JP6271967B2 - 波長可変光源 - Google Patents

Description

本発明は、波長可変光源、それを用いたＯＣＴ（Ｏｐｔｉｃａｌ−Ｃｏｈｅｒｅｎｃｅ−Ｔｏｍｏｇｒａｐｈｙ）装置などに関する。特に、例えば、波長可変機構として、ＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｍｅｃｈａｎｉｃａｌ−ｓｙｓｔｅｍ）機構によって反射鏡を可動させ、発振波長を変化させることが可能な波長可変光源などに関する。

近年、医用画像診断の分野において、光干渉画像断層診断法（ＯＣＴ）と呼ばれる、近赤外線を用いた非侵襲・非接触の診断方法が研究されている。ＯＣＴでも、幾つかの手法が検討されているが、中でも周波数掃引光源を用いたＯＣＴ（Ｓｗｅｐｔ−Ｓｏｕｒｃｅ−Ｏｐｔｉｃａｌ−Ｃｏｈｅｒｅｎｃｅ−Ｔｏｍｏｇｒａｐｈｙ、以下ＳＳ−ＯＣＴ）が着目されている。ＳＳ−ＯＣＴ用の波長可変光源としては、広い波長可変幅、狭いスペクトル線幅、高速動作のものが必要であり、非特許文献１では次のものが開示されている。即ち、垂直共振面発光レーザ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ−Ｃａｖｉｔｙ−Ｓｕｒｆａｃｅ−Ｅｍｉｔｔｉｎｇ−Ｌａｓｅｒ、以下ＶＣＳＥＬ）の片側の反射鏡をＭＥＭＳ技術による静電アクチュエータで動かし、共振器長を変化させて発振波長を可変させる構成である。

上記非特許文献１で開示されている波長可変光源の静電アクチュエータによる可動部の構成を図５に示す。図５（Ａ）は上面図であり、図５（Ｂ）は図５（Ａ）のＤ―Ｄ’断面図である。波長可変光源は、図５に示す可動部とＶＣＳＥＬ基板（不図示）によって構成され、ＶＣＳＥＬ基板側の固定ミラー（不図示）と可動部側の可動鏡４０６との間隔を変化させる事で波長可変動作を行う。静電アクチュエータによる可動部はＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ−Ｏｎ−Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板４１４を用いて作製されている。４００はＳｉ基板、４０２はＳｉＯ_２層、４０４は梁の材料であるＳｉ層である。誘電体層である可動鏡４０６は、Ｓｉ層４０４で構成された梁４１２の上に形成されている。Ｓｉ基板４００と梁４１２に電圧を印加する事により、Ｓｉ基板４００と梁４１２の間のギャップ４１０を介して静電引力が働き、梁４１２がＳｉ基板４００側に引き寄せられるように撓み変形する。従って可動鏡４０６もＳｉ基板４００側に引き寄せられるため、不図示の固定ミラーとの間隔が変化し、ＶＣＳＥＬの発振波長が変化する。発振光はＳｉ基板４００に形成された光取り出し穴４０８より出射される。

［Ｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ Ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ Ｏｖｅｒ ５００ｋＨｚ ｏｆ Ｍｉｃｒｏｍｅｃｈａｎｉｃａｌｌｙ Ｔｕｎａｂｌｅ ＩｎＰ−Ｂａｓｅｄ ＶＣＳＥＬｓ Ｗｉｔｈ Ｓｉ−ＭＥＭＳ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ］ ＩＥＥＥ ＪＯＵＮＡＬ ＯＦ ＳＥＬＥＣＴＥＤ ＴＯＰＩＣＳ ＩＮ ＱＵＡＮＴＩＵＭ ＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳ，ＶＯＬ１５，ＮＯ．３，ＭＡＹ／ＪＵＮＥ ２００９

しかしながら、上記構成の可動部の駆動電圧は、９１Ｖから１５１Ｖと高い駆動電圧が必要である。上記非特許文献１では、可動部をＳＯＩで構成しており、絶縁層として絶縁耐圧の高いＳｉＯ_２（ＳｉＯ_２層４０２）を用いているため、駆動電圧に高い電圧を用いる事が出来る。しかし、可動部をＶＣＳＥＬ基板と一体的に構成する場合には、絶縁層としては基板と整合性の高い化合物半導体（例えばＧａＡｓなど）を使用するのが一般的であるが、これは、絶縁耐圧がＳｉＯ_２と比較すると一桁程度落ちる。そのため、駆動電圧を高くする事が出来ない。

