JP6285021B2 - 低電磁干渉配線を有するダイパッケージ - Google Patents

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    • H01L2224/85438Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
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Description

本発明は、電磁干渉を低減し、ダイに接続する新規のリード線構造に関する。本発明の実施により、リード線間のクロストーク、パッケージの内側または外側での電磁放出によって生じるノイズへの感受性が低減される。
さらに、本発明は1以上のダイに接続する誘電体被覆されたリード線を接続するために形成された新規のマルチグランドプレーンに関する。
性能の低下につながる電磁干渉は、パッケージ型ダイ、特にギガヘルツ周波数で作動する入出力(IO)を有するダイにとって一般的な問題になってきている。多くの集積回路は望ましくない量のEMIを発生する。一般的に、集積回路によって生成されるノイズは、ダイと、パッケージを介したダイのピンへの接続に起因する。EMIが隣接する部品や集積回路に結合すると、EMIがそれらの個々の性能に干渉して、システム全体の性能に影響する可能性がある。EMIの悪影響のため、容認できる放射EMIのレベルが厳密な規制限度の対象となるため、集積回路から生成するEMIを阻止または抑制することが望ましい。
リード線の分離またはシールドでの絶縁といった解決策は、常に利用できたり十分であるわけではない。さらに、ICパッケージレベルでのEMIソリューションは、そのレベルでの主要事項が信号の伝送品質と機能性であるため、しばしば軽視される。パッケージレベルでのEMIソリューションは、「下流」またはアドオンソリューションの必要性の排除に役立つため、有効である。
従来技術の課題と欠点に鑑み、本発明の目的は、優れた信号の伝送品質と機能性を備えるコンパクトなダイパッケージを提供することであり、特に2以上のリード線を有するスタックドダイパッケージおよび/またはBGAパッケージを提供することである。
当業者には明らかであろう上記および他の目的は、EMI減衰のためのダイパッケージを対象とする本発明によって達成され、そのダイパッケージは、複数の接続パッドを有するダイと、複数の接続要素を支持するダイ基板と、第1の金属コア径を有する第1の金属コア、前記第1の金属コアを被覆する第1の誘電体厚を有する第1の誘電体層、および、前記第1の誘電体層を被覆する第1の外側金属層を有し、前記第1の外側金属層が第1のグランドプレーンに接続されている第1のリード線と、第2の金属コア径を有する第2の金属コア、前記第2の金属コアを被覆する第2の誘電体厚を有する第2の誘電体層、および、前記第2の誘電体層を被覆する第2の外側金属層を有し、前記第2の外側金属層が第2のグランドプレーンに接続されている第2のリード線とを備え、その結果、前記第1と第2のリード線は第1と第2のリード線の間のEMIおよびクロストークへの感受性を低減する。
さらに、第1のリード線は、第1のダイからダイ基板上の複数の接続要素のうち1つに延出してもよい、および/または、第2のリード線は、第2のダイからダイ基板上の複数の接続要素のうち1つに延出してもよい。第2のグランドプレーンは、第1のグランドプレーンに重ね合わせてあってもよいし、重ね合わせていなくてもよい。重ね合わせの場合、電気絶縁を維持する仲介層が、第1のグランドプレーンと第2のグランドプレーンとの間に配置されてもよい。
さらに、本発明に係るダイパッケージは、第1と第2のダイとを有するスタックドダイパッケージであってもよく、前記ダイそれぞれは複数の接続パッドを有し、第1のリード線は、前記第1のダイの前記複数の接続パッドのうち1つから、前記ダイ基板上の前記複数の接続要素のうち1つに延出するか、または、前記第2のダイの前記複数の接続パッドのうち1つに延出し、第2のリード線は、前記第2のダイの前記複数の接続パッドのうち1つから、前記ダイ基板上の前記複数の接続要素のうち1つに延出するか、または、前記第1のダイの前記複数の接続パッドのうち1つに延出する。
従属請求項は、本発明に係るダイパッケージに効果的な実施形態を対象とし、そこに開示されるそれぞれの特徴は、個別に追加されてもよいし、組み合わせて追加されてもよい。
新規であると思われる本発明の特徴および本発明に特徴的な要素は、添付の特許請求の範囲に具体的に規定されている。図面は例証のみを目的とし、縮尺通りに描かれているわけではない。しかし、本発明自体は、構成および動作方法の両方において、添付の図面と併せて以下の詳細な説明の参照により最もよく理解されるであろう。
外側の接地接続された金属被覆を有する誘電体被覆リード線を備えたファインピッチ低クロストークダイパッケージの図である。 外側の接地接続された金属被覆を有する低クロストークの重なり合う誘電体被覆リード線を示す図である。 スタックドダイパッケージで使用される低クロストークリード線を示す図である。 ダイからダイへの、またはパッケージからパッケージへの実施形態で使用される低クロストークリード線を示す図である。 外側の接地接続された金属被覆を有する誘電体被覆リード線の製造の方法ステップを示すブロック図である。 外側の接地接続された金属被覆を有する誘電体被覆リード線の製造のサブトラクティブ法を示す図である。 外側の接地接続された金属被覆を有する誘電体被覆リード線を備えたBGAパッケージを示す図である。 外側の接地接続された金属被覆を有する誘電体被覆リード線を備えたリードフレームパッケージの一部分を示す図である。 周波数に基づくクロストークレベルのSパラメータ測定を示す図である。 誘電体被覆と外側の接地接続された金属層を有するシングルリード線とディファレンシャルリード線に関連するEM場をそれぞれ示す図である。 重なり合っていても重なり合っていなくてもよい分離したグランドプレーンに接続された誘電体および金属を被覆したリード線を有する本発明に係るダイパッケージを示す図である。 2つのグランドプレーンを有する本発明に係るダイパッケージを示す図である。 2つのグランドプレーンがそれぞれRFグランドシールドとDC電力シールドを形成している別例の実施形態を示す図である。
