JP6308020B2 - 光半導体装置及びその製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、発光ダイオードがボンディングされた光半導体装置及びその製造方法に関する。

ＬＥＤ（発光ダイオード：Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）が搭載された光半導体装置として、特許文献１に開示されたものが知られている。特許文献１に記載の光半導体装置は、成型体に青色ＬＥＤをボンディングし、青色ＬＥＤを取り囲むように成型体を立ち上げて青色ＬＥＤから発せられた光を反射する反射板とし、その中に蛍光体を含有する透明封止部を充填して青色ＬＥＤを封止したものである。

国際公開第２００７／０１５４２６号パンフレット

近年、このような光半導体装置が、照明又は街灯等のＬＥＤ照明として採用されるようになってきた。しかしながら、実際に使用してみると、ＬＥＤの保証時間よりも短時間でＬＥＤ照明の照度が低下してしまう。これは、光半導体装置の電極に銀めっき層を形成しており、この銀めっき層が変色することに起因するものである。すなわち、透明封止部には、一般的にガス又は水分の透過性が高い樹脂が使用されているため、透明封止部を透過したガス又は水分により銀めっき層が腐食して変色する。特に、硫化水素ガスにより銀めっき層が硫化すると、電極が黒色に変色するため、照度の低下が顕著に表れる。

また、従来は、反射板として熱可塑性樹脂が採用されており、銀めっき層の硫化速度よりも反射板の黄変速度の方が速かったため、銀めっき層の硫化による照度低下は目立たなかった。しかしながら、最近は、反射板として熱硬化性樹脂が採用されるようになり、銀めっき層の硫化速度よりも反射板の黄変速度の方が遅くなったため、銀めっき層の硫化による照度低下が目立つようになってきた。しかも、ＬＥＤ照明がハイパワー化されると、青色ＬＥＤの発熱温度が高くなって銀めっき層の温度が上昇するため、銀めっき層の硫化が促進されてしまう。

更には、このような銀めっき層の硫化に伴う問題に鑑み、ＬＥＤ照明に採用する光半導体装置の耐硫化水素ガスの評価を規格化する動きもある。

本発明者らが鋭意検討を行ったところ、透明封止部のガス透過性を改良するのではなく、粘土によるガスバリア性を有するガスバリア層を設けることで、銀めっき層の硫化を効果的に抑制することができ、ガスバリア層の層厚を均一化することでガスバリア層のガスバリア性を高めることができることを見出した。

そこで、本発明は、銀めっき層の硫化を抑制しつつ、ガスバリア性を高めることができる光半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。

本発明の一側面に係る光半導体装置は、表面に銀めっき層が形成された基板と、銀めっき層にボンディングされた発光ダイオードと、発光ダイオードを取り囲む光反射面により発光ダイオードを収容する内側空間を形成する光反射部と、内側空間に充填されて発光ダイオードを封止する透明封止部と、基板から離れた位置に形成されて、粘土によるガスバリア性を有するガスバリア層と、を備える。

本発明の一側面に係る光半導体装置によれば、粘土によるガスバリア性を有するガスバリア層が形成されているため、銀めっき層の硫化を抑制することができる。これにより、銀めっき層が黒色化することよる光半導体装置の照度低下を大幅に抑制することができる。ところで、粘土によるガスバリア性を有するガスバリア層は、層厚を均一化することでガスバリア性が高まる。一方、銀めっき層が形成される基板表面は凹凸になっているため、基板表面にガスバリア層を形成すると、ガスバリア層の層厚を均一化するのが難しくなる。そこで、基板から離れた位置にガスバリア層を形成することで、ガスバリア層の層厚を均一化することができる。これにより、ガスバリア層のガスバリア性を高めることができる。

一実施形態として、ガスバリア層と基板との間に、透明封止部が配置されていてもよい。このようにガスバリア層と基板との間に透明封止部が配置されることで、基板からガスバリア層が離れることになるため、ガスバリア層と基板との間のマイグレーションを防止することができる。

また、一実施形態として、ガスバリア層は、透明封止部に埋設されていてもよい。このように、ガスバリア層が透明封止部に埋設されているため、ガスバリア層が剥離するのを防止することができる。

また、一実施形態として、ガスバリア層は、透明封止部の表面に形成されていてもよい。このように、ガスバリア層が透明封止部の表面に形成されているため、透明封止部及びガスバリア層を容易に形成することができる。

また、一実施形態として、基板及び光反射面に形成されて、ガスバリア層が積層されるプライマ層を更に備えていてもよい。このように基板とガスバリア層との間にプライマ層が形成されていることで、基板とガスバリア層との間に透明封止部を充填することなく、ガスバリア層を基板から離れた位置に配置することができる。しかも、プライマ層によりガスバリア層の形成される面が平坦化されるため、ガスバリア層を直接基板に形成した場合に比べて、ガスバリア層の層厚を均一化することができる。これにより、ガスバリア層のガスバリア性を高めることができる。

また、一実施形態として、銀めっき層の表面に形成されて、粘土によるガスバリア性を有する第二ガスバリア層を更に有していてもよい。このように銀めっき層の表面に第二ガスバリア層が形成されていることで、ガスバリア層を容易に多層化することができる。これにより、ガスバリア性を更に高めることができる。

また、一実施形態として、基板と発光ダイオードとにボンディングされたボンディングワイヤを更に備え、第二ガスバリア層は、ボンディングワイヤを覆っていてもよい。このようにボンディングワイヤが第二ガスバリア層に覆われていることで、ボンディングワイヤの材料を銀とした場合に、ボンディングワイヤが硫化するのを抑制することができる。

また、一実施形態として、第二ガスバリア層は、光反射面を覆っていてもよい。このように光反射面が第二ガスバリア層に覆われていることで、光反射面の酸化を抑制することができる。これにより、光反射面が変色することよる光半導体装置の照度低下を大幅に抑制することができる。

本発明に係る光半導体装置の製造方法は、表面に銀めっき層が形成され、銀めっき層に発光ダイオードがボンディングされた基板と、銀めっき層にボンディングされた発光ダイオードと、発光ダイオードを取り囲む光反射面により発光ダイオードを収容する内側空間を形成する光反射部と、を備える中間部品を準備する準備工程と、透明封止部を内側空間に充填し、透明封止部で発光ダイオードを封止する透明封止部封止工程と、基板から離れた位置に、粘土によるガスバリア性を有するガスバリア層を形成するガスバリア層形成工程と、を備える。