駆動電圧を低下させるには梁を長くしたり、梁材料としてヤング率の低いものを使うなどしたりして梁の剛性を弱める手法が一般的であるが、梁の剛性を弱めると共振周波数が低下してしまうということがある。本発明は、上記課題に鑑み、動作速度を低下させず且つ駆動電圧の低電圧化などが可能な波長可変光源、それを用いた装置を提供する事を目的とする。

本発明の波長可変光源は、少なくとも一方が可動反射部である一対の反射部と、前記一対の反射部の間に設けられた活性層と、前記可動反射部がその一部に形成され、支持部で支持されている梁と、を有する。前記梁は、前記支持部と前記可動反射部との間に、前記梁の延伸方向と交差する方向に突出する羽根部を有し、前記梁と前記羽根部とを含む可動部の前記延伸方向における重心が、前記支持部から前記可動反射部までの前記延伸方向の長さの半分未満の位置にある。

本発明によれば、梁に作用する静電引力などの駆動力を増加させることができるので駆動電圧などの注入エネルギの増加を抑制できる構成を容易に実現することができる。また、羽根部による質量の増加は梁の支持部側になる事、および羽根部による梁の剛性の増加により、動作速度の低下を防ぐ事が出来る構成を容易に実現することができる。

本発明の波長可変光源の一実施形態の構成を示す図。 本発明の実施例である波長可変光源の可動部分の構成を示す図。 本発明の実施例である波長可変光源の構成を示す断面図。 本発明の光源を用いた光干渉断層撮像装置の例を示す模式図。 従来の波長可変光源の可動部を示す図。

本発明は次のような特徴を有する。少なくとも一方が可動反射部である一対の反射部と、前記一対の反射部の間に設けられた活性層と、前記可動反射部がその一部に形成され、支持部で支持されている梁と、を有する。前記梁は、前記支持部と前記可動反射部との間に、前記梁の延伸方向と交差する方向に突出する羽根部を有している。例えば、支持部とは離間している羽根部は梁と同一材料で一体的に形成されていて、固定電極等の駆動力付与部から駆動力を受けて梁が動いて可動反射部の位置が変化する。勿論、羽根部を別体で形成して、梁に交差させて取り付ける構造とすることもできる。この場合、例えば、駆動力付与部から駆動力を受ける部分を、羽根部と梁との両者とするが、羽根部のみとすることもできる。羽根部の形状は、直線状、コの字状など種々の形状であり得る。また、羽根部の部分の重心を、支持部から延びた梁の延伸方向長さの半分未満の位置にすることもできる。

以下に本発明による波長可変光源の一実施形態について説明する。図１は波長可変光源の一実施形態の構成を示す図であり、図１（Ａ）は上面図であり、図１（Ｂ）は図１（Ａ）のＢ―Ｂ’断面図である。本実施形態は、例えば半導体多層膜からなるＤＢＲ（Ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ−Ｂｒａｇｇ−Ｒｅｆｌｅｃｔｏｒ）である固定ミラー層（固定反射部）１２４を有するＶＣＳＥＬ基板１２８と、該基板１２８上に構成された可動部１３０を備える。例えばTiO_２／SiO_２などの誘電体多層膜ＤＢＲである可動鏡（可動反射部）１０６と羽根部１１４とを有する梁１１２が、固定電極１２２上部にギャップ１１０だけ離れた状態で固定部１２０に支持されて、可動部１３０を構成している。可動部１３０は、梁部１１２および羽根部１１４が可動電極として機能しても良いし、羽根部１１４のみが可動電極として機能しても良い。梁１１２は弾性を有する材料からなり、可動反射部から支持部に向かって延伸して支持部で支持されている。羽根部は、支持部から延びる梁の延伸方向長さの半分未満の位置で梁の延伸方向と交差する方向に突出している。可動電極（梁）１１２は絶縁層１０２により固定電極１２２から電気的に分離されている。羽根部１１４は支持部１２０とは離間している。また、羽根部１１４は梁１１２と接続部１１６において繋がっている。本実施形態では、梁１１２と可動電極（羽根部）１１４と接続部１１６は同一材料で一体的に形成されている。

