JP6305418B2 - 半導体構造体の製造方法 - Google Patents
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Description
基板の表面に少なくとも1つの半導体構造体を製造する製造方法であって、
前記方法が、
−その表面がシリコンを含む前記基板を提供する段階、
−形成領域と称される前記表面の領域に接触する第1の材料の層、前記第1の材料がないままである、自由領域と称される前記表面の残部を形成し、前記形成領域及び前記第1の材料の寸法が、前記構造体の形成に相応しく、前記第1の材料が、ガリウムを含み、前記層の形成が、600℃未満の温度で行われる段階、及び、
−前記層に接触する前記構造体を形成する段階、
を含む製造方法に関する。
−前記表面の自由領域のみを覆う保護層を形成する段階、
−前記形成領域に前記第1の材料を堆積する段階であって、前記自由領域が、前記保護層によって保護される段階、
−前記保護層を除去する段階、
からなる副段階を含み得る。
−前記基板全体の表面に前記第1の材料を堆積する段階、
−前記自由領域を覆う前記第1の材料の部分を除去する段階、
からなる副段階を含み得る。
−その表面がシリコンを含む基板、
−半導体構造体、
を含む部品であって、
−その部品が、形成領域と称される表面の領域の基板表面に接触する第1の材料の層をさらに含み、基板表面の残部が自由領域と称され、第1の材料がガリウムを含み、構造体が第1の材料の層に接触する部品に関する。
−図1に示されるように、基板100を提供する段階、
−図1bに示されるように、基板表面上にマスク110を堆積する段階であって、マスク110が、形成領域と称される、半導体ワイヤの形成のための表面の領域101を残し、表面105の残部102が所謂自由領域を表す段階、
−図1cに示されるように、形成領域101にガリウムを含む第1の材料の層120を堆積する段階であって、自由領域102がマスク110によって保護される段階、
−図1dに示されるように、自由領域を解放し、第1の材料によって覆われた形成領域101を表面105にだけ残すようにマスク110を除去する段階であって、自由領域102が、第1の材料及びマスク110がない段階、
−図1eに示されるように、ガリウムを含む第2の材料を堆積することによってワイヤ130を成長させる段階であって、この成長が本質的に、第1の材料の組成によって、自由領域の核形成エネルギーより低い核形成エネルギーを有する形成領域101に接触して起こる段階、
からなる段階を含む。
−基板100、
−形成領域101における基板100の表面105に接触する第1の材料の層120であって、第1の材料がガリウムを含む層120、
−それぞれが形成領域101の1つに接触する複数の半導体構造体130、
を含む。
−図1aに示されるような第1の実施形態による製造方法の段階と等しい、基板100を提供する段階、
−図2aに示されるように、構造体130に接触するための基板100の表面105にガリウムを含む第1の材料の層120を堆積する段階、
−図2bに示されるように、第1の材料の層120の表面にマスク110を堆積する段階であって、このマスク110が、形成領域101のみを覆い、第1の材料の層120の部分がマスク110によって覆われない自由領域101を覆う段階、
−図2cに示されるように、自由領域102を覆う第1の材料の層120の部分を除去する段階であって、形成領域101を覆う第1の材料の層120の部分が、マスク110によって保護される段階、
−図2dに示されるように、形成領域101を覆う第1の材料の層120の部分を開放するようにマスク110を除去する段階、
−ガリウムGaを含む第2の材料を堆積することによって図1eに示されるような第1の実施形態による製造方法の段階と同様の方法でワイヤ130を成長させる段階であって、この成長が、基本的に、第1の材料の組成によって、自由領域102の核形成エネルギーより低い核形成エネルギーを有する形成領域101に接触して起こる段階、
からなる段階を含む。
101 形成領域
102 形成領域
103 層
105 表面
110 保護層
120 層
130 構造体
Claims (7)
- 基板(100)の表面(105)に少なくとも1つの半導体構造体(130)を製造する製造方法であって、
前記方法が、
−その表面(105)がシリコンを含む前記基板(100)を提供する段階、
−形成領域と称される前記表面(105)の少なくとも1つの領域(101)に接触する第1の材料の層(120)、前記第1の材料がないままである、自由領域と称される前記表面(105)の残部(102)を形成し、前記少なくとも1つの形成領域(101)及び前記第1の材料の寸法が、100nmから1μmである横方向の寸法を有する前記構造体(130)の形成に相応しく、前記第1の材料が、ガリウムを含み、前記層(120)の形成が、600℃未満の温度で行われる段階、及び、
−前記層(120)に接触する前記構造体(130)を形成する段階であって、前記構造体が半導体ワイヤである段階、
を含み、
前記第1の材料の層(120)を形成する段階が、物理気相堆積を用いて前記第1の材料を堆積するための副段階を含む、製造方法。 - 前記第1の材料の層(120)を形成する段階及び前記構造体(130)を形成する段階の間に、前記表面(105)の自由領域(102)の窒化のための段階が提供される、請求項1に記載の製造方法。
- 前記半導体構造体を形成する段階が、前記層(120)に接触する前記半導体構造体の少なくとも一部を形成するように、有機金属前駆体を用いて前記層(120)上における前記第1の材料の気相エピタキシャル成長のための段階を含み得る、請求項1又は2に記載の製造方法。
- 前記第1の材料の層(120)を形成する段階が、
−前記表面(105)の自由領域(102)のみを覆う保護層(110)を形成する段階、
−前記少なくとも1つの形成領域(101)に前記第1の材料を堆積する段階であって、前記自由領域(102)が、前記保護層(110)によって保護される段階、
−前記保護層(110)を除去する段階、
からなる副段階を含み得る、請求項1から3の何れか一項に記載の製造方法。 - 前記層(120)を形成する段階が、
−前記基板(100)全体の表面(105)に前記第1の材料を堆積する段階、
−前記自由領域(102)を覆う前記第1の材料の部分を除去する段階、
からなる副段階を含む、請求項1から3の何れか一項に記載の製造方法。 - 前記基板(100)が、少なくともその表面に、30質量%を超える割合でシリコンを含み、前記基板(100)の表面(105)が、基本的にシリコンからなる、請求項1から5の何れか一項に記載の製造方法。
- 前記構造体(130)を形成する段階が、少なくともその一部において前記層に接触し、前記第1の材料(120)で作られる半導体ワイヤを形成する段階であり、前記第1の材料が窒化ガリウムGaNである、請求項1から6の何れか一項に記載の製造方法。
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