JP2016152285A - 光素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】フォトニック結晶101は、基底準位から励起準位へと励起された電子が基底準位に戻る際に光を放出する元素のイオンが含まれている。また、フォトニック結晶101は、上記元素の励起準位より上の上位準位に一致するPBGを有する。例えば、元素は、Erであり、フォトニック結晶101は、Er2O3から構成されたフォトニック結晶本体102と、フォトニック結晶本体102に形成されて周期的に配置された柱状の複数の格子要素103とから構成されている。格子要素103は、周囲のフォトニック結晶本体102とは異なる屈折率とされている部分であり、例えば、円柱形状の中空構造である。複数の格子要素103の周期および径により、フォトニック結晶101のPBGが決定される。
【選択図】 図2
Description
はじめに、本発明の実施の形態1について説明する。図1は、本発明の実施の形態1における光素子の構成を示す斜視図である。また、図2は、本発明の実施の形態1における光素子の構成を示す平面図である。また、図3は、本発明の実施の形態1における光素子の構成を示す断面図である。
次に、本発明の実施の形態2について図8を用いて説明する。図8は、本発明の実施の形態2における光素子の構成を示す斜視図である。この光素子は、フォトニック結晶201から構成されている。また、実施の形態2では、フォトニック結晶201は、支持基板202と、支持基板202より低い屈折率の材料から構成されて支持基板202の上に形成された元素含有層203とから構成されている。また、実施の形態2では、元素含有層203が、基底準位から励起準位へと励起された電子が基底準位に戻る際に光を放出する元素のイオンを含んでいる。例えば、支持基板202は、シリコンから構成され、元素は、エルビウム(Er)であり、元素含有層203は、酸化エルビウム(Er2O3)から構成されている
次に、本発明の実施の形態3について図9を用いて説明する。図9は、本発明の実施の形態3における光素子の構成を示す斜視図である。この光素子は、フォトニック結晶301から構成されている。また、実施の形態3では、フォトニック結晶301は、支持基板302と、支持基板302より低い屈折率の材料から構成されて支持基板302の上に形成された元素含有層303とから構成されている。また、実施の形態3では、元素含有層303が、基底準位から励起準位へと励起された電子が基底準位に戻る際に光を放出する元素のイオンを含んでいる。例えば、支持基板202は、シリコンから構成され、元素は、エルビウム(Er)であり、元素含有層303は、酸化エルビウム(Er2O3)から構成されている
Claims (4)
- 基底準位から励起準位へと励起された元素の電子が基底準位に戻る際の光放出による光素子であって、
前記元素のイオンを含むフォトニック結晶から構成され、
前記フォトニック結晶は、前記元素の励起準位より上の上位準位に一致するフォトニックバンドギャップを有する
ことを特徴とする光素子。 - 請求項1記載の光素子において、
前記フォトニック結晶は、前記元素の励起準位より上の上位準位に一致するフォトニックバンドギャップに加え、前記元素の励起準位に一致するフォトニックバンドギャップを有する
ことを特徴とする光素子。 - 請求項1記載の光学素子において、
前記フォトニック結晶は、
支持基板と、
前記支持基板より低い屈折率の材料から構成されて前記元素を含み、前記支持基板の上に形成された元素含有層と
から構成されていることを特徴とする光素子。 - 請求項1〜3のいずれか1項に記載の光素子において、
前記元素は、エルビウムであることを特徴とする光素子。
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Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1138242A (ja) * | 1997-03-27 | 1999-02-12 | Nederland Centr Org Toegepast Natuur Onder | エルビウムがドープされた平面導波装置 |
JPH11330619A (ja) * | 1998-05-18 | 1999-11-30 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光デバイス |
JP2002107778A (ja) * | 2000-09-29 | 2002-04-10 | Toshiba Corp | アップコンバージョン光素子 |
JP2002365401A (ja) * | 2001-06-08 | 2002-12-18 | Autocloning Technology:Kk | フォトニック結晶光共振器 |
US6597721B1 (en) * | 2000-09-21 | 2003-07-22 | Ut-Battelle, Llc | Micro-laser |
JP2005260005A (ja) * | 2004-03-11 | 2005-09-22 | Fuji Xerox Co Ltd | 光増幅器および光増幅装置 |
JP2010147484A (ja) * | 2010-01-06 | 2010-07-01 | Fujitsu Ltd | 光サージ抑圧型光増幅器 |
JP2015014653A (ja) * | 2013-07-03 | 2015-01-22 | 日本電信電話株式会社 | フォトニック結晶共振器 |
-
2015
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Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1138242A (ja) * | 1997-03-27 | 1999-02-12 | Nederland Centr Org Toegepast Natuur Onder | エルビウムがドープされた平面導波装置 |
JPH11330619A (ja) * | 1998-05-18 | 1999-11-30 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光デバイス |
US6597721B1 (en) * | 2000-09-21 | 2003-07-22 | Ut-Battelle, Llc | Micro-laser |
JP2002107778A (ja) * | 2000-09-29 | 2002-04-10 | Toshiba Corp | アップコンバージョン光素子 |
JP2002365401A (ja) * | 2001-06-08 | 2002-12-18 | Autocloning Technology:Kk | フォトニック結晶光共振器 |
JP2005260005A (ja) * | 2004-03-11 | 2005-09-22 | Fuji Xerox Co Ltd | 光増幅器および光増幅装置 |
JP2010147484A (ja) * | 2010-01-06 | 2010-07-01 | Fujitsu Ltd | 光サージ抑圧型光増幅器 |
JP2015014653A (ja) * | 2013-07-03 | 2015-01-22 | 日本電信電話株式会社 | フォトニック結晶共振器 |
Non-Patent Citations (4)
Title |
---|
JING YOUNG YE AND MITSURU ISHIKAWA: ""Enhancement of two-photon excited fluorescence using one-dimensional photonic crystals"", APPLIED PHYSICS LETTERS, vol. 75, no. 23, JPN4006000287, 6 December 1999 (1999-12-06), pages 3605 - 3607, XP012024190, ISSN: 0003666877, DOI: 10.1063/1.125402 * |
KATSUMI YOSHINO, ET AL.: ""Mechanical Tuning of the Optical Properties of Plastic Opal as a Photonic Crystal"", JPN.J.APPL.PHYS., vol. Vol.38,Part2,No.7A, JPN4006000288, 1 July 1999 (1999-07-01), pages 786 - 788, ISSN: 0003666879 * |
ZHENGWEN YANG, ET AL.: ""Effect of photonic bandgap on upconversion emission in YbPO4:Er inverse opal photonic crystals"", APPLIED OPTICS, vol. 50, no. 3, JPN6017040577, 20 January 2011 (2011-01-20), pages 287 - 290, XP001559771, ISSN: 0003666876, DOI: 10.1364/AO.50.000287 * |
ZHENGWEN YANG, ET AL.: ""significant reduction of upconversion emission in CaTiO3:Yb, Er inverse opals"", THIN SOLID FILMS, vol. 519, no. 16, JPN6017040578, 1 June 2011 (2011-06-01), pages 5696 - 5699, XP028385678, ISSN: 0003666878, DOI: 10.1016/j.tsf.2011.03.027 * |
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