本発明の好適な実施形態を説明するにあたり、図面のうち図1−図13を参照するが、同じ部品番号は本発明の同じ特徴を有している。
電磁シールドを有し、金属コアと接地接続可能な導電外側層の間に1以上の中間誘電体層を有するリード線が、パッケージの電気的性能を改善するために使用される。これは、異なる長さのリード線156を有する、基板154に取り付けられたダイ152を有するダイパッケージ150を図示した図1に描かれている。図から分かるように、基板154上の接続パッド158は、通常、プロセスを考慮してチップ側よりもスペーシングが大きくなっている。ダイパッドのスペーシングは、ワイヤボンド機で実現可能なピッチに応じて共通に規定される。基板側では、プリント回路基板(PCB)型プロセスのリソグラフィー上の再現性、および、半田、ピンまたは配線要素の配置精度によって規定される。実働上、ワイヤは、パッケージよりもチップにより接近して配置される。これは、ダイのサイズが小さくなるにつれて、特にダイ近傍において望ましくない電磁場結合(クロストーク)が発生することを意味する。本明細書に記載されるように形成されたリード線は、パッケージ内の電磁干渉(EMI)を低減することに加えて、(パッケージの)外部のEMIの感受性を低減し、同様に、電磁放出も実質的に低減する。
図2に示すように、半導体ダイパッケージングシステム100は、リード線の構造によって低い電磁放出およびクロストークを有するリード線110、112および114を備える。基板102に実装されたダイ120は、ダイ120によって要求される信号、電力、または他の機能性のための多重接続パッド122を有する。基板102は、パッケージからの導電パスは、直接、または、導電リードフレーム、充填されたビア、導電トレース、二次レベル配線等によって提供する導電パッド104を含んでもよい。リード線110、112および114は、導電パッド104に接続され、また図示されるように、実質的に異なる長さを有していてもよい。図2に示すように、リード線は密集して配置され、交差または上下配置ができ(例えば、リード線110と112は交差して描かれている)、望ましくない多くの電磁結合の可能性を有している。
図2に示された実施形態において、リード線110、112および114は内側コアと外側金属層を有している。例えば、リード線110、112および114はその長さに沿って規定の直径の金属コアを有し、その金属コアは薄い誘電体層と導電性金属層で逐次被覆される。同じサイズで付加的な誘電体および金属被覆がない裸リード線と比べて、リード線110、112および114は、放出される放射がより少なく、(パッケージの)外部のEMIへの感受性がより少なく、クロストークがより生じにくい。特定の実施形態において開示されるようなリード線構成の優れた電気的特性により、実質的な長さが異なるが同じコア径を有するリード線は、裸ワイヤと比べて実質的に同じノイズ低減を有することができる。測定されたノイズ低減は、誘電体と、誘電体を被覆する金属層(複数)を持たない裸リード線に比べて、5dBを超えて30dBに及ぶほど大きいことがわかる。特定の実施形態において、EMIへの耐性はリード線の長さ方向の範囲にわたり有効であり、2つのリード線は同じ断面構造とインピーダンスを持つことができるが、一方のリード線は、同じEMI特性を持ちながらも他方のリード線の長さの10倍である。
不必要なクロストークにつながる電磁場は、横並びのリード線だけで発生するわけではなく、スタック状の構成で互いに隣接しているリード線でも発生することがある。これは、図3に示すスタックドダイで現実化し、図3は、本明細書で説明するような誘電体層と導電金属層を被覆したリード線ではなく、裸ワイヤが使用された場合に、横並びまたは上下配置のリード線から容認できないクロストークが生じる例示的なリード線164a−dおよび166a−dを有するダイ162a−dを備えるスタックドダイパッケージ160を示している。同様に図4は、ダイからダイへ接続されるリード線174と、ダイから基板へ接されるリード線176を有するダイスタック170および172を示す。低減されたクロストークを有する別々に実装されたパッケージングシステム180、182内のダイからダイへ直接接続されるリード線178があってもよい。
