JP5117435B2

JP5117435B2 - Wafer processing tape

Info

Publication number: JP5117435B2
Application number: JP2009068131A
Authority: JP
Inventors: 邦彦石黒; 泰正盛島; 伸一石渡
Original assignee: THE FURUKAW ELECTRIC CO., LTD.
Current assignee: THE FURUKAW ELECTRIC CO., LTD.
Priority date: 2009-03-19
Filing date: 2009-03-19
Publication date: 2013-01-16
Anticipated expiration: 2029-03-19
Also published as: JP2010225628A

Description

本発明は、半導体ウエハを半導体素子（チップ）に切断するダイシング工程と、切断されたチップをリードフレームや他のチップに接着するダイボンディング工程との両工程に使用されるウエハ加工用テープに関する。 The present invention relates to a wafer processing tape used in both a dicing step of cutting a semiconductor wafer into semiconductor elements (chips) and a die bonding step of bonding the cut chips to a lead frame or another chip.

半導体装置の製造工程では、半導体ウエハをチップ単位に切断（ダイシング）する工程、切断された半導体素子（チップ）をピックアップする工程、さらにピックアップされたチップをリードフレームやパッケージ基板等に接着するダイボンディング（マウント）工程が実施される。 In the manufacturing process of a semiconductor device, a step of cutting (dicing) a semiconductor wafer into chips, a step of picking up a cut semiconductor element (chip), and die bonding for bonding the picked-up chip to a lead frame, a package substrate, etc. A (mount) process is performed.

上記半導体装置の製造工程に使用されるウエハ加工用テープとして、基材フィルム上に、粘着剤層と接着剤層とがこの順に形成されたウエハ貼着用粘着フィルムが知られている（例えば、特許文献１参照）。
しかし、最も一般的なダイシング方法である高速回転する薄型砥石（ダイシングブレード）によりチップを切断すると、チップの薄型化に伴い、ダイシングブレードの回転振動により隣接するチップ同士が接触して、チップ割れやチップ欠け等のチッピングが発生するという問題があった。 As a wafer processing tape used in the manufacturing process of the semiconductor device, there is known an adhesive film for sticking a wafer in which an adhesive layer and an adhesive layer are formed in this order on a base film (for example, a patent) Reference 1).
However, when a chip is cut with a thin grindstone (dicing blade) that rotates at a high speed, which is the most common dicing method, adjacent chips come into contact with each other due to the rotational vibration of the dicing blade as the chip becomes thinner. There was a problem that chipping such as chipping occurred.

このようなダイシング時のチッピングを低減するために、半導体素子の厚みをＷ（μｍ）とし、接着剤層の厚みをＡ（μｍ）、接着剤層の硬化後の２５ ℃ における貯蔵弾性率をＥ（ＧＰａ）としたとき、Ｗ×Ｅ／Ａ＝Ｑで表されるＱの値が０．５〜８０とするウエハ加工用テープが知られている（例えば、特許文献２参照） In order to reduce such chipping during dicing, the thickness of the semiconductor element is W (μm), the thickness of the adhesive layer is A (μm), and the storage elastic modulus at 25 ° C. after curing of the adhesive layer is A wafer processing tape is known in which the value of Q represented by W × E / A = Q is 0.5 to 80 when E (GPa) is set (see, for example, Patent Document 2).

特開２００２−２２６７９６号公報JP 2002-226996 A 特開２００５−０２６５４７号公報JP 2005-026547 A

上記特許文献２に記載のウエハ加工用テープでは、接着剤層と粘着剤層との関係が考慮されておらず、接着剤層と粘着剤層との組み合わせによっては、チップ割れやチップ欠け等のチッピングを防止できないという問題があった。
そこで、本発明の目的は、ダイシング時におけるチップ割れやチップ欠け等のチッピングを低減することができるウエハ加工用テープを提供することにある。 In the wafer processing tape described in Patent Document 2, the relationship between the adhesive layer and the pressure-sensitive adhesive layer is not considered, and depending on the combination of the adhesive layer and the pressure-sensitive adhesive layer, chip cracks, chip breakage, etc. There was a problem that chipping could not be prevented.
Accordingly, an object of the present invention is to provide a wafer processing tape that can reduce chipping such as chip cracking and chip chipping during dicing.

本発明者らは、基材フィルムと、基材フィルム上に設けられた粘着剤層と、粘着剤層上に設けられた接着剤層とを有するウエハ加工用テープを用いて半導体装置を製造する場合、ダイシング時におけるチップ同士の接触は、ダイシングブレードの回転振動により生じるものであるから、ダイシング時におけるチップ割れやチップ欠けを低減するためには、粘着フィルムに、振動を吸収する機能（応力吸収性能）を持たせることが有効であることを見出した。
この発明は上述した知見に基づきなされたものである。 The present inventors manufacture a semiconductor device using a wafer processing tape having a base film, a pressure-sensitive adhesive layer provided on the base film, and an adhesive layer provided on the pressure-sensitive adhesive layer. In this case, since contact between chips during dicing is caused by rotational vibration of the dicing blade, in order to reduce chip cracking and chip chipping during dicing, the adhesive film has a function of absorbing vibration (stress absorption). It was found that it is effective to have performance.
The present invention has been made based on the above-described findings.

本発明の第１の態様に係るウエハ加工用テープは、基材フィルムと該基材フィルム上に設けられた粘着剤層とからなる粘着フィルムと、前記粘着剤層上に設けられた接着剤層とを有するウエハ加工用テープであって、前記粘着フィルムの８０℃における損失正接をｔａｎδｆｉｌｍ、前記接着剤層の８０℃における損失正接をｔａｎδａｄとしたとき、ｔａｎδａｄ／ｔａｎδｆｉｌｍが５．０以下であり、前記粘着フィルムに、振動を吸収する機能を持たせたことを特徴とする。
この構成によれば、ｔａｎδａｄ／ｔａｎδｆｉｌｍを５．０以下にしたことにより、粘着フィルムが振動を十分に吸収できる程度に軟らかくなる。このため、接着剤層のダイシングブレードの回転振動による振動が粘着フィルムにより吸収され、チップに伝わりにくくなり、隣接するチップ（個片化された接着剤層付きチップ）同士の接触が低減される。これにより、ダイシング時におけるチップ割れやチップ欠け等のチッピングが低減される。好ましくは、ｔａｎδａｄ／ｔａｎδｆｉｌｍが３．４以下である。
The tape for wafer processing which concerns on the 1st aspect of this invention is an adhesive film which consists of a base film and the adhesive layer provided on this base film, and the adhesive layer provided on the said adhesive layer a wafer processing tape having bets, Tanderutafilm the loss tangent at 80 ° C. of the adhesive film, when the Tanderutaad the loss tangent at 80 ° C. of the adhesive layer, tanδad / tanδfilm 5.0 Ri der less The adhesive film has a function of absorbing vibration .
According to this configuration, by setting tan δad / tan δ film to 5.0 or less, the adhesive film becomes soft enough to absorb vibration. For this reason, the vibration due to the rotational vibration of the dicing blade of the adhesive layer is absorbed by the adhesive film and is not easily transmitted to the chip, and contact between adjacent chips (chips with an adhesive layer separated into individual pieces) is reduced. Thereby, chipping such as chip cracking and chip chipping during dicing is reduced. Preferably, tanδad / tanδfilm is 3.4 or less.

本発明によれば、ダイシング時におけるチップ割れやチップ欠け等のチッピングを低減することができるウエハ加工用テープを実現することができる。 According to the present invention, it is possible to realize a wafer processing tape that can reduce chipping such as chip cracking and chip chipping during dicing.

本発明の実施形態に係るウエハ加工用テープを示す断面図である。It is sectional drawing which shows the tape for wafer processing which concerns on embodiment of this invention. ウエハ加工用テープ上に半導体ウエハを貼り合せた図である。It is the figure which bonded the semiconductor wafer on the tape for wafer processing. ダイシング工程を説明するための図である。It is a figure for demonstrating a dicing process. エキスパンド工程を説明するための図である。It is a figure for demonstrating an expanding process. ピックアップ工程を説明するための図である。It is a figure for demonstrating a pick-up process.

