JP6299315B2 - Wafer processing tape - Google Patents
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Description
本発明は、ウエハ加工用テープに関する。 The present invention relates to a wafer processing tape.
半導体装置の一般的な製造方法は、伸縮性及び粘着性を有するウエハ加工用テープを半導体ウエハに貼り付ける工程と、上記ウエハ加工用テープ上の上記半導体ウエハを切断して複数のチップに分割する工程と、上記ウエハ加工用テープを伸張して上記複数のチップの間隔を広げる工程と、上記複数のチップをそれぞれピックアップする工程とを含む。上記半導体装置の製造方法で使用するウエハ加工用テープとして、基材シートと粘着層とからなるダイシングテープ、及び上記ダイシングテープの粘着層上に接着層（ダイボンディングフィルム）をさらに積層したダイシング・ダイボンドフィルムが提案されている。 A general method for manufacturing a semiconductor device includes a step of attaching a wafer processing tape having stretchability and adhesiveness to a semiconductor wafer, and cutting the semiconductor wafer on the wafer processing tape into a plurality of chips. A step, extending the wafer processing tape to widen the intervals between the plurality of chips, and picking up the plurality of chips. As a wafer processing tape used in the semiconductor device manufacturing method, a dicing tape comprising a base sheet and an adhesive layer, and a dicing die bond in which an adhesive layer (die bonding film) is further laminated on the adhesive layer of the dicing tape. A film has been proposed.
上記半導体ウエハの切断工程は、一般的にダイシングブレードを用いて実施され、上記ダイシング・ダイボンドフィルムを用いた場合には、上記半導体ウエハと上記ダイボンドフィルムとが一緒に切断される。しかし、このような方法では、切断するウエハの薄肉化に伴って、チップ欠け及びチップ割れといった不具合が発生し易くなる。 The semiconductor wafer cutting step is generally performed using a dicing blade. When the dicing die bond film is used, the semiconductor wafer and the die bond film are cut together. However, in such a method, problems such as chip chipping and chip cracking are likely to occur as the wafer to be cut becomes thinner.
これに対し、近年、半導体ウエハの切断方法として、レーザー加工装置を用いて、ウエハに接触することなく、ウエハを切断する、いわゆるステルスダイシングが提案されている。ステルスダイシングによる半導体ウエハの切断方法の一例として、特許文献１は、（１）ダイボンディングフィルムを介してダイシングテープが貼り付けられた半導体ウエハに対して、その内部に焦点光を合わせてレーザー光を照射することによって上記半導体ウエハ内部に多光子吸収による改質領域を形成し、この改質領域で切断予定部を形成する工程と、次いで、（２）上記ダイシングテープを拡張（エキスパンド）することによって、上記切断予定部に沿って上記半導体ウエハ及びダイボンドフィルムを切断及び分割する工程とを備えた方法を開示している。特許文献１の半導体ウエハの切断方法によれば、半導体ウエハにレーザー光を照射した後に上記ダイシングテープをエキスパンドすることによって、半導体ウエハに接触することなく、半導体ウエハ及びダイボンドフィルムを切断することができる。そのため、ダイシングブレードを用いた場合に発生し易い、チップ欠け及びチップ割れといった不具合を解消することが可能である。上記ステルスダイシングによる切断方法は、例えば、５０μｍ以下にウエハが薄肉化された場合に、特に有効である。 On the other hand, as a method for cutting a semiconductor wafer, so-called stealth dicing has been proposed in which a wafer is cut without contacting the wafer using a laser processing apparatus. As an example of a method for cutting a semiconductor wafer by stealth dicing, Patent Document 1 discloses (1) a laser beam by focusing a semiconductor wafer on which a dicing tape is attached via a die bonding film with a focus light inside. A step of forming a modified region by multiphoton absorption inside the semiconductor wafer by irradiation and forming a cutting scheduled portion in the modified region; and (2) expanding (expanding) the dicing tape. And a step of cutting and dividing the semiconductor wafer and the die bond film along the planned cutting portion. According to the semiconductor wafer cutting method of Patent Document 1, the semiconductor wafer and the die bond film can be cut without contacting the semiconductor wafer by expanding the dicing tape after irradiating the semiconductor wafer with laser light. . Therefore, it is possible to eliminate problems such as chip chipping and chip cracking that are likely to occur when a dicing blade is used. The cutting method by stealth dicing is particularly effective when the wafer is thinned to 50 μm or less, for example.
しかし、従来のダイシング・ダイボンドフィルムでは、ダイシングテープが柔軟で伸びやすいことに加えて、ダイボンドフィルムも伸びやすい。そのため、従来のダイシング・ダイボンドフィルムを使用してステルスダイシングによる切断方法を実施した場合、実際のところ、エキスパンドによって、半導体ウエハ及びダイボンド樹脂層を一括して良好に切断することは難しい。 However, in the conventional dicing die-bonding film, in addition to the dicing tape being flexible and easily stretched, the die bond film is also easily stretched. Therefore, when a cutting method using stealth dicing is performed using a conventional dicing die-bonding film, it is actually difficult to cut the semiconductor wafer and the die-bonding resin layer together in a favorable manner by expanding.
上記ステルスダイシングによる半導体ウエハ及びダイボンドフィルムの切断性を向上させる方法として、特許文献２は、−１５〜５℃の低温条件下でエキスパンドを実施することによって、ダイボンドフィルムの伸びを抑制し、かつ応力を増加させる方法を開示している。特許文献２で開示された方法のように、低温条件下でエキスパンドを実施した場合、ダイボンドフィルムの伸びを抑制することができる。しかし、その一方で、ダイシングテープの伸びが不十分となり、ネッキングが起こり易い傾向がある。ダイシングテープにネッキングが起こると、半導体ウエハの端部と中央部とで上記テープの伸張性が不均一となり、良好な切断性を得ることが困難となる。
また、ステルスダイシング時に使用するウエハ加工用テープについても、様々な開発が進められている。しかし、低温条件下でエキスパンドを実施した場合に必要とされる、ダイシングテープの伸張性とダイボンドフィルムの破断性との両特性において、未だ十分に満足できるものはなく、さらなる開発が望まれている。
As a method for improving the cutability of the semiconductor wafer and the die bond film by the stealth dicing, Patent Document 2 suppresses the elongation of the die bond film by performing expansion under a low temperature condition of −15 to 5 ° C., and stress. Is disclosed. When expanding is performed under low temperature conditions as in the method disclosed in Patent Document 2, the elongation of the die bond film can be suppressed. However, on the other hand, the dicing tape is not sufficiently stretched and necking tends to occur. When necking occurs in the dicing tape, the tape extensibility becomes uneven at the end portion and the central portion of the semiconductor wafer, and it becomes difficult to obtain good cutting properties.
Various developments have also been made on wafer processing tapes used during stealth dicing. However, none of the properties of dicing tape extensibility and die bond film breakability required when expanding under low temperature conditions is still satisfactory, and further development is desired. .
本発明は、上記の事項に鑑み、低温条件下で実施されるエキスパンドにおいて、半導体ウエハとダイボンドフィルムとが一括して良好に切断される、ステルスダイシングに適切なウエハ加工用テープを提供することを課題とする。 In view of the above, the present invention provides a wafer processing tape suitable for stealth dicing, in which the semiconductor wafer and the die-bonding film are well cut together in an expand performed under low temperature conditions. Let it be an issue.
本発明は、以下に記載の事項に関する。
（１）基材層及び該基材層上に設けられた粘着層を有するダイシングテープと、上記ダイシングテープの上記粘着層上に設けられた接着層とを有するウエハ加工用テープであって、上記基材層が１以上の基材フィルムを含み、上記基材フィルムが−１０℃における引張試験において、以下（ｉ）〜（ｉｖ）の特性を有する、ウエハ加工用テープ。
（ｉ）初期弾性率が２００ＭＰａ以上、５００ＭＰａ以下であり、
（ｉｉ）上記基材フィルムは、長手方向（ＭＤ）４０％延伸時まで降伏点がなく、
（ｉｉｉ）上記基材フィルムのＭＤ２０％延伸時の応力（Ｔ１）が１５ＭＰａ以上であり、かつ上記Ｔ１と上記基材フィルムの幅方向（ＴＤ）２０％延伸時の応力（Ｔ２）との比（Ｔ１／Ｔ２）が、１．２以下であり、及び
（ｉｖ）上記基材フィルムのＭＤ４０％延伸時の応力（Ｔ３）と上記ＭＤ２０％延伸時の応力（Ｔ１）との差（Ｔ３−Ｔ１）が０．４ＭＰａ以上である。
The present invention relates to the following items.
(1) A wafer processing tape having a base material layer and a dicing tape having an adhesive layer provided on the base material layer, and an adhesive layer provided on the adhesive layer of the dicing tape, A tape for wafer processing, wherein the substrate layer comprises one or more substrate films, and the substrate film has the following properties (i) to (iv) in a tensile test at -10 ° C.
(I) The initial elastic modulus is 200 MPa or more and 500 MPa or less,
(Ii) The base film has no yield point until stretching in the longitudinal direction (MD) 40%,
(Iii) Ratio of stress (T1) at the time of MD20% stretching of the substrate film is 15 MPa or more and T1 and stress (T2) at 20% stretching in the width direction (TD) of the substrate film ( T1 / T2) is 1.2 or less, and (iv) The difference ( T3−T1 ) between the stress ( T3 ) when stretching the MD40% of the base film and the stress ( T1 ) when stretching the MD20% Is 0.4 MPa or more.
（２）上記基材フィルムが、エチレン・α−オレフィン共重合体又はそのアイオノマー樹脂を含む、上記（１）に記載のウエハ加工用テープ。 (2) The wafer processing tape according to (1), wherein the base film contains an ethylene / α-olefin copolymer or an ionomer resin thereof.
（３）上記ダイシングテープの厚さが、６０μｍ以上、２５０μｍ以下である、上記（１）又は（２）に記載のウエハ加工用テープ。 (3) The wafer processing tape according to (1) or (2), wherein the dicing tape has a thickness of 60 μm or more and 250 μm or less.
（４）上記ダイシングテープの上記粘着層の厚さが、１μｍ以上、１００μｍ以下である、上記（１）〜（３）のいずれか１つに記載のウエハ加工用テープ。 (4) The wafer processing tape according to any one of (1) to (3), wherein the thickness of the adhesive layer of the dicing tape is 1 μm or more and 100 μm or less.
（５）上記接着層が、エポキシ基含有アクリル樹脂と、エポキシ樹脂と、硬化剤とを少なくとも含有する硬化性樹脂組成物から構成され、上記硬化性樹脂組成物の硬化反応前（Ｂステージ）における０℃の弾性率が１０００ＭＰａ以上である、上記（１）〜（４）のいずれか１つに記載のウエハ加工用テープ。 (5) The adhesive layer is composed of a curable resin composition containing at least an epoxy group-containing acrylic resin, an epoxy resin, and a curing agent, and before the curing reaction of the curable resin composition (B stage). The tape for wafer processing according to any one of the above (1) to (4), wherein an elastic modulus at 0 ° C. is 1000 MPa or more.
（６）上記接着層の厚さが、３μｍ以上、２００μｍ以下であることを特徴とする、上記（１）〜（５）のいずれか１つに記載のウエハ加工用テープ。 (6) The wafer processing tape according to any one of (1) to (5), wherein the adhesive layer has a thickness of 3 μm or more and 200 μm or less.
本発明の半導体ウエハ加工用テープによれば、ステルスダイシングによる切断方法に基づき、低温条件下でダイシングテープをエキスパンドした時に、半導体ウエハとダイボンドフィルムとを一括して良好に分断することができる。 According to the semiconductor wafer processing tape of the present invention, when the dicing tape is expanded under a low temperature condition based on the cutting method by stealth dicing, the semiconductor wafer and the die-bonding film can be divided well together.
