SiO 2/2. You may do it. R 4 and R 5 each independently represent a monovalent organic group, and are preferably a hydrocarbon group having 1 to 12 carbon atoms from the viewpoint of availability. As a hydrocarbon group, the same thing as above-mentioned R < 1 >, R < 2 > and R < 3 > is illustrated.

アルケニル基含有シリコーン樹脂は、ケイ素に直接結合した有機基の全量を基準として、アルケニル基を75モル%以上有することが好ましく、85モル%以上有することがより好ましく、95モル%以上有することが更に好ましい。このようなアルケニル基含有シリコーン樹脂を含むことにより、硬化後の樹脂の架橋密度を更に高め、熱硬化性樹脂組成物の硬化物が硬くて割れ難くなり、連続成形の際の自動搬送性により一層優れるものとなる。架橋密度を高める観点からは、アルケニル基含有シリコーン樹脂中に存在するアルケニル基の量の上限値は、多いほど好ましく、100モル%であってもよい。アルケニル基の量は、シリコーン樹脂のH−NMRを測定することにより算出することができる。The alkenyl group-containing silicone resin preferably has 75% by mole or more of alkenyl groups, more preferably 85% by mole or more, and more preferably 95% by mole or more based on the total amount of organic groups directly bonded to silicon. preferable. By including such an alkenyl group-containing silicone resin, the crosslink density of the cured resin is further increased, the cured product of the thermosetting resin composition is hard and difficult to break, and is further improved by automatic transportability during continuous molding. It will be excellent. From the viewpoint of increasing the crosslinking density, the upper limit of the amount of alkenyl groups present in the alkenyl group-containing silicone resin is preferably as large as possible, and may be 100 mol%. The amount of alkenyl group can be calculated by measuring 1 H-NMR of the silicone resin.

アルケニル基含有シリコーン樹脂は、ケイ素に直接結合した元素の全量を基準として、アルケニル基を22モル%以上有することが好ましく、23モル%以上有することがより好ましく、24モル%以上有することが更に好ましい。このようなアルケニル基含有シリコーン樹脂を含むことにより、熱硬化性樹脂組成物の硬化物が硬くて割れ難くなり、連続成形の際の自動搬送性により一層優れるものとなる。アルケニル基含有シリコーン樹脂中に存在するアルケニル基の量の上限値は、特に制限されないが、30モル%であってもよい。アルケニル基の量は、シリコーン樹脂のH−NMRを測定することにより算出することができる。The alkenyl group-containing silicone resin preferably has at least 22 mol%, more preferably at least 23 mol%, and even more preferably at least 24 mol%, based on the total amount of elements directly bonded to silicon. . By including such an alkenyl group-containing silicone resin, the cured product of the thermosetting resin composition is hard and difficult to break, and is more excellent in automatic transportability during continuous molding. The upper limit of the amount of alkenyl groups present in the alkenyl group-containing silicone resin is not particularly limited, but may be 30 mol%. The amount of alkenyl group can be calculated by measuring 1 H-NMR of the silicone resin.

アルケニル基含有シリコーン樹脂の重量平均分子量は特に限定されないが、熱硬化性樹脂組成物の成形性を向上する観点から、200以上であると好ましく、800以上であるとより好ましく、1200以上であると更に好ましい。アルケニル基含有シリコーン樹脂の重量平均分子量は、硬化物の硬さを更に向上する観点から、10000以下であると好ましく、8000以下であるとより好ましく、7000以下であると更に好ましい。すなわち、アルケニル基含有シリコーン樹脂の重量平均分子量は、200〜10000であってもよく、800〜8000であってもよく、1200〜7000であってもよい。   The weight average molecular weight of the alkenyl group-containing silicone resin is not particularly limited, but is preferably 200 or more, more preferably 800 or more, and 1200 or more from the viewpoint of improving the moldability of the thermosetting resin composition. Further preferred. From the viewpoint of further improving the hardness of the cured product, the weight average molecular weight of the alkenyl group-containing silicone resin is preferably 10,000 or less, more preferably 8000 or less, and even more preferably 7000 or less. That is, the weight average molecular weight of the alkenyl group-containing silicone resin may be 200 to 10,000, 800 to 8000, or 1200 to 7000.

熱硬化性樹脂組成物中の本実施形態に係るアルケニル基含有シリコーン樹脂の含有量は特に限定されない。本実施形態に係るアルケニル基含有シリコーン樹脂は、例えば、シリコーン樹脂の総量100質量部に対して0.001〜70質量部であることが好ましく、0.01〜65質量部であることがより好ましく、0.1〜60質量部であることが更に好ましい。また、本実施形態に係るアルケニル基含有シリコーン樹脂は、樹脂組成物全量を基準として0.0005〜35質量%であることが好ましく、0.008〜30質量%であることがより好ましく、0.01〜20質量%であることが更に好ましい。この範囲であれば、熱硬化性樹脂組成物は成形性により優れる。   The content of the alkenyl group-containing silicone resin according to this embodiment in the thermosetting resin composition is not particularly limited. The alkenyl group-containing silicone resin according to this embodiment is, for example, preferably 0.001 to 70 parts by mass, more preferably 0.01 to 65 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the total amount of the silicone resin. More preferably, it is 0.1-60 mass parts. The alkenyl group-containing silicone resin according to this embodiment is preferably 0.0005 to 35% by mass, more preferably 0.008 to 30% by mass, based on the total amount of the resin composition. More preferably, it is 01-20 mass%. Within this range, the thermosetting resin composition is more excellent in moldability.

アルケニル基含有シリコーン樹脂は、取り扱い性をより向上するために有機溶剤に希釈して用いてもよい。該有機溶剤としては、特に制限されないが、例えば、エタノール、プロパノール、ブタノール、メチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、プロピレングリコールモノメチルエーテル等のアルコール系溶剤;アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノン等のケトン系溶剤;テトラヒドロフラン等のエーテル系溶剤;トルエン、キシレン、メシチレン等の芳香族系溶剤などが挙げられる。アルケニル基含有シリコーン樹脂の溶解性の観点から、有機溶剤は、アルコール系溶剤、ケトン系溶剤又は窒素原子含有溶剤であってもよい。   The alkenyl group-containing silicone resin may be used after diluted in an organic solvent in order to further improve the handleability. Examples of the organic solvent include, but are not limited to, alcohol solvents such as ethanol, propanol, butanol, methyl cellosolve, butyl cellosolve, and propylene glycol monomethyl ether; ketone solvents such as acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, and cyclohexanone; tetrahydrofuran Ether solvents such as toluene; aromatic solvents such as toluene, xylene and mesitylene. From the viewpoint of solubility of the alkenyl group-containing silicone resin, the organic solvent may be an alcohol solvent, a ketone solvent, or a nitrogen atom-containing solvent.

シリコーン樹脂中のアルケニル基含有シリコーン樹脂とヒドロシリル基含有シリコーン樹脂との混合比率は特に限定されないが、強度及び耐熱性を更に高める観点から、ヒドロシリル基含有シリコーン樹脂中のSiH基の数(Y)の、アルケニル基含有シリコーン樹脂成分中のアルケニル基の数(X)に対する比(Y/X、モル比)が、0.3≦Y/X≦3であることが好ましく、0.5≦Y/X≦2であることがより好ましく、0.7≦Y/X≦1.5であることが更に好ましい。   The mixing ratio of the alkenyl group-containing silicone resin and the hydrosilyl group-containing silicone resin in the silicone resin is not particularly limited, but from the viewpoint of further enhancing the strength and heat resistance, the number of SiH groups (Y) in the hydrosilyl group-containing silicone resin The ratio (Y / X, molar ratio) to the number (X) of alkenyl groups in the alkenyl group-containing silicone resin component is preferably 0.3 ≦ Y / X ≦ 3, and 0.5 ≦ Y / X More preferably, ≦ 2, more preferably 0.7 ≦ Y / X ≦ 1.5.

本実施形態に係るシリコーン樹脂は、本発明の奏する効果を阻害しない範囲で、上述したヒドロシリル基含有シリコーン樹脂及びアルケニル基含有シリコーン樹脂と共に、他のシリコーン樹脂を含むことができる。   The silicone resin according to the present embodiment can contain other silicone resins in addition to the hydrosilyl group-containing silicone resin and alkenyl group-containing silicone resin described above as long as the effects of the present invention are not impaired.

(硬化触媒)
反応性の観点から、本実施形態の樹脂組成物中にはシリコーン樹脂のヒドロシリル化反応を促進する硬化触媒を含有することが好ましい。硬化触媒としては、例えば、カルステッド触媒;白金の単体;担体(アルミナ、シリカ、カーボンブラック等)に固体白金を担持させたもの;塩化白金酸;塩化白金酸とアルコール、アルデヒド、ケトン等との錯体;白金−オレフィン錯体;白金−ビニルシロキサン錯体;白金−ホスフィン錯体;白金−ホスファイト錯体及びジカルボニルジクロロ白金が挙げられる。これらの硬化触媒は単独で使用してもよく、2種以上併用してもよい。
(Curing catalyst)
From the viewpoint of reactivity, the resin composition of the present embodiment preferably contains a curing catalyst that promotes the hydrosilylation reaction of the silicone resin. Examples of the curing catalyst include a calsted catalyst; platinum alone; a carrier (alumina, silica, carbon black, etc.) supported with solid platinum; chloroplatinic acid; a complex of chloroplatinic acid and alcohol, aldehyde, ketone, etc. Platinum-olefin complexes; platinum-vinylsiloxane complexes; platinum-phosphine complexes; platinum-phosphite complexes and dicarbonyldichloroplatinum. These curing catalysts may be used alone or in combination of two or more.

白金−オレフィン錯体としては、例えば、Pt(CH=CH(PPh及びPt(CH=CHClが挙げられる。白金−ビニルシロキサン錯体としては、例えば、白金−2,4,6,8−テトラメチル−2,4,6,8−テトラビニルシクロテトラシロキサン錯体及び白金−1,3−ジビニルテトラメチルジシロキサン錯体が挙げられる。白金−ホスフィン錯体としては、例えば、白金−(PPh及び白金−(PBuが挙げられる。白金−ホスファイト錯体としては、例えば、白金−[P(OPh)及び白金−[P(OBu)が挙げられる。式中、Buはブチル基を、Phはフェニル基をそれぞれ表す。Platinum - The olefin complexes, for example, Pt (CH 2 = CH 2 ) 2 (PPh 3) 2 and Pt (CH 2 = CH 2) 2 Cl 2 and the like. Examples of the platinum-vinylsiloxane complex include platinum-2,4,6,8-tetramethyl-2,4,6,8-tetravinylcyclotetrasiloxane complex and platinum-1,3-divinyltetramethyldisiloxane complex. Is mentioned. Examples of the platinum-phosphine complex include platinum- (PPh 3 ) 4 and platinum- (PBu 3 ) 4 . Examples of the platinum-phosphite complex include platinum- [P (OPh) 3 ] 4 and platinum- [P (OBu) 3 ] 4 . In the formula, Bu represents a butyl group, and Ph represents a phenyl group.

これらの硬化触媒の中でも、触媒活性の点から、塩化白金酸、白金−オレフィン錯体又は白金−ビニルシロキサン錯体が好ましい。   Among these curing catalysts, chloroplatinic acid, a platinum-olefin complex or a platinum-vinylsiloxane complex is preferable from the viewpoint of catalytic activity.

熱硬化性樹脂組成物中に含まれる硬化触媒の量は特に限定されないが、熱硬化性樹脂組成物の硬化性をより向上する観点から、シリコーン樹脂の総量100質量部に対して、0.005〜0.5質量部が好ましく、0.01〜0.3質量部がより好ましく、0.01〜0.2質量部が更に好ましい。また、樹脂組成物全体に対する硬化触媒の量は、硬化性をより向上する観点から、金属重量換算で0.01〜3ppmであると好ましく、0.05〜2.5ppmであるとより好ましく、0.08〜2.2ppmであると更に好ましい。   The amount of the curing catalyst contained in the thermosetting resin composition is not particularly limited, but from the viewpoint of further improving the curability of the thermosetting resin composition, 0.005 with respect to 100 parts by mass of the total amount of the silicone resin. -0.5 mass part is preferable, 0.01-0.3 mass part is more preferable, 0.01-0.2 mass part is still more preferable. The amount of the curing catalyst relative to the entire resin composition is preferably 0.01 to 3 ppm, more preferably 0.05 to 2.5 ppm in terms of metal weight, from the viewpoint of further improving curability. More preferably, the content is 0.08 to 2.2 ppm.

