JP6278039B2 - 選択還元型触媒の劣化診断装置 - Google Patents
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Description
ーン空燃比であるときに、混合気の空燃比をリーン空燃比から所定のリッチ空燃比へ変更することで、前段触媒において水性ガスシフト反応を誘発させる処理である誘発処理を実行し、且つ誘発処理の実行時におけるセンサ出力差に基づいてSCR触媒の劣化を診断する処理である診断処理を実行する、選択還元型触媒の劣化診断装置において、前段触媒のSパージ処理の実行に起因してSCR触媒が硫黄被毒している状態にあるときは、診断処理を行わないようにした。
触媒の硫黄被毒が発生する。一方、SCR触媒に吸着した硫黄成分は、SCR触媒の温度が脱離温度以上となる状態で該SCR触媒へ酸素が供給されているときに、SCR触媒から脱離する。
コントローラは、前段触媒のSパージ処理の実行時におけるSCR触媒の温度が低い場合は高い場合に比べ、前記積算時間計算値の1回あたりの更新量を大きくしてもよい。このような構成によれば、前段触媒のSパージ処理の実行時におけるSCR触媒の温度が低い場合は高い場合に比べ、積算時間計算値が脱離所要時間を超えるまでに要する時間が短くなる。その結果、前段触媒のSパージ処理の終了後において、該Sパージ処理に起因するSCR触媒の硫黄被毒が解消される時期をより正確に判定することができる。よって、前段触媒のSパージ処理の終了後において、該Sパージ処理に起因するSCR触媒の硫黄被毒が解消する前に診断処理が実行されたり、又は該Sパージ処理に起因するSCR触媒の硫黄被毒が解消された後も診断処理の実行が禁止されたりすることをより確実に抑制することができる。
先ず、本発明の第1の実施形態について、図1乃至図4に基づいて説明する。図1は、本発明を適用する内燃機関の排気系の概略構成を示す図である。図1に示す内燃機関1は、理論空燃比より高いリーン空燃比の混合気を燃焼して運転(希薄燃焼運転)することができる火花点火式の内燃機関(ガソリンエンジン)である。
コート層によって被覆されたハニカム構造体と、コート層に担持される貴金属(白金(Pt)、パラジウム(Pd)等)と、コート層に担持されるセリア(CeO2)等の助触媒と、コート層に担持されるNOX吸蔵材(アルカリ類、アルカリ土類等)と、を収容する。
、バックアップRAM等から構成される電子制御ユニットである。ECU6は、第一空燃比センサ7、第二空燃比センサ8、排気温度センサ9、アクセルポジションセンサ10、クランクポジションセンサ11、及びエアフローメータ12等の各種センサと電気的に接続されている。
領域」と称する)に属するときに、目標空燃比がリーン空燃比に設定されることで、内燃機関1が希薄燃焼運転されると、燃料消費量を少なく抑えることができる。
Aox=△A/F*α*Qinj・・・(1)
燃比を前記所定のリッチ空燃比にする処理である。
CR触媒50から脱離する酸素の量に起因する差に加え、第二触媒ケーシング5のSCR触媒50によって消費される水素の量に起因する差も生じることになる。なお、第二触媒ケーシング5のSCR触媒50に吸蔵されていた全ての酸素が脱離した後(図2中のt3以降)においても、第一触媒ケーシング4のNSR触媒40により水素が生成されて、その水素が第二触媒ケーシング5のSCR触媒50で消費されるため、第一空燃比センサ7の測定値Raf1と第二空燃比センサ8の測定値Raf2との間には十分な差が生じる。このような差は、誘発処理の終了時(図2中のt4)まで継続して発生する。
チャートである。図4の処理ルーチンは、予めECU6のROMに記憶されており、内燃機関1の運転期間中にECU6によって繰り返し実行される。