以下、本発明について、その実施形態に基づき詳細に説明する。
＜ウエハ加工用テープ＞
本発明の一態様は、ウエハ加工用テープに関する。図１に示すように、ウエハ加工用テープＡは、基材層１０ａ及び該基材層１０ａ上に設けられた粘着層１０ｂを有するダイシングテープ１０と、上記ダイシングテープ１０の上記粘着層１０ｂ上に設けられた接着層２０とを有する。この接着層２０は、チップ搭載時のダイボンディングフィルム（ＤＡＦ：Die Attach Film）となる。ウエハ加工用テープは、必要に応じて、接着層２０上に保護フィルム３０を有してもよい。なお、図１は、理解を容易にするため、一部を誇張して描いており、寸法比率は、必ずしも説明と一致していない。ウエハ加工用テープを使用する時、保護フィルム３０は剥離される。保護フィルム３０の剥離性を高めるために、上記接着層と保護フィルムとの間に、必要に応じて剥離層（不図示）を設けてもよい。
Hereinafter, the present invention will be described in detail based on the embodiments.
<Wafer processing tape>
One embodiment of the present invention relates to a wafer processing tape. As shown in FIG. 1, the wafer processing tape A is formed on a
上記ウエハ加工用テープにおいて、上記基材層は、１以上の基材フィルムを用いて構成されることが好ましい。本発明のウエハ加工用テープは、−１０℃における引張試験において、以下（ｉ）〜（ｉｖ）の特性を有する、１以上の基材フィルムを含むことを特徴とする。なお、本発明で規定する基材フィルムの特性は、ＪＩＳ Ｚ１７０２−９４の「包装用ポリエチレンフィルム」に規定する引張試験の方法に準じ、−１０℃の温度条件下、５００ｍｍ／ｍｉｎの引張速度で測定を実施して得た応力―歪曲線（ＳＳカーブ）に基づくものである。 In the wafer processing tape, the base material layer is preferably configured using one or more base film. The tape for wafer processing of the present invention includes one or more base films having the following characteristics (i) to (iv) in a tensile test at −10 ° C. In addition, the characteristic of the base film prescribed | regulated by this invention is based on the method of the tension test prescribed | regulated to the "polyethylene film for packaging" of JISZ1702-94, and is the temperature condition of -10 degreeC, and the tensile speed of 500 mm / min. This is based on a stress-strain curve (SS curve) obtained by carrying out the measurement.
（ｉ）上記基材フィルムの初期弾性率は、２００〜５００ＭＰａの範囲であることが好ましい。上記初期弾性率は、２１０〜４７５ＭＰａの範囲がより好ましく、２３０〜４５０ＭＰａの範囲がさらに好ましい。上記初期弾性率が２００ＭＰａ以上の場合、エキスパンドによってＤＡＦを良好に切断することが容易となる。一方、上記初期弾性率が５００ＭＰａ以下の場合、エキスパンド時に接着層のウエハ非搭載部が破断し、粘着層から剥離して飛散すること、すなわちＤＡＦ飛散の発生を抑制することが容易となる。 (I) The initial elastic modulus of the base film is preferably in the range of 200 to 500 MPa. The initial elastic modulus is more preferably in the range of 210 to 475 MPa, and further preferably in the range of 230 to 450 MPa. When the initial elastic modulus is 200 MPa or more, it becomes easy to cut the DAF well with the expand. On the other hand, when the initial elastic modulus is 500 MPa or less, the wafer non-mounting portion of the adhesive layer breaks at the time of expansion, and it is easy to suppress the separation and scattering from the adhesive layer, that is, the occurrence of DAF scattering.
（ｉｉ）上記基材フィルムは、その長手方向（ＭＤ）４０％延伸時まで降伏点がないことが好ましい。ステルスダイシング法では、エキスパンド時に基材フィルムに加えた応力が接着層まで伝わることによって、接着層の分断が可能となる。そのため、エキスパンド時の実際の引張速度を考慮すると、上記引張試験から得たＳＳカーブは、ＭＤ４０％延伸時まで降伏点がなく、右上がりとなることが好ましい。さらに、ＳＳカーブは、降伏点以降も右上がりとなることが好ましい。基材フィルムのＳＳカーブが上述の挙動を示すことによって、基材フィルムに応力が集中して破断することなく、継続して応力を加えることが可能となる。より具体的には、基材フィルムは、下記（ｉｉｉ）及び（ｉｖ）の特定を有することが好ましい。 (Ii) It is preferable that the said base film does not have a yield point until the longitudinal direction (MD) 40% extending | stretching. In the stealth dicing method, the stress applied to the base film at the time of expansion is transmitted to the adhesive layer, so that the adhesive layer can be divided. Therefore, in consideration of the actual tensile speed at the time of expansion, it is preferable that the SS curve obtained from the tensile test does not have a yield point until MD40% stretching and rises to the right. Furthermore, it is preferable that the SS curve rises to the right after the yield point. When the SS curve of the base film exhibits the above-described behavior, it is possible to continuously apply stress without causing stress concentration on the base film and breaking. More specifically, the base film preferably has the following specifications (iii) and (iv).
（ｉｉｉ）上記基材フィルムのＭＤ引張強度（ＭＤ応力）は、ＭＤ２０％延伸時及びＭＤ４０％延伸時の各々において、１５ＭＰａ以上であることが好ましい。上記各々のＭＤ引張強度は、１５．５ＭＰａ以上であることがより好ましく、１６ＭＰａ以上であることがさらに好ましい。ＭＤ２０％延伸時及びＭＤ４０％延伸時の各々において、上記ＭＤ引張強度が１５ＭＰａ以上の場合、エキスパンドによってダイボンディングフィルム（接着層）を良好に分断することが容易となる。 (Iii) The MD tensile strength (MD stress) of the base film is preferably 15 MPa or more in each of MD20% stretching and MD40% stretching. Each MD tensile strength is more preferably 15.5 MPa or more, and further preferably 16 MPa or more. In each of MD20% stretching and MD40% stretching, when the MD tensile strength is 15 MPa or more, the die bonding film (adhesive layer) can be easily divided well by expanding.
また、上記ＭＤ２０％延伸時のＭＤ引張強度（Ｔ１）と上記基材フィルムの幅方向（ＴＤ）引張強度（Ｔ２）との比（Ｔ１／Ｔ２）は、１．２以下であることが好ましく、１．１８以下であることがより好ましく、１．１５以下であることがさらに好ましい。基材フィルムが異方性を示す場合、基材フィルムを延伸した後のチップのピックアップ時に、チップが一列に並ばなくなることで認識が困難となり、作業性が低下する傾向がある。しかし、上記Ｔ１／Ｔ２の値が１．２以下である場合、ダイボンダーを用いたピックアップ時に、分断されたチップを認識することが容易となる。 Further, the ratio (T1 / T2) of the MD tensile strength (T1) during MD20% stretching and the width direction (TD) tensile strength (T2) of the base film is preferably 1.2 or less, It is more preferably 1.18 or less, and further preferably 1.15 or less. When the base film exhibits anisotropy, when picking up the chips after stretching the base film, it becomes difficult to recognize the chips because they do not line up in a row, and workability tends to be reduced. However, when the value of T1 / T2 is 1.2 or less, it becomes easy to recognize a divided chip at the time of pickup using a die bonder.
（ｉｖ）上記ＭＤ４０％延伸時のＭＤ応力（Ｔ３）と上記ＭＤ２０％延伸時のＭＤ応力（Ｔ１）との差（Ｔ３−Ｔ１）は、０．２ＭＰａ以上であることが好ましく、０．３ＭＰａ以上であることがより好ましく、０．４ＭＰａ以上であることがさらに好ましい。上記ＭＤ応力の差が、０．２以上である場合、エキスパンドによってダイボンディングフィルムを良好に分断することが容易となる。 (Iv) The difference ( T3-T1 ) between the MD stress ( T3 ) during MD40% stretching and the MD stress ( T1 ) during MD20% stretching is preferably 0.2 MPa or more, and 0.3 MPa or more. It is more preferable that it is 0.4 MPa or more. When the difference in MD stress is 0.2 or more, it becomes easy to divide the die bonding film satisfactorily by expanding.
本発明によれば、上記特性を有する基材フィルムを使用して上記基材層を構成することによって、ステルスダイシングによる切断方法に基づき、代表的に−１５〜５℃の低温条件下でエキスパンドを実施した場合であっても、ダイシングテープはネッキングを起すことなく均一に伸張し、半導体ウエハとダイシングフィルムとを一括して良好に切断することが容易となる。そのため、引き続き、上記切断によって得られた複数のチップをピックアップする工程を円滑に実施することができる。以下、ウエハ加工用テープを構成する各層について具体的に説明する。 According to the present invention, by using the base film having the above characteristics to form the base layer, the expand is typically performed under a low temperature condition of −15 to 5 ° C. based on a cutting method by stealth dicing. Even if it is implemented, the dicing tape is uniformly stretched without causing necking, and it becomes easy to cut the semiconductor wafer and the dicing film together in a favorable manner. Therefore, the process of picking up a plurality of chips obtained by the cutting can be smoothly performed. Hereinafter, each layer constituting the wafer processing tape will be described in detail.
（基材層）
基材層は、当技術分野において基材フィルムとして周知の各種材料からなるフィルムを使用して構成することができる。基材層は、単層構造及び多層構造のいずれであってもよい。
基材層を形成する基材フィルムの一例として、ポリエチレンテレフタレートフィルム等のポリエステル系フィルム；ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、ポリメチルペンテンフィルム、ポリビニルアセテートフィルム、及びポリ−４−メチルペンテン−１等の、α−オレフィンの単独重合体及びそれらの共重合体、並びに上記単独重合体又は上記共重合体のアイオノマー樹脂を含むポリオレフィン系フィルム；ポリ塩化ビニルフィルム；及びポリイミドフィルムを含む各種プラスチックフィルムが挙げられる。上記プラスチックフィルムの１種を単独で使用することもできるが、上記プラスチックフィルムの２種以上又は同種のプラスチックフィルムを２以上組み合わせて多層フィルムを構成してもよい。
(Base material layer)
A base material layer can be comprised using the film which consists of various materials known as a base film in this technical field. The base material layer may have either a single layer structure or a multilayer structure.
Examples of substrate films that form the substrate layer include polyester films such as polyethylene terephthalate films; polytetrafluoroethylene films, polyethylene films, polypropylene films, polymethylpentene films, polyvinyl acetate films, and poly-4-methylpentene. -1, etc., α-olefin homopolymers and copolymers thereof, and polyolefin films containing the above homopolymers or ionomer resins of the above copolymers; polyvinyl chloride films; and various plastics including polyimide films A film is mentioned. One of the plastic films can be used alone, but a multilayer film may be formed by combining two or more of the plastic films or two or more of the same plastic films.
一実施形態において、上記基材フィルムは、ポリオレフィン系フィルムを含むことが好ましい。ポリオレフィン系フィルムを使用した場合、ＳＳカーブにおいて、先に説明したような好ましい挙動を得ることが容易となる。上記ポリオレフィン系フィルムは、例えば、エチレン、ブテン及び１−ヘキセンからなる群から選択される少なくとも1種のα−オレフィンを用いて構成される単独重合体又は共重合体と、必要に応じて、ブロッキング防止剤などの各種添加剤とを含む組成物から作製することができる。上記共重合体は、必要に応じて他の重合性化合物を併用して構成されるものであってもよい。 In one Embodiment, it is preferable that the said base film contains a polyolefin-type film. When a polyolefin film is used, it becomes easy to obtain the preferable behavior as described above in the SS curve. The polyolefin film is, for example, a homopolymer or copolymer composed of at least one α-olefin selected from the group consisting of ethylene, butene and 1-hexene, and, if necessary, blocking. It can produce from the composition containing various additives, such as an inhibitor. The copolymer may be constituted by using other polymerizable compounds in combination as required.
