JP6266324B2 - シンチレータパネルおよびその製造方法 - Google Patents
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Description
11 支持基板
13 シンチレータ層
Claims (5)
- 放射線を透過する支持基板と、
前記支持基板に接して外部から入射した放射線を光に変換するシンチレータ層と
を具備し、
前記シンチレータ層は、ハロゲン化物であるCsIにTlを賦活剤として含有する蛍光体であり、前記蛍光体中の前記賦活剤の濃度が1.6mass%±0.4mass%でかつ面内方向および膜厚方向の前記賦活剤の濃度分布が±15%以内である
ことを特徴とするシンチレータパネル。 - 前記シンチレータ層は、膜厚200nm以下の領域において、面内方向および膜厚方向の前記賦活剤の濃度分布が±15%以下である
ことを特徴とする請求項1記載のシンチレータパネル。 - 前記シンチレータ層は、柱状結晶構造を有する
ことを特徴とする請求項1または2記載のシンチレータパネル。 - 前記支持基板は、遷移金属元素よりも軽元素を主成分とする物質から構成されている
ことを特徴とする請求項1ないし3いずれか一記載のシンチレータパネル。 - 放射線を透過する支持基板と、前記支持基板に接して外部から入射した放射線を光に変換するシンチレータ層とを具備するシンチレータパネルの製造方法であって、
前記シンチレータ層は、ハロゲン化物であるCsIにTlを賦活剤として含有する蛍光体であり、
前記蛍光体中の前記賦活剤の濃度が1.6mass%±0.4mass%でかつ面内方向および膜厚方向の前記賦活剤の濃度分布が±15%以内となるように、CsIとTlとを材料源とした気相成長法により前記シンチレータ層を形成する
ことを特徴とするシンチレータパネルの製造方法。
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