半導体ダイパッケージングに使用される誘電体被覆リード線は、異なる誘電体厚を有するように形成することができる。コア径と誘電体厚の両方を変えることができる。特定の実施形態において、被覆誘電体の組成も変えることができる。これは、例えば、優れた蒸気バリア、酸素分解耐性等を有する高性能誘電体が、低コストの誘電体材料の厚い層の上に薄く被着することを可能にする。図示される実施形態の別の態様において、リード線110、112および114(図2および3参照)は、内側コアと外側金属層にわたり異なる誘電体厚を有し、それが別個に異なるインピーダンスを提供する。例えば、リード線110はその長さに沿って規定の直径の金属コアを有してもよく、金属コアは薄い誘電体層と導電金属層で逐次被覆される。そのようなリード線110は、結果として得られる低インピーダンスと低静電容量が電力低下を減らすため、電力の伝送に適している。代替的に、リード線112は信号データの伝送に適したより厚い誘電体層を有し、一方で、リード線114は中間の厚さの誘電体層を有している。特定の実施形態において、開示されるリード線構造の優れた電気的特性により、実質的に長さが異なるが同じコア径を有するリード線が、50%以上異なる長さを持つにも拘らず、目標インピーダンスの10%以内での実質的に同じインピーダンスを持つことが可能である。例えば、リード線11は、長さがリード線110の2倍であるにも拘わらず、リード線110とほぼ同じインピーダンスを有することが可能である。特定の実施形態において、リード線の差がさらに大きい場合もあり、2つのリード線は同じ断面構造とインピーダンスとを有しているが、一方のリード線の長さは他方のリード線の長さの10倍である。
一般に、薄い誘電体層は電力線用途に有効な低インピーダンスを提供し、厚い誘電体層は一般に信号の伝送品質のために有効であり、リード線上の外側金属層は効果的には同じ接地に接続される。コア径と誘電体厚の組み合わせが可能であり、一連のそのようなステップが別々のインピーダンスを有するリード線を実現するために行われてもよい。特定の実施形態において、電力処理能力を増加させ、電力線温度を下げ、および/または、接地電位の変動または電力低下を悪化させることになる電源および接地線へのインダクタンスをさらに減少させるために、電力線に大径のコアを備えることが望ましい。
3以上の異なる誘電体厚を有するリード線を備えることが多くのパッケージに効果的であるため、中間厚さの誘電体層も有用である。電力伝送を最大化するために、電源と、実質的に異なるインピーダンスの負荷を接続するために、中間の誘電体厚を有するリード線を使用することができる。例えば、10オームの電源が20オームのリード線で40オームの負荷に接続されてもよい。さらに、誘電体のコストが高くなることがあるため、重要な信号路は厚い誘電体を用いて配線されうるが、一方で、より重要度の低い状態またはリセットのリード線等は、電力リード線よりは厚いが重要な信号リード線よりは薄い(中間)厚さの誘電体層で被覆される。
各リード線の所望の特定インピーダンス値を達成するために、ワイヤボンド径と組み合わせて、誘電体被覆の厳密な厚さを選択することができる。
Figure 0006285021
同軸線の特性のインピーダンスが式(1)に表されており、式(1)において、Lはユニット長ごとのインダクタンスであり、Cはユニット長ごとの静電容量であり、aはボンドワイヤの直径であり、bは誘電体の外径であり、εγは同軸誘電体の比誘電率である。
図5に示されるように、一実施形態において、1以上のグランドプレーンを有する、または持たない外側の接地接続された金属被覆を備えた誘電体被覆リード線の製造は、ブロック図200に示された以下のステップを用いて進行できる。第1のステップ202において、接続パッドが、ダイおよび基板上で洗浄される。次に、ワイヤボンダを用いてダイが接続パッドに接続される(204)。任意で、第2の直径のワイヤ(例えば、電力接続に適した、より大径のワイヤ)が取り付けられてもよいし(206)、または、選択的な被覆を可能にするためにダイの領域がマスキングされるか、または、他の方法で保護されてもよい(ステップ208)。同一または異なる組成の誘電体の1以上の層が被覆されてもよく(ステップ210)、続いて、誘電体被覆ステップ210で被覆された接地接続へのアクセスを可能にするために、誘電体部分の選択的なレーザーまたはサーマルアブレーションまたは化学的除去が行われる(ステップ212)。いくつかの実施形態では接地ビアの必要性を排除することができるため、このステップは任意である。仮想RF接地が容量結合によって達成できるため、また、厚さ値(Erの関数)への周波数依存性が容量結合による接地確立を可能にするため、これは高周波数で稼動するダイに特に適する。次に、金属被覆が行われ(214)、リード線の最外金属被覆層を形成する金属層で誘電体を被覆し、リード線を接地接続する。このプロセス全体を多数回繰り返してもよく(ステップ216)、それは、選択可能な被覆技法を用いる実施形態に有効であり、また、多数のダイまたは複雑かつ異なるインピーダンスのリード線を用いる実施形態では特に有効である。最終ステップ(ステップ218)において、非キャビティパッケージに関しては、リード線を封止するためにオーバーモールドを使用することができる。封止されたリード線は、米国特許第6,770,822号明細書および米国特許出願公開第2012/0066894号明細書に記載された高周波数デバイスパッケージに使用可能なものであり、それらの開示を参照して用いてもよい。
特定の実施形態において、説明されたプロセスへの変更および追加が可能である。例えば、誘電体の共形被覆は、化学的(電気泳動)、機械的(表面張力)、触媒プライマー、電磁(UV、IR)、電子線、その他適切な技法によって達成することができる。電気泳動ポリマーは、それらがプロセスパラメータを調整することにより、および/または電気泳動塗布液に単純に添加剤、濃度、化学的、熱的またはタイミングの変更を施すことによって容易に厳密な厚さに被覆できる自己抑制反応に依存するため、特に有利である。