上記α−オレフィン共重合体の具体例として、エチレン／酢酸ビニル共重合体、エチレン／（メタ）アクリル酸エチル共重合体、エチレン／（メタ）アクリル酸メチル共重合体、及びエチレン／（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン／１−ヘキセン共重合体を含む、エチレン／α−オレフィン共重合体が挙げられる。また、別の例として、ブテンを用いて上述と同様にして構成される、ブテン／α−オレフィン共重合体が挙げられる。上記基材フィルムは、上記α−オレフィン共重合体の混合物から構成されてもよい。 Specific examples of the α-olefin copolymer include ethylene / vinyl acetate copolymer, ethylene / (meth) ethyl acrylate copolymer, ethylene / (meth) methyl acrylate copolymer, and ethylene / (meth). Examples include ethylene / α-olefin copolymers including acrylic acid copolymers and ethylene / 1-hexene copolymers. Another example is a butene / α-olefin copolymer that is constructed in the same manner as described above using butene. The base film may be composed of a mixture of the α-olefin copolymer.
特に限定するものではないが、基材フィルムの好ましい一実施形態として、エチレン／メタクリル酸共重合体（ＥＭＡＡ）から構成されるフィルム、及びエチレン／１−ヘキセン共重合体とブテン／α−オレフィン共重合体とから構成されるフィルムが挙げられる。本発明の別の実施形態において、好ましい基材フィルムは、上記α−オレフィン共重合体の分子間を金属イオンで架橋したアイオノマー樹脂を主成分とするフィルムである。例えば、エチレン／メタクリル酸共重合体の分子間をナトリウムや亜鉛等の金属イオンで架橋したアイオノマー樹脂を含むフィルムを使用することができる。なかでも、所望とする上記特性を得ることが容易であることから、エチレン・α−オレフィン共重合体又はアイオノマー樹脂を主成分として構成する基材フィルムが好ましく、アイオノマー樹脂を主成分とする基材フィルムがより好ましい。 Although not particularly limited, preferred embodiments of the base film include a film composed of an ethylene / methacrylic acid copolymer (EMAA), and an ethylene / 1-hexene copolymer and a butene / α-olefin copolymer. The film comprised from a polymer is mentioned. In another embodiment of the present invention, a preferred base film is a film mainly composed of an ionomer resin in which molecules of the α-olefin copolymer are cross-linked with metal ions. For example, a film containing an ionomer resin in which molecules of an ethylene / methacrylic acid copolymer are crosslinked with metal ions such as sodium and zinc can be used. Among these, a base film composed mainly of an ethylene / α-olefin copolymer or an ionomer resin is preferable because it is easy to obtain the desired characteristics, and a base material composed mainly of an ionomer resin. A film is more preferable.
上記α−オレフィン共重合体又はアイオノマー樹脂を主成分とするフィルムは、市販品として入手することもできる。本発明で使用可能な市販のフィルムの一例として、例えば、三井・デュポンポリケミカル株式会社製の製品名「ハイミラン１７０６」及び「ハイミラン１６５２」が挙げられる。 The film which has the said alpha olefin copolymer or ionomer resin as a main component can also be obtained as a commercial item. As an example of a commercially available film that can be used in the present invention, product names “Himiran 1706” and “Himiran 1652” manufactured by Mitsui DuPont Polychemical Co., Ltd. may be mentioned.
上記基材フィルムの厚さは、作業性を損なわない範囲で適宜選択される。但し、粘着層を構成する粘着剤として、高エネルギー線（中でも、紫外線）硬化性粘着剤を用いる場合は、その高エネルギー線の透過を阻害しない厚さにする必要がある。このような観点から、基材フィルムの厚さは、通常は１０〜５００μｍ、好ましくは５０〜２００μｍであり、さらに好ましくは、７０〜１５０μｍである。基材フィルムの厚さを上記範囲内に調整することによって、実用的に問題なく、経済的にも有効である。基材層を複数の基材フィルムから構成する場合、基材層全体の厚さが上記範囲内となるように調整することが好ましい。基材フィルムは、粘着層との密着性を向上させるために、必要に応じて、化学的又は物理的に表面処理を施したものであってもよい。上記表面処理としては、例えば、コロナ処理、クロム酸処理、オゾン暴露、火炎暴露、高圧電撃暴露、及びイオン化放射線処理等が好ましく挙げられる。 The thickness of the said base film is suitably selected in the range which does not impair workability | operativity. However, when a high energy ray (in particular, ultraviolet ray) curable pressure sensitive adhesive is used as the pressure sensitive adhesive constituting the pressure sensitive adhesive layer, it is necessary to have a thickness that does not inhibit the transmission of the high energy ray. From such a viewpoint, the thickness of the base film is usually 10 to 500 μm, preferably 50 to 200 μm, and more preferably 70 to 150 μm. By adjusting the thickness of the base film within the above range, there is no practical problem and it is economically effective. When the substrate layer is composed of a plurality of substrate films, it is preferable to adjust so that the thickness of the entire substrate layer is within the above range. The base film may be subjected to a chemical or physical surface treatment as necessary in order to improve the adhesion with the adhesive layer. Preferred examples of the surface treatment include corona treatment, chromic acid treatment, ozone exposure, flame exposure, high piezoelectric impact exposure, and ionizing radiation treatment.
（粘着層）
粘着層は、室温で粘着力があり、接着層に対し密着力を有する粘着剤成分から構成することが好ましい。粘着層を構成する粘着剤成分のベース樹脂の一例として、アクリル系樹脂、各種合成ゴム、天然ゴム、及びポリイミド樹脂などが挙げられる。粘着剤成分の糊残りを減少させる観点から、上記ベース樹脂は、他の添加剤と反応しうる官能基、例えば、水酸基、カルボキシル基等を有することが好ましい。粘着剤成分として、紫外線や放射線等の高エネルギー線、又は熱によって硬化する樹脂を使用してもよい。このような硬化性樹脂を使用した場合、樹脂を硬化させることによって粘着力を低下させることができる。なお、上記ベース樹脂として、上記硬化性樹脂を使用する場合には、光開始剤との併用が必要である。
(Adhesive layer)
The pressure-sensitive adhesive layer preferably has a pressure-sensitive adhesive force at room temperature and is composed of a pressure-sensitive adhesive component having an adhesive force to the adhesive layer. Examples of the base resin of the pressure-sensitive adhesive component constituting the pressure-sensitive adhesive layer include acrylic resins, various synthetic rubbers, natural rubber, and polyimide resins. From the viewpoint of reducing the adhesive residue of the pressure-sensitive adhesive component, the base resin preferably has a functional group capable of reacting with other additives such as a hydroxyl group and a carboxyl group. As the adhesive component, high energy rays such as ultraviolet rays and radiation, or a resin curable by heat may be used. When such a curable resin is used, the adhesive strength can be reduced by curing the resin. In addition, when using the said curable resin as said base resin, combined use with a photoinitiator is required.
また、粘着力を調整するため、上記粘着剤成分は、上記ベース樹脂の官能基と架橋反応できる架橋剤を含んでもよい。架橋剤は、エポキシ基、イソシアネート基、アジリジン基、及びメラニン基からなる群から選ばれる少なくとも１種の官能基を有することが好ましい。これらの架橋剤は、単独で使用してもよいし、二種以上を併用してもよい。また、反応速度が遅い場合は、必要に応じて、アミン又はスズ等の触媒を使用してもよい。その他、粘着特性を適切に調整するために、上記粘着剤成分は、ロジン系又はテルペン樹脂系等のタッキファイヤー、及び各種界面活性剤等の任意成分を適宜含有してもよい。 Moreover, in order to adjust adhesive force, the said adhesive component may contain the crosslinking agent which can carry out a crosslinking reaction with the functional group of the said base resin. The crosslinking agent preferably has at least one functional group selected from the group consisting of an epoxy group, an isocyanate group, an aziridine group, and a melanin group. These cross-linking agents may be used alone or in combination of two or more. Moreover, when reaction rate is slow, you may use catalysts, such as an amine or tin, as needed. In addition, in order to appropriately adjust the adhesive property, the above-mentioned adhesive component may appropriately contain optional components such as a rosin-based or terpene resin-based tackifier, and various surfactants.
特に限定するものではないが、一実施形態において、粘着層は、水酸基を有するアクリル樹脂と、イソシアネート基を有する架橋剤とを含む粘着剤成分から構成されることが好ましい。 Although it does not specifically limit, In one Embodiment, it is preferable that an adhesion layer is comprised from the adhesive component containing the acrylic resin which has a hydroxyl group, and the crosslinking agent which has an isocyanate group.
粘着層の厚さは、通常は１〜１００μｍ、好ましくは２〜５０μｍ、更に好ましくは５〜４０μｍの範囲である。粘着層の厚さを１μｍ以上にすることによって、接着層との十分な粘着力を確保することができるため、エキスパンドによって分割された半導体のチップの飛散を抑制することが容易となる。一方、１００μｍを超える厚さとしても、特性において利点はなく、不経済となる。一実施形態では、ダイシングテープの厚みが、６０〜２５０μｍの範囲となるように、基材フィルム及び粘着層の厚さを上記範囲において調整することが好ましい。ダイシングテープの厚みは、より好ましくは７０〜２００μｍ、さらに好ましくは７０〜１５０μｍの範囲である。 The thickness of the pressure-sensitive adhesive layer is usually 1 to 100 μm, preferably 2 to 50 μm, more preferably 5 to 40 μm. By setting the thickness of the adhesive layer to 1 μm or more, sufficient adhesive force with the adhesive layer can be ensured, and therefore it becomes easy to suppress scattering of the semiconductor chip divided by the expand. On the other hand, even if the thickness exceeds 100 μm, there is no advantage in characteristics and it becomes uneconomical. In one embodiment, it is preferable to adjust the thickness of the base film and the pressure-sensitive adhesive layer within the above range so that the thickness of the dicing tape is in the range of 60 to 250 μm. The thickness of the dicing tape is more preferably in the range of 70 to 200 μm, still more preferably 70 to 150 μm.
（接着層）
接着層は、エキスパンドによって、半導体ウエハと一括して切断及び分割され、半導体チップの搭載時にはダイボンド層（ダイボンドフィルム）として機能する。そのため、接着層は、エキスパンド時の破断性に優れるとともに、半導体ウエハとの接着性に優れることが好ましい。接着層は、例えば、フィルム成形性に優れたベース樹脂と、熱硬化性成分とを含む、熱硬化性樹脂組成物から構成することができる。本発明において、接着層の構成材料は、特に限定されるものでなく、ダイボンドフィルムとして周知の組成を適用してもよい。例えば、上記ベース樹脂の一例として、アクリルゴム樹脂、ポリイミド樹脂、及びフェノキシ樹脂などが挙げられる。また、上記熱硬化成分の一例として、エポキシ樹脂、ビスマレイミド樹脂、トリアジン樹脂、フェノール樹脂等の熱により硬化する樹脂が挙げられる。接着層を構成する熱硬化性樹脂組成物は、上記熱硬化性成分と反応する硬化剤をさらに含んでもよい。硬化時間を長くするために、ポリウレタン系又はポリエステル系の高分子物質等で上記硬化剤を被覆し、マイクロカプセル化したものを使用してもよい。さらに、上記熱硬化性樹脂組成物は、イミダゾールのような硬化促進効果のある成分、及び必要に応じて各種添加剤等を含んでもよい。
(Adhesive layer)
The adhesive layer is collectively cut and divided from the semiconductor wafer by the expand, and functions as a die bond layer (die bond film) when the semiconductor chip is mounted. Therefore, it is preferable that the adhesive layer is excellent in breakability at the time of expansion and excellent in adhesiveness with a semiconductor wafer. An adhesive layer can be comprised from the thermosetting resin composition containing the base resin excellent in film moldability, and a thermosetting component, for example. In the present invention, the constituent material of the adhesive layer is not particularly limited, and a composition well known as a die bond film may be applied. For example, examples of the base resin include acrylic rubber resin, polyimide resin, and phenoxy resin. Examples of the thermosetting component include resins that are cured by heat, such as epoxy resins, bismaleimide resins, triazine resins, and phenol resins. The thermosetting resin composition constituting the adhesive layer may further include a curing agent that reacts with the thermosetting component. In order to increase the curing time, a microencapsulated product obtained by coating the curing agent with a polyurethane-based or polyester-based polymer substance or the like may be used. Furthermore, the thermosetting resin composition may contain a component having a curing acceleration effect such as imidazole, and various additives as necessary.
