JP2010254919A - Thermosetting resin composition for light reflection, substrate for mounting optical semiconductor element using the same and manufacturing method thereof, and optical semiconductor device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、光半導体素子と蛍光体等の波長変換手段とを組み合わせた光半導体装置などに用いられる光反射用熱硬化性樹脂組成物、これを用いた光半導体素子搭載用基板及びその製造方法、並びに光半導体装置に関する。 The present invention relates to a light-reflective thermosetting resin composition used in an optical semiconductor device in which an optical semiconductor element and wavelength conversion means such as a phosphor are combined, an optical semiconductor element mounting substrate using the same, and a method for manufacturing the same And an optical semiconductor device.
近年、LED(Light Emitting Diode:発光ダイオード)等の光半導体素子と蛍光体とを組み合わせた光半導体装置は、高エネルギー効率及び長寿命等の利点から、屋外用ディスプレイ、携帯液晶バックライト、及び車載用途等様々な用途に適用され、その需要が拡大しつつある。 In recent years, an optical semiconductor device in which an optical semiconductor element such as an LED (Light Emitting Diode) and a phosphor are combined has advantages of high energy efficiency, long life, and the like. It is applied to various uses such as uses, and its demand is expanding.
これに伴って、LEDデバイスの高輝度化が進み、素子の発熱量増大によるジャンクション温度の上昇、又は直接的な光エネルギーの増大による素子材料の劣化が問題視され、近年、熱劣化及び光劣化に対して耐性を有する素子材料の開発が課題となっている。 Along with this, the brightness of LED devices has been increasing, and the rise in junction temperature due to an increase in the amount of heat generated by the element, or the deterioration of element materials due to a direct increase in light energy, has been regarded as a problem. Development of a device material having resistance to the problem has been an issue.
こうした状況下、熱や光に起因する輝度低下の問題を防止する技術として、下記特許文献1には、光半導体素子が搭載される部位に光反射率の高いリフレクターを設けた光半導体素子搭載用基板が提案されている。また、特許文献1には、トランスファー成形によりリフレクターなどを形成することが開示されており、その材料として、エポキシ樹脂、硬化剤、硬化触媒及び白色顔料などを含有する光反射用熱硬化性樹脂組成物が提案されている。 Under such circumstances, as a technique for preventing the problem of luminance reduction caused by heat and light, the following Patent Document 1 discloses an optical semiconductor element mounting in which a reflector having a high light reflectance is provided at a site where the optical semiconductor element is mounted. A substrate has been proposed. Patent Document 1 discloses that a reflector or the like is formed by transfer molding. The material includes an epoxy resin, a curing agent, a curing catalyst, a white pigment, and the like. Things have been proposed.
ところで、LEDパッケージの製造では、光半導体素子搭載用基板と光半導体素子との接続、光半導体素子の樹脂封止、及び基板実装時のはんだリフローなどの高温プロセスを経る。樹脂は酸化劣化すると変色しやすいため、光反射用熱硬化性樹脂組成物を用いて作製された光半導体素子搭載用基板の場合、LEDパッケージにおける初期の光学特性の確保が困難となる傾向にある。 By the way, in the manufacture of the LED package, a high-temperature process such as connection between the optical semiconductor element mounting substrate and the optical semiconductor element, resin sealing of the optical semiconductor element, and solder reflow during mounting on the substrate is performed. Since the resin is easily discolored when it is oxidized and deteriorated, in the case of an optical semiconductor element mounting substrate produced using a thermosetting resin composition for light reflection, it tends to be difficult to ensure the initial optical characteristics in the LED package. .
一方、トランスファー成形に用いられる光反射用熱硬化性樹脂組成物には、金型内への均一な充填を可能とする成形加工性を有していることが求められる。 On the other hand, the light-reflective thermosetting resin composition used for transfer molding is required to have moldability that enables uniform filling into the mold.
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、十分な光反射率及び成形加工性を有し、しかも耐熱着色性に優れた光反射用熱硬化性樹脂組成物、それを用いた光半導体素子搭載用基板およびその製造方法、並びに、光半導体装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of the above circumstances, has a sufficient light reflectivity and molding processability, and has excellent heat-resistant colorability, and a light-curable thermosetting resin composition and light using the same It is an object of the present invention to provide a semiconductor element mounting substrate, a method for manufacturing the same, and an optical semiconductor device.
上記課題を解決するために、本発明者らが鋭意検討した結果、エポキシ樹脂、硬化剤、及び白色顔料を含む熱硬化性樹脂組成物におけるエポキシ樹脂成分として、特定のエポキシ化合物を配合することにより、光反射率の高い成形体をトランスファー成形により形成することができるとともに、高温での熱処理後における成形体の光反射率の低下を従来よりも小さくすることができることを見出し、本発明を完成するに至った。 As a result of intensive studies by the present inventors in order to solve the above problems, by blending a specific epoxy compound as an epoxy resin component in a thermosetting resin composition containing an epoxy resin, a curing agent, and a white pigment. The present invention is completed by finding that a molded article having a high light reflectance can be formed by transfer molding, and that the decrease in the light reflectance of the molded article after heat treatment at a high temperature can be made smaller than before. It came to.
すなわち、本発明の光反射用熱硬化性樹脂組成物は、エポキシ樹脂、硬化剤、及び白色顔料を含み、エポキシ樹脂として、上記硬化剤と互いに相溶であり、ポリオルガノシロキサン骨格と2つ以上のエポキシ基とを有する化合物を少なくとも含むことを特徴とする。 That is, the light-reflective thermosetting resin composition of the present invention includes an epoxy resin, a curing agent, and a white pigment, and is compatible with the curing agent as an epoxy resin, and has a polyorganosiloxane skeleton and two or more. It contains at least a compound having an epoxy group.
本発明の光反射用熱硬化性樹脂組成物は、上記構成を有することにより、光反射率、成形加工性及び耐熱着色性に優れたものになり得る。 By having the said structure, the thermosetting resin composition for light reflections of this invention can become the thing excellent in light reflectivity, moldability, and heat-resistant coloring property.
本発明の光反射用熱硬化性樹脂組成物において、耐熱着色性と成形加工性とを高水準で両立する観点から、上記ポリオルガノシロキサン骨格と2つ以上のエポキシ基とを有する化合物のエポキシ当量が150〜350g/eqであることが好ましい。 In the thermosetting resin composition for light reflection of the present invention, the epoxy equivalent of the compound having the polyorganosiloxane skeleton and two or more epoxy groups from the viewpoint of achieving both high heat-resistant colorability and molding processability at a high level. Is preferably 150 to 350 g / eq.
また、耐熱着色性と成形加工性とを高水準で両立する観点から、上記ポリオルガノシロキサン骨格と2つ以上のエポキシ基とを有する化合物の数平均分子量が700〜5000であることが好ましい。 In addition, from the viewpoint of achieving both heat resistant colorability and molding processability at a high level, the compound having a polyorganosiloxane skeleton and two or more epoxy groups preferably has a number average molecular weight of 700 to 5,000.
更に、耐熱着色性と成形加工性とを高水準で両立する観点から、上記ポリオルガノシロキサン骨格と2つ以上のエポキシ基とを有する化合物の軟化点または融点が0〜150℃であることが好ましい。 Furthermore, the softening point or the melting point of the compound having the polyorganosiloxane skeleton and two or more epoxy groups is preferably 0 to 150 ° C. from the viewpoint of achieving both heat resistant colorability and molding processability at a high level. .
また、耐熱着色性と成形加工性とを高水準で両立する観点から、上記ポリオルガノシロキサン骨格と2つ以上のエポキシ基とを有する化合物は、150℃における溶融粘度が1〜1000mPa・sであることが好ましい。 In addition, from the viewpoint of achieving both heat resistant colorability and molding processability at a high level, the compound having a polyorganosiloxane skeleton and two or more epoxy groups has a melt viscosity at 150 ° C. of 1 to 1000 mPa · s. It is preferable.
本発明の光反射用熱硬化性樹脂組成物において、上記白色顔料が、酸化チタン、アルミナ、酸化マグネシウム、酸化アンチモン、酸化ジルコニウムおよび無機中空粒子からなる群より選ばれる少なくとも1種であることが好ましい。 In the thermosetting resin composition for light reflection of the present invention, the white pigment is preferably at least one selected from the group consisting of titanium oxide, alumina, magnesium oxide, antimony oxide, zirconium oxide and inorganic hollow particles. .
また、熱硬化性樹脂との混合・混練し易さ、及び、混練後の光反射用熱硬化性樹脂組成物の成形加工性を向上させる観点から、上記白色顔料の中心粒径が0.1〜50μmの範囲内にあることが好ましい。 Further, from the viewpoint of improving the ease of mixing and kneading with the thermosetting resin and the molding processability of the thermosetting resin composition for light reflection after kneading, the center particle size of the white pigment is 0.1. It is preferable to be in the range of ˜50 μm.
また、本発明の光反射用熱硬化性樹脂組成物における上記白色顔料の含有量が、樹脂組成物全量を基準として10〜85体積%の範囲内であることが好ましい。 Moreover, it is preferable that content of the said white pigment in the thermosetting resin composition for light reflections of this invention exists in the range of 10-85 volume% on the basis of the resin composition whole quantity.
本発明はまた、本発明の光反射用熱硬化性樹脂組成物の硬化物を備える光半導体素子搭載用基板を提供する。 The present invention also provides an optical semiconductor element mounting substrate provided with a cured product of the light reflecting thermosetting resin composition of the present invention.
本発明はまた、底面及び壁面から構成される凹部を有し、当該凹部の底面が光半導体素子の搭載部であり、凹部の壁面の少なくとも一部が、本発明の光反射用熱硬化性樹脂組成物の硬化物からなる光半導体素子搭載用基板を提供する。 The present invention also has a recess composed of a bottom surface and a wall surface, the bottom surface of the recess is a mounting portion for an optical semiconductor element, and at least a part of the wall surface of the recess is the thermosetting resin for light reflection of the present invention. An optical semiconductor element mounting substrate comprising a cured product of the composition is provided.
本発明はまた、基板と、当該基板上に設けられた第1の接続端子および第2の接続端子とを備え、第1の接続端子と第2の接続端子との間に、本発明の光反射用熱硬化性樹脂組成物の硬化物を有する光半導体素子搭載用基板を提供する。 The present invention also includes a substrate and a first connection terminal and a second connection terminal provided on the substrate, and the light of the present invention is provided between the first connection terminal and the second connection terminal. An optical semiconductor element mounting substrate having a cured product of a reflective thermosetting resin composition is provided.
本発明はまた、本発明の光半導体素子搭載用基板と、当該光半導体素子搭載用基板に搭載された光半導体素子とを有する光半導体装置を提供する。 The present invention also provides an optical semiconductor device having the optical semiconductor element mounting substrate of the present invention and an optical semiconductor element mounted on the optical semiconductor element mounting substrate.