(顔料)
顔料は、本実施形態にかかる熱硬化性樹脂組成物の硬化物に用途に応じた色を付加する。本実施形態に係る顔料は、作製される熱硬化性樹脂組成物の硬化物の使用目的に応じて選択することができる。顔料としては、例えば、白色顔料、黒色顔料、赤色顔料、黄色顔料、橙色顔料、紫(菫)色顔料、青色顔料及び緑色顔料が挙げられる。顔料は、アゾ顔料、レーキ顔料又は蛍光顔料であってもよい。
(Pigment)
A pigment adds the color according to a use to the hardened | cured material of the thermosetting resin composition concerning this embodiment. The pigment which concerns on this embodiment can be selected according to the intended purpose of the hardened | cured material of the thermosetting resin composition produced. Examples of the pigment include a white pigment, a black pigment, a red pigment, a yellow pigment, an orange pigment, a purple (dark blue) pigment, a blue pigment, and a green pigment. The pigment may be an azo pigment, a lake pigment or a fluorescent pigment.

黒色顔料としては、例えば、カーボンブラックが挙げられる。赤色顔料としては、例えば、鉛丹、酸化鉄赤、キナクリドン、ジケトピロロピロール、アントラキノン、ペリレン、ペリノン及びインジゴイドが挙げられる。黄色顔料としては、例えば、黄鉛及び亜鉛黄が挙げられる。青色顔料としては、例えば、ウルトラマリン青、プロシア青(フェロシアン化鉄カリ)、フタロシアニンブルー、アントラキノン及びインジゴイドが挙げられる。橙色顔料としては、例えば、ジケトピロロピロール、ペリレン、アントラキノン、ペリノン、キナクリドン及びインジゴイドが挙げられる。紫(菫)色顔料としては、例えば、ジオキサジン、キナクリドン、ペリレン、インジゴイド、アントラキノン及びキサンテンが挙げられる。緑色顔料としては、例えば、フタロシアニン、アゾメチン及びペリレンが挙げられる。これらの顔料は、単独で使用しても、2種以上を併用してもよい。   Examples of the black pigment include carbon black. Examples of red pigments include red lead, iron oxide red, quinacridone, diketopyrrolopyrrole, anthraquinone, perylene, perinone, and indigoid. Examples of yellow pigments include chrome lead and zinc yellow. Examples of blue pigments include ultramarine blue, prussian blue (potassium ferrocyanide), phthalocyanine blue, anthraquinone, and indigoid. Examples of the orange pigment include diketopyrrolopyrrole, perylene, anthraquinone, perinone, quinacridone, and indigoid. Examples of purple (dark blue) color pigments include dioxazine, quinacridone, perylene, indigoid, anthraquinone, and xanthene. Examples of the green pigment include phthalocyanine, azomethine, and perylene. These pigments may be used alone or in combination of two or more.

熱硬化性樹脂組成物に光反射特性が求められる場合、顔料として白色顔料を用いることが好ましい。熱硬化性樹脂組成物が白色顔料を含むことにより、熱硬化性樹脂組成物の硬化物は優れた反射率を有することとなり、光半導体素子搭載用基板に備えられる光反射用材料として用いた場合に、高輝度の光半導体装置を得ることができる。   When light reflection characteristics are required for the thermosetting resin composition, it is preferable to use a white pigment as the pigment. When the thermosetting resin composition contains a white pigment, the cured product of the thermosetting resin composition has an excellent reflectance, and when used as a light reflecting material provided in a substrate for mounting an optical semiconductor element In addition, a high-brightness optical semiconductor device can be obtained.

白色顔料としては、例えば、酸化チタン、酸化亜鉛、アルミナ、酸化マグネシウム、酸化アンチモン、酸化ジルコニウム等が挙げられ、より良好な光反射性を得る観点からは、酸化チタン、アルミナ及び酸化亜鉛が好ましい。これらは、単独で使用しても、2種以上を併用してもよい。   Examples of the white pigment include titanium oxide, zinc oxide, alumina, magnesium oxide, antimony oxide, and zirconium oxide. From the viewpoint of obtaining better light reflectivity, titanium oxide, alumina, and zinc oxide are preferable. These may be used alone or in combination of two or more.

白色顔料として、中空粒子を用いてもよい。中空粒子は、内部に空隙部を有する粒子であり、外殻を構成する物質は特に限定されない。中空粒子は、入射光を表面及び内壁で屈折及び反射するため、白色顔料として有用である。中空粒子としては、無機中空粒子、有機中空粒子等が挙げられる。無機中空粒子としては、無機ガラス、シリカ等の金属酸化物;炭酸カルシウム、炭酸バリウム、珪酸カルシウム、炭酸ニッケル等の金属塩などを好適に用いることができ、具体的には、例えば、珪酸ソーダガラス、アルミ珪酸ガラス、硼珪酸ソーダガラス、シラスの粒子等が挙げられる。有機中空粒子としては、ポリスチレン系樹脂、ポリ(メタ)アクリレート系樹脂及びこれらの架橋体を好適に用いることができる。耐熱性及び耐圧強度の観点からは、中空粒子の外殻は、珪酸ソーダガラス、アルミ珪酸ガラス、硼珪酸ソーダガラス、シラス、架橋スチレン系樹脂、架橋アクリル系樹脂からなる群より選ばれる少なくとも1種の材質から構成されることが好ましい。   Hollow particles may be used as the white pigment. The hollow particle is a particle having a void inside, and the substance constituting the outer shell is not particularly limited. Hollow particles are useful as white pigments because they refract and reflect incident light at the surface and inner wall. Examples of the hollow particles include inorganic hollow particles and organic hollow particles. As the inorganic hollow particles, metal oxides such as inorganic glass and silica; metal salts such as calcium carbonate, barium carbonate, calcium silicate, and nickel carbonate can be preferably used. Specifically, for example, sodium silicate glass , Aluminum silicate glass, borosilicate soda glass, shirasu particles and the like. As the organic hollow particles, polystyrene resins, poly (meth) acrylate resins, and cross-linked products thereof can be suitably used. From the viewpoint of heat resistance and pressure strength, the outer shell of the hollow particles is at least one selected from the group consisting of sodium silicate glass, aluminum silicate glass, borosilicate soda glass, shirasu, crosslinked styrene resin, and crosslinked acrylic resin. It is preferable that it is comprised from the material of these.

白色顔料を用いる場合、白色顔料の粒径は特に限定されないが、0.05〜50μmの範囲にあることが好ましく、0.08〜30μmの範囲にあることがより好ましく、0.1〜10μmの範囲にあることが更に好ましい。白色顔料の中心粒径が0.1μm以上であると分散性がより良好になり、50μm以下であると硬化物の光反射特性がより良好になる。なお、中心粒径は、レーザー光回折法による粒度分布測定における質量平均値D50(又はメジアン径)として求めることができる。When the white pigment is used, the particle size of the white pigment is not particularly limited, but is preferably in the range of 0.05 to 50 μm, more preferably in the range of 0.08 to 30 μm, and 0.1 to 10 μm. More preferably, it is in the range. When the center particle diameter of the white pigment is 0.1 μm or more, the dispersibility becomes better, and when it is 50 μm or less, the light reflection property of the cured product becomes better. The central particle diameter can be determined as a mass average value D 50 (or median diameter) in particle size distribution measurement by a laser light diffraction method.

熱硬化性樹脂組成物における顔料の含有量は、樹脂組成物全量を基準として1〜90質量%の範囲であることが好ましく、5〜90質量%の範囲であることがより好ましく、10〜80質量%であることがより好ましい。白色顔料を用いる場合、含有量が1質量%以上ならば、硬化物の光反射特性がより向上し、90質量%以下ならば、熱硬化性樹脂組成物の成形性がより向上する。また、同様の観点から、シリコーン樹脂の総量100質量部に対して、顔料の含有量は50〜2000質量部であることが好ましく、80〜1700質量部であることがより好ましく、100〜1500質量部であることが更に好ましい。   The pigment content in the thermosetting resin composition is preferably in the range of 1 to 90% by mass, more preferably in the range of 5 to 90% by mass, based on the total amount of the resin composition, and 10 to 80%. More preferably, it is mass%. When the white pigment is used, if the content is 1% by mass or more, the light reflection property of the cured product is further improved, and if it is 90% by mass or less, the moldability of the thermosetting resin composition is further improved. From the same viewpoint, the pigment content is preferably 50 to 2000 parts by mass, more preferably 80 to 1700 parts by mass, and more preferably 100 to 1500 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the total amount of the silicone resin. More preferably, it is part.

(その他の成分)
熱硬化性樹脂組成物は、上述した成分以外に、無機充填剤、カップリング剤、硬化遅延剤、シリコーン樹脂以外の熱硬化性樹脂、酸化防止剤、離型剤、分散剤、イオン捕捉剤等の各種添加剤を更に含有することができる。
(Other ingredients)
In addition to the components described above, the thermosetting resin composition includes inorganic fillers, coupling agents, curing retarders, thermosetting resins other than silicone resins, antioxidants, mold release agents, dispersants, ion scavengers, and the like. These various additives can be further contained.

線膨張率を低減させる等の観点から、熱硬化性樹脂組成物は無機充填材を含有することが好ましい。無機充填剤としては、例えば、シリカ、酸化アンチモン、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、硫酸バリウム、炭酸マグネシウム、炭酸バリウム等が挙げられる。   From the viewpoint of reducing the linear expansion coefficient, the thermosetting resin composition preferably contains an inorganic filler. Examples of the inorganic filler include silica, antimony oxide, aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, barium sulfate, magnesium carbonate, and barium carbonate.

なお、本明細書では、顔料及び無機充填剤の両方の効果を奏する物質については、原則として顔料に帰属するものとする。ただし、熱硬化性樹脂組成物が顔料及び無機充填剤の両方の効果を奏する物質を2種類以上含有する場合、当該物質のうち1種類を無機充填剤に帰属するものとする。無機充填剤に帰属する物質は、酸化チタン、酸化亜鉛、アルミナ、酸化マグネシウム、酸化アンチモン及び酸化ジルコニウムを除く物質が優先される。   In addition, in this specification, it shall belong to a pigment in principle about the substance which has the effect of both a pigment and an inorganic filler. However, when the thermosetting resin composition contains two or more kinds of substances having the effects of both the pigment and the inorganic filler, one of the substances belongs to the inorganic filler. Substances other than titanium oxide, zinc oxide, alumina, magnesium oxide, antimony oxide and zirconium oxide are given priority as substances belonging to the inorganic filler.

無機充填剤の中心粒径は、顔料とのパッキング効率を向上させる観点から、0.1〜100μmの範囲内にあることが好ましく、0.4〜80μmの範囲であることがより好ましく、0.5〜75μmであることが更に好ましい。熱硬化性樹脂組成物における無機充填剤の含有量は、成形性をより向上する観点から、熱硬化性樹脂組成物の硬化後に固形分となる成分全量を基準として、4〜85質量%の範囲であることが好ましく、10〜80質量%であることがより好ましく、20〜80質量%であることが更に好ましい。   The center particle diameter of the inorganic filler is preferably in the range of 0.1 to 100 μm, more preferably in the range of 0.4 to 80 μm, from the viewpoint of improving the packing efficiency with the pigment. More preferably, it is 5-75 micrometers. The content of the inorganic filler in the thermosetting resin composition is in the range of 4 to 85% by mass on the basis of the total amount of components that become a solid content after curing of the thermosetting resin composition from the viewpoint of further improving moldability. It is preferable that it is 10-80 mass%, and it is still more preferable that it is 20-80 mass%.

硬化物の強度及び硬度をより向上する観点から、熱硬化性樹脂組成物に含まれる無機充填剤及び顔料の合計量は、樹脂組成物全量を基準として6〜98質量%であることが好ましく、15〜95質量%であることがより好ましく、30〜90質量%であることが更に好ましい。   From the viewpoint of further improving the strength and hardness of the cured product, the total amount of the inorganic filler and the pigment contained in the thermosetting resin composition is preferably 6 to 98% by mass based on the total amount of the resin composition, It is more preferably 15 to 95% by mass, and further preferably 30 to 90% by mass.