例えば、接着層とウエハとの接着強度を上げるために、上記熱硬化性樹脂組成物は、上記成分に加えて、カップリング剤を含むことが好ましい。カップリング剤としては、シラン系、チタン系、又はアルミニウム系等を好ましく使用できる。例えば、シラン系カップリング剤の一例として、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリエトキシシラン、３−アミノプロピルメチルジエトキシシラン、及び３−ウレイドプロピルトリメトキシシランが挙げられ、これらを単独で、又は二種類以上を組み合わせて使用することができる。 For example, in order to increase the adhesive strength between the adhesive layer and the wafer, the thermosetting resin composition preferably contains a coupling agent in addition to the above components. As the coupling agent, silane, titanium, aluminum, or the like can be preferably used. Examples of silane coupling agents include γ-mercaptopropyltrimethoxysilane, γ-mercaptopropyltriethoxysilane, 3-aminopropylmethyldiethoxysilane, and 3-ureidopropyltrimethoxysilane. It can be used alone or in combination of two or more.
また、接着層の流動性を制御し、弾性率を向上させる観点から、上記熱硬化性樹脂組成物にフィラーを加えることが好ましい。但し、フィラーの添加量は、粘着層の硬化性樹脂を高エネルギー線の照射によって硬化させる際に、照射を妨げない程度の透過率を維持できるように設定される。フィラーの一例として、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、窒化ほう素、結晶性シリカ、及び非晶性シリカが挙げられ、フィラーの形状は特に制限されるものではない。これらのフィラーは、単独で、又は二種類以上を組み合わせて使用することができる。 Moreover, it is preferable to add a filler to the said thermosetting resin composition from a viewpoint of controlling the fluidity | liquidity of an contact bonding layer and improving an elasticity modulus. However, the addition amount of the filler is set so that the transmittance can be maintained so as not to interfere with the irradiation when the curable resin of the adhesive layer is cured by irradiation with high energy rays. Examples of the filler include aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, boron nitride, crystalline silica, and amorphous silica, and the shape of the filler is not particularly limited. These fillers can be used alone or in combination of two or more.
上記熱硬化性樹脂組成物にイオン捕捉剤を添加することによって、イオン性不純物を吸着し、吸湿時の絶縁信頼性を向上することができる。イオン捕捉剤の一例として、トリアジンチオール化合物及びビスフェノール系還元剤等の、銅がイオン化して溶出することを防止する銅害防止剤として知られる化合物、並びに、ジルコニウム系、及びアンチモンビスマス系マグネシウムアルミニウム化合物等の無機イオン吸着剤が挙げられる。 By adding an ion scavenger to the thermosetting resin composition, it is possible to adsorb ionic impurities and improve insulation reliability during moisture absorption. Examples of ion scavengers include compounds known as copper damage inhibitors that prevent ionization and elution of copper, such as triazine thiol compounds and bisphenol-based reducing agents, and zirconium-based and antimony bismuth-based magnesium aluminum compounds And inorganic ion adsorbents.
接着層を形成する際に、熱硬化性樹脂組成物は、ワニス化されていてもよい。ワニス化するため、熱硬化性樹脂組成物は溶剤を含んでもよい。溶剤は、有機溶媒であれば特に限定されないが、フィルム作製時の揮発性の観点から、沸点を考慮して適切に選択することが好ましい。例えば、メタノール、エタノール、２−メトキシエタノール、２−エトキシエタノール、２−ブトキシエタノール、メチルエチルケトン、アセトン、メチルイソブチルケトン、トルエン、及びキシレン等が挙げられる。これらの比較的低沸点の溶媒は、フィルム作製時にフィルムの硬化が進まない点で好ましい。これらの溶媒は、単独で、又は２種類以上を組み合わせて使用することができる。 When forming the adhesive layer, the thermosetting resin composition may be varnished. In order to varnish, the thermosetting resin composition may contain a solvent. The solvent is not particularly limited as long as it is an organic solvent, but is preferably selected appropriately in consideration of the boiling point from the viewpoint of volatility during film production. Examples include methanol, ethanol, 2-methoxyethanol, 2-ethoxyethanol, 2-butoxyethanol, methyl ethyl ketone, acetone, methyl isobutyl ketone, toluene, and xylene. These relatively low boiling point solvents are preferred in that the film does not cure during film production. These solvents can be used alone or in combination of two or more.
接着層の弾性率は、上記硬化性樹脂組成物の硬化反応前（Ｂステージ）における０℃の弾性率が５００ＭＰａ以上であることが好ましく。さらに好ましくは０℃の弾性率が１０００ＭＰａ以上である。弾性率を５００ＭＰａに調整することによって、エキスパンドによる切断時に、半導体ウエハと同時に接着層も良好に分断させることが容易となる。 The elastic modulus of the adhesive layer is preferably such that the elastic modulus at 0 ° C. before the curing reaction (B stage) of the curable resin composition is 500 MPa or more. More preferably, the elastic modulus at 0 ° C. is 1000 MPa or more. By adjusting the elastic modulus to 500 MPa, it becomes easy to satisfactorily cut the adhesive layer simultaneously with the semiconductor wafer at the time of cutting by the expand.
以上の観点から、一実施形態において、接着層は、エポキシ基含有アクリル樹脂と、エポキシ樹脂と、硬化剤とを少なくとも含有する硬化性樹脂組成物から構成され、上記硬化性樹脂組成物の硬化反応前（Ｂステージ）における０℃の弾性率が１０００ＭＰａ以上であることが好ましい。なお、上記弾性率は、レオロジ社製ＤＶＥ−Ｖ４（製品名）を用いて、次の条件で測定した値である。
サンプルサイズ：長さ２０ｍｍ、幅４ｍｍ、膜厚フィルムによる測定値
測定条件：-50℃〜300℃、3℃／ｍｉｎ、測定モード：引張りモード、周波数：１０Ｈｚ
From the above viewpoint, in one embodiment, the adhesive layer is composed of a curable resin composition containing at least an epoxy group-containing acrylic resin, an epoxy resin, and a curing agent, and the curing reaction of the curable resin composition. The elastic modulus at 0 ° C. in the previous (B stage) is preferably 1000 MPa or more. In addition, the said elasticity modulus is the value measured on condition of the following using DVE-V4 (product name) by Rheology.
Sample size:
接着層の厚さは、通常は３〜２００μｍ、好ましくは４〜１００μｍ、更に好ましくは５〜５０μｍの範囲である。接着層の厚さを３μｍ以上とした場合、ウエハとの十分な接着力を容易に確保することができる。また、回路基板における凸電極の埋めこみを良好に実施することができる。一方、厚さを２００μｍ以上にしても、特性上の利点は得られない傾向がある。また、不経済であり、半導体装置の小型化の要求に応えられない場合があるなど、利点はない。接着層の主面の形状（平面視形状）は、円形、略円形又は半導体ウエハ形状であることが好ましい。 The thickness of the adhesive layer is usually 3 to 200 μm, preferably 4 to 100 μm, and more preferably 5 to 50 μm. When the thickness of the adhesive layer is 3 μm or more, a sufficient adhesive force with the wafer can be easily ensured. Moreover, the embedding of the convex electrode in the circuit board can be carried out satisfactorily. On the other hand, even if the thickness is 200 μm or more, there is a tendency that the advantage in characteristics cannot be obtained. In addition, there is no advantage in that it is uneconomical and may not meet the demand for downsizing of semiconductor devices. The shape of the main surface of the adhesive layer (planar shape) is preferably circular, substantially circular, or a semiconductor wafer shape.
一般に、エキスパンドによる切断時に、接着層と粘着層との間で剥離が生じ易く、ウエハの飛散といった不具合が生じる場合がある。そのため、接着層と粘着層とは互いに密着していることが好ましい。より具体的には、−10℃の状態下で粘着層と接着層との間のＴ字剥離強度が、剥離速度５００ｍｍ／ｍｉｎにおいて、０．４Ｎ／２５ｍｍ以上であることが好ましい。一方、−１０℃の状態下で上記Ｔ字剥離強度が５Ｎ／２５ｍｍを超えると、ＵＶ照射後のチップのピックアップ性が低下する傾向がある。そのため、上記Ｔ字剥離強度は、３〜０．４５Ｎ／２５ｍｍの範囲がより好ましく、１〜０．５Ｎ／２５ｍｍの範囲がさらに好ましい。なお、上記Ｔ字剥離強度は、以下の方法に従って測定した値である：先ず、ラミネーターによって接着層とダイシングテープの粘着層とを貼り合せた後に、２５ｍｍ幅の切込みを入れて引張り測定用の短冊をサンプルとして準備する。このとき、粘着層がＵＶ照射型粘着剤成分から構成された場合は、ＵＶ照射前の状態で測定を行う。次に、準備したサンプルを測定装置に固定し、剥離速度５００ｍｍ／ｍｉｎで移動及び剥離させながら、測定する。−10℃の状態下で粘着層と接着層との間のＴ字剥離強度が０．４Ｎ／２５ｍｍ以上の場合、ウエハの飛散の発生を容易に低減することができる。 In general, when cutting with an expand, peeling between the adhesive layer and the pressure-sensitive adhesive layer is likely to occur, and a problem such as scattering of the wafer may occur. Therefore, it is preferable that the adhesive layer and the adhesive layer are in close contact with each other. More specifically, the T-shaped peel strength between the pressure-sensitive adhesive layer and the adhesive layer under the condition of −10 ° C. is preferably 0.4 N / 25 mm or more at a peel rate of 500 mm / min. On the other hand, when the T-shaped peel strength exceeds 5 N / 25 mm under the condition of −10 ° C., the pick-up property of the chip after UV irradiation tends to be lowered. Therefore, the T-shaped peel strength is more preferably in the range of 3 to 0.45 N / 25 mm, and still more preferably in the range of 1 to 0.5 N / 25 mm. The T-peel strength is a value measured according to the following method: First, an adhesive layer and an adhesive layer of a dicing tape are bonded together by a laminator, then a 25 mm wide cut is made and a strip for tensile measurement is used. Prepare as a sample. At this time, when the adhesive layer is composed of a UV irradiation type adhesive component, the measurement is performed in a state before UV irradiation. Next, the prepared sample is fixed to a measuring apparatus, and measured while moving and peeling at a peeling speed of 500 mm / min. When the T-shaped peel strength between the pressure-sensitive adhesive layer and the adhesive layer is −0.4 N / 25 mm or more under the condition of −10 ° C., the occurrence of wafer scattering can be easily reduced.
（保護フィルム）
保護フィルムは、基材フィルムの構成材料として例示した各種プラスチックフィルムであることが好ましい。なかでも、保護フィルムは、ウエハ加工用テープの使用時に剥離されるため、剥離性に優れるものが好ましい。このような観点から、フッ素樹脂からなる表面エネルギーの低いフィルムを保護フィルムとして使用することが好ましい。また、別の実施形態として、亜表面を離型処理した各種プラスチックフィルムを使用することが好ましい。保護フィルムとして好適に使用できるフィルムとして、例えば、帝人デュポンフィルム株式会社製のＡ−６３（離型処理剤：変性シリコーン系）や、同じく帝人デュポンフィルム株式会社製のＡ−３１（離型処理剤：Ｐｔ系シリコーン系）等が挙げられる。
(Protective film)
The protective film is preferably various plastic films exemplified as a constituent material of the base film. Especially, since a protective film peels at the time of use of the tape for wafer processing, what is excellent in peelability is preferable. From such a viewpoint, it is preferable to use a film having a low surface energy made of a fluororesin as a protective film. Moreover, as another embodiment, it is preferable to use various plastic films whose subsurface has been subjected to mold release treatment. As a film that can be suitably used as a protective film, for example, A-63 (mold release treatment: modified silicone type) manufactured by Teijin DuPont Films, Ltd. or A-31 (mold release treatment agent) manufactured by Teijin DuPont Films, Ltd. : Pt silicone) and the like.