以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
図１は一実施形態に係るウエハ加工用テープ１０を示す断面図である。このウエハ加工用テープ１０は、基材フィルム１２ａとその上に形成された粘着剤層１２ｂとからなる粘着フィルム１２と、この粘着フィルム１２上に積層された接着剤層１３とを有する。このように、ウエハ加工用テープ１０では、基材フィルム１２ａと粘着剤層１２ｂと接着剤層１３とがこの順に形成されている。
なお、粘着剤層１２ｂは一層の粘着剤層により構成されていてもよいし、二層以上の粘着剤層が積層されたもので構成されていてもよい。なお、図１においては、接着剤層１３を保護するため、剥離ライナー１１がウエハ加工用テープ１０に設けられている様子が示されている。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
FIG. 1 is a sectional view showing a wafer processing tape 10 according to an embodiment. The wafer processing tape 10 includes an adhesive film 12 including a base film 12 a and an adhesive layer 12 b formed thereon, and an adhesive layer 13 laminated on the adhesive film 12. Thus, in the wafer processing tape 10, the base film 12a, the pressure-sensitive adhesive layer 12b, and the adhesive layer 13 are formed in this order.
The pressure-sensitive adhesive layer 12b may be composed of a single pressure-sensitive adhesive layer, or may be composed of a laminate of two or more pressure-sensitive adhesive layers. FIG. 1 shows a state where a release liner 11 is provided on the wafer processing tape 10 in order to protect the adhesive layer 13.

粘着フィルム１２及び接着剤層１３は、使用工程や装置にあわせて予め所定形状に切断（プリカット）されていてもよい。本発明のウエハ加工用テープは、半導体ウエハ１枚分ごとに切断された形態と、これが複数形成された長尺のシートをロール上に巻き取った形態とを含む。 The pressure-sensitive adhesive film 12 and the adhesive layer 13 may be cut (precut) into a predetermined shape in advance in accordance with the use process and the apparatus. The tape for wafer processing of the present invention includes a form cut for each semiconductor wafer and a form obtained by winding a plurality of long sheets formed on a roll.

本実施形態に係るウエハ加工用テープ１０は、以下の構成を有する点に特徴がある。
粘着フィルム１２の８０℃における損失正接をtanδfilm、接着剤層１３の８０℃における損失正接をtanδadとしたとき、tanδad／tanδfilmが５．０以下である。好ましくは、tanδad／tanδfilmが３．４以下である。 The wafer processing tape 10 according to the present embodiment is characterized in that it has the following configuration.
When the loss tangent of the adhesive film 12 at 80 ° C. is tan δ film and the loss tangent of the adhesive layer 13 at 80 ° C. is tan δad, tan δad / tan δ film is 5.0 or less. Preferably, tan δad / tan δ film is 3.4 or less.

一般に、サンプルに対して周期的に歪εを与えると、サンプルが完全な弾性体であれば、それに対応する応力σは、時間的な遅れの発生はなく、同位相で現れる。しかし、サンプルに粘性要素が存在すると、応答に遅れ（歪の入力と応答の位相差δ）が生じる。この時間的な遅れをもった歪εと応力σは、下記の式（１）により複素弾性率（Ｅ^＊）として表される。
Ｅ^＊＝σ／ε
Ｅ^＊＝Ｅ´+iＥ´´ ・・・式（１）
また、本発明で使用される損失正接tanδは、下記の式（２）により表される。
tanδ＝Ｅ´´／Ｅ´ ・・・式（２）
ここで、Ｅ´は貯蔵弾性率、Ｅ´´は損失弾性率である。
貯蔵弾性率Ｅ´は弾性的な性質を示し、損失弾性率Ｅ´´や損失正接tanδは粘性的、すなわちエネルギー損失の性質を示す。
このように、粘性に相当する損失弾性率Ｅ´´と弾性に相当する貯蔵弾性率Ｅ´の比（Ｅ´´／Ｅ´）で表される損失正接tanδは、振動吸収性を反映し、その値が大きいほど、粘性が高くなり（軟らかくなり）振動吸収性が高くなる。逆に、その値が小さいほど、粘性が低くなり（硬くなり）振動吸収性が低くなる。 In general, when a strain ε is periodically applied to a sample, if the sample is a perfect elastic body, the corresponding stress σ appears in the same phase with no time delay. However, if a viscous element is present in the sample, the response is delayed (distortion input and response phase difference δ). The strain ε and stress σ having a time delay are expressed as complex elastic modulus (E ^* ) by the following equation (1).
E ^* = σ / ε
E ^* = E ′ + iE ″ ・・・ Expression (1)
The loss tangent tan δ used in the present invention is expressed by the following equation (2).
tan δ = E ″ / E ′ (2)
Here, E ′ is a storage elastic modulus, and E ″ is a loss elastic modulus.
The storage elastic modulus E ′ indicates an elastic property, and the loss elastic modulus E ″ and the loss tangent tan δ indicate viscosity, that is, an energy loss property.
Thus, the loss tangent tan δ represented by the ratio (E ″ / E ′) of the loss elastic modulus E ″ corresponding to the viscosity and the storage elastic modulus E ′ corresponding to the elasticity reflects the vibration absorption, The larger the value, the higher the viscosity (softer) and the higher the vibration absorption. Conversely, the smaller the value, the lower the viscosity (harder) and the lower the vibration absorption.

tanδad／tanδfilmが５．０を超えると、接着剤層１３に対して粘着フィルム１２が硬すぎるため、ダイシング時に、ダイシングブレード２１（図３）の回転振動が粘着フィルム１２で十分に吸収されず、その回転振動による接着剤層１３の振動が半導体チップ２に伝わる。これにより、隣接する半導体チップ２（個片化された接着剤層付き半導体チップ２）同士が接触し、チップ割れやチップ欠けが発生してしまう。tanδad／tanδfilmが５．０以下、好ましくは３．４以下であれば、粘着フィルム１２も軟らかいため、接着剤層１３のダイシングブレード２１の回転振動による振動が粘着フィルム１２により十分に吸収されることで低減され、半導体チップ２に伝わりにくくなる。これにより、隣接する半導体チップ２同士の接触が低減される。これにより、ダイシング時におけるチップ割れやチップ欠け等のチッピングが低減される。
以下、本実施形態のウエハ加工用テープ１０の各構成要素について詳細に説明する。 When tan δad / tan δ film exceeds 5.0, the adhesive film 12 is too hard for the adhesive layer 13, and therefore, during dicing, the rotational vibration of the dicing blade 21 (FIG. 3) is not sufficiently absorbed by the adhesive film 12, The vibration of the adhesive layer 13 due to the rotational vibration is transmitted to the semiconductor chip 2. As a result, adjacent semiconductor chips 2 (separated semiconductor chips 2 with an adhesive layer) come into contact with each other, and chip cracking or chipping occurs. If the tan δad / tan δ film is 5.0 or less, preferably 3.4 or less, the adhesive film 12 is also soft, so that vibration due to the rotational vibration of the dicing blade 21 of the adhesive layer 13 is sufficiently absorbed by the adhesive film 12. It becomes difficult to be transmitted to the semiconductor chip 2. Thereby, contact between adjacent semiconductor chips 2 is reduced. Thereby, chipping such as chip cracking and chip chipping during dicing is reduced.
Hereafter, each component of the tape 10 for wafer processing of this embodiment is demonstrated in detail.