別の実施形態において、誘電体を予備被覆したボンドワイヤを用いてリード線を形成してもよい。市販の被覆ワイヤは、例えば50オームのリード線を製造するために必要な誘電体厚よりも典型的に薄いが、所望のインピーダンスを設定するために誘電体厚を増加させるために、上記に説明した誘電体被覆ステップを用いることができる。これらの予備被覆ワイヤの使用は、同軸リード線を形成するために必要な他のプロセスステップを単純化し、必要な蒸着誘電体のより薄い層と、接地ビアを形成するためのより迅速な処理時間を可能にする。予備被覆されたボンドワイヤは、空間が狭いまたは交差するリード線の短絡を防止するために使用することができる。特定の実施形態において、予備被覆ボンドワイヤは、選択的パターニング技法を可能にするために感光性材料で製造された誘電体を有していてもよい。
別の実施形態において、誘電性パリレンが使用することができる。パリレンは、水分バリアおよび誘電体バリアとして使用され、多様な化学蒸着ポリ(p−キシレン)ポリマーの商標名である。パリレンは、修正パリレン被覆システムを用いた成長抑制縮合反応で形成することができるものであり、該システムにおいて、ダイ、基板およびリード線は感光板に整列し、それがEM放射(IR、UVまたはその他)を厳密に衝突させ、選択的な誘電体の成長速度を提供する。これが、コンタクトビア形成、パリレンのバルク除去等のプロセスの必要性を効果的に低減または排除できる。
パリレンおよびその他の誘電体は、酸素、水蒸気および熱が存在する場合、酸素切断による分解を受けることが知られている。損傷は、真に密封性の界面を形成できる3−5ミクロン厚さの薄膜層で優れた蒸気酸素バリアを形成する金属層によって制限することができる。代替的に、電気的、熱的または製造上の要求により、金属が選択的に除去されている場合、または金属が特定領域に被覆していない場合、広範なポリマー系蒸気酸素バリアの使用が可能であり、中でもポリビニルアルコール(PVA)は広範に使用される1つのポリマーである。これらのポリマーは、グロブトッピング処理、スクリーン印刷処理、ステンシル処理、ガントリー分配処理、酸素または水蒸気環境に曝されるパリレン表面に噴霧処理されてもよい。有利には、蒸気バリアポリマーの使用は、使用しなければ高コストのパリレンまたは酸素感応物が必要とされるため、コスト削減戦略の一環となりうる。
理解されるように、説明した全ての方法ステップは、種々の選択可能な被覆技法の利点を享受する。選択可能な被覆は、物理的マスキング、指向性ポリマー蒸着、フォトレジスト法、または、被覆時に、金属コア、誘電体層または他の最外層において、異なる被覆厚さを保証する任意の他の適切な方法を用いてもよい。選択可能な被覆では、リード線の構築がアディティブ法で可能であるが、サブトラクティブ法も可能であり、サブトラクティブ法では、異なるインピーダンスの配線を形成するために誘電体または金属が除去される。例えば、1以上のダイが配置されたパッケージが、全パッケージとデバイスパッドの配線用に適宜ワイヤボンド接合されてもよい。ダイパッケージの製造に関するステップと構造を示す図6に関連して示されるように、誘電体被覆300はワイヤボンド金属導体302の上に所定の厚さに被覆することができる(ステップA)が、所定の厚さは二次配線インピーダンスに必要とされる誘電体の厚さである。二次インピーダンスのワイヤボンド誘電体は例えばエッチングステップによって除去される(ステップB)ことができ、続いて第2の被覆304被覆(ステップC)、それに続いて両配線の金属被覆306が行われる(ステップD)。このサブトラクティブプロセスにより、2つの独立したインピーダンスのワイヤボンドが作製される。
図7に示す実施形態は、多数の選択されたインピーダンスを有する誘電体と金属を被覆したリード線412、414を有するボールグリッドアレイ(BGA)パッケージ410を示す。BGAは、集積回路に広く使用されている表面実装パッケージングであり、BGAの底面全体が接続パッドに使用することができるため、一般に、デュアルインライン、リードフレームまたは他のフラットパッケージよりも多数の配線ピンを提供できる。多くの種類のBGAパッケージにおいて、ダイ416は接続パッドに接続された充填可能なビア420を有する基板418に取り付けられている。リード線412、414は頂部側ダイ416をパッド/ビア420に接続するために使用され、これにより基板418の頂部側から底部への電気接続を提供する。BGAパッケージでは、半田ボール422がパッケージの底部に取り付けられ、プリント回路基板または他の基板への半田付けまでは粘着質のフラックスで定位置に保持される。本明細書で説明するように、従来型BGAパッケージのワイヤボンドは、誘電体層と外側接地接続可能な金属層を有する改良されたリード線で置き換えることができる。リード線は、内側コアおよび外側金属層にわたり変化する誘電体厚を有することができ、誘電体層厚が部分的に相違、または、より良く適合するように選択された特定のインピーダンスを有するように選択的に最適化することができる。図7に示すように、長いリード線412および短いリード線414の両方がサポートされる。