保護フィルムの厚さは、作業性を損なわない範囲で適宜選択され、通常は、経済的観点から１００μｍ以下であることが好ましい。上記保護フィルムの厚さは、より好ましくは１０〜７５μｍ、さらに好ましくは２５〜５０μｍの範囲である。上記保護フィルムの厚さが１０μｍ以上であれば、ウエハ加工用テープの作製時にフィルムが破れる等の不具合が起こり難い。また、上記保護フィルムの厚さが７５μｍ以下であれば、ウエハ加工用テープの使用時に保護フィルムを容易に剥離することができる。 The thickness of the protective film is appropriately selected within a range that does not impair the workability, and is usually preferably 100 μm or less from an economical viewpoint. The thickness of the protective film is more preferably in the range of 10 to 75 μm, still more preferably in the range of 25 to 50 μm. If the thickness of the protective film is 10 μm or more, problems such as film tearing hardly occur during production of a wafer processing tape. Moreover, if the thickness of the said protective film is 75 micrometers or less, a protective film can be easily peeled at the time of use of the tape for wafer processing.
（離型層）
保護フィルムと接着層との間に離型層を設けることによって、保護フィルムと接着層との間の剥離力を低く抑えることができる。離型層は、シリコーン系剥離剤、フッ素系剥離剤、又は長鎖アルキルアクリレート系剥離剤等を使用して構成することが好ましい。
(Release layer)
By providing the release layer between the protective film and the adhesive layer, the peeling force between the protective film and the adhesive layer can be kept low. The release layer is preferably configured using a silicone release agent, a fluorine release agent, a long-chain alkyl acrylate release agent, or the like.
上述のように、本発明のウエハ加工用テープは、当技術分野で周知の技術に沿って構成することができ、ウエハ加工用テープの積層構造及びその形状についても特に限定されない。本発明の一実施形態において、ウエハ加工用テープは、粘着層の主面が、接着層の主面よりも一回り広い面積を有する形状であることが好ましい。粘着層の主面は、円形、略円形、四角形、五角形、六角形、八角形、又はウエハ形状等であってよいが、半導体装置製造の一連の工程を考慮すると、円形、略円形、又はウエハ形状であることが好ましい。より具体的には、図２（ａ）及び（ｂ）に示すように、粘着層１０ｂの主面は、接着層２０の主面よりも広く、粘着層１０ｂの主面が接着層全体を覆うような形状を有する。すなわち、粘着層１０ｂは、接着層２０と重なり合わない周縁部１０ｂ’を有する形状であることが好ましい。このような粘着層の周縁部１０ｂ’は、ダイシング用リング載置部となるため、ダイシング用リングを載置及び固定するのに十分な広さを有することがより好ましい。
As described above, the wafer processing tape of the present invention can be constructed in accordance with a technique well known in the art, and the laminated structure and shape of the wafer processing tape are not particularly limited. In one embodiment of the present invention, the wafer processing tape preferably has a shape in which the main surface of the adhesive layer has a slightly larger area than the main surface of the adhesive layer. The main surface of the adhesive layer may be circular, substantially circular, quadrangular, pentagonal, hexagonal, octagonal, or wafer shape, etc., but considering a series of processes for manufacturing a semiconductor device, the main surface of the adhesive layer is circular, substantially circular, or wafer. The shape is preferred. More specifically, as shown in FIGS. 2A and 2B, the main surface of the
＜ウエハ加工用テープの製造方法＞
本発明のウエハ加工用テープは、当技術分野で周知の技術に沿って製造することができる。例えば、本発明の一実施形態において、ウエハ加工用テープは、以下の方法に従って製造することができる。（１）接着層を構成する硬化性樹脂組成物を有機溶剤等の溶媒に溶解させてワニス化し、これを保護フィルムの上に、ナイフコート法、ロールコート法、スプレーコート法、グラビアコート法、バーコート法、又はカーテンコート法等によって塗工し、溶媒を除去することによって接着層を形成する。（２）粘着層を構成する粘着剤成分を調製し、これを基材フィルム上に、上記（１）と同様にして塗布し、溶媒を除去することによって、基材フィルムと粘着層とからなるダイシングテープを作製する。（３）上記（１）で作製した接着層付保護フィルムと、（２）で作製した粘着層付基材フィルム（ダイシングテープ）とを、常温〜６０℃の温度条件下で、接着層と粘着層とが対向するように積層する。一実施形態として、上記フィルムの積層に先立ち、円形等の所望の形状にダイシングテープをプレカットすることが好ましい。
<Method for manufacturing wafer processing tape>
The wafer processing tape of the present invention can be manufactured according to a technique well known in the art. For example, in one embodiment of the present invention, the wafer processing tape can be manufactured according to the following method. (1) A curable resin composition constituting the adhesive layer is dissolved in a solvent such as an organic solvent to form a varnish, and this is coated on a protective film with a knife coating method, a roll coating method, a spray coating method, a gravure coating method, Coating is performed by a bar coat method, a curtain coat method, or the like, and an adhesive layer is formed by removing the solvent. (2) The pressure-sensitive adhesive component constituting the pressure-sensitive adhesive layer is prepared, and this is applied onto the base film in the same manner as in the above (1), and the solvent is removed, thereby forming the base film and the pressure-sensitive layer. Make a dicing tape. (3) The protective film with an adhesive layer prepared in (1) above and the base film with an adhesive layer (dicing tape) prepared in (2) are bonded to the adhesive layer under a temperature condition of room temperature to 60 ° C. Laminate so that the layers face each other. As one embodiment, it is preferable to pre-cut the dicing tape into a desired shape such as a circle prior to the lamination of the films.
＜ウエハ加工用テープを用いた半導体装置の製造方法＞
本発明のウエハ加工用テープは、ステルスダイシングによる切断方法を適用した半導体装置の製造方法に好適に使用することができる。そのため、本発明の別の態様は、本発明のウエハ加工用テープを用いた半導体装置の製造方法に関する。本発明の半導体装置の製造方法は、（Ａ）半導体ウエハに本発明の半導体ウエハ加工用テープを貼り付ける工程と、（Ｂ）ステルスダイシング法に従い、上記半導体ウエハを切断可能とする工程と、（Ｃ）上記ウエハ加工用テープのダイシングテープをエキスパンドすることによって、上記半導体ウエハと上記接着層とを切断及び分割し、複数の個片化された接着層付き半導体チップを得る工程と、（Ｄ）上記接着層付き半導体チップを半導体チップ搭載用支持部材に接着する工程とを含む。
<Method of Manufacturing Semiconductor Device Using Wafer Processing Tape>
The tape for wafer processing of the present invention can be suitably used in a method for manufacturing a semiconductor device to which a cutting method using stealth dicing is applied. Therefore, another aspect of the present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device using the wafer processing tape of the present invention. The manufacturing method of a semiconductor device of the present invention includes (A) a step of attaching the semiconductor wafer processing tape of the present invention to a semiconductor wafer, (B) a step of cutting the semiconductor wafer according to a stealth dicing method, C) Expanding the dicing tape of the wafer processing tape to cut and divide the semiconductor wafer and the adhesive layer to obtain a plurality of separated semiconductor chips with an adhesive layer; and (D) Bonding the semiconductor chip with an adhesive layer to a semiconductor chip mounting support member.
上記工程（Ｂ）は、ステルスダイシング法として周知の技術を適用して実施することができる。例えば、レーザー光の照射によって半導体ウエハ内に改質部を形成する具体的な方法は、特開２００２−１９２３７０号、特開２００３−３３８４６７号等に記載の方法を適用することができる。レーザー光の照射に用いることができる装置として、例えば、レーザーダイシング装置「ＭＡＨＯＨＤＩＣＩＮＧ ＭＡＣＨＩＮＥ」（株式会社東京精密製）が挙げられる。このような装置を用いて、半導体ウエハの内部に集光点を合わせ、分割予定ラインに沿って半導体ウエハの表面側からレーザー光を照射することによって、半導体ウエハの内部に改質部を形成することができる。改質部は、多光子吸収により半導体ウエハ内部が局所的に加熱溶融することにより形成された溶融処理領域であることが好ましい。 The step (B) can be performed by applying a known technique as a stealth dicing method. For example, as a specific method for forming the modified portion in the semiconductor wafer by laser light irradiation, the methods described in JP-A Nos. 2002-192370 and 2003-338467 can be applied. As an apparatus that can be used for laser light irradiation, for example, a laser dicing apparatus “MAHODICING MACHINE” (manufactured by Tokyo Seimitsu Co., Ltd.) can be mentioned. Using such an apparatus, a modified portion is formed inside the semiconductor wafer by aligning the focal point inside the semiconductor wafer and irradiating laser light from the surface side of the semiconductor wafer along the planned dividing line. be able to. The reforming part is preferably a melting treatment region formed by locally heating and melting the inside of the semiconductor wafer by multiphoton absorption.
半導体ウエハ内部に改質部を形成する工程（Ｂ）は、半導体ウエハにダイボンディングフィルムを貼り付ける工程（Ａ）の前に実施しても、又は工程（Ａ）の後に実施してもよい。工程（Ｂ）を工程（Ａ）の前に実施する場合、工程（Ａ）において加工用テープの貼り付け時に加わる応力により半導体ウエハが切断されることを防止するため、半導体ウエハを支持して貼り付けを行うことが好ましい。一方、工程（Ｂ）を工程（Ａ）の後に実施する場合は、レーザー光を透過する材料を用いて接着層及びダイシングテープを構成することによって、半導体ウエハの裏面からレーザー光を照射することが可能となる。 The step (B) of forming the modified portion inside the semiconductor wafer may be performed before the step (A) of attaching the die bonding film to the semiconductor wafer or after the step (A). When the step (B) is performed before the step (A), the semiconductor wafer is supported and pasted in order to prevent the semiconductor wafer from being cut by the stress applied when the processing tape is pasted in the step (A). It is preferable to perform attachment. On the other hand, when the step (B) is performed after the step (A), the laser beam can be irradiated from the back surface of the semiconductor wafer by forming the adhesive layer and the dicing tape using a material that transmits the laser beam. It becomes possible.
ステルスダイシング法では、ダイシングテープが引き伸ばされる際に半導体ウエハに外力が加わり、先ず、半導体ウエハ内部の改質部を起点として半導体ウエハの厚さ方向に割れが発生する。そして、上記改質部を起点とする割れが、半導体ウエハの表面及び裏面、さらには、半導体ウエハと密着する接着層（ダイボンディングフィルム）にまで到達し、半導体ウエハ及びダイボンディングフィルムが破断することによって、それらの同時切断が達成される。本発明によれば、低温条件下においても、ウエハ加工用テープのダイシングテープが優れた延伸性を示すことによって、半導体ウエハに加わる外力が大きくなり、半導体ウエハと接着層とを高い歩留で一括して切断することができるものと考えられる。従って、本発明の製造方法によれば、工程（Ｃ）を−１５〜５℃の低温条件下で良好に実施することができる。本発明の製造方法は、工程（Ａ）〜（Ｄ）に加えて、半導体チップの封止工程など、必要に応じて、当技術分野で周知の工程を有してもよい。 In the stealth dicing method, an external force is applied to the semiconductor wafer when the dicing tape is stretched, and first, cracks occur in the thickness direction of the semiconductor wafer starting from the modified portion inside the semiconductor wafer. And the crack which originates in the said modification part reaches | attains the adhesive layer (die bonding film) closely_contact | adhered to the surface and back surface of a semiconductor wafer, and also a semiconductor wafer, and a semiconductor wafer and die bonding film fracture | rupture. The simultaneous cutting of them is achieved. According to the present invention, even if the dicing tape of the wafer processing tape exhibits excellent stretchability even under low temperature conditions, the external force applied to the semiconductor wafer is increased, and the semiconductor wafer and the adhesive layer are collectively bonded at a high yield. It is thought that it can be cut. Therefore, according to the manufacturing method of this invention, a process (C) can be favorably implemented on low temperature conditions of -15-5 degreeC. In addition to the steps (A) to (D), the production method of the present invention may include steps known in the art as necessary, such as a semiconductor chip sealing step.
