JP6241777B2 - Substrate processing apparatus and substrate processing method - Google Patents

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Description

本発明は、基板を処理する基板処理装置および基板処理方法に関する。処理対象となる基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、ＦＥＤ（Field Emission Display）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板などが含まれる。   The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method for processing a substrate. Examples of substrates to be processed include semiconductor wafers, liquid crystal display substrates, plasma display substrates, FED (Field Emission Display) substrates, optical disk substrates, magnetic disk substrates, magneto-optical disk substrates, and photomasks. Substrate, ceramic substrate, solar cell substrate and the like.

半導体装置や液晶表示装置などの製造工程では、半導体ウエハや液晶表示装置用ガラス基板などの基板を処理する基板処理装置が用いられる。
特許文献１の基板処理装置では、基板が保持プレートによって加熱され、基板の上方に配置された供給プレートからの処理液が、加熱された基板に供給される。
特許文献２の基板処理装置では、ウエハおよびキャリアが、温純水槽で加熱される。そして、温まったウエハおよびキャリアが、高温薬液槽内の高温薬液に浸漬される。 In the manufacturing process of a semiconductor device or a liquid crystal display device, a substrate processing apparatus for processing a substrate such as a semiconductor wafer or a glass substrate for a liquid crystal display device is used.
In the substrate processing apparatus of Patent Literature 1, the substrate is heated by the holding plate, and the processing liquid from the supply plate disposed above the substrate is supplied to the heated substrate.
In the substrate processing apparatus of Patent Document 2, the wafer and the carrier are heated in a warm pure water tank. Then, the heated wafer and carrier are immersed in the high temperature chemical solution in the high temperature chemical solution tank.

特開２００８−６６４００号公報JP 2008-66400 A 特開平１１−２６４１３号公報JP 11-26413 A

複数枚の基板を一枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置では、回転状態の基板の上面または下面に向けて処理液が吐出される。基板に着液した処理液は、遠心力を受けて、基板に沿って外方に移動する。これにより、基板の上面または下面の全域に処理液が供給される。
基板に供給される処理液の温度が基板の温度よりも高い場合、供給された処理液の熱が基板によって次第に奪われていくので、基板上での処理液の温度は、処理液が着液する着液位置から遠ざかるに従って低下していく。 In a single wafer processing apparatus that processes a plurality of substrates one by one, a processing liquid is discharged toward the upper surface or the lower surface of a rotating substrate. The processing liquid deposited on the substrate receives centrifugal force and moves outward along the substrate. As a result, the processing liquid is supplied to the entire upper surface or lower surface of the substrate.
When the temperature of the processing liquid supplied to the substrate is higher than the temperature of the substrate, the heat of the supplied processing liquid is gradually taken away by the substrate. It decreases as it moves away from the liquid landing position.

これとは反対に、基板に供給される処理液の温度が基板の温度よりも低い場合、処理液が基板によって次第に温められるので、基板上での処理液の温度は、着液位置から離れるに従って上昇していく。
このように、処理液と基板とに温度差がある場合、基板上での処理液の温度にばらつきが生じてしまう。そのため、処理液の処理能力が温度に依存する場合には、処理の均一性が低下してしまう。 On the contrary, when the temperature of the processing liquid supplied to the substrate is lower than the temperature of the substrate, the processing liquid is gradually warmed by the substrate, so that the temperature of the processing liquid on the substrate increases as the distance from the landing position increases. It rises.
Thus, when there is a temperature difference between the processing liquid and the substrate, the temperature of the processing liquid on the substrate varies. Therefore, when the processing capability of the processing liquid depends on the temperature, the processing uniformity decreases.

特許文献１の基板処理装置では、基板が保持プレートによって加熱され、供給プレートからの処理液が、加熱された基板に供給される。しかしながら、この基板処理装置では、基板の温度が所定値に達するまで処理液を基板に供給できないので、余分な時間が発生し、基板処理装置のスループット（単位時間当たりの基板の処理枚数）が減少してしまう。
また、特許文献２の基板処理装置では、ウエハおよびキャリアが、温純水槽で加熱された後、高温薬液槽内の高温薬液に浸漬される。しかしながら、この基板処理装置では、高温薬液槽とは別に温純水槽を設ける必要があり、基板処理装置のフットプリント（専有面積）が増加してしまう。 In the substrate processing apparatus of Patent Document 1, the substrate is heated by the holding plate, and the processing liquid from the supply plate is supplied to the heated substrate. However, in this substrate processing apparatus, since the processing liquid cannot be supplied to the substrate until the substrate temperature reaches a predetermined value, extra time is generated, and the throughput of the substrate processing apparatus (the number of processed substrates per unit time) decreases. Resulting in.
Moreover, in the substrate processing apparatus of patent document 2, a wafer and a carrier are immersed in the high temperature chemical | medical solution in a high temperature chemical | medical solution tank after heating with a warm pure water tank. However, in this substrate processing apparatus, it is necessary to provide a hot pure water tank separately from the high temperature chemical tank, and the footprint (occupied area) of the substrate processing apparatus increases.

そこで、本発明の目的は、処理液と基板との温度差を小さくして、処理の均一性を高めることができる基板処理装置および基板処理方法を提供することである。   Accordingly, an object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of reducing the temperature difference between the processing liquid and the substrate and improving the processing uniformity.

前記目的を達成するための請求項１記載の発明は、複数枚の基板（Ｗ）を収容する収容器（Ｃ）を保持する収容器保持ユニット（２）と、室温よりも高温の処理液を基板に供給する処理液供給手段を含み、基板を室温よりも高温の処理液で処理する処理ユニット（４）と、複数枚の基板が上下に積層された状態で当該複数枚の基板を保持し、保持された複数枚の基板を室温よりも高、且つ前記処理液供給手段によって基板に供給される処理液よりも高い温度まで加熱する中継ユニット（３、２０３、３０３）と、前記収容器保持ユニットと前記中継ユニットとの間で基板を搬送する第１搬送ユニット（ＩＲ）と、前記中継ユニットと前記処理ユニットとの間で、基板の温度が室温よりも高い状態で、基板を搬送する第２搬送ユニット（ＣＲ）とを備え、前記中継ユニットによる基板の加熱温度は、基板が前記中継ユニットから前記処理ユニットに搬送される間に低下する基板の温度の分だけ、前記処理液供給手段によって基板に供給される処理液の温度よりも高く設定されている、基板処理装置（１、２０１、３０１）である。処理液供給手段から基板に供給される処理液は、エッチング液などの薬液であってもよいし、温水（室温よりも高温の純水）などのリンス液であってもよいし、薬液およびリンス液以外の液体であってもよい。 In order to achieve the above object, the invention according to claim 1 is characterized in that a container holding unit (2) for holding a container (C) for storing a plurality of substrates (W), and a treatment liquid having a temperature higher than room temperature. A processing unit (4) that includes a processing liquid supply means for supplying the substrate to the substrate, and that processes the substrate with a processing liquid higher than room temperature, and holds the plurality of substrates in a state where the plurality of substrates are stacked one above the other. , a plurality of substrates held higher than room temperature, and the relay unit to be heated to a temperature not higher than the processing liquid supplied to the substrate (3,203,303) by the treatment liquid supplying means, said container The substrate is transported between the first transport unit (IR) for transporting the substrate between the holding unit and the relay unit, and the temperature of the substrate is higher than room temperature between the relay unit and the processing unit. Second transport unit (CR) Comprising a heating temperature of the substrate by the relay unit, by the amount of the temperature of the substrate to be reduced while the substrate is conveyed to the processing unit from the relay unit, the processing liquid supplied to the substrate by the treatment liquid supplying means The substrate processing apparatus (1, 201, 301) is set to be higher than the temperature . The processing liquid supplied to the substrate from the processing liquid supply means may be a chemical liquid such as an etching liquid, a rinsing liquid such as warm water (pure water having a temperature higher than room temperature), or a chemical liquid and a rinse. A liquid other than the liquid may be used.

この構成によれば、複数枚の基板が、第１搬送ユニットによって、収容器保持ユニットから中継ユニットに搬送される。中継ユニットに搬送された基板は、第２搬送ユニットによって、中継ユニットから処理ユニットに搬送される。そして、処理ユニットに搬送された基板は、処理液で処理される。このように、複数枚の基板は、中継ユニットによって、第１搬送ユニットと第２搬送ユニットとの間で中継される。   According to this configuration, the plurality of substrates are transported from the container holding unit to the relay unit by the first transport unit. The substrate transported to the relay unit is transported from the relay unit to the processing unit by the second transport unit. Then, the substrate conveyed to the processing unit is processed with the processing liquid. As described above, the plurality of substrates are relayed between the first transport unit and the second transport unit by the relay unit.

中継ユニットは、複数枚の基板が上下に積層された状態で、当該複数枚の基板を保持する。さらに、中継ユニットは、上下に積層された複数枚の基板を室温よりも高い温度まで加熱する。したがって、加熱された基板が、基板の温度が室温よりも高い状態で、中継ユニットから処理ユニットに搬送される。そして、加熱された基板に処理液が供給される。したがって、基板が加熱されない場合よりも、処理液と基板との温度差が小さい。そのため、処理の均一性を高めることができる。 The relay unit holds the plurality of substrates in a state where the plurality of substrates are stacked one above the other. Further, the relay unit heats the plurality of substrates stacked one above the other to a temperature higher than room temperature . Therefore, the heated substrate is transferred from the relay unit to the processing unit in a state where the temperature of the substrate is higher than room temperature . Then, the processing liquid is supplied to the heated substrate. Therefore, the temperature difference between the processing liquid and the substrate is smaller than when the substrate is not heated. Therefore, the uniformity of processing can be improved.

さらに、基板は、処理ユニットに搬送される前に加熱されるので、余分な時間（昇温時間）が処理ユニットで発生しない。そのため、基板処理装置のスループット（単位時間当たりの基板の処理枚数）の減少を抑制または防止できる。しかも、基板は、収容器保持ユニットから処理ユニットに至る基板の搬送経路で加熱されるので、基板処理装置のフットプリント（専有面積）の増加を抑制または防止できる。
さらに、中継ユニットは、基板に供給される処理液よりも高い温度まで複数枚の基板を加熱する。室温よりも高温の基板の温度は、基板が中継ユニットから処理ユニットに搬送される間に次第に低下していく。したがって、低下する分だけ基板の加熱温度を高くすれば、処理液が供給される時点での基板の温度を、処理液の温度に近づけることができる。これにより、処理の均一性を高めることができる。 Furthermore, since the substrate is heated before being transferred to the processing unit, no extra time (temperature increase time) is generated in the processing unit. Therefore, a decrease in the throughput of the substrate processing apparatus (the number of processed substrates per unit time) can be suppressed or prevented. In addition, since the substrate is heated in the substrate transfer path from the container holding unit to the processing unit, an increase in the footprint (occupied area) of the substrate processing apparatus can be suppressed or prevented.
Furthermore, the relay unit heats the plurality of substrates to a temperature higher than the processing liquid supplied to the substrates. The temperature of the substrate higher than the room temperature gradually decreases while the substrate is transported from the relay unit to the processing unit. Therefore, if the heating temperature of the substrate is increased by the amount of decrease, the temperature of the substrate at the time when the processing liquid is supplied can be brought close to the temperature of the processing liquid. Thereby, the uniformity of a process can be improved.

請求項２に記載の発明は、前記中継ユニットは、前記第１搬送ユニットから前記第２搬送ユニットに搬送される基板を中継する第１通過ユニット（６、２０６、３０６）と、前記第２搬送ユニットから前記第１搬送ユニットに搬送される基板を中継する第２通過ユニット（７、２０７、３０７）とを含む、請求項１に記載の基板処理装置である。前記第１通過ユニットは、複数枚の基板を加熱する少なくとも一つの第１加熱ユニット（８、２０８、３０８）を含む。   According to a second aspect of the present invention, the relay unit includes a first passage unit (6, 206, 306) that relays a substrate transported from the first transport unit to the second transport unit, and the second transport. The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising: a second passing unit (7, 207, 307) that relays a substrate transported from the unit to the first transport unit. The first passage unit includes at least one first heating unit (8, 208, 308) for heating a plurality of substrates.

この構成によれば、複数枚の基板が、第１搬送ユニットによって、収容器保持ユニットから第１通過ユニットに搬送される。第１通過ユニットに搬送された基板は、第１通過ユニットの第１加熱ユニットによって加熱される。そして、第１通過ユニットで加熱された基板は、第２搬送ユニットによって、第１通過ユニットから処理ユニットに搬送される。処理ユニットに搬送された基板は、予め加熱されているので、処理液によって均一に処理される。   According to this configuration, the plurality of substrates are transported from the container holding unit to the first passing unit by the first transport unit. The substrate conveyed to the first passage unit is heated by the first heating unit of the first passage unit. Then, the substrate heated by the first passage unit is transported from the first passage unit to the processing unit by the second transport unit. Since the substrate conveyed to the processing unit is heated in advance, it is uniformly processed with the processing liquid.