本発明はまた、底面及び壁面から構成される凹部を有する光半導体素子搭載用基板の製造方法であって、凹部の壁面の少なくとも一部を、本発明の光反射用熱硬化性樹脂組成物をトランスファー成形して形成する工程を備える光半導体素子搭載用基板の製造方法を提供する。 The present invention is also a method for producing a substrate for mounting an optical semiconductor element having a recess composed of a bottom surface and a wall surface, wherein at least a part of the wall surface of the recess is formed from the thermosetting resin composition for light reflection of the present invention. Provided is a method for manufacturing an optical semiconductor element mounting substrate comprising a step of forming by transfer molding.
本発明の半導体素子搭載用基板の製造方法によれば、本発明の光反射用熱硬化性樹脂組成物を用いる上記工程を備えることにより、リフレクターとして機能できる光反射率が十分高く且つ熱によって光反射率が低下しにくい凹部を成形性よく設けることできる。したがって、本発明の方法により得られる半導体素子搭載用基板によれば、所望の光学特性を有する光半導体装置を製造することが容易となる。 According to the method for manufacturing a substrate for mounting a semiconductor element of the present invention, by providing the above-described process using the thermosetting resin composition for light reflection of the present invention, the light reflectance that can function as a reflector is sufficiently high and light is generated by heat. Recesses in which the reflectance is difficult to decrease can be provided with good moldability. Therefore, according to the semiconductor element mounting substrate obtained by the method of the present invention, it becomes easy to manufacture an optical semiconductor device having desired optical characteristics.
本発明によれば、十分な光反射率及び成形加工性を有し、しかも耐熱着色性に優れた光反射用熱硬化性樹脂組成物を提供することができる。すなわち、本発明によれば、可視光から近紫外光の波長領域における光反射率が高い硬化物が得られ、且つ、LEDパッケージなどの光半導体装置の製造時や高温環境での使用時に変色の少ない硬化物を得ることが可能な光反射用熱硬化性樹脂組成物を提供することができる。また、そのような樹脂組成物を用いることによって、光学特性に優れ、信頼性の高い光半導体素子搭載用基板及び光半導体装置を製造することが可能となる。 ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, it can provide the thermosetting resin composition for light reflections which has sufficient light reflectivity and moldability, and was excellent in heat-resistant coloring property. That is, according to the present invention, a cured product having a high light reflectance in the wavelength region from visible light to near-ultraviolet light is obtained, and discoloration occurs when an optical semiconductor device such as an LED package is used or used in a high temperature environment. The thermosetting resin composition for light reflection which can obtain few hardened | cured materials can be provided. In addition, by using such a resin composition, it is possible to manufacture an optical semiconductor element mounting substrate and an optical semiconductor device having excellent optical characteristics and high reliability.
(光反射用熱硬化性樹脂組成物)
本実施形態の光反射用熱硬化性樹脂組成物は、(A)エポキシ樹脂、(B)硬化剤、(C)硬化触媒、及び(D)白色顔料を含み、(A)成分として、(B)硬化剤と互いに相溶であり、ポリオルガノシロキサン骨格と2つ以上のエポキシ基とを有する化合物((A1)成分)を含む。以下、各成分について説明する。
(Thermosetting resin composition for light reflection)
The light-reflective thermosetting resin composition of the present embodiment includes (A) an epoxy resin, (B) a curing agent, (C) a curing catalyst, and (D) a white pigment. And a compound (component (A1)) that is compatible with the curing agent and has a polyorganosiloxane skeleton and two or more epoxy groups. Hereinafter, each component will be described.
まず、エポキシ樹脂について「硬化剤と互いに相溶」とは、エポキシ樹脂がその他の硬化剤と親和性を示し、均一な溶液または混合物として存在することを意味する。より具体的には、例えば、エポキシ樹脂と、硬化剤とを1/1の重量比で混合し、それら成分を120℃にて完全に溶解し、引き続き攪拌を行って得られる混合液について、30分にわたり静置した後に混合液の一部を取り出して目視した場合、成分間の分離がない透明な液体として確認できる状態を意味する。このような状態を、本明細書では「互いに相溶」と称し、成分が分離し不透明な液体となる場合を「互いに不溶」と称す。なお、互いに相溶ではあるが、溶解するまでに長い時間が必要であるようなエポキシ樹脂および硬化剤の組み合わせは、長時間にわたる加熱、すなわち、より多くの熱エネルギーを必要とすることから、生産性やコストの面で不利となる。そのため、短時間で相溶する組み合わせが好ましい。 First, “compatible with the curing agent” for the epoxy resin means that the epoxy resin has an affinity with other curing agents and exists as a uniform solution or mixture. More specifically, for example, about a mixed solution obtained by mixing an epoxy resin and a curing agent at a weight ratio of 1/1, completely dissolving these components at 120 ° C., and subsequently stirring, When a part of the mixed liquid is taken out and visually observed after standing for a minute, it means a state that can be confirmed as a transparent liquid with no separation between components. In this specification, such a state is referred to as “compatible with each other”, and the case where the components are separated to become an opaque liquid is referred to as “insoluble with each other”. The combination of epoxy resin and curing agent, which are compatible with each other but require a long time to dissolve, requires heating over a long period of time, that is, more heat energy. It is disadvantageous in terms of sex and cost. Therefore, a combination that is compatible in a short time is preferable.
更に上記混合操作において、エポキシ樹脂および硬化剤の硬化反応物であるゲル等が析出する場合があるが、このような析出物による白濁がない混合物が得られるように適宜、温度や攪拌方法等混合条件を選択することが好ましい。また、高粘度の材料を選択すると、攪拌により気泡を巻き込んでしまい、得られた混合物は微小な気泡が原因となって、外観上、白濁しているように観察される場合がある。その際には、公知の減圧脱泡法により気泡を取り除いた後の混合物の透明性を判定することが好ましい。なお、「白濁」とは、電磁波の可視光領域における散乱がないことを示す。より具体的には、光のレイリー散乱、ミー散乱、回折散乱現象を生じるような、散乱中心を有する微粒子や微小な気泡が存在しないことを示す。 Further, in the above mixing operation, a gel or the like, which is a cured reaction product of an epoxy resin and a curing agent, may be precipitated, and mixing such as temperature and stirring method is appropriately performed so as to obtain a mixture free of white turbidity due to such a precipitate. It is preferable to select conditions. In addition, if a material having a high viscosity is selected, bubbles are involved by stirring, and the resulting mixture may be observed to be cloudy in appearance due to minute bubbles. In that case, it is preferable to determine the transparency of the mixture after removing bubbles by a known vacuum degassing method. Note that “white turbidity” indicates that there is no scattering of electromagnetic waves in the visible light region. More specifically, it indicates that there are no fine particles or tiny bubbles having scattering centers that cause Rayleigh scattering, Mie scattering, or diffraction scattering of light.
本発明で用いられるポリオルガノシロキサン骨格を有する上記エポキシ化合物は、結合エネルギーの高い結合を有するとともに、オルガノシロキサン骨格が疎水性を示し、光反射用熱硬化性樹脂組成物の硬化成型物表面の表面自由エネルギーを低下させる性質を有する。このような性質から、トランスファー成形時に成形金型への張り付くことを抑制することが可能となる。そして、このような化合物と上記(B)〜(D)成分とを組み合わせることにより、高温環境下での酸化劣化による着色を抑制しつつ、高温で金型を用いる成形加工を行って十分な光反射率を有する成形体を製造する場合であっても、金型成形時に成形金型との離型性を十分確保することができ、高い光反射率、耐熱着色性及び成形加工性のすべてを高度に満足させることができる。 The epoxy compound having a polyorganosiloxane skeleton used in the present invention has a bond with high binding energy, and the organosiloxane skeleton exhibits hydrophobicity, and the surface of the cured molded product surface of the thermosetting resin composition for light reflection It has the property of reducing free energy. Due to such properties, it is possible to suppress sticking to the molding die during transfer molding. And, by combining such a compound and the above components (B) to (D), sufficient light can be obtained by performing molding using a mold at a high temperature while suppressing coloring due to oxidative deterioration in a high temperature environment. Even when producing molded articles having reflectivity, it is possible to ensure sufficient releasability from the molding dies at the time of molding the mold, and all of the high light reflectance, heat resistant colorability and molding processability are achieved. Highly satisfied.
ポリオルガノシロキサン骨格と2つ以上のエポキシ基とを有する化合物は、そのエポキシ当量が150〜350g/eqであるものが好ましく、200〜300g/eqであるものがより好ましい。エポキシ当量が150g/eq未満であると、化合物中に含まれるシロキサン重量比が低下し、耐熱性、耐着色性が十分に得られなくなる傾向にある。一方、エポキシ当量が350g/eqを越えると、例えば、他のエポキシ樹脂、硬化剤、添加剤などの成分と加熱混合して光反射用硬化性樹脂組成物を調製する際の相溶性が低下する傾向にあり、結果として、硬化性樹脂組成物の熱硬化反応性が低下したり、溶融させて流動状態として成形するときの加工特性が低下する場合がある。 The compound having a polyorganosiloxane skeleton and two or more epoxy groups preferably has an epoxy equivalent of 150 to 350 g / eq, more preferably 200 to 300 g / eq. When the epoxy equivalent is less than 150 g / eq, the weight ratio of siloxane contained in the compound is lowered, and heat resistance and coloring resistance tend not to be sufficiently obtained. On the other hand, when the epoxy equivalent exceeds 350 g / eq, for example, compatibility when preparing a light-reflective curable resin composition by heating and mixing with other epoxy resin, curing agent, additive and other components decreases. As a result, the thermosetting reactivity of the curable resin composition may decrease, or the processing characteristics when melted and molded into a fluidized state may decrease.
また、上記化合物の数平均分子量は、700〜5000であることが好ましい。数平均分子量が700未満である場合、化合物におけるシロキサンユニットの重量比が低下し、耐熱性、耐着色性が十分に得られなくなる傾向にある。一方、数平均分子量が5000を超える場合、硬化性樹脂組成物の溶融粘度が増加し、溶融させて流動状態として成形するときの加工特性が低下する場合がある。 Moreover, it is preferable that the number average molecular weights of the said compound are 700-5000. When the number average molecular weight is less than 700, the weight ratio of the siloxane unit in the compound is lowered, and heat resistance and coloration resistance tend not to be sufficiently obtained. On the other hand, when the number average molecular weight exceeds 5000, the melt viscosity of the curable resin composition increases, and the processing characteristics when melted and molded into a fluidized state may deteriorate.
また、上記化合物は、融点又は軟化点が0〜150℃であることが好ましい。上記化合物の融点又は軟化点が0℃未満であると、光反射用硬化性樹脂組成物における白色顔料の分散性が低下する傾向にあり、トランスファー成形などのように金型を用いて成形する場合に樹脂バリが発生しやすくなる。このような樹脂バリが発生すると、これが光半導体搭載用基板上の汚染物として残存し、その後の工程において光半導体素子を搭載したときに十分な接続強度が得られず、不良の原因となるおそれがある。一方、上記化合物の融点又は軟化点が150℃よりも大きい場合には、硬化性樹脂組成物の溶融粘度が増加し、溶融させて流動状態として成形するときの加工特性が低下する傾向にある。 Moreover, it is preferable that the said compound is 0-150 degreeC of melting | fusing point or a softening point. When the melting point or softening point of the compound is less than 0 ° C., the dispersibility of the white pigment in the light-reflective curable resin composition tends to decrease, and when molding using a mold such as transfer molding Resin burrs are likely to occur. When such resin burrs are generated, they remain as contaminants on the substrate for mounting an optical semiconductor, and when the optical semiconductor element is mounted in a subsequent process, sufficient connection strength may not be obtained, which may cause defects. There is. On the other hand, when the melting point or softening point of the compound is higher than 150 ° C., the melt viscosity of the curable resin composition increases, and the processing characteristics when melted and molded into a fluid state tend to be lowered.