本発明を実施例に基づき、さらに詳細に説明する。
１．粘着層材料−粘着剤成分の調製
（粘着剤１）
主モノマー成分として、２−エチルヘキシルアクリレート及びメチルメタクリレートを使用し、官能基モノマー成分として、ヒドロキシエチルアクリレート、及びアクリル酸を使用し、これら成分を溶液重合法に従って重合させることによって、アクリル共重合体を得た。このアクリル共重合体の重量平均分子量は、４０万、ガラス転移点は−３８℃であった。スリーワンモータ、撹拌翼、を用い、アクリル共重合体１００重量部に対し、多官能イソシアネート架橋剤（三菱化学株式会社製、商品名マイテックＮＹ７３０Ａ−Ｔ）を１０重量部配合、攪拌することによって、粘着剤１を得た。
The present invention will be described in more detail based on examples.
1. Adhesive layer material-Preparation of adhesive component (Adhesive 1)
By using 2-ethylhexyl acrylate and methyl methacrylate as main monomer components, using hydroxyethyl acrylate and acrylic acid as functional group monomer components, and polymerizing these components according to a solution polymerization method, an acrylic copolymer is obtained. Obtained. The acrylic copolymer had a weight average molecular weight of 400,000 and a glass transition point of -38 ° C. By blending and stirring 10 parts by weight of a polyfunctional isocyanate cross-linking agent (manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation, trade name: Mytec NY730A-T) with respect to 100 parts by weight of an acrylic copolymer using a three-one motor and a stirring blade, An adhesive 1 was obtained.
（粘着剤２）
スリーワンモータ、撹拌翼、窒素導入管が備え付けられた容量４０００ｍｌのオートクレーブに酢酸エチル１０００ｇ、２−エチルヘキシルアクリレートを６５０ｇ、２−ヒドロキシエチルアクリレートを３５０ｇ、及びアゾビスイソブチロニトリルを３．０ｇ配合し、反応溶液が均一になるまで撹拌した。次いで、反応溶液に対して、流量１００ｍｌ／ｍｉｎにて６０分間バブリングを実施し、系中の溶存酸素を脱気した。さらに、反応溶液を１時間かけて６０℃まで昇温し、昇温後、４時間にわたって重合させた。その後、反応溶液を１時間かけて９０℃まで昇温し、更に９０℃にて１時間保持後、室温に冷却した。次に、反応溶液に酢酸エチルを１０００ｇ加えて撹拌し希釈した。希釈後の反応溶液に重合禁止剤としてメトキノンを０．１ｇ、ウレタン化触媒として、ジオクチルスズジラウレートを０．０５ｇ添加したのち、２−メタクリロキシエチルイソシアネート（昭和電工（株）製カレンズＭＯＩ）を１００ｇ加え、７０℃で６時間反応させたのち室温に冷却した。その後、上記反応溶液に酢酸エチルを加え、溶液中の不揮発分含有量が３５質量％となるよう調整することによって、連鎖重合可能な官能基を有するアクリル樹脂の溶液を得た。
(Adhesive 2)
1000g of ethyl acetate, 650g of 2-ethylhexyl acrylate, 350g of 2-hydroxyethyl acrylate, and 3.0g of azobisisobutyronitrile were blended in a 4000ml autoclave equipped with a three-one motor, a stirring blade and a nitrogen introduction tube. The reaction solution was stirred until it became homogeneous. Next, the reaction solution was bubbled at a flow rate of 100 ml / min for 60 minutes to degas dissolved oxygen in the system. Further, the reaction solution was heated to 60 ° C. over 1 hour, and polymerized for 4 hours after the temperature was raised. Thereafter, the reaction solution was heated to 90 ° C. over 1 hour, further held at 90 ° C. for 1 hour, and then cooled to room temperature. Next, 1000 g of ethyl acetate was added to the reaction solution and stirred for dilution. After adding 0.1 g of methoquinone as a polymerization inhibitor and 0.05 g of dioctyltin dilaurate as a urethanization catalyst to the reaction solution after dilution, 100 g of 2-methacryloxyethyl isocyanate (Karenz MOI manufactured by Showa Denko KK) is added. In addition, the mixture was reacted at 70 ° C. for 6 hours and then cooled to room temperature. Thereafter, ethyl acetate was added to the reaction solution, and the solution was adjusted so that the nonvolatile content in the solution was 35% by mass, thereby obtaining an acrylic resin solution having a chain polymerizable functional group.
上記アクリル樹脂の酸価を、ＪＩＳ Ｋ００７０に従って、酸価と水酸基価を測定したところ、酸価は検出されなかった。水酸基価を求めたところ、１２１ｍｇＫＯＨ／ｇであった。また、上記アクリル樹脂を６０℃で一晩真空乾燥し、得られた固形分についてエレメンタール社製全自動元素分析装置ｖａｒｉｏＥＬにて元素分析し、窒素含有量を測定した。その測定値に基づき、樹脂中に導入された２−メタクリロキシエチルイソシアネートの含有量を算出したところ、０．５９ｍｍｏｌ／ｇであった。また、東ソー株式会社製ＳＤ−８０２２／ＤＰ−８０２０／ＲＩ−８０２０を使用し、カラムには日立化成株式会社製Ｇｅｌｐａｃｋ ＧＬ−Ａ１５０−Ｓ／ＧＬ−Ａ１６０−Ｓを用い、溶離液にテトラヒドロフランを用いて、アクリル樹脂のＧＰＣ測定を行なった結果、ポリスチレン換算の重量平均分子量は４２万であった。 When the acid value and hydroxyl value of the acrylic resin were measured according to JIS K0070, no acid value was detected. When the hydroxyl value was determined, it was 121 mgKOH / g. Moreover, the said acrylic resin was vacuum-dried at 60 degreeC overnight, the elemental analysis was carried out about the obtained solid content with the elemental full automatic elemental analyzer varioEL, and nitrogen content was measured. Based on the measured value, the content of 2-methacryloxyethyl isocyanate introduced into the resin was calculated to be 0.59 mmol / g. Also, SD-8022 / DP-8020 / RI-8020 manufactured by Tosoh Corporation is used, Gelpack GL-A150-S / GL-A160-S manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd. is used for the column, and tetrahydrofuran is used for the eluent. As a result of GPC measurement of the acrylic resin, the weight average molecular weight in terms of polystyrene was 420,000.
上記アクリル樹脂（アクリル共重合体）１００重量部に対し、架橋剤として多官能イソシアネート（日本ポリウレタン工業（株）製、コロネートＬ、固形分７５％）を固形分として１２．０ｇ、光開始剤として１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン（チバスペシャリティケミカルズ（株）製、イルガキュア１８４）を１．０ｇ、更に総固形分含有量が２７質量％となるように酢酸エチルを加え、各成分を１０分間均一に撹拌することによって、粘着剤２を得た。 As a photoinitiator, polyfunctional isocyanate (manufactured by Nippon Polyurethane Industry Co., Ltd., Coronate L, solid content 75%) as a crosslinking agent is used as a crosslinking agent with respect to 100 parts by weight of the acrylic resin (acrylic copolymer). 1.0 g of 1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone (manufactured by Ciba Specialty Chemicals Co., Ltd., Irgacure 184) was added, and ethyl acetate was added so that the total solid content was 27% by mass, and each component was stirred uniformly for 10 minutes. By doing this, the adhesive 2 was obtained.
２．接着層材料−硬化性樹脂組成物の調製
（硬化性樹脂組成物１）
ＨＴＲ−８６０Ｐ−３（ナガセケムテックス（株）製商品名、グリシジル基含有アクリルゴム、分子量１００万、Ｔｇ−７℃）１００重量部、ＹＤＣＮ−７０３（東都化成（株）製商品名、ｏ−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、エポキシ当量２１０）５．４重量部、ＹＤＣＮ−８１７０Ｃ（東都化成（株）製商品名、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、エポキシ当量１５７）１６．２重量部、プライオーフェンＬＦ２８８２（大日本インキ化学工業（株）製商品名、ビスフェノールＡノボラック樹脂）１５．３重量部、ＮＵＣＡ−１８９（日本ユニカー（株）製商品名、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン）０．１重量部、及びＮＵＣＡ−１１６０（日本ユニカー（株）製商品名、γ‐ウレイドプロピルトリエトキシシラン）０．３重量部に、さらにシクロヘキサノンを加えて攪拌及び混合し、次いで真空脱気することによって、硬化性樹脂組成物１のワニスを得た。 なお、上記組成物１のワニスをフィルムした後に、Ｂステージにおける０℃の弾性率を測定したところ、３０５０ＭＰａであった。上記弾性率の測定は、レオロジ社製ＤＶＥ−Ｖ４（製品名）を用い、サンプルサイズ：長さ２０ｍｍ、幅４ｍｍ、測定温度：-50℃〜300℃、３℃／ｍｉｎ、測定モード：引張りモード、周波数：１０Ｈｚの条件下で実施した。
2. Adhesive layer material-preparation of curable resin composition (curable resin composition 1)
HTR-860P-3 (trade name, manufactured by Nagase ChemteX Corporation, glycidyl group-containing acrylic rubber, molecular weight 1 million, Tg-7 ° C.) 100 parts by weight, YDCN-703 (trade name, manufactured by Toto Kasei Co., Ltd., o- Cresol novolac type epoxy resin, epoxy equivalent 210) 5.4 parts by weight, YDCN-8170C (trade name, bisphenol F type epoxy resin, epoxy equivalent 157, manufactured by Tohto Kasei Co., Ltd.) 16.2 parts by weight, Pryofen LF2882 (large) Nippon Ink Chemical Co., Ltd. trade name, bisphenol A novolak resin) 15.3 parts by weight, NUCA-189 (Nippon Unicar Co., Ltd. trade name, γ-mercaptopropyltrimethoxysilane) 0.1 parts by weight, and NUCA-1160 (trade name, γ-ureidopropyltriethoxysilane, manufactured by Nippon Unicar Co., Ltd.) 0 Further, cyclohexanone was added to 3 parts by weight, stirred and mixed, and then vacuum degassed to obtain a varnish of curable resin composition 1. In addition, after filming the varnish of the said composition 1, it was 3050 MPa when the 0 degreeC elastic modulus in a B stage was measured. The elastic modulus is measured by using DVE-V4 (product name) manufactured by Rheology, sample size:
（硬化性樹脂組成物２） 温度計、攪拌機及び塩化カルシウム管を備えた５００ｍｌの四つ口フラスコに、ＢＰＡＤＡ：２，２−ビス［４−（３，４−ジカルボキシフェノキシ）フェニル］プロパン二無水物（黒金化成製）１００重量部に対して、ＬＰ７１００：１，３−ビス（３−アミノプロピル）テトラメチルジシロキサン（信越化学社製）を３５部、Ｂ１２：４，９−ジオキサデカン−１，１２−ジアミン（ＢＡＳＦ社製）を３５部、Ｄ２０００：ポリオキシプロピレンジアミン２０００（ＢＡＳＦ社製）を３０部入れ、さらにＮ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）を加えて、６０℃にて撹拌及び混合した。６０℃で１時間反応させた後、Ｎ２ガスを吹き込みながら１７０℃で加熱し、水を溶剤の一部と共沸除去することにより、ポリイミドの溶液を得た。
得られたポリイミドの溶液に、ポリイミド１００質量部(固形分換算)に対して、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂（東都化成製）４質量部、４，４’−［１−［４−［１−（４−ヒドロキシフェニル）−１−メチルエチル］フェニル］エチリデン］ビスフェノール（本州化学製）２質量部、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボラート（東京化成製）０．５質量部を加え混合した。さらに、窒化硼素フィラー（水島合金鉄製）を上記混合溶液の固形分の全質量に対して２５質量％、アエロジルフィラーＲ９７２（日本アエロジル製）を固形分の全質量に対して３質量％となるように加え、良く混錬して、硬化性樹脂組成物２として、ポリイミドワニスを得た。なお、上記組成物２のワニスをフィルムした後に、０℃における弾性率を測定したところ、１１００ＭＰａであった。上記弾性率の測定は、組成物１のワニスに関する測定と同様にして実施した。
(Curable resin composition 2) In a 500 ml four-necked flask equipped with a thermometer, a stirrer and a calcium chloride tube, BPADA: 2,2-bis [4- (3,4-dicarboxyphenoxy) phenyl] propane LP100: 1,3-bis (3-aminopropyl) tetramethyldisiloxane (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.), 35 parts, B12: 4,9-dioxadecane- with respect to 100 parts by weight of an anhydride (manufactured by Kurokin Kasei) 35 parts of 1,12-diamine (manufactured by BASF), D2000: 30 parts of polyoxypropylenediamine 2000 (manufactured by BASF) are added, and N-methyl-2-pyrrolidone (NMP) is further added at 60 ° C. Stir and mix. After reacting for 1 hour at 60 ° C., and heated at 170 ° C. while blowing N 2 gas, by the water with a portion azeotropic removal of the solvent to obtain a solution of polyimide.