以上の様に、本実施形態の波長可変光源は、駆動力付与部である固定電極１２２とこれに対向して設けられた可動電極を備える可動部１３０とを有するアクチュエータを備える。そして、可動部に設けられた可動反射部である可動鏡１０６、固定反射部である固定ミラー層１２４、可動反射部と前記固定反射部との間に設けられた光発生部を有する。本実施形態では、光発生部は固定電極１２２で示す領域の中に半導体層などで構成されている。光発生部で発生される電磁波の波長は、可動反射部の位置を変化させて変化させることができる。そして、梁の延伸方向における可動部１３０の重心が、支持部から（より正確には支持部の可動鏡１０６側の縁から）延びる梁の延伸方向の長さの半分未満の位置にある。

次に図１の可変波長光源の動作について説明する。ＶＣＳＥＬ基板１２８の、固定ミラー層１２４より可動鏡１０６寄りに形成されている光発生部である活性層（不図示）を励起する事により光を発生させる。励起手段は、光励起や電流注入による励起方法などを用いる事が出来る。発生した光は固定ミラー層１２４と可動鏡１０６によって構成される共振器中で増幅され、レーザ光１２６として出射される。波長可変動作について説明する。レーザ光１２６の波長は、固定ミラー層１２４と可動鏡１０６とで形成される共振器長によって決定され、固定ミラー層１２４と可動鏡１０６との間隔を変える事で波長を変える事が出来る。固定電極１２２と梁１１２及び羽根部１１４との間に電位差を与える事により、静電引力によって梁１１２がＺ方向に変位し、可動鏡１０６と固定ミラー層１２４との距離が変化し、レーザ光１２６の波長が変化する。

与える電位差をＶ、羽根部１１４の面積をＳ１、梁１１２の面積をＳ２とし、梁１１２及び可動電極（羽根部）１１４に作用する静電引力をＦとすると、次の式（１）が成り立つ。
Ｆ∝（Ｓ１＋Ｓ２）Ｖ^２ （１）
式（１）より分かるように、梁１１２のみのときに比べ、羽根部の面積（Ｓ２）分、静電引力が増加する。一方、羽根部１１４が梁１１２に付加されている事で、梁１１２は剛性が増加して曲がりにくくなるが、羽根部１１４を支持部１２０から図中Ｘ方向に分離しておく事で可動部１３０の剛性の増加は抑制される。そのため、静電引力の増加の効果の方が優り、駆動電圧の低電圧化（注入エネルギの増加の抑制）が達成できる。

また、可動部１３０の重心の位置が梁１１２の先端になるべく近くなるように羽根部１１４を設けたほうが、モーメントが大きくなるため、低電圧化には有利である。しかしながら、可動部１３０の重心が梁１１２の先端近傍になる様に羽根部１１４を設けると、先端部の質量が増加する。先端部は最も変位が大きい所であり、ここの質量の増加は可動部１３０の共振周波数の大幅な低下をもたらす。しかし、可動部１３０の延伸方向の重心が、支持部１２０から延びる梁の長さＬの半分未満の位置にくるように構成すると、質量増加の位置が変位の小さい所となる。そのため、周波数の低下を抑える事が出来ると共に梁の剛性が若干増加するため、可動部の変位の速度を落とすことなく駆動電圧の低電圧化を達成出来る。ここにおいて、羽根部１１４は可動鏡１０６より充分に重いので、結果的には、梁の延伸方向における可動部１３０の重心位置が、支持部１２０から梁長さＬの半分未満の位置になる。

可動部１３０の重心位置をほぼ梁長さＬの半分未満の位置にする理由を説明する。構造の性能を表す指標として（ｆ＊Ｔ＊√２）／（ｆ^２＋Ｔ^２）^１／２を定義する。ここで、ｆは可動部の周波数、Ｔは可動部の可動反射部の変位量である。本発明者の考察によれば、上記構造の可動部１３０の重心位置が支持部１２０から梁長さＬの約２５％〜６５％にあるときに、追加電極（可動電極１１４）が無い構造と比べて、この指標は大きくなって性能が高くなる。周波数に重きをおくと、支持部１２０から梁長さＬの約２５％〜４０％の所が好ましいことが分かった。こうした結果を総合的に勘案すると、可動部１３０の重心位置をほぼ梁長さＬの半分未満の位置にすることが機能的に好ましく、支持部１２０から、梁長さＬの約２５％以上４０％以下の位置にすることが特に好ましい。