また、上記化合物は、150℃における溶融粘度が1.0〜1000mPa・sであることが好ましい。上記の溶融粘度が1.0mPa・sよりも小さい場合には、光反射用硬化性樹脂組成物における白色顔料の分散性が低下する傾向にあり、トランスファー成形などのように金型を用いて成形する場合に樹脂バリが発生しやすくなる。このような樹脂バリが発生すると、これが光半導体搭載用基板上の汚染物として残存し、その後の工程において光半導体素子を搭載したときに十分な接続強度が得られず、不良の原因となるおそれがある。一方、上記の溶融粘度が1000mPa・sよりも大きい場合には、硬化性樹脂組成物の溶融粘度が増加し、溶融させて流動状態として成形するときの加工特性が低下する傾向にある。 In addition, the compound preferably has a melt viscosity at 150 ° C. of 1.0 to 1000 mPa · s. When the melt viscosity is smaller than 1.0 mPa · s, the dispersibility of the white pigment in the light-reflective curable resin composition tends to decrease, and molding is performed using a mold such as transfer molding. In this case, resin burrs are likely to occur. When such resin burrs are generated, they remain as contaminants on the substrate for mounting an optical semiconductor, and when the optical semiconductor element is mounted in a subsequent process, sufficient connection strength may not be obtained, which may cause defects. There is. On the other hand, when the melt viscosity is greater than 1000 mPa · s, the melt viscosity of the curable resin composition increases, and the processing characteristics when melted and molded into a fluid state tend to be lowered.
本明細書において、ポリオルガノシロキサン骨格と2つ以上のエポキシ基とを有する化合物の「150℃における溶融粘度」、「軟化点(融点)」および「数平均分子量(Mn)」はそれぞれ以下の測定方法により求められる。「150℃における溶融粘度」は、Reseach Equipment(London)LTD.製のICIコーンプレート型粘度計を用いて測定される。「軟化点(融点)」は、化合物をホットプレート上で加熱し、性状の変化を目視で確認する方法により得られる。「数平均分子量(Mn)」は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)法に従って標準ポリスチレンによる検量線を用いて測定した値を指し、より具体的には、GPC測定装置としてポンプ(株式会社日立製作所製、L−6200型)、カラム(TSKgel−G5000HXL及びTSKgel−G2000HXL、いずれも東ソー株式会社製、商品名)及び検出器(株式会社日立製作所製、L−3300RI型)を使用し、溶離液としてテトラヒドロフランを使用し、温度30℃、流量1.0ml/minの条件で測定される。 In the present specification, “melt viscosity at 150 ° C.”, “softening point (melting point)” and “number average molecular weight (Mn)” of a compound having a polyorganosiloxane skeleton and two or more epoxy groups are measured as follows. Determined by the method. “Melt viscosity at 150 ° C.” is reported in Research Equipment (London) LTD. It is measured using a manufactured ICI cone plate viscometer. The “softening point (melting point)” is obtained by heating the compound on a hot plate and visually confirming the change in properties. “Number average molecular weight (Mn)” refers to a value measured using a standard polystyrene calibration curve in accordance with a gel permeation chromatography (GPC) method. More specifically, a pump (Hitachi, Ltd.) is used as a GPC measuring device. Manufactured by L-6200 type), column (TSKgel-G5000HXL and TSKgel-G2000HXL, both manufactured by Tosoh Corporation, trade name) and detector (manufactured by Hitachi, Ltd., L-3300RI type) as an eluent. Tetrahydrofuran is used, and measurement is performed under the conditions of a temperature of 30 ° C. and a flow rate of 1.0 ml / min.
本実施形態に係るポリオルガノシロキサン骨格と2つ以上のエポキシ基とを有する化合物は、例えば、白金−ビニルシロキサン錯体等の白金系金属原子を含む化合物を触媒として使用し、オルガノハイドロジェンシロキサン化合物と、不飽和炭素−炭素結合および少なくとも1つのエポキシ基を有する炭化水素化合物とを、仕込み比を適宜設定してヒドロシリル化反応させて得ることができる。 The compound having a polyorganosiloxane skeleton and two or more epoxy groups according to this embodiment uses, for example, a compound containing a platinum metal atom such as a platinum-vinylsiloxane complex as a catalyst, and an organohydrogensiloxane compound and And a hydrocarbon compound having an unsaturated carbon-carbon bond and at least one epoxy group can be obtained by hydrosilylation reaction by appropriately setting the charging ratio.
また、別の方法として、上記白金系金属原子を含む化合物を触媒として使用し、オルガノハイドロジェンシロキサン化合物と、不飽和炭素−炭素結合および少なくとも1つのヒドロキシル基を有する炭化水素化合物とを、仕込み比を適宜設定してヒドロシリル化反応させてポリオルガノシロキサン化合物を合成し、その後、ポリオルガノシロキサン化合物のヒドロキシ基と、エピクロロヒドリン等のエポキシ基を誘導する際に使用される公知の化合物とを反応させてエポキシ基を生成することにより、ポリオルガノシロキサン骨格と2つ以上のエポキシ基とを有する化合物を得ることもできる。 As another method, a compound containing a platinum-based metal atom is used as a catalyst, and an organohydrogensiloxane compound and a hydrocarbon compound having an unsaturated carbon-carbon bond and at least one hydroxyl group are charged in a charging ratio. Is appropriately set and hydrosilylation reaction is performed to synthesize a polyorganosiloxane compound, and then a hydroxy group of the polyorganosiloxane compound and a known compound used for inducing an epoxy group such as epichlorohydrin are combined. A compound having a polyorganosiloxane skeleton and two or more epoxy groups can be obtained by reacting to produce an epoxy group.
更に別の方法として、2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン等のエポキシ基含有シラン化合物と、1,4−シクロヘキサンジメタノールに代表される脂環式ジアルコールとを、ジブチル錫ジラウレート等のルイス酸触媒存在下において、脱アルコール縮合反応させて、ポリオルガノシロキサン骨格と2つ以上のエポキシ基とを有する化合物を得ることもできる。 As yet another method, an epoxy group-containing silane compound such as 2- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane and an alicyclic dialcohol typified by 1,4-cyclohexanedimethanol are mixed with dibutyltin. A compound having a polyorganosiloxane skeleton and two or more epoxy groups can also be obtained by a dealcoholization condensation reaction in the presence of a Lewis acid catalyst such as dilaurate.
本実施形態に係るポリオルガノシロキサン骨格と2つ以上のエポキシ基とを有する化合物としては、商業的に入手可能なポリオルガノシロキサン樹脂を使用することができ、例えば、KD001(新日鉄化学株式会社製)、KD401(新日鉄化学株式会社製)、KD801(新日鉄化学株式会社製)、CD401(新日鉄化学株式会社製)が挙げられる。 As the compound having a polyorganosiloxane skeleton and two or more epoxy groups according to the present embodiment, a commercially available polyorganosiloxane resin can be used. For example, KD001 (manufactured by Nippon Steel Chemical Co., Ltd.) , KD401 (manufactured by Nippon Steel Chemical Co., Ltd.), KD801 (manufactured by Nippon Steel Chemical Co., Ltd.), and CD401 (manufactured by Nippon Steel Chemical Co., Ltd.).
本発明の光反射用熱硬化性樹脂組成物における上記ポリオルガノシロキサン骨格と2つ以上のエポキシ基とを有する化合物の含有量は、熱硬化性樹脂組成物の硬化後に固形分となる成分全量基準で、0.1〜20質量%であることが好ましく、3〜20質量%であることがより好ましい。 The content of the compound having the polyorganosiloxane skeleton and two or more epoxy groups in the light-reflective thermosetting resin composition of the present invention is based on the total amount of components that are solid after the thermosetting resin composition is cured. It is preferable that it is 0.1-20 mass%, and it is more preferable that it is 3-20 mass%.
本発明の光反射用熱硬化性樹脂組成物は、(A)エポキシ樹脂として、上記ポリオルガノシロキサン骨格と2つ以上のエポキシ基とを有する化合物(A1)以外のエポキシ樹脂(A2)を更に含有することができる。この場合、高温環境下における光学反射率の低下を抑制する観点から、エポキシ樹脂(A2)の含有量は、ポリオルガノシロキサン骨格と2つ以上のエポキシ基とを有する化合物(A1)100質量部に対して、1〜200質量部であることが好ましい。エポキシ樹脂(A2)を200質量部よりも多く用いる場合、(A1)のポリオルガノシロキサン骨格の耐熱性が十分に発揮されなくなるおそれがある。 The thermosetting resin composition for light reflection of the present invention further contains an epoxy resin (A2) other than the compound (A1) having the polyorganosiloxane skeleton and two or more epoxy groups as the (A) epoxy resin. can do. In this case, from the viewpoint of suppressing the decrease in optical reflectance under a high temperature environment, the content of the epoxy resin (A2) is 100 parts by mass of the compound (A1) having a polyorganosiloxane skeleton and two or more epoxy groups. On the other hand, it is preferable that it is 1-200 mass parts. When using more than 200 mass parts of epoxy resins (A2), there exists a possibility that the heat resistance of the polyorganosiloxane frame | skeleton of (A1) may not fully be exhibited.
エポキシ樹脂(A2)としては、エポキシ樹脂成形材料として一般に公知のものを使用することができ、例えば、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂などをはじめとするフェノール類とアルデヒド類のノボラック樹脂をエポキシ化したもの;ビスフェノールA、ビスフェノールF、ビスフェノールS、アルキル置換ビスフェノールなどのジグリシジルエーテル;ジアミノジフェニルメタン、イソシアヌル酸などのポリアミンとエピクロルヒドリンとの反応により得られるグリシジルアミン型エポキシ樹脂;オレフィン結合を過酢酸などの過酸で酸化して得られる線状脂肪族エポキシ樹脂;及び脂環族エポキシ樹脂などが挙げられる。これらは、1種を単独で又は2種以上を組み合わせて使用することができる。 As the epoxy resin (A2), generally known epoxy resin molding materials can be used. For example, novolaks of phenols and aldehydes including phenol novolac type epoxy resins, orthocresol novolac type epoxy resins and the like. Epoxidized resin; diglycidyl ether such as bisphenol A, bisphenol F, bisphenol S, alkyl-substituted bisphenol; glycidylamine type epoxy resin obtained by reaction of polyamine such as diaminodiphenylmethane and isocyanuric acid with epichlorohydrin; And linear aliphatic epoxy resins obtained by oxidation with a peracid such as peracetic acid; and alicyclic epoxy resins. These can be used alone or in combination of two or more.
