JP6269438B2 - レーザ式分析装置 - Google Patents
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Description
さらに、式(3)の右辺におけるQ(T)、B(T)、SE(T)は、それぞれ下記式(4)、(5)、(6)のように表すことができる。
レーザ式ガス分析装置201は、光源部(半導体レーザモジュール)210と、レーザ光受光部20と、光源部210を制御するレーザ制御部250と、マイコンやPCで構成される制御部260とを備える。
このような光源部210の構成において、半導体レーザ10aで発振されたレーザ光は、ビームスプリッタ10cで2方向へ分割される。ビームスプリッタ10cで分割されたレーザ光が進行する2方向のうちの1方向のレーザ光は、入射用光学窓71からサンプル流路70内にX方向で入射され、測定対象ガスSに対して照射されるようになっている。一方、ビームスプリッタ10cで分割されたレーザ光が進行する2方向のうちの残りのもう1つの方向のレーザ光の光強度値(パワーモニタ信号)は、パワーモニタ10bにより所定サンプリング間隔(例えば1MHz、0.001ミリ秒間隔)で検知されるようになっている。
また、基準線I0(t)を作成するために、光源部(半導体レーザモジュール)210内のパワーモニタ10bで検知されたパワーモニタ信号を、A/Dコンバータ82を介してそのまま用いる方法や、参照ガスを通過するような参照光路を設けて受光信号を用いる方法等があるが、パワーモニタ10bや参照光路を設けたとしても、多々ある非線形素子等が原因となって歪や信号のなまりが発生し、得られたパワーモニタ信号や受光信号を基準信号(基準強度値I0)として用いるのは難しいことがあった。つまり、回路やレーザ光を受光するフォトダイオード等の多くが非線形素子で構成されているため、実際に得られるパワーモニタ信号や受光信号から基準線I0(t)を解析して作成することは困難であった。
さらに、「特定成分」とは、測定者等によって決められる任意の成分であり、例えば水蒸気や二酸化炭素や一酸化炭素等である。
また、上記の発明では、前記光源部は、前記検知部としてパワーモニタを有するようにしてもよい。
本発明のレーザ式分析装置によれば、出射強度値Pの変化量の値が大きい場合には、回路や各素子等の非線形な特徴が大きく現れるため、基準線I0(t)を作成するには適していないことから、出射強度値Pの2階微分値P’’の絶対値が所定閾値以上となる部分については、基準強度値作成マップ[MAP(P’,P)=I0]に反映させないようにしている。なお、出射強度値Pの2階微分値P’’の絶対値が所定閾値以上となる部分は計測には使われないため、無視しても問題ない。
図1は、本発明に係る第一実施形態のレーザ式ガス分析装置の一例を示す概略構成図である。なお、上述した従来のレーザ式ガス分析装置201と同様のものについては、同じ符号を付している。
レーザ式ガス分析装置1は、光源部(半導体レーザモジュール)10と、レーザ光受光部20と、光源部10を制御するレーザ制御部50と、マイコンやPCで構成される制御部60とを備える。
また、レーザ制御部50は、「基準強度値作成マップ[MAP(P’,P)=I0]を作成する入力信号」が入力された際には、種々の傾き及び高さを有する駆動電流値の波形となるレーザ制御信号をD/Aコンバータ80によってデジタル値に変換し、光源部10の半導体レーザ10aに印加する制御を行う。このレーザ制御信号は、実際に計測時に出力されると考えられる駆動電流値の波形を網羅するようになっていることが好ましい。
ここで、図3(a)は、出射強度値変化P(t)の一例を示すグラフであり、図3(b)は、図3(a)に示す出射強度値Pの1階微分値変化P’(t)のグラフであり、図3(c)は、図3(a)に示す出射強度値Pの2階微分値変化P’’(t)のグラフである。
その結果、出射強度値Pが「120」と検知され、その1階微分値P’が「0.06」であるときに、受光強度値Iが「139」と検知されると、その値を基準強度値作成マップ[MAP(P’,P)=I0]中に記録する。また、出射強度値Pが「130」と検知され、その1階微分値P’が「0.06」であるときに、受光強度値Iが「148」と検知されると、その値を基準強度値作成マップ[MAP(P’,P)=I0]中に記録する。このようにして順次基準強度値作成マップ[MAP(P’,P)=I0]中に記録していく。
例えば、レーザ制御部50によって、図12(a)に示すような所定の傾き及び高さを有する駆動電流値の波形となるレーザ制御信号が半導体レーザ10aに印加されたときに、第一サンプリング時間に検知された出射強度値Pが「120」であり、その1階微分値P’が「0.06」であれば、第一サンプリング時間における基準強度値I0は、基準強度値作成マップ[MAP(P’,P)=I0]から「139」となる。また、第二サンプリング時間に検知された出射強度値Pが「130」であり、その1階微分値P’が「0.06」であれば、第二サンプリング時間における基準強度値I0は、基準強度値作成マップ[MAP(P’,P)=I0]から「148」となる。このように各サンプリング時間における基準強度値I0を求めいくことで、基準強度値変化I0(t)を作成する。
その後、演算部61aは、作成した基準強度値変化I0(t)と、レーザ光受光部20で検知された受光強度値変化I(t)とを式(1)、(2)に当てはめて数密度cを得る制御を行う。
図7は、本発明に係る第二実施形態のレーザ式ガス分析装置の一例を示す概略構成図である。なお、上述したレーザ式ガス分析装置1と同様のものについては、同じ符号を付している。
レーザ式ガス分析装置101は、光源部(半導体レーザモジュール)110と、分割測定光と参照光とに分割する測定光分割部15と、レーザ光受光部20と、参照光受光部21と、水蒸気を含有しない標準ガス(参照ガス)が封入された参照ガスセル90と、光源部110を制御するレーザ制御部150と、マイコンやPCで構成される制御部160とを備える。