図１では羽根部１１４が梁１１２に繋がる接続部１１６の梁の延伸方向の長さは可動電極（羽根部）１１４の梁の延伸方向の長さと同じであるが、例えば、接続部を短くしても良い。また、接続部１１６の梁の延伸方向の重心位置と可動電極（羽根部）１１４の梁の延伸方向の重心位置は一致させなくても良い。可動部１３０はＶＣＳＥＬ基板と一体的に形成しても良いし、別体で作製して接合してもよい。すなわち、後者の場合、波長可変光源を、固定反射部と光発生部を含むＶＣＳＥＬ基板と可動部を含む可動構造基板を接合して形成し、ＶＣＳＥＬ基板と可動構造基板をＡｕ−Ａｕ接合で接合する構成（後述の実施例を参照）などであってもよい。また、固定ミラー層１２４、又は可動鏡１０６、又はその両方は、半導体や誘電体のＤＢＲを用いてもよい。或いは、例えばＨｉｇｈ−Ｃｏｎｔｒａｓｔ−Ｇｒａｔｉｎｇ（以下ＨＣＧと略す）などを用いてもよい。特に、可動鏡にＨＣＧを用いると軽量ですむため、高速化に有利である。さらに、可動鏡を駆動する方法は、静電力の他に電磁力を用いてもよい。例えば、羽根部と梁を磁性体で構成し、固定側の駆動力付与部を、磁性体とコイルを含む電磁石で構成してもよい。

（実施例１）
以下、本発明の実施例１を説明する。本実施例においては可動部をＳＯＩ基板で形成し、ＶＣＳＥＬ基板と接合して波長可変光源を形成している。図３に本実施例による波長可変光源の断面図を示す。図３中、３０９はＶＣＳＥＬ基板であり、活性層３０３、ＤＢＲ固定ミラー層３０５を有する。３１２は可動構造基板であり、低抵抗Ｓｉ基板２００、ＳｉＯ_２層２０２、低抵抗Ｓｉ層２０４から構成されたＳＯＩ基板を用いて作製した。低抵抗Ｓｉ基板２００にはレーザ光３１４の取り出し穴２０８が形成されている。また、ＳｉＯ_２層２０２を選択的にエッチングすることで低抵抗Ｓｉ層２０４と低抵抗Ｓｉ基板２００の間にギャップ２１０を形成している。低抵抗Ｓｉ層２０４上には、誘電体ＤＢＲによって可動鏡２０６が形成してある。ＶＣＳＥＬ基板３０９と可動構造基板３１２は不図示の接合部によって接合されている。本実施例では、接合方法として次の方法を採用している。即ち、ＶＣＳＥＬ基板３０９側および可動構造基板３１２側のそれぞれに所望の高さの絶縁層および密着層としてＴｉ（厚さ５ｎｍ）を有するＡｕ薄膜（厚さ１００ｎｍ）を形成し、真空中で温度３００℃、圧力５ＭＰａの条件で接合している。

次に可動構造基板３１２の詳細について図２を用いて説明する。この両持ち梁的な構造は、図１の如き片持ち梁の構造が可動鏡の周りに等角度間隔で配置されていると考えることができる。図２（Ａ）、（Ｂ）は、それぞれ可動構造基板の上面図及びＡ−Ａ’断面図である。低抵抗Ｓｉ層２０４をパターニングする事で梁２１２及び羽根部２１４を形成してある。２２２は固定電極であり、本実施例においては低抵抗Ｓｉ基板２００がその役目を兼ねている。支持部２２０は低抵抗Ｓｉ層２０４及びＳｉＯ_２層２０２のエッチングされていない部分から構成されており、梁２１２を支持している。可動電極２１４は、図２（Ａ）に示すように、接続部２１６の梁の延伸方向の重心位置が支持部２２０から梁長さＬの半分未満の位置になるように梁２１２に接続されている。上述した様に、結果的には、梁の延伸方向における可動部１３０の重心位置が支持部２２０から梁長さＬの半分未満の位置になる。可動鏡２０６はTiO_２とSiO_２を積層し、総計３μｍ厚さになるように構成されている。