本発明に係る光半導体装置の製造方法によれば、粘土によるガスバリア性を有するガスバリア層を形成するため、銀めっき層の硫化を抑制することができる。これにより、銀めっき層が黒色化することよる光半導体装置の照度低下を大幅に抑制することができる。ところで、粘土によるガスバリア性を有するガスバリア層は、層厚を均一化することでガスバリア性が高まる。一方、銀めっき層が形成される基板表面は凹凸になっているため、基板表面にガスバリア層を形成すると、ガスバリア層の層厚を均一化するのが難しくなる。そこで、基板から離れた位置にガスバリア層を形成することで、ガスバリア層の層厚を均一化することができる。これにより、ガスバリア層のガスバリア性を高めることができる。

一実施形態として、基板及び光反射面に、ガスバリア層が積層されるプライマ層を形成するプライマ層形成工程を更に備えてもよい。このように基板とガスバリア層との間にプライマ層を形成することで、基板とガスバリア層との間に透明封止部を充填することなく、ガスバリア層を基板から離れた位置に形成することができる。しかも、プライマ層によりガスバリア層の形成される面が平坦化されるため、ガスバリア層を直接基板に形成した場合に比べて、ガスバリア層の層厚を均一化することができる。これにより、ガスバリア層のガスバリア性を高めることができる。

また、一実施形態として、銀めっき層の表面に、粘土によるガスバリア性を有する第二ガスバリア層を形成する第二ガスバリア層形成工程を更に備えてもよい。このように銀めっき層の表面に第二ガスバリア層を形成することで、ガスバリア層を容易に多層化することができる。これにより、ガスバリア性を更に高めることができる。

本発明によれば、銀めっき層の硫化を抑制しつつ、ガスバリア性を高めることができる光半導体装置を提供することができる。

第１の実施形態に係る光半導体装置の断面図である。 図１に示す光半導体装置の平面図である。 モンモリロナイトを用いた硫化防止膜の構成を説明するための概念図である。 第１の実施形態に係る光半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。 第１の実施形態に係る光半導体装置の製造工程を示す図である。 第１の実施形態に係る光半導体装置の製造工程を示す図である。 第２の実施形態に係る光半導体装置の断面図である。 第２の実施形態に係る光半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。 第３の実施形態に係る光半導体装置の断面図である。 第３の実施形態に係る光半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。 第４の実施形態に係る光半導体装置の断面図である。 第４の実施形態に係る光半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。 第５の実施形態に係る光半導体装置の断面図である。 第６の実施形態に係る光半導体装置の断面図である。 第６の実施形態に係る光半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。

以下、図面を参照して、実施形態に係る光半導体装置及びその製造方法の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、全図中、同一又は相当部分には同一符号を付すこととする。

［第１の実施形態］
図１及び図２に示すように、実施形態に係る光半導体装置１は、一般に「表面実装型」に分類されるものである。この光半導体装置１は、基板１０と、基板１０の表面にボンディングされた青色発光ダイオード３０と、青色発光ダイオード３０を取り囲むように基板１０の表面に設けられたリフレクタ２０と、リフレクタ２０に充填されて青色発光ダイオード３０を封止する透明封止部４０と、銀めっき層１６を覆うガスバリア層５０と、を備えている。なお、図２では、透明封止部４０の図示を省略している。なお、本実施形態において「銀めっき層１６を覆う」とは、銀めっき層１６を直接的又は間接的に覆うことをいう。銀めっき層１６を間接的に覆うとは、例えば、銀めっき層１６との間に他の部材を介して覆うことをいう。

基板１０は、絶縁性の基体１２の表面に銅めっき板１４が配線されており、銅めっき板１４の表面に銀めっき層１６が形成されている。但し、基板１０の構造は、これに限定されるものではなく、適宜変更することが可能である。銀めっき層１６は、基板１０の表面に配置されて青色発光ダイオード３０と導通される電極となっている。なお、銀めっき層１６は、銀を含むめっき層であれば如何なる組成であってもよい。例えば、銀のみをめっきすることにより銀めっき層１６を形成してもよく、ニッケル及び銀をこの順でめっきすることにより銀めっき層１６を形成してもよい。銅めっき板１４及び銀めっき層１６は、アノード側とカソード側とに絶縁されている。アノード側の銅めっき板１４及び銀めっき層１６とカソード側の銅めっき板１４及び銀めっき層１６との間の絶縁は、例えば、アノード側の銅めっき板１４及び銀めっき層１６とカソード側の銅めっき板１４及び銀めっき層１６とを離間させ、適宜、その間に樹脂及びセラミック等の絶縁層を挿入することにより行うことができる。

青色発光ダイオード３０は、アノード側及びカソード側の何れか一方の銀めっき層１６にダイボンドされており、ダイボンド材３２を介して当該銀めっき層１６と導通されている。また、青色発光ダイオード３０は、アノード側及びカソード側の何れか他方の銀めっき層１６にワイヤボンドされており、ボンディングワイヤ３４を介して当該銀めっき層１６と導通されている。

リフレクタ２０は、青色発光ダイオード３０を封止するための透明封止部４０を充填させるとともに、青色発光ダイオード３０から発せられた光を光半導体装置１の表面側に反射させる光反射部である。リフレクタ２０は、青色発光ダイオード３０を取り囲むように基板１０の表面から立設されており、内側に青色発光ダイオード３０を収容する内側空間２２を形成している。このため、内側空間２２における基板１０の反対側が、内側空間２２の開口２４となっている。そして、リフレクタ２０は、光反射面２０ａと、頂面２０ｂと、外周面２０ｃと、を備えている。光反射面２０ａは、平面視（図２参照）において、円形に形成されており、青色発光ダイオード３０を取り囲んで青色発光ダイオード３０を収容する内側空間２２を形成している。つまり、青色発光ダイオード３０を取り囲む光反射面２０ａにより、青色発光ダイオード３０を収容する内側空間２２が形成されている。頂面２０ｂは、光反射面２０ａに隣接して内側空間２２の外側に位置し、光反射面２０ａの表側端縁から内側空間２２の反対側に向けて広がっている。外周面２０ｃは、平面視（図２参照）において矩形に形成されており、基板１０の表面１０ａから頂面２０ｂの外側端縁に立ち上がっている。光反射面２０ａ及び外周面２０ｃの形状は特に限定されるものではないが、光半導体装置１の照度向上の観点から、光反射面２０ａは、基板１０から離れるに従い拡径する円錐台形状（漏斗状）に形成することが好ましく、光半導体装置１の集積度向上の観点から、外周面２０ｃは、基板１０に対して垂直な四角形状に形成することが好ましい。なお、図面では、光反射面２０ａの形成例として、基板１０側に位置する下部分が基板１０に対して垂直となっており、基板１０の反対側に位置する上部分が基板１０から離れるに従い拡径しているものを図示している。