より詳細には、改良されたBGAパッケージの組み立てにおいて、基板のビアに隣接しビアの周りに形成された接続パッドを支持する基板に対して、ダイの表面を上にした取り付けを要する場合がある。この組み立ては、各々必要な配線向けに適宜ワイヤボンド接合され、ワイヤボンドは基板上の接続パッドとダイ上の接続パッドの間に形成される。低周波数および電力入力は低周波数信号リード線に接続されるが、高周波数入力と出力は高周波数信号リード線に接続される。いくつかの実施形態において、低周波数および電力入力のリード線は、高周波数信号リード線とは異なる厚さを持ちうる。そして、組立品は、基本的に共形の誘電体材料で被覆される。低コスト、真空蒸着の容易さ、および、優れた性能特性のために、パリレンが使用される。リードフレーム取付位置付近の誘電体層の一部分は、接地接続点または接地シールド層への電気的な接続を行うためにエッチング、熱劣化、レーザーアブレーションによって選択的に除去される。同様に、接地接続を可能にするために、誘電体層の一部分が、ダイ接続パッド付近で除去される。誘電体層上への金属被覆層の施工に続いて、構造上の接地接続がなされ、接地シールドを形成する。好ましい金属層の厚さは、皮層深さとDC耐性の点を考慮して選択されるべきであり、銀、銅、または金等の優れた導電体から主に構成されるべきである。殆どのアプリケーションに対して、機能性の点では1ミクロンの被覆厚さで十分であるが、より厚い被覆は、リード線間のクロストークの低減に役立つ。これらの被覆は、リソグラフィーまたはその他のマスキング法と、めっきまたはその他の選択可能な被覆法の組み合わせにより、規定領域に施すことができる。パッケージは、ダイ上にオーバーモールドまたは蓋を配置し、次にダイシング(シンギュレーション)および検査を経て完成することができる。
別法として、図8に示した実施形態において、ダイからリードフレームへ延出するワイヤボンドを有するダイパッケージ440をベースとした低コストなリードフレームは、個々のパッケージサイトの二次元アレイと外側フレーム部分を有するリードフレームストリップを形成することによって製造することができる。リードフレーム加工は、従来型であり、別個のリード線のエッチング、打ち抜き加工または電着により形成することができる。リードフレームストリップは、射出成形またはトランスファー成形装置を含むが、これらに限定されないモールドに配置することができる。市販のエポキシモールドコンパウンド等の好ましくはプラスチック製の適切な誘電体材料が、リードフレーム/モールド材料複合体構造を達成するために、モールドに射出、圧送または移送される。モールド材料の特性は、それらの比誘電率、損失正接および電気的分散特性ならびにそれらの温度、湿度および他の機械的な性能属性が重要である。
結果として得られる複合リードフレームストリップの各パッケージサイトは、モールド離型剤および/またはバリを除去されて、リードフレームの露出した金属部分の上から金属仕上げの被覆用に準備される。これは、浸漬または電気めっき等のめっき技法によって達成することができるものであり、金属は、腐食抑制とワイヤボンド接合を容易にするために選択される。そのような仕上げの一例は、ニッケルの薄膜層(保護用)に続く金の層(付加的な保護とワイヤボンドの能力)である。次に、結果として得られる成形されたリードフレームストリップの各パッケージサイトには必要なダイが配置されて底部に取り付けられ、ダイ取り付け材料は、特定のパッケージング用途に対応する機械的および熱的特性によって選択される。次に、結果として得られた組立品は各必要な配線向けに適宜ワイヤボンド接合され、ワイヤボンドはリードフレーム上のリード線とダイ上の接続パッドの間に形成される。低周波数および電力入力は低周波数信号リード線に接続され、他方で、高周波数入力および出力は高周波数信号リード線に接続される。いくつかの実施形態において、低周波数および電力入力は、高周波数信号リード線とは異なる厚さであってもよい。
前述のBGAパッケージ410と同様に、配置後のリードフレームストリップは、パリレンを含む基本的に共形の誘電体材料で被覆される。パリレンの場合、最終的にPCBに取り付けられるリード線部分への被着を防止するために、アクリル系接着剤が付いた真空対応ポリイミド、または、同様の材料等のテープでパッケージの底部をマスキングすることが好ましい。これは、後続ステップにおいて、より容易な半田付けを可能にする。リードフレームの取り付け位置付近の誘電体の一部分は、接地接点または接地シールド層への電気的な接続を行うために、エッチング、熱的劣化またはレーザーアブレーションによって選択的に除去される。同様に、ダイ接続パッド付近の誘電体層の一部分が接地接続を可能にするために除去される。誘電体層の上からの金属被覆層の塗布に続いて、構造的な接地接続が施され、接地シールドを形成する。好ましい金属層の厚さは、DC耐性の点と皮層深さを考慮して選択されるべきであり、銀、銅または金等の優れた導電体から主に構成されるべきである。殆どの用途において、機能性の点では1ミクロンの被覆厚さが適切であるが、より厚い被覆は、リード線間のクロストークを低減するのに役立つ。これらの被覆は、リソグラフィーまたはその他のマスキング法と、めっきまたは他の選択可能な被覆法の組み合わせで、規定領域に加えることができる。パッケージは、ダイ上にオーバーモールドまたは蓋を配置し、次にダイシング(シンギュレーション)および検査を経て完成される。
例1−クロストーク性能
図9(A)は、裸ワイヤボンド502、30オームの同軸線504および50オームの同軸線506について、周波数の関数としてクロストーク特性を比較するグラフ500である。両同軸リード線は、シールドされていない配線に比べて約25dB改善したクロストーク/絶縁特性を示す。この点において、本発明によって作製された不整合な同軸リード線でさえも、シールドされない裸リード線よりも優れている。
図9(B)は、裸ワイヤボンド512、514および50オームの同軸リード線516、518の、時間ドメインにおける挙動の比較を描いたグラフ510である。図9(A)に描かれた周波数結果と合致して、ノイズ電圧は12倍も低減され(520)(クロストーク/絶縁)、セトリング時間応答は7倍向上する(522)(帯域幅の増加を可能にする)。