熱硬化性樹脂組成物には、必要に応じてカップリング剤が添加されていてもよい。カップリング剤を含有させることで、シリコーン樹脂と、顔料、無機充填剤等の無機成分との界面接着性を向上させることができる。カップリング剤としては、例えば、シランカップリング剤、チタネート系カップリング剤等が挙げられる。シランカップリング剤としては、一般にエポキシシラン系、アミノシラン系、カチオニックシラン系、ビニルシラン系、アクリルシラン系、メルカプトシラン系等の公知の化合物を用いることができる。カップリング剤は、上記シランカップリング剤の複合系であってもよい。カップリング剤の使用量は、硬化性を向上させる観点から、熱硬化性樹脂組成物全量を基準として0.01〜5質量%とすることが好ましい。顔料又は無機充填剤が予め上記カップリング剤で処理されていてもよい。   A coupling agent may be added to the thermosetting resin composition as necessary. By including a coupling agent, the interfacial adhesion between the silicone resin and inorganic components such as pigments and inorganic fillers can be improved. Examples of the coupling agent include silane coupling agents and titanate coupling agents. As the silane coupling agent, generally known compounds such as epoxy silane, amino silane, cationic silane, vinyl silane, acrylic silane, and mercapto silane can be used. The coupling agent may be a composite system of the silane coupling agent. It is preferable that the usage-amount of a coupling agent shall be 0.01-5 mass% on the basis of the thermosetting resin composition whole quantity from a viewpoint of improving sclerosis | hardenability. A pigment or an inorganic filler may be previously treated with the above coupling agent.

熱硬化性樹脂組成物には、保存安定性の改良、反応性の調整等の観点から、硬化遅延剤を添加してもよい。硬化遅延剤としては、例えば、脂肪族不飽和結合を含有する化合物、有機リン化合物、有機イオウ化合物、窒素含有化合物、スズ系化合物及び有機過酸化物が挙げられる。   A curing retarder may be added to the thermosetting resin composition from the viewpoints of improving storage stability and adjusting reactivity. Examples of the curing retarder include a compound containing an aliphatic unsaturated bond, an organic phosphorus compound, an organic sulfur compound, a nitrogen-containing compound, a tin-based compound, and an organic peroxide.

脂肪族不飽和結合を含有する化合物として、プロパルギルアルコール類、エン−イン化合物類、マレイン酸エステル類等が例示される。有機リン化合物としては、トリオルガノフォスフィン類、ジオルガノフォスフィン類、オルガノフォスフォン類、トリオルガノフォスファイト類等が例示される。有機イオウ化合物としては、オルガノメルカプタン類、ジオルガノスルフィド類、硫化水素、ベンゾチアゾール、ベンゾチアゾールジサルファイド等が例示される。窒素含有化合物としては、アンモニア、1〜3級アルキルアミン類、アリールアミン類、尿素、ヒドラジン等が例示される。スズ系化合物としては、ハロゲン化第一スズ2水和物、カルボン酸第一スズ等が例示される。有機過酸化物としては、ジ−t−ブチルペルオキシド、ジクミルペルオキシド、ベンゾイルペルオキシド、過安息香酸t−ブチル等が例示される。   Examples of the compound containing an aliphatic unsaturated bond include propargyl alcohols, ene-yne compounds, maleate esters and the like. Examples of the organophosphorus compound include triorganophosphine, diorganophosphine, organophosphon, and triorganophosphite. Examples of the organic sulfur compound include organomercaptans, diorganosulfides, hydrogen sulfide, benzothiazole, benzothiazole disulfide and the like. Examples of the nitrogen-containing compound include ammonia, primary to tertiary alkylamines, arylamines, urea, hydrazine and the like. Examples of tin compounds include stannous halide dihydrate and stannous carboxylate. Examples of the organic peroxide include di-t-butyl peroxide, dicumyl peroxide, benzoyl peroxide, and t-butyl perbenzoate.

これらの硬化遅延剤のうち、遅延活性が良好で、無色、又は、淡黄色のような比較的着色していないものが好ましい。硬化遅延剤は、単独で用いても、2種以上を併用してもよい。   Among these curing retardants, those having good retarding activity and colorless or pale yellow such as pale yellow are preferable. A hardening retarder may be used independently or may use 2 or more types together.

硬化遅延剤の添加量は、使用する硬化触媒1molに対し、0.1〜100molの範囲が好ましく、1〜50molの範囲がより好ましい。   The addition amount of the curing retardant is preferably in the range of 0.1 to 100 mol and more preferably in the range of 1 to 50 mol with respect to 1 mol of the curing catalyst used.

熱硬化性樹脂組成物には、特性を改質する目的で、シリコーン樹脂以外の熱硬化性樹脂を特性に悪影響を及ぼさない範囲で添加することが可能である。熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シアネート樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ウレタン樹脂等が例示されるが、これに限定されるものではない。これらのうち、金属部品との接着性等に優れる点から、エポキシ樹脂が好ましい。上記熱硬化性樹脂としては、無色、又は、淡黄色のような比較的着色していないものが好ましい。   For the purpose of modifying the characteristics, it is possible to add a thermosetting resin other than the silicone resin to the thermosetting resin composition as long as the characteristics are not adversely affected. Examples of the thermosetting resin include, but are not limited to, an epoxy resin, an acrylic resin, a cyanate resin, a phenol resin, a polyimide resin, a polyamideimide resin, and a urethane resin. Among these, an epoxy resin is preferable from the viewpoint of excellent adhesion to metal parts. As the thermosetting resin, those which are colorless or relatively uncolored such as pale yellow are preferable.

エポキシ樹脂としては、特に限定されないが、例えば、ヘキサフルオロビスフェノールA型ジグリシジルエーテル、水素化ビスフェノールA型ジグリシジルエーテル、ビスフェノールAジグリシジルエーテル、2,2’−ビス(4−グリシジルオキシシクロヘキシル)プロパン、3,4−エポキシシクロヘキシルメチル−3,4−エポキシシクロヘキサンカーボキシレート、ビニルシクロヘキセンジオキサイド、2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)−5,5−スピロ−(3,4−エポキシシクロヘキサン)−1,3−ジオキサン、ビス(3,4−エポキシシクロヘキシル)アジペート、1,2−シクロプロパンジカルボン酸ビスグリシジルエステル、トリグリシジルイソシアヌレート、モノアリルジグリシジルイソシアヌレート及びジアリルモノグリシジルイソシアヌレートが挙げられる。耐熱性及び耐紫外線性の観点から、脂環式エポキシ樹脂が好ましく、同様の観点からトリグリシジルイソシアヌレートがより好ましい。   The epoxy resin is not particularly limited. For example, hexafluorobisphenol A type diglycidyl ether, hydrogenated bisphenol A type diglycidyl ether, bisphenol A diglycidyl ether, 2,2′-bis (4-glycidyloxycyclohexyl) propane. 3,4-epoxycyclohexylmethyl-3,4-epoxycyclohexanecarboxylate, vinyl cyclohexylene dioxide, 2- (3,4-epoxycyclohexyl) -5,5-spiro- (3,4-epoxycyclohexane)- 1,3-dioxane, bis (3,4-epoxycyclohexyl) adipate, 1,2-cyclopropanedicarboxylic acid bisglycidyl ester, triglycidyl isocyanurate, monoallyl diglycidyl isocyanurate and di Include the Lil monoglycidyl isocyanurate. From the viewpoints of heat resistance and ultraviolet resistance, alicyclic epoxy resins are preferable, and triglycidyl isocyanurate is more preferable from the same viewpoint.

エポキシ樹脂を用いる場合、エポキシ樹脂の硬化剤を更に含有することが好ましい。耐熱変色性の観点から、硬化剤は酸無水物系硬化剤が好ましく、酸無水物系硬化剤としては、例えば、ヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、水素化メチルナジック酸無水物、トリメリット酸無水物、ピロメリット酸無水物、脂肪族酸(シクロヘキサンジカルボン酸、シクロヘキサントリカルボン酸等)の無水物等が挙げられる。これらのエポキシ樹脂又は硬化剤は、それぞれ単独で用いても、複数のものを組み合わせて用いてもよい。   When using an epoxy resin, it is preferable to further contain a curing agent for the epoxy resin. From the viewpoint of heat discoloration, the curing agent is preferably an acid anhydride curing agent. Examples of the acid anhydride curing agent include hexahydrophthalic anhydride, methylhexahydrophthalic anhydride, tetrahydrophthalic anhydride, and methyl hydride. Examples thereof include nadic acid anhydride, trimellitic acid anhydride, pyromellitic acid anhydride, and anhydrides of aliphatic acids (cyclohexanedicarboxylic acid, cyclohexanetricarboxylic acid, etc.). These epoxy resins or curing agents may be used alone or in combination of two or more.

(熱硬化性樹脂組成物の特性)
本実施形態の熱硬化性樹脂組成物を光反射材料として用いる場合、硬化後の光反射率が、波長440〜700nmのいずれかにおいて80%以上となることが好ましい。光反射率が80%以上であれば、光半導体装置の輝度をより向上できる。また、青色発光ダイオードを用いた光半導体装置に好適とする観点から、硬化後の波長460nmにおける光反射率が、80%以上となることが好ましく、90%以上となることがより好ましい。
(Characteristics of thermosetting resin composition)
When using the thermosetting resin composition of this embodiment as a light reflection material, it is preferable that the light reflectivity after hardening will be 80% or more at any wavelength of 440 to 700 nm. If the light reflectance is 80% or more, the luminance of the optical semiconductor device can be further improved. Further, from the viewpoint of being suitable for an optical semiconductor device using a blue light emitting diode, the light reflectivity at a wavelength of 460 nm after curing is preferably 80% or more, and more preferably 90% or more.

熱硬化性樹脂組成物を光反射材料として用いる場合、耐熱着色性を良好にする観点から、硬化物の光反射率は、150℃の環境下に1000時間晒す耐熱性試験後、波長440〜700nmのいずれかにおいて80%以上であることが好ましい。また、青色発光ダイオードを用いた光半導体装置に好適とする観点から、上述の耐熱性試験後の測定時に、波長460nmにおける光反射率が85%以上となることがより好ましく、90%以上となることが更に好ましい。このような熱硬化性樹脂組成物の光反射特性は、樹脂組成物を構成する各種成分の配合量を適切に調整することによって実現することができ、より具体的には、例えば、無色の熱硬化樹脂成分と高屈折率の白色顔料とを高充填することで達成できる。なお、本明細書において、光反射率は、厚み3mmの硬化物を作製し、積分球型分光光度計を用いて測定した値である。   When a thermosetting resin composition is used as a light reflecting material, from the viewpoint of improving heat resistant colorability, the light reflectance of the cured product is a wavelength of 440 to 700 nm after a heat resistance test that is exposed to an environment of 150 ° C. for 1000 hours. In any of the cases, it is preferably 80% or more. Further, from the viewpoint of being suitable for an optical semiconductor device using a blue light emitting diode, the light reflectance at a wavelength of 460 nm is more preferably 85% or more and 90% or more at the time of measurement after the heat resistance test described above. More preferably. The light reflection characteristics of such a thermosetting resin composition can be realized by appropriately adjusting the blending amounts of various components constituting the resin composition, and more specifically, for example, colorless heat This can be achieved by highly filling the cured resin component and the white pigment having a high refractive index. In the present specification, the light reflectance is a value measured using an integrating sphere spectrophotometer after preparing a cured product having a thickness of 3 mm.

本実施形態の熱硬化性樹脂組成物は、硬化後のタイプDデュロメータ硬さが40以上であることが好ましく、50以上であることがより好ましく、55以上であることが更に好ましい。硬さが40以上であれば成形体の強靭性がより良好となる。硬さの上限値は特に限定されないが、100程度とすることができる。なお、タイプDデュロメータ硬さは、JIS K 6253−3:2012に記載された方法に準じて測定でき、温度180℃、圧力14MPa、硬化時間300秒の条件でトランスファー成形した後の厚み3mmの成形体の硬さを測定したものである。   In the thermosetting resin composition of the present embodiment, the type D durometer hardness after curing is preferably 40 or more, more preferably 50 or more, and further preferably 55 or more. If hardness is 40 or more, the toughness of a molded object will become more favorable. The upper limit of hardness is not particularly limited, but can be about 100. The type D durometer hardness can be measured according to the method described in JIS K 6253-3: 2012, and is molded with a thickness of 3 mm after transfer molding under conditions of a temperature of 180 ° C., a pressure of 14 MPa, and a curing time of 300 seconds. It is a measure of the hardness of the body.

