KR101751049B1 - Tape for processing wafer - Google Patents

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야스마사 모리시마
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후루카와 덴키 고교 가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은 픽업 공정에서 인접 칩이 함께 들어 올려지는 더블다이 에러의 발생을 억제할 수 있는 웨이퍼 가공용 테이프를 제공한다.
웨이퍼 가공용 테이프(10)는, 기재 필름(12a)과 점착제층(12b)으로 이루어지는 점착 필름(12)과, 접착제층(13)을 갖는다. 접착제층(13)의 두께를 t(ad), 80℃에서의 저장 탄성률을 G'(80ad), tanδ를 tanδ(80ad)로 하고, 점착 필름(12)의 두께를 t(film), 80℃에서의 tanδ를 tanδ(80film)으로 하였을 때에 하기 수학식 1로 나타내어지는 값 A가 0.0468 이상 0.0719 이하이고, 접착제층의 두께가 5㎛ 내지 20㎛이다.
<수학식 1>

Figure 112016114859694-pat00005

접착제층(13)이 다이싱 블레이드(21)에 의해 압입되는 힘을 받을 때에 접착제층(13)이 변형되기 어려워져, 접착제층(13)의 반도체 칩(2)으로부터의 비어져 나옴이 적어진다. 이에 의해, 접착제층(13)이 재융착되지 않는다.The present invention provides a wafer processing tape capable of suppressing occurrence of a double die error in which adjacent chips are lifted together in a pick-up process.
The wafer processing tape 10 has an adhesive film 12 composed of a base film 12a and a pressure-sensitive adhesive layer 12b and an adhesive layer 13. The thickness of the adhesive film 12 is t (film), the thickness of the adhesive layer 13 is t (ad), the storage elastic modulus at 80 ° C is G '(80ad) , The value A expressed by the following formula (1) is 0.0468 or more and 0.0719 or less, and the thickness of the adhesive layer is 5 占 퐉 to 20 占 퐉.
&Quot; (1) &quot;
Figure 112016114859694-pat00005

The adhesive layer 13 is less likely to be deformed when the adhesive layer 13 receives a force to be press-fitted by the dicing blade 21 and the adhesive layer 13 is less likely to come out from the semiconductor chip 2 . Thereby, the adhesive layer 13 is not re-fused.

Description

웨이퍼 가공용 테이프 {TAPE FOR PROCESSING WAFER}[0001] TAPE FOR PROCESSING WAFER [0002]

본 발명은, 반도체 웨이퍼를 반도체 소자(칩)로 절단하는 다이싱 공정과, 절단된 칩을 리드 프레임이나 다른 칩에 접착하는 다이 본딩 공정의 양쪽 공정에 사용되는 웨이퍼 가공용 테이프에 관한 것이다.The present invention relates to a wafer processing tape used in both of a dicing step of cutting a semiconductor wafer into semiconductor elements (chips) and a die bonding step of bonding the cut chips to a lead frame or another chip.

반도체 장치의 제조 공정에서는, 반도체 웨이퍼를 칩 단위로 절단(다이싱)하는 공정, 절단된 반도체 소자(칩)를 픽업하는 공정, 또한 픽업된 칩을 리드 프레임이나 패키지 기판 등에 접착하는 다이 본딩(마운트) 공정이 실시된다.The semiconductor device manufacturing process includes a process of cutting (dicing) a semiconductor wafer into chips, a process of picking up a cut semiconductor device (chip), and a die bonding ) Process is carried out.

상기 반도체 장치의 제조 공정에 사용되는 웨이퍼 가공용 테이프로서, 최근, 기재 필름 상에, 점착제층과 접착제층이 이 순서대로 형성된 다이싱 다이 본드 시트가 알려져 있다(예를 들어, 하기 특허문헌 1 참조).As a wafer processing tape used in the manufacturing process of the semiconductor device, a dicing die-bonding sheet in which a pressure-sensitive adhesive layer and an adhesive layer are formed in this order on a base film is recently known (see, for example, Patent Document 1) .

이러한 다이싱 다이 본드 시트에 사용되고 있는 접착제층은 에폭시 수지 등의 저분자량 물질을 많이 포함하고 있어, 일반적인 다이싱 테이프에 사용되고 있는 점착제층과 비교하면, 부드러워 절삭성이 떨어지는 경향이 있다. 그로 인해, 다이싱시에, 반도체 웨이퍼의 수염 형상의 절삭 칩이나 접착제층의 절삭 잔부(버어)가 많이 발생하여, 다이싱 후의 픽업 공정에서 픽업 불량을 일으키기 쉽고, IC 등의 반도체 장치의 조립 공정에서의 칩의 접착 불량이 발생하기 쉽거나, 혹은 IC 등의 불량품이 발생하게 된다는 문제점이 있었다.The adhesive layer used in such a dicing die-bonding sheet contains a large amount of low-molecular-weight substances such as epoxy resin, so that it tends to be soft and poor in machinability as compared with the pressure-sensitive adhesive layer used in general dicing tapes. As a result, during the dicing, a large number of cutting chips or burrs of the beard-like shape of the semiconductor wafer are likely to occur in the pick-up process after the dicing, There is a problem that a bonding failure of a chip is likely to occur or a defective product such as an IC is generated.

따라서, 이러한 문제를 해결하는 웨이퍼 가공용 테이프로서, 기재 필름 상에 중간 수지층, 점착제층, 접착제층이 이 순서대로 적층되어 있는 반도체 가공용 테이프이며, 중간 수지층의 80℃에서의 저장 탄성률이, 점착제층의 80℃에서의 저장 탄성률보다 큰 것을 특징으로 하는 반도체 가공용 테이프가 알려져 있다(예를 들어, 하기 특허문헌 2 참조).Accordingly, a tape for semiconductor processing, in which an intermediate resin layer, a pressure-sensitive adhesive layer, and an adhesive layer are laminated in this order on a base film as a wafer processing tape to solve such a problem, is characterized in that a storage elastic modulus at 80 deg. Is higher than the storage elastic modulus at 80 캜 of the layer (for example, refer to Patent Document 2 below).

일본 특허 공개 제2005-303275호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2005-303275 일본 특허 공개 제2006-49509호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2006-49509

그러나, 상기 특허문헌 2에 기재된 웨이퍼 가공용 테이프에서는, 점착제층 및 접착제층의 두께나, 점착제층 및 접착제층의 탄성률에 따라서는, 다이싱시에 접착제층과 점착제층의 용융이 발생하기 쉬워지기 때문에, 접착제층, 점착제층 등에 절삭 잔부(버어)가 발생하고, 그 절삭 잔부의 영향에 의해 픽업시에 인접 칩(개별 조각화한 접착제층을 갖는 반도체 칩)이 함께 들어 올려지는 에러(더블다이 에러)가 발생한다는 문제가 있었다.However, in the wafer processing tape described in Patent Document 2, depending on the thickness of the pressure-sensitive adhesive layer and the adhesive layer, and the modulus of elasticity of the pressure-sensitive adhesive layer and the adhesive layer, melting of the adhesive layer and the pressure- (Double die error) that an adjacent chip (a semiconductor chip having an individual fragmented adhesive layer) is picked up together at the time of picking up due to the influence of the remaining portion of the cut (burr) There has been a problem in that it occurs.

따라서, 본 발명의 목적은, 픽업 공정에서 인접 칩이 함께 들어 올려지는 더블다이 에러의 발생을 억제할 수 있는 웨이퍼 가공용 테이프를 제공하는 것에 있다.It is therefore an object of the present invention to provide a wafer processing tape capable of suppressing occurrence of a double die error in which adjacent chips are lifted together in a pick-up process.

본 발명자들은, 기재 필름과 상기 기재 필름 상에 형성된 점착제층으로 이루어지는 점착 필름과, 점착제층 상에 형성된 접착제층을 갖는 웨이퍼 가공용 테이프를 사용하여 반도체 장치를 제조하는 경우, 접착제층이 다이싱 블레이드에 의해 압입되는 힘을 받을 때에 접착제층이 변형(탄성 변형)되기 어려우면, 픽업 공정에서 인접 칩이 함께 들어 올려지는 더블다이 에러의 발생을 억제할 수 있는 것을 발견하였다. 그 이유는, 접착제층이 변형되기 어려우면, 접착제층의 반도체 칩으로부터의 비어져 나옴이 적어지고, 비어져 나온 접착제층의 재융착이 발생하지 않기 때문이라고 생각된다. 본 발명은 상술한 사실에 기초하여 이루어진 것이다.The present inventors have found that when a semiconductor device is manufactured using an adhesive film comprising a base film and a pressure-sensitive adhesive layer formed on the base film and a wafer processing tape having an adhesive layer formed on the pressure-sensitive adhesive layer, It is possible to suppress occurrence of a double die error in which adjacent chips are lifted together in a pick-up process if the adhesive layer is hardly deformed (elastic deformation) when receiving a force to be press-fitted. The reason is that if the adhesive layer is hard to be deformed, the adhesive layer is less likely to come out from the semiconductor chip, and the adhesive layer that has been evacuated does not re-melt. The present invention has been made based on the above facts.