（接着剤層）
接着剤層１３は、半導体ウエハ１等が貼り合わされてダイシングされた後、半導体チップ２をピックアップする際に、粘着フィルム１２から剥離して半導体チップ２に付着し、半導体チップ２を基板やリードフレームに固定する際の接着剤として使用されるものである。従って、接着剤層１３は、ピックアップ工程において、個片化された半導体チップ２に付着したままの状態で、粘着フィルム１２から剥離することができる剥離性を有し、さらに、ダイボンディング工程において、半導体チップ２を基板やリードフレームに接着固定するために、十分な接着信頼性を有するものである。 (Adhesive layer)
The adhesive layer 13 is peeled off from the adhesive film 12 and attached to the semiconductor chip 2 when the semiconductor chip 2 is picked up after the semiconductor wafer 1 or the like is bonded and diced, and the semiconductor chip 2 is attached to the substrate or lead frame. It is used as an adhesive when being fixed to. Therefore, the adhesive layer 13 has a releasability that can be peeled off from the adhesive film 12 while remaining attached to the separated semiconductor chip 2 in the pick-up process. In order to bond and fix the semiconductor chip 2 to a substrate or a lead frame, it has sufficient bonding reliability.

接着剤層１３は、接着剤を予めフィルム化したものであり、例えば、接着剤に使用される公知のポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ポリエステルイミド樹脂、フェノキシ樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリエーテルケトン樹脂、塩素化ポリプロピレン樹脂、アクリル樹脂、ポリウレタン樹脂、エポキシ樹脂、ポリアクリルアミド樹脂、メラミン樹脂等やその混合物を使用することができる。 The adhesive layer 13 is obtained by forming a film of an adhesive in advance. For example, a known polyimide resin, polyamide resin, polyetherimide resin, polyamideimide resin, polyester resin, polyesterimide resin, phenoxy used for the adhesive is used. Resins, polysulfone resins, polyether sulfone resins, polyphenylene sulfide resins, polyether ketone resins, chlorinated polypropylene resins, acrylic resins, polyurethane resins, epoxy resins, polyacrylamide resins, melamine resins, and the like and mixtures thereof can be used.

硬化後の耐熱性が良い点で特にエポキシ樹脂を用いることが好ましい。エポキシ樹脂は硬化して接着作用を呈するものであればよい。エポキシ樹脂としては、高Ｔｇ（ガラス転移温度）化を目的に多官能エポキシ樹脂を加えてもよく、多官能エポキシ樹脂としてはフェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂などが例示される。エポキシ樹脂の硬化剤は、エポキシ樹脂の硬化剤として通常用いられているものを使用でき、アミン、ポリアミド、酸無水物、ポリスルフィド、三弗化硼素及びフェノール性水酸基を１分子中に２個以上有する化合物であるビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳなどが挙げられる。特に吸湿時の耐電食性に優れるためフェノール樹脂であるフェノールノボラック樹脂やビスフェノールノボラック樹脂等を用いるのが好ましい。また、硬化剤とともに硬化促進剤を用いることが、硬化のための熱処理の時間を短縮できる点で好ましい。硬化促進剤としては、２−メチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾリウムトリメリテートといった各種イミダゾール類等の塩基が使用できる。 In view of good heat resistance after curing, it is particularly preferable to use an epoxy resin. The epoxy resin only needs to be cured to exhibit an adhesive action. As the epoxy resin, a polyfunctional epoxy resin may be added for the purpose of increasing the Tg (glass transition temperature), and examples of the polyfunctional epoxy resin include a phenol novolac type epoxy resin and a cresol novolac type epoxy resin. As the curing agent for the epoxy resin, those usually used as a curing agent for the epoxy resin can be used, and have at least two amines, polyamides, acid anhydrides, polysulfides, boron trifluoride and phenolic hydroxyl groups in one molecule. Examples of the compound include bisphenol A, bisphenol F, and bisphenol S. In particular, it is preferable to use phenol novolac resin, bisphenol novolac resin, or the like, which is a phenol resin, because of its excellent resistance to electric corrosion during moisture absorption. Moreover, it is preferable to use a curing accelerator together with the curing agent in terms of shortening the heat treatment time for curing. As a curing accelerator, bases such as various imidazoles such as 2-methylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazolium trimellitate are used. it can.

また、半導体チップ２やリードフレーム２０に対する接着力を強化するために、シランカップリング剤もしくはチタンカップリング剤を添加剤として前記材料やその混合物に加えることが望ましい。また、耐熱性の向上や流動性の調節を目的にフィラーを添加しても良い。このようなフィラーとしてはシリカ、アルミナ、アンチモン酸化物などがある。これらフィラーは最大粒子径が接着剤層１３の厚みよりも小さいものであれば、異なる粒子径の物を任意の割合で配合することが出来る。 Moreover, in order to strengthen the adhesive force with respect to the semiconductor chip 2 and the lead frame 20, it is desirable to add a silane coupling agent or a titanium coupling agent as an additive to the material or a mixture thereof. Further, a filler may be added for the purpose of improving heat resistance and adjusting fluidity. Such fillers include silica, alumina, antimony oxide and the like. As long as these fillers have a maximum particle size smaller than the thickness of the adhesive layer 13, products having different particle sizes can be blended at an arbitrary ratio.

tanδadを高くするには、エポキシ樹脂やフェノール樹脂等の低分子量成分を多くし、アクリル樹脂等の高分子量成分を少なくするとよい。また、フィラーを配合する場合はフィラー配合量を少なくしても良く、tanδを低くするには上記の逆を行うとよい。 In order to increase tanδad, low molecular weight components such as epoxy resin and phenol resin are increased, and high molecular weight components such as acrylic resin are decreased. In addition, when a filler is blended, the amount of filler blended may be reduced, and the above may be reversed to lower tan δ.

接着剤層１３の厚さは特に制限されるものではないが、通常５〜１００μｍ程度が好ましい。また、接着剤層１３は粘着フィルム１２の粘着剤層１２ｂの全面に積層してもよいが、予め貼り合わされる半導体ウエハ１に応じた形状に切断された（プリカットされた）接着剤層を粘着剤層１２ｂの一部に積層してもよい。半導体ウエハ１に応じた形状に切断された接着剤層１３を積層した場合、図２に示すように、半導体ウエハ１が貼り合わされる部分には接着剤層１３があり、ダイシング用のリングフレーム２０が貼り合わされる部分には接着剤層１３がなく粘着フィルム１２の粘着剤層１２ｂのみが存在する。一般に、接着剤層１３は被着体と剥離しにくいため、プリカットされた接着剤層１３を使用することで、リングフレーム２０は粘着フィルム１２に貼り合わすことができ、使用後のシート剥離時にリングフレームへの糊残りを生じにくいという効果が得られる。 The thickness of the adhesive layer 13 is not particularly limited, but is usually preferably about 5 to 100 μm. The adhesive layer 13 may be laminated on the entire surface of the pressure-sensitive adhesive layer 12b of the pressure-sensitive adhesive film 12. However, the adhesive layer 13 that has been cut (pre-cut) into a shape corresponding to the semiconductor wafer 1 to be bonded in advance is adhered. You may laminate | stack on a part of agent layer 12b. When the adhesive layer 13 cut into a shape corresponding to the semiconductor wafer 1 is laminated, as shown in FIG. 2, the adhesive layer 13 is provided at a portion where the semiconductor wafer 1 is bonded, and a ring frame 20 for dicing is provided. There is no adhesive layer 13 in the portion where the adhesive film is bonded, and only the adhesive layer 12b of the adhesive film 12 exists. In general, since the adhesive layer 13 is difficult to peel off from the adherend, the ring frame 20 can be attached to the adhesive film 12 by using the pre-cut adhesive layer 13, and the ring is peeled off when the sheet is peeled after use. The effect that it is difficult to produce adhesive residue on the frame is obtained.

（粘着フィルム）
粘着フィルム１２は、半導体ウエハ１をダイシングする際には半導体ウエハ１が剥離しないように十分な粘着力を有し、ダイシング後に半導体チップ２をピックアップする際には容易に接着剤層１３から剥離できるよう低い粘着力を有するものである。本実施形態において、粘着フィルム１２は、図１に示すように、基材フィルム１２ａに粘着剤層１２ｂを設けたものを使用した。 (Adhesive film)
The adhesive film 12 has a sufficient adhesive force so that the semiconductor wafer 1 does not peel off when the semiconductor wafer 1 is diced, and can be easily peeled off from the adhesive layer 13 when the semiconductor chip 2 is picked up after dicing. It has such a low adhesive strength. In the present embodiment, as the adhesive film 12, as shown in FIG. 1, a substrate film 12a provided with an adhesive layer 12b is used.