割れ又はクラックを低減する観点から、本実施形態の熱硬化性樹脂組成物は、硬化後の破断強度が15以上であることが好ましく、20以上であることがより好ましく、25以上であることが更に好ましい。破断強度は、JIS K 7171:2008に準じて、温度180℃、圧力14MPa、硬化時間300秒の条件でトランスファー成形した後の厚み4mmの試験片の三点曲げ破断試験を室温で行ったときの値である。   From the viewpoint of reducing cracks or cracks, the thermosetting resin composition of the present embodiment preferably has a breaking strength after curing of 15 or more, more preferably 20 or more, and preferably 25 or more. Further preferred. The breaking strength was measured when a three-point bending fracture test was performed at room temperature on a test piece having a thickness of 4 mm after transfer molding in accordance with JIS K 7171: 2008 under conditions of a temperature of 180 ° C., a pressure of 14 MPa, and a curing time of 300 seconds. Value.

[熱硬化性樹脂組成物の製造方法]
本実施形態に係る熱硬化性樹脂組成物の製造方法は特に限定されないが、例えば、以下のような混練工程及び粉砕工程を備えていてもよい。
[Method for producing thermosetting resin composition]
Although the manufacturing method of the thermosetting resin composition which concerns on this embodiment is not specifically limited, For example, you may provide the following kneading | mixing processes and a grinding | pulverization process.

(混練工程)
熱硬化性樹脂組成物は、先に例示した各種成分を均一に分散混合することによって調製することができ、混合手段、混合条件等は特に制限されない。調製方法としては、例えば、ミキシングロール、押出機、ニーダー、ロール、エクストルーダー、らいかい機、自転と公転を組み合わせた攪拌混合機等の装置を用いて各種成分を混練する方法が挙げられる。混練形式についても特に限定されないが、作業が容易な観点から溶融混練とすることが好ましく、工程の簡略化の観点から、混練は15〜30℃で実施されることが好ましい。加熱を要する際は、例えば、30〜100℃の温度範囲であってもよい。溶融混練の温度が30℃以上であると、各種成分をより十分に溶融混練することが可能であり、分散性がより向上する傾向がある。一方、溶融混練を100℃以下で実施すると、樹脂組成物の高分子量化をより抑制でき、基板等の成形品を成形する前に樹脂組成物が硬化してしまうことをより抑制できる。混錬時間は5〜40分間であってもよく、10〜30分間であってもよい。溶融混練の時間が5分間以上であると、基板等の成形時に金型から樹脂が染み出すことをより抑制でき、40分間以内であると、樹脂組成物の高分子化を制御し易く、成形前に樹脂組成物が硬化することをより抑制できる。
(Kneading process)
The thermosetting resin composition can be prepared by uniformly dispersing and mixing the various components exemplified above, and the mixing means, mixing conditions and the like are not particularly limited. Examples of the preparation method include a method of kneading various components using an apparatus such as a mixing roll, an extruder, a kneader, a roll, an extruder, a raking machine, a stirring mixer that combines rotation and revolution, and the like. The kneading type is not particularly limited, but melt kneading is preferable from the viewpoint of easy work, and kneading is preferably performed at 15 to 30 ° C. from the viewpoint of simplification of the process. When heating is required, the temperature range may be, for example, 30 to 100 ° C. When the melt kneading temperature is 30 ° C. or higher, various components can be melted and kneaded more sufficiently, and the dispersibility tends to be further improved. On the other hand, when the melt-kneading is performed at 100 ° C. or lower, the high molecular weight of the resin composition can be further suppressed, and the resin composition can be further suppressed from being cured before molding a molded product such as a substrate. The kneading time may be 5 to 40 minutes or 10 to 30 minutes. When the melt-kneading time is 5 minutes or longer, the resin can be prevented from seeping out from the mold during molding of the substrate and the like, and when it is within 40 minutes, the polymer composition of the resin composition can be easily controlled and molded. It can suppress more that a resin composition hardens before.

混練工程では、まず、ヒドロシリル基含有シリコーン樹脂及びアルケニル基含有シリコーン樹脂を予め混合する予備混合を行い、その後、他の成分を加えて、上記の混合を行ってもよい。予備混合を行うことで得られる熱硬化性樹脂組成物は、貯蔵安定性が向上し、成形時の成形性により優れるものとなる。予備混合の際に用いるヒドロシリル基含有シリコーン樹脂及びアルケニル基含有シリコーン樹脂は、熱硬化性樹脂組成物に用いるうちの一部分であってもよく、全量であってもよい。   In the kneading step, first, premixing may be performed in which the hydrosilyl group-containing silicone resin and the alkenyl group-containing silicone resin are mixed in advance, and then the other components may be added to perform the above mixing. The thermosetting resin composition obtained by premixing has improved storage stability and is more excellent in moldability during molding. The hydrosilyl group-containing silicone resin and alkenyl group-containing silicone resin used in the premixing may be a part of the thermosetting resin composition, or may be the total amount.

混練工程を行った熱硬化性樹脂組成物は後述の乾式粉砕を行えるような状態とすることが好ましい。そのため、必要に応じて熱硬化性樹脂組成物を冷却する工程を行ってもよい。   The thermosetting resin composition that has been subjected to the kneading step is preferably in a state that allows the dry pulverization described later. Therefore, you may perform the process of cooling a thermosetting resin composition as needed.

(粉砕工程)
粉砕工程では、例えば、熱硬化性樹脂組成物を乾式粉砕する。乾式粉砕は、例えば、高速攪拌ミル、ヘンシェルミキサ、パワーミル、ジェットミル、ロールグラニュレータ等の粉砕装置を用いて行うことができる。これらの粉砕装置は、目的の粉末粒径により使い分けることができる。
(Crushing process)
In the pulverization step, for example, the thermosetting resin composition is dry pulverized. The dry pulverization can be performed using a pulverizer such as a high-speed stirring mill, a Henschel mixer, a power mill, a jet mill, or a roll granulator. These pulverizers can be properly used depending on the target powder particle size.

本実施形態に係る熱硬化性樹脂組成物は、タブレット状に加工されていることが好ましい。本明細書におけるタブレット状とは、一定した形状を保持し、例えば、30分程度放置した場合に経時的な形状の変化が実質的にない固体状であることを意味する。タブレット状に加工されていることで、取扱い性がより向上し、当該熱硬化性樹脂組成物を用いたトランスファー成形、コンプレッション成形等の効率を高めることが可能となる。本実施形態に係るタブレットの形状は、特に限定されず、円柱状、角柱状、円盤状、球状等の形状を含むが、取扱性の観点から円柱状が好ましい。   The thermosetting resin composition according to this embodiment is preferably processed into a tablet shape. The tablet shape in the present specification means a solid shape that maintains a constant shape, for example, substantially does not change in shape over time when left for about 30 minutes. By being processed into a tablet shape, the handleability is further improved, and the efficiency of transfer molding, compression molding and the like using the thermosetting resin composition can be increased. The shape of the tablet according to the present embodiment is not particularly limited, and includes a columnar shape, a prismatic shape, a disk shape, a spherical shape, and the like, but a cylindrical shape is preferable from the viewpoint of handleability.

タブレット成形条件は特に限定されないが、例えば、室温で、0.5〜60MPa、1〜15秒間程度の条件において加圧成形することでタブレット状熱硬化性樹脂組成物を得ることができる。なお、上記タブレット成形のための加圧成形は、後述するトランスファー成形又はコンプレッション成形とは明確に異なる工程である。   The tablet molding conditions are not particularly limited. For example, the tablet-like thermosetting resin composition can be obtained by pressure molding at room temperature under conditions of 0.5 to 60 MPa for about 1 to 15 seconds. The pressure molding for tablet molding is a process that is clearly different from transfer molding or compression molding described later.

本実施形態に係るタブレット状熱硬化性樹脂組成物は、タイプAデュロメータ硬さが50以上であることが好ましく、55以上であることがより好ましく、60以上であることが更に好ましい。硬さが50以上であればタブレットが変形しづらく、ハンドリング性がより良好となる。タブレット状熱硬化性樹脂組成物の硬さは硬いほどよいため、タイプAデュロメータ硬さの上限値は特に限定されないが、100程度とすることができる。なお、タイプAデュロメータ硬さは、タブレット状熱硬化性樹脂組成物を25℃で3分静置した後に測定した値であることが好ましい。   The tablet-like thermosetting resin composition according to this embodiment preferably has a type A durometer hardness of 50 or more, more preferably 55 or more, and still more preferably 60 or more. If the hardness is 50 or more, the tablet is not easily deformed, and the handling property is improved. Since the hardness of the tablet-like thermosetting resin composition is as good as possible, the upper limit value of the type A durometer hardness is not particularly limited, but can be about 100. The type A durometer hardness is preferably a value measured after the tablet-like thermosetting resin composition is allowed to stand at 25 ° C. for 3 minutes.

タイプAデュロメータ硬さは、JIS K 6253−3:2012に記載された方法に準じて測定することができる。本明細書においては、タイプAデュロメータの針をタブレット状熱硬化性樹脂組成物に押しあて、1分後の値を読み取って得られる値をタイプAデュロメータ硬さと定義する。   The type A durometer hardness can be measured according to the method described in JIS K 6253-3: 2012. In the present specification, a value obtained by pressing a type A durometer needle against the tablet-like thermosetting resin composition and reading a value after 1 minute is defined as type A durometer hardness.

表面タック性を低減させる観点から、タブレット状熱硬化性樹脂組成物の表面を充填剤で被覆してもよい。被覆に用いる無機充填剤は特に限定されないが、例えば、熱硬化性樹脂組成物に含有することのできる無機充填剤と同様のものが挙げられる。   From the viewpoint of reducing the surface tackiness, the surface of the tablet-like thermosetting resin composition may be coated with a filler. The inorganic filler used for the coating is not particularly limited, and examples thereof include the same inorganic filler that can be contained in the thermosetting resin composition.

充填剤を被着体に被覆する方法については、タブレット状熱硬化性樹脂組成物と接触しうる方法であれば、特に制限は無い。例えば、容器又は袋に充填剤を入れ、機械を用いて振動によりタブレット状熱硬化性樹脂組成物に充填剤を被覆する方法及び手動でふり掛ける方法が挙げられる。   About the method of coat | covering a filler to a to-be-adhered body, if it can contact with a tablet-like thermosetting resin composition, there will be no restriction | limiting in particular. For example, a method in which a filler is put in a container or a bag, and a tablet-like thermosetting resin composition is coated by vibration using a machine and a method in which the filler is manually sprinkled may be mentioned.

本実施形態の熱硬化性樹脂組成物は、高い耐熱性を必要とする電気絶縁材料、光半導体封止材料、接着材料、塗料材料並びにトランスファー成形又はコンプレッション成形用エポキシ樹脂成形材料等様々な用途において有用である。特に、本実施形態の熱硬化性樹脂組成物は、トランスファー成形用の材料として有用である。なお、本実施形態の熱硬化性樹脂組成物は、光反射用途に用いる場合白色であることが好ましい。   The thermosetting resin composition of this embodiment is used in various applications such as electrical insulating materials, optical semiconductor sealing materials, adhesive materials, paint materials, and epoxy resin molding materials for transfer molding or compression molding that require high heat resistance. Useful. In particular, the thermosetting resin composition of the present embodiment is useful as a material for transfer molding. In addition, when using the thermosetting resin composition of this embodiment for a light reflection use, it is preferable that it is white.

[硬化物]
本実施形態の硬化物は、上述の熱硬化性樹脂組成物を熱硬化させることで形成することができる。熱硬化の条件は特に限定はないが、例えば、温度170〜200℃で、60〜300秒間加熱することにより硬化できる。熱硬化は後述の成形法に含まれる工程の一部として行ってもよい。
[Cured product]
The hardened | cured material of this embodiment can be formed by thermosetting the above-mentioned thermosetting resin composition. The conditions for thermosetting are not particularly limited, but can be cured by heating at a temperature of 170 to 200 ° C. for 60 to 300 seconds, for example. You may perform thermosetting as a part of process included in the below-mentioned shaping | molding method.