본 발명에 관한 웨이퍼 가공용 테이프는, 기재 필름과 상기 기재 필름 상에 형성된 점착제층으로 이루어지는 점착 필름과, 상기 점착제층 상에 형성된 접착제층을 갖는 웨이퍼 가공용 테이프이며, 상기 접착제층의 두께를 t(ad)[㎛], 상기 접착제층의 80℃에서의 저장 탄성률을 G'(80ad)[MPa], 상기 접착제층의 80℃에서의 tanδ를 tanδ(80ad)로 하고, 상기 점착 필름의 두께를 t(film)[㎛], 상기 점착 필름의 80℃에서의 tanδ를 tanδ(80film)으로 하였을 때에 수학식 1로 나타내어지는 값 A가 0.0468 이상 0.0719 이하이고, 접착제층의 두께가 5㎛ 내지 20㎛인 것을 특징으로 한다.A wafer processing tape according to the present invention is a wafer processing tape having a base film and a pressure-sensitive adhesive layer formed on the base film and an adhesive layer formed on the pressure-sensitive adhesive layer, wherein the thickness of the adhesive layer is t (80 ad) of the adhesive layer at 80 캜 and tan 隆 (80 ad) at 80 캜 of the adhesive layer, and the thickness of the adhesive film is t ( (A) is 0.0468 or more and 0.0719 or less and the thickness of the adhesive layer is 5 占 퐉 to 20 占 퐉 when tan? (80film) at 80 占 폚 of the adhesive film is defined as tan? .

Figure 112010022680126-pat00001
Figure 112010022680126-pat00001

수학식 1로 나타내어지는 값 A는, 점착 필름과 접착제층을 포함하는 웨이퍼 가공용 테이프 전체에 있어서의, 접착제층의 변형(탄성 변형)되기 어려움을 나타내는 파라미터이다.The value A represented by the formula (1) is a parameter indicating that the adhesive layer is hardly deformed (elastic deformation) in the entire wafer processing tape including the adhesive film and the adhesive layer.

수학식 1로 나타내어지는 값 A가 0.0468 이상 0.0719 이하이고 접착제층의 두께가 5㎛ 내지 20㎛이므로, 다이싱 블레이드에 의해 압입되는 힘으로 접착제층이 변형(탄성 변형)되기 어려워져, 접착제층의 반도체 칩으로부터의 비어져 나옴이 적어진다. 이에 의해, 접착제층이 재융착되지 않는다. 따라서, 픽업 공정에서 인접 칩이 함께 들어 올려지는 더블다이 에러의 발생을 억제할 수 있다.Since the value A expressed by the formula (1) is 0.0468 or more and 0.0719 or less and the thickness of the adhesive layer is 5 to 20 占 퐉, the adhesive layer is hardly deformed (elastically deformed) by the force that is pressed by the dicing blade, So that the leakage from the semiconductor chip is reduced. Thereby, the adhesive layer is not re-fused. Therefore, it is possible to suppress occurrence of a double die error in which adjacent chips are lifted together in the pickup process.

본 발명에 따르면, 픽업 공정에서 인접 칩이 함께 들어 올려지는 더블다이 에러의 발생을 억제할 수 있는 웨이퍼 가공용 테이프를 실현할 수 있다.According to the present invention, it is possible to realize a wafer processing tape capable of suppressing occurrence of a double die error in which adjacent chips are lifted together in a pick-up process.

도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 관한 웨이퍼 가공용 테이프를 도시하는 단면도.
도 2는 웨이퍼 가공용 테이프 상에 반도체 웨이퍼를 접합한 도면.
도 3은 다이싱 공정을 설명하기 위한 도면.
도 4는 익스팬드 공정을 설명하기 위한 도면.
도 5는 픽업 공정을 설명하기 위한 도면.
도 6은 일 실시 형태에 관한 웨이퍼 가공용 테이프에 있어서의 접착제층 및 점착 필름의 응력 흡수 능력을 설명하기 위한 모식도.1 is a sectional view showing a wafer processing tape according to an embodiment of the present invention.
2 is a view showing a semiconductor wafer bonded on a wafer processing tape;
3 is a view for explaining a dicing step.
4 is a view for explaining an expanding process.
5 is a view for explaining a pickup process;
6 is a schematic view for explaining the stress absorbing ability of the adhesive layer and the adhesive film in the wafer for processing tape according to one embodiment.

이하, 본 발명의 실시 형태를 도면에 기초하여 설명한다.DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

도 1은 일 실시 형태에 관한 웨이퍼 가공용 테이프(10)를 도시하는 단면도이다. 이 웨이퍼 가공용 테이프(10)는, 기재 필름(12a)과 그 위에 형성된 점착제층(12b)으로 이루어지는 점착 필름(12)과, 이 점착 필름(12) 상에 적층된 접착제층(13)을 갖는다. 이와 같이, 웨이퍼 가공용 테이프(10)에서는, 기재 필름(12a)과 점착제층(12b)과 접착제층(13)이 이 순서대로 형성되어 있다.1 is a sectional view showing a wafer processing tape 10 according to one embodiment. The wafer processing tape 10 has an adhesive film 12 composed of a base film 12a and a pressure-sensitive adhesive layer 12b formed on the adhesive film 12 and an adhesive layer 13 laminated on the pressure-sensitive adhesive film 12. Thus, in the tape for wafer processing 10, the base film 12a, the pressure-sensitive adhesive layer 12b, and the adhesive layer 13 are formed in this order.

또한, 점착제층(12b)은 1층의 점착제층으로 구성되어 있어도 되고, 2층 이상의 점착제층이 적층된 것으로 구성되어 있어도 된다. 또한, 도 1에 있어서는, 접착제층(13)을 보호하기 위해, 박리 라이너(11)가 웨이퍼 가공용 테이프(10)에 설치되어 있는 모습이 도시되어 있다.The pressure-sensitive adhesive layer 12b may be composed of one pressure-sensitive adhesive layer or two or more pressure-sensitive adhesive layers laminated. 1 shows a state in which the release liner 11 is provided on the wafer processing tape 10 in order to protect the adhesive layer 13.

점착 필름(12) 및 접착제층(13)은, 사용 공정이나 장치에 맞추어 미리 소정 형상으로 절단(예비 절단)되어 있어도 된다. 본 발명의 웨이퍼 가공용 테이프는, 반도체 웨이퍼 1매분마다 절단된 형태와, 이것이 복수 형성된 긴 시트를 롤 위에 권취한 형태를 포함한다.The adhesive film 12 and the adhesive layer 13 may be cut (preliminarily cut) into a predetermined shape in advance in accordance with the use process or apparatus. The wafer processing tape according to the present invention includes a form in which the semiconductor wafer is cut one by one and a form in which a long sheet having a plurality of these is wound on a roll.

본 실시 형태에 관한 웨이퍼 가공용 테이프(10)는, 이하의 구성을 갖는 점에 특징이 있다.The wafer processing tape 10 according to the present embodiment is characterized in that it has the following configuration.

(1) 기재 필름(12a)과 기재 필름(12a) 상에 형성된 점착제층(12b)으로 이루어지는 점착 필름(12)과, 점착제층(12b) 상에 형성된 접착제층(13)을 갖는다.(1) An adhesive film 12 composed of a base film 12a and a pressure-sensitive adhesive layer 12b formed on the base film 12a, and an adhesive layer 13 formed on the pressure-sensitive adhesive layer 12b.

(2) 접착제층(13)의 두께를 t(ad)[㎛], 접착제층(13)의 80℃에서의 저장 탄성률을 G'(80ad)[MPa], 접착제층(13)의 80℃에서의 tanδ를 tanδ(80ad)로 하고, 점착 필름(12)의 두께를 t(film)[㎛], 점착 필름(12)의 80℃에서의 tanδ를 tanδ(80film)으로 하였을 때에 수학식 1로 나타내어지는 값 A가 0.0468 이상 0.0719 이하이고 접착제층의 두께가 5㎛ 내지 20㎛이다.(2) The thickness of the adhesive layer 13 is t (ad) [mu m], the storage elastic modulus of the adhesive layer 13 at 80 DEG C is G '(80ad) [MPa], the adhesive layer 13 is 80 DEG C (Film) [占 퐉] of the thickness of the pressure-sensitive adhesive film 12 and tan? (80film) at 80 占 폚 of the pressure-sensitive adhesive film 12, tan? The losing value A is 0.0468 or more and 0.0719 or less, and the thickness of the adhesive layer is 5 to 20 占 퐉.

<수학식 1>&Quot; (1) &quot;

Figure 112010022680126-pat00002
Figure 112010022680126-pat00002

상기한 수학식 1에서 G'(80ad) 이외의 부분은, 웨이퍼 가공용 테이프(10) 전체의 응력 흡수 능력에 대한, 접착제층(13)의 응력 흡수 능력의 비율을 나타내고 있다. 그 비율에 접착제층(13)의 80℃에서의 저장 탄성률 G'(80ad)의 역수를 곱한 값 A는, 접착제층(13)의 변형(탄성 변형)되기 어려움을 나타내는 파라미터이다. 즉, 그 값 A가 클수록 접착제층의 변형량(탄성 변형량)이 작아진다.The portion other than G '(80ad) in Equation (1) above represents the ratio of the stress absorbing ability of the adhesive layer 13 to the stress absorbing ability of the entire wafer processing tape 10. A value obtained by multiplying the ratio by the reciprocal of the storage elastic modulus G '(80ad) of the adhesive layer 13 at 80 캜 is a parameter indicating that the adhesive layer 13 is hardly deformed (elastic deformation). That is, the larger the value A is, the smaller the deformation amount (elastic deformation amount) of the adhesive layer.

