JP6238789B2 - 半導体装置 - Google Patents
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Claims (9)
- ヘテロ接合を有する半導体積層体と、
前記半導体積層体上に設けられているドレイン電極と、
前記半導体積層体上に設けられており、前記ドレイン電極から離れて配置されているソース電極と、
前記半導体積層体上に設けられており、前記ドレイン電極と前記ソース電極の間に配置されているp型半導体層と、
前記p型半導体層の一方の端部に電気的に接続するゲート電極と、を備え、
前記p型半導体層の上面の少なくとも一部は、前記ゲート電極と接触しないように構成されており、
前記ドレイン電極は、
ドレインメイン部分と、前記ドレインメイン部分から第1方向の一方の向きに延びる複数のドレイン枝部分と、を有し、
前記ソース電極は、
ソースメイン部分と、前記ソースメイン部分から前記第1方向の前記一方の向きとは反対向きに延びる複数のソース枝部分と、を有し、
前記ドレイン枝部分と前記ソース枝部分は、前記第1方向に直交する第2方向に沿って交互に配置されており、
前記p型半導体層は、
前記第1方向に沿って延びる複数の直線部分と、
隣り合う前記直線部分を接続する複数の接続部分と、を有しており、
前記p型半導体層の前記直線部分は、前記第2方向に沿って観測したときに、前記ドレイン枝部分と前記ソース枝部分の間において、前記ゲート電極と接触しない半導体装置。 - 前記半導体積層体上に設けられており、前記p型半導体層の一方の端部に接触する第1ゲートパッド部をさらに備え、
前記ゲート電極は、前記第1ゲートパッド部上に設けられており、前記第1ゲートパッド部を介して前記p型半導体層の一方の端部に電気的に接続する請求項1に記載の半導体装置。 - 前記第1ゲートパッド部は、前記p型半導体層の一方の端部に接触するp型半導体パッド部分を有しており、
前記p型半導体パッド部分は、前記第1ゲートパッド部上に配置されている前記ゲート電極の一部に接触する請求項2に記載の半導体装置。 - 前記ゲート電極は、前記p型半導体層の他方の端部にも電気的に接続する請求項1〜3のいずれか一項に記載の半導体装置。
- 前記半導体積層体上に設けられており、前記p型半導体層の他方の端部に接触する第2ゲートパッド部をさらに備えており、
前記ゲート電極は、前記第2ゲートパッド部上にも設けられており、前記第2ゲートパッド部を介して前記p型半導体層の他方の端部に電気的に接続する請求項4に記載の半導体装置。 - 前記ドレインメイン部分と前記p型半導体層の前記接続部分の間の距離は、前記ドレイン枝部分と前記p型半導体層の前記直線部分の間の距離よりも大きく、
前記ソース枝部分と前記p型半導体層の前記接続部分の間の距離は、前記ソース枝部分と前記p型半導体層の前記直線部分の間の距離よりも大きく、
前記ドレイン枝部分と前記p型半導体層の前記接続部分の間の距離は、前記ドレイン枝部分と前記p型半導体層の前記直線部分の間の距離よりも大きく、
前記ソースメイン部分と前記p型半導体層の前記接続部分の間の距離は、前記ソース枝部分と前記p型半導体層の前記直線部分の間の距離よりも大きく、
前記p型半導体層の前記接続部分の少なくとも一部は、前記ゲート電極と接触する請求項1〜5のいずれか一項に記載の半導体装置。 - 前記第1ゲートパッド部は、前記ソースメイン部分よりも前記ドレインメイン部分に近い位置に配置されている請求項2又は3に記載の半導体装置。
- ヘテロ接合を有する半導体積層体と、
前記半導体積層体上に設けられているドレイン電極と、
前記半導体積層体上に設けられており、前記ドレイン電極から離れて配置されているソース電極と、
前記半導体積層体上に設けられており、前記ドレイン電極と前記ソース電極の間に配置されているp型半導体層と、
前記p型半導体層の一方の端部に電気的に接続するゲート電極と、
前記半導体積層体上に設けられており、前記p型半導体層の一方の端部に接触する第1ゲートパッド部と、を備え、
前記p型半導体層の上面の少なくとも一部は、前記ゲート電極と接触しないように構成されており、
前記ゲート電極は、前記第1ゲートパッド部上に設けられており、前記ドレイン電極と前記ソース電極の間に位置する前記p型半導体層には接触しておらず、前記第1ゲートパッド部を介して前記p型半導体層の一方の端部に電気的に接続する半導体装置。 - ヘテロ接合を有する半導体積層体と、
前記半導体積層体上に設けられているドレイン電極と、
前記半導体積層体上に設けられており、前記ドレイン電極から離れて配置されているソース電極と、
前記半導体積層体上に設けられており、前記ドレイン電極と前記ソース電極の間に配置されているp型半導体層と、
前記p型半導体層の一方の端部と他方の端部に電気的に接続するゲート電極と、
前記半導体積層体上に設けられており、前記p型半導体層の他方の端部に接触する第2ゲートパッド部と、を備え、
前記p型半導体層の上面の少なくとも一部は、前記ゲート電極と接触しないように構成されており、
前記ゲート電極は、前記第2ゲートパッド部上に設けられており、前記ドレイン電極と前記ソース電極の間に位置する前記p型半導体層には接触しておらず、前記第2ゲートパッド部を介して前記p型半導体層の他方の端部に電気的に接続する半導体装置。
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JP2014035659A JP6238789B2 (ja) | 2014-02-26 | 2014-02-26 | 半導体装置 |
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JP2014035659A JP6238789B2 (ja) | 2014-02-26 | 2014-02-26 | 半導体装置 |
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JP2015162510A JP2015162510A (ja) | 2015-09-07 |
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JP2014035659A Active JP6238789B2 (ja) | 2014-02-26 | 2014-02-26 | 半導体装置 |
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