リフレクタ２０は、白色顔料が含有された熱硬化性樹脂組成物の硬化物からなっている。熱硬化性樹脂組成物は、リフレクタ２０の形成容易性の観点から、熱硬化前においては室温（２５℃）で加圧成型可能なものが好ましい。

熱硬化性樹脂組成物に含まれる熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ウレタン樹脂、シアネート樹脂等種々のものを用いることができる。特に、エポキシ樹脂は、種々の材料に対する接着性が優れるため好ましい。

白色顔料としては、アルミナ、酸化マグネシウム、酸化アンチモン、酸化チタン又は酸化ジルコニウム等を使用することができる。これらの中でも光反射性の点から酸化チタンが好ましい。白色顔料として無機中空粒子を使用してもよい。無機中空粒子の具体例として、珪酸ソーダガラス、アルミ珪酸ガラス、硼珪酸ソーダガラス、シラス等が挙げられる。

透明封止部４０は、リフレクタ２０の光反射面２０ａにより形成される内側空間２２に充填されて、青色発光ダイオード３０を封止するものである。この透明封止部４０は、透光性を有する透明封止樹脂からなる。透明封止樹脂には、完全に透明な樹脂の他、半透明な樹脂も含まれる。透明封止樹脂としては、弾性率が室温（２５℃）において１ＭＰａ以下のものが好ましい。特に、透明性の点からシリコーン樹脂又はアクリル樹脂を採用することが好ましい。透明封止樹脂は、光を拡散する無機充填材又は青色発光ダイオード３０から発せられる青色光を励起源として白色光とする蛍光体４２を更に含有してもよい。

ガスバリア層５０は、粘土によるガスバリア性を有するガスバリア層であり、銀めっき層１６覆うことにより銀めっき層１６の硫化を抑制するものである。ガスバリア層５０は、基板１０から離れた位置に配置されて、銀めっき層１６を内側空間２２の開口２４側から覆っている。ガスバリア層５０は、透明封止部４０に埋設されており、ガスバリア層５０の表裏面が透明封止部４０に封止されている。また、ガスバリア層５０は、光反射面２０ａの内側空間２２を囲む全周に接続されており、透明封止部４０は、ガスバリア層５０により基板１０側の部分と開口２４側の部分とに分けられている。このため、銀めっき層１６には、開口２４に向けて、透明封止部４０、ガスバリア層５０及び透明封止部４０が、この順で積層されている。

ガスバリア層５０は、粘土を含む層である。ガスバリア層５０を構成する粘土としては、天然粘土及び合成粘土の何れも使用することができ、例えば、スチーブンサイト、ヘクトサイト、サポナイト、モンモリロナイト及びバイデライトのうち何れか１種以上を使用することができる。特に、天然粘土のモンモリロナイトは、図３に示すように、厚さＨが１ｎｍ以下、長さＬが１０ｎｍ以上４００ｎｍ以下とアスペクト比が高く、ガスのパスルートが長くなるため、ガスバリア性に優れる。

ガスバリア層５０の層厚は、０．０１μｍ以上１０００μｍ以下であることが好ましく、０．０３μｍ以上５００μｍ以下であることが更に好ましく、０．０５μｍ以上１００μｍ以下であることが更に好ましく、０．０５μｍ以上１０μｍ以下であることが更に好ましく、０．０５μｍ以上１μｍ以下であることが更に好ましい。ガスバリア層５０の層厚を０．０１μｍ以上１０００μｍ以下とすることで、銀めっき層１６に対するガスバリア性とガスバリア層５０の透明性とを両立させることができる。この場合、ガスバリア層５０の層厚を０．０３μｍ以上５００μｍ以下、０．０５μｍ以上１００μｍ以下、０．０５μｍ以上１０μｍ以下、０．０５μｍ以上１μｍ以下にすることで、この効果を更に向上させることができる。

ところで、上述した粘土を使用したガスバリア層５０は、０．０１μｍ以上１０００μｍ以下の層厚であれば、十分な透光性を有する。このため、ガスバリア層５０で光反射面２０ａを覆っていても、リフレクタ２０の反射特性に大きく影響しない。しかも、天然粘土であるモンモリロナイトの薄膜は、青色光の周波数帯を増幅する作用がある。このため、天然粘土であるモンモリロナイトを使用したガスバリア層５０で光反射面２０ａを覆うことで、青色発光ダイオード３０から発せられた青色光の反射効率が増大する。

次に、図４〜図６及び図１を参照して、光半導体装置１の製造方法について説明する。図４は、第１の実施形態に係る光半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。図５及び図６は、第１の実施形態に係る光半導体装置の製造工程を示す図である。

まず、図４及び図５の（ａ）に示すように、表面に銀めっき層１６が形成された基板１０と、銀めっき層１６にボンディングされた青色発光ダイオード３０と、青色発光ダイオード３０を取り囲む光反射面２０ａにより青色発光ダイオード３０を収容する内側空間２２を形成するリフレクタ２０と、を備える中間部品８を準備する準備工程（Ｓ１１）を行う。

次に、図４及び図５の（ｂ）に示すように、蛍光体４２が含まれた透明封止部４０を内側空間２２に充填し、この透明封止部４０で青色発光ダイオード３０を封止する透明封止部封止工程（Ｓ１２）を行う。このとき、透明封止部４０が内側空間２２の半分程度に充填されるように、透明封止部４０の充填量を調整する。この場合、透明封止部４０でボンディングワイヤ３４を封止しても封止しなくてもよい。その後、透明封止部４０を乾燥等して硬化させる。