상기한 수학식 1에서, 접착제층(13)의 손실 정접 tanδ(80ad)와 점착 필름(12)의 80℃에서의 손실 정접 tanδ(80film)은 응력 흡수 성능을 나타내고, 그 값이 클수록 응력 흡수성이 높다. 단위 면적당의 능력이며, 이 값에 두께를 곱함으로써 그 자체 전체의 응력 흡수 성능으로 된다.In Equation 1, the loss tangent tan? (80ad) of the adhesive layer 13 and the loss tangent tan? (80film) at 80 占 폚 of the adhesive film 12 show the stress absorbing performance. high. The capacity per unit area, and multiplying this value by the thickness results in the entire stress absorption performance of itself.

예를 들어, 도 6에 도시한 바와 같이, 기재 필름과 기재 필름 상에 형성된 점착제층으로 이루어지는 점착 필름(12)과, 점착제층 상에 형성된 접착제층(13)을 갖는 웨이퍼 가공용 테이프(10)에 있어서, 접착제층(13)의 두께 t(ad)를 0.5mm, 그의 G'(80ad)를 10, 그의 tanδ(80ad)를 0.9, 점착 필름(12)의 두께 t(film)를 2mm, 그의 tanδ(80film)를 0.5로 한다.For example, as shown in Fig. 6, a wafer processing tape 10 having an adhesive film 12 composed of a base film and a pressure-sensitive adhesive layer formed on the base film and an adhesive layer 13 formed on the pressure- The thickness t (ad) of the adhesive layer 13 is 0.5 mm, the G '(80ad) thereof is 10, the tan? (80ad) thereof is 0.9, the thickness t (film) of the adhesive film 12 is 2 mm, (80film) is set to 0.5.

이 경우, 접착제층(13)의 응력 흡수 능력 a는 0.5×0.9=0.45, 점착 필름(12)의 응력 흡수 능력 b는 2.0×0.5=1.0, 접착제층(13)이 흡수하는 힘 c는 100×0.45/(0.45+1.0)=31, 그리고, 접착제층(13)이 변형되는 양 d는 10×0.5÷31=0.16이 된다.In this case, the stress absorption capacity a of the adhesive layer 13 is 0.5 x 0.9 = 0.45, the stress absorption capacity b of the adhesive film 12 is 2.0 x 0.5 = 1.0, the force c absorbed by the adhesive layer 13 is 100 x 0.45 / (0.45 + 1.0) = 31, and the amount d of deformation of the adhesive layer 13 is 10 x 0.5 / 31 = 0.16.

여기서, 0.45/(0.45+1.0)은, 웨이퍼 가공용 테이프(10) 전체의 응력 흡수 능력에 대한, 접착제층(13)의 응력 흡수 능력의 비율을 나타내고 있고, 그 비율이 클수록 접착제층이 흡수하는 힘 c가 커지고, 접착제층(13)이 변형(탄성 변형)되는 양 d가 작아진다.Here, 0.45 / (0.45 + 1.0) represents the ratio of the stress absorbing capacity of the adhesive layer 13 to the stress absorbing capacity of the whole wafer 10 for tape processing. The larger the ratio is, c becomes large, and the amount d at which the adhesive layer 13 is deformed (elastically deformed) becomes small.

이와 같이, 다이싱 블레이드(21)(도 3)에 의해 압입되는 힘으로 접착제층(13)이 변형되기 어려우면, 접착제층(13)의 반도체 칩(2)으로부터의 비어져 나옴이 적어진다. 이에 의해, 비어져 나온 접착제층의 재융착이 억제되므로, 픽업 공정에서 인접 칩이 함께 들어 올려지는 더블다이 에러를 저감할 수 있다.As described above, if the adhesive layer 13 is hard to be deformed due to the force press-fitted by the dicing blade 21 (Fig. 3), the adhesive layer 13 is less likely to come out from the semiconductor chip 2. As a result, since the re-fusion of the adhesive layer that has been evacuated is suppressed, it is possible to reduce the double die error in which adjacent chips are lifted together in the pick-up process.

또한, 상기 수학식 1로 나타내어지는 값 A가 0.0468 미만이면, 다이싱 블레이드(21)에 의해 압입되는 힘으로 접착제층(13)이 변형(탄성 변형)되기 쉬워져, 접착제층(13)의 반도체 칩으로부터의 비어져 나옴이 많아진다. 이에 의해, 비어져 나온 접착제층이 재융착되어, 픽업 공정에서 인접 칩이 함께 들어 올려지는 더블다이 에러가 발생한다.If the value A indicated by the above-mentioned formula (1) is less than 0.0468, the adhesive layer 13 is easily deformed (elastically deformed) by the force press-fitted by the dicing blade 21, So that there is more vacancy from the chip. As a result, the vacant adhesive layer is re-fused and a double die error occurs in which adjacent chips are lifted together in the pick-up process.

이하, 본 실시 형태의 웨이퍼 가공용 테이프(10)의 각 구성 요소에 대하여 상세하게 설명한다.Hereinafter, each component of the wafer processing tape 10 of the present embodiment will be described in detail.

(접착제층)(Adhesive layer)

접착제층(13)은, 반도체 웨이퍼(1) 등이 접합되어 다이싱된 후, 반도체 칩(2)을 픽업할 때에, 점착 필름(12)으로부터 박리되어 반도체 칩(2)에 부착되고, 반도체 칩(2)을 기판이나 리드 프레임에 고정할 때의 접착제로서 사용되는 것이다. 따라서, 접착제층(13)은, 픽업 공정에 있어서, 개별 조각화된 반도체 칩(2)에 부착된 채의 상태로, 점착 필름(12)으로부터 박리할 수 있는 박리성을 갖고, 또한, 다이 본딩 공정에 있어서, 반도체 칩(2)을 기판이나 리드 프레임에 접착 고정하기 때문에, 충분한 접착 신뢰성을 갖는 것이다.The adhesive layer 13 is peeled off from the adhesive film 12 and attached to the semiconductor chip 2 when the semiconductor wafer 1 is bonded and diced and then picked up the semiconductor chip 2, Is used as an adhesive when fixing the substrate 2 to the substrate or the lead frame. Therefore, the adhesive layer 13 has peelability that can be peeled off from the adhesive film 12 in a state of being attached to the individual fragmented semiconductor chips 2 in the pick-up process, , The semiconductor chip 2 is adhered and fixed to the substrate or the lead frame, so that the semiconductor chip 2 has sufficient adhesion reliability.

접착제층(13)은, 접착제를 미리 필름화한 것이며, 예를 들어, 접착제에 사용되는 공지된 폴리이미드 수지, 폴리아미드 수지, 폴리에테르이미드 수지, 폴리아미드이미드 수지, 폴리에스테르 수지, 폴리에스테르이미드 수지, 페녹시 수지, 폴리술폰 수지, 폴리에테르술폰 수지, 폴리페닐렌술피드 수지, 폴리에테르케톤 수지, 염소화 폴리프로필렌 수지, 아크릴 수지, 폴리우레탄 수지, 에폭시 수지, 폴리아크릴아미드 수지, 멜라민 수지 등이나 그의 혼합물을 사용할 수 있다.The adhesive layer 13 is a film obtained by preliminarily bonding an adhesive to a film. For example, a known polyimide resin, a polyamide resin, a polyetherimide resin, a polyamideimide resin, a polyester resin, A resin such as a resin, a phenoxy resin, a polysulfone resin, a polyether sulfone resin, a polyphenylene sulfide resin, a polyether ketone resin, a chlorinated polypropylene resin, an acrylic resin, a polyurethane resin, an epoxy resin, a polyacrylamide resin, Its mixture can be used.

