JP6319806B2 - 光素子 - Google Patents
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Description
はじめに、本発明の実施の形態1について説明する。図1は、本発明の実施の形態1における光素子の構成を示す斜視図である。また、図2は、本発明の実施の形態1における光素子の構成を示す平面図である。また、図3は、本発明の実施の形態1における光素子の構成を示す断面図である。
次に、本発明の実施の形態2について図8を用いて説明する。図8は、本発明の実施の形態2における光素子の構成を示す斜視図である。この光素子は、フォトニック結晶201から構成されている。また、実施の形態2では、フォトニック結晶201は、支持基板202と、支持基板202より低い屈折率の材料から構成されて支持基板202の上に形成された元素含有層203とから構成されている。また、実施の形態2では、元素含有層203が、基底準位から励起準位へと励起された電子が基底準位に戻る際に光を放出する元素のイオンを含んでいる。例えば、支持基板202は、シリコンから構成され、元素は、エルビウム(Er)であり、元素含有層203は、酸化エルビウム(Er2O3)から構成されている
次に、本発明の実施の形態3について図9を用いて説明する。図9は、本発明の実施の形態3における光素子の構成を示す斜視図である。この光素子は、フォトニック結晶301から構成されている。また、実施の形態3では、フォトニック結晶301は、支持基板302と、支持基板302より低い屈折率の材料から構成されて支持基板302の上に形成された元素含有層303とから構成されている。また、実施の形態3では、元素含有層303が、基底準位から励起準位へと励起された電子が基底準位に戻る際に光を放出する元素のイオンを含んでいる。例えば、支持基板202は、シリコンから構成され、元素は、エルビウム(Er)であり、元素含有層303は、酸化エルビウム(Er2O3)から構成されている
Claims (3)
- 基底準位から励起準位へと励起された元素の電子が基底準位に戻る際の光放出による光素子であって、
前記元素のイオンを含むフォトニック結晶から構成され、
前記フォトニック結晶は、前記元素の励起準位より上の上位準位に一致するフォトニックバンドギャップを有し、
前記フォトニック結晶は、前記元素の励起準位より上の上位準位に一致するフォトニックバンドギャップに加え、前記元素の励起準位に一致するフォトニックバンドギャップを有し、
電子脱離遷移過程を前記元素の励起準位より上の上位準位に一致するフォトニックバンドギャップで抑制し、
前記光放出は、前記元素の励起準位に一致するフォトニックバンドギャップで閉じ込められる
ことを特徴とする光素子。 - 請求項1記載の光素子において、
前記フォトニック結晶は、
支持基板と、
前記支持基板より低い屈折率の材料から構成されて前記元素を含み、前記支持基板の上に形成された元素含有層と
から構成されていることを特徴とする光素子。 - 請求項1または2記載の光素子において、
前記元素は、エルビウムであることを特徴とする光素子。
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