粘着フィルム１２の基材フィルム１２ａとしては、従来公知のものであれば特に制限することなく使用することができるが、後述するように、本実施形態においては、粘着剤層１２ｂとして、エネルギー硬化性の材料のうち放射線硬化性の材料を使用することから、放射線透過性を有するものを使用する。 The base film 12a of the adhesive film 12 can be used without particular limitation as long as it is a conventionally known one. However, in the present embodiment, as the adhesive layer 12b, as described later, energy curable is used. Since a radiation curable material is used among these materials, a material having radiation transparency is used.

例えば、基材フィルム１２ａの材料として、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン共重合体、ポリブテン−１、ポリ−４−メチルペンテン−１、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸エチル共重合体、エチレン−アクリル酸メチル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、アイオノマーなどのα−オレフィンの単独重合体または共重合体あるいはこれらの混合物、ポリウレタン、スチレン−エチレン−ブテン共重合体もしくはペンテン系共重合体、ポリアミド−ポリオール共重合体等の熱可塑性エラストマー、およびこれらの混合物を列挙することができる。また、基材フィルム１２ａはこれらの群から選ばれる２種以上の材料が混合されたものでもよく、これらが単層又は複層化されたものでもよい。基材フィルム１２ａの厚さは、特に限定されるものではなく、適宜に設定してよいが、５０〜２００μｍが好ましい。 For example, as a material of the base film 12a, polyethylene, polypropylene, ethylene-propylene copolymer, polybutene-1, poly-4-methylpentene-1, ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene-ethyl acrylate copolymer , Homopolymers or copolymers of α-olefins such as ethylene-methyl acrylate copolymer, ethylene-acrylic acid copolymer, ionomer or mixtures thereof, polyurethane, styrene-ethylene-butene copolymer or pentene Listed are thermoplastic elastomers such as copolymers, polyamide-polyol copolymers, and mixtures thereof. Moreover, the base film 12a may be a mixture of two or more materials selected from these groups, or may be a single layer or a multilayer. The thickness of the base film 12a is not particularly limited and may be set appropriately, but is preferably 50 to 200 μm.

tanδfilmは、基材フィルム１２ａに使用する樹脂の構造に起因する。より詳細には、分子量が高く、絡み合い点間分子量が小さいものほどtanδfilmが高くなる。 The tan δ film is caused by the structure of the resin used for the base film 12a. More specifically, the higher the molecular weight and the smaller the molecular weight between the entanglement points, the higher the tanδ film.

本実施形態においては、紫外線などの放射線を粘着フィルム１２に照射することにより、粘着剤層１２ｂを硬化させ、粘着剤層１２ｂを接着剤層１３から剥離しやすくしていることから、粘着剤層１２ｂの樹脂には、粘着剤に使用される公知の塩素化ポリプロピレン樹脂、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、エポキシ樹脂、付加反応型オルガノポリシロキサン系樹脂、シリコンアクリレート樹脂、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸エチル共重合体、エチレン−アクリル酸メチル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、ポリイソプレンやスチレン・ブタジエン共重合体やその水素添加物等の各種エラストマー等やその混合物に、放射線重合性化合物を適宜配合して粘着剤を調製することが好ましい。また、各種界面活性剤や表面平滑化剤を加えてもよい。粘着剤層の厚さは特に限定されるものではなく適宜に設定してよいが、５〜３０μｍが好ましい。 In the present embodiment, the pressure-sensitive adhesive layer 12b is cured by irradiating the pressure-sensitive adhesive film 12 with radiation such as ultraviolet rays, and the pressure-sensitive adhesive layer 12b is easily peeled off from the pressure-sensitive adhesive layer 13. For the resin 12b, known chlorinated polypropylene resins, acrylic resins, polyester resins, polyurethane resins, epoxy resins, addition-reactive organopolysiloxane resins, silicon acrylate resins, ethylene-vinyl acetate copolymer used for adhesives Copolymers, ethylene-ethyl acrylate copolymers, ethylene-methyl acrylate copolymers, ethylene-acrylic acid copolymers, various elastomers such as polyisoprene, styrene / butadiene copolymers and hydrogenated products thereof, and mixtures thereof It is preferable to prepare a pressure-sensitive adhesive by appropriately blending a radiation polymerizable compoundVarious surfactants and surface smoothing agents may be added. The thickness of the pressure-sensitive adhesive layer is not particularly limited and may be appropriately set, but is preferably 5 to 30 μm.

その放射線重合性化合物は、例えば光照射によって三次元網状化しうる分子内に光重合性炭素−炭素二重結合を少なくとも２個以上有する低分量化合物や、光重合性炭素−炭素二重結合基を置換基に持つポリマーやオリゴマーが用いられる。具体的には、トリメチロールプロパントリアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、１，４−ブチレングリコールジアクリレート、１，６ヘキサンジオールジアクリレート、ポリエチレングリコールジアクリレートや、オリゴエステルアクリレート等、シリコンアクリレート等、アクリル酸や各種アクリル酸エステル類の共重合体等が適用可能である。 The radiation-polymerizable compound includes, for example, a low molecular weight compound having at least two photopolymerizable carbon-carbon double bonds in a molecule that can be three-dimensionally networked by light irradiation, or a photopolymerizable carbon-carbon double bond group. A polymer or oligomer having a substituent is used. Specifically, trimethylolpropane triacrylate, pentaerythritol triacrylate, pentaerythritol tetraacrylate, dipentaerythritol monohydroxypentaacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate, 1,4-butylene glycol diacrylate, 1,6 hexanediol diacrylate For example, acrylate, polyethylene glycol diacrylate, oligoester acrylate, silicon acrylate, etc., acrylic acid, copolymers of various acrylic esters, and the like are applicable.

また、上記のようなアクリレート系化合物のほかに、ウレタンアクリレート系オリゴマーを用いることもできる。ウレタンアクリレート系オリゴマーは、ポリエステル型またはポリエーテル型などのポリオール化合物と、多価イソシアナート化合物（例えば、２，４−トリレンジイソシアナート、２，６−トリレンジイソシアナート、１，３−キシリレンジイソシアナート、１，４−キシリレンジイソシアナート、ジフェニルメタン４，４−ジイソシアナートなど）を反応させて得られる末端イソシアナートウレタンプレポリマーに、ヒドロキシル基を有するアクリレートあるいはメタクリレート（例えば、２−ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロキシエチルメタクリレート、２−ヒドロキシプロピルアクリレート、２−ヒドロキシプロピルメタクリレート、ポリエチレングリコールアクリレート、ポリエチレングリコールメタクリレートなど）を反応させて得られる。なお、粘着剤層１２ｂには、上記の樹脂から選ばれる２種以上が混合されたものでもよい。 In addition to the above acrylate compounds, urethane acrylate oligomers can also be used. The urethane acrylate oligomer includes a polyol compound such as a polyester type or a polyether type, and a polyvalent isocyanate compound (for example, 2,4-tolylene diisocyanate, 2,6-tolylene diisocyanate, 1,3-xylylene diene). A terminal isocyanate urethane prepolymer obtained by reacting isocyanate, 1,4-xylylene diisocyanate, diphenylmethane 4,4-diisocyanate, etc.) with an acrylate or methacrylate having a hydroxyl group (for example, 2-hydroxyethyl) Acrylate, 2-hydroxyethyl methacrylate, 2-hydroxypropyl acrylate, 2-hydroxypropyl methacrylate, polyethylene glycol acrylate, polyethylene glycol methacrylate, etc.) Obtained by the reaction. The pressure-sensitive adhesive layer 12b may be a mixture of two or more selected from the above resins.