ら今回の実行時までの期間にかけて前記脱離条件が成立していたとみなすことができる。そこで、ECU6は、S205の処理へ進み、積算時間計算値Pdspを更新する。積算時間計算値Pdspは、前述したように、NSR触媒40のSパージ処理終了後において、前記脱離条件が成立した時間の積算値に相関する計算値である。よって、ECU6は、積算時間計算値の前回値に、本処理ルーチンの前回の実行時から今回の実行時までに要した時間(本処理ルーチンの実行周期)に相当する値を加算することで、積算時間計算値Pdspを更新する。ECU6は、該S205の処理を実行した後に、S206の処理へ進む。
応が発生しているとみなすことができる(前述した図2中のt2〜t4の反応発生期間)。よって、S104の処理において肯定判定された場合は、ECU6は、S105の処理へ進む。
/Fに反映されるようになる。その結果、総センサ出力差Σ△A/Fに基づいてSCR触媒50の劣化状態を正確に診断することが可能になる。
前記脱離条件が成立している状態において、単位時間あたりにSCR触媒50から脱離する硫黄成分の量(以下、「瞬時脱離量」と称する)は、SCR触媒50の温度Tscrに相関する。図5は、前記脱離条件が成立している場合における、SCR触媒50の温度Tscrと該SCR触媒50から流出する排気に含まれる硫黄成分(例えば、二酸化硫黄(SO2))の濃度(S濃度)との相関を示す図である。なお、図5中のグラフは、SCR触媒50の温度以外の条件が同一の下で、各温度におけるS濃度をプロットした結果の近似曲線である。また、図5中のT1は、前述の脱離温度Tdspに相当し、図5中のT4は、内燃機関1の運転期間中にSCR触媒50の温度Tscrが取り得る最大の温度を示す。図5に示すように、SCR触媒50の温度Tscrが図5中のT1〜T2の温度範囲(第1温度範囲)に属するときは、該第1温度範囲より高い第2温度範囲(図5中のT
2〜T3の温度範囲)に属するときに比べ、S濃度が大きくなる。また、SCR触媒50の温度Tscrが前記第2温度範囲より高い第3温度範囲(図5中のT3〜T4の温度範囲)に属するときは、前記第1温度範囲又は前記第2温度範囲に属するときに比べ、S濃度が大きくなる。
消される時期をより正確に判定することが可能になる。そのため、SCR触媒50が硫黄被毒している状態で誘発処理が実行されたときの総センサ出力差に基づいて診断処理が実行されることをより確実に抑制することができる。よって、SCR触媒50の硫黄被毒に起因する診断精度の低下をより確実に抑制することが可能になる。
前記脱離条件が成立している状態における瞬時脱離量は、前記脱離条件が成立している状態におけるSCR触媒50の温度Tscrに加え、NSR触媒40のパージ処理が実行された際のSCR触媒50の温度Tscrpにも相関する。例えば、図7に示すように、瞬時脱離量Amsは、NSR触媒40のパージ処理が実行された際のSCR触媒50の温度Tscrpが高い場合より低い場合の方が多くなる。そこで、前述した図5の相関の代わりに図7の相関に基づいて、積算時間計算値Pdspの1回あたりの更新量を変更してもよい。詳細には、ECU6は、前記脱離条件が成立している状態におけるSCR触媒50の温度Tscrに基づいて、積算時間計算値Pdspの1回あたりの更新量を変更することに加え、NSR触媒40のSパージ処理の実行時におけるSCR触媒50の温度Tscrpが低い場合は高い場合に比べ、積算時間計算値Pdspの1回あたりの更新量を大きくするようにしてもよい。このような方法によれば、NSR触媒40のパージ処理に起因するSCR触媒50の硫黄被毒が解消された時期をより正確に判定することができる。
次に、本発明の第2の実施形態について、図8乃至図9に基づいて説明する。ここでは、前述した第1の実施形態と異なる構成について説明し、同様の構成については説明を省略する。