また、エポキシ樹脂(A2)は、無色又は例えば淡黄色の比較的着色していないものが好ましい。そのようなエポキシ樹脂の具体例としては、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェノールF型エポキシ樹脂、ビスフェノールS型エポキシ樹脂、ジグリシジルイソシアヌレート、トリグリシジルイソシアヌレートが挙げられる。 Further, the epoxy resin (A2) is preferably colorless or, for example, light yellow and relatively uncolored. Specific examples of such an epoxy resin include bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, bisphenol S type epoxy resin, diglycidyl isocyanurate, and triglycidyl isocyanurate.
本発明で用いられる硬化剤((B)成分)としては、上記ポリオルガノシロキサン骨格と2つ以上のエポキシ基とを有する化合物(A1)と反応して硬化物が得られるものであればよく、具体例として、酸無水物硬化剤、イソシアヌル酸誘導体、フェノール系硬化剤などが挙げられる。成形性および硬化物の機械特性の観点から、硬化剤は、その分子量が100〜400程度のものが好ましい。また、硬化剤は、無色又は例えば淡黄色の比較的着色していないものが好ましい。 As the curing agent (component (B)) used in the present invention, any curing agent can be used as long as it reacts with the compound (A1) having the polyorganosiloxane skeleton and two or more epoxy groups, Specific examples include acid anhydride curing agents, isocyanuric acid derivatives, phenolic curing agents, and the like. From the viewpoint of moldability and mechanical properties of the cured product, the curing agent preferably has a molecular weight of about 100 to 400. The curing agent is preferably colorless or, for example, light yellow and relatively uncolored.
酸無水物硬化剤としては、例えば、無水フタル酸、無水マレイン酸、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、無水メチルナジック酸、無水ナジック酸、無水グルタル酸、無水ジメチルグルタル酸、無水ジエチルグルタル酸、無水コハク酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸などが挙げられる。これらは、単独で使用しても、2種以上併用してもよい。 Examples of the acid anhydride curing agent include phthalic anhydride, maleic anhydride, trimellitic anhydride, pyromellitic anhydride, hexahydrophthalic anhydride, tetrahydrophthalic anhydride, methyl nadic anhydride, nadic anhydride, and glutaric anhydride. Dimethyl glutaric anhydride, diethyl glutaric anhydride, succinic anhydride, methyl hexahydrophthalic anhydride, methyl tetrahydrophthalic anhydride and the like. These may be used alone or in combination of two or more.
イソシアヌル酸誘導体としては、例えば、1,3,5−トリス(1−カルボキシメチル)イソシアヌレート、1,3,5−トリス(2−カルボキシエチル)イソシアヌレート、1,3,5−トリス(3−カルボキシプロピル)イソシアヌレート、1,3−ビス(2−カルボキシエチル)イソシアヌレートなどが挙げられる。これらは、単独で使用しても、2種以上併用してもよい。 Examples of the isocyanuric acid derivatives include 1,3,5-tris (1-carboxymethyl) isocyanurate, 1,3,5-tris (2-carboxyethyl) isocyanurate, 1,3,5-tris (3- Carboxypropyl) isocyanurate, 1,3-bis (2-carboxyethyl) isocyanurate and the like. These may be used alone or in combination of two or more.
フェノール系硬化剤としては、例えば、フェノール、クレゾール、レゾルシン、カテコール、ビスフェノールA、ビスフェノールF、フェニルフェノール、アミノフェノールなどのフェノール類及び/又はα−ナフトール、β−ナフトール、ジヒドロキシナフタレンなどのナフトール類と、ホルムアルデヒド、ベンズアルデヒド、サリチルアルデヒドなどのアルデヒド基を有する化合物と、を酸性触媒下で縮合又は共縮合させて得られる、ノボラック型フェノール樹脂;フェノール類及び/又はナフトール類とジメトキシパラキシレン又はビス(メトキシメチル)ビフェニルとから合成されるフェノール・アラルキル樹脂;ビフェニレン型フェノール・アラルキル樹脂、ナフトール・アラルキル樹脂などのアラルキル型フェノール樹脂;フェノール類及び/又はナフトール類とジシクロペンタジエンとの共重合によって合成される、ジシクロベンタジエン型フェノールノボラック樹脂、ジシクロペンタジエン型ナフトールノボラック樹脂などのジシクロペンタジエン型フェノール樹脂;トリフェニルメタン型フェノール樹脂;テルペン変性フェノール樹脂;パラキシリレン及び/又はメタキシリレン変性フェノール樹脂;メラミン変性フェノール樹脂;シクロペンタジエン変性フェノール樹脂;および、これら2種以上を共重合して得られるフェノール樹脂などが挙げられる。 Examples of phenolic curing agents include phenols such as phenol, cresol, resorcin, catechol, bisphenol A, bisphenol F, phenylphenol, and aminophenol and / or naphthols such as α-naphthol, β-naphthol, and dihydroxynaphthalene. , Formaldehyde, benzaldehyde, salicylaldehyde, and other compounds having an aldehyde group, which are obtained by condensation or cocondensation in the presence of an acidic catalyst; novolak-type phenol resins; phenols and / or naphthols and dimethoxyparaxylene or bis (methoxy) Phenolic aralkyl resins synthesized from (methyl) biphenyl; Aralkyl-type phenolic resins such as biphenylene-type phenol-aralkyl resins and naphthol-aralkyl resins; Dicyclopentadiene-type phenolic resins such as dicyclopentadiene-type phenol novolak resins and dicyclopentadiene-type naphthol novolak resins synthesized by copolymerization of alcohols and / or naphthols with dicyclopentadiene; triphenylmethane type Examples thereof include phenol resins; terpene-modified phenol resins; paraxylylene and / or metaxylylene-modified phenol resins; melamine-modified phenol resins; cyclopentadiene-modified phenol resins; and phenol resins obtained by copolymerizing two or more of these.
上記の硬化剤は、単独で使用しても、2種以上併用してもよい。 The above curing agents may be used alone or in combination of two or more.
また、上記の硬化剤の中では、無水フタル酸、無水トリメリット酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、無水グルタル酸、無水ジメチルグルタル酸、無水ジエチルグルタル酸、又は1,3,5−トリス(3−カルボキシプロピル)イソシアヌレートなどを用いることが好ましい。これらは、単独で使用しても、2種以上併用してもよい。 Among the above curing agents, phthalic anhydride, trimellitic anhydride, hexahydrophthalic anhydride, tetrahydrophthalic anhydride, methylhexahydrophthalic anhydride, methyltetrahydrophthalic anhydride, glutaric anhydride, dimethylglutaric anhydride , Diethyl glutaric anhydride, or 1,3,5-tris (3-carboxypropyl) isocyanurate is preferably used. These may be used alone or in combination of two or more.
本発明の光反射用熱硬化性樹脂組成物における硬化剤の含有量は、(A)エポキシ樹脂中のエポキシ基1当量に対して、当該エポキシ基と反応可能な(B)硬化剤中の活性基(酸無水物基や水酸基)が0.5〜1.2当量となるような割合であることが好ましく、0.6〜1.0当量となるような割合であることがより好ましい。上記活性基が0.5当量未満の場合には、光反射用熱硬化性樹脂組成物の硬化速度が遅くなるとともに、得られる硬化物のガラス転移温度が低くなり、充分な弾性率が得られない場合がある。一方、上記活性基が1.2当量を超える場合には、硬化後の強度が低下する場合がある。 The content of the curing agent in the light-reflective thermosetting resin composition of the present invention is (A) an activity in the curing agent that can react with the epoxy group with respect to 1 equivalent of the epoxy group in the epoxy resin. The ratio is preferably such that the group (acid anhydride group or hydroxyl group) is 0.5 to 1.2 equivalent, and more preferably 0.6 to 1.0 equivalent. When the active group is less than 0.5 equivalents, the curing rate of the light-reflective thermosetting resin composition is slowed, and the glass transition temperature of the resulting cured product is lowered, so that a sufficient elastic modulus is obtained. There may not be. On the other hand, when the active group exceeds 1.2 equivalents, the strength after curing may decrease.
本発明で用いられる硬化触媒((C)成分)としては、例えば、1,8−ジアザ−ビシクロ(5,4,0)ウンデセン−7、トリエチレンジアミン、トリ−2,4,6−ジメチルアミノメチルフェノールなどの3級アミン類;2−エチル−4メチルイミダゾール、2−メチルイミダゾールなどのイミダゾール類;トリフェニルホスフィン、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、テトラ−n−ブチルホスホニウム−o,o−ジエチルホスホロジチオエート、テトラ−n−ブチルホスホニウム−テトラフルオロボレート、テトラ−n−ブチルホスホニウム−テトラフェニルボレートなどのリン化合物;4級アンモニウム塩;有機金属塩類及びこれらの誘導体などが挙げられる。これらは単独で使用しても、2種以上を併用してもよい。これら硬化触媒の中では、3級アミン類、イミダゾール類、又はリン化合物を用いることが好ましい。 Examples of the curing catalyst (component (C)) used in the present invention include 1,8-diaza-bicyclo (5,4,0) undecene-7, triethylenediamine, tri-2,4,6-dimethylaminomethyl. Tertiary amines such as phenol; imidazoles such as 2-ethyl-4methylimidazole and 2-methylimidazole; triphenylphosphine, tetraphenylphosphonium tetraphenylborate, tetra-n-butylphosphonium-o, o-diethylphosphoro Phosphorus compounds such as dithioate, tetra-n-butylphosphonium-tetrafluoroborate, tetra-n-butylphosphonium-tetraphenylborate; quaternary ammonium salts; organometallic salts and derivatives thereof. These may be used alone or in combination of two or more. Among these curing catalysts, it is preferable to use tertiary amines, imidazoles, or phosphorus compounds.
本発明の光反射用熱硬化性樹脂組成物における硬化触媒の含有量は、(A)エポキシ樹脂の全量を基準として、0.01〜8.0質量%であることが好ましく、0.1〜3.0質量%であることがより好ましい。硬化触媒の含有量が、0.01質量%未満では、十分な硬化促進効果を得られない場合があり、硬化触媒の含有量が8.0質量%を超えると、得られる硬化物(成形体など)に変色が見られる場合がある。 The content of the curing catalyst in the light-reflective thermosetting resin composition of the present invention is preferably 0.01 to 8.0% by mass based on the total amount of (A) the epoxy resin, It is more preferable that it is 3.0 mass%. If the content of the curing catalyst is less than 0.01% by mass, a sufficient curing accelerating effect may not be obtained. If the content of the curing catalyst exceeds 8.0% by mass, the resulting cured product (molded product) Etc.) may be discolored.
本発明で用いられる白色顔料((D)成分)としては、例えば、アルミナ、酸化マグネシウム、酸化アンチモン、酸化チタン、酸化ジルコニウム、無機中空粒子などが挙げられる。これらは、単独で使用しても、2種以上を併用してもよい。熱伝導性、及び光反射特性の観点からは、アルミナを用いることが好ましい。 Examples of the white pigment (component (D)) used in the present invention include alumina, magnesium oxide, antimony oxide, titanium oxide, zirconium oxide, and inorganic hollow particles. These may be used alone or in combination of two or more. From the viewpoint of thermal conductivity and light reflection characteristics, it is preferable to use alumina.