なお、粘着剤層１２ｂの樹脂には、放射線を粘着フィルム１２に照射して粘着剤層１２ｂを硬化させる放射線重合性化合物の他、アクリル系粘着剤、光重合開始剤、硬化剤等を適宜配合して粘着剤層１２ｂを調製することもできる。 The resin of the pressure-sensitive adhesive layer 12b is appropriately blended with an acrylic pressure-sensitive adhesive, a photopolymerization initiator, a curing agent, etc., in addition to a radiation-polymerizable compound that cures the pressure-sensitive adhesive layer 12b by irradiating the pressure-sensitive adhesive film 12 with radiation. Thus, the pressure-sensitive adhesive layer 12b can also be prepared.

光重合開始剤を使用する場合、例えばイソプロピルベンゾインエーテル、イソブチルベンゾインエーテル、ベンゾフェノン、ミヒラーズケトン、クロロチオキサントン、ドデシルチオキサントン、ジメチルチオキサントン、ジエチルチオキサントン、ベンジルジメチルケタール、α−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２−ヒドロキシメチルフェニルプロパン等を使用することができる。これら光重合開始剤の配合量はアクリル系共重合体１００質量部に対して０．０１〜５質量部が好ましい。 When using a photopolymerization initiator, for example, isopropyl benzoin ether, isobutyl benzoin ether, benzophenone, Michler's ketone, chlorothioxanthone, dodecylthioxanthone, dimethylthioxanthone, diethylthioxanthone, benzyldimethyl ketal, α-hydroxycyclohexyl phenyl ketone, 2-hydroxymethylphenyl Propane or the like can be used. The blending amount of these photopolymerization initiators is preferably 0.01 to 5 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the acrylic copolymer.

（ウエハ加工用テープの使用方法）
半導体装置の製造工程の中で、ウエハ加工用テープ１０は、以下のように使用される。図２においては、ウエハ加工用テープ１０に、半導体ウエハ１とリングフレーム２０とが貼り合わされた様子が示されている。まず、図２に示すように、粘着フィルム１２の粘着剤層１２ｂをリングフレーム２０に貼り付け、半導体ウエハ１を接着剤層１３に貼り合わせる。これらの貼り付け順序に制限はなく、半導体ウエハ１を接着剤層１３に貼り合わせた後に粘着フィルム１２の粘着剤層１２ｂをリングフレーム２０に貼り付けてもよい。また、粘着フィルム１２のリングフレーム２０への貼り付けと、半導体ウエハ１の接着剤層１３への貼り合わせとを、同時に行っても良い。 (How to use wafer processing tape)
In the semiconductor device manufacturing process, the wafer processing tape 10 is used as follows. FIG. 2 shows a state in which the semiconductor wafer 1 and the ring frame 20 are bonded to the wafer processing tape 10. First, as shown in FIG. 2, the adhesive layer 12 b of the adhesive film 12 is attached to the ring frame 20, and the semiconductor wafer 1 is attached to the adhesive layer 13. There is no limitation on the order of these attachments, and the adhesive layer 12b of the adhesive film 12 may be attached to the ring frame 20 after the semiconductor wafer 1 is attached to the adhesive layer 13. Further, the adhesion of the adhesive film 12 to the ring frame 20 and the adhesion of the semiconductor wafer 1 to the adhesive layer 13 may be performed simultaneously.

そして、半導体ウエハ１のダイシング工程を実施し（図３）、次いで、粘着フィルム１２にエネルギー線、例えば紫外線を照射する工程を実施する。具体的には、ダイシングブレード２１によって半導体ウエハ１と接着剤層１３とをダイシングするため、吸着ステージ２２により、ウエハ加工用テープ１０を粘着フィルム１２面側から吸着支持する。そして、ダイシングブレード２１によって半導体ウエハ１と接着剤層１３を半導体チップ２単位に切断して個片化し、その後、粘着フィルム１２の下面側からエネルギー線を照射する。このエネルギー線照射によって、粘着剤層１２ｂを硬化させてその粘着力を低下させる。なお、エネルギー線の照射に代えて、加熱などの外部刺激によって粘着フィルム１２の粘着剤層１２ｂの粘着力を低下させてもよい。粘着剤層１２ｂが二層以上の粘着剤層により積層されて構成されている場合、各粘着剤層の内の一層又は全層をエネルギー線照射によって硬化させて、各粘着剤層の内の一層又は全層の粘着力を低下させても良い。 Then, a dicing process of the semiconductor wafer 1 is performed (FIG. 3), and then a process of irradiating the adhesive film 12 with energy rays, for example, ultraviolet rays. Specifically, since the semiconductor wafer 1 and the adhesive layer 13 are diced by the dicing blade 21, the wafer processing tape 10 is sucked and supported from the adhesive film 12 surface side by the suction stage 22. Then, the dicing blade 21 cuts the semiconductor wafer 1 and the adhesive layer 13 into units of two semiconductor chips, and then irradiates energy rays from the lower surface side of the adhesive film 12. By this energy ray irradiation, the pressure-sensitive adhesive layer 12b is cured to reduce its adhesive strength. In addition, it may replace with irradiation of an energy ray and may reduce the adhesive force of the adhesive layer 12b of the adhesive film 12 by external stimuli, such as a heating. When the pressure-sensitive adhesive layer 12b is formed by laminating two or more pressure-sensitive adhesive layers, one or all of the pressure-sensitive adhesive layers are cured by energy ray irradiation, and one of the pressure-sensitive adhesive layers. Or you may reduce the adhesive force of all the layers.

その後、図４に示すように、ダイシングされた半導体チップ２及び接着剤層１３を保持した粘着フィルム１２をリングフレーム２０の周方向に引き伸ばすエキスパンド工程を実施する。具体的には、ダイシングされた複数の半導体チップ２及び接着剤層１３を保持した状態の粘着フィルム１２に対して、中空円柱形状の突き上げ部材３０を、粘着フィルム１２の下面側から上昇させ、粘着フィルム１２をリングフレーム２０の周方向に引き伸ばす。エキスパンド工程により、半導体チップ２同士の間隔を広げ、ＣＣＤカメラ等による半導体チップ２の認識性を高めるとともに、ピックアップの際に隣接する半導体チップ同士２が接触することによって生じる半導体チップ同士の再接着を防止することができる。 Thereafter, as shown in FIG. 4, an expanding process is performed in which the adhesive film 12 holding the diced semiconductor chip 2 and the adhesive layer 13 is stretched in the circumferential direction of the ring frame 20. Specifically, the hollow cylindrical push-up member 30 is raised from the lower surface side of the pressure-sensitive adhesive film 12 with respect to the pressure-sensitive adhesive film 12 in a state where the plurality of diced semiconductor chips 2 and the adhesive layer 13 are held. The film 12 is stretched in the circumferential direction of the ring frame 20. The expansion process widens the distance between the semiconductor chips 2 and improves the recognizability of the semiconductor chips 2 by a CCD camera or the like, and the re-adhesion between the semiconductor chips caused by the contact between the adjacent semiconductor chips 2 at the time of pickup. Can be prevented.

エキスパンド工程を実施した後、図５に示すように、粘着フィルム１２をエキスパンドした状態のままで、半導体チップ２をピックアップするピックアップ工程を実施する。具体的には、粘着フィルム１２の下面側から半導体チップ２をピン３１によって突き上げるとともに、粘着フィルム１２の上面側から吸着冶具３２で半導体チップ２を吸着することで、個片化された半導体チップ２を接着剤層１３とともにピックアップする。 After performing the expanding process, as shown in FIG. 5, the pick-up process which picks up the semiconductor chip 2 is implemented with the adhesive film 12 being expanded. Specifically, the semiconductor chip 2 is pushed up by the pins 31 from the lower surface side of the adhesive film 12 and the semiconductor chip 2 is separated from the upper surface side of the adhesive film 12 by adsorbing the semiconductor chip 2 by the adsorption jig 32. Is picked up together with the adhesive layer 13.

そして、ピックアップ工程を実施した後、ダイボンディング工程を実施する。具体的には、ピックアップ工程で半導体チップ２とともにピックアップされた接着剤層１３により、半導体チップ２をリードフレームやパッケージ基板等に接着する。 Then, after performing the pickup process, the die bonding process is performed. Specifically, the semiconductor chip 2 is bonded to a lead frame, a package substrate, or the like by the adhesive layer 13 picked up together with the semiconductor chip 2 in the pickup process.