また、処理ユニットで均一に処理された基板は、第２搬送ユニットによって、処理ユニットから中継ユニットの第２通過ユニットに搬送される。そして、第２通過ユニットに搬送された基板は、第１搬送ユニットによって、第２通過ユニットから収容器保持ユニットに搬送される。このようにして、未処理の基板が第１通過ユニットに中継され、処理済みの基板が、第２通過ユニットによって中継される。   Further, the substrate processed uniformly by the processing unit is transported from the processing unit to the second passage unit of the relay unit by the second transport unit. Then, the substrate transported to the second passage unit is transported from the second passage unit to the container holding unit by the first transport unit. In this way, the unprocessed substrate is relayed to the first passage unit, and the processed substrate is relayed by the second passage unit.

請求項３に記載の発明は、前記第２通過ユニットは、複数枚の基板を加熱する少なくとも一つの第２加熱ユニット（８、２０８、３０８）を含む、請求項２に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、第１通過ユニットだけでなく、第２通過ユニットも加熱ユニットを備えている。したがって、処理液で処理された基板は、第２通過ユニットの第２加熱ユニットによって加熱される。そして、加熱された基板が、第１搬送ユニットによって、第２通過ユニットから収容器保持ユニットに搬送される。そのため、水分が処理済みの基板に残留していたとしても、この水分は、第２加熱ユニットによる基板の加熱によって蒸発する。これにより、残留水分が基板から除去され、乾燥不良が抑制または防止される。 The invention according to claim 3 is the substrate processing apparatus according to claim 2, wherein the second passage unit includes at least one second heating unit (8, 208, 308) for heating a plurality of substrates. is there.
According to this configuration, not only the first passing unit but also the second passing unit includes the heating unit. Therefore, the substrate processed with the processing liquid is heated by the second heating unit of the second passage unit. Then, the heated substrate is transported from the second passing unit to the container holding unit by the first transport unit. Therefore, even if moisture remains on the processed substrate, the moisture is evaporated by heating the substrate by the second heating unit. Thereby, residual moisture is removed from the substrate, and poor drying is suppressed or prevented.

請求項４に記載の発明は、前記中継ユニットは、乾燥状態で基板を加熱する、請求項１〜３のいずれか一項に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、複数枚の基板が乾燥状態で加熱される。すなわち、基板よりも高温の液体が基板に供給されるのでなく、ヒータや熱風等によって乾燥した環境下で基板が加熱される。したがって、基板を加熱した後に基板を乾燥させなくてもよい。そのため、乾燥時間の増加によるスループットの減少を防止できる。さらに、第２搬送ユニットや基板処理装置が、基板に付着している液体によって汚染されることを防止できる。そのため、基板の清浄度を高めることができる。 The invention according to claim 4 is the substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the relay unit heats the substrate in a dry state.
According to this configuration, the plurality of substrates are heated in a dry state. That is, a liquid having a temperature higher than that of the substrate is not supplied to the substrate, but the substrate is heated in a dry environment by a heater, hot air, or the like. Therefore, it is not necessary to dry the substrate after heating the substrate. Therefore, it is possible to prevent a decrease in throughput due to an increase in drying time. Furthermore, it is possible to prevent the second transport unit and the substrate processing apparatus from being contaminated by the liquid adhering to the substrate. Therefore, the cleanliness of the substrate can be increased.

請求項５に記載の発明は、前記中継ユニットは、基板の各部の温度が基板の中心から遠ざかるに従って高くなるように当該基板を加熱する、請求項１〜４のいずれか一項に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、基板の各部の温度が基板の中心から遠ざかるに従って高くなるように、基板が加熱される。室温よりも高温の基板の温度は、基板が中継ユニットから処理ユニットに搬送される間に次第に低下していく。基板の周縁部（基板の中心を取り囲む環状の部分）の表面積は、基板の中間部（基板の中心を取り囲む周縁部よりも内側の環状の部分）の表面積よりも広く、基板の中間部の表面積は、基板の中央部の表面積よりも広い。したがって、基板の各部の温度は、基板の中心から遠ざかるに従って低下し易い。そのため、基板の各部の温度が基板の中心から遠ざかるに従って高くなるように当該基板を加熱することにより、処理液が基板に供給される時点での基板の温度の均一性を高めることができる。これにより、処理の均一性を高めることができる。 The invention according to claim 5 is the substrate according to any one of claims 1 to 4 , wherein the relay unit heats the substrate so that the temperature of each part of the substrate increases as the distance from the center of the substrate increases. It is a processing device.
According to this configuration, the substrate is heated so that the temperature of each part of the substrate increases as the distance from the center of the substrate increases. The temperature of the substrate higher than the room temperature gradually decreases while the substrate is transported from the relay unit to the processing unit. The surface area of the peripheral part of the substrate (the annular part surrounding the center of the substrate) is larger than the surface area of the intermediate part (the annular part inside the peripheral part surrounding the center of the substrate), and the surface area of the intermediate part of the substrate Is larger than the surface area of the central portion of the substrate. Therefore, the temperature of each part of the substrate tends to decrease as the distance from the center of the substrate increases. Therefore, by heating the substrate so that the temperature of each part of the substrate increases as the distance from the center of the substrate increases, the temperature uniformity of the substrate at the time when the processing liquid is supplied to the substrate can be improved. Thereby, the uniformity of a process can be improved.

請求項６に記載の発明は、前記第２搬送ユニットを制御することにより、前記中継ユニットから前記処理ユニットまでの基板の搬送時間を制御する搬送時間制御手段（５）をさらに含む、請求項１〜５のいずれか一項に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、中継ユニットから処理ユニットに基板を搬送する第２搬送ユニットが、搬送時間制御手段によって制御される。中継ユニットから処理ユニットまでの基板の搬送時間は、搬送時間制御手段によって制御される。自然冷却の場合、中継ユニットから処理ユニットに搬送される基板の温度は、搬送時間の増加に伴って低下していく。したがって、搬送時間制御手段は、搬送時間を制御することにより、処理液が基板に供給される時点での基板の温度を制御できる。 The invention according to claim 6, by controlling the second conveying unit, further comprising a conveying time control means for controlling the transport time of the substrate from the relay unit to said processing unit (5), according to claim 1 It is a substrate processing apparatus as described in any one of -5 .
According to this configuration, the second transport unit that transports the substrate from the relay unit to the processing unit is controlled by the transport time control means. The transport time of the substrate from the relay unit to the processing unit is controlled by the transport time control means. In the case of natural cooling, the temperature of the substrate transported from the relay unit to the processing unit decreases as the transport time increases. Therefore, the transfer time control means can control the temperature of the substrate at the time when the processing liquid is supplied to the substrate by controlling the transfer time.

請求項７に記載の発明は、前記第２搬送ユニットによって保持されている基板の温度を検出する温度検出手段（Ｓ１）をさらに含み、前記搬送時間制御手段は、前記温度検出手段の検出値に基づいて前記第２搬送ユニットを制御する、請求項６に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、搬送中の基板の温度が、温度検出手段によって検出される。搬送時間制御手段は、温度検出手段の検出値に基づいて第２搬送ユニットを制御し、中継ユニットから処理ユニットまでの基板の搬送時間を増減させる。すなわち、実際の基板の温度が搬送時間制御手段にフィードバックされ、処理液が基板に供給される時点での基板の温度がより精密に制御される。 The invention according to claim 7 further includes temperature detection means (S1) for detecting the temperature of the substrate held by the second transfer unit, wherein the transfer time control means sets the detected value of the temperature detection means to the detected value. It is a substrate processing apparatus of Claim 6 which controls the said 2nd conveyance unit based on.
According to this configuration, the temperature of the substrate being transported is detected by the temperature detection means. The transfer time control unit controls the second transfer unit based on the detection value of the temperature detection unit, and increases or decreases the transfer time of the substrate from the relay unit to the processing unit. That is, the actual temperature of the substrate is fed back to the transfer time control means, and the temperature of the substrate at the time when the processing liquid is supplied to the substrate is controlled more precisely.

請求項８に記載の発明は、複数枚の基板を収容する収容器を保持する収容器保持ユニットから中継ユニットに第１搬送ユニットによって複数枚の基板を搬送する第１搬送工程と、上下に積層された状態で前記中継ユニットによって保持されている複数枚の基板を前記中継ユニットによって室温よりも高い温度まで加熱する加熱工程と、前記中継ユニットによって加熱された基板を、基板の温度が室温よりも高い状態で、前記中継ユニットから処理ユニットに第２搬送ユニットによって搬送する第２搬送工程と、室温よりも高く且つ前記加熱工程における基板の加熱温度よりも低い温度の処理液を前記処理ユニットに搬送された基板に供給して、当該基板を処理する処理工程とを含み、前記加熱工程における基板の加熱温度は、前記第２搬送工程の間に低下する基板の温度の分だけ、前記処理工程において基板に供給される処理液の温度よりも高く設定されている、基板処理方法である。この方法によれば、請求項１の発明に関して述べた効果と同様な効果を奏することができる。 According to an eighth aspect of the present invention, a first transfer step of transferring a plurality of substrates by a first transfer unit from a container holding unit that holds a container that stores a plurality of substrates to a relay unit, and stacking vertically A heating step of heating a plurality of substrates held by the relay unit to a temperature higher than room temperature by the relay unit, and a substrate heated by the relay unit, the temperature of the substrate being lower than room temperature In a high state, a second transfer step of transferring from the relay unit to the processing unit by the second transfer unit, and a processing liquid having a temperature higher than room temperature and lower than the heating temperature of the substrate in the heating step is transferred to the processing unit. is supplied to the substrate which is, seen including a processing step of processing the substrate, the heating temperature of the substrate in the heating step, the second conveying Engineering By the amount of the temperature of the substrate falls between, is set higher than the temperature of the processing liquid supplied to the substrate in the processing step, a substrate processing method. According to this method, an effect similar to the effect described in regard to the invention of claim 1 can be obtained.

なお、この項において、括弧内の英数字は、後述の実施形態における対応構成要素の参照符号を表すものであるが、これらの参照符号により特許を限定する趣旨ではない。   In this section, the alphanumeric characters in parentheses represent reference numerals of corresponding components in the embodiments described later, but the patent is not limited by these reference numerals.

本発明の第１実施形態に係る基板処理装置の模式図である。1 is a schematic diagram of a substrate processing apparatus according to a first embodiment of the present invention. 本発明の第１実施形態に係る基板処理装置の内部を水平方向から見た模式図である。It is the schematic diagram which looked at the inside of the substrate processing apparatus concerning a 1st embodiment of the present invention from the horizontal direction. 本発明の第１実施形態に係る処理ユニットの内部を水平方向から見た模式図である。It is the schematic diagram which looked at the inside of the processing unit concerning a 1st embodiment of the present invention from the horizontal direction. 本発明の第１実施形態に係る加熱ユニットの内部を水平方向から見た模式図である。It is the schematic diagram which looked at the inside of the heating unit which concerns on 1st Embodiment of this invention from the horizontal direction. 本発明の第１実施形態に係る加熱ユニットの内部を上方から見た模式図である。It is the schematic diagram which looked at the inside of the heating unit which concerns on 1st Embodiment of this invention from upper direction. 発熱状態のヒータを基板の周縁部だけに対向させた後の基板の中央部、中間部、および周縁部の温度の変化の一例を示すグラフである。It is a graph which shows an example of the change of the temperature of the center part of the board | substrate after making the heater of a heat-generation state oppose only to the peripheral part of a board | substrate, an intermediate part, and a peripheral part. 本発明の第１実施形態に係る基板処理装置によって行われる基板の処理の一例について説明するための工程図である。It is process drawing for demonstrating an example of the process of the board | substrate performed with the substrate processing apparatus which concerns on 1st Embodiment of this invention. 本発明の第２実施形態に係る第１通過ユニットおよび第２通過ユニットの内部を水平方向から見た模式図である。It is the schematic diagram which looked at the inside of the 1st passage unit and the 2nd passage unit concerning a 2nd embodiment of the present invention from the horizontal direction. 本発明の第３実施形態に係る第１通過ユニットおよび第２通過ユニットの内部を水平方向から見た模式図である。It is the schematic diagram which looked at the inside of the 1st passage unit and the 2nd passage unit concerning a 3rd embodiment of the present invention from the horizontal direction. 本発明の第３実施形態に係る第１通過ユニットおよび第２通過ユニットの内部を水平方向から見た模式図である。It is the schematic diagram which looked at the inside of the 1st passage unit and the 2nd passage unit concerning a 3rd embodiment of the present invention from the horizontal direction.

以下では、この発明の実施形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、本発明の第１実施形態に係る基板処理装置１の模式図である。図２は、本発明の第１実施形態に係る基板処理装置１の内部を水平方向から見た模式図である。
図１に示すように、基板処理装置１は、半導体ウエハなどの円板状の基板Ｗを一枚ずつ処理する枚葉式の装置である。基板処理装置１は、複数のキャリアＣを保持するロードポート２と、基板Ｗの受け渡しが行われる中継ユニット３と、基板Ｗを処理する複数の処理ユニット４とを含む。ロードポート２および処理ユニット４は、水平方向に間隔を空けて配置されている。中継ユニット３は、ロードポート２と処理ユニット４との間で搬送される基板Ｗの搬送経路上に配置されている。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
FIG. 1 is a schematic view of a substrate processing apparatus 1 according to the first embodiment of the present invention. FIG. 2 is a schematic view of the inside of the substrate processing apparatus 1 according to the first embodiment of the present invention viewed from the horizontal direction.
As shown in FIG. 1, the substrate processing apparatus 1 is a single-wafer type apparatus that processes a disk-shaped substrate W such as a semiconductor wafer one by one. The substrate processing apparatus 1 includes a load port 2 that holds a plurality of carriers C, a relay unit 3 that transfers a substrate W, and a plurality of processing units 4 that process the substrate W. The load port 2 and the processing unit 4 are arranged at an interval in the horizontal direction. The relay unit 3 is disposed on the transport path of the substrate W transported between the load port 2 and the processing unit 4.