In the obtained polyimide solution, 4 parts by mass of cresol novolac epoxy resin (manufactured by Tohto Kasei), 4,4 ′-[1- [4- [1- ( 2 parts by mass of 4-hydroxyphenyl) -1-methylethyl] phenyl] ethylidene] bisphenol (Honshu Chemical) and 0.5 parts by mass of tetraphenylphosphonium tetraphenylborate (Tokyo Kasei) were added and mixed. Furthermore, boron nitride filler (made by Mizushima alloy iron) is 25% by mass with respect to the total mass of the solid content of the mixed solution, and Aerosil filler R972 (made by Nippon Aerosil) is 3% by mass with respect to the total mass of the solid content. In addition, kneaded well to obtain a polyimide varnish as the curable resin composition 2. In addition, after filming the varnish of the said composition 2, when the elasticity modulus in 0 degreeC was measured, it was 1100 MPa. The elastic modulus was measured in the same manner as the measurement for the varnish of composition 1.
＜Ｉ＞ウエハ加工用テープの作製
（実施例１）
１．ダイシングテープの作製
表面離型処理ポリエチレンテレフタレートフィルム（厚さ２５μｍ）の上に乾燥時の粘着層の厚さが３０μｍになるように粘着剤成分１を塗工乾燥した。更に、基材層として、エチレン−メタクリル酸共重合体の分子間を金属イオンで架橋したアイオノマー樹脂（三井・デュポンポリケミカル株式会社製の商品名「ハイミラン１７０６」)から構成され、表面にコロナ処理を施した単層フィルム（厚さ８０μｍ）を上記粘着層の上にラミネートし、基材層／粘着層（粘着剤１）／保護フィルムの構成を有するダイシングテープを得た。このダイシングテープを室温で２週間放置し、十分にエージングを行った。
<I> Fabrication of wafer processing tape (Example 1)
1. Preparation of dicing tape The pressure-sensitive adhesive component 1 was applied and dried on a surface release-treated polyethylene terephthalate film (thickness 25 μm) so that the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer when dried was 30 μm. Furthermore, the base layer is composed of an ionomer resin (trade name “HIMILAN 1706” manufactured by Mitsui DuPont Polychemical Co., Ltd.) in which the ethylene-methacrylic acid copolymer molecules are crosslinked with metal ions, and the surface is corona-treated. A monolayer film (thickness: 80 μm) subjected to the above process was laminated on the adhesive layer to obtain a dicing tape having a structure of base material layer / adhesive layer (adhesive 1) / protective film. This dicing tape was allowed to stand at room temperature for 2 weeks and sufficiently aged.
２．接着シートの作製
厚さ７５μｍの表面離型処理ポリエチレンテレフタレートフィルム（帝人デュポンフィルム（株）製、テイジンテトロンフィルム：Ａ−３１）上に、乾燥後の膜厚が２０μｍになるように硬化性樹脂組成物１のワニスを塗布し、乾燥することによって接着層を形成した。このようにして、ＰＥＴフィルム／接着層の構成を有する接着シートを得た。
2. Preparation of adhesive sheet A curable resin composition having a thickness of 20 μm after drying on a 75 μm-thick surface release-treated polyethylene terephthalate film (Teijin DuPont Films Co., Ltd., Teijin Tetron Film: A-31) The adhesive layer was formed by apply | coating the varnish of the thing 1 and drying. In this way, an adhesive sheet having a configuration of PET film / adhesive layer was obtained.
３．ウエハ加工用テープの作製
予め作製したダイシングテープの保護フィルムを剥離し、ダイシングテープの粘着層と、接着シートの接着層とが接合するように互いに貼り合わせた。このようにして、基材層／粘着層（粘着剤１）／接着層（組成物１）／ＰＥＴフィルムの構成を有するウエハ加工用テープを得た。
3. Production of Wafer Processing Tape The protective film of the dicing tape produced in advance was peeled off and bonded together so that the adhesive layer of the dicing tape and the adhesive layer of the adhesive sheet were joined. In this way, a wafer processing tape having a configuration of base material layer / adhesive layer (adhesive 1) / adhesive layer (composition 1) / PET film was obtained.
（実施例２）
ダイシングテープの基材層として、エチレン−メタクリル酸共重合体（ＥＭＡＡ）から構成され表面にコロナ処理を施した単層フィルム（厚さ８０μｍ）を使用したことを除き、全て実施例１と同様にして、加工用テープを作製した。
(Example 2)
Except that a single-layer film (thickness 80 μm) composed of an ethylene-methacrylic acid copolymer (EMAA) and subjected to corona treatment on the surface was used as the base layer of the dicing tape, all were the same as in Example 1. Thus, a processing tape was produced.
（実施例３）
ダイシングテープの基材層として、エチレン−メタクリル酸共重合体の分子間を金属イオンで架橋したアイオノマー樹脂（三井・デュポンポリケミカル株式会社製の商品名「ハイミラン１６５２」)から構成され表面にコロナ処理を施した単層フィルム（厚さ８０μｍ）を使用したことを除き、全て実施例１と同様にして、加工用テープを作製した。
(Example 3)
The substrate layer of the dicing tape is made of an ionomer resin (trade name “HIMILAN 1652” manufactured by Mitsui-DuPont Polychemical Co., Ltd.) in which the ethylene-methacrylic acid copolymer molecules are cross-linked with metal ions. A processing tape was produced in the same manner as in Example 1 except that a single-layer film (thickness: 80 μm) subjected to the above was used.
（実施例４）
ダイシングテープの基材層として、エチレン・１−ヘキセン共重合体とブテン・α−オレフィンとの共重合体からなる樹脂から構成され表面にコロナ処理を施した単層フィルム（試作品「ＭＰ５−７」、厚さ８０μｍ）を使用したことを除き、全て実施例１と同様にして、加工用テープを作製した。
Example 4
As the base layer of the dicing tape, a monolayer film (prototype “MP5-7” made of a resin composed of a copolymer of ethylene / 1-hexene copolymer and butene / α-olefin and subjected to corona treatment on the surface) A processing tape was produced in the same manner as in Example 1 except that a thickness of 80 μm) was used.
（実施例５）
表面離型処理したポリエチレンテレフタレートフィルム（厚さ２５μｍ）の上に乾燥時の粘着層の厚さが３０μｍになるように粘着剤成分２を塗工乾燥した。更に、基材層として、エチレン−メタクリル酸共重合体の分子間を金属イオンで架橋したアイオノマー樹脂（三井・デュポンポリケミカル株式会社製の商品名「ハイミラン１７０６」)から構成され表面にコロナ処理を施した単層フィルム（厚さ８０μｍ）を上記粘着層の上にラミネートし、基材層／粘着層（粘着剤２）／保護フィルムの構成を有するダイシングテープを得た。このダイシングテープを室温で２週間放置し、十分にエージングを行った。その他は、全て実施例１と同様にして、加工用テープを作製した。
(Example 5)
The pressure-sensitive adhesive component 2 was applied and dried on a polyethylene terephthalate film (thickness 25 μm) subjected to surface release treatment so that the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer at the time of drying was 30 μm. Furthermore, the base layer is composed of an ionomer resin (trade name “HIMILAN 1706” manufactured by Mitsui-DuPont Polychemical Co., Ltd.) in which the ethylene-methacrylic acid copolymer molecules are cross-linked with metal ions, and the surface is subjected to corona treatment. The applied single layer film (thickness: 80 μm) was laminated on the adhesive layer to obtain a dicing tape having the structure of base material layer / adhesive layer (adhesive 2) / protective film. This dicing tape was allowed to stand at room temperature for 2 weeks and sufficiently aged. Otherwise, the processing tape was prepared in the same manner as in Example 1.
（実施例６）
硬化性樹脂組成物２のポリイミドワニスを使用して接着シートを構成したことを除き、全て実施例１と同様にして、加工用テープを作製した。接着シートの作製は、厚さ７５μｍの表面離型処理したポリエチレンテレフタレートフィルム（帝人デュポンフィルム（株）製、テイジンテトロンフィルム：Ａ−３１）上に、乾燥後の膜厚が２０μｍになるように組成物２を塗布し、その後、８０℃で３０分、続いて１２０℃で３０分加熱して接着層を形成することによって実施した。
(Example 6)
A processing tape was produced in the same manner as in Example 1 except that the adhesive sheet was constructed using the polyimide varnish of the curable resin composition 2. The adhesive sheet was prepared on a polyethylene terephthalate film (Teijin DuPont Films Co., Ltd., Teijin Tetron Film: A-31) having a surface release treatment of 75 μm thick, so that the film thickness after drying was 20 μm. The product 2 was applied and then heated at 80 ° C. for 30 minutes, followed by heating at 120 ° C. for 30 minutes to form an adhesive layer.
（比較例１）
ダイシングテープの基材層として、表面にコロナ処理を施した単層のＰＢＴフィルム（オージーフィルム株式会社製の商品名「ＢＴＳ−１４００」、厚さ８０μｍ）を使用したことを除き、全て実施例１と同様にして、加工用テープを作製した。
(Comparative Example 1)
Example 1 except that a single-layer PBT film (trade name “BTS-1400” manufactured by OG Film Co., Ltd., thickness 80 μm) having a corona treatment on the surface was used as the base layer of the dicing tape. In the same manner as above, a processing tape was produced.
（比較例２）
ダイシングテープの基材層として、α−オレフィン共重合体から構成され表面にコロナ処理を施したポリオレフィン系単層フィルム（ＪＳＲトレーディング株式会社製の商品名「ＤＦＳ−６４００−８０」、厚さ８０μｍ）を使用したことを除き、全て実施例１と同様にして、加工用テープを作製した。
(Comparative Example 2)
As a base material layer of a dicing tape, a polyolefin-based single layer film composed of an α-olefin copolymer and subjected to corona treatment on the surface (trade name “DFS-6400-80” manufactured by JSR Trading Co., Ltd., thickness 80 μm) A processing tape was produced in the same manner as in Example 1 except that was used.
（比較例３）
ダイシングテープの基材層として、α−オレフィン共重合体から構成され表面にコロナ処理を施したポリオレフィン系単層フィルム（ＪＳＲトレーディング株式会社製の商品名「ＳＰＭ−８０」、厚さ８０μｍ）を使用したことを除き、全て実施例１と同様にして、加工用テープを作製した。
(Comparative Example 3)
As the base layer of the dicing tape, a polyolefin monolayer film (trade name “SPM-80” manufactured by JSR Trading Co., Ltd., thickness 80 μm) made of an α-olefin copolymer and subjected to corona treatment on the surface is used. A processing tape was produced in the same manner as in Example 1 except for the above.