次に、本発明の実施例について説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
表１に示す接着剤層（Ａ）〜（Ｃ）を有する接着フィルム及び粘着フィルム（１）〜（３）を、それぞれ直径３７０ｍｍ、３２０ｍｍの円形にカットし、粘着フィルム（１）〜（３）のいずれかの粘着剤層と、接着剤層（Ａ）〜（Ｃ）のいずれかを有する接着フィルムの接着剤層とを貼り合わせた。最後に、接着フィルムのＰＥＴフィルムを接着剤層から剥離し、表１に示す実施例１〜４及び比較例１〜５の各ウエハ加工用テープを得た。 Next, examples of the present invention will be described, but the present invention is not limited to these examples.
The adhesive films (1) to (3) having the adhesive layers (A) to (C) shown in Table 1 are cut into circles having a diameter of 370 mm and 320 mm, respectively, and the adhesive films (1) to (3) The pressure-sensitive adhesive layer was bonded to the adhesive layer of an adhesive film having any one of the adhesive layers (A) to (C). Finally, the PET film of the adhesive film was peeled from the adhesive layer, and each wafer processing tape of Examples 1 to 4 and Comparative Examples 1 to 5 shown in Table 1 was obtained.

（接着剤層の作製）
＜接着剤層（Ａ）＞
エポキシ樹脂としてＹＤＣＮ−７０３（東都化成（株）製商品名、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、エポキシ当量２１０ｇ／ｅｑ、分子量１２００、軟化点８０℃）５０重量部、フェノール樹脂としてミレックスＸＬＣ−ＬＬ（三井化学（株）製商品名、水酸基当量１７５ｇ／ｅｑ、吸水率１．８％、３５０℃における加熱重量減少率４％）５０重量部、シランカップリング剤としてＺ−６０４４（東レ・ダウコーニング（株）製商品名、３−グリシドキシプロピルメチルメトキシシラン）０．３５重量部、シリカフィラーとしてＳ０−Ｃ２（アドマファイン（株）製商品名、比重２．２ｇ／ｃｍ^３、モース硬度７、平均粒径０．５μｍ、比表面積６．０ｍ^２／ｇ）３５重量部、硬化促進剤としてキュアゾール２ＰＺ（四国化成（株）製商品名、２−フェニルイミダゾール）３重量部、アクリル樹脂としてＳＧ-Ｐ３（ナガセケムテックス（株）製商品名、重量平均分子量８５万、ガラス転移温度１０℃）２５０重量部を有機溶剤中で攪拌し、接着剤層組成物を得た。この接着剤層組成物を、離型処理したポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム上に塗工、乾燥して膜厚２０μｍの接着剤層（Ａ）を有する接着フィルムを作製した。この接着剤層（Ａ）の動的粘弾性測定による硬化前８０℃における損失正接tanδadは０．１６２であった。この損失正接tanδadの測定方法は後述する。 (Preparation of adhesive layer)
<Adhesive layer (A)>
YDCN-703 (trade name, manufactured by Tohto Kasei Co., Ltd., cresol novolac type epoxy resin, epoxy equivalent 210 g / eq, molecular weight 1200, softening point 80 ° C.) 50 parts by weight as an epoxy resin, Millex XLC-LL (Mitsui Chemicals) as a phenol resin Product name, hydroxyl equivalent 175 g / eq, water absorption 1.8%, heating weight reduction rate 4% at 350 ° C. 50 parts by weight, Z-6044 (Toray Dow Corning Co., Ltd.) as a silane coupling agent Product name, 0.35 parts by weight of 3-glycidoxypropylmethylmethoxysilane), S0-C2 (trade name of Admafine Co., Ltd., specific gravity 2.2 g / cm ³ , Mohs hardness 7, average particle as silica filler diameter 0.5 [mu] m, a specific surface area of 6.0m ² / g) 35 parts by weight, Curezol 2PZ (manufactured by Shikoku Chemicals as a curing accelerator (strain Product name, 2-phenylimidazole) 3 parts by weight, acrylic resin SG-P3 (Nagase ChemteX Corporation product name, weight average molecular weight 850,000, glass transition temperature 10 ° C.) 250 parts by weight in organic solvent The mixture was stirred to obtain an adhesive layer composition. This adhesive layer composition was applied onto a release-treated polyethylene terephthalate (PET) film and dried to prepare an adhesive film having an adhesive layer (A) with a thickness of 20 μm. The loss tangent tan δad at 80 ° C. before curing according to dynamic viscoelasticity measurement of the adhesive layer (A) was 0.162. A method for measuring the loss tangent tanδad will be described later.

＜接着剤層（Ｂ）＞
エポキシ樹脂としてＹＤＣＮ−７０３（東都化成（株）製商品名、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、エポキシ当量２１０ｇ／ｅｑ、分子量１２００、軟化点８０℃）５５重量部、フェノール樹脂としてミレックスＸＬＣ−ＬＬ（三井化学（株）製商品名、水酸基当量１７５ｇ／ｅｑ、吸水率１．８％、３５０℃における加熱重量減少率４％）４５重量部、シランカップリング剤としてＺ−６０４４（東レ・ダウコーニング（株）製商品名、３−グリシドキシプロピルメチルメトキシシラン）０．３重量部、シリカフィラーとしてＳ０−Ｃ２（アドマファイン（株）製商品名、比重２．２ｇ／ｃｍ^３、モース硬度７、平均粒径０．５μｍ、比表面積６．０ｍ^２／ｇ）３０重量部、硬化促進剤としてキュアゾール２ＰＺ（四国化成（株）製商品名、２−フェニルイミダゾール）０．４重量部、アクリル樹脂としてＳＧ-Ｐ３（ナガセケムテックス（株）製商品名、重量平均分子量８５万、ガラス転移温度１０℃）２７５重量部を有機溶剤中で攪拌し、接着剤層組成物を得た。この接着剤層組成物を、離型処理したポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム上に塗工、乾燥して膜厚２０μｍの接着剤層（Ｂ）を有する接着フィルムを作製した。この接着剤層（Ｂ）の動的粘弾性測定による硬化前８０℃における損失正接tanδadは０．２３２であった。 <Adhesive layer (B)>
YDCN-703 (trade name, manufactured by Toto Kasei Co., Ltd., cresol novolac type epoxy resin, epoxy equivalent 210 g / eq, molecular weight 1200, softening point 80 ° C.) 55 parts by weight as an epoxy resin, Mirex XLC-LL (Mitsui Chemicals) as a phenol resin Product name, hydroxyl equivalent 175 g / eq, water absorption 1.8%, heating weight loss rate 4% at 350 ° C. 45 parts by weight, Z-6044 (Toray Dow Corning Co., Ltd.) as silane coupling agent Product name, 0.3 part by weight of 3-glycidoxypropylmethylmethoxysilane, S0-C2 (trade name of Admafine Co., Ltd., specific gravity 2.2 g / cm ³ , Mohs hardness 7, average particle as silica filler diameter 0.5 [mu] m, a specific surface area of 6.0 m ² / g) 30 parts by weight, Curezol 2PZ as a curing accelerator (Shikoku Chemicals Corporation Product name, 2-phenylimidazole) 0.4 part by weight, 275 parts by weight of SG-P3 (manufactured by Nagase ChemteX Corp., weight average molecular weight 850,000, glass transition temperature 10 ° C.) as an acrylic resin in an organic solvent To obtain an adhesive layer composition. This adhesive layer composition was applied onto a release-treated polyethylene terephthalate (PET) film and dried to prepare an adhesive film having an adhesive layer (B) with a thickness of 20 μm. The loss tangent tan δad at 80 ° C. before curing by dynamic viscoelasticity measurement of the adhesive layer (B) was 0.232.