無機中空粒子としては、例えば、珪酸ソーダガラス、アルミ珪酸ガラス、硼珪酸ソーダガラス、シラスなどが挙げられる。 Examples of the inorganic hollow particles include sodium silicate glass, aluminum silicate glass, borosilicate soda glass, and shirasu.
白色顔料の中心粒径は、0.1μm〜50μmの範囲にあることが好ましい。この中心粒径が0.1μm未満であると粒子が凝集しやすく分散性が悪くなる傾向があり、50μmを超えると硬化物の光反射特性が十分に得られにくくなる。 The center particle diameter of the white pigment is preferably in the range of 0.1 μm to 50 μm. If the center particle size is less than 0.1 μm, the particles tend to aggregate and the dispersibility tends to deteriorate, and if it exceeds 50 μm, the light reflection characteristics of the cured product are hardly obtained.
本発明の光反射用熱硬化性樹脂組成物における白色顔料の含有量は、樹脂組成物全量を基準として10〜85体積%の範囲であることが好ましい。白色顔料の含有量が10体積%未満であると、硬化物の光反射特性が十分に得られにくくなり、85体積%を超えると、熱硬化性樹脂組成物の成形性が悪くなり、光半導体素子搭載用基板などの作製が困難となる可能性がある。 The content of the white pigment in the thermosetting resin composition for light reflection of the present invention is preferably in the range of 10 to 85% by volume based on the total amount of the resin composition. When the content of the white pigment is less than 10% by volume, it becomes difficult to obtain the light reflection characteristics of the cured product. When the content exceeds 85% by volume, the moldability of the thermosetting resin composition is deteriorated, and the optical semiconductor. There is a possibility that it is difficult to manufacture a device mounting substrate.
本発明の光反射用熱硬化性樹脂組成物は、上述した成分以外に、無機充填剤、酸化防止剤、離型剤、分散剤、イオン捕捉剤などの各種添加剤を更に含有することができる。 The thermosetting resin composition for light reflection of the present invention can further contain various additives such as an inorganic filler, an antioxidant, a mold release agent, a dispersant, and an ion scavenger in addition to the components described above. .
無機充填剤としては、例えば、溶融球状シリカ、破砕状シリカ、シリカ、酸化アンチモン、酸化チタン、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、硫酸バリウム、炭酸マグネシウム、炭酸バリウムなどが挙げられる。無機充填剤の中心粒径は、白色顔料とのパッキング効率を向上させる観点から、1〜100μmの範囲内にあることが好ましい。本発明の光反射用熱硬化性樹脂組成物における無機充填剤の含有量は、熱硬化性樹脂組成物の硬化後に固形分となる成分全量を基準として、5〜75体積%の範囲であることが好ましい。 Examples of the inorganic filler include fused spherical silica, crushed silica, silica, antimony oxide, titanium oxide, aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, barium sulfate, magnesium carbonate, and barium carbonate. The center particle diameter of the inorganic filler is preferably in the range of 1 to 100 μm from the viewpoint of improving the packing efficiency with the white pigment. The content of the inorganic filler in the light-reflective thermosetting resin composition of the present invention is in the range of 5 to 75% by volume based on the total amount of components that become solid after the thermosetting resin composition is cured. Is preferred.
また、本発明の光反射用熱硬化性樹脂組成物は、必要に応じてカップリング剤等が添加されていてもよい。この場合、(A1)成分などの樹脂成分と、白色顔料や無機充填剤などの無機成分との界面接着性を向上させることができる。カップリング剤としては、例えば、シランカップリング剤、チタネート系カップリング剤等が挙げられる。シランカップリング剤としては、一般にエポキシシラン系、アミノシラン系、カチオニックシラン系、ビニルシラン系、アクリルシラン系、メルカプトシラン系及びこれらの複合系等、公知の化合物を用いることができる。カップリング剤の使用量は、白色顔料に対する表面被覆量を考慮して適宜調整することが好ましいが、硬化性を向上させる観点から、熱硬化性樹脂組成物全量を基準として5質量%以下とすることが好ましい。本発明では、白色顔料や無機充填剤などが予め上記カップリング剤で処理されていてもよい。 Moreover, a coupling agent etc. may be added to the thermosetting resin composition for light reflection of this invention as needed. In this case, the interfacial adhesion between the resin component such as the component (A1) and the inorganic component such as the white pigment and the inorganic filler can be improved. Examples of the coupling agent include silane coupling agents and titanate coupling agents. As the silane coupling agent, generally known compounds such as epoxy silane, amino silane, cationic silane, vinyl silane, acryl silane, mercapto silane, and composites thereof can be used. The amount of the coupling agent used is preferably adjusted as appropriate in consideration of the surface coating amount on the white pigment, but from the viewpoint of improving curability, the amount used is 5% by mass or less based on the total amount of the thermosetting resin composition. It is preferable. In the present invention, a white pigment, an inorganic filler, or the like may be previously treated with the above coupling agent.
本発明の光反射用熱硬化性樹脂組成物は、その用途から、硬化後の、波長350〜800nmにおける光反射率が、80%以上となることが好ましい。この光反射率が80%未満である場合、光半導体装置の輝度向上に十分に寄与できない傾向がある。本発明の光反射用熱硬化性樹脂組成物は、上記光反射率が90%以上となるものであることが好ましい。また、光半導体装置の輝度を向上させる点で、硬化後の、波長460nmにおける光反射率が、80%以上となることが好ましく、90%以上となることがより好ましい。 From the use of the thermosetting resin composition for light reflection of the present invention, the light reflectance at a wavelength of 350 to 800 nm after curing is preferably 80% or more. When this light reflectance is less than 80%, there is a tendency that it cannot sufficiently contribute to the improvement of the luminance of the optical semiconductor device. The light-reflective thermosetting resin composition of the present invention preferably has a light reflectance of 90% or more. Further, in terms of improving the luminance of the optical semiconductor device, the light reflectance after curing at a wavelength of 460 nm is preferably 80% or more, and more preferably 90% or more.
また、耐熱着色性を良好にする観点から、硬化後の成形物が、150℃の環境下に500時間晒す耐熱性試験の後でも、波長350〜800nmにおいて80%以上の光反射率を保持することが好ましい。より好ましくは、上述の耐熱性試験後の測定時に、波長460nmにおける光反射率が85%以上となることがより好ましく、90%以上となることがさらに好ましい。このような熱硬化性樹脂組成物の光反射特性は、樹脂組成物を構成する各種成分の配合量を適切に調整することによって実現することができ、より具体的には、無色の熱硬化樹脂成分と高屈折率の白色顔料を高充填することで達成できる。 In addition, from the viewpoint of improving heat resistance colorability, the cured molded product retains a light reflectance of 80% or more at a wavelength of 350 to 800 nm even after a heat resistance test in which the molded product is exposed to an environment of 150 ° C. for 500 hours. It is preferable. More preferably, the light reflectance at a wavelength of 460 nm is more preferably 85% or more, and still more preferably 90% or more during measurement after the heat resistance test described above. The light reflection characteristics of such a thermosetting resin composition can be realized by appropriately adjusting the blending amounts of various components constituting the resin composition, more specifically, a colorless thermosetting resin. This can be achieved by high loading of the components and the high refractive index white pigment.
本発明の光反射用熱硬化性樹脂組成物は、先に例示した各種成分を均一に分散混合することによって調製することができ、混合手段や条件などは特に制限されない。調製方法としては、例えば、ミキシングロール、押出機、ニーダー、ロール、エクストルーダー、らいかい機、自転と公転を組み合わせた攪拌混合機などの装置を用いて各種成分を混練し、次いで得られた混練物を冷却及び粉砕する方法が挙げられる。混練形式についても特に限定されないが、溶融混練とすることが好ましい。溶融混練時の条件は、使用する各種成分の種類や配合量によって適宜決定すればよく、特に制限はないが、例えば、15〜100℃の温度範囲で5〜40分間にわたって実施することが好ましく、20〜100℃の温度範囲で10〜30分間にわたって実施することがより好ましい。溶融混練の温度が15℃未満であると、各種成分を十分に溶融混練することが困難であり、分散性が低下する傾向がある。一方、溶融混練を100℃よりも高温で実施すると、樹脂組成物の高分子量化が進行し、基板などの成形品を成形する前に樹脂組成物が硬化してしまう恐れがある。また、溶融混練の時間が1分未満であると、基板などの成形時に金型から樹脂が染み出し、バリが発生しやすい傾向があり、40分よりも長いと、樹脂組成物の高分子化が進行し、成形前に樹脂組成物が硬化してしまう恐れがある。 The thermosetting resin composition for light reflection of the present invention can be prepared by uniformly dispersing and mixing the various components exemplified above, and the mixing means and conditions are not particularly limited. As a preparation method, for example, various components are kneaded using an apparatus such as a mixing roll, an extruder, a kneader, a roll, an extruder, a raking machine, a stirring mixer that combines rotation and revolution, and then obtained kneading. The method of cooling and grinding | pulverizing a thing is mentioned. The kneading type is not particularly limited, but melt kneading is preferable. The conditions at the time of melt kneading may be appropriately determined depending on the type and blending amount of various components to be used, and are not particularly limited. For example, it is preferably carried out at a temperature range of 15 to 100 ° C. for 5 to 40 minutes, More preferably, it is carried out in a temperature range of 20 to 100 ° C. for 10 to 30 minutes. When the temperature of the melt kneading is less than 15 ° C., it is difficult to sufficiently melt and knead various components, and the dispersibility tends to decrease. On the other hand, when the melt-kneading is performed at a temperature higher than 100 ° C., the resin composition increases in molecular weight, and the resin composition may be cured before molding a molded article such as a substrate. Also, if the melt-kneading time is less than 1 minute, the resin tends to ooze out from the mold during molding of the substrate and the like, and burrs tend to occur. If it is longer than 40 minutes, the resin composition becomes polymerized. May progress and the resin composition may be cured before molding.
本発明の光反射用熱硬化性樹脂組成物を調製する際、(B)硬化剤として使用する化合物を、(A)エポキシ樹脂の一部又は全部と予備混合することが好ましい。このような予備混合を実施することによって、硬化剤のベース樹脂に対する分散性をさらに高めることができる。その結果、硬化剤の分散不具合に起因する金型及びパッケージ汚れの発生をより効果的に抑制することが可能となる。 When preparing the thermosetting resin composition for light reflection of the present invention, it is preferable to premix (B) a compound used as a curing agent with a part or all of the (A) epoxy resin. By carrying out such premixing, the dispersibility of the curing agent with respect to the base resin can be further enhanced. As a result, it is possible to more effectively suppress the occurrence of mold and package contamination due to the dispersion failure of the curing agent.
なお、(A)エポキシ樹脂の全量と(B)硬化剤として使用する化合物との間で予備混合を実施しても差し支えないが、(A)エポキシ樹脂の一部との予備混合であっても十分な効果が得られる。その場合、予備混合に用いる(A)エポキシ樹脂の量は、成分全量の10〜50質量%とすることが好ましい。 In addition, although it may be premixed between the total amount of (A) epoxy resin and the compound used as (B) curing agent, (A) Even if it is premixed with a part of epoxy resin A sufficient effect can be obtained. In that case, the amount of the (A) epoxy resin used for the preliminary mixing is preferably 10 to 50% by mass of the total amount of the components.