次に、図４及び図６の（ａ）に示すように、基板１０から離れた位置にガスバリア層５０を形成するガスバリア層形成工程（Ｓ１３）を行う。ガスバリア層形成工程では、まず、粘土希釈液Ｌを、透明封止部４０が充填された内側空間２２に滴下又は散布する。このとき、粘土希釈液Ｌが、透明封止部４０の表面全体を覆って光反射面２０ａの内側空間２２を囲む全周に接触するように、粘土希釈液Ｌの滴下量又は散布量を調節する。その後、粘土希釈液Ｌの溶媒を乾燥させる。すると、透明封止部４０の表面全体に、光反射面２０ａの全周に接続されたガスバリア層５０が形成される。これにより、銀めっき層１６は、開口２４側から透明封止部４０を介してガスバリア層５０に覆われた状態となる。

次に、図４及び図１に示すように、蛍光体４２が含まれた透明封止部４０を、ガスバリア層５０が形成された内側空間２２に充填し、内側空間２２を完全に埋めるガスバリア層埋設工程（Ｓ１４）を行う。これにより、ガスバリア層５０が透明封止部４０に埋設されて、銀めっき層１６の上に、透明封止部４０、ガスバリア層５０及び透明封止部４０がこの順に積層される。

このように、本実施形態に係る光半導体装置１によれば、銀めっき層１６が粘土によるガスバリア性を有するガスバリア層５０で覆われているため、銀めっき層１６の硫化を抑制することができる。これにより、銀めっき層１６が黒色化することよる光半導体装置１の照度低下を大幅に抑制することができる。ところで、粘土によるガスバリア性を有するガスバリア層は、層厚を均一化することでガスバリア性が高まる。一方、銀めっき層１６が形成される基板１０表面は凹凸になっているため、基板１０表面にガスバリア層を形成すると、ガスバリア層の層厚を均一化するのが難しくなる。そこで、基板１０から離れた位置にガスバリア層５０を配置することで、ガスバリア層５０の層厚を均一化することができる。これにより、ガスバリア層５０のガスバリア性を高めることができる。

しかも、ガスバリア層５０と基板１０との間に透明封止部４０が配置されることで、基板１０からガスバリア層５０が離れることになるため、ガスバリア層５０と基板１０との間のマイグレーションを防止することができる。

また、ガスバリア層５０が透明封止部４０に埋設されているため、ガスバリア層５０が剥離するのを防止することができる。

［第２の実施形態］
次に、第２の実施形態について説明する。第２の実施形態は、基本的に第１の実施形態と同様であり、ガスバリア層の形成位置のみ第１の実施形態と相違する。このため、以下の説明では、第１の実施形態と相違する事項のみを説明し、第１の実施形態と同様の説明を省略する。

図７は、第２の実施形態に係る光半導体装置の断面図である。図７に示すように、第２の実施形態に係る光半導体装置２は、第１の実施形態のガスバリア層５０の代わりに、透明封止部４０の表面に形成されたガスバリア層５１を備えている。

ガスバリア層５１は、第１の実施形態のガスバリア層５０と同様に、粘土によるガスバリア性を有するガスバリア層であり、銀めっき層１６覆うことにより銀めっき層１６の硫化を抑制するものである。ガスバリア層５１は、基板１０から離れた位置に配置されて、銀めっき層１６を内側空間２２の開口２４側から覆っている。そして、ガスバリア層５１は、透明封止部４０の表面及びリフレクタ２０の頂面２０ｂに形成されており、内側空間２２全体を覆うように、頂面２０ｂの内側空間２２を囲む全周に接続されている。このため、銀めっき層１６には、開口２４に向けて、透明封止部４０及びガスバリア層５１が、この順で積層されている。なお、ガスバリア層５１の材料、構成、層厚等は、第１の実施形態のガスバリア層５０と同様である。

次に、図７及び図８を参照して、光半導体装置２の製造方法について説明する。図８は、第２の実施形態に係る光半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。

図７及び図８に示すように、まず、第１の実施形態と同様の準備工程（Ｓ２１）を行う。

次に、蛍光体４２が含まれた透明封止部４０を内側空間２２に充填し、この透明封止部４０で青色発光ダイオード３０を封止する透明封止部封止工程（Ｓ２２）を行う。このとき、透明封止部４０が内側空間２２の全体に充填されるように、透明封止部４０の充填量を調整する。

次に、基板１０から離れた位置にガスバリア層５１を形成するガスバリア層形成工程（Ｓ２３）を行う。ガスバリア層形成工程では、まず、粘土希釈液を、透明封止部４０の表面及びリフレクタ２０の頂面２０ｂに滴下又は散布する。このとき、粘土希釈液が、透明封止部４０の表面全体を覆って頂面２０ｂの内側空間２２を囲む全周に接触するように、粘土希釈液の滴下量又は散布量を調節する。その後、粘土希釈液の溶媒を乾燥させる。すると、透明封止部４０の表面全体に、頂面２０ｂの全周に接続されたガスバリア層５１が形成される。これにより、銀めっき層１６は、開口２４側から透明封止部４０を介してガスバリア層５１に覆われた状態となる。

このように、本実施形態に係る光半導体装置２によれば、ガスバリア層５１が透明封止部４０の表面に形成されているため、透明封止部４０及びガスバリア層５１を容易に形成することができる。

［第３の実施形態］
次に、第３の実施形態について説明する。第３の実施形態は、基本的に第１の実施形態と同様であり、第二ガスバリア層を新たに備える点のみ第１の実施形態と相違する。このため、以下の説明では、第１の実施形態と相違する事項のみを説明し、第１の実施形態と同様の説明を省略する。

図９は、第３の実施形態に係る光半導体装置の断面図である。図９に示すように、第３の実施形態に係る光半導体装置３は、第１の実施形態に係る光半導体装置１に第二ガスバリア層５２を新たに備えたものである。

第二ガスバリア層５２は、第１の実施形態のガスバリア層５０と同様に、粘土によるガスバリア性を有するガスバリア層であり、銀めっき層１６を覆うことにより銀めっき層１６の硫化を抑制するものである。第二ガスバリア層５２は、基板１０（銀めっき層１６）の表面に形成されて、銀めっき層１６を内側空間２２の開口２４側から覆っている。このため、第二ガスバリア層５２は、銀めっき層１６に直接積層されている。そして、銀めっき層１６には、開口２４に向けて、第二ガスバリア層５２、透明封止部４０、ガスバリア層５０及び透明封止部４０が、この順で積層されている。なお、第二ガスバリア層５２の材料、構成、層厚等は、第１の実施形態のガスバリア層５０と同様である。