図１に示すように、基板処理装置１は、さらに、ロードポート２と中継ユニット３との間に配置されたインデクサロボットＩＲと、中継ユニット３と処理ユニット４との間に配置されたセンターロボットＣＲと、基板処理装置１に備えられた装置の動作やバルブの開閉を制御する制御装置５とを含む。インデクサロボットＩＲは、ロードポート２に保持されているキャリアＣから中継ユニット３に複数枚の基板Ｗを一枚ずつ搬送し、中継ユニット３からロードポート２に保持されているキャリアＣに複数枚の基板Ｗを一枚ずつ搬送する。同様に、センターロボットＣＲは、中継ユニット３から処理ユニット４に複数枚の基板Ｗを一枚ずつ搬送し、処理ユニット４から中継ユニット３に複数枚の基板Ｗを一枚ずつ搬送する。センターロボットＣＲは、さらに、複数の処理ユニット４の間で基板Ｗを搬送する。   As shown in FIG. 1, the substrate processing apparatus 1 further includes an indexer robot IR disposed between the load port 2 and the relay unit 3 and a center robot disposed between the relay unit 3 and the processing unit 4. It includes a CR and a control device 5 that controls the operation of the device provided in the substrate processing apparatus 1 and the opening / closing of a valve. The indexer robot IR conveys a plurality of substrates W one by one from the carrier C held in the load port 2 to the relay unit 3, and a plurality of sheets are transferred from the relay unit 3 to the carrier C held in the load port 2. The substrates W are transferred one by one. Similarly, the center robot CR transports a plurality of substrates W from the relay unit 3 to the processing unit 4 one by one, and transports the plurality of substrates W from the processing unit 4 to the relay unit 3 one by one. The center robot CR further transports the substrate W between the plurality of processing units 4.

図１に示すように、インデクサロボットＩＲは、平面視Ｕ字状の２つのハンドＨを備えている。各ハンドＨは、基板Ｗを水平な姿勢で支持する。インデクサロボットＩＲは、ハンドＨを水平方向および鉛直方向に移動させる。さらに、インデクサロボットＩＲは、鉛直軸線まわりに回転（自転）することにより、ハンドＨの向きを変更する。複数枚の基板Ｗを収容する複数のキャリアＣは、水平な配列方向Ｄ１に配列されている。インデクサロボットＩＲは、配列方向Ｄ１に移動する。受渡位置Ｐ１は、インデクサロボットＩＲ、中継ユニット３、およびセンターロボットＣＲが一直線上に並ぶ位置である。インデクサロボットＩＲは、任意のキャリアＣおよび中継ユニット３にハンドＨを対向させる。そして、インデクサロボットＩＲは、水平方向および鉛直方向のハンドＨの移動によって、キャリアＣおよび中継ユニット３に基板Ｗを搬入する搬入動作、およびキャリアＣおよび中継ユニット３から基板Ｗを搬出する搬出動作を行う。   As shown in FIG. 1, the indexer robot IR includes two hands H that are U-shaped in a plan view. Each hand H supports the substrate W in a horizontal posture. The indexer robot IR moves the hand H in the horizontal direction and the vertical direction. Further, the indexer robot IR changes the direction of the hand H by rotating (spinning) around the vertical axis. The plurality of carriers C that accommodate the plurality of substrates W are arranged in the horizontal arrangement direction D1. The indexer robot IR moves in the arrangement direction D1. The delivery position P1 is a position where the indexer robot IR, the relay unit 3, and the center robot CR are arranged in a straight line. The indexer robot IR makes the hand H face the arbitrary carrier C and the relay unit 3. The indexer robot IR performs a loading operation for loading the substrate W into the carrier C and the relay unit 3 and a loading operation for unloading the substrate W from the carrier C and the relay unit 3 by the movement of the hand H in the horizontal direction and the vertical direction. Do.

同様に、センターロボットＣＲは、平面視Ｕ字状の２つのハンドＨを備えている。各ハンドＨは、基板Ｗを水平な姿勢で支持する。センターロボットＣＲは、ハンドＨを水平方向および鉛直方向に移動させる。さらに、センターロボットＣＲは、鉛直軸線まわりに回転（自転）することにより、ハンドＨの向きを変更する。センターロボットＣＲは、平面視において複数の処理ユニット４に取り囲まれている。センターロボットＣＲは、任意の処理ユニット４および中継ユニット３にハンドＨを対向させる。そして、センターロボットＣＲは、水平方向および鉛直方向のハンドＨの移動によって、処理ユニット４および中継ユニット３に基板Ｗを搬入する搬入動作、および処理ユニット４および中継ユニット３から基板Ｗを搬出する搬出動作を行う。   Similarly, the center robot CR includes two hands H that are U-shaped in plan view. Each hand H supports the substrate W in a horizontal posture. The center robot CR moves the hand H in the horizontal direction and the vertical direction. Further, the center robot CR changes the direction of the hand H by rotating (spinning) around the vertical axis. The center robot CR is surrounded by a plurality of processing units 4 in plan view. The center robot CR makes the hand H face the arbitrary processing unit 4 and the relay unit 3. Then, the center robot CR carries in the loading operation of loading the substrate W into the processing unit 4 and the relay unit 3 by the movement of the hand H in the horizontal direction and the vertical direction, and unloading the substrate W from the processing unit 4 and the relay unit 3. Perform the action.

図２に示すように、中継ユニット３は、インデクサロボットＩＲからセンターロボットＣＲに搬送される基板Ｗが通過する第１通過ユニット６と、センターロボットＣＲからインデクサロボットＩＲに搬送される基板Ｗが通過する第２通過ユニット７とを含む。第１通過ユニット６は、第２通過ユニット７の下方に配置されている。第１通過ユニット６は、第２通過ユニット７の上方に配置されていてもよい。第１通過ユニット６および第２通過ユニット７は、平面視において重なっている。第１通過ユニット６は、上下方向に積層された複数の加熱ユニット８を含む。同様に、第２通過ユニット７は、上下方向に積層された複数の加熱ユニット８を含む。各加熱ユニット８は、基板Ｗを水平な姿勢で支持可能である。したがって、第１通過ユニット６および第２通過ユニット７のそれぞれは、複数枚の基板Ｗが水平な姿勢で間隔を空けて上下方向に積層された状態で、当該複数枚の基板Ｗを支持可能である。   As shown in FIG. 2, in the relay unit 3, the first passing unit 6 through which the substrate W transported from the indexer robot IR to the center robot CR passes, and the substrate W transported from the center robot CR to the indexer robot IR passes through. And a second passing unit 7. The first passage unit 6 is disposed below the second passage unit 7. The first passage unit 6 may be disposed above the second passage unit 7. The first passage unit 6 and the second passage unit 7 overlap each other in plan view. The first passage unit 6 includes a plurality of heating units 8 stacked in the vertical direction. Similarly, the second passage unit 7 includes a plurality of heating units 8 stacked in the vertical direction. Each heating unit 8 can support the substrate W in a horizontal posture. Therefore, each of the first passage unit 6 and the second passage unit 7 can support the plurality of substrates W in a state where the plurality of substrates W are stacked in the vertical direction at intervals in a horizontal posture. is there.

図３は、本発明の第１実施形態に係る処理ユニット４の内部を水平方向から見た模式図である。
処理ユニット４は、基板Ｗを一枚ずつ処理する枚葉式のユニットである。処理ユニット４は、箱形のチャンバー９と、チャンバー９内で基板Ｗを水平に保持して基板Ｗを通る鉛直な回転軸線Ａ１まわりに回転させるスピンチャック１０と、スピンチャック１０に保持されている基板Ｗに薬液を供給する薬液ノズル１１と、スピンチャック１０に保持されている基板Ｗにリンス液を供給するリンス液ノズル１２とを含む。 FIG. 3 is a schematic view of the inside of the processing unit 4 according to the first embodiment of the present invention viewed from the horizontal direction.
The processing unit 4 is a single-wafer type unit that processes the substrates W one by one. The processing unit 4 is held by the spin chuck 10, a box-shaped chamber 9, a spin chuck 10 that horizontally holds the substrate W in the chamber 9 and rotates it around a vertical rotation axis A 1 that passes through the substrate W. A chemical solution nozzle 11 that supplies a chemical solution to the substrate W and a rinse solution nozzle 12 that supplies a rinse solution to the substrate W held by the spin chuck 10 are included.

スピンチャック１０は、基板Ｗを水平に保持して当該基板Ｗの中心を通る鉛直な回転軸線Ａ１まわりに回転可能な円盤状のスピンベース１３と、このスピンベース１３を回転軸線Ａ１まわりに回転させるスピンモータ１４とを含む。スピンチャック１０は、基板Ｗを水平方向に挟んで当該基板Ｗを水平に保持する挟持式のチャックであってもよいし、非デバイス形成面である基板Ｗの裏面（下面）を吸着することにより当該基板Ｗを水平に保持するバキューム式のチャックであってもよい。   The spin chuck 10 holds a substrate W horizontally and rotates a disc-shaped spin base 13 that can rotate around a vertical rotation axis A1 that passes through the center of the substrate W, and rotates the spin base 13 around the rotation axis A1. A spin motor 14. The spin chuck 10 may be a holding chuck that holds the substrate W horizontally with the substrate W held in the horizontal direction, or by adsorbing the back surface (lower surface) of the substrate W that is a non-device forming surface. A vacuum chuck that holds the substrate W horizontally may be used.

薬液ノズル１１は、薬液バルブ１５およびヒータＨ１が介装された薬液配管１６に接続されている。薬液バルブ１５が開かれると、ヒータＨ１によって温度調節された室温（たとえば２５℃）よりも高温の薬液が、基板Ｗの上面に向けて薬液ノズル１１から吐出される。薬液ノズル１１は、固定された状態で基板Ｗの上面中央部に向けて薬液を吐出する固定ノズルであってもよいし、基板Ｗの上面に対する薬液の着液位置が中央部と周縁部との間で移動するように移動しながら薬液を吐出するスキャンノズルであってもよい。薬液ノズル１１に供給される薬液は、硫酸、酢酸、硝酸、塩酸、フッ酸、アンモニア水、過酸化水素水、有機酸（たとえばクエン酸、蓚酸など）、有機アルカリ（たとえば、ＴＭＡＨ：テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドなど）、界面活性剤、腐食防止剤のうちの少なくとも１つを含む液であってもよい。   The chemical nozzle 11 is connected to a chemical pipe 16 in which a chemical valve 15 and a heater H1 are interposed. When the chemical liquid valve 15 is opened, a chemical liquid having a temperature higher than room temperature (for example, 25 ° C.) adjusted by the heater H 1 is discharged from the chemical liquid nozzle 11 toward the upper surface of the substrate W. The chemical solution nozzle 11 may be a fixed nozzle that discharges the chemical solution toward the center of the upper surface of the substrate W in a fixed state, and the liquid solution landing position with respect to the upper surface of the substrate W is between the central portion and the peripheral portion. It may be a scan nozzle that discharges the chemical while moving so as to move between them. The chemical liquid supplied to the chemical nozzle 11 is sulfuric acid, acetic acid, nitric acid, hydrochloric acid, hydrofluoric acid, aqueous ammonia, hydrogen peroxide, organic acid (for example, citric acid, oxalic acid, etc.), organic alkali (for example, TMAH: tetramethylammonium) A liquid containing at least one of a hydroxide, a surfactant, and a corrosion inhibitor.

薬液ノズル１１に供給される薬液の具体例は、ＳＰＭ（Ｈ２ＳＯ４とＨ２Ｏ２とを含む混合液）、ＳＣ１（ＮＨ４ＯＨとＨ２Ｏ２とを含む混合液）、およびフッ酸（フッ化水素酸）のいずれかである。これらの薬液は、液温に応じて処理能力が変化する薬液の一例である。薬液ノズル１１に供給されるＳＰＭの温度は、たとえば１２０℃であり、薬液ノズル１１に供給されるＳＣ１の温度は、たとえば８０℃であり、薬液ノズル１１に供給されるフッ酸の温度は、たとえば３０℃である。これらの温度は一例であるから、当然、前述の温度とは異なる温度の薬液が薬液ノズル１１に供給されてもよい。 Specific examples of the chemical solution supplied to the chemical nozzle 11 include SPM (mixed solution containing H 2 SO 4 and H 2 O 2 ), SC1 (mixed solution containing NH 4 OH and H 2 O 2 ), and fluorine. One of acids (hydrofluoric acid). These chemical liquids are examples of chemical liquids whose processing ability varies depending on the liquid temperature. The temperature of SPM supplied to the chemical nozzle 11 is, for example, 120 ° C., the temperature of SC1 supplied to the chemical nozzle 11 is, for example, 80 ° C., and the temperature of hydrofluoric acid supplied to the chemical nozzle 11 is, for example, 30 ° C. Since these temperatures are examples, naturally, a chemical solution having a temperature different from the above-described temperature may be supplied to the chemical solution nozzle 11.

