JP6238664B2 - 溝付き化学機械研磨層の製造方法 - Google Patents

溝付き化学機械研磨層の製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP6238664B2
JP6238664B2 JP2013199324A JP2013199324A JP6238664B2 JP 6238664 B2 JP6238664 B2 JP 6238664B2 JP 2013199324 A JP2013199324 A JP 2013199324A JP 2013199324 A JP2013199324 A JP 2013199324A JP 6238664 B2 JP6238664 B2 JP 6238664B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
axis
mold recess
mold
polishing
nozzle opening
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2013199324A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2014072527A (ja
JP2014072527A5 (ja
Inventor
ジェフリー・ジェームズ・ヘンドロン
ケネス・ヴァヴァラ
ジェフリー・ボーチェート・ミラー
ブライアン・ティー・カントレル
ジェームズ・ティー・ムルナン
キャスリーン・マクヒュー
ジョージ・エイチ・マックレイン
デュロン・エイ・ハット
ロバート・エイ・ブレイディ
クリストファー・エイ・ヤング
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Rohm and Haas Electronic Materials CMP Holdings Inc
Original Assignee
Rohm and Haas Electronic Materials CMP Holdings Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Rohm and Haas Electronic Materials CMP Holdings Inc filed Critical Rohm and Haas Electronic Materials CMP Holdings Inc
Publication of JP2014072527A publication Critical patent/JP2014072527A/ja
Publication of JP2014072527A5 publication Critical patent/JP2014072527A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6238664B2 publication Critical patent/JP6238664B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24BMACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/11Lapping tools
    • B24B37/20Lapping pads for working plane surfaces
    • B24B37/26Lapping pads for working plane surfaces characterised by the shape of the lapping pad surface, e.g. grooved
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24DTOOLS FOR GRINDING, BUFFING OR SHARPENING
    • B24D18/00Manufacture of grinding tools or other grinding devices, e.g. wheels, not otherwise provided for
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24DTOOLS FOR GRINDING, BUFFING OR SHARPENING
    • B24D18/00Manufacture of grinding tools or other grinding devices, e.g. wheels, not otherwise provided for