低抵抗Ｓｉ基板２００と低抵抗Ｓｉ層２０４に電圧を印加する事により、梁２１２および羽根部２１４の固定電極２２２とギャップ２１０を挟んで対向する部分に静電引力が作用する。これにより、梁２１２が低抵抗Ｓｉ基板２００側に撓む様に変形し、可動鏡２０６が低抵抗Ｓｉ基板２００側に引き寄せられる。本実施例において用いたＳＯＩは、低抵抗Ｓｉ基板（厚３００μｍ）、ＳｉＯ_２層（厚２μｍ）、低抵抗Ｓｉ層（厚２μｍ）の基板を用いている。また、梁長さＬ＝２００μｍ、光取り出し穴２０８の直径１００μｍとし、可動電極２１４と梁２１２の接続部２１６の梁の延伸方向の重心位置を支持部２２０より７０μｍ、即ち、梁長さＬの３５％の位置とした。また、比較対象として可動電極２１４を設けない以外は本実施例と同じ構造のものを作製し、構造の共振周波数及び電圧と変位量を測定した。結果を表１に示す。

表１
共振周波数 ２２５ｎｍ変位時の電圧
本実施例 ７８ｋＨｚ ２０Ｖ
比較対象 ６６ｋＨｚ ２５Ｖ

表１に示すように、可動鏡２０６を２２５ｎｍ変位させるのに必要な電圧は、比較対象が２５Ｖであったのに対し、本実施例では２０Ｖと、２０％の低電圧化を確認した。また、共振周波数も比較対象の６６ｋHzに比べ、７８ｋHzと、若干の向上が見られた。以上説明したように、本実施例によれば、支持部から分離して、接続部の梁延伸方向の重心位置が支持部から梁長さの半分未満の位置になるように可動電極を梁に設ける事により、動作速度を低下させずに駆動電圧を低下させる事が出来る。

（実施例２）
実施例２では、本発明の光源を用いた光干渉断層撮像装置の例を説明する。図４は本実施例のＯＣＴ装置の模式図である。図４のＯＣＴ装置は、基本的に、次の要素で構成されている。光源部（１５０１等）、光源部からの出射光を検体に照射して検体からの反射光を伝達させる検体測定部（１５０７等）。出射光を参照ミラーに照射して参照ミラーからの反射光を伝達させる参照部（１５０２等）。２つの反射光を干渉させる干渉部（１５０３）。干渉部により得られた干渉光を検出する光検出部（１５０９等）。光検出部で検出された光に基づいて画像処理を行う（本実施例では、断層像を得る）画像処理部（１５１１）。

以下、各構成要素を説明する。光源部は、波長可変光源１５０１と該波長可変光源を制御する光源制御部１５１２を有して構成され、波長可変光源１５０１は、光照射用の光ファイバ１５１０を介して、干渉部を構成するファイバカップラ１５０３に接続されている。干渉部のファイバカップラ１５０３は、波長可変光源１５０１の波長帯域でシングルモードのもので構成し、各種ファイバカップラは３ｄＢカップラで構成されている。反射ミラー１５０４は、参照光光路用ファイバ１５０２に接続されて参照部を構成し、ファイバ１５０２は、ファイバカップラ１５０３に接続されている。

検査光光路用ファイバ１５０５、照射光集光光学系１５０６、照射位置走査用ミラー１５０７により測定部が構成され、検査光光路用ファイバ１５０５は、ファイバカップラ１５０３に接続されている。ファイバカップラ１５０３では、検査物体（検体）１５１４の内部及び表面から発生した後方散乱光と参照部からの戻り光とが干渉して干渉光となる。光検出部は、受光用ファイバ１５０８とフォトディテクタ１５０９で構成され、ファイバカップラ１５０３で生ずる干渉光がフォトディテクタ１５０９に導かれる。フォトディテクタ１５０９で受光された光は信号処理装置１５１１にてスペクトル信号に変換され、さらにフーリエ変換を施すことで検査物体の奥行き情報を取得する。取得された奥行き情報は画像出力モニター１５１３に断層画像として表示される。

ここで、信号処理装置１５１１は、パーソナルコンピュータ等で構成することができ、画像出力モニター１５１３は、パーソナルコンピュータの表示画面等で構成できる。本実施例で特徴的であるのは光源部であり、波長可変光源１５０１は光源制御装置１５１２によりその発振波長や強度及びその時間変化が制御される。光源制御装置１５１２は、照射位置走査用ミラー１５０７の駆動信号等をも制御する信号処理装置１５１１に接続され、走査用ミラー１５０７の駆動と同期して波長可変光源１５０１が制御される。例えば、実施例１で説明した光源装置を本実施例の波長可変光源１５０１として用いると、この光源装置は広帯域を高速で波長掃引が可能であるため、奥行き分解能が高解像な断層画像情報を高速に取得可能である。このＯＣＴ装置は、眼科、歯科、皮膚科等における断層画像撮影に有用である。