リンス液ノズル１２は、リンス液バルブ１７が介装されたリンス液配管１８に接続されている。リンス液バルブ１７が開かれると、リンス液が、基板Ｗの上面に向けてリンス液ノズル１２から吐出される。リンス液ノズル１２は、固定ノズルであってもよいし、スキャンノズルであってもよい。リンス液ノズル１２に供給されるリンス液は、純水（脱イオン水：Ｄeionzied Ｗater）、炭酸水、電解イオン水、水素水、オゾン水、および希釈濃度（たとえば、１０〜１００ｐｐｍ程度）の塩酸水のいずれであってもよい。   The rinse liquid nozzle 12 is connected to a rinse liquid pipe 18 in which a rinse liquid valve 17 is interposed. When the rinse liquid valve 17 is opened, the rinse liquid is discharged from the rinse liquid nozzle 12 toward the upper surface of the substrate W. The rinse liquid nozzle 12 may be a fixed nozzle or a scan nozzle. The rinsing liquid supplied to the rinsing liquid nozzle 12 is pure water (deionized water), carbonated water, electrolytic ion water, hydrogen water, ozone water, and dilute concentration (for example, about 10 to 100 ppm) hydrochloric acid water. Any of these may be used.

制御装置５は、センターロボットＣＲによって処理ユニット４内に基板Ｗを搬送させる。制御装置５は、基板Ｗがスピンチャック１０に保持された後、スピンチャック１０によって基板Ｗを回転させる。その後、制御装置５は、薬液バルブ１５を開いて、薬液ノズル１１から回転状態の基板Ｗの上面に向けて薬液を吐出させる（薬液供給工程）。基板Ｗの上面に着液した薬液は、基板Ｗの回転による遠心力を受けて、基板Ｗ上を外方に広がる。これにより、基板Ｗの上面全域に薬液が供給される。制御装置５は、薬液ノズル１１からの薬液の吐出を停止させた後、リンス液バルブ１７を開いて、リンス液ノズル１２から回転状態の基板Ｗの上面に向けてリンス液を吐出させる（リンス液供給工程）。これにより、基板Ｗの上面全域にリンス液が供給され、基板Ｗ上の薬液が洗い流される。制御装置５は、リンス液ノズル１２からのリンス液の吐出を停止させた後、スピンチャック１０によって基板Ｗを高速（たとえば、数千ｒｐｍ）で回転させる（乾燥工程）。これにより、基板Ｗ上の液体が基板Ｗの周囲に振り切られ、基板Ｗが乾燥する。制御装置５は、基板Ｗの回転を停止させた後、センターロボットＣＲによって処理ユニット４内から基板Ｗを搬出させる。   The control device 5 transports the substrate W into the processing unit 4 by the center robot CR. The control device 5 rotates the substrate W by the spin chuck 10 after the substrate W is held by the spin chuck 10. Thereafter, the control device 5 opens the chemical solution valve 15 and discharges the chemical solution from the chemical solution nozzle 11 toward the upper surface of the rotating substrate W (chemical solution supply step). The chemical liquid that has landed on the upper surface of the substrate W receives a centrifugal force due to the rotation of the substrate W and spreads outward on the substrate W. Thereby, the chemical solution is supplied to the entire upper surface of the substrate W. After stopping the discharge of the chemical solution from the chemical solution nozzle 11, the control device 5 opens the rinse solution valve 17 and discharges the rinse solution from the rinse solution nozzle 12 toward the upper surface of the rotating substrate W (the rinse solution). Supply process). Thereby, the rinsing liquid is supplied to the entire upper surface of the substrate W, and the chemical liquid on the substrate W is washed away. After stopping the discharge of the rinsing liquid from the rinsing liquid nozzle 12, the control device 5 rotates the substrate W at a high speed (for example, several thousand rpm) by the spin chuck 10 (drying process). Thereby, the liquid on the substrate W is shaken off around the substrate W, and the substrate W is dried. After stopping the rotation of the substrate W, the control device 5 carries the substrate W out of the processing unit 4 by the center robot CR.

図４Ａは、本発明の第１実施形態に係る加熱ユニット８の内部を水平方向から見た模式図である。図４Ｂは、本発明の第１実施形態に係る加熱ユニット８の内部を上方から見た模式図である。
図４Ａに示すように、加熱ユニット８は、基板Ｗを支持した状態で加熱するホットプレート１９と、ホットプレート１９を収容する箱形のハウジング２０と、ハウジング２０の２つの開口部２０ａ、２０ｂをそれぞれ覆う第１扉２１および第２扉２２と、ハウジング２０に対して第１扉２１および第２扉２２を移動させる開閉アクチュエータ２３とを含む。加熱ユニット８は、さらに、ホットプレート１９の上方で基板Ｗを支持する複数の昇降ピン２４と、複数の昇降ピン２４に連結された連結部材２５と、連結部材２５を昇降させる昇降アクチュエータ２６とを含む。基板Ｗは、第１開口部２０ａおよび第２開口部２０ｂの一方を通じてハウジング２０内に搬入され、第１開口部２０ａおよび第２開口部２０ｂの他方を通じてハウジング２０内から搬出される。 FIG. 4A is a schematic view of the inside of the heating unit 8 according to the first embodiment of the present invention viewed from the horizontal direction. FIG. 4B is a schematic view of the inside of the heating unit 8 according to the first embodiment of the present invention as viewed from above.
As shown in FIG. 4A, the heating unit 8 includes a hot plate 19 that heats the substrate W in a supported state, a box-shaped housing 20 that houses the hot plate 19, and two openings 20a and 20b of the housing 20. Each includes a first door 21 and a second door 22 that cover each other, and an opening / closing actuator 23 that moves the first door 21 and the second door 22 relative to the housing 20. The heating unit 8 further includes a plurality of lifting pins 24 that support the substrate W above the hot plate 19, a connecting member 25 connected to the plurality of lifting pins 24, and a lifting actuator 26 that lifts and lowers the connecting member 25. Including. The substrate W is carried into the housing 20 through one of the first opening 20a and the second opening 20b, and is carried out of the housing 20 through the other of the first opening 20a and the second opening 20b.

図４Ｂに示すように、ホットプレート１９は、基板Ｗを水平に支持する円板状の支持部材２７と、支持部材２７に内蔵されたヒータ２８とを含む。支持部材２７は、水平な姿勢でハウジング２０内に配置されている。基板Ｗは、支持部材２７によって下から支持される。基板Ｗおよび支持部材２７は、平面視において重なり合う。支持部材２７の外径は、基板Ｗの外径よりも大きい。支持部材２７の外径は、基板Ｗの外径以下であってもよい。基板Ｗは、支持部材２７によって支持されている状態で、支持部材２７内に配置されたヒータ２８によって加熱される。ヒータ２８は、基板Ｗの周縁部に対向する位置だけに配置されている。基板Ｗの周縁部は、室温よりも高温のヒータ２８によって積極的に加熱され、周縁部よりも内側の部分は、熱伝導によって間接的に加熱される。ホットプレート１９による基板Ｗの加熱温度（ヒータ２８の温度）は、制御装置５（図１参照）によって制御される。   As shown in FIG. 4B, the hot plate 19 includes a disk-shaped support member 27 that horizontally supports the substrate W, and a heater 28 built in the support member 27. The support member 27 is disposed in the housing 20 in a horizontal posture. The substrate W is supported from below by the support member 27. The substrate W and the support member 27 overlap in plan view. The outer diameter of the support member 27 is larger than the outer diameter of the substrate W. The outer diameter of the support member 27 may be equal to or smaller than the outer diameter of the substrate W. The substrate W is heated by the heater 28 disposed in the support member 27 while being supported by the support member 27. The heater 28 is disposed only at a position facing the peripheral edge of the substrate W. The peripheral portion of the substrate W is positively heated by the heater 28 having a temperature higher than room temperature, and the portion inside the peripheral portion is indirectly heated by heat conduction. The heating temperature of the substrate W by the hot plate 19 (the temperature of the heater 28) is controlled by the control device 5 (see FIG. 1).

ヒータ２８は、基板Ｗの全域に対向する位置に配置されていてもよいし、基板Ｗの一部だけに対向する位置に配置されていてもよい。たとえば、図４Ａおよび図４Ｂに示すように基板Ｗの周縁部に対向する位置だけにヒータ２８が配置されていてもよいし、基板Ｗの中央部に対向する位置だけにヒータ２８が配置されていてもよい。ヒータ２８が基板Ｗの全域に対向する位置に配置されている場合、基板Ｗの全域がヒータ２８によって積極的に加熱される。その一方で、ヒータ２８が基板Ｗの一部だけに対向する位置に配置されている場合、基板Ｗの一部だけが積極的に加熱され、基板Ｗの残りの部分は、熱伝導によって間接的に加熱される。   The heater 28 may be disposed at a position facing the entire area of the substrate W, or may be disposed at a position facing only a part of the substrate W. For example, as shown in FIGS. 4A and 4B, the heater 28 may be disposed only at a position facing the peripheral edge of the substrate W, or the heater 28 is disposed only at a position facing the central portion of the substrate W. May be. When the heater 28 is disposed at a position facing the entire area of the substrate W, the entire area of the substrate W is positively heated by the heater 28. On the other hand, when the heater 28 is disposed at a position facing only a part of the substrate W, only a part of the substrate W is actively heated, and the remaining part of the substrate W is indirectly heated by heat conduction. To be heated.

ヒータ２８が基板Ｗの全域に対向する位置に配置されている場合、温度を個別に設定できる複数のヒータ２８が支持部材２７に内蔵されていてもよい。たとえば、基板Ｗの周縁部を加熱する周縁ヒータと、基板Ｗの中間部を加熱する中間ヒータと、基板Ｗの中央部を加熱する中央ヒータとが、支持部材２７に内蔵されていてもよい。この場合、制御装置５は、周縁ヒータ、中間ヒータ、および中央ヒータの温度を異ならせることにより、基板Ｗの周縁部、中間部、および中央部を異なる温度で加熱できる。また、制御装置５は、周縁ヒータ、中間ヒータ、または中央ヒータだけを発熱させることにより、基板Ｗの周縁部、中間部、または中央部だけを積極的に加熱できる。当然、制御装置５は、周縁ヒータ、中間ヒータ、および中央ヒータの温度を等しくすることにより、基板Ｗの全域を均一な温度で加熱できる。   When the heaters 28 are arranged at positions facing the entire area of the substrate W, a plurality of heaters 28 that can individually set temperatures may be built in the support member 27. For example, a peripheral heater that heats the peripheral portion of the substrate W, an intermediate heater that heats the intermediate portion of the substrate W, and a central heater that heats the central portion of the substrate W may be incorporated in the support member 27. In this case, the control device 5 can heat the peripheral portion, the intermediate portion, and the central portion of the substrate W at different temperatures by changing the temperatures of the peripheral heater, the intermediate heater, and the central heater. Further, the control device 5 can positively heat only the peripheral portion, the intermediate portion, or the central portion of the substrate W by generating only the peripheral heater, the intermediate heater, or the central heater. Naturally, the control device 5 can heat the entire area of the substrate W at a uniform temperature by equalizing the temperatures of the peripheral heater, the intermediate heater, and the central heater.

図４Ａに示すように、ハウジング２０は、ホットプレート１９が配置されたハウジング２０の内部に連なる２つの開口部２０ａ、２０ｂを有している。第１開口部２０ａは、インデクサロボットＩＲの受渡位置Ｐ１（図１参照）に対向する位置に配置されており、第２開口部２０ｂは、センターロボットＣＲに対向する位置に配置されている。ハウジング２０の２つの開口部２０ａ、２０ｂは、ハウジング２０の内部を介して水平に対向している。第１開口部２０ａは、インデクサロボットＩＲのハンドＨがハウジング２０内に基板Ｗを搬入する搬入口であり、インデクサロボットＩＲのハンドＨがハウジング２０内から基板Ｗを搬出する搬出口でもある。同様に、第２開口部２０ｂは、センターロボットＣＲのハンドＨがハウジング２０内に基板Ｗを搬入する搬入口であり、センターロボットＣＲのハンドＨがハウジング２０内から基板Ｗを搬出する搬出口でもある。   As shown in FIG. 4A, the housing 20 has two openings 20a and 20b that are continuous with the inside of the housing 20 in which the hot plate 19 is disposed. The first opening 20a is disposed at a position facing the delivery position P1 (see FIG. 1) of the indexer robot IR, and the second opening 20b is disposed at a position facing the center robot CR. The two openings 20 a and 20 b of the housing 20 are horizontally opposed via the inside of the housing 20. The first opening 20 a is a carry-in port through which the hand H of the indexer robot IR carries the substrate W into the housing 20, and a carry-out port through which the hand H of the indexer robot IR carries out the substrate W from the housing 20. Similarly, the second opening 20 b is a carry-in port through which the hand H of the center robot CR carries the substrate W into the housing 20, and a carry-out port through which the hand H of the center robot CR carries the substrate W out of the housing 20. is there.