次に、図９及び図１０を参照して、光半導体装置３の製造方法について説明する。図１０は、第３の実施形態に係る光半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。

図９及び図１０に示すように、まず、表面に銀めっき層１６が形成された基板１０と、銀めっき層１６にボンディングされた青色発光ダイオード３０と、青色発光ダイオード３０を取り囲む光反射面２０ａにより青色発光ダイオード３０を収容する内側空間２２を形成するリフレクタ２０と、を備える中間部品を準備する準備工程（Ｓ３１）を行う。なお、第２の実施形態の準備工程では、青色発光ダイオード３０と銀めっき層１６とがワイヤボンディングされていない中間部品を準備する。

次に、銀めっき層１６の表面に第二ガスバリア層５２を形成する第二ガスバリア層形成工程（Ｓ３２）を行う。第二ガスバリア層形成工程では、まず、粘土希釈液を、内側空間２２に滴下又は散布する。このとき、粘土希釈液が、内側空間２２に露出する基板１０の表面全体を覆って光反射面２０ａの内側空間２２を囲む全周に接触するように、粘土希釈液の滴下量又は散布量を調節する。その後、粘土希釈液の溶媒を乾燥させる。すると、内側空間２２に露出する基板１０の表面全体に、光反射面２０ａの内側空間２２を囲む全周に接続された第二ガスバリア層５２が形成される。これにより、銀めっき層１６は、開口２４側から第二ガスバリア層５２に覆われた状態となる。

次に、青色発光ダイオード３０と第二ガスバリア層５２が覆われた銀めっき層１６とをワイヤボンディングして電気的に接続する接続工程（Ｓ３３）を行う。この接続工程に用いられるワイヤボンディング装置には、公知のものを用いることができる。ワイヤボンディング装置は、ボンディングワイヤ３４が挿通されるキャピラリ（図示せず）を備えている。キャピラリを所定の位置に移動させた後に降下させて、ボンディングワイヤ３４を青色発光ダイオード３０又は第二ガスバリア層５２が形成された銀めっき層１６に押し付けることにより、ボンディングワイヤ３４が固着される。このとき、ボンディングワイヤ３４が青色発光ダイオード３０又は銀めっき層１６に固着されるように、以下に例示される条件とすることができる。すなわち、キャピラリに６０ｇ以上１５０ｇｆ以下程度の荷重を印可し、又は、キャピラリに８０ｋＨｚ以上１６０ｋＨｚ以下の周波数帯で振動させる。これにより、ボンディングワイヤ３４により青色発光ダイオード３０と銀めっき層１６とが互いに電気的に接続される。

次に、蛍光体４２が含まれた透明封止部４０を、第二ガスバリア層５２が形成された内側空間２２に充填し、この透明封止部４０で青色発光ダイオード３０を封止する透明封止部封止工程（Ｓ３４）を行う。このとき、透明封止部４０が内側空間２２の半分程度に充填されるように、透明封止部４０の充填量を調整する。この場合、透明封止部４０でボンディングワイヤ３４を封止しても封止しなくてもよい。その後、透明封止部４０を乾燥等して硬化させる。

次に、基板１０から離れた位置にガスバリア層５０を形成するガスバリア層形成工程（Ｓ３５）を行う。ガスバリア層形成工程では、まず、粘土希釈液を、透明封止部４０が充填された内側空間２２に滴下又は散布する。このとき、粘土希釈液が、透明封止部４０の表面全体を覆って光反射面２０ａの内側空間２２を囲む全周に接触するように、粘土希釈液の滴下量又は散布量を調節する。その後、粘土希釈液の溶媒を乾燥させる。すると、透明封止部４０の表面全体に、光反射面２０ａの内側空間２２を囲む全周に接続されたガスバリア層５０が形成される。これにより、ガスバリア層が多層（二層）構造となり、銀めっき層１６は、開口２４側から第二ガスバリア層５２とガスバリア層５０とに覆われた状態となる。

次に、第１の実施形態と同様のガスバリア層埋設工程（Ｓ３６）を行う。これにより、銀めっき層１６の上に、第二ガスバリア層５２、透明封止部４０、ガスバリア層５０及び透明封止部４０がこの順に積層される。

このように、本実施形態に係る光半導体装置３によれば、銀めっき層１６の表面に第二ガスバリア層５２を形成することで、ガスバリア層を容易に多層化することができる。これにより、ガスバリア性を更に高めることができる。

［第４の実施形態］
次に、第４の実施形態について説明する。第４の実施形態は、基本的に第３の実施形態と同様であり、第二ガスバリア層の形状が異なる点のみ第３の実施形態と相違する。このため、以下の説明では、第３の実施形態と相違する事項のみを説明し、第３の実施形態と同様の説明を省略する。

図１１は、第４の実施形態に係る光半導体装置の断面図である。図１１に示すように、第４の実施形態に係る光半導体装置４は、第３の実施形態の第二ガスバリア層５２の代わりに、光反射面２０ａまで延びてボンディングワイヤ３４を覆う第二ガスバリア層５３を備えている。

第二ガスバリア層５３は、第１の実施形態のガスバリア層５０及び第２の実施形態の第二ガスバリア層５２と同様に、粘土によるガスバリア性を有するガスバリア層であり、銀めっき層１６を覆うことにより銀めっき層１６の硫化を抑制するものである。第二ガスバリア層５３は、内側空間２２に露出する基板１０（銀めっき層１６）の表面に形成されて、銀めっき層１６を内側空間２２の開口２４側から覆っている。このため、第二ガスバリア層５３は、銀めっき層１６に直接積層されている。

そして、第二ガスバリア層５３は、光反射面２０ａの表面及びボンディングワイヤ３４の表面にも形成されている。第二ガスバリア層５３のうち、光反射面２０ａに形成される部分を光反射面覆部５３ａといい、ボンディングワイヤ３４の表面に形成される部分をボンディングワイヤ覆部５３ｂという。

光反射面覆部５３ａは、光反射面２０ａの全面に形成されていてもよく、光反射面２０ａの一部にのみ形成されていてもよい。なお、図１１では、光反射面覆部５３ａが光反射面２０ａの全面に形成された状態を示している。

ボンディングワイヤ覆部５３ｂは、ボンディングワイヤ３４の表面全体に略同じ層厚で形成されている。このため、ボンディングワイヤ覆部５３ｂは、ボンディングワイヤ３４に沿って青色発光ダイオード３０から銀めっき層１６までループ状に延びており、ボンディングワイヤ３４と同様に基板１０及び青色発光ダイオード３０との間に隙間が形成されている。