    • B24D18/0009Manufacture of grinding tools or other grinding devices, e.g. wheels, not otherwise provided for using moulds or presses
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24GRINDING; POLISHING
    • B24DTOOLS FOR GRINDING, BUFFING OR SHARPENING
    • B24D7/00Bonded abrasive wheels, or wheels with inserted abrasive blocks, designed for acting otherwise than only by their periphery, e.g. by the front face; Bushings or mountings therefor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Moulds For Moulding Plastics Or The Like (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)

Description

本発明は、一般的に研磨層製造の分野に関する。とりわけ、本発明は、化学機械研磨パッドに使用する溝付き研磨層を製造する方法に関する。
集積回路および他の電子装置の製造において、導電、半導電および絶縁材料の複数の層が半導体ウェーハの表面に蒸着されるか、表面から除去される。導電、半導電および絶縁材料の薄層は、種々の蒸着技術によって蒸着させることができる。現在のプロセスにおける一般的な蒸着技術は、スパッタリングとも知られる物理蒸着法(PVD)、化学蒸着法(CVD)、プラズマ化学蒸着法(PECVD)および電気化学めっき法(ECP)を包含する。
材料層が順次蒸着および除去されるにつれて、ウェーハの最上面は、非平坦となる。その後の半導体加工(例えば、メタライゼーション)において、ウェーハは、フラットな表面を有する必要があるため、ウェーハを平坦化する必要がある。平坦化は、不要な表面トポグラフィーおよび粗面、凝集材料、結晶格子損傷、スクラッチおよび汚染層または汚染材料などの表面欠陥を除去するのに有効である。
化学機械平坦化または化学機械研磨(CMP)は、半導体ウェーハなどの基板を平坦化するために使用される一般的な技術である。従来のCMPにおいてウェーハは、キャリアアセンブリに搭載され、CMP装置内の研磨パッドに接触させて設置される。キャリアアセンブリは、制御可能な圧力をウェーハに与え、それを研磨パッドに対して押圧する。パッドは、外部駆動力によってウェーハに対して動かされる(例えば、回転する)。それと同時に、化学組成物(「スラリー」)または他の研磨液がウェーハと研磨パッドとの間に供給される。このように、パッド表面およびスラリーの化学機械的作用によってウェーハ表面が研磨され、平坦になる。
化学機械研磨パッドに使用する研磨層は、通常、一つ以上の溝を持つ研磨面を有する。化学機械研磨パッドの研磨面に溝を組み込むことには、いくつかの理由があり、(A)研磨される基板と研磨パッドとの間の接触に必要な流体力学的状態を提供すること(研磨パッドに溝がないか、穿孔されていない場合、研磨媒体の連続層が基板と研磨パッドとの間に存在し、研磨パッドと基板との間の均一な密接接触を妨げ、基板材料の除去速度を有意に低減させるハイドロプレーンを引き起こすことがある);(B)研磨媒体が研磨パッドの研磨面にわたり均一に分配され、十分な研磨媒体が基板の中心に届くことを確実にすること(研磨の化学的要素が機械的要素と同程度に重大である、銅などの反応性金属を研磨するとき、これは殊のほか重要であり;基板の中心と縁部で同じ研磨速度を実現するためには、基板にわたって均一な研磨媒体分配をする必要がある;しかしながら、研磨媒体層の厚さは、研磨パッドと基板との間の直接接触を防げるほど大きくすべきではない);(C)研磨パッドの全体および局所剛性の両方を制御すること(基板表面にわたる研磨の均一性と、異なる高さの基板フィーチャを平らにする研磨パッドの能力とを制御して、極めて平坦な表面を与える);および(D)研磨パッド表面から研磨屑を除去するチャネルとして作用すること(屑の蓄積が基板のスクラッチおよび他の欠陥の可能性を増大させる)を包含する。