瞬時脱離量相関値として、前記脱離条件が成立している状態において、単位時間あたりにSCR触媒50から脱離する硫黄成分の量(瞬時脱離量)Amsを用いる例について述べる。
なすことができる。言い換えると、前記S303の処理において肯定判定された場合は、脱離期間が所定期間を超えたとみなすことができる。そこで、ECU6は、S207の処理へ進み、禁止フラグをオフにする。続いて、ECU6は、S304の処理へ進み、総脱離量ΣAmsを0にリセットする。
前記脱離条件が成立している状態における瞬時脱離量Amsは、前述した図7に示したように、前記脱離条件が成立している状態におけるSCR触媒50の温度Tscrに加え、NSR触媒40のパージ処理が実行された際のSCR触媒50の温度Tscrpにも相関する。すなわち、瞬時脱離量Amsは、NSR触媒40のパージ処理が実行された際のSCR触媒50の温度Tscrpが高い場合より低い場合の方が多くなる。そこで、本変形例では、図5の相関の代わりに図7の相関を用いて、瞬時脱離量Amsを推定してもよい。すなわち、本変形例では、前述した図7の相関と図9の相関とに基づいて、瞬時脱離量Amsを推定してもよい。このような方法によれば、NSR触媒40のパージ処理に起因するSCR触媒50の硫黄被毒が解消された時期をより正確に判定することができる。
定脱離量Athreを補正する方法を用いてもよい。例えば、前記脱離条件が成立している状態において、SCR触媒50の温度Tscrが第2温度範囲に属しているときは脱離所定脱離量Athreを補正せず、且つSCR触媒50の温度Tscrが第1温度範囲、又は第3温度範囲に属しているときは、SCR触媒50の温度Tscrが第1温度範囲、又は第3温度範囲に属している時間が長くなるほど所定脱離量Athreが小さくなるように補正してもよい。その際、SCR触媒50の温度Tscrが第3温度範囲に属しているときは、SCR触媒50の温度Tscrが第1温度範囲に属しているときに比べ、所定脱離量Athreを小さくする際の補正量を大きくするものとする。また、NSR触媒40のSパージ処理が実行された際のSCR触媒50の温度Tscrが低い場合は高い場合に比べ、所定脱離量Athreが小さくなるように補正してもよい。これらの方法により所定脱離量Athreを補正する態様は、前記脱離期間が前記所定期間を超えるまでは診断処理の実行を禁止する、という技術的思想に実質的に含まれる。
なお、前述の第1乃至第2の実施形態では、第一触媒ケーシング4に収容されたNSR触媒40のSパージ処理が終了されてから、該Sパージ処理に起因するSCR触媒50の硫黄被毒が解消されるまでの期間において、診断処理の実行に加え、誘発処理の実行も禁止する例について述べたが、最終的に診断処理の実行が禁止されれば、それ以前の誘発処理等の処理が適宜実行されてもよい。
2 燃料噴射弁
3 排気管
4 第一触媒ケーシング
5 第二触媒ケーシング
6 ECU
7 第一空燃比センサ
8 第二空燃比センサ
9 排気温度センサ
40 NSR触媒(前段触媒)
50 SCR触媒
Claims (7)
- 希薄燃焼運転可能な内燃機関の排気通路に設けられ、混合気の空燃比が理論空燃比より低い所定のリッチ空燃比であるときに、その混合気が燃焼された際に生成される還元剤を利用して、水性ガスシフト反応を発生させる前段触媒と、
前記前段触媒より下流の排気通路に設けられ、排気の空燃比が理論空燃比より高いリーン空燃比であるときは排気中の酸素を吸蔵し、排気の空燃比が理論空燃比以下であるときは吸蔵していた酸素を脱離させる機能を有する選択還元型触媒と、
前記前段触媒と前記選択還元型触媒との間の排気通路に設けられ、前記選択還元型触媒へ流入する排気の空燃比に相関する物理量を測定する第一空燃比センサと、