경화 후의 내열성이 양호한 점에서 특히 에폭시 수지를 사용하는 것이 바람직하다. 에폭시 수지는 경화하여 접착 작용을 나타내는 것이면 된다. 에폭시 수지로서는, 고Tg(유리 전이 온도)화를 목적으로 다관능 에폭시 수지를 첨가하여도 되고, 다관능 에폭시 수지로서는 페놀 노볼락형 에폭시 수지, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지 등이 예시된다. 에폭시 수지의 경화제는, 에폭시 수지의 경화제로서 통상 사용되고 있는 것을 사용할 수 있고, 아민, 폴리아미드, 산 무수물, 폴리술피드, 3불화 붕소 및 페놀성 수산기를 1 분자 중에 2개 이상 갖는 화합물인 비스페놀 A, 비스페놀 F, 비스페놀 S 등을 예로 들 수 있다. 특히 흡습시의 내전식성이 우수하기 때문에 페놀 수지인 페놀 노볼락 수지나 비스페놀 노볼락 수지 등을 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 경화제와 함께 경화 촉진제를 사용하는 것이, 경화를 위한 열처리의 시간을 단축할 수 있는 점에서 바람직하다. 경화 촉진제로서는, 2-메틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸, 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸륨 트리멜리테이트 등의 각종 이미다졸류 등의 염기를 사용할 수 있다.It is particularly preferable to use an epoxy resin in view of good heat resistance after curing. The epoxy resin may be any one which hardens and exhibits an adhesive action. As the epoxy resin, a polyfunctional epoxy resin may be added for the purpose of making a high Tg (glass transition temperature). Examples of the polyfunctional epoxy resin include phenol novolak type epoxy resin, cresol novolak type epoxy resin and the like. As the curing agent of the epoxy resin, those generally used as a curing agent of an epoxy resin can be used, and bisphenol A, which is a compound having two or more amine, polyamide, acid anhydride, polysulfide, boron trifluoride and phenolic hydroxyl groups in one molecule , Bisphenol F, bisphenol S, and the like. Particularly, it is preferable to use phenol novolac resin, bisphenol novolac resin, or the like which is a phenol resin because of excellent corrosion resistance at the time of moisture absorption. Further, it is preferable to use a curing accelerator together with the curing agent in that the time for the heat treatment for curing can be shortened. As the curing accelerator, there may be mentioned 2-methylimidazole, 2-ethyl-4-methylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazole, 1-cyanoethyl-2-phenylimidazolium trimellitate And the like can be used.

또한, 반도체 칩(2)이나 리드 프레임(20)에 대한 접착력을 강화하기 위해, 실란 커플링제 혹은 티타늄 커플링제를 첨가제로서 상기 재료나 그의 혼합물에 첨가하는 것이 바람직하다. 또한, 내열성의 향상이나 유동성의 조절을 목적으로 충전제를 첨가하여도 된다. 이러한 충전제로서는 실리카, 알루미나, 안티몬 산화물 등이 있다. 이들 충전제는 최대 입자 직경이 접착제층(13)의 두께보다 작은 것이면, 상이한 입자 직경의 것을 임의의 비율로 배합할 수 있다.It is also preferable to add a silane coupling agent or a titanium coupling agent as an additive to the above material or a mixture thereof in order to enhance the adhesive force to the semiconductor chip 2 or the lead frame 20. [ A filler may also be added for the purpose of improving heat resistance and controlling fluidity. Examples of such fillers include silica, alumina, antimony oxide and the like. If the maximum particle diameter of these fillers is smaller than the thickness of the adhesive layer 13, those having different particle diameters can be blended at an arbitrary ratio.

tanδ(80ad)를 높게 하고 G'(80ad)를 낮게 하기 위해서는, 에폭시 수지나 페놀 수지 등의 저분자량 성분을 많게 하고, 아크릴 수지 등의 고분자량 성분을 적게 하면 된다. 또한, 충전제를 배합하는 경우는 충전제 배합량을 적게 하여도 되고, tanδ를 낮게 하기 위해서는 상기한 것을 반대로 행하면 된다.In order to increase tan δ (80ad) and lower G '(80ad), it is sufficient to increase the amount of low molecular weight components such as epoxy resin and phenol resin, and to reduce the amount of high molecular weight components such as acrylic resin. In the case of mixing the filler, the amount of the filler to be blended may be reduced, and in order to lower the tan delta, the above-mentioned procedure may be reversed.

접착제층(13)의 두께는 특별히 제한되는 것은 아니지만, 통상 5 내지 100㎛정도가 바람직하다. 또한, 접착제층(13)은 점착 필름(12)의 점착제층(12b)의 전체면에 적층하여도 되지만, 미리 접합되는 반도체 웨이퍼(1)에 따른 형상으로 절단된(예비 절단된) 접착제층을 점착제층(12b)의 일부에 적층하여도 된다. 반도체 웨이퍼(1)에 따른 형상으로 절단된 접착제층(13)을 적층한 경우, 도 2에 도시한 바와 같이, 반도체 웨이퍼(1)가 접합되는 부분에는 접착제층(13)이 있고, 다이싱용의 링 프레임(20)이 접합되는 부분에는 접착제층(13)이 없고 점착 필름(12)의 점착제층(12b)만이 존재한다. 일반적으로, 접착제층(13)은 피착체와 박리되기 어렵기 때문에, 예비 절단된 접착제층(13)을 사용함으로써, 링 프레임(20)은 점착 필름(12)에 접합할 수 있고, 사용 후의 시트 박리시에 링 프레임으로의 접착제 잔류물을 발생시키기 어렵다는 효과를 얻을 수 있다.The thickness of the adhesive layer 13 is not particularly limited, but is preferably about 5 to 100 mu m. The adhesive layer 13 may be laminated on the entire surface of the pressure-sensitive adhesive layer 12b of the pressure-sensitive adhesive film 12, but the adhesive layer 13 may be laminated on the pressure- Or may be laminated on a part of the pressure-sensitive adhesive layer 12b. In the case where the adhesive layer 13 cut in the shape corresponding to the semiconductor wafer 1 is laminated, as shown in Fig. 2, the adhesive layer 13 is present at the bonding portion of the semiconductor wafer 1, There is no adhesive layer 13 in the area where the ring frame 20 is bonded and only the pressure-sensitive adhesive layer 12b of the pressure-sensitive adhesive film 12 is present. Generally, since the adhesive layer 13 is difficult to peel off from the adherend, the ring frame 20 can be bonded to the adhesive film 12 by using the preliminarily cut adhesive layer 13, It is possible to obtain an effect that it is difficult to generate an adhesive residue in the ring frame upon peeling.

(점착 필름)(Adhesive film)

점착 필름(12)은, 반도체 웨이퍼(1)를 다이싱할 때에는 반도체 웨이퍼(1)가 박리되지 않도록 충분한 점착력을 갖고, 다이싱 후에 반도체 칩(2)을 픽업할 때에는 용이하게 접착제층(13)으로부터 박리할 수 있도록 낮은 점착력을 갖는 것이다. 본 실시 형태에 있어서, 점착 필름(12)은, 도 1에 도시한 바와 같이, 기재 필름(12a)에 점착제층(12b)을 형성한 것을 사용하였다.The adhesive film 12 has a sufficient adhesion force so that the semiconductor wafer 1 is not peeled off when dicing the semiconductor wafer 1. The adhesive film 12 is easily adhered to the adhesive layer 13 when picking up the semiconductor chip 2 after dicing, So that it can be peeled off. In the present embodiment, the pressure-sensitive adhesive film 12, as shown in Fig. 1, is used in which the pressure-sensitive adhesive layer 12b is formed on the base film 12a.

점착 필름(12)의 기재 필름(12a)으로서는, 종래 공지된 것이면 특별히 제한하지 않고 사용할 수 있지만, 후술하는 바와 같이, 본 실시 형태에 있어서는, 점착제층(12b)으로서, 에너지 경화성의 재료 중 방사선 경화성의 재료를 사용하는 점에서, 방사선 투과성을 갖는 것을 사용한다.The base film 12a of the adhesive film 12 is not particularly limited as long as it is conventionally known and can be used. As described later, in the present embodiment, as the pressure-sensitive adhesive layer 12b, the radiation- A material having radiation transmittance is used.

예를 들어, 기재 필름(12a)의 재료로서, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 에틸렌-프로필렌 공중합체, 폴리부텐-1, 폴리-4-메틸펜텐-1, 에틸렌-아세트산 비닐 공중합체, 에틸렌-아크릴산 에틸 공중합체, 에틸렌-아크릴산 메틸 공중합체, 에틸렌-아크릴산 공중합체, 아이오노머 등의 α-올레핀의 단독 중합체 또는 공중합체 혹은 이들의 혼합물, 폴리우레탄, 스티렌-에틸렌-부텐 공중합체 혹은 펜텐계 공중합체, 폴리아미드-폴리올 공중합체 등의 열가소성 엘라스토머, 및 이들의 혼합물을 열거할 수 있다. 또한, 기재 필름(12a)은 이들의 군으로부터 선택되는 2종 이상의 재료가 혼합된 것이어도 되고, 이들이 단층 또는 복층화된 것이어도 된다. 기재 필름(12a)의 두께는 특별히 한정되는 것이 아니고 적절히 설정하여도 되지만, 50 내지 200㎛가 바람직하다.Examples of the material of the base film 12a include polyethylene, polypropylene, ethylene-propylene copolymer, polybutene-1, poly-4-methylpentene-1, ethylene-vinyl acetate copolymer, ethylene- Homopolymers or copolymers of? -Olefins such as ethylene-propylene copolymer, ethylene-methyl acrylate copolymer, ethylene-acrylic acid copolymer and ionomer, or a mixture thereof, polyurethane, styrene-ethylene-butene copolymer or pentene- Amide-polyol copolymers, and mixtures thereof. The base film 12a may be a mixture of two or more kinds of materials selected from these groups, or may be a single layer or a multi-layered film. The thickness of the base film 12a is not particularly limited and may be appropriately set, but is preferably 50 to 200 占 퐉.

tanδ(80film)은, 기재 필름(12a)에 사용하는 수지의 구조에 기인한다. 보다 상세하게는, 분자량이 높고, 서로 얽혀 점간 분자량이 작은 것일수록 tanδfilm이 높아진다.tan? (80film) is due to the structure of the resin used for the base film 12a. More specifically, as the molecular weight is high and the inter-molecular weight is small, the tan delta film becomes higher.