なお、第二ガスバリア層５３の材料、構成、層厚等は、第１の実施形態のガスバリア層５０及び第２の実施形態の第二ガスバリア層５２と同様である。

次に、図１１及び図１２を参照して、光半導体装置４の製造方法について説明する。図１２は、第４の実施形態に係る光半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。

図１１及び図１２に示すように、まず、第１の実施形態と同様の準備工程（Ｓ４１）を行う。

次に、銀めっき層１６の表面に、粘土によるガスバリア性を有して銀めっき層１６を覆う第二ガスバリア層５３を形成する第二ガスバリア層形成工程（Ｓ４２）を行う。第二ガスバリア層形成工程では、まず、粘土希釈液を、内側空間２２に滴下又は散布する。このとき、粘土希釈液が光反射面２０ａの一部または全面を覆い、且つ、ボンディングワイヤ３４を完全に覆うように、粘土希釈液の滴下量又は散布量を調節する。このとき、光反射面２０ａの全面に光反射面覆部５３ａを覆う場合は、内側空間２２を粘土希釈液で満たして光反射面２０ａの全面が粘土希釈液で覆われるように、粘土希釈液の滴下量又は散布量を調節する。一方、光反射面２０ａの一部にのみ光反射面覆部５３ａを覆う場合は、内側空間２２を粘土希釈液で満たさずに光反射面２０ａの一部のみが粘土希釈液で覆われるように、粘土希釈液の滴下量又は散布量を調節する。その後、粘土希釈液の溶媒を乾燥させる。すると、内側空間２２に露出する基板１０の表面全体に、第二ガスバリア層５３が形成され、光反射面２０ａの表面に、第二ガスバリア層５３の光反射面覆部５３ａが形成され、ボンディングワイヤ３４の表面全体に、第二ガスバリア層５３のボンディングワイヤ覆部５３ｂが形成される。これにより、銀めっき層１６は、開口２４側から第二ガスバリア層５３に覆われた状態となる。

次に、蛍光体４２が含まれた透明封止部４０を、第二ガスバリア層５３が形成された内側空間２２に充填し、この透明封止部４０で青色発光ダイオード３０を封止する透明封止部封止工程を行う（Ｓ４３）。このとき、透明封止部４０が内側空間２２の半分程度に充填されるように、透明封止部４０の充填量を調整する。この場合、透明封止部４０でボンディングワイヤ３４を封止しても封止しなくてもよい。その後、透明封止部４０を乾燥等して硬化させる。

次に、基板１０から離れた位置にガスバリア層５０を形成するガスバリア層形成工程（Ｓ４４）を行う。ガスバリア層形成工程では、まず、粘土希釈液を、透明封止部４０が充填された内側空間２２に滴下又は散布する。このとき、光反射面覆部５３ａが透明封止部４０に覆われている場合は、粘土希釈液が透明封止部４０の表面全体を覆って光反射面覆部５３ａの全周に接触するように、粘土希釈液の滴下量又は散布量を調節する。一方、光反射面覆部５３ａが透明封止部４０から露出している場合は、粘土希釈液が透明封止部４０の表面全体を覆って光反射面２０ａの全周に接触するように、粘土希釈液の滴下量又は散布量を調節する。その後、粘土希釈液の溶媒を乾燥させる。すると、透明封止部４０の表面全体に、光反射面２０ａ又は光反射面覆部５３ａの内側空間２２を囲む全周に接続されたガスバリア層５０が形成される。これにより、ガスバリア層が多層（二層）構造となり、銀めっき層１６は、開口２４側から第二ガスバリア層５３とガスバリア層５０とに覆われた状態となる。

次に、第１の実施形態と同様のガスバリア層埋設工程（Ｓ４５）を行う。これにより、銀めっき層１６の上に、第二ガスバリア層５３、透明封止部４０、ガスバリア層５０及び透明封止部４０がこの順に積層される。

このように、本実施形態に係る光半導体装置４によれば、光反射面２０ａが光反射面覆部５３ａに覆われることで、光反射面２０ａの酸化を抑制することができる。これにより、光反射面２０ａが変色することよる光半導体装置４の照度低下を大幅に抑制することができる。

また、ボンディングワイヤ３４がボンディングワイヤ覆部５３ｂに覆われることで、ボンディングワイヤ３４の材料を銀とした場合に、ボンディングワイヤ３４が硫化するのを抑制することができる。

［第５の実施形態］
次に、第５の実施形態について説明する。第５の実施形態は、基本的に第４の実施形態と同様であり、ボンディングワイヤ覆部の形状が異なる点のみ第４の実施形態と相違する。このため、以下の説明では、第４の実施形態と相違する事項のみを説明し、第４の実施形態と同様の説明を省略する。

図１３は、第５の実施形態に係る光半導体装置の断面図である。図１３に示すように、第５の実施形態に係る光半導体装置５は、第４の実施形態の第二ガスバリア層５３の代わりに第二ガスバリア層５４を備えている。

第二ガスバリア層５４は、第１の実施形態のガスバリア層５０及び第４の実施形態の第二ガスバリア層５３と同様に、粘土によるガスバリア性を有するガスバリア層であり、銀めっき層１６を覆うことにより銀めっき層１６の硫化を抑制するものである。

第二ガスバリア層５４は、内側空間２２に露出する基板１０（銀めっき層１６）の表面に形成されて、銀めっき層１６を内側空間２２の開口２４側から覆っている。このため、第二ガスバリア層５４は、銀めっき層１６に直接積層されている。

そして、第二ガスバリア層５４は、光反射面２０ａの表面に形成された光反射面覆部５４ａと、ボンディングワイヤ３４の表面に形成されたボンディングワイヤ覆部５４ｂと、を備えている。なお、光反射面覆部５４ａは、第４の実施形態の光反射面覆部５３ａと同様である。

ボンディングワイヤ覆部５４ｂは、第４の実施形態のボンディングワイヤ覆部５３ｂと同様に、ボンディングワイヤ３４の表面全体に形成されている。しかしながら、ボンディングワイヤ覆部５４ｂは、第４の実施形態のボンディングワイヤ覆部５３ｂと異なり、基板１０及び青色発光ダイオード３０との間を膜状に塞いでいる。