＜接着剤層（Ｃ）＞
エポキシ樹脂としてＹＤＣＮ−７０３（東都化成（株）製商品名、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、エポキシ当量２１０ｇ／ｅｑ、分子量１２００、軟化点８０℃）５５重量部、フェノール樹脂としてミレックスＸＬＣ−ＬＬ（三井化学（株）製商品名、水酸基当量１７５ｇ／ｅｑ、吸水率１．８％、３５０℃における加熱重量減少率４％）４５重量部、シランカップリング剤としてＺ−６０４４（東レ・ダウコーニング（株）製商品名、３−グリシドキシプロピルメチルメトキシシラン）１．５重量部、シリカフィラーとしてＳ０−Ｃ２（アドマファイン（株）製商品名、比重２．２ｇ／ｃｍ^３、モース硬度７、平均粒径０．５μｍ、比表面積６．０ｍ^２／ｇ）１５０重量部、硬化促進剤としてキュアゾール２ＰＺ（四国化成（株）製商品名、２−フェニルイミダゾール）０．５重量部、アクリル樹脂としてＳＧ-Ｐ３（ナガセケムテックス（株）製商品名、重量平均分子量８５万、ガラス転移温度１０℃）１００重量部を有機溶剤中で攪拌し、接着剤層組成物を得た。この接着剤層組成物を、離型処理したポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム上に塗工、乾燥して膜厚２０μｍの接着剤層（Ｃ）を有する接着フィルムを作製した。この接着剤層（Ｃ）の動的粘弾性測定による硬化前８０℃における損失正接tanδadは０．６１９であった。 <Adhesive layer (C)>
YDCN-703 (trade name, manufactured by Toto Kasei Co., Ltd., cresol novolac type epoxy resin, epoxy equivalent 210 g / eq, molecular weight 1200, softening point 80 ° C.) 55 parts by weight as an epoxy resin, Mirex XLC-LL (Mitsui Chemicals) as a phenol resin Product name, hydroxyl equivalent 175 g / eq, water absorption 1.8%, heating weight loss rate 4% at 350 ° C. 45 parts by weight, Z-6044 (Toray Dow Corning Co., Ltd.) as silane coupling agent Product name, 1.5 parts by weight of 3-glycidoxypropylmethylmethoxysilane), S0-C2 (trade name, Admafine, Inc., specific gravity 2.2 g / cm ³ , Mohs hardness 7, average particle as silica filler diameter 0.5 [mu] m, a specific surface area of 6.0m ² / g) 150 parts by weight, Curezol 2PZ (manufactured by Shikoku Chemicals as a curing accelerator (strain Product name, 0.5 parts by weight of 2-phenylimidazole), SG-P3 (trade name, manufactured by Nagase ChemteX Corp., weight average molecular weight 850,000, glass transition temperature 10 ° C.) as acrylic resin 100 parts by weight of organic solvent Stirring was performed to obtain an adhesive layer composition. This adhesive layer composition was coated on a release-treated polyethylene terephthalate (PET) film and dried to prepare an adhesive film having an adhesive layer (C) with a thickness of 20 μm. The loss tangent tan δad at 80 ° C. before curing by dynamic viscoelasticity measurement of the adhesive layer (C) was 0.619.

（粘着フィルムの作製）
＜粘着フィルム（１）＞
ブチルアクリレート６５重量部、２−ヒドロキシエチルアクリレート２５重量部、アクリル酸１０重量部をラジカル重合させ、２−イソシアネートエチルメタクリレートを滴下反応させて合成した重量平均分子量８０万のアクリル共重合体に硬化剤としてポリイソシアネート３重量部、光重合開始剤として１−ヒドロキシ−シクロヘキシル−フェニル−ケトン１重量部を加えて混合し、粘着剤層組成物とした。
作製した粘着剤層組成物を乾燥膜厚が１０μmとなるように塗工用フィルム（基材フィルム１２ａ以外の塗工用フィルム）に塗工し、１２０℃で３分間乾燥する。この後、そのフィルムに塗工した粘着剤層組成物を、基材フィルム１２ａとして、厚さ１００μｍのポリプロピレン−エラストマー（PP:HSBR=80:20のエラストマー）樹脂フィルム上に転写させることで粘着フィルム（１）を作製した。この粘着フィルム（１）の動的粘弾性測定による８０℃における損失正接tanδfilmは０．０９８であった。
なお、ポリプロピレン（PP)は、日本ポリケム株式会社製のノバテックFG4を用い、水添スチレンブタジエン（HSBR)はJSR 株式会社製のダイナロン1320Pを用いた。また、塗工用フィルムはシリコーン離型処理されたPETフィルム（帝人：ヒューピレックスS-314、厚み25μm）を用いた。 (Preparation of adhesive film)
<Adhesive film (1)>
Curing agent for acrylic copolymer having a weight average molecular weight of 800,000 synthesized by radical polymerization of 65 parts by weight of butyl acrylate, 25 parts by weight of 2-hydroxyethyl acrylate and 10 parts by weight of acrylic acid, and dropping reaction of 2-isocyanate ethyl methacrylate. As a photopolymerization initiator, 3 parts by weight of polyisocyanate and 1 part by weight of 1-hydroxy-cyclohexyl-phenyl-ketone as a photoinitiator were added and mixed to obtain an adhesive layer composition.
The prepared pressure-sensitive adhesive layer composition is applied to a coating film (a coating film other than the base film 12a) so as to have a dry film thickness of 10 μm, and dried at 120 ° C. for 3 minutes. Thereafter, the pressure-sensitive adhesive layer composition applied to the film is transferred as a base film 12a onto a polypropylene-elastomer (PP: HSBR = 80: 20 elastomer) resin film having a thickness of 100 μm. (1) was produced. The loss tangent tan δ film at 80 ° C. by dynamic viscoelasticity measurement of this adhesive film (1) was 0.098.
For Polypropylene (PP), Novatec FG4 manufactured by Nippon Polychem Co., Ltd. was used, and for Hydrogenated Styrene Butadiene (HSBR), Dynalon 1320P manufactured by JSR Corporation was used. Moreover, the PET film (Teijin: Hupilex S-314, thickness 25 μm) subjected to silicone release treatment was used as the coating film.

＜粘着フィルム（２）＞
基材フィルム１２ａとして、ＭＦＲ１．２、融点７１℃のエチレン−メタクリル酸−（アクリル酸２−メチル−プロピル）３元共重合体−Ｚｎ ++ −アイオノマー樹脂（三井・デュポンポリケミカル社製、ハイミランＡＭ−７３１６）を用いた以外は粘着フィルム（１）と同様に作製した。この粘着フィルム（２）の動的粘弾性測定による８０℃における損失正接tanδfilmは０．０６８であった。 <Adhesive film (2)>
As base film 12a, MFR1.2, ethylene-methacrylic acid- (2-methyl-propyl acrylate) terpolymer having a melting point of 71 ° C.-Zn ++ -ionomer resin (Mitsui / DuPont Polychemical Co., Ltd., High Milan) It produced similarly to the adhesive film (1) except having used AM-7316). The loss tangent tan δ film at 80 ° C. by dynamic viscoelasticity measurement of this adhesive film (2) was 0.068.

＜粘着フィルム（３）＞
基材フィルム１２ａとして、ＭＦＲ２．２、融点９７℃のエチレン−メタクリル酸−（アクリル酸２−メチル−プロピル）３元共重合体樹脂（三井・デュポンポリケミカル社製、ニュクレルＡＮ４２１７−３Ｃ）を用いた以外は粘着フィルム（１）と同様に作製した。この粘着フィルム（３）の動的粘弾性測定による８０℃における損失正接tanδfilmは０．０１６であった。 <Adhesive film (3)>
As the base film 12a, MFR2.2, melting point 97 ° C. ethylene-methacrylic acid- (2-methyl-propyl acrylate) terpolymer resin (Mitsui / DuPont Polychemical Co., Ltd., Nucrel AN4217-3C) is used. It was produced in the same manner as the adhesive film (1) except that it was. The loss tangent tan δ film at 80 ° C. by dynamic viscoelasticity measurement of the adhesive film (3) was 0.016.