본 실시 형태에 있어서는, 자외선 등의 방사선을 점착 필름(12)에 조사함으로써, 점착제층(12b)을 경화시켜, 점착제층(12b)을 접착제층(13)으로부터 박리하기 쉽게 하고 있는 점에서, 점착제층(12b)의 수지에는, 점착제에 사용되는 공지된 염소화 폴리프로필렌 수지, 아크릴 수지, 폴리에스테르 수지, 폴리우레탄 수지, 에폭시 수지, 부가 반응형 오르가노폴리실록산계 수지, 실리콘 아크릴레이트 수지, 에틸렌-아세트산 비닐 공중합체, 에틸렌-아크릴산 에틸 공중합체, 에틸렌-아크릴산 메틸 공중합체, 에틸렌-아크릴산 공중합체, 폴리이소프렌이나 스티렌ㆍ부타디엔 공중합체나 그의 수소 첨가물 등의 각종 엘라스토머 등이나 그의 혼합물에, 방사선 중합성 화합물을 적절히 배합하여 점착제를 제조하는 것이 바람직하다. 또한, 각종 계면 활성제나 표면 평활화제를 첨가하여도 된다. 점착제층의 두께는 특별히 한정되는 것이 아니라 적절히 설정하면 되지만, 5 내지 30㎛가 바람직하다.In the present embodiment, since the pressure-sensitive adhesive layer 12b is cured by irradiating the adhesive film 12 with radiation such as ultraviolet rays, the pressure-sensitive adhesive layer 12b is easily peeled from the adhesive layer 13, As the resin of the layer 12b, known chlorinated polypropylene resin, acrylic resin, polyester resin, polyurethane resin, epoxy resin, addition reaction type organopolysiloxane resin, silicone acrylate resin, ethylene-acetic acid Various elastomers such as a vinyl copolymer, an ethylene-ethyl acrylate copolymer, an ethylene-methyl acrylate copolymer, an ethylene-acrylic acid copolymer, polyisoprene, a styrene-butadiene copolymer and hydrogenated products thereof, Is suitably blended to produce a pressure-sensitive adhesive. In addition, various surfactants and surface smoothing agents may be added. The thickness of the pressure-sensitive adhesive layer is not particularly limited and may be suitably set, but is preferably 5 to 30 占 퐉.

그 방사선 중합성 화합물은, 예를 들어 광 조사에 의해 3차원 망상화할 수 있는 분자 내에 광 중합성 탄소-탄소 이중 결합을 적어도 2개 이상 갖는 저분량 화합물이나, 광 중합성 탄소-탄소 이중 결합기를 치환기에 갖는 중합체나 올리고머가 사용된다. 구체적으로는, 트리메틸올프로판 트리아크릴레이트, 펜타에리트리톨 트리아크릴레이트, 펜타에리트리톨 테트라아크릴레이트, 디펜타에리트리톨 모노히드록시펜타아크릴레이트, 디펜타에리트리톨 헥사아크릴레이트, 1,4-부틸렌글리콜 디아크릴레이트, 1,6 헥산디올 디아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜 디아크릴레이트나, 올리고에스테르 아크릴레이트 등, 실리콘 아크릴레이트 등, 아크릴산이나 각종 아크릴산 에스테르류의 공중합체 등이 적용 가능하다.The radiation-polymerizable compound is, for example, a low-molecular-weight compound having at least two photopolymerizable carbon-carbon double bonds in a molecule capable of being three-dimensionally reticularized by light irradiation, a photopolymerizable carbon- Polymers and oligomers having substituents are used. Specific examples include trimethylolpropane triacrylate, pentaerythritol triacrylate, pentaerythritol tetraacrylate, dipentaerythritol monohydroxypentaacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate, 1,4-butylene Acrylic esters such as acrylic acid and various acrylic esters such as acrylic acid, glycol diacrylate, 1,6 hexanediol diacrylate, polyethylene glycol diacrylate, oligoester acrylate and the like, and silicone acrylate.

또한, 상기와 같은 아크릴레이트계 화합물 외에, 우레탄 아크릴레이트계 올리고머를 사용할 수도 있다. 우레탄 아크릴레이트계 올리고머는, 폴리에스테르형 또는 폴리에테르형 등의 폴리올 화합물과, 다가 이소시아네이트 화합물(예를 들어, 2,4-톨릴렌 디이소시아네이트, 2,6-톨릴렌 디이소시아네이트, 1,3-크실릴렌 디이소시아네이트, 1,4-크실릴렌 디이소시아네이트, 디페닐메탄 4,4-디이소시아네이트 등)을 반응시켜 얻어지는 말단 이소시아네이트 우레탄 예비중합체에, 히드록실기를 갖는 아크릴레이트 혹은 메타크릴레이트(예를 들어, 2-히드록시에틸 아크릴레이트, 2-히드록시에틸 메타크릴레이트, 2-히드록시프로필 아크릴레이트, 2-히드록시프로필 메타크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜 아크릴레이트, 폴리에틸렌글리콜 메타크릴레이트 등)를 반응시켜 얻어진다. 또한, 점착제층(12b)에는, 상기한 수지로부터 선택되는 2종 이상이 혼합된 것이어도 된다.In addition to the above acrylate compounds, urethane acrylate oligomers may also be used. The urethane acrylate oligomer is obtained by reacting a polyol compound such as polyester type or polyether type with a polyisocyanate compound (for example, 2,4-tolylene diisocyanate, 2,6-tolylene diisocyanate, 1,3- Xylylene diisocyanate, diphenylmethane 4,4-diisocyanate, etc.) is reacted with a terminal isocyanate urethane prepolymer obtained by reacting a hydroxyl group-containing acrylate or methacrylate ( Hydroxyethyl methacrylate, 2-hydroxypropyl acrylate, 2-hydroxypropyl methacrylate, polyethylene glycol acrylate, polyethylene glycol methacrylate, and the like) . The pressure-sensitive adhesive layer 12b may be a mixture of two or more kinds selected from the above-mentioned resins.

또한, 점착제층(12b)의 수지에는, 방사선을 점착 필름(12)에 조사하여 점착제층(12b)을 경화시키는 방사선 중합성 화합물 외에, 아크릴계 점착제, 광 중합 개시제, 경화제 등을 적절히 배합하여 점착제층(12b)을 제조할 수도 있다.The resin of the pressure-sensitive adhesive layer 12b is appropriately blended with an acrylic pressure-sensitive adhesive, a photopolymerization initiator, a curing agent and the like in addition to the radiation-polymerizable compound for curing the pressure-sensitive adhesive layer 12b by irradiating the adhesive film 12 with radiation, (12b).

광 중합 개시제를 사용하는 경우, 예를 들어 이소프로필 벤조인에테르, 이소부틸 벤조인에테르, 벤조페논, 미힐러 케톤, 클로로티오크산톤, 도데실티오크산톤, 디메틸티오크산톤, 디에틸티오크산톤, 벤질디메틸케탈, α-히드록시시클로헥실페닐케톤, 2-히드록시메틸페닐프로판 등을 사용할 수 있다. 이들 광 중합 개시제의 배합량은 아크릴계 공중합체 100질량부에 대하여 0.01 내지 5질량부가 바람직하다.When a photopolymerization initiator is used, for example, isopropylbenzoin ether, isobutylbenzoin ether, benzophenone, Michler's ketone, chlorothioxanthone, dodecylthioxanthone, dimethylthioxanthone, diethylthioxanthone , Benzyl dimethyl ketal,? -Hydroxycyclohexyl phenyl ketone, 2-hydroxymethylphenyl propane and the like can be used. The blending amount of these photopolymerization initiators is preferably 0.01 to 5 parts by mass relative to 100 parts by mass of the acrylic copolymer.

(웨이퍼 가공용 테이프의 사용 방법)(Method of using wafer processing tape)

반도체 장치의 제조 공정 중에서, 웨이퍼 가공용 테이프(10)는, 이하와 같이 사용된다. 도 2에 있어서는, 웨이퍼 가공용 테이프(10)에, 반도체 웨이퍼(1)와 링 프레임(20)이 접합된 모습이 도시되어 있다. 우선, 도 2에 도시한 바와 같이, 점착 필름(12)의 점착제층(12b)을 링 프레임(20)에 부착하고, 반도체 웨이퍼(1)를 접착제층(13)에 접합한다. 이들의 부착 순서에 제한은 없고, 반도체 웨이퍼(1)를 접착제층(13)에 접합한 후에 점착 필름(12)의 점착제층(12b)을 링 프레임(20)에 부착하여도 된다. 또한, 점착 필름(12)의 링 프레임(20)으로의 부착과, 반도체 웨이퍼(1)의 접착제층(13)으로의 접합을 동시에 행하여도 된다.In the semiconductor device manufacturing process, the wafer processing tape 10 is used as follows. 2 shows a state in which the semiconductor wafer 1 and the ring frame 20 are bonded to the wafer processing tape 10. As shown in Fig. First, as shown in Fig. 2, the adhesive layer 12b of the adhesive film 12 is attached to the ring frame 20, and the semiconductor wafer 1 is bonded to the adhesive layer 13. Next, as shown in Fig. The adhesive layer 12b of the adhesive film 12 may be attached to the ring frame 20 after the semiconductor wafer 1 is bonded to the adhesive layer 13 without any limitation. The attachment of the adhesive film 12 to the ring frame 20 and the bonding to the adhesive layer 13 of the semiconductor wafer 1 may be performed at the same time.