なお、第二ガスバリア層５４の材料、構成、層厚等は、第１の実施形態のガスバリア層５０及び第４の実施形態の第二ガスバリア層５３と同様である。

次に、光半導体装置５の製造方法について説明する。

光半導体装置５の製造方法は、基本的に第４の実施形態の光半導体装置４の製造方法と同様である。但し、第二ガスバリア層５４を形成するために内側空間２２に滴下又は散布した粘土希釈液の溶媒を乾燥させる際に、ボンディングワイヤ３４と基板１０及び青色発光ダイオード３０との間に粘土希釈液が保持させておく。なお、ボンディングワイヤ３４と基板１０及び青色発光ダイオード３０との間に粘土希釈液が保持させる方法としては、例えば、溶媒の乾燥速度を遅くする方法、粘土希釈液における粘土の濃度を高くする方法が挙げられる。これにより、ボンディングワイヤ３４と基板１０及び青色発光ダイオード３０との間を膜状に塞ぐボンディングワイヤ覆部５４ｂが形成される。

このように、本実施形態に係る光半導体装置５によっても、光反射面２０ａが光反射面覆部５４ａに覆われ、且つ、ボンディングワイヤ３４がボンディングワイヤ覆部５４ｂに覆われるため、第４の実施形態に係る光半導体装置４と同様の作用効果を奏することができる。

［第６の実施形態］
次に、第６の実施形態について説明する。第６の実施形態は、基本的に第３の実施形態と同様であり、ガスバリア層の構成が異なる点及びプライマ層を新たに備える点のみ第３の実施形態と相違する。このため、以下の説明では、第３の実施形態と相違する事項のみを説明し、第３の実施形態と同様の説明を省略する。

図１４は、第６の実施形態に係る光半導体装置の断面図である。図１４に示すように、第６の実施形態に係る光半導体装置６は、第３の実施形態に係る光半導体装置３にプライマ層６０を新たに備え、且つ、ガスバリア層５０及び第二ガスバリア層５２の代わりにガスバリア層５５を備えたものである。

ガスバリア層５５は、基本的に第３の実施形態の第二ガスバリア層５２と同様であり、プライマ層６０上に積層されている点のみ第３の実施形態の第二ガスバリア層５２と相違する。

プライマ層６０は、基板１０及び光反射面２０ａと透明封止部４０との間に配置されることで基板１０及び光反射面２０ａに対する透明封止部４０の剥離を抑制するものである。プライマ層６０は、内側空間２２に露出した基板１０及び光反射面２０ａに形成されており、その上面にガスバリア層５５が積層されている。プライマ層６０としては、接着性及び絶縁性を有する層が好ましく、例えば、珪酸化合物を含む層を用いることができる。珪酸化合物としては、例えば、シリコーンゴムなどのシリコーン系樹脂及び無機ガラスが挙げられる。

本実施形態で用いる珪酸化合物は、その柔軟性により接着性を得る観点から、線膨張係数が１８０ｐｐｍ〜４５０ｐｐｍであるものが好ましい。線膨張係数が１８０ｐｐｍ以上であることにより、柔軟性による接着性を確保することが容易となり、一方、線膨張係数が４５０ｐｐｍ以下であることにより、例えば、被覆又は封止に用いられる透明封止部４０によりプライマ層６０に変形が生じることを抑制することができる。柔軟性による接着性を高める観点から、珪酸化合物は、線膨張係数が２００ｐｐｍ〜４５０ｐｐｍであるものがより好ましく、被覆又は封止に用いられる透明封止部４０との接着信頼性を高める観点から、２００ｐｐｍ〜３５０ｐｐｍであるものが更に好ましい。

本実施形態で用いる珪酸化合物は、絶縁性を確保する観点から、体積抵抗率が１０^１０〜１０^１６Ω・ｃｍであるものが好ましく、絶縁性を高める観点から、１０^１２〜１０^１６Ω・ｃｍであるものがより好ましく、１０^１３〜１０^１６Ω・ｃｍであるものが更に好ましい。なお、珪酸化合物の体積抵抗率は、珪酸化合物３ｇを銅電極付き基板塗布し、１５０℃で３時間乾燥させて得られる体積抵抗率測定試験片について、ＪＩＳ Ｃ２１３９に従って測定される値を意味する。

プライマ層６０の層厚は、接着性の観点から１０ｎｍ〜１０００ｎｍが好ましく、耐水性の観点から３０ｎｍ〜１０００ｎｍがより好ましく、ガスバリア層５５のガスバリア性を効果的に発現させる観点から３０〜５００ｎｍが更に好ましい。

そして、プライマ層６０は、内側空間２２に露出した基板１０（銀めっき層１６）及び光反射面２０ａに形成されており、ガスバリア層５５は、プライマ層６０を介して銀めっき層１６を覆っている。このため、ガスバリア層５５は、基板１０から離れた位置に配置されており、銀めっき層１６には、開口２４に向けて、プライマ層６０、ガスバリア層５５及び透明封止部４０が、この順で積層されている。なお、プライマ層６０は、光反射面２０ａの全面に形成されていてもよく、光反射面２０ａの一部にのみ形成されていてもよい。また、ガスバリア層５５は、内側空間２２に露出した基板１０を覆っていればよく、青色発光ダイオード３０を覆っていても覆っていなくてもよい。

次に、図１４及び図１５を参照して、光半導体装置６の製造方法について説明する。図１５は、第６の実施形態に係る光半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。

図１４及び図１５に示すように、まず、第３の実施形態と同様の準備工程（Ｓ６１）を行う。なお、第６の実施形態の準備工程では、第３の実施形態と同様に、青色発光ダイオード３０と銀めっき層１６とがワイヤボンディングされていない中間部品を準備する。

次に、基板１０及び光反射面２０ａにプライマ層６０を形成するプライマ層形成工程（Ｓ６２）を行う。プライマ層形成工程では、まず、上述した珪酸化合物を溶媒で希釈したプライマ希釈液を内側空間２２に滴下又は散布する。このとき、光反射面２０ａの全面又は一部がプライマ希釈液で覆われるように、プライマ希釈液の滴下量又は散布量を調節する。その後、プライマ希釈液の溶媒を乾燥させる。すると、プライマ希釈液で覆われた範囲全面、つまり、銀めっき層１６、青色発光ダイオード３０及び光反射面２０ａの全面又は一部に、プライマ層６０が形成される。