図４Ａに示すように、第１扉２１および第２扉２２は、ハウジング２０に取り付けられている。第１扉２１および第２扉２２は、それぞれ、第１開口部２０ａおよび第２開口部２０ｂを覆っている。第１扉２１は、第１開口部２０ａが閉じられる閉位置（実線の位置）と、第１開口部２０ａが開かれる開位置（二点鎖線の位置）との間で、ハウジング２０に対して移動可能である。同様に、第２扉２２は、第２開口部２０ｂが閉じられる閉位置と、第２開口部２０ｂが開かれる開位置との間で、ハウジング２０に対して移動可能である。第１扉２１は、上下または左右に延びる軸線を中心に揺れ動くスイング式の扉であってもよいし、上下または左右に平行移動可能なスライド式の扉であってもよいし、上下または左右に折り畳み可能なアコーディオン式の扉であってもよい。第２扉２２についても同様である。   As shown in FIG. 4A, the first door 21 and the second door 22 are attached to the housing 20. The first door 21 and the second door 22 cover the first opening 20a and the second opening 20b, respectively. The first door 21 is located relative to the housing 20 between a closed position (solid line position) where the first opening 20a is closed and an open position (double-dot chain line position) where the first opening 20a is opened. It is movable. Similarly, the second door 22 is movable with respect to the housing 20 between a closed position where the second opening 20b is closed and an open position where the second opening 20b is opened. The first door 21 may be a swing-type door that swings around an axis extending vertically or horizontally, or may be a slide-type door that can move vertically or horizontally, or vertically or horizontally. A foldable accordion door may be used. The same applies to the second door 22.

制御装置５は、開閉アクチュエータ２３を制御することにより、第１扉２１および第２扉２２をハウジング２０に対して移動させる。開閉アクチュエータ２３は、第１扉２１を移動させることにより第１開口部２０ａを開閉し、第２扉２２を移動させることにより第２開口部２０ｂを開閉する。制御装置５は、基板Ｗの搬入および搬出が行われるとき以外は、第１開口部２０ａおよび第２開口部２０ｂを閉じている。したがって、ホットプレート１９の熱がハウジング２０の外に逃げにくい。そのため、基板Ｗは、ハウジング２０内で効率的に加熱される。   The control device 5 moves the first door 21 and the second door 22 relative to the housing 20 by controlling the opening / closing actuator 23. The opening / closing actuator 23 opens and closes the first opening 20 a by moving the first door 21, and opens and closes the second opening 20 b by moving the second door 22. The control device 5 closes the first opening 20a and the second opening 20b except when the substrate W is carried in and out. Therefore, it is difficult for the heat of the hot plate 19 to escape to the outside of the housing 20. Therefore, the substrate W is efficiently heated in the housing 20.

図４Ａに示すように、複数の昇降ピン２４は、上下方向に延びている。各昇降ピン２４の下端は、ハウジング２０の外に配置されている。連結部材２５の下端は、各昇降ピン２４の下端に連結されている。したがって、連結部材２５は、ハウジング２０の外に配置されている。各昇降ピン２４は、連結部材２５と共に上下方向に移動する。したがって、昇降アクチュエータ２６が、連結部材２５を昇降させると、全ての昇降ピン２４が上下方向に移動する。昇降アクチュエータ２６は、各昇降ピン２４の上端が同じ高さに位置する状態で複数の昇降ピン２４を一括して昇降させる。   As shown to FIG. 4A, the several raising / lowering pin 24 is extended in the up-down direction. The lower end of each lifting pin 24 is disposed outside the housing 20. The lower end of the connecting member 25 is connected to the lower end of each lifting pin 24. Therefore, the connecting member 25 is disposed outside the housing 20. Each lifting pin 24 moves in the vertical direction together with the connecting member 25. Therefore, when the elevating actuator 26 moves the connecting member 25 up and down, all the elevating pins 24 move in the vertical direction. The lifting / lowering actuator 26 lifts / lowers the plurality of lifting / lowering pins 24 together with the upper ends of the lifting / lowering pins 24 positioned at the same height.

図４Ａに示すように、複数の昇降ピン２４は、ホットプレート１９を上下方向に貫通する複数の貫通孔にそれぞれ挿入される。昇降アクチュエータ２６は、上位置（二点鎖線位置）と下位置（実線の位置）との間で複数の昇降ピン２４を昇降させる。上位置は、各昇降ピン２４の上端（先端）がホットプレート１９の上面よりも上方に位置する位置であり、下位置は、各昇降ピン２４の上端がホットプレート１９の上面よりも下方に位置する位置である。   As shown in FIG. 4A, the plurality of elevating pins 24 are respectively inserted into a plurality of through holes that penetrate the hot plate 19 in the vertical direction. The raising / lowering actuator 26 raises / lowers the plurality of raising / lowering pins 24 between an upper position (two-dot chain line position) and a lower position (solid line position). The upper position is a position where the upper end (tip) of each elevating pin 24 is located above the upper surface of the hot plate 19, and the lower position is the upper end of each elevating pin 24 located below the upper surface of the hot plate 19. It is a position to do.

基板Ｗの下面が複数の昇降ピン２４に支持されている状態で、昇降アクチュエータ２６が、複数の昇降ピン２４を上位置から下位置に移動させると、複数の昇降ピン２４に支持されている基板Ｗが、その過程でホットプレート１９上に置かれる。一方、基板Ｗの下面がホットプレート１９に支持されている状態で、昇降アクチュエータ２６が、複数の昇降ピン２４を下位置から上位置に移動させると、ホットプレート１９に支持されている基板Ｗが、その過程で、複数の昇降ピン２４に持ち上げられる。   When the lifting actuator 26 moves the lifting pins 24 from the upper position to the lower position in a state where the lower surface of the substrate W is supported by the lifting pins 24, the substrate supported by the lifting pins 24. W is placed on the hot plate 19 in the process. On the other hand, when the elevating actuator 26 moves the plurality of elevating pins 24 from the lower position to the upper position while the lower surface of the substrate W is supported by the hot plate 19, the substrate W supported by the hot plate 19 is changed. In the process, the lift pins 24 are lifted.

ハウジング２０内に搬入された基板Ｗは、インデクサロボットＩＲまたはセンターロボットＣＲのハンドＨによって、上位置に位置する複数の昇降ピン２４の上端に置かれる。その後、昇降アクチュエータ２６は、複数の昇降ピン２４を上位置から下位置に移動させる。これにより、基板Ｗが、発熱状態のホットプレート１９上に置かれる。昇降アクチュエータ２６は、基板Ｗがホットプレート１９によって所定時間加熱された後、複数の昇降ピン２４を下位置から上位置に移動させる。これにより、基板Ｗが、ホットプレート１９から複数の昇降ピン２４に移動する。そして、上位置に位置する複数の昇降ピン２４に支持されている基板Ｗは、インデクサロボットＩＲまたはセンターロボットＣＲのハンドＨによって、ハウジング２０内から搬出される。   The substrate W carried into the housing 20 is placed on the upper ends of the plurality of lifting pins 24 located at the upper position by the hand H of the indexer robot IR or the center robot CR. Thereafter, the lift actuator 26 moves the plurality of lift pins 24 from the upper position to the lower position. As a result, the substrate W is placed on the hot plate 19 in a heated state. The lift actuator 26 moves the plurality of lift pins 24 from the lower position to the upper position after the substrate W is heated by the hot plate 19 for a predetermined time. As a result, the substrate W moves from the hot plate 19 to the plurality of lift pins 24. Then, the substrate W supported by the plurality of lifting pins 24 located at the upper position is carried out of the housing 20 by the hand H of the indexer robot IR or the center robot CR.

図５は、発熱状態のヒータ２８を基板Ｗの周縁部だけに対向させた後の基板Ｗの中央部、中間部、および周縁部の温度の変化の一例を示すグラフである。
前述のように、ホットプレート１９のヒータ２８は、基板Ｗの周縁部に対向する位置だけに配置されている（図４Ａ参照）。発熱状態のヒータ２８を基板Ｗの周縁部だけに対向させると、基板Ｗの周縁部に与えられる熱量が最も大きいので、基板Ｗの周縁部の温度が最も高くなり、基板Ｗの中央部の温度が最も低くなる。そのため、図５に示すように、基板Ｗの加熱を停止させた時点（経過時間が零の時点）では、基板Ｗの周縁部の温度（Ｃ）が最も高く、基板Ｗの中央部（Ａ）の温度が最も低い。 FIG. 5 is a graph showing an example of a change in temperature of the central portion, the intermediate portion, and the peripheral portion of the substrate W after the heater 28 in the heat generation state is opposed to only the peripheral portion of the substrate W.
As described above, the heater 28 of the hot plate 19 is disposed only at a position facing the peripheral edge of the substrate W (see FIG. 4A). When the heater 28 in the heat generation state is opposed to only the peripheral portion of the substrate W, the amount of heat given to the peripheral portion of the substrate W is the largest, so the temperature of the peripheral portion of the substrate W becomes the highest, and the temperature of the central portion of the substrate W Is the lowest. Therefore, as shown in FIG. 5, when the heating of the substrate W is stopped (when the elapsed time is zero), the temperature (C) of the peripheral edge of the substrate W is the highest, and the central portion (A) of the substrate W Is the lowest temperature.

図５に示すように、基板Ｗの各部の温度は、基板Ｗの周縁部の温度が最も高く、基板Ｗの中央部の温度が最も低い状態で、基板Ｗの加熱停止からの時間の経過に伴って低下していく。基板Ｗの周縁部は、基板Ｗの中間部よりも表面積が広いので、基板Ｗの中間部よりも冷めやすい。同様に、基板Ｗの中間部は、基板Ｗの中央部よりも冷めやすい。したがって、図５に示すように、基板Ｗ内の複数の地点間で温度差があっても、加熱停止から所定時間が経過すると、基板Ｗの各部の温度が、概ね同じ温度まで下がり、基板Ｗの温度が均一になる。その後は、暫くの間この状態が維持される。   As shown in FIG. 5, the temperature of each part of the substrate W increases with the passage of time from the stop of heating of the substrate W in the state where the temperature of the peripheral part of the substrate W is the highest and the temperature of the center part of the substrate W is the lowest. It goes down with it. Since the peripheral portion of the substrate W has a larger surface area than the intermediate portion of the substrate W, it is easier to cool than the intermediate portion of the substrate W. Similarly, the intermediate portion of the substrate W is easier to cool than the central portion of the substrate W. Therefore, as shown in FIG. 5, even if there are temperature differences between a plurality of points in the substrate W, when a predetermined time elapses after the heating is stopped, the temperature of each part of the substrate W decreases to approximately the same temperature. The temperature becomes uniform. Thereafter, this state is maintained for a while.

図６は、本発明の第１実施形態に係る基板処理装置１によって行われる基板Ｗの処理の一例について説明するための工程図である。以下では、図１を参照する。図６については適宜参照する。
制御装置５は、処理レシピ（処理ユニット４での基板Ｗの処理条件）などを含む予め定められた条件に従って基板処理装置１を制御することにより、複数枚の基板Ｗを基板処理装置１に処理させる。 FIG. 6 is a process diagram for explaining an example of the processing of the substrate W performed by the substrate processing apparatus 1 according to the first embodiment of the present invention. In the following, reference is made to FIG. Reference is made appropriately to FIG.
The control device 5 controls the substrate processing apparatus 1 according to predetermined conditions including a processing recipe (processing conditions for the substrate W in the processing unit 4) and the like to process a plurality of substrates W into the substrate processing apparatus 1. Let

基板Ｗが処理されるときには、基板Ｗをロードポート２から中継ユニット３の第１通過ユニット６に搬送する第１搬送工程が行われる（図６のステップＳ１）。具体的には、制御装置５は、インデクサロボットＩＲによって、ロードポート２に保持されているキャリアＣ内の基板Ｗを第１通過ユニット６のいずれかの加熱ユニット８に搬送させる。加熱ユニット８に搬入された基板Ｗは、ホットプレート１９によって加熱される。ホットプレート１９の温度は、基板Ｗに供給される薬液の温度よりも高い温度（たとえば、５〜１０℃高い温度）に設定されている。さらに、加熱ユニット８に搬入された基板Ｗは、基板Ｗの周縁部の温度が最も高くなるように、基板Ｗに供給される薬液の温度よりも高い温度まで加熱される（加熱工程）。   When the substrate W is processed, a first transfer process is performed in which the substrate W is transferred from the load port 2 to the first passage unit 6 of the relay unit 3 (step S1 in FIG. 6). Specifically, the control device 5 causes the substrate W in the carrier C held by the load port 2 to be transferred to one of the heating units 8 of the first passage unit 6 by the indexer robot IR. The substrate W carried into the heating unit 8 is heated by the hot plate 19. The temperature of the hot plate 19 is set to a temperature (for example, a temperature higher by 5 to 10 ° C.) than the temperature of the chemical solution supplied to the substrate W. Furthermore, the substrate W carried into the heating unit 8 is heated to a temperature higher than the temperature of the chemical solution supplied to the substrate W so that the temperature of the peripheral portion of the substrate W becomes the highest (heating step).