그리고, 반도체 웨이퍼(1)의 다이싱 공정을 실시하고(도 3), 계속해서, 점착 필름(12)에 에너지선, 예를 들어 자외선을 조사하는 공정을 실시한다. 구체적으로는, 다이싱 블레이드(21)에 의해 반도체 웨이퍼(1)와 접착제층(13)을 다이싱하기 위해, 흡착 스테이지(22)에 의해, 웨이퍼 가공용 테이프(10)를 점착 필름(12)면측으로부터 흡착 지지한다. 그리고, 다이싱 블레이드(21)에 의해 반도체 웨이퍼(1)와 접착제층(13)을 반도체 칩(2) 단위로 절단하여 개별 조각화하고, 그 후, 점착 필름(12)의 하면측으로부터 에너지선을 조사한다. 이 에너지선 조사에 의해, 점착제층(12b)을 경화시켜 그의 점착력을 저하시킨다. 또한, 에너지선의 조사 대신에, 가열 등의 외부 자극에 의해 점착 필름(12)의 점착제층(12b)의 점착력을 저하시켜도 된다. 점착제층(12b)이 2층 이상의 점착제층에 의해 적층되어 구성되어 있는 경우, 각 점착제층 내의 일층 또는 전체 층을 에너지선 조사에 의해 경화시켜, 각 점착제층 내의 일층 또는 전체 층의 점착력을 저하시켜도 된다.Then, a dicing step of the semiconductor wafer 1 is performed (Fig. 3), and then a step of irradiating the adhesive film 12 with energy rays, for example ultraviolet rays, is carried out. The wafer processing tape 10 is adhered to the surface of the adhesive film 12 by the suction stage 22 in order to dice the semiconductor wafer 1 and the adhesive layer 13 by the dicing blade 21. [ As shown in Fig. The semiconductor wafer 1 and the adhesive layer 13 are cut into individual pieces by the dicing blade 21 in the unit of the semiconductor chip 2 and thereafter the energy lines are cut from the lower surface side of the adhesive film 12 Investigate. By this energy ray irradiation, the pressure-sensitive adhesive layer 12b is cured to deteriorate its adhesive force. Instead of irradiating the energy ray, the adhesive force of the pressure-sensitive adhesive layer 12b of the pressure-sensitive adhesive film 12 may be lowered by external stimulation such as heating. In the case where the pressure-sensitive adhesive layer 12b is formed by laminating two or more pressure-sensitive adhesive layers, one or all of the pressure-sensitive adhesive layers may be cured by energy ray irradiation to lower the adhesive force of one or all of the pressure- do.

그 후, 도 4에 도시한 바와 같이, 다이싱된 반도체 칩(2) 및 접착제층(13)을 유지한 점착 필름(12)을 링 프레임(20)의 주위 방향으로 잡아늘이는 익스팬드 공정을 실시한다. 구체적으로는, 다이싱된 복수의 반도체 칩(2) 및 접착제층(13)을 유지한 상태의 점착 필름(12)에 대하여, 중공 원기둥 형상의 밀어올림 부재(30)를, 점착 필름(12)의 하면측으로부터 상승시켜, 점착 필름(12)을 링 프레임(20)의 주위 방향으로 잡아늘인다. 익스팬드 공정에 의해, 반도체 칩(2)끼리의 간격을 넓혀, CCD 카메라 등에 의한 반도체 칩(2)의 인식성을 높임과 함께, 픽업시에 인접하는 반도체 칩(2)끼리 접촉함으로써 발생하는 반도체 칩끼리의 재접착을 방지할 수 있다.Thereafter, as shown in Fig. 4, the expanding process of stretching the adhesive film 12 holding the diced semiconductor chip 2 and the adhesive layer 13 in the peripheral direction of the ring frame 20 is carried out do. Concretely, a hollow cylinder-shaped push-up member 30 is attached to the adhesive film 12 in a state in which a plurality of diced semiconductor chips 2 and an adhesive layer 13 are held, So that the adhesive film 12 is stretched in the peripheral direction of the ring frame 20. The distance between the semiconductor chips 2 is widened by the expanding process so that the recognizability of the semiconductor chip 2 by the CCD camera or the like is increased and at the same time the semiconductor chips 2, It is possible to prevent re-adhesion between the chips.

익스팬드 공정을 실시한 후, 도 5에 도시한 바와 같이, 점착 필름(12)을 익스팬드한 상태인 채로, 반도체 칩(2)을 픽업하는 픽업 공정을 실시한다. 구체적으로는, 점착 필름(12)의 하면측으로부터 반도체 칩(2)을 핀(31)에 의해 밀어올림과 함께, 점착 필름(12)의 상면측으로부터 흡착 지그(32)로 반도체 칩(2)을 흡착함으로써, 개별 조각화된 반도체 칩(2)을 접착제층(13)과 함께 픽업한다.After the expand process, as shown in Fig. 5, a pick-up process for picking up the semiconductor chip 2 is carried out while the adhesive film 12 is expanded. Concretely, the semiconductor chip 2 is pushed up by the pins 31 from the lower surface side of the adhesive film 12 and the semiconductor chip 2 is transferred from the upper surface side of the adhesive film 12 to the suction jig 32, The semiconductor chip 2 is picked up together with the adhesive layer 13. [0050]

그리고, 픽업 공정을 실시한 후, 다이 본딩 공정을 실시한다. 구체적으로는, 픽업 공정에서 반도체 칩(2)과 함께 픽업된 접착제층(13)에 의해, 반도체 칩(2)을 리드 프레임이나 패키지 기판 등에 접착한다.After the pickup process, the die bonding process is performed. Specifically, the semiconductor chip 2 is bonded to a lead frame, a package substrate, or the like by the adhesive layer 13 picked up together with the semiconductor chip 2 in the pickup process.

다음에, 본 발명의 실시예에 대하여 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예에 한정되는 것은 아니다.EXAMPLES Next, examples of the present invention will be described, but the present invention is not limited to these examples.

표 1에 나타낸 접착제층 (1), (2)를 갖는 접착 필름 및 점착 필름 (1) 내지 (4)를, 각각 직경 370mm, 320mm의 원형으로 커트하고, 점착 필름 (1) 내지 (4) 중 어느 하나의 점착제층과, 접착제층 (1), (2) 중 어느 하나를 갖는 접착 필름의 접착제층을 접합하였다. 마지막으로, 접착 필름의 PET 필름을 접착제층으로부터 박리하여, 표 1에 나타낸 실시예 1 내지 5 및 비교예 1 내지 3의 각 웨이퍼 가공용 테이프를 얻었다.The adhesive films (1) and (4) having the adhesive layers (1) and (2) shown in Table 1 were cut into circular shapes having diameters of 370 mm and 320 mm, One of the adhesive layers and the adhesive layer of the adhesive film having any one of the adhesive layers (1) and (2) were bonded. Finally, the PET film of the adhesive film was peeled from the adhesive layer to obtain the respective tapes for wafer processing of Examples 1 to 5 and Comparative Examples 1 to 3 shown in Table 1.