図10(A)−図10(D)は、誘電体被覆と外側が接地接続された金属層を有する場合と、持たない場合とについて、それぞれシングルリード線およびディファレンシャルリード線に関するEM場振幅の空間振幅プロットを示す。図10(A)は、シングルエンドボンドワイヤ602の振幅プロット600を示す。図示されるように、ボンドワイヤのy軸に沿った一点におけるEM場振幅が顕著である。図10(B)は、シングルエンドマイクロ同軸線612の振幅プロット610を示す。明らかなように、同軸線は、裸リード線に比べて実質的に電磁放出が低減されている。
これは、ノイズ耐性を改善するために裸リード線で一般に使用される技法であるディファレンシャルペア(622)に特に有効である(図10(C))。反対極性の信号で駆動される一対のリード線は、典型的にほぼ等しいノイズ環境にさらされる。これら2つの信号が差動的に一緒に印可されたとき、共通のノイズが打ち消される(620)。しかし、多数の対のリード線のファインピッチ配置で起こりうるように、ノイズ環境が等しくない場合、隣り合うノイズ源が、より遠い隣のディファレンシャル対よりも、最も近い隣のディファレンシャル対に大きな信号を誘導することがある。このように、シールドされたマイクロ同軸対は、ノイズが信号線に到達する前に大きく減衰されるため、ノイズに対する耐性がかなり大きい。図10()は、ディファレンシャルマイクロ同軸線632の空間振幅プロット630を示す。プロットは、ほぼ完全なシールド、つまり、極く少量の電磁放射の放出を示している。
図11(A)および図11(B)に示されるように、半導体ダイパッケージングシステム1100は、多数に分離または重なり合ったグランドプレーンを有するように形成される。リード線1110、1112および1114は、リード線構造とグランドプレーンへの接続のために、低い電磁放出およびクロストークを有するように製造される。ダイ基板1102に実装されたダイ1120は、ダイ1120に要求される信号、電力または他の機能性のための多重接続パッド1122を有する。ダイ基板は、パッケージからの導電パスを、直接、または、導電リードフレーム、充填されたビア、導電トレース、二次レベル配線等によって提供される導電パッド1104を有してもよい。リード線1110、1112および1114は導電パッド1104に接続され、また図示するように、実質的に異なる長さを有していてもよい。
図11(A)に示された実施形態において、リード線1110、1112は内側コアと、第1のグランドプレーン1130に接続された外側金属層を有している。対照的に、リード線1114は、内側コアと、第1のグランドプレーン1130とは分離しており、別個の第2のグランドプレーン1132に接続された外側金属層を有している。同様に、図11(B)は、グランドプレーン1134と1136が物理的に重なり合っていること以外は、パッケージ1100の設計と等しいパッケージ1101を示している。しかし、両グランドプレーンは、誘電体被覆1138(部分的に取り除かれて示されている)がグランド1134と1136を互いに絶縁するために使用されるため、電気的には独立している。理解されるように、リード線1110、1112および1114は、その長さ方向に規定の直径の金属コアを有し、その金属コアは誘電体層と導電性の金属層で逐次被覆される。
付加的な誘電体および金属被覆が無い同サイズの裸リード線と比べて、リード線1110、1112および1114は放射がより少なく、(パッケージの)外部のEMIの感受性がより少なく、クロストークがより生じにくい。特定の実施形態において、開示されたような構成のリード線の優れた電気的特性により、実質的な長さは異なるが同じコア径を有するリード線は、裸ワイヤに対して実質的に同じノイズ低減を得ることが可能である。測定されるノイズ低減は、誘電体および被覆金属層を持たない裸リード線に比べて、5dBを超えて30dBまで多くなる。特定の実施形態において、EMIへの耐性はリード線の長さ方向の範囲にわたり有効であり、2つのリード線は同じ断面構造とインピーダンスを持つことができるが、一方のリード線は、同じEMI特性を持ちながらも他方のリード線の長さの10倍である。
例2、例3、例4−クロストーク性能
例2−図12は、2つのグランドプレーン1200、1202を有する実施形態の一例を示し、両方とも、両リード線端部での接続を可能にするためにパッケージ基板1204からダイ1206に延出している。
例3−図13は、2つのグランドプレーンがそれぞれRFグランドシールド1300とDC電力グランドシールド1302とを形成する実施形態の一例を示す。
例4−別の実施形態において、多数インピーダンス配線は、上記のプロセスの変形例によって実現される。ダイを支持する基板が、全パッケージとデバイスパッドの配線用に、0.7ミリのワイヤで適宜ワイヤボンド接合されてもよい。得られるパッケージ組立品は、パリレンC誘電体の1.31ミクロンの被覆を受ける。パッケージ上の電力用接地接続、および、デバイス上の電力接地接続に対応するビアを空けるプロセスが実行される。電力配線とそれらに関連する接地に関係する領域にのみ金属を形成する第1の選択的金属被覆プロセスが実行される。この選択的金属被覆化は、物理的マスキング、リソグラフィーまたは他の選択的プロセスによって実現することができる。このようにして、完全な5オーム同軸配線が形成される。この場合、誘電体の第2の被覆が被着されて、合計26.34ミクロンの誘電体厚が実現される。信号線に求められる全接地に第2のビアプロセスが実行される。このステップは、必要であれば、電源接地への接続を有してもよい。50オーム線用の接地シールドを形成するために第2の金属被覆化が実行される。このようにして、電力と信号線とのグランドプレーンを別に切り離したオプションで、5オームと50オームの組み合わせの配線が実現される。