予備混合の方法は、特に制限されるものではなく、(B)硬化剤として使用する化合物を(A)エポキシ樹脂中に分散させることが可能であればよい。例えば、室温〜220℃の温度条件下で、0.5〜20時間にわたって両成分を攪拌する方法等が挙げられる。分散性及び効率性の観点からは、100〜200℃、より好ましくは150〜170℃の温度条件下、攪拌時間を1〜10時間、より好ましくは3〜6時間とすることが好ましい。ここで行う予備加熱混合は、例えば、(A)エポキシ樹脂100質量部、及び(B)硬化剤120質量部を耐熱ガラス製の容器に秤量し、この混合容器をシリコーンオイルや水などの流体を媒体とするヒーターを用いて、35℃〜180℃の温度範囲で加熱するなどの方法が挙げられる。加熱方法としては上記の方法に限定されるものではなく、熱電対、電磁波照射など公知の方法を用いることができ、さらに溶解を促進するために超音波などを照射してもよい。 The premixing method is not particularly limited as long as (B) the compound used as the curing agent can be dispersed in (A) the epoxy resin. For example, a method in which both components are stirred for 0.5 to 20 hours under a temperature condition of room temperature to 220 ° C. From the viewpoint of dispersibility and efficiency, the stirring time is preferably 1 to 10 hours, more preferably 3 to 6 hours under a temperature condition of 100 to 200 ° C, more preferably 150 to 170 ° C. In the preheating mixing performed here, for example, (A) 100 parts by mass of an epoxy resin and (B) 120 parts by mass of a curing agent are weighed in a container made of heat-resistant glass, and a fluid such as silicone oil or water is added to the mixing container. The method of heating in the temperature range of 35 degreeC-180 degreeC using the heater used as a medium is mentioned. The heating method is not limited to the above method, and a known method such as thermocouple or electromagnetic wave irradiation can be used, and ultrasonic waves or the like may be irradiated to promote dissolution.
(光半導体素子搭載用基板)
本発明の光半導体素子搭載用基板は、底面及び壁面から構成される凹部を有し、凹部の底面が光半導体素子搭載部(光半導体素子搭載領域)であり、凹部の壁面、すなわち凹部の内周側面の少なくとも一部が本発明の光反射用熱硬化性樹脂組成物の硬化物からなるものである。図1は、本発明の光半導体素子搭載用基板の一実施形態を示す斜視図である。光半導体素子搭載用基板110は、Ni/Agめっき104が形成された金属配線105(第1の接続端子および第2の接続端子)と、金属配線105(第1の接続端子および第2の接続端子)間に設けられた絶縁性樹脂成形体103’と、リフレクター103とを備え、Ni/Agめっき104が形成された金属配線105及び樹脂成形体103’とリフレクター103とから形成された凹部200を有している。この凹部200の底面は、Ni/Agめっき104が形成された金属配線105及び絶縁性樹脂成形体103’から構成され、凹部200の壁面はリフレクター103から構成されるものである。そして、リフレクター103及び絶縁性樹脂成形体103’が、上記本発明の光反射用熱硬化性樹脂組成物の硬化物からなる成形体である。
(Optical semiconductor device mounting substrate)
The substrate for mounting an optical semiconductor element according to the present invention has a recess composed of a bottom surface and a wall surface, and the bottom surface of the recess is an optical semiconductor element mounting portion (optical semiconductor element mounting region). At least a part of the peripheral side surface is made of a cured product of the thermosetting resin composition for light reflection of the present invention. FIG. 1 is a perspective view showing an embodiment of a substrate for mounting an optical semiconductor element of the present invention. The substrate for mounting an
本発明の光半導体素子搭載用基板の製造方法は特に限定されないが、例えば、本発明の光反射用熱硬化性樹脂組成物を用いたトランスファー成形により製造することができる。図2は、本発明の光半導体素子搭載用基板を製造する工程の一実施形態を示す概略図である。光半導体素子搭載用基板は、例えば、金属箔から打ち抜きやエッチング等の公知の方法により金属配線105を形成し、電気めっきによりNi/Agめっき104を施す工程(図2(a))、次いで、該金属配線105を所定形状の金型151に配置し、金型151の樹脂注入口150から本発明の光反射用熱硬化性樹脂組成物を注入し、所定の条件でトランスファー成形する工程(図2(b))、そして、金型151を外す工程(図2(c))を経て製造することができる。このようにして、光半導体素子搭載用基板には、光反射用熱硬化性樹脂組成物の硬化物からなるリフレクター103に周囲を囲まれてなる光半導体素子搭載領域(凹部)200が形成される。また、凹部の底面は、第1の接続端子となる金属配線105及び第2の接続端子となる金属配線105と、これらの間に設けられ光反射用熱硬化性樹脂組成物の硬化物からなる絶縁性樹脂成形体103’とから構成される。なお、上記トランスファー成形の条件としては、金型温度170〜200℃、より好ましくは170〜190℃、成形圧力0.5〜20MPa、より好ましくは2〜8MPaで、60〜120秒間、アフターキュア温度120℃〜180℃で1〜3時間が好ましい。
Although the manufacturing method of the board | substrate for optical semiconductor element mounting of this invention is not specifically limited, For example, it can manufacture by transfer molding using the thermosetting resin composition for light reflections of this invention. FIG. 2 is a schematic view showing an embodiment of a process for producing an optical semiconductor element mounting substrate of the present invention. The optical semiconductor element mounting substrate is formed by, for example, forming a
(光半導体装置)
本発明の光半導体装置は、上記光半導体素子搭載用基板と、当該光半導体素子搭載用基板に搭載された光半導体素子とを有する。より具体的な例として、上記光半導体素子搭載用基板と、光半導体素子搭載用基板の凹部内に設けられた光半導体素子と、凹部を充填して光半導体素子を封止する蛍光体含有封止樹脂部とを備える光半導体装置が挙げられる。
(Optical semiconductor device)
An optical semiconductor device of the present invention includes the optical semiconductor element mounting substrate and an optical semiconductor element mounted on the optical semiconductor element mounting substrate. As a more specific example, the optical semiconductor element mounting substrate, the optical semiconductor element provided in the recess of the optical semiconductor element mounting substrate, and the phosphor-containing envelope that fills the recess and seals the optical semiconductor element An optical semiconductor device provided with a stop resin part is mentioned.
図3は、本発明の光半導体素子搭載用基板110に光半導体素子100を搭載した状態の一実施形態を示す斜視図である。図3に示すように、光半導体素子100は、光半導体素子搭載用基板110の光半導体素子搭載領域(凹部)200の所定位置に搭載され、金属配線105とボンディングワイヤ102により電気的に接続される。図4及び5は、本発明の光半導体装置の一実施形態を示す模式断面図である。図4及び5に示すように、光半導体装置は、光半導体素子搭載用基板110と、光半導体素子搭載用基板110の凹部200内の所定位置に設けられた光半導体素子100と、凹部200を充填して光半導体素子を封止する蛍光体106を含む透明封止樹脂101からなる封止樹脂部とを備えており、光半導体素子100とNi/Agめっき104が形成された金属配線105とがボンディングワイヤ102又ははんだバンプ107により電気的に接続されている。
FIG. 3 is a perspective view showing an embodiment in which the
図6もまた、本発明の光半導体装置の一実施形態を示す模式断面図である。図6に示す光半導体装置では、リフレクター303が形成されたリード304上の所定位置にダイボンド材306を介してLED素子300が配置され、LED素子300とリード304とがボンディングワイヤ301により電気的に接続され、蛍光体305を含む透明封止樹脂302によりLED体素子300が封止されている。
FIG. 6 is also a schematic cross-sectional view showing an embodiment of the optical semiconductor device of the present invention. In the optical semiconductor device shown in FIG. 6, the
以上、本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明はこれに制限されるものではない。例えば、本発明の光反射用熱硬化性樹脂組成物は光反射コート剤として用いることができる。この実施形態として、銅張積層板、光半導体素子搭載用基板及び光半導体素子について説明する。 As mentioned above, although preferred embodiment of this invention was described, this invention is not restrict | limited to this. For example, the thermosetting resin composition for light reflection of the present invention can be used as a light reflection coating agent. As this embodiment, a copper-clad laminate, an optical semiconductor element mounting substrate, and an optical semiconductor element will be described.
本発明に係る銅張積層板は、上述した本発明の光反射用熱硬化性樹脂組成物を用いて形成された光反射樹脂層と、該光反射樹脂層上に積層された銅箔と、を備えるものである。 The copper-clad laminate according to the present invention is a light-reflecting resin layer formed using the above-described thermosetting resin composition for light reflection of the present invention, a copper foil laminated on the light-reflecting resin layer, Is provided.
図7は、本発明に係る銅張積層板の好適な一実施形態を示す模式断面図である。図7に示すように、銅張積層板400は、基材401と、該基材401上に積層された光反射樹脂層402と、該光反射樹脂層402上に積層された銅箔403と、を備えている。ここで、光反射樹脂層402は、上述した本発明の光反射用熱硬化性樹脂組成物を用いて形成されている。
FIG. 7 is a schematic cross-sectional view showing a preferred embodiment of a copper clad laminate according to the present invention. As shown in FIG. 7, a copper clad
基材401としては、銅張積層板に用いられる基材を特に制限なく用いることができるが、例えば、エポキシ樹脂積層板等の樹脂積層板、光半導体搭載用基板などが挙げられる。
As the
銅張積層板400は、例えば、本発明の樹脂組成物を基材401表面に塗布し、銅箔403を重ね、加熱加圧硬化して上記樹脂組成物からなる光反射樹脂層402を形成することにより作製することができる。
For example, the copper clad
本発明の樹脂組成物の基板401への塗布方法としては、例えば、印刷法、ダイコート法、カーテンコート法、スプレーコート法、ロールコート法等の塗布方法を用いることができる。このとき、本発明の光反射用熱硬化性樹脂組成物には、塗布が容易となるように溶媒を含有させることができる。なお、溶媒を用いる場合、上述した各成分の配合割合で樹脂組成物全量を基準としたものについては、溶媒を除いたものを全量として設定することが好ましい。
As a method for applying the resin composition of the present invention to the
加熱加圧の条件としては、特に限定されないが、例えば、130〜180℃、0.5〜4MPa、30〜600分間の条件で加熱加圧を行うことが好ましい。 The heating and pressing conditions are not particularly limited, but for example, it is preferable to perform heating and pressing under conditions of 130 to 180 ° C., 0.5 to 4 MPa, and 30 to 600 minutes.