(접착제층의 제작)(Preparation of adhesive layer)

<접착제층 (1)>&Lt; Adhesive Layer (1) >

에폭시 수지로서 YDCN-703(도또 가세이(주)제 상품명, 크레졸 노볼락형 에폭시 수지, 에폭시 당량 210g/eq, 분자량 1200, 연화점 80℃) 55중량부, 페놀 수지로서 미렉스 XLC-LL(미쯔이 가가꾸(주)제 상품명, 수산기 당량 175g/eq, 흡수율 1.8％, 350℃에서의 가열 중량 감소율 4％) 45중량부, 실란 커플링제로서 Z-6044(도레이ㆍ다우코닝(주)제 상품명, 3-글리시독시프로필메틸 메톡시실란) 0.3중량부, 실리카 충전제로서 S0-C2(애드마파인(주)제 상품명, 비중 2.2g/cm3, 모스 경도 7, 평균 입경 0.5㎛, 비표면적 6.0m2/g) 30중량부, 경화 촉진제로서 큐어졸 2PZ(시꼬꾸 가세이(주)제 상품명, 2-페닐이미다졸) 0.4중량부, 아크릴 수지로서 SG-P3(나가세 켐텍스(주)제 상품명, 중량 평균 분자량 85만, 유리 전이 온도 10℃) 275중량부를 유기 용제 중에서 교반하여, 접착제층 조성물을 얻었다. 이 접착제층 조성물을, 이형 처리한 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 필름 상에 도포 시공, 건조하여 막 두께 20㎛의 접착제층 (1)을 갖는 접착 필름을 제작하였다. 이 접착제층 (1)의 동적 점탄성 측정에 의한 경화 전 80℃에서의 손실 정접 tanδ(80ad)는 0.232, 접착제층 (1)의 80℃에서의 저장 탄성률 G'(80ad)는 0.343MPa이었다. 이들의 측정 방법은 후술한다.55 parts by weight of YDCN-703 (trade name, a cresol novolak type epoxy resin, epoxy equivalent weight: 210 g / eq, molecular weight: 1200, softening point: 80 占 폚) as an epoxy resin, Mirex XLC-LL 45 parts by weight of a silane coupling agent Z-6044 (trade name, manufactured by Dow Corning Toray Co., Ltd., trade name; manufactured by Dow Corning Toray Co., Ltd., trade name, hydroxyl equivalent 175 g / eq, absorption rate 1.8% 0.3 part by weight of glycidoxypropylmethylmethoxysilane as a silica filler, S0-C2 (trade name of Admpain Co., Ltd., specific gravity 2.2 g / cm 3 , Mohs hardness 7, average particle diameter 0.5 m, specific surface area 6.0 m 2 / g) 30 parts by weight of a curing accelerator 2PZ cured sol (upon kkokku Kasei Co., Ltd. trade name, 2-phenyl imidazole) 0.4 parts by weight, SG-P3 (manufactured by Nagase ChemteX Co., Ltd. as trade name of acrylic resin , Weight average molecular weight: 8,500, glass transition temperature: 10 占 폚) were stirred in an organic solvent to obtain an adhesive layer composition. This adhesive layer composition was coated and dried on a release-treated polyethylene terephthalate (PET) film to produce an adhesive film having an adhesive layer 1 having a thickness of 20 m. The loss tangent tan? (80ad) at 80 占 폚 before curing by the measurement of the dynamic viscoelasticity of the adhesive layer (1) was 0.232 and the storage elastic modulus G '(80ad) at 80 占 폚 of the adhesive layer (1) was 0.343 MPa. These measurement methods will be described later.

<접착제층 (2)>&Lt; Adhesive Layer (2) >

막 두께를 40㎛로 한 것 이외에는 접착제층 (1)과 마찬가지로 제작하였다. 이 접착제층 (2)의 동적 점탄성 측정에 의한 경화 전 80℃에서의 손실 정접 tanδ(80ad)는 0.232, 접착제층 (2)의 80℃에서의 저장 탄성률 G'(80ad)는 0.343MPa이었다.Except that the film thickness was changed to 40 占 퐉. The loss tangent tan? (80ad) at 80 占 폚 before curing by the measurement of the dynamic viscoelasticity of the adhesive layer (2) was 0.232 and the storage elastic modulus G '(80ad) at 80 占 폚 of the adhesive layer (2) was 0.343 MPa.

(점착 필름의 제작)(Production of adhesive film)

<점착 필름 (1)>&Lt; Adhesive film (1) >

부틸아크릴레이트 65중량부, 2-히드록시에틸 아크릴레이트 25중량부, 아크릴산 10중량부를 라디칼 중합시키고, 2-이소시아네이토에틸 메타크릴레이트를 적하 반응시켜 합성한 중량 평균 분자량 80만의 아크릴 공중합체에 경화제로서 폴리이소시아네이트 3중량부, 광 중합 개시제로서 1-히드록시-시클로헥실-페닐-케톤 1중량부를 첨가하여 혼합하고, 점착제층 조성물로 하였다.65 parts by weight of butyl acrylate, 25 parts by weight of 2-hydroxyethyl acrylate and 10 parts by weight of acrylic acid were subjected to radical polymerization and dropwise addition of 2-isocyanatoethyl methacrylate to obtain an acrylic copolymer having a weight average molecular weight of 800,000 3 parts by weight of a polyisocyanate as a curing agent and 1 part by weight of 1-hydroxy-cyclohexyl-phenyl-ketone as a photopolymerization initiator were added and mixed to obtain a pressure-sensitive adhesive layer composition.

제작한 점착제층 조성물을 건조막 두께가 10㎛로 되도록 도포 시공용 필름(실리콘 이형 처리된 PET 필름(데진: 휴피렉스 S-314, 두께 25㎛))에 도포 시공한 후, 120℃에서 3분간 건조한다. 이 후, 그 도포 시공용 필름에 도포 시공한 점착제층 조성물을, 기재 필름(12a)으로서의 두께 80㎛의 에틸렌-메타크릴산-(아크릴산 2-메틸-프로필) 3원 공중합체-Zn++-아이오노머 수지(미쯔이ㆍ듀퐁 폴리케미컬사제, 하이밀란 AM-7316) 필름 상에 전사시킴으로써 점착 필름 (1)을 제작하였다. 이 점착 필름 (1)의 동적 점탄성 측정에 의한 80℃에서의 손실 정접 tanδ(80film)은 0.098이었다.The applied pressure-sensitive adhesive layer composition was applied to a coating film (silicone-modified PET film (Degene: Hufirax S-314, thickness 25 m)) so that the dry film thickness became 10 占 퐉, Dry. Thereafter, the pressure-sensitive adhesive layer composition applied on the film for application was applied to an ethylene-methacrylic acid- (2-methyl-propyl acrylate) copolymer-Zn ++ -ionomer having a thickness of 80 占 퐉 as the base film 12a Sensitive adhesive film 1 was transferred onto a resin (Hi-Milan AM-7316, manufactured by Mitsui DuPont Polychemical Co., Ltd.) film to prepare an adhesive film (1). The loss tangent tan? (80film) at 80 占 폚 measured by dynamic viscoelasticity measurement of the pressure-sensitive adhesive film (1) was 0.098.

<점착 필름 (2)>&Lt; Adhesive film (2) >

수지 필름 두께(점착 필름의 두께)를 100㎛로 한 것 이외에는 점착 필름 (1)과 마찬가지로 제작하였다. 이 점착 필름 (2)의 동적 점탄성 측정에 의한 80℃에서의 손실 정접 tanδ(80film)은 0.098이었다.Except that the thickness of the resin film (thickness of the pressure-sensitive adhesive film) was changed to 100 탆. The loss tangent tan? (80film) at 80 占 폚 measured by dynamic viscoelasticity measurement of the pressure-sensitive adhesive film (2) was 0.098.

<점착 필름 (3)>&Lt; Adhesive film (3) >

기재 필름(12a)에 사용한 수지를 PP:HSBR=80:20의 엘라스토머(폴리프로필렌(PP)은, 닛본 폴리켐 가부시끼가이샤제의 노바텍 FG4를 사용하고, 수소 첨가 스티렌 부타디엔(HSBR)은 JSR 가부시끼가이샤제의 다이나론 1320P를 사용하였음), 수지 필름 두께를 70㎛로 한 것 이외에는 점착 필름 (1)과 마찬가지로 제작하였다. 이 점착 필름 (3)의 동적 점탄성 측정에 의한 80℃에서의 손실 정접 tanδ(80film)은 0.068이었다.The resin used for the base film 12a was an elastomer of PP: HSBR = 80: 20 (Novartec FG4 manufactured by Nippon Polychem Co., Ltd., polypropylene (PP) was used, and hydrogenated styrene butadiene (HSBR) (Dynalon 1320P manufactured by Kabushiki Kaisha) was used as the adhesive film 1, and the resin film thickness was changed to 70 탆. The loss tangent tan? (80film) at 80 占 폚 measured by the dynamic viscoelasticity measurement of the adhesive film 3 was 0.068.

<점착 필름 (4)>&Lt; Adhesive film (4) >

수지 필름 두께를 100㎛로 한 것 이외에는 점착 필름 (3)과 마찬가지로 제작하였다. 이 점착 필름 (4)의 동적 점탄성 측정에 의한 80℃에서의 손실 정접 tanδ(80film)은 0.068이었다.Except that the thickness of the resin film was changed to 100 탆. The loss tangent tan? (80film) at 80 占 폚 measured by dynamic viscoelasticity measurement of the adhesive film 4 was 0.068.

(접착제층 (1), (2)의 손실 정접과 저장 탄성률)(Loss tangent and storage elastic modulus of the adhesive layers (1) and (2)

세퍼레이터 필름(PET)에 접착제층 (1)을 20㎛ 도포 시공한 것을 2개 준비하고, 접착제층 (1)끼리 접합하고, 세퍼레이터 필름을 박리한 후, 또한, 세퍼레이터 필름에 접착제층 (1) 20㎛를 도포 시공한 것을 접착제층 (1)끼리 접합하는 공정을 반복하여 1mm의 두께가 될 때까지 적층하고, 8mmΦ로 펀칭하여 접착제층 (1)의 샘플로 하였다.Two adhesive layer 1 were applied to the separator film (PET) in an amount of 20 占 퐉, and the adhesive layers 1 were bonded to each other. The separator film was peeled off and then the adhesive layer 1 The adhesive layer 1 was laminated until the thickness of the adhesive layer 1 was 1 mm, and the adhesive layer 1 was punched out with a thickness of 8 mm.