本発明特有の好ましい実施形態について詳しく説明してきたが、前述の説明を考慮すれば、多くの別例、変更例および変形例が考えられることは当業者には明白である。したがって、添付の特許請求の範囲は、そのような別例、変更例および変形例を本発明の範囲および適用範囲内にあるものとして包含すると想定される。
特に、本発明は、優れたEMI性能を有するスタックドダイパッケージを対象とし、そのダイパッケージは、各ダイがそれぞれ複数の接続パッドを備える第1と第2のダイと、複数の接続要素を支持するダイ基板と、第1のダイからダイ基板上の複数の接続要素のうち1つに延出する第1のリード線であって、第1の金属コア径を有する第1の金属コア、第1の金属コアを被覆する第1の誘電体厚を有する第1の誘電体層、および、接地接続された外側金属層を有する第1のリード線と、第2のダイからダイ基板上の複数の接続要素のうち1つに延出する第2のリード線であって、第2の金属コア径を有する第2の金属コア、第2の金属コアを被覆する第2の誘電体厚を有する第2の誘電体層、および、接地接続された外側金属層を有する第2のリード線とを備え、第1と第2のリード線間のEMIおよびクロストークの感受性が低減される。
上記のダイパッケージにおいて、第1のリード線が第2のリード線に重なっている。
上記のダイパッケージにおいて、第1のリード線が第2のリード線の上にある。
ダイ基板は、BGAパッケージの形成を可能にするために充填されたビアを有してもよい。
ダイ基板は、リードフレームパッケージを形成するためにリードフレームを有してもよい。
本発明は、ダイからダイへの接続と同様に、ダイから基板への接続を有する。
さらに、本発明は、複数の接続パッドを有するダイと、複数の接続要素を支持するダイ基板と、金属コアと、金属コアを被覆する誘電体層と、接地接続された外側金属層とをそれぞれが有する複数のリード線とを備え、金属コアを被覆する誘電体層と外側金属層とを持たないリード線に比べてクロストークノイズが5dB以上低減される優れたEMI性能を持つBGAパッケージを対象とする。
さらに、本発明は、クロストークが低減されたディファレンシャルペアと、クロストークが低減されたクロスオーバー型の長ループ面外リード線を有する。
さらに、本発明は、複数の接続パッドを有するダイと、複数の接続要素を支持するダイ基板と、第1のダイからダイ基板上の複数の接続要素のうち1つに延出する第1のリード線であって、第1の金属コア径を有する第1の金属コア、第1の金属コアを被覆する第1の誘電体厚を有する第1の誘電体層、および、外側金属層を有する第1のリード線と、第1のリード線の外側金属層に取り付けられた第1のグランドプレーンと、第2のダイからダイ基板上の複数の接続要素のうち1つに延出する第2のリード線であって、第2の金属コア径を有する第2の金属コア、第2の金属コアを被覆する第2の誘電体厚を有する第2の誘電体層を有する第2のリード線と、第2のリード線の外側金属層に取り付けられた第2のグランドプレーンと、を備えたダイパッケージを有する。
上記のダイパッケージにおいて、第2のグランドプレーンは、仲介誘電体層が第1と第2のグランドプレーン間の電気絶縁を維持しながら、第1のグランドプレーンに重なり合っていてもよい。
ダイパッケージは、BGAパッケージおよび/またはリードフレームパッケージの形態で構築されてもよい。

Claims (19)

  1. 複数の接続パッドを有するダイ(152;120;162a−d;170;416)と、
    複数の接続要素を支持するダイ基板(154;102;418)と、
    第1の金属コア径を持つ第1の金属コア、前記第1の金属コアを被覆する第1の誘電体厚を持つ第1の誘電体層、および、前記第1の誘電体層を被覆する第1の外側金属層を有し、前記第1の外側金属層が第1のグランドプレーンに接続されている第1のリード線(156;110;164a;166a;176;412)と、
    第2の金属コア径を持つ第2の金属コア、前記第2の金属コアを被覆する第2の誘電体厚を持つ第2の誘電体層、および、前記第2の誘電体層を被覆する第2の外側金属層を有し、前記第2の外側金属層が第2のグランドプレーンに接続されている第2のリード線(156;112;164b;166b;176;414)と、
    を備え、
    前記第1のリード線と前記第2のリード線との間のEMIおよびクロストークへの感受性が低減されるダイパッケージ(150;100;160;180;182;410;440;1100)において、
    前記第1のグランドプレーンと前記第2のグランドプレーンは、電気的には分離されているが、物理的にはオーバーラップしていることを特徴とするダイパッケージ。
  2. 前記第1のリード線(1110、1112)は、第1のダイから前記ダイ基板(1102)上の前記複数の接続要素のうちの1つに延出し、
    前記第2のリード線(1114)は、第2のダイから前記ダイ基板(1102)上の前記複数の接続要素のうちの1つに延出し、
    前記第1のグランドプレーン(1130、1136)は、前記第1の外側金属層に取り付けられ、
    前記第2のグランドプレーン(1132、1134)は、前記第2の外側金属層に取り付けられる請求項1に記載のダイパッケージ(1100)。
  3. 前記第2のグランドプレーン(1134)は、前記第1のグランドプレーン(1136)に重なり合っている請求項2に記載のダイパッケージ(1100)。