次に、基板Ｗを中継ユニット３の第１通過ユニット６から処理ユニット４に搬送する第２搬送工程が行われる（図６のステップＳ２）。具体的には、制御装置５は、センターロボットＣＲによって、第１通過ユニット６内の基板Ｗをいずれかの処理ユニット４内に搬送させる。前述のように、第１通過ユニット６内の基板Ｗは、ホットプレート１９によって、基板Ｗに供給される薬液の温度よりも高い温度に加熱されている。したがって、基板Ｗは、室温よりも高温の状態でセンターロボットＣＲによって搬送される。第１通過ユニット６から搬出された基板Ｗの温度は、基板ＷがセンターロボットＣＲによって搬送される間に低下していく。   Next, a second transfer process is performed in which the substrate W is transferred from the first passage unit 6 of the relay unit 3 to the processing unit 4 (step S2 in FIG. 6). Specifically, the control device 5 transports the substrate W in the first passage unit 6 into one of the processing units 4 by the center robot CR. As described above, the substrate W in the first passage unit 6 is heated to a temperature higher than the temperature of the chemical solution supplied to the substrate W by the hot plate 19. Therefore, the substrate W is transported by the center robot CR in a temperature higher than room temperature. The temperature of the substrate W carried out from the first passage unit 6 decreases while the substrate W is transported by the center robot CR.

第１通過ユニット６での基板Ｗの加熱温度（以下では、「第１加熱温度」という。）は、処理ユニット４によって薬液が基板Ｗに供給されたときに、基板Ｗの温度が均一であり、基板Ｗの温度が薬液の温度と概ね等しくなるように、第１通過ユニット６から処理ユニット４までの基板Ｗの搬送時間に基づいて設定されている（図５中の「処理液供給開始」参照）。たとえば、第１通過ユニット６の加熱ユニット８から処理ユニット４までの距離、すなわち、基板Ｗの搬送時間は、一定とは限らない。したがって、搬送時間が異なる場合には、基板Ｗに供給される薬液の温度が等しくても、基板Ｗは、第１通過ユニット６によって異なる温度で加熱される。   The heating temperature of the substrate W in the first passage unit 6 (hereinafter referred to as “first heating temperature”) is uniform when the chemical liquid is supplied to the substrate W by the processing unit 4. The temperature of the substrate W is set based on the transfer time of the substrate W from the first passage unit 6 to the processing unit 4 so that the temperature of the substrate W becomes substantially equal to the temperature of the chemical solution (“processing liquid supply start” in FIG. 5). reference). For example, the distance from the heating unit 8 of the first passage unit 6 to the processing unit 4, that is, the transfer time of the substrate W is not always constant. Therefore, when the transport times are different, the substrate W is heated by the first passage unit 6 at a different temperature even if the temperature of the chemical solution supplied to the substrate W is equal.

次に、基板Ｗを処理液で処理する処理工程が行われる（図６のステップＳ３）。具体的には、制御装置５は、処理ユニット４によって、室温よりも高温の薬液（たとえば、ＳＰＭ、ＳＣ１、およびフッ酸のいずれか）を回転状態の基板Ｗに供給させる（薬液供給工程）。前述のように、第１加熱温度は、薬液が基板Ｗに供給されたときに、基板Ｗの温度が薬液の温度と概ね等しくなるように設定されている。したがって、基板Ｗの温度と薬液の温度とが概ね等しい状態で、薬液が基板Ｗに供給される。これにより、基板Ｗが薬液によって均一に処理される。制御装置５は、基板Ｗへの薬液の供給を停止させた後、処理ユニット４によって、リンス液（たとえば、純水）を基板Ｗに供給させる（リンス液供給工程）。これにより、基板Ｗ上の薬液が洗い流される。その後、制御装置５は、基板Ｗを高速回転させることにより、基板Ｗを乾燥させる（乾燥工程）。   Next, a processing step for processing the substrate W with the processing liquid is performed (step S3 in FIG. 6). Specifically, the control device 5 causes the processing unit 4 to supply a chemical liquid higher than room temperature (for example, any one of SPM, SC1, and hydrofluoric acid) to the rotating substrate W (chemical liquid supply process). As described above, the first heating temperature is set so that the temperature of the substrate W becomes substantially equal to the temperature of the chemical solution when the chemical solution is supplied to the substrate W. Accordingly, the chemical solution is supplied to the substrate W in a state where the temperature of the substrate W and the temperature of the chemical solution are substantially equal. Thereby, the substrate W is uniformly processed by the chemical solution. After stopping the supply of the chemical solution to the substrate W, the control device 5 causes the processing unit 4 to supply a rinse solution (for example, pure water) to the substrate W (rinse solution supply step). Thereby, the chemical solution on the substrate W is washed away. Thereafter, the controller 5 dries the substrate W by rotating the substrate W at a high speed (drying process).

次に、基板Ｗを処理ユニット４から中継ユニット３の第２通過ユニット７に搬送する第３搬送工程が行われる（図６のステップＳ４）。具体的には、制御装置５は、センターロボットＣＲによって、処理ユニット４内の基板Ｗを第２通過ユニット７のいずれかの加熱ユニット８に搬送させる。加熱ユニット８に搬入された基板Ｗは、ホットプレート１９によって、室温よりも高い温度に加熱される。したがって、前述の乾燥工程で除去しきれなかった水分が基板Ｗに残留していたとしても、この水分は、ホットプレート１９による基板Ｗの加熱によって蒸発する。これにより、残留水分が基板Ｗからより確実に除去される。第２通過ユニット７での基板Ｗの加熱温度（以下では、「第２加熱温度」という。）は、第１加熱温度と等しくてもよいし、第１加熱温度とは異なっていてもよい。第２加熱温度が第１加熱温度よりも高温である場合、残留水分の蒸発がさらに促進される。   Next, the 3rd conveyance process which conveys the board | substrate W from the processing unit 4 to the 2nd passage unit 7 of the relay unit 3 is performed (step S4 of FIG. 6). Specifically, the control device 5 transports the substrate W in the processing unit 4 to one of the heating units 8 of the second passage unit 7 by the center robot CR. The substrate W carried into the heating unit 8 is heated to a temperature higher than room temperature by the hot plate 19. Therefore, even if moisture that could not be removed by the drying process described above remains on the substrate W, the moisture evaporates due to the heating of the substrate W by the hot plate 19. Thereby, residual moisture is more reliably removed from the substrate W. The heating temperature of the substrate W in the second passage unit 7 (hereinafter referred to as “second heating temperature”) may be equal to the first heating temperature or may be different from the first heating temperature. When the second heating temperature is higher than the first heating temperature, evaporation of residual moisture is further promoted.

次に、基板Ｗを第２通過ユニット７からロードポート２に搬送する第４搬送工程が行われる（図６のステップＳ５）。具体的には、制御装置５は、インデクサロボットＩＲによって、第２通過ユニット７内の基板Ｗをロードポート２に保持されているいずれかのキャリアＣに搬入させる。前述のように、第２通過ユニット７内の基板Ｗは、ホットプレート１９によって、室温よりも高い温度に加熱されている。したがって、基板Ｗは、室温よりも高温の状態でインデクサロボットＩＲによって搬送され、室温と概ね等しい温度まで低下した状態でキャリアＣ内に搬入される。制御装置５は、このような一連の動作を基板処理装置１に繰り返させることにより、複数枚の基板Ｗを一枚ずつ基板処理装置１に処理させる。   Next, the 4th conveyance process which conveys the board | substrate W from the 2nd passage unit 7 to the load port 2 is performed (step S5 of FIG. 6). Specifically, the control device 5 loads the substrate W in the second passage unit 7 into one of the carriers C held by the load port 2 by the indexer robot IR. As described above, the substrate W in the second passage unit 7 is heated to a temperature higher than the room temperature by the hot plate 19. Accordingly, the substrate W is transported by the indexer robot IR at a temperature higher than room temperature, and is carried into the carrier C in a state where the substrate W is lowered to a temperature substantially equal to the room temperature. The control device 5 causes the substrate processing apparatus 1 to process a plurality of substrates W one by one by causing the substrate processing apparatus 1 to repeat such a series of operations.

以上のように本実施形態では、複数枚の基板Ｗが、インデクサロボットＩＲによって、ロードポート２から中継ユニット３に一枚ずつ搬送される。中継ユニット３に搬送された基板Ｗは、センターロボットＣＲによって、中継ユニット３から複数の処理ユニット４に一枚ずつ搬送される。そして、処理ユニット４に搬送された基板Ｗは、処理液で処理される。このように、複数枚の基板Ｗは、中継ユニット３によって、インデクサロボットＩＲとセンターロボットＣＲとの間で中継される。   As described above, in the present embodiment, a plurality of substrates W are transferred one by one from the load port 2 to the relay unit 3 by the indexer robot IR. The substrates W transferred to the relay unit 3 are transferred one by one from the relay unit 3 to the plurality of processing units 4 by the center robot CR. Then, the substrate W transferred to the processing unit 4 is processed with the processing liquid. As described above, the plurality of substrates W are relayed between the indexer robot IR and the center robot CR by the relay unit 3.

中継ユニット３は、複数枚の基板Ｗが非接触で上下方向に積層された状態で、当該複数枚の基板Ｗを保持する。さらに、中継ユニット３は、基板Ｗに供給される処理液よりも高い温度まで複数枚の基板Ｗを加熱する。したがって、加熱された基板Ｗが、中継ユニット３から処理ユニット４に搬送される。そして、自然冷却によって処理液と概ね等しい温度まで冷めた基板Ｗに処理液が供給される。したがって、基板Ｗが加熱されない場合よりも、処理液と基板Ｗとの温度差が小さい。そのため、処理の均一性を高めることができる。   The relay unit 3 holds the plurality of substrates W in a state where the plurality of substrates W are stacked in a vertical direction without contact. Furthermore, the relay unit 3 heats the plurality of substrates W to a temperature higher than the processing liquid supplied to the substrate W. Accordingly, the heated substrate W is transported from the relay unit 3 to the processing unit 4. Then, the processing liquid is supplied to the substrate W cooled to a temperature substantially equal to the processing liquid by natural cooling. Therefore, the temperature difference between the processing liquid and the substrate W is smaller than when the substrate W is not heated. Therefore, the uniformity of processing can be improved.

さらに、基板Ｗは、ロードポート２から処理ユニット４に至る基板Ｗの搬送経路で、処理ユニット４に搬送される前に加熱されるので、余分な時間（昇温時間）が処理ユニット４で発生しない。そのため、基板処理装置１のスループット（単位時間当たりの基板Ｗの処理枚数）の減少を抑制または防止できる。しかも、基板Ｗは、基板Ｗの搬送経路で加熱されるので、基板処理装置１のフットプリント（専有面積）の増加を抑制または防止できる。   Furthermore, since the substrate W is heated before being transferred to the processing unit 4 in the transfer path of the substrate W from the load port 2 to the processing unit 4, an extra time (temperature increase time) is generated in the processing unit 4. do not do. Therefore, a decrease in the throughput of the substrate processing apparatus 1 (the number of processed substrates W per unit time) can be suppressed or prevented. Moreover, since the substrate W is heated in the transport path of the substrate W, an increase in the footprint (exclusive area) of the substrate processing apparatus 1 can be suppressed or prevented.

［第２実施形態］
図７は、本発明の第２実施形態に係る第１通過ユニット２０６および第２通過ユニット２０７の内部を水平方向から見た模式図である。この図７において、前述の図１〜図６に示された各部と同等の構成部分については、図１等と同一の参照符号を付してその説明を省略する。 [Second Embodiment]
FIG. 7 is a schematic view of the inside of the first passage unit 206 and the second passage unit 207 according to the second embodiment of the present invention as seen from the horizontal direction. In FIG. 7, the same components as those shown in FIGS. 1 to 6 are given the same reference numerals as those in FIG. 1 and the description thereof is omitted.

第２実施形態に係る基板処理装置２０１は、中継ユニットを除き、第１実施形態に係る基板処理装置１と同様の構成を備えている。すなわち、基板処理装置２０１は、第１実施形態に係る中継ユニット３に代えて、基板Ｗの受け渡しが行われる中継ユニット２０３を含む。
中継ユニット２０３の第１通過ユニット２０６は、熱風によって複数枚の基板Ｗを加熱する加熱ユニット２０８を含む。加熱ユニット２０８は、複数枚の基板Ｗを支持する複数の支持部材２２７と、複数の支持部材２２７を収容するハウジング２２０と、ハウジング２２０の２つの開口部２０ａ、２０ｂをそれぞれ覆う第１扉２１および第２扉２２と、ハウジング２２０に対して第１扉２１および第２扉２２を移動させる開閉アクチュエータ２３とを含む。加熱ユニット２０８は、さらに、ハウジング２２０内に熱風を送る送風ダクト２２９と、送風ダクト２２９からハウジング２２０内に送られる気体を加熱するヒータ２２８と、ハウジング２２０内の気体を排出する排気ダクト２３０とを含む。中継ユニット２０３の第２通過ユニット２０７は、第１通過ユニット２０６と同様の構成を備えている。したがって、以下では、第１通過ユニット２０６について説明し、第２通過ユニット２０７についての説明を省略する。 The substrate processing apparatus 201 according to the second embodiment has the same configuration as the substrate processing apparatus 1 according to the first embodiment except for the relay unit. That is, the substrate processing apparatus 201 includes a relay unit 203 that transfers the substrate W in place of the relay unit 3 according to the first embodiment.
The first passage unit 206 of the relay unit 203 includes a heating unit 208 that heats the plurality of substrates W with hot air. The heating unit 208 includes a plurality of support members 227 that support a plurality of substrates W, a housing 220 that houses the plurality of support members 227, a first door 21 that covers the two openings 20a and 20b of the housing 220, and A second door 22 and an opening / closing actuator 23 that moves the first door 21 and the second door 22 relative to the housing 220 are included. The heating unit 208 further includes a blower duct 229 that sends hot air into the housing 220, a heater 228 that heats the gas sent from the blower duct 229 into the housing 220, and an exhaust duct 230 that discharges the gas in the housing 220. Including. The second passage unit 207 of the relay unit 203 has the same configuration as the first passage unit 206. Therefore, below, the 1st passage unit 206 is explained and the explanation about the 2nd passage unit 207 is omitted.