동적 점탄성 측정 장치 ARES(레올로지카제)를 사용하여 경화 전의 접착제층 (1)의 샘플에 대하여, 샘플 두께 1mm, 플레이트 직경 8mmΦ, 주파수 1Hz의 전단 조건에서 실온으로부터 200℃까지 승온 속도 10℃/분의 조건에서 승온하였을 때의 80℃에서의 손실 정접 tanδ(80ad)와 저장 탄성률 G'(80ad)를 측정하였다.Using a dynamic viscoelasticity measuring device ARES (Rheology Company), a sample of the adhesive layer (1) before curing was heated from room temperature to 200 占 폚 at a heating rate of 10 占 폚 / min under a shear condition of a sample thickness of 1 mm, a plate diameter of 8 mm? , The loss tangent tan? (80ad) and the storage modulus G '(80ad) at 80 占 폚 were measured.

접착제층 (2)의 손실 정접 tanδ(80ad)와 저장 탄성률 G'(80ad)도, 접착제층 (1)과 마찬가지로 측정하였다.The loss tangent tan? (80ad) and the storage elastic modulus G '(80ad) of the adhesive layer 2 were also measured in the same manner as in the case of the adhesive layer (1).

(점착 필름 (1) 내지 (4)의 손실 정접)(Loss tangent of the pressure-sensitive adhesive films (1) to (4)

동적 점탄성 측정 장치 RSAIII(TA 인스트루먼트제)을 사용하여 샘플 폭 5mm, 척간 거리 20mm, 주파수 10Hz의 인장 조건에서 -10℃로부터 150℃까지 승온 속도 10℃/분의 조건에서 승온하였을 때의 80℃에서의 손실 정접을 측정하였다.The temperature was raised from -10 DEG C to 150 DEG C under a tensile condition of a sample width of 5 mm, a chuck distance of 20 mm and a frequency of 10 Hz at a temperature raising rate of 10 DEG C / min using a dynamic viscoelasticity measuring apparatus RSAIII (manufactured by TA Instruments) Were measured.

실시예 1Example 1 실시예 2Example 2 실시예 3Example 3 실시예 4Example 4 실시예 5Example 5 비교예 1Comparative Example 1 비교예 2Comparative Example 2 비교예 3Comparative Example 3 접착제층Adhesive layer (1)(One) (1)(One) (1)(One) (1)(One) (2)(2) (2)(2) (2)(2) (2)(2) 점착필름Adhesive film (1)(One) (2)(2) (3)(3) (4)(4) (1)(One) (2)(2) (3)(3) (4)(4) A값A value 0.05020.0502 0.04680.0468 0.07190.0719 0.05910.0591 0.03730.0373 0.03540.0354 0.04810.0481 0.04200.0420 불량률(%)Defect ratio (%) 00 00 00 00 1One 1313 2222 3434

표 1에, 상기 각 실시예 1 내지 5 및 각 비교예 1 내지 3에 대하여 행한 특성 평가를 나타낸다.Table 1 shows the evaluation of the characteristics of each of Examples 1 to 5 and Comparative Examples 1 to 3 described above.

(다이싱 다이 본드 시트의 제작과 특성 평가)(Fabrication of dicing die-bonding sheet and evaluation of properties)

실시예 1 내지 5 및 비교예 1 내지 3의 각 웨이퍼 가공용 테이프의 접착제층을, 두께 100㎛의 실리콘 웨이퍼(반도체 웨이퍼(1))의 이면에 부착하고(도 2 참조), 7.5mm×7.5mm로 다이싱한 후, 메탈 할라이드 램프를 사용하여, 200mJ/cm2의 자외선을 조사하였다. 그 후, 각 샘플에 대하여, 픽업 장치(캐논 머시너리제 CAP-300II)를 사용하여, 100 칩에 대하여 픽업을 시행하고, 그 중, 픽업 성공 칩수를 세었다. 그때, 복수개의 칩이 동시에 픽업되는 경우는 픽업 실패로 간주하였다.The adhesive layers of the respective wafer processing tapes of Examples 1 to 5 and Comparative Examples 1 to 3 were attached to the back surface of a silicon wafer (semiconductor wafer 1) having a thickness of 100 占 퐉 (see Fig. 2) , And then irradiated with ultraviolet rays of 200 mJ / cm 2 using a metal halide lamp. Thereafter, each sample was picked up with respect to 100 chips by using a pickup device (CAP-300II manufactured by Canon Machinery Co.), and the number of chips picked up successively was counted. At that time, when a plurality of chips were picked up at the same time, it was regarded as a pickup failure.

실시예 1 내지 4에서는, 복수개의 칩이 동시에 픽업되는 픽업 불량률이「0」이며, 인접 칩이 함께 들어 올려지는 더블다이 에러가 저감되고 있는 것을 표 1로부터 알 수 있다.In Examples 1 to 4, it can be seen from Table 1 that the pick-up failure rate at which a plurality of chips are simultaneously picked up is &quot; 0 &quot;, and the double die error in which adjacent chips are lifted together is reduced.

실시예 5에서는, 픽업 불량률이「1」이며, 인접 칩이 함께 들어 올려지는 더블다이 에러가 저감되고 있는 것을 알 수 있다.In Example 5, it is understood that the pick-up failure rate is "1", and the double die error in which adjacent chips are lifted together is reduced.

이에 반해, 비교예 1, 2, 3에서는, 픽업 불량률이 각각「13」,「22」,「34」로 높고, 인접 칩이 함께 들어 올려지는 더블다이 에러가 발생하고 있는 것을 알 수 있다.On the other hand, in Comparative Examples 1, 2 and 3, the pick-up failure rate is as high as "13", "22" and "34" respectively, and a double die error occurs in which adjacent chips are lifted together.

본 실시 형태에 관한 웨이퍼 가공용 테이프(10)에 따르면, 상기한 수학식 1로 나타내어지는 값 A가 0.0468 이상 0.0719 이하이고, 접착제층의 두께가 5㎛ 내지 20㎛이므로, 접착제층(13)이 다이싱 블레이드(21)에 의해 압입되는 힘을 받을 때에 접착제층(13)이 변형(탄성 변형)되기 어려워져, 접착제층(13)의 반도체 칩(2)으로부터의 비어져 나옴이 적어진다. 이에 의해, 접착제층(13)이 재융착되지 않는다. 따라서, 픽업 공정에서 인접 칩이 함께 들어 올려지는 더블다이 에러의 발생을 억제할 수 있다.According to the wafer processing tape 10 of the present embodiment, since the value A expressed by the above-mentioned formula (1) is 0.0468 or more and 0.0719 or less and the thickness of the adhesive layer is 5 占 퐉 to 20 占 퐉, The adhesive layer 13 is less likely to be deformed (elastically deformed) when subjected to a force which is press-fitted by the singing blade 21, and the adhesive layer 13 is less likely to come out from the semiconductor chip 2. [ Thereby, the adhesive layer 13 is not re-fused. Therefore, it is possible to suppress occurrence of a double die error in which adjacent chips are lifted together in the pickup process.

1: 반도체 웨이퍼
2: 반도체 칩(반도체 소자)
10: 웨이퍼 가공용 테이프
12: 점착 필름
12a: 기재 필름
12b: 점착제층
13: 접착제층1: semiconductor wafer
2: Semiconductor chip (semiconductor device)
10: Wafer processing tape
12: Adhesive film
12a: base film
12b: pressure-sensitive adhesive layer
13: Adhesive layer

Claims (1)

기재 필름과 상기 기재 필름 상에 형성된 점착제층으로 이루어지는 점착 필름과, 상기 점착제층 상에 형성된 접착제층을 갖는 웨이퍼 가공용 테이프이며,
상기 접착제층의 두께를 t(ad)[㎛], 상기 접착제층의 80℃에서의 저장 탄성률을 G'(80ad)[MPa], 상기 접착제층의 80℃에서의 tanδ를 tanδ(80ad)로 하고, 상기 점착 필름의 두께를 t(film)[㎛], 상기 점착 필름의 80℃에서의 tanδ를 tanδ(80film)으로 하였을 때에 하기 수학식 1로 나타내어지는 값 A가 0.0468 이상 0.0719이하이고, 접착제층의 두께가 5㎛ 내지 20㎛인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 가공용 테이프.
<수학식 1>
Figure 112016114859694-pat00004
A tape for wafer processing having an adhesive film comprising a base film and a pressure-sensitive adhesive layer formed on the base film, and an adhesive layer formed on the pressure-
The adhesive layer has a thickness t (ad) [占 퐉], the adhesive layer has a storage elastic modulus at 80 占 폚 G '(80 ad) [MPa], and the adhesive layer has a tan? , The value A expressed by the following formula (1) is 0.0468 or more and 0.0719 or less when the thickness of the adhesive film is t (film) [mu m] and the tan delta of the adhesive film at 80 DEG C is tan (80film) Wherein the thickness of the wafer is 5 占 퐉 to 20 占 퐉.
&Quot; (1) &quot;
Figure 112016114859694-pat00004
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