参照光受光部(検知部)21は、光強度を電気信号に変換できるものであればよく、例えばフォトダイオードが用いられる。そして、参照光受光部21は、測定光分割部15でZ方向に反射され、参照ガスセル90を通過したレーザ光(参照光)の強度Pを受光する。
また、レーザ制御部150は、「基準強度値作成マップ[MAP(P’,P)=I0]を作成する入力信号」が入力された際には、種々の傾き及び高さを有する駆動電流値の波形となるレーザ制御信号をD/Aコンバータによってデジタル値に変換し、光源部110の半導体レーザ10aに印加する制御を行う。
その結果、出射強度値Pが「120」と検知され、その1階微分値P’が「0.06」であるときに、受光強度値Iが「139」と検知されると、その値を基準強度値作成マップ[MAP(P’,P)=I0]中に記録する。また、出射強度値Pが「130」と検知され、その1階微分値P’が「0.06」であるときに、受光強度値Iが「148」と検知されると、その値を基準強度値作成マップ[MAP(P’,P)=I0]中に記録する。このようにして順次基準強度値作成マップ[MAP(P’,P)=I0]中に記録していく。
なお、第二実施形態のレーザ式ガス分析装置101では、周期間の所定時間において、図8(a)に示すように一定の駆動電流値を印加しているので、光路(光路長L)中のレンズ(入射用光学窓71や出射用光学窓72等)の汚れ等により、図8(b)に示すように、全体的に光量(光強度値I)が下がった場合に、計測開始時の周期間の光量(光強度値I)と比較することで減衰率を求めることができ、その減衰率によって、基準強度値作成マップ[MAP(P’,P)=I0]により求めた基準強度値I0を補正する。例えば、減衰率が「10%」と算出され、第一サンプリング時間に検知された出射強度値Pが「120」であり、その1階微分値P’が「0.06」であれば、第一サンプリング時間における基準強度値I0は、基準強度値作成マップ[MAP(P’,P)=I0]から「139」となり、さらに「125(=139×90%)」となる。また、第二サンプリング時間に検知された出射強度値Pが「130」であり、その1階微分値P’が「0.06」であれば、第二サンプリング時間における基準強度値I0は、基準強度値作成マップ[MAP(P’,P)=I0]から「148」となり、さらに「133(=148×90%)」となる。このように各サンプリング時間における基準強度値I0を求めいくことで、基準強度値変化I0(t)を作成する。
その後、演算部161aは、作成した基準強度値変化I0(t)と、レーザ光受光部20で検知された受光強度値変化I(t)とを式(1)、(2)に当てはめて数密度cを得る制御を行う。
(1)上述したレーザ式ガス分析装置1においては、「水蒸気量を計測する入力信号」が入力された際には、図12(a)に示すような所定の傾き及び高さを有する駆動電流値の波形となるレーザ制御信号を半導体レーザ10aに印加する構成としたが、計測中に駆動電流値の波形の傾きや高さ等を水分子の吸光度によって変動させるような構成としてもよい。このようなレーザ式ガス分析装置によれば、計測中に駆動電流値の波形の傾きや高さ等を水分子の吸光度によって変動させても、適切な基準線I0(t)を作成することができる。
10 光源部
10a 半導体レーザ(レーザ素子)
10b パワーモニタ(検知部)
20 レーザ光受光部
50 レーザ制御部
61a 演算部
61b 作成部
62 メモリ(記憶部)
Claims (5)
- 測定対象試料に測定光を照射するレーザ素子を有する光源部と、
前記レーザ素子へ印加する駆動電流値を所定周期の鋸歯形状で時間変化させることにより、所定波長範囲の測定光をレーザ素子から所定周期で発振させるレーザ制御部と、
前記測定対象試料中を通過した測定光の受光強度値Iを所定サンプリング間隔で検知する受光部と、
測定光の出射強度値Pを所定サンプリング間隔で検知する検知部と、
第n周期の所定波長範囲の測定光の受光強度値変化I(t)と、特定成分を含有しない測定対象試料中を通過したとされる第n周期の所定波長範囲の測定光の基準強度値変化I0(t)とに基づいて、特定成分量情報を算出する演算部とを備えるレーザ式分析装置であって、
出射強度値Pと出射強度値Pの時間に対する1階微分値P’との組合わせと、基準強度値I0との関係を示す基準強度値作成マップ[MAP(P’,P)=I0]を記憶する記憶部を備え、
前記演算部は、前記検知部で検知された出射強度値変化P(t)から出射強度値Pと1階微分値P’とを求め、出射強度値Pと1階微分値P’とを前記基準強度値作成マップ[MAP(P’,P)=I0]に当てはめることにより、基準強度値変化I0(t)を作成することを特徴とするレーザ式分析装置。 - 前記光源部は、前記検知部としてパワーモニタを有することを特徴とする請求項1に記載のレーザ式分析装置。
- 測定対象試料に照射する分割測定光と、前記特定成分を含有しない参照試料に照射する参照光とに分割する測定光分割部を備え、
前記検知部は、出射強度値Pとして前記参照試料中を通過した参照光の強度値を検知することを特徴とする請求項1に記載のレーザ式分析装置。 - 前記基準強度値作成マップ[MAP(P’,P)=I0]は、前記特定成分を含有しない測定対象試料を用いて作成されたものであることを特徴とする請求項1〜請求項3のいずれか1項に記載のレーザ式分析装置。
- 前記基準強度値作成マップ[MAP(P’,P)=I0]は、出射強度値Pの時間に対する2階微分値P’’の絶対値が所定閾値以下となる部分を用いて作成されたものであることを特徴とする請求項4に記載のレーザ式分析装置。
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