複数の支持部材２２７は、上下方向に重ねられており、平面視において重なっている。複数の支持部材２２７は、上下方向に間隔を空けて配置されている。基板Ｗは、支持部材２２７によって下から支持される。各支持部材２２７は、基板Ｗを水平な姿勢で支持可能である。したがって、複数の支持部材２２７は、複数枚の基板Ｗが水平な姿勢で間隔を空けて上下方向に積層された状態で、当該複数枚の基板Ｗを支持可能である。   The plurality of support members 227 are overlapped in the vertical direction and overlap in plan view. The plurality of support members 227 are arranged at intervals in the vertical direction. The substrate W is supported from below by the support member 227. Each support member 227 can support the substrate W in a horizontal posture. Therefore, the plurality of support members 227 can support the plurality of substrates W in a state where the plurality of substrates W are stacked in the vertical direction at intervals in a horizontal posture.

送風ダクト２２９および排気ダクト２３０は、ハウジング２２０に接続されている。ヒータ２２８によって加熱された室温よりも高温の気体（熱風）は、送風ダクト２２９を介してハウジング２２０内に供給される。また、ハウジング２２０内の気体は、排気ダクト２３０から排出される。送風ダクト２２９からハウジング２２０内に送られる気体は、清浄空気（クリーンエア）であってもよいし、窒素ガスなどの不活性ガスであってもよいし、清浄空気および不活性ガス以外の気体であってもよい。   The air duct 229 and the exhaust duct 230 are connected to the housing 220. A gas (hot air) having a temperature higher than room temperature heated by the heater 228 is supplied into the housing 220 through the air duct 229. Further, the gas in the housing 220 is exhausted from the exhaust duct 230. The gas sent from the air duct 229 into the housing 220 may be clean air (clean air), an inert gas such as nitrogen gas, or a gas other than clean air and inert gas. There may be.

熱風が送風ダクト２２９からハウジング２２０に送られると、ハウジング２２０の内部が、熱風で満たされ、ハウジング２２０内の温度が室温よりも上昇する。また、ハウジング２２０内の気体が排気ダクト２３０から排出されるので、熱風の供給が継続されている間は、ハウジング２２０内の気体が新たな熱風に順次置換される。そのため、ハウジング２２０内が高温に維持される。支持部材２２７に支持されている基板Ｗは、ハウジング２２０内に供給された熱風によって加熱される。これにより、基板Ｗの全域が均一に加熱され、基板Ｗ全域の温度が室温よりも高い温度に維持される。   When hot air is sent from the air duct 229 to the housing 220, the interior of the housing 220 is filled with hot air, and the temperature in the housing 220 rises above room temperature. Further, since the gas in the housing 220 is discharged from the exhaust duct 230, the gas in the housing 220 is sequentially replaced with new hot air while the supply of hot air is continued. Therefore, the inside of the housing 220 is maintained at a high temperature. The substrate W supported by the support member 227 is heated by the hot air supplied into the housing 220. As a result, the entire area of the substrate W is heated uniformly, and the temperature of the entire area of the substrate W is maintained at a temperature higher than room temperature.

制御装置５（図１参照）は、第１実施形態の基板Ｗの処理の一例と同様に、第１通過ユニット２０６によって、基板Ｗに供給される薬液の温度よりも高い温度まで基板Ｗを加熱させる。したがって、基板Ｗの温度と薬液の温度とが概ね等しい状態で、薬液が基板Ｗに供給される。これにより、基板Ｗが薬液によって均一に処理される。そして、制御装置５は、基板Ｗが処理ユニット４によって処理された後、第２通過ユニット２０７によって、室温よりも高い温度まで基板Ｗを加熱させる。これにより、残留水分が基板Ｗから除去され、基板Ｗの乾燥不良が抑制または防止される。   The control device 5 (see FIG. 1) heats the substrate W to a temperature higher than the temperature of the chemical solution supplied to the substrate W by the first passage unit 206 as in the example of the processing of the substrate W of the first embodiment. Let Accordingly, the chemical solution is supplied to the substrate W in a state where the temperature of the substrate W and the temperature of the chemical solution are substantially equal. Thereby, the substrate W is uniformly processed by the chemical solution. Then, after the substrate W is processed by the processing unit 4, the control device 5 causes the second passage unit 207 to heat the substrate W to a temperature higher than room temperature. Thereby, residual moisture is removed from the substrate W, and drying failure of the substrate W is suppressed or prevented.

［第３実施形態］
図８Ａおよび図８Ｂは、本発明の第３実施形態に係る第１通過ユニット３０６および第２通過ユニット３０７の内部を水平方向から見た模式図である。この図８Ａおよび図８Ｂにおいて、前述の図１〜図７に示された各部と同等の構成部分については、図１等と同一の参照符号を付してその説明を省略する。 [Third Embodiment]
8A and 8B are schematic views of the inside of the first passage unit 306 and the second passage unit 307 according to the third embodiment of the present invention as seen from the horizontal direction. 8A and 8B, the same components as those shown in FIGS. 1 to 7 are given the same reference numerals as those in FIG. 1 and the description thereof is omitted.

第３実施形態に係る基板処理装置３０１は、中継ユニットを除き、第１実施形態に係る基板処理装置１と同様の構成を備えている。すなわち、基板処理装置３０１は、第１実施形態に係る中継ユニット３に代えて、基板Ｗの受け渡しが行われる中継ユニット３０３を含む。
中継ユニット３０３の第１通過ユニット３０６は、光の照射によって基板Ｗを加熱する複数の加熱ユニット３０８を備えている。同様に、中継ユニット３０３の第２通過ユニット３０７は、光の照射によって基板Ｗを加熱する複数の加熱ユニット３０８を備えている。図示はしないが、第１通過ユニット３０６の複数の加熱ユニット３０８は、上下方向に積層されており、第２通過ユニット３０７の複数の加熱ユニット３０８は、上下方向に積層されている。 The substrate processing apparatus 301 according to the third embodiment has the same configuration as the substrate processing apparatus 1 according to the first embodiment except for the relay unit. That is, the substrate processing apparatus 301 includes a relay unit 303 that transfers the substrate W in place of the relay unit 3 according to the first embodiment.
The first passage unit 306 of the relay unit 303 includes a plurality of heating units 308 that heat the substrate W by light irradiation. Similarly, the second passage unit 307 of the relay unit 303 includes a plurality of heating units 308 that heat the substrate W by light irradiation. Although not shown, the plurality of heating units 308 of the first passage unit 306 are stacked in the vertical direction, and the plurality of heating units 308 of the second passage unit 307 are stacked in the vertical direction.

加熱ユニット３０８は、基板Ｗを支持する支持部材２２７と、支持部材２２７に支持されている基板Ｗの上面または下面に光を照射するランプ３３１と、複数の支持部材２２７を収容するハウジング２０と、ハウジング２０の２つの開口部２０ａ、２０ｂをそれぞれ覆う第１扉２１および第２扉２２と、ハウジング２０に対して第１扉２１および第２扉２２を移動させる開閉アクチュエータ２３とを含む。   The heating unit 308 includes a support member 227 that supports the substrate W, a lamp 331 that irradiates light on the upper or lower surface of the substrate W supported by the support member 227, and a housing 20 that houses a plurality of support members 227. A first door 21 and a second door 22 that respectively cover the two openings 20 a and 20 b of the housing 20, and an opening / closing actuator 23 that moves the first door 21 and the second door 22 relative to the housing 20.

ランプ３３１は、基板Ｗの上面または下面の一部だけに光を照射する構成であってもよいし、基板Ｗの上面または下面の全域に光を照射する構成であってもよい。図８Ａでは、基板Ｗの上面周縁部だけに光を照射するリングランプ３３１Ａが、ランプ３３１として用いられている場合を示しており、図８Ｂでは、基板Ｗの上面全域に光が照射されるように平行に配置された複数本の棒状ランプ３３１Ｂが、ランプ３３１として用いられている場合を示している。   The lamp 331 may be configured to irradiate only a part of the upper surface or lower surface of the substrate W, or may be configured to irradiate light over the entire upper surface or lower surface of the substrate W. FIG. 8A shows a case where a ring lamp 331A that irradiates light only on the peripheral edge of the upper surface of the substrate W is used as the lamp 331. FIG. 8B shows that light is irradiated on the entire upper surface of the substrate W. In this example, a plurality of rod-shaped lamps 331B arranged in parallel with each other are used as the lamp 331.

基板Ｗは、ランプ３３１からの光の照射によって加熱される。制御装置５（図１参照）は、光の強さや照射時間などの条件を調整することにより、基板Ｗの温度を調整する。制御装置５は、第１実施形態の基板Ｗの処理の一例と同様に、薬液が基板Ｗに供給される前に、第１通過ユニット３０６の加熱ユニット３０８によって基板Ｗを加熱させる。これにより、基板Ｗの温度と薬液の温度とが概ね等しい状態で、薬液が基板Ｗに供給される。そして、制御装置５は、基板Ｗが処理ユニット４によって処理された後、第２通過ユニット３０７の加熱ユニット３０８によって、室温よりも高い温度まで基板Ｗを加熱させる。これにより、残留水分が基板Ｗから除去され、基板Ｗの乾燥不良が抑制または防止される。   The substrate W is heated by irradiation with light from the lamp 331. The control device 5 (see FIG. 1) adjusts the temperature of the substrate W by adjusting conditions such as light intensity and irradiation time. The controller 5 heats the substrate W by the heating unit 308 of the first passage unit 306 before the chemical solution is supplied to the substrate W, as in the example of the processing of the substrate W of the first embodiment. Thereby, the chemical solution is supplied to the substrate W in a state where the temperature of the substrate W and the temperature of the chemical solution are substantially equal. Then, after the substrate W is processed by the processing unit 4, the control device 5 causes the heating unit 308 of the second passage unit 307 to heat the substrate W to a temperature higher than room temperature. Thereby, residual moisture is removed from the substrate W, and drying failure of the substrate W is suppressed or prevented.

［他の実施形態］
本発明の第１〜第３実施形態の説明は以上であるが、本発明は、前述の第１〜第３実施形態の内容に限定されるものではなく、請求項記載の範囲内において種々の変更が可能である。
たとえば、基板Ｗの温度を検出する温度センサＳ１（図１参照）が、センターロボットＣＲのハンドＨに設けられてもよい。この場合、制御装置５は、基板Ｗが処理ユニット４内に搬入される前に、センターロボットＣＲに保持されている基板Ｗの温度を、温度センサＳ１の検出値に基づいて検出できる。したがって、センターロボットＣＲに保持されている基板Ｗの温度が予め定められた温度まで低下していない場合には、制御装置５は、処理ユニット４への基板Ｗの搬入を停止させてもよい。 [Other Embodiments]
Although the description of the first to third embodiments of the present invention has been described above, the present invention is not limited to the contents of the first to third embodiments described above, and various modifications can be made within the scope of the claims. It can be changed.
For example, a temperature sensor S1 (see FIG. 1) that detects the temperature of the substrate W may be provided in the hand H of the center robot CR. In this case, the controller 5 can detect the temperature of the substrate W held by the center robot CR based on the detection value of the temperature sensor S1 before the substrate W is carried into the processing unit 4. Therefore, when the temperature of the substrate W held by the center robot CR is not lowered to a predetermined temperature, the control device 5 may stop the loading of the substrate W into the processing unit 4.

また、第１〜第３実施形態では、基板が処理液で処理される前に、処理ユニットの外（第１通過ユニット）で基板を加熱すると共に、基板が処理液で処理された後に、処理ユニットの外（第２通過ユニット）で基板を加熱する場合について説明した。しかし、処理済みの基板が加熱されずに第２通過ユニットに中継されてもよい。この場合、第２通過ユニットに熱源を設けなくてもよいので、基板処理装置の製造コストを低減できる。   In the first to third embodiments, the substrate is heated outside the processing unit (first passing unit) before the substrate is processed with the processing liquid, and after the substrate is processed with the processing liquid, the processing is performed. The case where the substrate is heated outside the unit (second passing unit) has been described. However, the processed substrate may be relayed to the second passage unit without being heated. In this case, since it is not necessary to provide a heat source in the second passage unit, the manufacturing cost of the substrate processing apparatus can be reduced.

また、第１〜第３実施形態では、インデクサロボットからセンターロボットに搬送される基板（処理前の基板）が、第１通過ユニットによって中継され、センターロボットからインデクサロボットに搬送される基板（処理済みの基板）が、第２通過ユニットによって中継される場合について説明したが、処理前および処理済みの基板が、共通の通過ユニットによって中継されてもよい。   In the first to third embodiments, the substrate (substrate before processing) transferred from the indexer robot to the center robot is relayed by the first passing unit, and the substrate (processed) is transferred from the center robot to the indexer robot. However, the substrate before and after processing may be relayed by a common passing unit.