[光半導体素子搭載用基板]
本実施形態に係る光半導体素子搭載用基板は、底面及び壁面から構成される凹部を有する。凹部の底面が光半導体素子搭載部(光半導体素子搭載領域)であり、凹部の壁面、すなわち凹部の内周側面の少なくとも一部が本実施形態の熱硬化性樹脂組成物から形成された成形体からなるものである。
[Optical semiconductor device mounting substrate]
The substrate for mounting an optical semiconductor element according to the present embodiment has a recess composed of a bottom surface and a wall surface. A molded body in which the bottom surface of the recess is an optical semiconductor element mounting portion (optical semiconductor element mounting region), and at least a part of the wall surface of the recess, that is, the inner peripheral side surface of the recess, is formed from the thermosetting resin composition of the present embodiment. It consists of

図1は、光半導体素子搭載用基板の一実施形態を示す斜視図である。光半導体素子搭載用基板110は、Ni/Agめっき104が形成された金属配線105(第1の接続端子及び第2の接続端子)と、金属配線105(第1の接続端子及び第2の接続端子)間に設けられた絶縁性樹脂成形体103’と、リフレクター103とを備え、Ni/Agめっき104が形成された金属配線105及び絶縁性樹脂成形体103’とリフレクター103とから形成された光半導体素子搭載領域(凹部)200を有している。この凹部200の底面は、Ni/Agめっき104が形成された金属配線105及び絶縁性樹脂成形体103’から構成され、凹部200の壁面はリフレクター103から構成される。リフレクター103及び絶縁性樹脂成形体103’が、本実施形態の熱硬化性樹脂組成物を用いて形成された成形体である。   FIG. 1 is a perspective view showing an embodiment of a substrate for mounting an optical semiconductor element. The optical semiconductor element mounting substrate 110 includes a metal wiring 105 (first connection terminal and second connection terminal) on which Ni / Ag plating 104 is formed, and a metal wiring 105 (first connection terminal and second connection terminal). Insulating resin molded body 103 ′ provided between the terminals) and the reflector 103, and formed of the metal wiring 105 formed with the Ni / Ag plating 104 and the insulating resin molded body 103 ′ and the reflector 103. An optical semiconductor element mounting region (concave portion) 200 is provided. The bottom surface of the recess 200 is composed of the metal wiring 105 on which the Ni / Ag plating 104 is formed and the insulating resin molded body 103 ′, and the wall surface of the recess 200 is composed of the reflector 103. The reflector 103 and the insulating resin molded body 103 ′ are molded bodies formed using the thermosetting resin composition of the present embodiment.

光半導体素子搭載用基板の製造方法は特に限定されないが、例えば、熱硬化性樹脂組成物を用いたトランスファー成形又はコンプレッション成形により製造することができる。図2は、光半導体素子搭載用基板を製造する工程の一実施形態を示す概略図である。光半導体素子搭載用基板は、例えば、金属箔から打ち抜き、エッチング等の公知の方法により金属配線105を形成し、電気めっきによりNi/Agめっき104を施す工程(図2の(a))、次いで、該金属配線105を所定形状の金型151に配置し、金型151の樹脂注入口150から熱硬化性樹脂組成物を注入し、所定の条件でトランスファー成形又はコンプレッション成形する工程(図2の(b))、そして、金型151を外す工程(図2の(c))を経て製造することができる。   Although the manufacturing method of the board | substrate for optical semiconductor element mounting is not specifically limited, For example, it can manufacture by transfer molding or compression molding using a thermosetting resin composition. FIG. 2 is a schematic view showing an embodiment of a process for manufacturing a substrate for mounting an optical semiconductor element. The substrate for mounting an optical semiconductor element is formed by, for example, punching from a metal foil, forming a metal wiring 105 by a known method such as etching, and applying Ni / Ag plating 104 by electroplating ((a) in FIG. 2), then The metal wiring 105 is placed in a mold 151 having a predetermined shape, a thermosetting resin composition is injected from the resin injection port 150 of the mold 151, and transfer molding or compression molding is performed under predetermined conditions (FIG. 2). (B)) and can be manufactured through a step of removing the mold 151 ((c) of FIG. 2).

このようにして、光半導体素子搭載用基板には、熱硬化性樹脂組成物の硬化物からなるリフレクター103に周囲を囲まれてなる光半導体素子搭載領域(凹部)200が形成される。また、凹部200の底面は、第1の接続端子となる金属配線105及び第2の接続端子となる金属配線105と、これらの間に設けられ熱硬化性樹脂組成物の硬化物からなる絶縁性樹脂成形体103’とから構成される。例えば、上記リフレクターをトランスファー成形で形成する場合、成形条件としては、成形温度120〜200℃、成形圧力0.5〜25MPaで、60〜600秒間、アフターキュア温度120℃〜180℃で1〜3時間とすることが好ましい。十分な硬化を行う観点からは、金型温度は150〜190℃がより好ましく、成形圧力は12〜20MPaがより好ましい。また、上記リフレクターをコンプレッション成形で形成する場合、十分な硬化を行う観点からは、成形温度は120〜200℃、成形時間30〜600秒、特に成形温度130〜160℃で成形時間120〜300秒で行うことが好ましい。   In this manner, the optical semiconductor element mounting region (recessed portion) 200 is formed on the optical semiconductor element mounting substrate. The optical semiconductor element mounting region (concave portion) 200 is surrounded by the reflector 103 made of a cured product of the thermosetting resin composition. Further, the bottom surface of the recess 200 has an insulating property made of a cured product of a thermosetting resin composition provided between the metal wiring 105 serving as the first connection terminal and the metal wiring 105 serving as the second connection terminal. And a resin molded body 103 ′. For example, when the reflector is formed by transfer molding, the molding conditions are a molding temperature of 120 to 200 ° C., a molding pressure of 0.5 to 25 MPa, a post-cure temperature of 120 ° C. to 180 ° C., and a temperature of 1 to 3 at 60 to 600 seconds. Time is preferred. From the viewpoint of sufficient curing, the mold temperature is more preferably 150 to 190 ° C, and the molding pressure is more preferably 12 to 20 MPa. In addition, when the reflector is formed by compression molding, from the viewpoint of sufficient curing, the molding temperature is 120 to 200 ° C., the molding time is 30 to 600 seconds, particularly the molding temperature is 130 to 160 ° C. and the molding time is 120 to 300 seconds. It is preferable to carry out with.

リフレクター103の色は限定されず、用いる顔料の種類によって適宜決定できるが、光反射率を更に高める観点からは白色であることが好ましい。   The color of the reflector 103 is not limited and can be appropriately determined depending on the type of pigment to be used, but white is preferable from the viewpoint of further increasing the light reflectance.

[光半導体装置]
本実施形態に係る光半導体装置は、上記光半導体素子搭載用基板と、当該光半導体素子搭載用基板に搭載された光半導体素子とを有する。より具体的な例として、上記光半導体素子搭載用基板と、光半導体素子搭載用基板の凹部内に設けられた光半導体素子と、凹部を充填して光半導体素子を封止する封止樹脂部とを備える光半導体装置が挙げられる。
[Optical semiconductor device]
The optical semiconductor device according to the present embodiment includes the optical semiconductor element mounting substrate and an optical semiconductor element mounted on the optical semiconductor element mounting substrate. As a more specific example, the optical semiconductor element mounting substrate, the optical semiconductor element provided in the recess of the optical semiconductor element mounting substrate, and a sealing resin portion that fills the recess and seals the optical semiconductor element And an optical semiconductor device.

図3は、光半導体素子搭載用基板110に光半導体素子100を搭載した状態の一実施形態を示す斜視図である。図3に示すように、光半導体素子100は、光半導体素子搭載用基板110の光半導体素子搭載領域(凹部)200の所定位置に搭載され、金属配線105とボンディングワイヤ102により電気的に接続される。図4及び図5は、光半導体装置の一実施形態を示す模式断面図である。図4及び図5に示すように、光半導体装置は、光半導体素子搭載用基板110と、光半導体素子搭載用基板110の凹部200内の所定位置に設けられた光半導体素子100と、凹部200を充填して光半導体素子を封止する蛍光体106を含む透明封止樹脂101からなる封止樹脂部とを備えており、光半導体素子100とNi/Agめっき104が形成された金属配線105とがボンディングワイヤ102又ははんだバンプ107により電気的に接続されている。   FIG. 3 is a perspective view showing an embodiment in which the optical semiconductor element 100 is mounted on the optical semiconductor element mounting substrate 110. As shown in FIG. 3, the optical semiconductor element 100 is mounted at a predetermined position in the optical semiconductor element mounting region (concave portion) 200 of the optical semiconductor element mounting substrate 110 and is electrically connected by the metal wiring 105 and the bonding wire 102. The 4 and 5 are schematic cross-sectional views showing an embodiment of an optical semiconductor device. As shown in FIGS. 4 and 5, the optical semiconductor device includes an optical semiconductor element mounting substrate 110, an optical semiconductor element 100 provided at a predetermined position in the concave portion 200 of the optical semiconductor element mounting substrate 110, and the concave portion 200. And a sealing resin portion made of a transparent sealing resin 101 including a phosphor 106 for sealing the optical semiconductor element, and a metal wiring 105 on which the optical semiconductor element 100 and the Ni / Ag plating 104 are formed. Are electrically connected by a bonding wire 102 or a solder bump 107.

図6もまた、光半導体装置の一実施形態を示す模式断面図である。図6に示す光半導体装置では、リフレクター303が形成されたリード304上の所定位置にダイボンド材306を介してLED素子300が配置され、LED素子300とリード304とがボンディングワイヤ301により電気的に接続され、蛍光体305を含む透明封止樹脂302によりLED素子300が封止されている。   FIG. 6 is also a schematic cross-sectional view showing an embodiment of the optical semiconductor device. In the optical semiconductor device shown in FIG. 6, the LED element 300 is disposed via a die bonding material 306 at a predetermined position on the lead 304 on which the reflector 303 is formed, and the LED element 300 and the lead 304 are electrically connected by the bonding wire 301. The LED element 300 is sealed with a transparent sealing resin 302 that is connected and includes a phosphor 305.

図5及び図6では光半導体素子が1つ設けられた光半導体装置の実施形態を示したが、凹部内に光半導体素子が2つ以上設けられていてもよい。   5 and 6 show an embodiment of an optical semiconductor device in which one optical semiconductor element is provided, but two or more optical semiconductor elements may be provided in the recess.

以上、本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明はこれに制限されるものではない。例えば、本実施形態に係る熱硬化性樹脂組成物から形成された成形体は光反射樹脂層として用いることができる。この実施形態として、銅張積層板、光半導体素子搭載用基板及び光半導体素子について説明する。   As mentioned above, although preferred embodiment of this invention was described, this invention is not restrict | limited to this. For example, a molded body formed from the thermosetting resin composition according to this embodiment can be used as a light reflecting resin layer. As this embodiment, a copper-clad laminate, an optical semiconductor element mounting substrate, and an optical semiconductor element will be described.

本実施形態に係る銅張積層板は、上述した熱硬化性樹脂組成物を用いて形成された樹脂層と、該樹脂層上に積層された銅箔と、を備える。   The copper clad laminated board which concerns on this embodiment is equipped with the resin layer formed using the thermosetting resin composition mentioned above, and the copper foil laminated | stacked on this resin layer.

図7は、銅張積層板の好適な一実施形態を示す模式断面図である。図7に示すように、銅張積層板400は、基材401と、該基材401上に積層された樹脂層402と、該樹脂層402上に積層された銅箔403と、を備えている。ここで、樹脂層402は、上述した本実施形態の熱硬化性樹脂組成物を用いて形成されている。基材401としては、銅張積層板に用いられる基材を特に制限なく用いることができるが、例えば、エポキシ樹脂積層板等の樹脂積層板及び光半導体素子搭載用基板が挙げられる。   FIG. 7 is a schematic cross-sectional view showing a preferred embodiment of a copper clad laminate. As shown in FIG. 7, the copper-clad laminate 400 includes a base material 401, a resin layer 402 laminated on the base material 401, and a copper foil 403 laminated on the resin layer 402. Yes. Here, the resin layer 402 is formed using the thermosetting resin composition of this embodiment mentioned above. Although the base material used for a copper clad laminated board can be used without a restriction | limiting in particular as the base material 401, For example, resin laminated boards, such as an epoxy resin laminated board, and a board | substrate for optical semiconductor element mounting are mentioned.