上記本発明に係る銅張積層板を使用し、LED実装用等の光学部材用のプリント配線板を作製することができる。なお、図7に示した銅張積層板400は、基材401の片面に光反射樹脂層402及び銅箔403を積層したものであるが、本発明に係る銅張積層板は、基材401の両面に光反射樹脂層402及び銅箔403をそれぞれ積層したものであってもよい。また、図7に示した銅張積層板400は、基材401上に光反射樹脂層402及び銅箔403を積層したものであるが、本発明に係る銅張積層板は、基材401を用いることなく、光反射樹脂層402及び銅箔403のみで構成されていてもよい。この場合、光反射樹脂層402が基材としての役割をはたすこととなる。この場合、例えば、ガラスクロス等に本発明の樹脂組成物を含浸させ、硬化させたものを光反射樹脂層402とすることができる。
Using the copper-clad laminate according to the present invention, a printed wiring board for an optical member such as for LED mounting can be produced. 7 is obtained by laminating a light reflecting
図8は、本発明に係る銅張積層板を用いて作製された光半導体装置の一例を示す模式断面図である。図8に示すように、光半導体装置500は、光半導体素子410と、該光半導体素子410が封止されるように設けられた透明な封止樹脂404とを備える表面実装型の発光ダイオードである。光半導体装置500において、半導体素子410は、接着層408を介して銅箔403に接着されており、ワイヤー409により銅箔403と電気的に接続されている。
FIG. 8 is a schematic cross-sectional view showing an example of an optical semiconductor device manufactured using the copper-clad laminate according to the present invention. As shown in FIG. 8, the
更に、本発明に係る光半導体素子搭載用基板の他の実施形態として、上述した本発明の光反射用熱硬化性樹脂組成物を用いて、基材上の複数の導体部材(接続端子)間に形成された光反射樹脂層を備える光半導体素子搭載用基板が挙げられる。また、本発明に係る光半導体装置の他の実施形態は、上記の光半導体素子搭載用基板に光半導体素子を搭載してなるものである。 Furthermore, as another embodiment of the substrate for mounting an optical semiconductor element according to the present invention, using the above-described thermosetting resin composition for light reflection of the present invention, a plurality of conductor members (connection terminals) on the base material are used. An optical semiconductor element mounting substrate provided with the light-reflecting resin layer formed in the above. In another embodiment of the optical semiconductor device according to the present invention, the optical semiconductor element is mounted on the optical semiconductor element mounting substrate.
図9は、本発明に係る光半導体装置の好適な一実施形態を示す模式断面図である。図9に示すように、光半導体装置600は、基材601と、該該基材601の表面に形成された複数の導体部材602と、複数の導体部材(接続端子)602間に形成された、上記本発明の光反射用熱硬化性樹脂組成物からなる光反射樹脂層603と、を備える光半導体素子搭載用基板に、光半導体素子610が搭載され、該光半導体素子610が封止されるように透明な封止樹脂604が設けられた、表面実装型の発光ダイオードである。光半導体装置600において、光半導体素子610は、接着層608を介して導体部材602に接着されており、ワイヤー609により導体部材602と電気的に接続されている。
FIG. 9 is a schematic cross-sectional view showing a preferred embodiment of the optical semiconductor device according to the present invention. As shown in FIG. 9, the
基材601としては、光半導体素子搭載用基板に用いられる基材を特に制限なく用いることができるが、例えば、エポキシ樹脂積層板等の樹脂積層板などが挙げられる。
As the
導体部材602は、接続端子として機能するものであり、例えば、銅箔をフォトエッチングする方法等、公知の方法により形成することができる。
The
光半導体素子搭載用基板は、本発明の光反射用熱硬化性樹脂組成物を基材601上の複数の導体部材602間に塗布し、加熱硬化して上記光反射用熱硬化性樹脂組成物からなる光反射樹脂層603を形成することにより作製することができる。
For the substrate for mounting an optical semiconductor element, the thermosetting resin composition for light reflection of the present invention is applied between the plurality of
本発明の光反射用熱硬化性樹脂組成物の基板601への塗布方法としては、例えば、印刷法、ダイコート法、カーテンコート法、スプレーコート法、ロールコート法等の塗布方法を用いることができる。このとき、本発明の光反射用熱硬化性樹脂組成物には、塗布が容易となるように溶媒を含有させることができる。なお、溶媒を用いる場合、上述した各成分の配合割合で樹脂組成物全量を基準としたものについては、溶媒を除いたものを全量として設定することが好ましい。
As a method for applying the light-reflective thermosetting resin composition of the present invention to the
光反射用熱硬化性樹脂組成物の塗膜を加熱硬化する際の加熱条件としては、特に限定されないが、例えば、130〜180℃、30〜600分間の条件で加熱を行うことが好ましい。 Although it does not specifically limit as heating conditions at the time of heat-hardening the coating film of the thermosetting resin composition for light reflections, For example, it is preferable to heat on 130-180 degreeC and the conditions for 30 to 600 minutes.
その後、導体部材602表面に余分に付着した樹脂成分は、バフ研磨等により除去し、導体部材602からなる回路を露出させ、光半導体素子搭載用基板とする。
Thereafter, the resin component adhering excessively to the surface of the
また、光反射樹脂層603と導体部材602との密着性を確保するために、導体部材602に対して酸化還元処理やCZ処理(メック株式会社製)等の粗化処理を行なうことも好ましい。
In order to ensure the adhesion between the light reflecting
以下、実施例及び比較例を挙げて本発明をより具体的に説明する。但し、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。 Hereinafter, the present invention will be described more specifically with reference to examples and comparative examples. However, the present invention is not limited to these examples.
<光反射用熱硬化性樹脂組成物の調製>
(実施例1〜5及び比較例1〜6)
実施例1〜4及び比較例1〜2については、表1及び表2に示す配合割合(質量部)に従って、各成分を配合し、ミキサーによって十分に混練分散した後、ミキシングロールにより35℃で15分溶融混練することによって混練物を得た。次に、得られた混練物を冷却し、それらを粉砕することによって、白色固体状の光反射用熱硬化性樹脂組成物をそれぞれ調製した。
<Preparation of thermosetting resin composition for light reflection>
(Examples 1-5 and Comparative Examples 1-6)
About Examples 1-4 and Comparative Examples 1-2, after mix | blending each component according to the mixture ratio (mass part) shown in Table 1 and Table 2, fully knead | mixing and dispersing with a mixer, it is 35 degreeC with a mixing roll. A kneaded product was obtained by melt-kneading for 15 minutes. Next, the obtained kneaded material was cooled and pulverized, thereby preparing a white solid light-reflective thermosetting resin composition.
実施例5及び比較例3〜6については、表1及び表2に示す配合割合(質量部)に従って、各成分を配合し、自転公転式攪拌混合機を使用して回転数2000rpmで2分間混合することにより、ペースト状の光反射用熱硬化性樹脂組成物をそれぞれ調製した。 About Example 5 and Comparative Examples 3-6, according to the mixing | blending ratio (mass part) shown in Table 1 and Table 2, each component is mix | blended and it mixes for 2 minutes at the rotation speed 2000rpm using a rotation revolution type stirring mixer. By doing so, a paste-like thermosetting resin composition for light reflection was prepared.
なお、各表に示した各原料の配合量の単位は全て質量部であり、「−」の記載部分は該当する原料の配合がないことを意味している。 In addition, the unit of the compounding quantity of each raw material shown to each table | surface is all mass parts, and the description part of "-" means that there is no mixing | blending of a corresponding raw material.
表1及び2中、*1〜15の詳細は以下のとおりである。*1〜9の、ポキシ当量、溶融粘度、軟化点(融点)、及び数平均分子量については表1及び2中に示す。 The details of * 1 to 15 in Tables 1 and 2 are as follows. * Poxy equivalent, melt viscosity, softening point (melting point), and number average molecular weight of 1 to 9 are shown in Tables 1 and 2.
*1:エポキシシリコーン(新日鉄化学社製、商品名:KD001)
*2:エポキシシリコーン(新日鉄化学社製、商品名:KD401)
*3:エポキシシリコーン(新日鉄化学社製、商品名:KD801)
*4:エポキシシリコーン(新日鉄化学社製、商品名:CD401)
*5:トリスグリシジルイソシアヌレート(日産化学社製、商品名:TEPIC−S)
*6:3,4−エポキシシクロヘキセニルメチル−3’,4’−エポキシシクロヘキセンカルボキシレート(ダイセル化学社製、商品名:セロキサイド2021P)
*7:ヘキサヒドロフタル酸ジグリシジルエステル(阪本薬品社製、商品名:SR−HHPA)
*8:エポキシシリコーン(信越化学社製、商品名:KF101)
*9:エポキシシリコーン(信越化学社製、商品名:KF105)
*10:メチルヘキサヒドロ無水フタル酸(日立化成工業社製)
*11:ヘキサヒドロ無水フタル酸(和光純薬工業社製)
*12:テトラ−n−ブチルホスホニウム−o,o−ジエチルホスホロジチエート(日本化学工業社製、商品名:PX−4ET)
*13:溶融シリカ(電気化学工業社製、商品名:FB−950)
*14:溶融シリカ(アドマテックス社製、商品名:SO−25R)
*15:酸化チタン(堺化学工業社製、商品名:FTR−700)
* 1: Epoxy silicone (manufactured by Nippon Steel Chemical Co., Ltd., trade name: KD001)
* 2: Epoxy silicone (trade name: KD401, manufactured by Nippon Steel Chemical Co., Ltd.)
* 3: Epoxy silicone (manufactured by Nippon Steel Chemical Co., Ltd., trade name: KD801)
* 4: Epoxy silicone (trade name: CD401, manufactured by Nippon Steel Chemical Co., Ltd.)
* 5: Trisglycidyl isocyanurate (Nissan Chemical Co., Ltd., trade name: TEPIC-S)
* 6: 3,4-epoxycyclohexenylmethyl-3 ′, 4′-epoxycyclohexene carboxylate (manufactured by Daicel Chemical Industries, trade name: Celoxide 2021P)
* 7: Hexahydrophthalic acid diglycidyl ester (manufactured by Sakamoto Pharmaceutical Co., Ltd., trade name: SR-HHPA)
* 8: Epoxy silicone (trade name: KF101, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.)
* 9: Epoxy silicone (trade name: KF105, manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.)
* 10: Methylhexahydrophthalic anhydride (manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.)
* 11: Hexahydrophthalic anhydride (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.)
* 12: Tetra-n-butylphosphonium-o, o-diethyl phosphorodithioate (manufactured by Nippon Chemical Industry Co., Ltd., trade name: PX-4ET)
* 13: Fused silica (manufactured by Denki Kagaku Kogyo, trade name: FB-950)
* 14: Fused silica (manufactured by Admatechs, trade name: SO-25R)
* 15: Titanium oxide (manufactured by Sakai Chemical Industry Co., Ltd., trade name: FTR-700)
<光反射用熱硬化性樹脂組成物の評価>
実施例1〜4及び比較例1〜2で得られた光反射用熱硬化性樹脂組成物については、樹脂組成物を、成形金型温度180℃、成型圧力6.9MPa、硬化時間90秒の条件でトランスファー成形した後、150℃で2時間の後硬化を行って、厚み1.0mmの試験片を作製し、下記の方法にしたがって初期および熱処理後の光反射率の測定を行った。また、実施例5及び比較例3〜6で得られた光反射用熱硬化性樹脂組成物については、硬化物の厚みが1.0mmとなるようにアルミカップに樹脂組成物を注ぎ、150℃で5時間の熱硬化を行って、厚み1.0mmの試験片を作製し、下記の方法にしたがって初期および熱処理後の光反射率の測定を行った。結果を表1及び2に示す。
<Evaluation of thermosetting resin composition for light reflection>
About the thermosetting resin composition for light reflections obtained in Examples 1 to 4 and Comparative Examples 1 and 2, the resin composition was molded at a molding die temperature of 180 ° C., a molding pressure of 6.9 MPa, and a curing time of 90 seconds. After the transfer molding under the conditions, post-curing was performed at 150 ° C. for 2 hours to prepare a test piece having a thickness of 1.0 mm, and the light reflectance after initial and heat treatment was measured according to the following method. Moreover, about the thermosetting resin composition for light reflections obtained in Example 5 and Comparative Examples 3 to 6, the resin composition was poured into an aluminum cup so that the thickness of the cured product was 1.0 mm, and 150 ° C. A test piece having a thickness of 1.0 mm was prepared by thermosetting for 5 hours, and the light reflectance after the initial and heat treatment was measured according to the following method. The results are shown in Tables 1 and 2.