多くの研磨用途に使用される特に一般的な溝パターンの一つは、曲線溝と、XYパターンを形成する複数の線形溝とを組み合わせたもの(例えば、XYパターンを形成する複数の線形溝を持つ、複数の同心円形溝)である。しかしながら、そのような溝の組み合わせを持つ研磨パッドを作成する従来の技術は、多くの場合、ストリンガ欠陥の発生をもたらす(図9参照)。それに加えて、事態をより悪くすることに、ストリンガ欠陥の発生がより懸念材料となる三つの動向が市場にある。第一に、溝の深さを増大させることによって、研磨パッドの有効な可使寿命を増大させるという要望がある。第二に、100cmよりも大きい直径を有する現在の大型研磨パッドにおいて研磨パッドのサイズを増大させるという要望がある。最後に、改善された研磨ディフェクト性能を提供するために、益々低い弾性率のポリマーから作られた研磨パッドを供給するという要望がある。これらの動向の各々は、研磨パッド製造中のストリンガ欠陥の発生についての潜在性を増大させる傾向がある。
Reinhardtらの米国特許第5,578,362号に、当技術分野において公知の例示的な研磨層が開示されている。Reinhardtの研磨層は、全体にわたって分散した微小球を有するポリマーマトリクスを含む。一般的に、微小球を液状ポリマー材料に配合および混合し、それを型に添加して硬化させる。当技術分野における従来の知識として、添加プロセスの間に型凹部の内容物に生じる乱れを最小限にすることがある。この結果を達成するために、硬化性材料を型凹部内に溜める際に、それを通して硬化性材料を型凹部に加えるためのノズル開口部の位置を、型凹部の断面に対して中央に維持し、硬化性材料の上面に対して可能な限り固定させることが従来から行われている。それゆえに、従来でのノズル開口部の位置は、添加プロセスの全体にわたって型凹部内の硬化性材料の上面の上方に設定された高度を維持するために一次元でのみ移動する。次に、革削ぎブレードを使用して成形品を薄く切り出して研磨層を形成し、砥石で定期的にドレッシングする。都合の悪いことに、この製法で形成された研磨層は、好ましくない欠陥(例えば、密度欠陥および平らでない引っかき傷のある表面)を示すことがある。
密度欠陥は、研磨層材料の嵩密度のばらつきとして現れる。換言すると、より低い充填材濃度を有する区域(例えば、Reinhardtの研磨層における微小球)として現れる。密度欠陥は、一つの研磨層とその次の層との間および単一研磨層内において、研磨層の有効な可使寿命にわたって、予測不能な、ことによると悪影響となる研磨性能のばらつきを引き起こすことがあると考えられるため、望ましくない。
超フラットな研磨面を示す研磨層の製造が益々望まれている。
それゆえに、望ましくない密度欠陥の形成をさらに最小限にするか解消し、研磨層の研磨面の表面粗さを最小限にし、ストリンガ欠陥の発生を最小限にする、化学機械研磨パッド用の研磨層を製造するための改善された方法が要望されている。
本発明は、化学機械研磨パッドに使用する溝付き研磨面を持つ研磨層を製造する方法であって:溝なしの研磨面を持つ研磨層を供給する工程と;溝なしの研磨面に少なくとも一つの曲線溝を第1の機械加工する工程と;その後、溝付き研磨面を持つ研磨層を生成するために、研磨面にXYグリッドパターンの複数の線形溝を機械加工する工程と、を含み;複数の線形溝は、ステップダウンプロセスによって機械加工され、溝切削工具は、各線形溝を形成するために複数の連続的な切削パスを作り、各連続的な切削パスは、形成される線形溝の深さを増大させる方法を提供する。
本発明は、化学機械研磨パッドに使用する溝付き研磨面を持つ研磨層を製造する方法であって:型基部および型基部に取り付けられた囲壁部を有する型を供給する工程と;上面、底面、および、2〜10cmの平均厚さを持つライナーを供給する工程と;接着剤を供給する工程と;液状プレポリマーを含む硬化性材料を供給する工程と;ノズル開口部を有するノズルを供給する工程と;刃先を持つ革削ぎブレードを供給する工程と;革砥を供給する工程と;革砥研ぎ研磨剤を供給する工程と;ライナーの上面と囲壁部とが型凹部を画定するように、接着剤を使用してライナーの底面と型基部とを接着する工程と;装填時間CPの間、ノズル開口部を通して型凹部に硬化性材料を装填する工程と;型凹部内の硬化性材料をケーキへと硬化させる工程と;型基部およびケーキから囲壁部を分離させる工程と;革砥研ぎ研磨剤を刃先に適用する工程と;革削ぎブレードを革砥で研ぐ工程と;革削ぎブレードを使用してケーキを薄く切り出すことによって、溝なしの研磨面を持つ研磨層を供給する工程とを含み;溝なしの研磨面に、少なくとも一つの曲線溝を溝なしの研磨面に第1の機械加工をし;その後、溝付き研磨面を持つ研磨層を生成するために、研磨面にXYグリッドパターンの複数の線形溝を研磨面に機械加工し;複数の線形溝がステップダウンプロセスによって機械加工され、溝切削工具が各線形溝を形成するために複数の連続的な切削パスを作り、各連続的な切削パスが形成される線形溝の深さを増大させる方法を提供する。