前記選択還元型触媒より下流の排気通路に設けられ、前記選択還元型触媒から流出する排気の空燃比に相関する物理量を測定する第二空燃比センサと、
を備える排気浄化システムに適用される、選択還元型触媒の劣化診断装置であって、
前記劣化診断装置は、
混合気の空燃比がリーン空燃比であるときに、混合気の空燃比が前記所定のリッチ空燃比へ変更されるように内燃機関の運転状態を制御することにより、前記前段触媒において水性ガスシフト反応を誘発させる処理である誘発処理と、該誘発処理の実行により前記前段触媒で水性ガスシフト反応が発生している期間における前記第一空燃比センサの測定値と前記第二空燃比センサの測定値との差の積算値である総センサ出力差に基づいて、前記選択還元型触媒の劣化を診断する処理である診断処理と、を実行するコントローラを備え、
前記コントローラは、前記前段触媒の硫黄被毒を解消する処理であるSパージ処理が終了されてから、前記選択還元型触媒の温度が該選択還元型触媒から硫黄成分が脱離する温度である脱離温度以上となる状態で前記選択還元型触媒へ酸素が供給されると推定される期間である脱離期間が所定期間を超えるまでは、前記診断処理の実行を禁止することを特徴とする選択還元型触媒の劣化診断装置。 - 前記コントローラは、前記Sパージ処理の終了後において、前記選択還元型触媒の温度が該選択還元型触媒から硫黄成分が脱離する温度である脱離温度以上となる状態で前記選択還元型触媒へ酸素が供給されると推定される条件が成立する時間の積算値に相関する積算時間計算値を演算し、その積算時間計算値が脱離所要時間を超えたときに、前記脱離期間が前記所定期間を超えたと判定することを特徴とする請求項1に記載の選択還元型触媒の劣化診断装置。
- 前記脱離温度以上の温度領域には、第1温度範囲と、該第1温度範囲より高い第2温度範囲と、該第2温度範囲より高い第3温度範囲が含まれ、
前記コントローラは、前記脱離期間において、前記選択還元型触媒の温度が前記第1温度範囲、又は前記第3温度範囲に属しているときは、前記選択還元型触媒の温度が前記第2温度範囲に属しているときに比べ、前記積算時間計算値の1回あたりの更新量を大きくすることを特徴とする請求項2に記載の選択還元型触媒の劣化診断装置。 - 前記コントローラは、前記Sパージ処理の実行時における前記選択還元型触媒の温度が低い場合は高い場合に比べ、前記積算時間計算値の1回あたりの更新量を大きくすることを特徴とする請求項2又は3に記載の選択還元型触媒の劣化診断装置。
- 前記コントローラは、前記脱離期間において、前記選択還元型触媒へ供給される酸素量をパラメータとして、該選択還元型触媒から単位時間あたりに脱離する硫黄成分量に相関する物理量である瞬時脱離量相関値を演算し、その瞬時脱離量相関値の積算値が所定脱離量を超えたときに、前記脱離期間が前記所定期間を超えたと判定することを特徴とする請求項1に記載の選択還元型触媒の劣化診断装置。
- 前記脱離温度以上の温度領域には、第1温度範囲と、該第1温度範囲より高い第2温度範囲と、該第2温度範囲より高い第3温度範囲が含まれ、
前記コントローラは、前記脱離期間において、前記選択還元型触媒の温度が前記第1温度範囲、又は前記第3温度範囲に属しているときは、前記選択還元型触媒の温度が前記第2温度範囲に属しているときに比べ、前記瞬時脱離量相関値を大きくすることを特徴とする請求項5に記載の選択還元型触媒の劣化診断装置。 - 前記コントローラは、前記Sパージ処理の実行時における前記選択還元型触媒の温度が低い場合は高い場合に比べ、前記瞬時脱離量相関値を大きくすることを特徴とする請求項5又は6に記載の選択還元型触媒の劣化診断装置。
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