銅張積層板400は、例えば、本実施形態に係る熱硬化性樹脂組成物を基材401表面に形成し、銅箔403を重ね、加熱加圧硬化して樹脂層402を形成することにより作製することができる。基材401表面への形成方法は限定されず、例えば直接塗布する方法、本実施形態に係る熱硬化性樹脂組成物を含む樹脂付き銅箔をプレス又はラミネートにより積層する方法等が挙げられる。加熱加圧の条件としては、特に限定されないが、例えば、130〜180℃、0.5〜4MPa、30〜600分間の条件が好ましい。   The copper-clad laminate 400 is produced by, for example, forming the resin layer 402 by forming the thermosetting resin composition according to the present embodiment on the surface of the substrate 401, stacking the copper foil 403, and curing by heating and pressing. can do. The formation method on the surface of the base material 401 is not limited, and examples thereof include a method of direct application and a method of laminating a resin-coated copper foil containing the thermosetting resin composition according to this embodiment by pressing or laminating. Although it does not specifically limit as conditions of heating-pressing, For example, the conditions of 130-180 degreeC, 0.5-4 MPa, and 30-600 minutes are preferable.

上記銅張積層板を使用し、光半導体素子実装用等の光学部材用のプリント配線板を作製することができる。なお、図7に示した銅張積層板400は、基材401の片面に樹脂層402及び銅箔403を積層したものであるが、銅張積層板は、基材401の両面に樹脂層402及び銅箔403をそれぞれ積層したものであってもよい。   Using the copper-clad laminate, a printed wiring board for an optical member such as for mounting an optical semiconductor element can be produced. The copper clad laminate 400 shown in FIG. 7 is obtained by laminating a resin layer 402 and a copper foil 403 on one side of a base material 401, but the copper clad laminate is a resin layer 402 on both sides of the base material 401. And copper foil 403 may be laminated.

図8は、銅張積層板を用いて作製された光半導体装置の一例を示す模式断面図である。図8に示すように、光半導体装置500は、光半導体素子410と、該光半導体素子410が封止されるように設けられた封止樹脂404とを備える表面実装型光半導体装置である。光半導体装置500において、光半導体素子410は、接着層408を介して銅箔403に接着されており、ボンディングワイヤ409により銅箔403と電気的に接続されている。   FIG. 8 is a schematic cross-sectional view showing an example of an optical semiconductor device manufactured using a copper-clad laminate. As shown in FIG. 8, the optical semiconductor device 500 is a surface mount optical semiconductor device including an optical semiconductor element 410 and a sealing resin 404 provided so as to seal the optical semiconductor element 410. In the optical semiconductor device 500, the optical semiconductor element 410 is bonded to the copper foil 403 through the adhesive layer 408, and is electrically connected to the copper foil 403 by the bonding wire 409.

さらに、光半導体素子搭載用基板の他の実施形態として、上述した熱硬化性樹脂組成物を用いて、基材上の複数の導体部材(接続端子)間に形成された樹脂層を備える光半導体素子搭載用基板が挙げられる。また、光半導体装置の他の実施形態は、上記の光半導体素子搭載用基板に光半導体素子を搭載してなるものである。   Furthermore, as another embodiment of the substrate for mounting an optical semiconductor element, an optical semiconductor provided with a resin layer formed between a plurality of conductor members (connection terminals) on a base material using the thermosetting resin composition described above. An element mounting substrate may be mentioned. In another embodiment of the optical semiconductor device, the optical semiconductor element is mounted on the optical semiconductor element mounting substrate.

図9は、光半導体装置の好適な一実施形態を示す模式断面図である。図9に示すように、光半導体装置600は、基材601と、該基材601の表面に形成された複数の導体部材602と、複数の導体部材(接続端子)602間に形成された樹脂層603と、を備える光半導体素子搭載用基板に、光半導体素子610が搭載され、該光半導体素子610が封止されるように透明な封止樹脂604が設けられた、表面実装型光半導体装置である。光半導体装置600において、光半導体素子610は、接着層608を介して導体部材602に接着されており、ボンディングワイヤ609により導体部材602と電気的に接続されている。樹脂層603は、上述した熱硬化性樹脂組成物を用いて形成されている。   FIG. 9 is a schematic cross-sectional view showing a preferred embodiment of an optical semiconductor device. As shown in FIG. 9, the optical semiconductor device 600 includes a substrate 601, a plurality of conductor members 602 formed on the surface of the substrate 601, and a resin formed between the plurality of conductor members (connection terminals) 602. A surface-mount type optical semiconductor in which an optical semiconductor element 610 is mounted on a substrate for mounting an optical semiconductor element including a layer 603 and a transparent sealing resin 604 is provided so as to seal the optical semiconductor element 610 Device. In the optical semiconductor device 600, the optical semiconductor element 610 is bonded to the conductor member 602 through the adhesive layer 608, and is electrically connected to the conductor member 602 through a bonding wire 609. The resin layer 603 is formed using the thermosetting resin composition described above.

基材601としては、光半導体素子搭載用基板に用いられる基材を特に制限なく用いることができるが、例えば、エポキシ樹脂積層板等の樹脂積層板が挙げられる。導体部材602は、接続端子として機能するものであり、例えば、銅箔をフォトエッチングする方法等、公知の方法により形成することができる。光半導体素子搭載用基板は、熱硬化性樹脂組成物を基材601上の複数の導体部材602間にトランスファー成形し、加熱硬化して上記熱硬化性樹脂組成物からなる樹脂層603を形成することにより作製することができる。トランスファー成形された熱硬化性樹脂組成物からなる層を加熱硬化する際の加熱条件としては、特に限定されないが、例えば、130〜200℃、30〜600分間の条件で加熱を行うことが好ましい。   As the substrate 601, a substrate used for an optical semiconductor element mounting substrate can be used without particular limitation, and examples thereof include a resin laminate such as an epoxy resin laminate. The conductor member 602 functions as a connection terminal, and can be formed by a known method such as a method of photoetching a copper foil. The substrate for mounting an optical semiconductor element is formed by transfer-molding a thermosetting resin composition between a plurality of conductor members 602 on a base material 601, and heat-curing to form a resin layer 603 made of the thermosetting resin composition. Can be produced. There are no particular restrictions on the heating conditions for heat-curing the transfer-molded layer of the thermosetting resin composition, but it is preferable to perform heating under conditions of 130 to 200 ° C. and 30 to 600 minutes, for example.

その後、導体部材602表面に余分に付着した樹脂成分は、バフ研磨等により除去し、導体部材602からなる回路を露出させ、光半導体素子搭載用基板とする。また、樹脂層603と導体部材602との密着性を確保するために、導体部材602に対して酸化還元処理、CZ処理(メック株式会社製)等の粗化処理を行なってもよい。   Thereafter, the resin component adhering excessively to the surface of the conductor member 602 is removed by buffing or the like to expose the circuit formed of the conductor member 602, thereby forming an optical semiconductor element mounting substrate. Moreover, in order to ensure the adhesiveness between the resin layer 603 and the conductor member 602, the conductor member 602 may be subjected to a roughening treatment such as an oxidation-reduction treatment or a CZ treatment (manufactured by MEC Co., Ltd.).

以上、本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は上記形態に制限されるものではない。本発明は、その要旨を逸脱しない範囲で、上記実施形態とは異なる種々の態様で実施することができる。   As mentioned above, although preferred embodiment of this invention was described, this invention is not restrict | limited to the said form. The present invention can be implemented in various modes different from the above-described embodiments without departing from the gist thereof.

以下、実施例及び比較例を挙げて本発明をより具体的に説明する。但し、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。   Hereinafter, the present invention will be described more specifically with reference to examples and comparative examples. However, the present invention is not limited to these examples.

(合成例1)
フェニルトリクロロシラン100g、両末端ジメチルクロロシラン−ポリジメチルシロキサン53g、及びメチルジクロロシラン6.9gをトルエンに溶解した溶液を、発熱しないように水1000g中に滴下し加水分解した。次いで、還流条件で60分攪拌した後、有機層を水酸化カリウムで中和し、共沸脱水後、トルエン等の溶剤を留去し、無色透明のヒドロシリル基含有シリコーン樹脂を得た。得られたヒドロシリル基含有シリコーン樹脂のMwは3865であった。
(Synthesis Example 1)
A solution prepared by dissolving 100 g of phenyltrichlorosilane, 53 g of dimethylchlorosilane-polydimethylsiloxane at both ends, and 6.9 g of methyldichlorosilane in toluene was dropped into 1000 g of water and hydrolyzed so as not to generate heat. Next, after stirring for 60 minutes under reflux conditions, the organic layer was neutralized with potassium hydroxide, and after azeotropic dehydration, a solvent such as toluene was distilled off to obtain a colorless and transparent hydrosilyl group-containing silicone resin. Mw of the obtained hydrosilyl group-containing silicone resin was 3865.

(合成例2)
ビニルトリメトキシシラン53.5g、メチルトリエトキシシラン1.2g、イソプロピルアルコール60g、トルエン120g、濃塩酸0.59g及び蒸留水15.9gを500mLフラスコに加えて、170℃で2時間にわたって還流しながら攪拌した。次にトルエンを減圧留去し、アルケニル基含有シリコーン樹脂を得た。得られたアルケニル基含有シリコーン樹脂のMwは2300であり、Siに直接結合した元素の全量を基準としたアルケニル基含有量は24モル%であり、Siに直接結合した有機基の全量を基準としたアルケニル基含有量は98モル%であり、アルケニル基当量は150g/molであった。アルケニル基含有シリコーン樹脂は50質量%のアセトン溶液として保存した。
(Synthesis Example 2)
While adding 53.5 g of vinyltrimethoxysilane, 1.2 g of methyltriethoxysilane, 60 g of isopropyl alcohol, 120 g of toluene, 0.59 g of concentrated hydrochloric acid and 15.9 g of distilled water to a 500 mL flask, refluxing at 170 ° C. for 2 hours. Stir. Next, toluene was distilled off under reduced pressure to obtain an alkenyl group-containing silicone resin. Mw of the obtained alkenyl group-containing silicone resin is 2300, alkenyl group content based on the total amount of elements directly bonded to Si is 24 mol%, and based on the total amount of organic groups directly bonded to Si. The alkenyl group content was 98 mol% and the alkenyl group equivalent was 150 g / mol. The alkenyl group-containing silicone resin was stored as a 50% by mass acetone solution.

(合成例3)
ビニルトリメトキシシラン425g、イソプロピルアルコール120g、トルエン240g、濃塩酸1.18g及び蒸留水31.4gを1000mLフラスコに加えて、170℃で時間にわたって還流しながら攪拌した。次にトルエンを減圧留去し、アルケニル基含有シリコーン樹脂を得た。得られたアルケニル基含有シリコーン樹脂のMwは4000であり、Siに直接結合した元素の全量を基準としたアルケニル基含有量は25モル%であり、Siに直接結合した有機基の全量を基準としたアルケニル基含有量は100モル%であり、アルケニル基当量は85g/molであった。アルケニル基含有シリコーン樹脂は50質量%のアセトン溶液として保存した。
(Synthesis Example 3)
425 g of vinyltrimethoxysilane, 120 g of isopropyl alcohol, 240 g of toluene, 1.18 g of concentrated hydrochloric acid and 31.4 g of distilled water were added to a 1000 mL flask, and the mixture was stirred at 170 ° C. with refluxing for an hour. Next, toluene was distilled off under reduced pressure to obtain an alkenyl group-containing silicone resin. Mw of the obtained alkenyl group-containing silicone resin is 4000, alkenyl group content based on the total amount of elements directly bonded to Si is 25 mol%, and based on the total amount of organic groups directly bonded to Si. The alkenyl group content was 100 mol% and the alkenyl group equivalent was 85 g / mol. The alkenyl group-containing silicone resin was stored as a 50% by mass acetone solution.

(合成例4)
フェニルトリクロロシラン100g、両末端ジメチルクロロシラン−ポリジメチルシロキサン53g及びメチルビニルジクロロシラン8.5gをトルエン200gに溶解した溶液を、発熱しないように水1000g中に滴下し加水分解した。次いで、還流条件で60分攪拌した後、有機層を水酸化カリウムで中和し、共沸脱水後、トルエン等の溶剤を留去し、無色液状のアルケニル基含有シリコーン樹脂を得た。得られたアルケニル基含有シリコーン樹脂のMwは3685であり、アルケニル基当量は1585g/molであった。
(Synthesis Example 4)
A solution prepared by dissolving 100 g of phenyltrichlorosilane, 53 g of both-end dimethylchlorosilane-polydimethylsiloxane and 8.5 g of methylvinyldichlorosilane in 200 g of toluene was dropped into 1000 g of water and hydrolyzed so as not to generate heat. Next, after stirring for 60 minutes under reflux conditions, the organic layer was neutralized with potassium hydroxide, and after azeotropic dehydration, a solvent such as toluene was distilled off to obtain a colorless liquid alkenyl group-containing silicone resin. Mw of the obtained alkenyl group-containing silicone resin was 3585, and the alkenyl group equivalent was 1585 g / mol.