(光反射率の測定)
[初期]
上記で得られた試験片について、積分球型分光光度計V−750型(日本分光株式会社製)を用いて、波長460nmにおける光反射率を測定した。
(Measurement of light reflectance)
[initial]
About the test piece obtained above, the light reflectance in wavelength 460nm was measured using the integrating sphere type spectrophotometer V-750 type (made by JASCO Corporation).
[熱処理後]
上記で得られた試験片を一定温度のオーブン中に入れ、下記に示す条件での熱処理をそれぞれ施した。各熱処理後の試験片について、上記と同様にして光反射率を測定した。
条件1:150℃、500時間
条件2:200℃、24時間
条件3:200℃、100時間
[After heat treatment]
The test piece obtained above was put in an oven at a constant temperature and subjected to heat treatment under the following conditions. About the test piece after each heat processing, the light reflectivity was measured like the above.
Condition 1: 150 ° C., 500 hours Condition 2: 200 ° C., 24 hours Condition 3: 200 ° C., 100 hours
表1に示すように、実施例1〜5の樹脂組成物によれば、トランスファー成形によって光反射率が十分に高い成形体が得られ、成形体の熱処理後の反射率低下、即ち着色を高度に抑制できることが確認された。なお、比較例5及び6で用いたポリオルガノシロキサン樹脂は、使用した酸無水物硬化剤との相溶性が得られなかった。そのため、樹脂組成物を混練した段階でエポキシ樹脂成分が分離し染み出してくる現象がみられ、加熱硬化を行なっても均一な硬化物が得られなかった。 As shown in Table 1, according to the resin compositions of Examples 1 to 5, a molded product having a sufficiently high light reflectance can be obtained by transfer molding, and the reflectance after the heat treatment of the molded product is reduced. It was confirmed that it can be suppressed. In addition, the polyorganosiloxane resin used in Comparative Examples 5 and 6 was not compatible with the acid anhydride curing agent used. For this reason, a phenomenon in which the epoxy resin component was separated and exuded at the stage of kneading the resin composition was observed, and a uniform cured product could not be obtained even after heat curing.
また、実施例及び比較例で得られた光反射用熱硬化性樹脂組成物について、下記の方法に基づいて熱硬化特性を評価した。 Moreover, about the thermosetting resin composition for light reflections obtained by the Example and the comparative example, the thermosetting characteristic was evaluated based on the following method.
JSR型キュラストメーターを用いて、光反射用熱硬化性樹脂組成物を180℃で加熱したときのゲルタイム(秒)を測定した。なお、ゲルタイムは、キュラストメーターのトルクを検出し、トルクの立ち上がる時間(硬化反応が進行して樹脂組成物の流動性が見られなくなる時間)とした。結果を表2に示す。 Using a JSR type curast meter, the gel time (seconds) when the thermosetting resin composition for light reflection was heated at 180 ° C. was measured. The gel time was defined as the time when the torque of the curast meter was detected and the torque rises (the time when the curing reaction proceeds and the fluidity of the resin composition is not observed). The results are shown in Table 2.
実施例1〜5の光反射用熱硬化性樹脂組成物は、30秒以内にトルクが立ち上がり、熱硬化性に優れていることが確認された。一方、比較例2〜4の光反射用熱硬化性樹脂組成物は、30秒よりも長時間経過後にトルクが立ち上がっており、実施例1〜5のものに比べて熱硬化性が劣る結果であった。比較例5及び6の光反射用熱硬化性樹脂組成物は、300秒以内にトルクが立ち上がらず未硬化であった。 It was confirmed that the light-reflective thermosetting resin compositions of Examples 1 to 5 showed excellent torqueability within 30 seconds. On the other hand, the light-reflective thermosetting resin compositions of Comparative Examples 2 to 4 have a torque rising after a lapse of time longer than 30 seconds, and are inferior in thermosetting properties to those of Examples 1 to 5. there were. The light-reflective thermosetting resin compositions of Comparative Examples 5 and 6 were uncured with no torque rising within 300 seconds.
100…光半導体素子、101…透明封止樹脂、102…ボンディングワイヤ、103…光反射用熱硬化性樹脂組成物の硬化物(リフレクター)、103’…光反射用熱硬化性樹脂組成物の硬化物(絶縁性樹脂成形体)104…Ni/Agめっき、105…金属配線、106…蛍光体、107…はんだバンプ、110…光半導体素子搭載用基板、150…樹脂注入口、151…金型、200…光半導体素子搭載領域、300…LED素子、301…ワイヤボンド、302…透明封止樹脂、303…リフレクター、304…リード、305…蛍光体、306…ダイボンド材、400…銅張積層板、401…基材、402…光反射樹脂層、403…銅箔、404…封止樹脂、408…接着層、409…ワイヤー、410…光半導体素子、500,600…光半導体装置、601…基材、602…導体部材、603…光反射樹脂層、604…封止樹脂、608…接着層、609…ワイヤー、610…光半導体素子。
DESCRIPTION OF
Claims (13)
前記エポキシ樹脂として、前記硬化剤と互いに相溶であり、ポリオルガノシロキサン骨格と2つ以上のエポキシ基とを有する化合物を少なくとも含む、光反射用熱硬化性樹脂組成物。 Including an epoxy resin, a curing agent, and a white pigment;
A thermosetting resin composition for light reflection, comprising at least a compound which is compatible with the curing agent and has a polyorganosiloxane skeleton and two or more epoxy groups as the epoxy resin.
前記凹部の前記壁面の少なくとも一部が、請求項1〜8のいずれか一項に記載の光反射用熱硬化性樹脂組成物の硬化物からなる、光半導体素子搭載用基板。 It has a recess composed of a bottom surface and a wall surface, and the bottom surface of the recess is a mounting portion for an optical semiconductor element,
A substrate for mounting an optical semiconductor element, wherein at least a part of the wall surface of the concave portion is made of a cured product of the thermosetting resin composition for light reflection according to any one of claims 1 to 8.
前記第1の接続端子と前記第2の接続端子との間に、請求項1〜8のいずれか一項に記載の光反射用熱硬化性樹脂組成物の硬化物を有する、光半導体素子搭載用基板。 A board, and a first connection terminal and a second connection terminal provided on the board,
The optical semiconductor element mounting which has the hardened | cured material of the thermosetting resin composition for light reflections as described in any one of Claims 1-8 between the said 1st connection terminal and the said 2nd connection terminal. Substrate.
前記凹部の前記壁面の少なくとも一部を、請求項1〜8のいずれか一項に記載の光反射用熱硬化性樹脂組成物をトランスファー成形して形成する工程、
を備える、光半導体素子搭載用基板の製造方法。
A method of manufacturing a substrate for mounting an optical semiconductor element having a recess composed of a bottom surface and a wall surface,
Forming at least a part of the wall surface of the recess by transfer molding the thermosetting resin composition for light reflection according to any one of claims 1 to 8,
A method for manufacturing a substrate for mounting an optical semiconductor element.
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Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4991957B1 (en) * | 2011-07-14 | 2012-08-08 | 積水化学工業株式会社 | White curable composition for optical semiconductor device and molded article for optical semiconductor device |
JP5167424B1 (en) * | 2012-04-18 | 2013-03-21 | 積水化学工業株式会社 | White curable composition for optical semiconductor device and molded article for optical semiconductor device |
US20140162071A1 (en) * | 2011-05-31 | 2014-06-12 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Resin composition, and prepreg and metal foil-clad laminate using the same |
JP2015044903A (en) * | 2013-08-27 | 2015-03-12 | 日立化成株式会社 | Thermosetting resin composition for light reflection, optical semiconductor element mounting board and method for manufacturing the same, and optical semiconductor device |
KR20150044898A (en) * | 2012-08-16 | 2015-04-27 | 미츠비시 가스 가가쿠 가부시키가이샤 | Resin sheet, support body with resin layer, laminate plate, and metal-clad laminate plate |
TWI577545B (en) * | 2012-03-13 | 2017-04-11 | 三菱瓦斯化學股份有限公司 | Resin composition, prepreg and metal foil-clad laminate |
US9685594B2 (en) | 2012-05-31 | 2017-06-20 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | LED module and method of preparing the LED module, lighting device |
-
2009
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Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20140162071A1 (en) * | 2011-05-31 | 2014-06-12 | Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. | Resin composition, and prepreg and metal foil-clad laminate using the same |
KR101920605B1 (en) | 2011-05-31 | 2018-11-20 | 미츠비시 가스 가가쿠 가부시키가이샤 | Resin composition and prepreg and metal foil clad laminate using same |
JP4991957B1 (en) * | 2011-07-14 | 2012-08-08 | 積水化学工業株式会社 | White curable composition for optical semiconductor device and molded article for optical semiconductor device |
CN103635532A (en) * | 2011-07-14 | 2014-03-12 | 积水化学工业株式会社 | White curable composition for optical semiconductor device, molded object for optical semiconductor device, and optical semiconductor device |
TWI577545B (en) * | 2012-03-13 | 2017-04-11 | 三菱瓦斯化學股份有限公司 | Resin composition, prepreg and metal foil-clad laminate |
JP5167424B1 (en) * | 2012-04-18 | 2013-03-21 | 積水化学工業株式会社 | White curable composition for optical semiconductor device and molded article for optical semiconductor device |
US9685594B2 (en) | 2012-05-31 | 2017-06-20 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | LED module and method of preparing the LED module, lighting device |
KR20150044898A (en) * | 2012-08-16 | 2015-04-27 | 미츠비시 가스 가가쿠 가부시키가이샤 | Resin sheet, support body with resin layer, laminate plate, and metal-clad laminate plate |
TWI641655B (en) * | 2012-08-16 | 2018-11-21 | 日商三菱瓦斯化學股份有限公司 | Resin sheet,support with attached resin layer,laminate,and metal-clad laminate |
KR102121182B1 (en) * | 2012-08-16 | 2020-06-10 | 미츠비시 가스 가가쿠 가부시키가이샤 | Resin sheet, support body with resin layer, laminate plate, and metal-clad laminate plate |
JP2015044903A (en) * | 2013-08-27 | 2015-03-12 | 日立化成株式会社 | Thermosetting resin composition for light reflection, optical semiconductor element mounting board and method for manufacturing the same, and optical semiconductor device |
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