次に、プライマ層６０の表面にガスバリア層５５を形成するガスバリア層形成工程（Ｓ６３）を行う。ガスバリア層形成工程では、まず、粘土希釈液を、内側空間２２に滴下又は散布する。このとき、粘土希釈液が、プライマ層６０を介して、内側空間２２に露出する基板１０の表面全体を覆って光反射面２０ａの内側空間２２を囲む全周に行き渡るように、粘土希釈液の滴下量又は散布量を調節する。その後、粘土希釈液の溶媒を乾燥させる。これにより、銀めっき層１６は、開口２４側からガスバリア層５５に覆われた状態となる。

次に、青色発光ダイオード３０とプライマ層６０及びガスバリア層５５が覆われた銀めっき層１６とをワイヤボンディングして電気的に接続する接続工程（Ｓ６４）を行う。この接続工程は、第３の実施形態の接続工程（Ｓ３３）と同様である。これにより、ボンディングワイヤ３４により青色発光ダイオード３０と銀めっき層１６とが互いに電気的に接続される。

その後、第３の実施形態と同様に、透明封止部封止工程（Ｓ６５）を行い、透明封止部４０を形成する。これにより、銀めっき層１６の上に、プライマ層６０、ガスバリア層５５及び透明封止部４０がこの順に積層される。

このように、本実施形態に係る光半導体装置６によれば、基板１０とガスバリア層５５との間にプライマ層６０が配置されることで、基板１０とガスバリア層５５との間に透明封止部４０を配置することなく、ガスバリア層５５を基板１０から離れた位置に配置することができる。そして、プライマ層６０によりガスバリア層５５の形成される面が平坦化されるため、ガスバリア層５５を直接基板１０に形成した場合に比べて、ガスバリア層５５の層厚を均一化することができる。これにより、ガスバリア層５５のガスバリア性を高めることができる。

また、プライマ層６０上にガスバリア層５５を積層することにより、透明性を確保しつつ、プライマ層６０及びガスバリア層５５の耐水性及び銀めっき層１６への接着力を向上させることができるとともに、被覆又は封止に用いられる透明封止部４０と光反射面２０ａとの間の剥がれを抑制することができる。

以上、本発明の一側面の好適な実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。

例えば、上記の各実施形態の各構成を、適宜組み合わせてもよい。例えば、第４又は第５の実施形態の第二ガスバリア層と、第３又は第６の実施形態の第二ガスバリア層とを、それぞれ置き換えてもよい。また、第６の実施形態のプライマ層を、第１〜第５の実施形態に適用してもよい。

また、第３の実施形態では、ガスバリア層の多層構造として二層構造を一例として説明したが、三層以上の多層構造としてもよい。

また、上記実施形態では、基体とリフレクタとは別部材であるものとして説明したが、一体的に形成してもよい。

また、上記実施形態では、光半導体装置にボンディングする発光ダイオードとして、青色の光を発生する青色発光ダイオードを採用するものとして説明したが、青色以外の光を発生する発光ダイオードを採用するものとしてもよい。

１〜６…光半導体装置、８…中間部品、１０…基板、１０ａ…表面、１２…基体、１４…銅めっき板、１６…銀めっき層、２０…リフレクタ（光反射部）、２０ａ…光反射面、２０ｂ…頂面、２０ｃ…外周面、２２…内側空間、２４…開口、３０…青色発光ダイオード（発光ダイオード）、３２…ダイボンド材、３４…ボンディングワイヤ、４０…透明封止部、４２…蛍光体、５０…ガスバリア層、５１…ガスバリア層、５２…第二ガスバリア層、５３…第二ガスバリア層、５３ａ…光反射面覆部、５３ｂ…ボンディングワイヤ覆部、５４…第二ガスバリア層、５４ａ…光反射面覆部、５４ｂ…ボンディングワイヤ覆部、５５…ガスバリア層、６０…プライマ層、Ｌ…粘土希釈液。

Claims (9)

1. 表面に銀めっき層が形成された基板と、
   前記銀めっき層にボンディングされた発光ダイオードと、
   前記発光ダイオードを取り囲む光反射面により前記発光ダイオードを収容する内側空間を形成する光反射部と、
   前記内側空間に充填されて前記発光ダイオードを封止する透明封止部と、
   前記基板から離れた位置に形成されて、粘土によるガスバリア性を有するガスバリア層と、
   を備え、
   前記ガスバリア層は、前記透明封止部に埋設されている、
   光半導体装置。
2. 前記ガスバリア層と前記基板との間に、前記透明封止部が配置されている、
   請求項１に記載の光半導体装置。
3. 前記基板及び前記光反射面に形成されて、前記ガスバリア層が積層されるプライマ層を更に備える、
   請求項１又は２に記載の光半導体装置。
4. 前記銀めっき層の表面に形成されて、粘土によるガスバリア性を有する第二ガスバリア層を更に有する、
   請求項１又は２に記載の光半導体装置。
5. 前記基板と前記発光ダイオードとにボンディングされたボンディングワイヤを更に備え、
   前記第二ガスバリア層は、前記ボンディングワイヤを覆う、
   請求項４に記載の光半導体装置。
6. 前記第二ガスバリア層は、前記光反射面を覆う、
   請求項４又は５に記載の光半導体装置。
7. 表面に銀めっき層が形成され、前記銀めっき層に発光ダイオードがボンディングされた基板と、前記銀めっき層にボンディングされた発光ダイオードと、前記発光ダイオードを取り囲む光反射面により前記発光ダイオードを収容する内側空間を形成する光反射部と、を備える中間部品を準備する準備工程と、
   透明封止部を前記内側空間に充填し、前記透明封止部で前記発光ダイオードを封止する透明封止部封止工程と、
   前記基板から離れた位置に、粘土によるガスバリア性を有するガスバリア層を形成するガスバリア層形成工程と、
   前記ガスバリア層が形成された前記内側空間に前記透明封止部を充填して、前記ガスバリア層を前記透明封止部に埋設するガスバリア層埋設工程と、
   を備える、
   光半導体装置の製造方法。
8. 前記基板及び前記光反射面に、前記ガスバリア層が積層されるプライマ層を形成するプライマ層形成工程を更に備える、
   請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
9. 前記銀めっき層の表面に、粘土によるガスバリア性を有する第二ガスバリア層を形成する第二ガスバリア層形成工程を更に備える、
   請求項７に記載の半導体装置の製造方法。
   

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