（比較例４）
ダイシングテープの基材層として、ブテン・α−オレフィン共重合体から構成され表面にコロナ処理を施したポリオレフィン系単層フィルム（ＪＳＲトレーディング株式会社製の商品名「ＭＰ３−８０」、厚さ８０μｍ）を使用したことを除き、全て実施例１と同様にして、加工用テープを作製した。
(Comparative Example 4)
As a base material layer of a dicing tape, a polyolefin-based single layer film composed of butene / α-olefin copolymer and subjected to corona treatment on the surface (trade name “MP3-80” manufactured by JSR Trading Co., Ltd., thickness 80 μm) A processing tape was produced in the same manner as in Example 1 except that was used.
＜ＩＩ＞ウエハ加工用テープの評価
１．基材フィルムの特性
各実施例及び各比較例で使用した基材フィルムの各種特性を表１に示す。各種特性は、以下の方法に従って測定した値である。
（引張強度、応力の測定）
ＪＩＳ Ｚ１７０２−９４の「包装用ポリエチレンフィルム」に規定する引張試験の方法に準じ、−１０℃の温度条件下、５００ｍｍ／ｍｉｎの引張速度で、基材フィルムの引張試験を実施し、ＳＳカーブ（応力−ひずみ曲線）を得た。なお、試験では、基材フィルムを１０ｍｍ幅で、チャック間距離が４０ｍｍになるように加工したものを測定サンプルとして使用した。引張条件は、オリエンテック社製のテンシロン（株式会社オリエンテック社製 ＲＴＣ−１２１０）を使用して、−１０℃±２℃の温度において、５００ｍｍ／ｍｉｎとした。ＳＳカーブにおいて、伸び率２０％及び４０％での応力値をそれぞれ読み取った。このような測定を、ＭＤ方向およびＴＤ方向の両方について実施した。
<II> Evaluation of Tape for Wafer Processing Characteristics of the base film Table 1 shows various characteristics of the base film used in each example and each comparative example. Various characteristics are values measured according to the following methods.
(Measurement of tensile strength and stress)
In accordance with the tensile test method defined in “Packaging Polyethylene Film” of JIS Z1702-94, a tensile test of the base film is performed at a tensile speed of 500 mm / min under a temperature condition of −10 ° C., and an SS curve ( Stress-strain curve). In the test, a substrate sample was processed to have a width of 10 mm and a distance between chucks of 40 mm as a measurement sample. The tensile conditions were set to 500 mm / min at a temperature of −10 ° C. ± 2 ° C. using Tensilon (Orientec Co., Ltd., RTC-1210). In the SS curve, the stress values at 20% elongation and 40% elongation were read, respectively. Such measurements were performed in both the MD and TD directions.
（−１０℃初期弾性率の測定）
ＳＳカーブ測定の測定結果に基づき、原点と立ち上がりの接線とを結んだ傾きを求め、さらに下式１を用いて値を算出し、初期弾性率とした。
式１：初期弾性率＝（原点と立ち上がりの接線を結んだ任意の伸び値に対応する応力値／断面積）／（原点と立ち上がりの接線を結んだ任意の伸び値／サンプルのチャック間距離）
(Measurement of initial elastic modulus at -10 ° C)
Based on the measurement result of the SS curve measurement, the inclination connecting the origin and the rising tangent was obtained, and the value was calculated using the following equation 1 to obtain the initial elastic modulus.
Formula 1: Initial elastic modulus = (stress value corresponding to an arbitrary elongation value connecting the origin and the rising tangent / cross-sectional area) / (arbitrary elongation value connecting the origin and the rising tangent / distance between the chucks of the sample)
２．ウエハ及びＤＡＦの分断性評価
（改質領域の形成）
厚さ５０μｍの半導体ウエハの片面に、各実施例及び各比較例で作製したウエハ加工用テープのＰＥＴフィルムを剥離し、接着層の面をそれぞれ貼り付けた。各々のウエハ加工用テープの特性を表１に纏めて示す。
次いで、レーザーダイシング装置「ＭＡＨＯＨＤＩＣＩＮＧ ＭＡＣＨＩＮＥ」（株式会社東京精密製）を使用し、ウエハに改質領域を形成した。加工条件は以下のとおりである。
（Ａ）半導体ウエハ：シリコンウエハ（厚さ５０μｍ、外径１２インチ）
（Ｂ）レーザー光源：半導体レーザー励起Ｎｄ：ＹＡＧレーザー
波長：１０６４ｎｍ
レーザー光スポット断面積：３．１４×１０−８ｃｍ２
発振形態：Ｑスイッチパルス
繰り返し周波数：１００ｋＨｚ
パルス幅：３０ｎｓ
出力：２０μＪ／パルス
レーザー光品質：ＴＥＭ００
偏光特性：直線偏光
（Ｃ）集光用レンズ倍率：５０倍
ＮＡ：０．５５
レーザー光波長に対する透過率：６０パーセント
（Ｄ）半導体基板が載置される載置台の移動速度：１００ｍｍ／秒
2. Wafer and DAF severability evaluation (formation of modified region)
The PET film of the wafer processing tape produced in each Example and each Comparative Example was peeled off on one side of a 50 μm-thick semiconductor wafer, and the surface of the adhesive layer was attached thereto. The characteristics of each wafer processing tape are summarized in Table 1.
Next, a modified region was formed on the wafer by using a laser dicing apparatus “MAHODICING MACHINE” (manufactured by Tokyo Seimitsu Co., Ltd.). The processing conditions are as follows.
(A) Semiconductor wafer: silicon wafer (thickness 50 μm, outer diameter 12 inches)
(B) Laser light source: semiconductor laser excitation Nd: YAG laser wavelength: 1064 nm
Laser light spot cross-sectional area: 3.14 × 10 −8 cm 2
Oscillation form: Q switch pulse Repeat frequency: 100 kHz
Pulse width: 30ns
Output: 20μJ / pulse Laser light quality: TEM00
Polarization characteristics: Linearly polarized light (C) Condenser lens magnification: 50 times NA: 0.55
Transmittance to laser light wavelength: 60% (D) Moving speed of mounting table on which semiconductor substrate is mounted: 100 mm / second
（切断及び評価）
上述の手順に従い予め改質領域を形成する工程を実施した、ウエハ加工用テープ付半導体ウエハをエキスパンド装置に固定した。次いで、以下の条件下で、ダイシングテープをエキスパンドし、接着層（ＤＡＦ）及びウエハを切断及び分割し、ＤＡＦ付のチップを得た。なお、評価サンプルにおける基材フィルムの物性によって、エキスパンド条件は、適宜調整が必要である。そのため、エキスパンド時には、表２に示すように、主に、クールエキスパンド条件のHeightとSpeedについて変更した。
装置：（株）ディスコ社製のDDS2300 Fully Automatic Die Separator
クールエキスパンド条件：
Temperature:-15℃、Height:10mm、Cooling Time:60sec
Speed:100mm/sec、Waiting time:10sec
ヒートエキスパンド条件
Temperature:200℃、Height:10mm、Hold Time:20sec
Speed:5mm/sec、Heater Speed:5°/sec
(Cutting and evaluation)
A semiconductor wafer with a tape for wafer processing, in which the step of forming a modified region in advance according to the above-described procedure, was fixed to an expanding apparatus. Subsequently, the dicing tape was expanded under the following conditions, and the adhesive layer (DAF) and the wafer were cut and divided to obtain chips with DAF. The expanding conditions need to be adjusted appropriately depending on the physical properties of the base film in the evaluation sample. Therefore, at the time of expansion, as shown in Table 2, the height and speed of the cool expanding condition were mainly changed.
Equipment: DDS2300 Fully Automatic Die Separator manufactured by DISCO Corporation
Cool expanding conditions:
Temperature: -15 ℃, Height: 10mm, Cooling Time: 60sec
Speed: 100mm / sec, Waiting time: 10sec
Heat expanding conditions
Temperature: 200 ℃, Height: 10mm, Hold Time: 20sec
Speed: 5mm / sec, Heater Speed: 5 ° / sec
（分断性）
分割後のウエハ及びＤＡＦについて、ウエハ上部から顕微鏡にて観察し、ウエハとウエハ、及びＤＡＦとＤＡＦとが分断されているかを判断した。上記顕微鏡による観察は、ウエハ周辺部と中央部に対して実施し、以下の基準に従って分断性を評価した。結果を表２に示す。
（評価基準）
◎：ウエハ及びＤＡＦ分断性が９５％以上〜１００％
○：ウエハ及びＤＡＦ分断性が８５％以上〜９５％未満
△：ウエハ及びＤＡＦ分断性が３０％以上〜８５％未満
×：ウエハ及びＤＡＦ分断性が３０％未満
なお、上記「％」は、分断ラインの総数に対して、分断できているラインの割合を示している。
(Partitionability)
The divided wafer and DAF were observed with a microscope from above the wafer, and it was determined whether the wafer and the wafer, and the DAF and the DAF were separated. The observation with the microscope was performed on the peripheral portion and the central portion of the wafer, and the severability was evaluated according to the following criteria. The results are shown in Table 2.
(Evaluation criteria)
A: Wafer and DAF fragmentability is 95% to 100%
○: Wafer and DAF severability 85% to less than 95% △: Wafer and DAF severability 30% to less than 85% ×: Wafer and DAF severability 30% or less The ratio of lines that are divided is shown with respect to the total number of lines.
Ａ ウエハ加工用テープ
１０ ダイシングテープ、１０ａ 基材フィルム、１０ｂ 粘着層 １０ｂ’粘着層の周縁部
２０ 接着層 ２０ａ 周縁部
３０ 保護フィルム
A
Claims (6)
前記ダイシングテープの前記粘着層上に設けられた接着層と
を有するウエハ加工用テープであって、
前記基材層が１以上の基材フィルムを含み、前記基材フィルムが−１０℃における引張試験において、以下（ｉ）〜（ｉｖ）の特性を有する、ウエハ加工用テープ。
（ｉ）初期弾性率が２００ＭＰａ以上、５００ＭＰａ以下であり、
（ｉｉ）前記基材フィルムは、長手方向（ＭＤ）４０％延伸時まで降伏点がなく、
（ｉｉｉ）前記基材フィルムのＭＤ２０％延伸時の応力（Ｔ１）が１５ＭＰａ以上であり、かつ前記Ｔ１と前記基材フィルムの幅方向（ＴＤ）２０％延伸時の応力（Ｔ２）との比（Ｔ１／Ｔ２）が、１．２以下であり、及び
（ｉｖ）前記基材フィルムのＭＤ４０％延伸時の応力（Ｔ３）と前記ＭＤ２０％延伸時の応力（Ｔ１）との差（Ｔ３−Ｔ１）が０．４ＭＰａ以上である。 A dicing tape having a base material layer and an adhesive layer provided on the base material layer;
A wafer processing tape having an adhesive layer provided on the adhesive layer of the dicing tape,
The tape for wafer processing in which the said base material layer contains one or more base films, and the said base film has the following characteristics (i)-(iv) in the tension test in -10 degreeC.
(I) The initial elastic modulus is 200 MPa or more and 500 MPa or less,
(Ii) The base film has no yield point until stretching in the longitudinal direction (MD) 40%,
(Iii) Ratio of stress (T1) at the time of MD20% stretching of the base film is 15 MPa or more and T1 and stress (T2) at the time of 20% stretching in the width direction (TD) of the base film ( T1 / T2) is 1.2 or less, and (iv) The difference ( T3−T1 ) between the stress ( T3 ) during MD40% stretching and the stress ( T1 ) during MD20% stretching of the base film Is 0.4 MPa or more.
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