また、第１〜第３実施形態では、基板の温度と薬液の温度とが概ね等しい状態で、薬液が基板に供給される場合について説明したが、室温よりも高ければ、基板の温度は、薬液の温度より低くてもよい。このような場合でも、基板の温度が室温であるときよりも基板と薬液との温度差が小さいので、処理の均一性を高めることができる。
また、第１〜第３実施形態では、基板の温度が全域に亘って均一な状態で、薬液が基板に供給される場合について説明したが、基板の周縁部が基板の中央部よりも高温の状態で、薬液を基板に供給してもよい。すなわち、第１実施形態では、図５の時間ｔ１から基板への薬液の供給が開始される場合について説明したが、図５の時間ｔ２から基板への薬液の供給が開始されてもよい。基板上での薬液の温度は、通常、基板の回転中心から離れるに従って低下していく。したがって、基板の周縁部が基板の中央部よりも高温の状態で薬液を基板に供給することにより、基板上での薬液の温度のばらつきを低減できる。これにより、処理の均一性を高めることができる。 In the first to third embodiments, the case where the chemical liquid is supplied to the substrate in a state where the temperature of the substrate and the temperature of the chemical liquid are approximately equal has been described. However, if the temperature is higher than room temperature, the temperature of the substrate is It may be lower than the temperature. Even in such a case, since the temperature difference between the substrate and the chemical solution is smaller than when the substrate temperature is room temperature, the processing uniformity can be improved.
In the first to third embodiments, the case where the chemical liquid is supplied to the substrate in a state where the temperature of the substrate is uniform over the entire region has been described. However, the peripheral portion of the substrate is hotter than the central portion of the substrate. In the state, the chemical solution may be supplied to the substrate. That is, in the first embodiment, the case where the supply of the chemical solution to the substrate is started from time t1 in FIG. 5 has been described. However, the supply of the chemical solution to the substrate may be started from time t2 in FIG. The temperature of the chemical solution on the substrate usually decreases as the distance from the center of rotation of the substrate increases. Therefore, by supplying the chemical liquid to the substrate in a state where the peripheral edge of the substrate is hotter than the central portion of the substrate, the temperature variation of the chemical liquid on the substrate can be reduced. Thereby, the uniformity of a process can be improved.

また、第１〜第３実施形態では、第１通過ユニットの加熱ユニット（第１加熱ユニット）の構成と、第２通過ユニットの加熱ユニット（第２加熱ユニット）の構成とが同じである場合について説明したが、第１加熱ユニットの構成と、第２加熱ユニットの構成とは異なっていてもよい。
また、第１〜第３実施形態では、デバイス形成面である基板の表面が上に向けられた状態で、当該基板が、第１通過ユニットおよび第２通過ユニットによって中継される場合について説明したが、第１通過ユニットは、基板の表面および裏面を反転させる反転ユニットをさらに備えていてもよい。同様に、第２通過ユニットは、基板の表面および裏面を反転させる反転ユニットをさらに備えていてもよい。この場合、反転ユニットは、基板を挟持する挟持部材と、基板が挟持される挟持状態と基板の挟持が解除される解除状態との間で挟持部材を切り替える切替アクチュエータと、挟持部材が基板を挟持している状態で当該挟持部材を水平な軸線まわりに１８０度回転させる反転アクチュエータとを備えていてもよい。 Moreover, in 1st-3rd embodiment, about the case where the structure of the heating unit (1st heating unit) of a 1st passage unit and the structure of the heating unit (2nd heating unit) of a 2nd passage unit are the same. Although described, the configuration of the first heating unit and the configuration of the second heating unit may be different.
In the first to third embodiments, the case where the substrate is relayed by the first passage unit and the second passage unit in the state where the surface of the substrate that is the device formation surface is directed upward has been described. The first passing unit may further include a reversing unit that reverses the front surface and the back surface of the substrate. Similarly, the second passage unit may further include a reversing unit that reverses the front surface and the back surface of the substrate. In this case, the reversing unit includes a holding member that holds the substrate, a switching actuator that switches the holding member between a holding state in which the substrate is held and a release state in which the holding of the substrate is released, and the holding member holds the substrate. A reversing actuator that rotates the holding member 180 degrees around a horizontal axis in a state where the holding member is in the state may be provided.

また、第１実施形態では、ホットプレートによって基板を直接加熱する場合について説明したが、基板が存在する空間を加熱することにより、間接的に基板を加熱してもよい。第３実施形態についても同様である。
また、第１〜第３実施形態では、インデクサロボットが基板を一枚ずつ搬送する場合について説明したが、インデクサロボットは、複数枚の基板をそれぞれ複数のハンドに保持した状態で、これらの基板を同時に搬送してもよい。センターロボットについても同様である。 In the first embodiment, the case where the substrate is directly heated by the hot plate has been described. However, the substrate may be indirectly heated by heating the space where the substrate exists. The same applies to the third embodiment.
In the first to third embodiments, the case where the indexer robot transports the substrates one by one has been described. However, the indexer robot holds these substrates in a state where each of the substrates is held by a plurality of hands. You may convey simultaneously. The same applies to the center robot.

また、第１〜第３実施形態では、基板処理装置が、円板状の基板を処理する装置である場合について説明したが、基板処理装置は、液晶表示装置用基板などの多角形の基板を処理する装置であってもよい。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。 In the first to third embodiments, the case where the substrate processing apparatus is an apparatus that processes a disk-shaped substrate has been described. However, the substrate processing apparatus uses a polygonal substrate such as a substrate for a liquid crystal display device. It may be a device for processing.
In addition, various design changes can be made within the scope of matters described in the claims.

１ ：基板処理装置
２ ：ロードポート（収容器保持ユニット）
３ ：中継ユニット
４ ：処理ユニット
５ ：制御装置（搬送時間制御手段）
６ ：第１通過ユニット
７ ：第２通過ユニット
８ ：加熱ユニット（第１加熱ユニット、第２加熱ユニット）
１１ ：薬液ノズル（処理液供給手段）
２０１ ：基板処理装置
２０３ ：中継ユニット
２０６ ：第１通過ユニット
２０７ ：第２通過ユニット
２０８ ：加熱ユニット（第１加熱ユニット、第２加熱ユニット）
３０１ ：基板処理装置
３０３ ：中継ユニット
３０６ ：第１通過ユニット
３０７ ：第２通過ユニット
３０８ ：加熱ユニット（第１加熱ユニット、第２加熱ユニット）
Ｃ ：キャリア（収容器）
ＣＲ ：センターロボット（第２搬送ユニット）
ＩＲ ：インデクサロボット（第１搬送ユニット）
Ｓ１ ：温度センサ（温度検出手段）
Ｗ ：基板 1: substrate processing apparatus 2: load port (container holding unit)
3: Relay unit 4: Processing unit 5: Control device (transport time control means)
6: 1st passage unit 7: 2nd passage unit 8: Heating unit (1st heating unit, 2nd heating unit)
11: Chemical nozzle (treatment liquid supply means)
201: substrate processing apparatus 203: relay unit 206: first passing unit 207: second passing unit 208: heating unit (first heating unit, second heating unit)
301: Substrate processing apparatus 303: Relay unit 306: First passage unit 307: Second passage unit 308: Heating unit (first heating unit, second heating unit)
C: Carrier (container)
CR: Center robot (second transfer unit)
IR: Indexer robot (first transfer unit)
S1: Temperature sensor (temperature detection means)
W: Substrate

Claims (8)

複数枚の基板を収容する収容器を保持する収容器保持ユニットと、
室温よりも高温の処理液を基板に供給する処理液供給手段を含み、基板を室温よりも高温の処理液で処理する処理ユニットと、
複数枚の基板が上下に積層された状態で当該複数枚の基板を保持し、保持された複数枚の基板を室温よりも高く、且つ前記処理液供給手段によって基板に供給される処理液よりも高い温度まで加熱する中継ユニットと、
前記収容器保持ユニットと前記中継ユニットとの間で基板を搬送する第１搬送ユニットと、
前記中継ユニットと前記処理ユニットとの間で、基板の温度が室温よりも高い状態で、基板を搬送する第２搬送ユニットとを備え、
前記中継ユニットによる基板の加熱温度は、基板が前記中継ユニットから前記処理ユニットに搬送される間に低下する基板の温度の分だけ、前記処理液供給手段によって基板に供給される処理液の温度よりも高く設定されている、基板処理装置。 A container holding unit for holding a container for storing a plurality of substrates;
Including a processing liquid supply means for supplying a processing liquid having a temperature higher than room temperature to the substrate, and a processing unit for processing the substrate with a processing liquid having a temperature higher than room temperature ;
Holding a plurality of said plurality of substrates in a state where the substrate is vertically stacked, a plurality of substrates held rather higher than room temperature, and from the processing liquid supplied to the substrate by the treatment liquid supplying means a relay unit for heating to yet higher temperatures,
A first transport unit for transporting a substrate between the container holding unit and the relay unit;
A second transport unit that transports the substrate between the relay unit and the processing unit in a state where the temperature of the substrate is higher than room temperature ;
The heating temperature of the substrate by the relay unit is higher than the temperature of the processing liquid supplied to the substrate by the processing liquid supply means by an amount corresponding to the temperature of the substrate that decreases while the substrate is transported from the relay unit to the processing unit. The substrate processing equipment is also set high . 前記中継ユニットは、
複数枚の基板を加熱する少なくとも一つの第１加熱ユニットを含み、前記第１搬送ユニットから前記第２搬送ユニットに搬送される基板を中継する第１通過ユニットと、
前記第２搬送ユニットから前記第１搬送ユニットに搬送される基板を中継する第２通過ユニットとを含む、請求項１に記載の基板処理装置。 The relay unit is
A first passage unit that includes at least one first heating unit that heats a plurality of substrates and relays a substrate that is transported from the first transport unit to the second transport unit;
The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising a second passing unit that relays a substrate transported from the second transport unit to the first transport unit. 前記第２通過ユニットは、複数枚の基板を加熱する少なくとも一つの第２加熱ユニットを含む、請求項２に記載の基板処理装置。   The substrate processing apparatus according to claim 2, wherein the second passage unit includes at least one second heating unit that heats a plurality of substrates. 前記中継ユニットは、乾燥状態で基板を加熱する、請求項１〜３のいずれか一項に記載の基板処理装置。   The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the relay unit heats the substrate in a dry state. 前記中継ユニットは、基板の各部の温度が基板の中心から遠ざかるに従って高くなるように当該基板を加熱する、請求項１〜４のいずれか一項に記載の基板処理装置。 The said relay unit is a substrate processing apparatus as described in any one of Claims 1-4 which heats the said board | substrate so that the temperature of each part of a board | substrate becomes high as it distances from the center of a board | substrate. 前記第２搬送ユニットを制御することにより、前記中継ユニットから前記処理ユニットまでの基板の搬送時間を制御する搬送時間制御手段をさらに含む、請求項１〜５のいずれか一項に記載の基板処理装置。 The substrate processing according to any one of claims 1 to 5 , further comprising a transfer time control unit that controls a transfer time of the substrate from the relay unit to the processing unit by controlling the second transfer unit. apparatus. 前記第２搬送ユニットによって保持されている基板の温度を検出する温度検出手段をさらに含み、
前記搬送時間制御手段は、前記温度検出手段の検出値に基づいて前記第２搬送ユニットを制御する、請求項６に記載の基板処理装置。 Temperature detection means for detecting the temperature of the substrate held by the second transport unit;
The substrate processing apparatus according to claim 6 , wherein the transfer time control unit controls the second transfer unit based on a detection value of the temperature detection unit. 複数枚の基板を収容する収容器を保持する収容器保持ユニットから中継ユニットに第１搬送ユニットによって複数枚の基板を搬送する第１搬送工程と、
上下に積層された状態で前記中継ユニットによって保持されている複数枚の基板を前記中継ユニットによって室温よりも高い温度まで加熱する加熱工程と、
前記中継ユニットによって加熱された基板を、基板の温度が室温よりも高い状態で、前記中継ユニットから処理ユニットに第２搬送ユニットによって搬送する第２搬送工程と、
室温よりも高く且つ前記加熱工程における基板の加熱温度よりも低い温度の処理液を前記処理ユニットに搬送された基板に供給して、当該基板を処理する処理工程とを含み、
前記加熱工程における基板の加熱温度は、前記第２搬送工程の間に低下する基板の温度の分だけ、前記処理工程において基板に供給される処理液の温度よりも高く設定されている、基板処理方法。 A first transfer step of transferring a plurality of substrates by a first transfer unit from a container holding unit that holds a container for storing a plurality of substrates to a relay unit;
A heating step of heating a plurality of substrates held by the relay unit in a state of being stacked up and down to a temperature higher than room temperature by the relay unit;
A second transport step of transporting the substrate heated by the relay unit from the relay unit to the processing unit by the second transport unit in a state where the temperature of the substrate is higher than room temperature;
By supplying a process liquid temperature lower than the heating temperature of the substrate in high and the heating step than the room temperature substrate transferred to the processing unit, seen including a processing step of processing the substrate,
The substrate processing temperature in the heating step is set higher than the temperature of the processing liquid supplied to the substrate in the processing step by an amount corresponding to the temperature of the substrate that decreases during the second transport step. Method.
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