１０６：可動鏡（可動反射部）、１１２：梁、１１４：羽根部、１２０：支持部、１２２：固定電極（駆動力付与部）、１２４：固定ミラー層（固定反射部）、１３０：可動部、３０３：活性層（光発生部）

Claims (17)

1. 波長可変光源であって、
   少なくとも一方が可動反射部である一対の反射部と、
   前記一対の反射部の間に設けられた活性層と、
   前記可動反射部がその一部に形成され、支持部で支持されている梁と、を有し、
   前記梁は、前記支持部と前記可動反射部との間に、前記梁の延伸方向と交差する方向に突出する羽根部を有し、
   前記梁と前記羽根部とを含む可動部の前記延伸方向における重心が、前記支持部から前記可動反射部までの前記延伸方向の長さの半分未満の位置にあることを特徴とする波長可変光源。
2. 前記羽根部は、前記梁の変位方向と交差する面の面内方向に、駆動力が作用する面を有することを特徴とする請求項１に記載の波長可変光源。
3. 前記羽根部は、前記梁の変位方向と交差する面内の面積が、前記梁の延伸方向と交差する面内の面積よりも大きいことを特徴とする請求項１または２に記載の波長可変光源。
4. 前記重心が、前記支持部から前記可動反射部までの前記延伸方向の長さの２５％以上４０％以下の位置にあることを特徴とする請求項１から３の何れか１項に記載の波長可変光源。
5. 前記羽根部は前記支持部とは離間して配置されていることを特徴とする請求項１から４の何れか１項に記載の波長可変光源。
6. 前記梁と対向して設けられた固定電極を有し、少なくとも前記羽根部が可動電極であり、前記固定電極と前記可動電極は、前記固定電極と前記可動電極との間に静電力が付与されるように構成されていることを特徴とする請求項１から５の何れか１項に記載の波長可変光源。
7. 前記羽根部と前記梁は前記可動電極であることを特徴とする請求項６に記載の波長可変光源。
8. 前記羽根部は、同一材料で前記梁と一体に形成されていることを特徴とする請求項１から７の何れか１項に記載の波長可変光源。
9. 前記羽根部は、前記梁とは別体であることを特徴とする請求項１から７の何れか１項に記載の波長可変光源。
10. 前記羽根部は、前記支持部から前記可動反射部までの前記延伸方向の長さの半分未満の位置にあることを特徴とする請求項１から９の何れか１項に記載の波長可変光源。
11. 前記梁と前記羽根部の接続部が、前記羽根部の前記延伸方向の長さより短いことを特徴とする請求項１から１０の何れか１項に記載の波長可変光源。
12. 前記接続部の前記延伸方向の重心位置が、前記羽根部の前記延伸方向の重心位置と一致しないことを特徴とする請求項１１に記載の波長可変光源。
13. 前記活性層が半導体を有することを特徴とする請求項１から１２の何れか１項に記載の波長可変光源。
14. 前記一対の反射部の少なくとも一方がＤｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄ−Ｂｒａｇｇ−Ｒｅｆｌｅｃｔｏｒを有することを特徴とする請求項１から１３の何れか１項に記載の波長可変光源。
15. 前記一対の反射部の少なくとも一方がＨｉｇｈ−Ｃｏｎｔｒａｓｔ−Ｇｒａｔｉｎｇを有することを特徴とする請求項１から１３の何れか１項に記載の波長可変光源。
16. 前記羽根部の前記面は、前記梁を挟んで前記延伸方向の両側に一対あることを特徴とする請求項２に記載の波長可変光源。
17. 請求項１から１６の何れか１項に記載の波長可変光源と、前記波長可変光源からの光を検体に照射して検体からの光を伝達させる検体測定部と、前記波長可変光源からの光を参照ミラーに照射して参照ミラーからの光を伝達させる参照部と、前記２つの光を干渉させる干渉部と、前記干渉部により得られた干渉光を検出する光検出部と、前記光検出部で検出された干渉光に基づいて画像処理を行う画像処理部と、を有することを特徴とするＯＣＴ装置。