本発明は、化学機械研磨パッドに使用する溝付き研磨面を持つ研磨層を製造する方法であって:型基部および型基部に取り付けられた囲壁部を有する型を供給する工程と;上面、底面および2〜10cmの平均厚さを持つライナーを供給する工程と;接着剤を供給する工程と;液状プレポリマーおよび複数の微小成分を含む硬化性材料を供給する工程と;ノズル開口部を有するノズルを供給する工程と;刃先を持つ革削ぎブレードを供給する工程と;革砥を供給する工程と;革砥研ぎ研磨剤を供給する工程と;ライナーの上面が型凹部の水平内部境界を画定し、型の内部水平境界がx−y平面に沿って向いており、型凹部がx−y平面と垂直の中心軸Caxisを有し、型凹部がドーナツ穴領域およびドーナツ領域を有する、ライナーの上面と囲壁部とが型凹部を画定するように、接着剤を使用してライナーの底面と型基部とを接着する工程と;装填時間CPが初期段階、転移段階および残段階として区別される三つの個別の段階に分割され;ノズル開口部がある位置を有しており、硬化性材料を型凹部内に溜める際にそのノズル開口部の位置が型凹部内の硬化性材料の上面の上方に維持されるように、装填時間CPの間、型基部に対応する型凹部の中心軸Caxisに沿って移動し;初期段階の全体にわたってノズル開口部の位置がドーナツ穴領域内にあり;転移段階の間、ノズル開口部の位置がドーナツ穴領域内にある状態からドーナツ領域内にある状態へと転移し;残段階の間、ノズル開口部の位置がドーナツ領域内にあり;型凹部が実質的に円形の断面Cx−sectを有する略直円柱形状領域の形状であり;型凹部が型凹部の中心軸Caxisと一致する対称軸Cx−symを有し;直円柱形状領域が以下に定義される断面積Cx−areaを有し:
x−area=πr
ここで、rはx−y平面上に投影される型凹部の断面積Cx−areaの平均の半径であり;ドーナツ穴領域はx−y平面上に円形断面DHx−sectを投影し、対称軸DHaxisを有する、型凹部内の直円柱形状領域であり;ドーナツ穴は以下に定義される断面積DHx−areaを有し:
DHx−area=πrDH
ここで、rDHはドーナツ穴領域の円形断面DHx−sectの半径であり;ドーナツ領域はx−y平面上に環状断面Dx−sectを投影し、ドーナツ領域対称軸Daxisを有する、型凹部内のトロイド形状領域であり;環状断面Dx−sectは以下に定義される断面積Dx−areaを有し:
x−area=πR −πr
ここで、Rはドーナツ領域の環状断面Dx−sectの外周半径であり;rはドーナツ領域の環状断面Dx−sectの内周半径であり;r≧rDHであり;R>rであり;R<rであり;Cx−sym、DHaxisおよびDaxisの各々がx−y平面と垂直である、装填時間CPの間、ノズル開口部を通して型凹部に硬化性材料を装填する工程と;型凹部内の硬化性材料をケーキへと硬化させる工程と;型基部およびケーキから囲壁部を分離させる工程と;革砥研ぎ研磨剤を刃先に適用する工程と;革削ぎブレードを革砥で研ぐ工程と;革削ぎブレードを使用してケーキを薄く切り出すことによって、溝なしの研磨面を持つ研磨層を供給する工程とを含み;最初に、少なくとも一つの曲線溝を溝なしの研磨面に機械加工し;次に、XYグリッドパターンの複数の線形溝を研磨面に機械加工して溝付き研磨面を持つ研磨層を生成し;複数の線形溝がステップダウンプロセスによって機械加工され、溝切削工具が複数の連続的な切削パスを作って各線形溝を形成し、各連続的な切削パスが形成される線形溝の深さを増大させる方法を提供する。
型を示す側面立面図である。 実質的に円形の断面を持つ型凹部を有する型を示す斜視上面/側面図である。 型凹部内のドーナツ穴領域およびドーナツ領域を示した、実質的に円形の断面を持つ型凹部を有する型を示す斜視上面/側面図である。 図3に示されるドーナツ穴およびドーナツ領域を示す上平面図である。 硬化性材料によって部分的に充填された型凹部内に配置されたノズルを持つ、実質的に円形の断面を有する型凹部を示す斜視上面/側面図である。 図5Aに示される型凹部を示す側面立面図である。 複数の例示的な初期段階および転移段階の経路を示した、ドーナツ穴領域およびドーナツ領域を持つ実質的に円形の断面を有する型凹部を示す斜視上面/側面図である。 