(合成例5)
メチルトリエトキシシラン89.2g、フェニルトリエトキシシラン99g、イソプロピルアルコール23.6g、トルエン23.6g、濃塩酸0.28g及び蒸留水36gを500mLフラスコに加えて、110℃で3時間にわたって還流しながら攪拌した。次に、トルエンを減圧留去することにより無色固形のシリコーン樹脂を得た。得られたシリコーン樹脂のMwは901であった。
(Synthesis Example 5)
89.2 g of methyltriethoxysilane, 99 g of phenyltriethoxysilane, 23.6 g of isopropyl alcohol, 23.6 g of toluene, 0.28 g of concentrated hydrochloric acid and 36 g of distilled water were added to a 500 mL flask and refluxed at 110 ° C. for 3 hours. Stir. Next, colorless solid silicone resin was obtained by depressurizingly distilling toluene. Mw of the obtained silicone resin was 901.

(合成例6)
メチルトリエトキシシラン142.6g、フェニルトリエトキシシラン39.7g、イソプロピルアルコール22.8g、トルエン22.8g、濃塩酸0.28g及び蒸留水36gを500mLフラスコに加えて、110℃で2.5時間にわたって還流しながら攪拌した。次に、トルエンを減圧留去することにより無色固形のシリコーン樹脂を得た。得られたシリコーン樹脂のMwは1300であった。
(Synthesis Example 6)
Methyltriethoxysilane (142.6 g), phenyltriethoxysilane (39.7 g), isopropyl alcohol (22.8 g), toluene (22.8 g), concentrated hydrochloric acid (0.28 g) and distilled water (36 g) were added to a 500 mL flask and heated at 110 ° C. for 2.5 hours. And stirred at reflux. Next, colorless solid silicone resin was obtained by depressurizingly distilling toluene. Mw of the obtained silicone resin was 1300.

<光反射用熱硬化性樹脂組成物の調製>
(実施例)
表1に示す配合割合(質量部)に従って、各成分を配合し、らいかい機によって室温で十分に混練分散することによって粉末状の熱硬化性樹脂組成物を得た。なお、各実施例にて得られた熱硬化性樹脂組成物は、直径13mmの円形貫通穴を有する金属金型を臼型とする成形型に、熱硬化性樹脂組成物を充填し、杵型のパンチとハンドプレスとを用いて、常温でタブレット形状とすることが可能であった。
<Preparation of thermosetting resin composition for light reflection>
(Example)
According to the blending ratio (parts by mass) shown in Table 1, the respective components were blended and sufficiently kneaded and dispersed at room temperature using a roughing machine to obtain a powdery thermosetting resin composition. In addition, the thermosetting resin composition obtained in each Example was filled with a thermosetting resin composition in a mold having a metal mold having a circular through hole with a diameter of 13 mm as a mortar mold, and a saddle type It was possible to make a tablet shape at room temperature using a punch and a hand press.

(比較例)
表2に示す配合割合(質量部)に従って、各成分を配合し、らいかい機によって室温で十分に混練分散することによって粉末状の熱硬化性樹脂組成物を得た。
(Comparative example)
According to the blending ratio (parts by mass) shown in Table 2, each component was blended and sufficiently kneaded and dispersed at room temperature using a roughing machine to obtain a powdery thermosetting resin composition.

なお、各表に示した各成分の配合割合は、溶剤を除いた値であり、「−」の記載部分は該当する原料の配合がないことを意味している。   In addition, the compounding ratio of each component shown in each table is a value excluding the solvent, and the description part of “−” means that there is no compounding of the corresponding raw material.

Figure 0006566121
Figure 0006566121

Figure 0006566121
Figure 0006566121

表1及び表2中、*1〜11の詳細は以下のとおりである。
*1:ヒドロシリル基含有シリコーン樹脂(合成例1)
*2:アルケニル基含有シリコーン樹脂(合成例2)
*3:アルケニル基含有シリコーン樹脂(合成例3)
*4:アルケニル基含有シリコーン樹脂(合成例4)
*5:シリコーン樹脂(合成例5)
*6:シリコーン樹脂(合成例6)
*7:白金(0)−2,4,6,8−テトラメチル−2,4,6,8−テトラビニルシクロテトラシロキサン錯体(和光純薬工業株式会社製、白金1.7質量%)
*8:溶融シリカ(電気化学工業株式会社製、商品名「FB−950」、中心粒径26μm)
*9:溶融シリカ(株式会社アドマテックス製、商品名「SO−25R」、中心粒径1μm)
*10:中空粒子(ソーダ石灰硼珪酸ガラス、住友スリーエム株式会社製、商品名「S60−HS」、中心粒径27μm)
*11:酸化チタン(石原産業株式会社製、商品名「CR63」、中心粒径0.2μm)
The details of * 1 to 11 in Tables 1 and 2 are as follows.
* 1: Hydrosilyl group-containing silicone resin (Synthesis Example 1)
* 2: Alkenyl group-containing silicone resin (Synthesis Example 2)
* 3: Silicone resin containing alkenyl group (Synthesis Example 3)
* 4: Alkenyl group-containing silicone resin (Synthesis Example 4)
* 5: Silicone resin (Synthesis Example 5)
* 6: Silicone resin (Synthesis Example 6)
* 7: Platinum (0) -2,4,6,8-tetramethyl-2,4,6,8-tetravinylcyclotetrasiloxane complex (Wako Pure Chemical Industries, Ltd., 1.7% by mass of platinum)
* 8: Fused silica (manufactured by Denki Kagaku Kogyo Co., Ltd., trade name “FB-950”, center particle size 26 μm)
* 9: Fused silica (manufactured by Admatechs Co., Ltd., trade name “SO-25R”, center particle size 1 μm)
* 10: Hollow particles (soda-lime borosilicate glass, manufactured by Sumitomo 3M Limited, trade name “S60-HS”, center particle size 27 μm)
* 11: Titanium oxide (Ishihara Sangyo Co., Ltd., trade name “CR63”, center particle size 0.2 μm)

なお、上記合成例、実施例及び比較例における各特性の測定方法は下記のとおりである。
(1)重量平均分子量(Mw)の測定
シリコーン樹脂のMwを、GPC測定装置としてポンプ「L−6200型」(株式会社日立製作所製、商品名)、カラム「TSKgel―G5000HXL」及び「TSKgel−G2000HXL」(東ソー株式会社製、商品名)及び検出器「L−3300RI型」(株式会社日立製作所製、商品名)を用いて測定した。測定条件は、溶離液としてテトラヒドロフランを使用し、温度30℃、流量1.0mL/分とした。
In addition, the measuring method of each characteristic in the said synthesis example, an Example, and a comparative example is as follows.
(1) Measurement of weight average molecular weight (Mw) Mw of silicone resin is used as a GPC measuring device with pump “L-6200 type” (trade name, manufactured by Hitachi, Ltd.), columns “TSKgel-G5000HXL” and “TSKgel-G2000HXL”. ”(Trade name) manufactured by Tosoh Corporation and a detector“ L-3300RI type ”(trade name, manufactured by Hitachi, Ltd.). Measurement conditions were such that tetrahydrofuran was used as the eluent, the temperature was 30 ° C., and the flow rate was 1.0 mL / min.

(2)アルケニル基含有量の測定
「FT−NMR AV400M」(ブルカー・バイオスピン株式会社製、商品名)を用いて、シリコーン樹脂のH−NMR測定を行い、シリコーン樹脂中のアルケニル基及びアルキル基の含有量を測定した。測定条件は、シリコーン樹脂を0.5質量%含むように調整した重クロロホルム溶液を用い、積算回数(NS)を32とした。
(2) Measurement of alkenyl group content Using “FT-NMR AV400M” (Bruker Biospin Co., Ltd., trade name), 1 H-NMR measurement of the silicone resin was performed, and the alkenyl group and alkyl in the silicone resin were measured. The group content was measured. As the measurement conditions, a deuterated chloroform solution adjusted to contain 0.5% by mass of a silicone resin was used, and the cumulative number (NS) was set to 32.

(3)アルケニル基当量の測定
JIS K 0070:1992に従い、ヨウ素価を測定した。測定されたヨウ素価及び(1)にて測定した重量平均分子量からアルケニル基当量を算出した。
(3) Measurement of alkenyl group equivalent The iodine value was measured according to JIS K 0070: 1992. The alkenyl group equivalent was calculated from the measured iodine value and the weight average molecular weight measured in (1).

(4)タイプDデュロメータ熱時硬さの測定
実施例及び比較例でそれぞれ得られた熱硬化性樹脂組成物を、金型温度180℃、圧力14MPa、硬化時間300秒の条件でトランスファー成形し、厚み3mmのプレート状の試験片を作製した。得られた試験片を180℃のホットプレート上に乗せて10分間静置させて十分に温めた後、JIS K 6253−3:2012に準じて、タイプDデュロメータの針を試験片に押しあて、直後の値を測定した。
(4) Measurement of type D durometer heat hardness The thermosetting resin compositions obtained in the examples and comparative examples were transfer molded under the conditions of a mold temperature of 180 ° C., a pressure of 14 MPa, and a curing time of 300 seconds, A plate-shaped test piece having a thickness of 3 mm was prepared. After the obtained test piece was placed on a hot plate at 180 ° C. and allowed to stand for 10 minutes and sufficiently warmed, according to JIS K 6253-3: 2012, the type D durometer needle was pressed against the test piece, The value immediately after was measured.

(5)破断強度の測定
実施例及び比較例でそれぞれ得られた熱硬化性樹脂組成物を、金型温度180℃、圧力14MPa、硬化時間300秒の条件でトランスファー成形し、縦100mm×横20mm×厚み4mmの試験片を作製した。JIS K 7171:2008に準じて、得られた試験片の三点曲げ破断試験を室温で行ない、破断強度を測定した。
(5) Measurement of breaking strength The thermosetting resin compositions obtained in the examples and comparative examples were transfer molded under the conditions of a mold temperature of 180 ° C., a pressure of 14 MPa, and a curing time of 300 seconds, and were 100 mm long × 20 mm wide. X A test piece having a thickness of 4 mm was prepared. In accordance with JIS K 7171: 2008, a three-point bending break test of the obtained test piece was performed at room temperature, and the break strength was measured.

(6)光反射率の測定
(4)で作製した試験片について、積分球型分光硬度計CM600d(コニタミノルタ株式会社製)を用いて、波長460nmにおける光反射率を測定した。
(6) Measurement of light reflectance About the test piece produced by (4), the light reflectance in wavelength 460nm was measured using integrating sphere type spectral hardness meter CM600d (made by Konica Minolta Co., Ltd.).

表1及び表2より、実施例の熱硬化性樹脂組成物は、硬化後のタイプDデュロメータ硬さが高く、強靱性に優れており、また、顔料として白色顔料を用いているため、硬化後の光反射率が高く、光半導体素子搭載用基板等の製造に適している。   From Table 1 and Table 2, since the thermosetting resin composition of an Example has high type D durometer hardness after hardening, it is excellent in toughness, and since the white pigment is used as a pigment, after hardening Is suitable for the production of a substrate for mounting an optical semiconductor element.

本発明によれば、割れ及びクラックが発生し難い強靱な硬化物を形成することができる熱硬化性樹脂組成物、該熱硬化性樹脂組成物を用いた光半導体素子搭載用基板及びその製造方法、並びに、光半導体装置を提供することができる。   INDUSTRIAL APPLICABILITY According to the present invention, a thermosetting resin composition capable of forming a tough cured product that is less likely to crack and crack, a substrate for mounting an optical semiconductor element using the thermosetting resin composition, and a method for manufacturing the same. In addition, an optical semiconductor device can be provided.