  4. 前記第1のグランドプレーンと前記第2のグランドプレーンとの間の電気絶縁を維持する仲介層(1138)を有する請求項3に記載のダイパッケージ(1100)。
  5. 複数の接続パッドを有するダイ(152;120;162a−d;170;416)と、
    複数の接続要素を支持するダイ基板(154;102;418)と、
    第1の金属コア径を持つ第1の金属コア、前記第1の金属コアを被覆する第1の誘電体厚を持つ第1の誘電体層、および、前記第1の誘電体層を被覆する第1の外側金属層を有し、前記第1の外側金属層が第1のグランドプレーンに接続されている第1のリード線(156;110;164a;166a;176;412)と、
    第2の金属コア径を持つ第2の金属コア、前記第2の金属コアを被覆する第2の誘電体厚を持つ第2の誘電体層、および、前記第2の誘電体層を被覆する第2の外側金属層を有し、前記第2の外側金属層が第2のグランドプレーンに接続されている第2のリード線(156;112;164b;166b;176;414)と、
    を備え、
    前記第1のリード線と前記第2のリード線との間のEMIおよびクロストークへの感受性が低減されるダイパッケージ(150;100;160;180;182;410;440;1100)において、
    前記第1のリード線(1110、1112)は、第1のダイから前記ダイ基板(1102)上の前記複数の接続要素のうちの1つに延出し、
    前記第2のリード線(1114)は、第2のダイから前記ダイ基板(1102)上の前記複数の接続要素のうちの1つに延出し、
    前記第1のグランドプレーン(1130、1136)は、前記第1の外側金属層に取り付けられ、
    前記第2のグランドプレーン(1132、1134)は、前記第2の外側金属層に取り付けられ、
    更に、前記第2のグランドプレーン(1134)は、前記第1のグランドプレーン(1136)に重なり合っていることを特徴とするダイパッケージ(1100)。
  6. 前記第1のグランドプレーンと前記第2のグランドプレーンとの間の電気絶縁を維持する仲介層(1138)を有する請求項5に記載のダイパッケージ(1100)。
  7. 前記ダイパッケージは、第1のダイと第2のダイとを有し、前記第1のダイと前記第2のダイは、それぞれ複数の接続パッドを有し、
    前記第1のリード線は、前記第1のダイから前記ダイ基板上の前記複数の接続要素のうちの1つに延出するか、または、前記第2のダイの前記複数の接続パッドのうちの1つに延出し、
    前記第2のリード線は、前記第2のダイから前記ダイ基板上の前記複数の接続要素のうちの1つに延出、または、前記第1のダイの前記複数の接続パッドのうちの1つに延出することを特徴とする請求項1からの何れか一項に記載のダイパッケージ。
  8. 前記ダイパッケージは、スタックドダイパッケージであることを特徴とする請求項に記載のダイパッケージ。
  9. 前記第1の金属コア径は、前記第2の金属コア径とは異なる、または、前記第1の金属コア径は、前記第2の金属コア径と同じである請求項1からのいずれか一項に記載のダイパッケージ。
  10. 前記第1の誘電体厚は、前記第2の誘電体厚とは異なる、または、前記第1の誘電体厚は、前記第2の誘電体厚と同じである請求項1からのいずれか一項に記載のダイパッケージ。
  11. 前記ダイ基板は、BGAパッケージの形成を可能にする充填されたビアを有する請求項1から10のいずれか一項に記載のダイパッケージ。
  12. 前記ダイ基板は、リードフレームパッケージを形成するリードフレームを有する請求項1から10のいずれか一項に記載のダイパッケージ。
  13. 前記第1のリード線は、前記第2のリード線に交差する、および/または、前記第2のリード線の上にある請求項1から12のいずれか一項に記載のダイパッケージ。
  14. 前記第1のリード線は、第1の長さと第1のインピーダンスとを有し、前記第2のリード線は、第2の長さと第2のインピーダンスとを有し、
    前記第1の長さは前記第2の長さとは異なり、および/または、前記第1のインピーダンスは前記第2のインピーダンスとは異なる請求項1から13のいずれか一項に記載のダイパッケージ。
  15. 前記第1の金属コアおよび/または前記第2の金属コアは、誘電体層と導電金属層とで逐次被覆される請求項1から14のいずれか一項に記載のダイパッケージ。
  16. 前記リード線は、ダイからダイへの接続および/またはダイから基板への接続のための電気的伝達を提供する請求項1から15のいずれか一項に記載のダイパッケージ。
  17. 複数の前記リード線は、少なくとも1つのディファレンシャルペアを有する請求項1から16のいずれか一項に記載のダイパッケージ。
  18. 複数の前記リード線は、クロストークが低減された、クロスオーバー型の長ループ面外リード線を有する請求項1から17のいずれか一項に記載のダイパッケージ。
  19. 請求項1から11及び請求項13から18のいずれか一項に記載のダイパッケージを有する優れたEMI性能のBGAパッケージであって、
    前記ダイパッケージは、複数のリード線を有し、それぞれの前記リード線は、金属コアと、前記金属コアを被覆する誘電体層と、接地接続された外側金属層とを有し、前記金属コアを被覆する外側金属層を持つ誘電体層がないリード線よりもクロストークノイズが少なくとも5dB低減されるBGAパッケージ。
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