（接着剤層（Ａ）〜（Ｃ）の損失正接）
セパレータフィルム（ＰＥＴ）に接着剤層（Ａ）を２０μｍ塗工したものを２つ用意し、接着剤層（Ａ）同士で貼り合わせ、セパレータフィルムを剥離した後、さらに、セパレータフィルムに接着剤層（Ａ）２０μｍを塗工したものを接着剤層（Ａ）同士で貼り合わせるという工程を繰り返して１ｍｍの厚さになるまで積層し、８ｍｍΦに打ち抜き接着剤層（Ａ）のサンプルとした。
動的粘弾性測定装置ＡＲＥＳ（レオロジカ製）を用い硬化前の接着剤層（Ａ）のサンプルに対して、サンプル厚み１ｍｍ、プレート径８ｍｍΦ、周波数１Ｈｚのせん断条件で室温より２００℃まで昇温速度１０℃／分の条件で昇温した際の８０℃における接着剤層（Ａ）の損失正接tanδadを測定した。
接着剤層（Ｂ）及び接着剤層（Ｃ）の各損失正接tanδadも、接着剤層（Ａ）の損失正接tanδadと同様に測定した。 (Loss tangent of adhesive layers (A) to (C))
Two separator films (PET) coated with an adhesive layer (A) of 20 μm are prepared, the adhesive layers (A) are bonded together, the separator film is peeled off, and the adhesive film is further applied to the separator film. (A) The process of bonding 20 μm to each other with the adhesive layers (A) was repeated until the thickness became 1 mm, punched out to 8 mmΦ, and used as a sample of the adhesive layer (A).
Using the dynamic viscoelasticity measuring device ARES (manufactured by Rheologica), the rate of temperature rise from room temperature to 200 ° C under shear conditions of sample thickness 1mm, plate diameter 8mmΦ, frequency 1Hz for the sample of adhesive layer (A) before curing The loss tangent tan δad of the adhesive layer (A) at 80 ° C. when the temperature was raised at 10 ° C./min was measured.
Each loss tangent tan δad of the adhesive layer (B) and adhesive layer (C) was also measured in the same manner as the loss tangent tan δad of the adhesive layer (A).

（粘着フィルム（１）〜（３）の損失正接）
上記粘着フィルム（１）〜（３）を、それぞれ幅５ｍｍに切断しサンプルとした。
動的粘弾性測定装置ＲＳＡIII（ＴＡインスツルメント製）を用いてチャック間距離２０ｍｍ、周波数１０Ｈｚの引張条件で−１０℃より１５０℃まで昇温速度１０℃／分の条件で昇温した際の８０℃における粘着フィルム（１）の損失正接tanδfilmを測定した。粘着フィルム（２）及び粘着フィルム（３）の各損失正接tanδfilmも、粘着フィルム（１）の損失正接tanδfilmと同様に測定した。 (Loss tangent of adhesive films (1) to (3))
The adhesive films (1) to (3) were each cut into a width of 5 mm to obtain samples.
Using a dynamic viscoelasticity measuring device RSAIII (manufactured by TA Instruments), when the temperature was raised from −10 ° C. to 150 ° C. under a temperature rising rate of 10 ° C./min under a tension condition of 20 mm between chucks and a frequency of 10 Hz. The loss tangent tan δ film of the pressure-sensitive adhesive film (1) at 80 ° C. was measured. The loss tangent tan δ films of the adhesive film (2) and the adhesive film (3) were also measured in the same manner as the loss tangent tan δ film of the adhesive film (1).

（チッピング性能）
実施例１〜４及び比較例１〜５に係る各ウエハ加工用テープを、厚み２００μｍのシリコンウエハの裏面に貼り付け、７．５ｍｍ×７．５ｍｍにダイシングした後、ダイの断面を光学顕微鏡にて観察しチップ欠けの有無を評価した。表１に示すように、チップが割れているものがある場合を××、チップ欠けが多発しているものを×、チップ欠けが見受けられるものを△、チップ欠けが殆ど観察されなかったものを○とし、チッピング性能評価を行った。 (Chipping performance)
The wafer processing tapes according to Examples 1 to 4 and Comparative Examples 1 to 5 were attached to the back surface of a silicon wafer having a thickness of 200 μm and diced to 7.5 mm × 7.5 mm, and then the die cross section was applied to an optical microscope. Were observed to evaluate the presence or absence of chip chipping. As shown in Table 1, XX indicates that the chip is broken, xx indicates that the chip chip is frequently generated, X indicates that chip chip is observed, and △ indicates that chip chip is hardly observed. The chipping performance was evaluated with ○.

実施例１〜４では、ダイシング時におけるチップ割れやチップ欠け等のチッピング（ダイシング時のチッピング）が十分に低減されていることが表１から分かる。
これに対して、比較例１〜５では、ダイシング時におけるチップ割れやチップ欠け等のチッピングが発生している。 In Examples 1 to 4, it can be seen from Table 1 that chipping (chipping during dicing) such as chip cracking and chip chipping during dicing is sufficiently reduced.
On the other hand, in Comparative Examples 1 to 5, chipping such as chip cracking and chip chipping during dicing occurs.

本実施形態に係るウエハ加工用テープ１０によれば、粘着フィルム１２の８０℃における損失正接tanδfilmと接着剤層１３の８０℃における損失正接tanδadとの比tanδad／tanδfilmを５．０以下としているので、ダイシングブレード２１（図３）の回転振動を粘着フィルム１２により十分に吸収させることができる。ダイシング時に、接着剤層１３のダイシングブレード２１の回転振動による振動が粘着フィルム１２により十分に吸収されることで低減され、半導体チップ２に伝わりにくくなる。これにより、隣接する半導体チップ２同士の接触が低減され、ダイシング時におけるチップ割れやチップ欠け等のチッピングが低減される。
上記比tanδad／tanδfilmを３．４以下にすることにより、表１で示すように、ダイシング時におけるチップ割れやチップ欠けが殆ど発生しない。従って、ダイシング時におけるチップ割れやチップ欠け等のチッピングを十分に低減することができる。 According to the wafer processing tape 10 according to the present embodiment, the ratio tanδad / tanδfilm between the loss tangent tanδfilm at 80 ° C. of the adhesive film 12 and the loss tangent tanδad at 80 ° C. of the adhesive layer 13 is 5.0 or less. The rotational vibration of the dicing blade 21 (FIG. 3) can be sufficiently absorbed by the adhesive film 12. At the time of dicing, vibration due to rotational vibration of the dicing blade 21 of the adhesive layer 13 is sufficiently absorbed by the adhesive film 12 and is not easily transmitted to the semiconductor chip 2. Thereby, the contact between adjacent semiconductor chips 2 is reduced, and chipping such as chip cracking and chip chipping during dicing is reduced.
By setting the ratio tanδad / tanδfilm to 3.4 or less, as shown in Table 1, chip cracking and chip chipping hardly occur during dicing. Accordingly, chipping such as chip cracking and chip chipping during dicing can be sufficiently reduced.

１：半導体ウエハ
２：半導体チップ（半導体素子）
１０：ウエハ加工用テープ
１２：粘着フィルム
１２ａ：基材フィルム
１２ｂ：粘着剤層
１３：接着剤層 1: Semiconductor wafer 2: Semiconductor chip (semiconductor element)
10: Wafer processing tape 12: Adhesive film 12a: Base film 12b: Adhesive layer 13: Adhesive layer

Claims

A wafer processing tape having an adhesive film comprising a base film and an adhesive layer provided on the base film, and an adhesive layer provided on the adhesive layer,
When the loss tangent of the adhesive film at 80 ° C. is tan δ film and the loss tangent of the adhesive layer at 80 ° C. is tan δad, tan δad / tan δ film is 5.0 or less,
A semiconductor processing tape, wherein the adhesive film has a function of absorbing vibration.

2. The semiconductor processing tape according to claim 1, wherein the tan [delta] ad / tan [delta] film is 3.4 or less .