100…光半導体素子、101…透明封止樹脂、102…ボンディングワイヤ、103…リフレクター、103’…絶縁性樹脂成形体、104…Ni/Agめっき、105…金属配線、106…蛍光体、107…はんだバンプ、110…光半導体素子搭載用基板、150…樹脂注入口、151…金型、200…光半導体素子搭載領域、300…LED素子、301…ボンディングワイヤ、302…透明封止樹脂、303…リフレクター、304…リード、305…蛍光体、306…ダイボンド材、400…銅張積層板、401…基材、402…樹脂層、403…銅箔、404…封止樹脂、408…接着層、409…ボンディングワイヤ、410…光半導体素子、500,600…光半導体装置、601…基材、602…導体部材、603…樹脂層、604…封止樹脂、608…接着層、609…ボンディングワイヤ、610…光半導体素子。   DESCRIPTION OF SYMBOLS 100 ... Optical semiconductor element, 101 ... Transparent sealing resin, 102 ... Bonding wire, 103 ... Reflector, 103 '... Insulating resin molding, 104 ... Ni / Ag plating, 105 ... Metal wiring, 106 ... Phosphor, 107 ... Solder bump, 110 ... Optical semiconductor element mounting substrate, 150 ... Resin injection port, 151 ... Mold, 200 ... Optical semiconductor element mounting area, 300 ... LED element, 301 ... Bonding wire, 302 ... Transparent sealing resin, 303 ... Reflector, 304 ... lead, 305 ... phosphor, 306 ... die bond material, 400 ... copper-clad laminate, 401 ... substrate, 402 ... resin layer, 403 ... copper foil, 404 ... sealing resin, 408 ... adhesive layer, 409 ... bonding wire, 410 ... optical semiconductor element, 500,600 ... optical semiconductor device, 601 ... base material, 602 ... conductor member, 603 ... tree Layers, 604 ... sealing resin, 608 ... adhesive layer, 609 ... bonding wire, 610 ... optical semiconductor element.

Claims (13)

ヒドロシリル基含有シリコーン樹脂と、アルケニル基当量が50〜1000g/molであるアルケニル基含有シリコーン樹脂とを含むシリコーン樹脂及び顔料を含有する、熱硬化性樹脂組成物。   A thermosetting resin composition comprising a silicone resin and a pigment comprising a hydrosilyl group-containing silicone resin and an alkenyl group-containing silicone resin having an alkenyl group equivalent of 50 to 1000 g / mol. 前記アルケニル基含有シリコーン樹脂が、ケイ素原子に結合する有機基の全量を基準としてアルケニル基を75モル%以上有する、請求項1に記載の熱硬化性樹脂組成物。   The thermosetting resin composition according to claim 1, wherein the alkenyl group-containing silicone resin has 75 mol% or more of alkenyl groups based on the total amount of organic groups bonded to silicon atoms. 前記アルケニル基含有シリコーン樹脂の重量平均分子量が200〜10000である、請求項1又は2に記載の熱硬化性樹脂組成物。   The thermosetting resin composition according to claim 1 or 2, wherein the alkenyl group-containing silicone resin has a weight average molecular weight of 200 to 10,000. 前記アルケニル基含有シリコーン樹脂が、下記式(I)で表される構造を有する、請求項1〜3のいずれか一項に記載の熱硬化性樹脂組成物。
Figure 0006566121
[式中、R11はそれぞれ独立にアルケニル基を示す。]
The thermosetting resin composition according to any one of claims 1 to 3, wherein the alkenyl group-containing silicone resin has a structure represented by the following formula (I).
Figure 0006566121
[Wherein, each R 11 independently represents an alkenyl group. ]
当該熱硬化性樹脂組成物の全量を基準として、前記アルケニル基含有シリコーン樹脂を0.0005〜35質量%含む、請求項1〜4のいずれか一項に記載の熱硬化性樹脂組成物。   The thermosetting resin composition according to any one of claims 1 to 4, comprising 0.0005 to 35 mass% of the alkenyl group-containing silicone resin based on the total amount of the thermosetting resin composition. 前記顔料が、酸化チタン、酸化亜鉛、アルミナ、酸化マグネシウム、酸化アンチモン及び酸化ジルコニウムからなる群より選ばれる少なくとも1種の白色顔料を含む、請求項1〜5のいずれか一項に記載の熱硬化性樹脂組成物。   The thermosetting according to any one of claims 1 to 5, wherein the pigment contains at least one white pigment selected from the group consisting of titanium oxide, zinc oxide, alumina, magnesium oxide, antimony oxide, and zirconium oxide. Resin composition. 前記顔料が中空粒子を含有する、請求項1〜6のいずれか一項に記載の熱硬化性樹脂組成物。   The thermosetting resin composition according to any one of claims 1 to 6, wherein the pigment contains hollow particles. タブレット状である、請求項1〜7のいずれか一項に記載の熱硬化性樹脂組成物。   The thermosetting resin composition according to any one of claims 1 to 7, which is in a tablet form. 請求項1〜8のいずれか一項に記載の熱硬化性樹脂組成物から形成される、硬化物。   Hardened | cured material formed from the thermosetting resin composition as described in any one of Claims 1-8. 底面及び壁面から構成される凹部を有し、当該凹部の前記底面が光半導体素子の搭載部であり、前記凹部の前記壁面の少なくとも一部に請求項1〜8のいずれか一項に記載の熱硬化性樹脂組成物から形成された成形体を有する、光半導体素子搭載用基板。   It has a recessed part comprised from a bottom face and a wall surface, The said bottom face of the said recessed part is a mounting part of an optical-semiconductor element, The at least one part of the said wall surface of the said recessed part is as described in any one of Claims 1-8. A substrate for mounting an optical semiconductor element, comprising a molded body formed from a thermosetting resin composition. 基板と、当該基板上に設けられた第1の接続端子及び第2の接続端子とを備え、
前記第1の接続端子と前記第2の接続端子との間に、請求項1〜8のいずれか一項に記載の熱硬化性樹脂組成物から形成された成形体を有する、光半導体素子搭載用基板。
A board, and a first connection terminal and a second connection terminal provided on the board,
The optical semiconductor element mounting which has the molded object formed from the thermosetting resin composition as described in any one of Claims 1-8 between the said 1st connection terminal and the said 2nd connection terminal. Substrate.
請求項10又は11に記載の光半導体素子搭載用基板と、当該光半導体素子搭載用基板に搭載された光半導体素子と、を備える、光半導体装置。   An optical semiconductor device comprising the optical semiconductor element mounting substrate according to claim 10 and an optical semiconductor element mounted on the optical semiconductor element mounting substrate. 底面及び壁面から構成される凹部を有する光半導体素子搭載用基板の製造方法であって、
前記凹部の前記壁面の少なくとも一部を、請求項1〜8のいずれか一項に記載の熱硬化性樹脂組成物を用いてトランスファー成形又はコンプレッション成形して形成する工程を備える、光半導体素子搭載用基板の製造方法。
A method of manufacturing a substrate for mounting an optical semiconductor element having a recess composed of a bottom surface and a wall surface,
An optical semiconductor element mounting comprising a step of forming at least a part of the wall surface of the recess by transfer molding or compression molding using the thermosetting resin composition according to any one of claims 1 to 8. Manufacturing method for industrial use.
JP2018507952A 2016-03-30 2016-03-30 Thermosetting resin composition, substrate for mounting optical semiconductor element, method for manufacturing the same, and optical semiconductor device Active JP6566121B2 (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2016/060472 WO2017168649A1 (en) 2016-03-30 2016-03-30 Thermosetting resin composition, substrate for mounting optical semiconductor element and method for manufacturing same, and optical semiconductor device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2017168649A1 JPWO2017168649A1 (en) 2019-02-07
JP6566121B2 true JP6566121B2 (en) 2019-08-28

Family

ID=59963668

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018507952A Active JP6566121B2 (en) 2016-03-30 2016-03-30 Thermosetting resin composition, substrate for mounting optical semiconductor element, method for manufacturing the same, and optical semiconductor device

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP6566121B2 (en)
KR (1) KR20180128921A (en)
CN (1) CN109075229B (en)
WO (1) WO2017168649A1 (en)

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5428338B2 (en) * 2006-09-11 2014-02-26 株式会社カネカ Foam and production method thereof
WO2011118109A1 (en) * 2010-03-23 2011-09-29 株式会社朝日ラバー Flexible reflective substrate, manufacturing method for same, and base material composition for use in reflective substrate
JP5839880B2 (en) * 2011-08-04 2016-01-06 日東電工株式会社 Silicone resin composition, sealing material, and light emitting diode device
JP5756054B2 (en) * 2012-04-16 2015-07-29 信越化学工業株式会社 Thermosetting resin composition for LED reflector, LED reflector and optical semiconductor device using the same
MY157548A (en) * 2013-08-06 2016-06-16 Daicel Corp Curing resin composition and semiconductor device employing same
JP2015109337A (en) * 2013-12-04 2015-06-11 日東電工株式会社 Thermosetting resin composition for optical semiconductor devices, lead frame for optical semiconductor devices obtained by using the same, and optical semiconductor device

Also Published As

Publication number Publication date
CN109075229A (en) 2018-12-21
JPWO2017168649A1 (en) 2019-02-07
CN109075229B (en) 2021-03-19
KR20180128921A (en) 2018-12-04
WO2017168649A1 (en) 2017-10-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101575209B1 (en) Thermosetting resin composition, epoxy resin molding material, and polyvalent carboxylic acid condensate
JP2010235756A (en) Thermosetting resin composition for light reflection, substrate for mounting optical semiconductor element and method of producing the substrate, and optical semiconductor device
JP2010242095A (en) Thermosetting molding material
JP5942445B2 (en) Thermosetting resin composition for light reflection, optical semiconductor element mounting substrate using the same, manufacturing method thereof, and optical semiconductor device
JP2010047741A (en) Thermosetting resin composition, substrate for loading photosemiconductor element using the same, method for producing the substrate, and photosemiconductor device
JP5852014B2 (en) Curable epoxy resin composition
JP5550230B2 (en) Thermosetting resin composition, optical semiconductor element mounting substrate using the same, method for producing the same, and optical semiconductor device
JP6988107B2 (en) A method for manufacturing a thermosetting resin composition, a method for manufacturing a substrate for mounting an optical semiconductor device, a method for manufacturing an optical semiconductor device, and a thermosetting resin composition.
JP2010254919A (en) Thermosetting resin composition for light reflection, substrate for mounting optical semiconductor element using the same and manufacturing method thereof, and optical semiconductor device
JP6343552B2 (en) Thermosetting resin composition for light reflection, optical semiconductor element mounting substrate using the same, manufacturing method thereof, and optical semiconductor device
JP5936804B2 (en) Thermosetting resin composition, substrate for mounting optical semiconductor element, manufacturing method thereof, and optical semiconductor device
JP5803883B2 (en) Optical semiconductor element mounting substrate, manufacturing method thereof, and optical semiconductor device
JP6566121B2 (en) Thermosetting resin composition, substrate for mounting optical semiconductor element, method for manufacturing the same, and optical semiconductor device
JP6805546B2 (en) Thermosetting resin composition, cured product, substrate for mounting optical semiconductor element and its manufacturing method, optical semiconductor device, and printed wiring board
JPWO2013145607A1 (en) Light reflecting resin composition, optical semiconductor element mounting substrate, and optical semiconductor device
JP6322929B2 (en) Thermosetting resin composition for light reflection, substrate for mounting optical semiconductor element, method for manufacturing the same, and optical semiconductor device
JP6883185B2 (en) Thermosetting resin composition for opto-semiconductor devices and lead frames for opto-semiconductor devices, opto-semiconductor devices, opto-semiconductor devices obtained using the same.
JP6672631B2 (en) Silicone resin tablet, substrate for mounting optical semiconductor element, method for manufacturing the same, and optical semiconductor device
JP2012162729A (en) Thermosetting resin composition for optical reflection, substrate for mounting optical semiconductor element using the same and production method therefor, and optical semiconductor device
JP2016028426A (en) Thermosetting resin composition for light reflection, substrate for mounting optical semiconductor element arranged by use thereof, manufacturing method thereof, and optical semiconductor device
JP2015017271A (en) Thermosetting resin composition, substrate for mounting optical semiconductor element and method for manufacturing the same, and optical semiconductor device
WO2017051838A1 (en) Thermosetting resin composition for optical semiconductor devices, lead frame for optical semiconductor devices obtained using same, optical semiconductor device and optical semiconductor element
JP2017147454A (en) Method of manufacturing thermosetting resin composition for light reflection and method of manufacturing optical semiconductor element-mounting substrate
JP2014195081A (en) Thermosetting resin composition for optical reflection, substrate for mounting optical semiconductor element using the same, method for manufacturing the same, and optical semiconductor device

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20190314

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20190702

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20190715

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 6566121

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

S531 Written request for registration of change of domicile

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350