図6Aに示される型凹部を示す側面立面図である。 図6Aに示される初期段階および転移段階の経路のx−y平面上への投影を示した、図6Aに示される型凹部を示す上平面図である。 例示的な残段階の経路を示した、ドーナツ穴領域およびドーナツ領域を持つ実質的に円形の断面を有する型凹部を示す斜視上面/側面図である。 図7Aに示される型凹部を示す側面立面図である。 図7Aに示される残段階の経路のx−y平面上への投影を示した、図7Aに示される型凹部を示す上平面図である。 ノズル開口部が円形である、ノズル開口部を示す平面図である。 ノズル開口部が非円形である、ノズル開口部を示す平面図である。 ストリンガ欠陥250を持つ研磨層225の研磨面の一部を示す、上からの見下ろし図である。
詳細な説明
驚くべきことに、研磨層が少なくとも一つの曲線溝およびXYパターンを形成する複数の線形溝を持つ研磨面を有する、化学機械研磨パッド用の研磨層の製造において、ステップダウンプロセスを使用して、少なくとも一つの事前に機械加工された曲線溝を持つ研磨面に線形溝を機械加工する(溝切削工具が複数の連続的な切削パスを作って各線形溝を形成し、各連続的な切削パスが形成される線形溝の深さを増大させる)ことは、複数の線形溝が単一パスの全深さ切削技術を使用して機械加工されること以外は同じプロセスを使用して生成された研磨層と比較したとき、ストリンガ欠陥の形成の低減をもたらすことが見出された。
驚くべきことに、本発明の溝なしの研磨面を持つ研磨層を供給する好ましい方法は、硬化性材料を型凹部内に装填しながら、それを通して硬化性材料を型凹部に装填するノズル開口部の位置を、型凹部の中心軸Caxisに沿っておよびそれを中心としての両方において三次元で移動させることにより、ノズル開口部の位置が型凹部の中心軸Caxisに沿って一次元でのみ移動する同様のプロセスによって生成された研磨層に対して、生成された研磨層における密度欠陥の発生を有意に低減させることが見出された。本発明の方法による、溝なしの研磨面を持つ研磨層を供給するこの好ましい方法は、装填時間CPの全体にわたってノズル開口部の位置が型凹部の中心軸Caxisに沿って一次元でのみ(すなわち、硬化性材料を型凹部内に溜める際に、硬化性材料の上面の上方に設定された高度にノズル開口部の位置を維持するために)移動し、ケーキを革削ぎする前に革削ぎブレードを革砥で研ぐのではなく砥石で研ぐこと以外は同じプロセスを使用して生成された研磨層と比較して、表面粗さが低減した溝なしの研磨面をもたらすことも見出された。革削ぎブレードの刃先がケーキを複数の溝なし研磨層に革削ぎした後ほとんど気付かない程度に歪み、波立つことが発見された。刃先を砥石で研ぐ先行技術の手法が、刃先の波立った部分から材料の除去をもたらし、フラットにホーニングされた表面を供給するが、革削ぎブレードの長さにわたる刃先の引張特性の変動という代償を払い、その切削特性の不均一性およびそれによって生成される溝なし研磨層における表面粗さの増大をもたらすと考えられる。驚くべきことに、刃先を革砥で研ぐことは、革削ぎブレードの長さにわたるより一貫した刃先を維持しながら、刃先の波立った部分のフラット化およびホーニングの両方を容易にし、それによって生成される溝なし研磨層の表面粗さの有意な低減をもたらすことが見出された。研磨面の表面粗さの低減が研磨層を含有する化学機械研磨パッドのその後の使用中における研磨ディフェクト性能の改善を容易にすると考えられる。
本明細書および請求の範囲において使用する用語「表面粗さ」とは、表面形状測定器、例として、下記のパラメーター設定(測定タイプ―ガウス分布;傾斜―直線;傾斜補正―最小二乗;測定長さ―0.6インチ(15.24mm);カットオフ波長―0.1インチ(2.54mm);測定速度―0.24inch/s(6.1mm/s)およびフィルタのカットオフ比―300)を使用するZeiss Surfcom表面形状測定器を使用して計測される溝なし研磨層の研磨面の粗さを意味する。
本明細書および請求の範囲において使用する用語「装填時間またはCP」とは、最初の硬化性材料が型凹部内に導入された時点から開始し、最後の硬化性材料が型凹部内に導入される時点までの、硬化性材料が型凹部内に装填される間の時間(秒)を意味する。
本明細書および請求の範囲において使用する用語「装填流量またはCR」とは、装填時間CP(秒)の間、硬化性材料が型凹部内に装填される質量流量(kg/sec)を意味する。
本明細書および請求の範囲において使用する用語「初期段階開始点またはSPIP」とは、装填時間の開始と一致する、装填時間の初期段階の開始時におけるノズル開口部の位置を意味する。
本明細書および請求の範囲において使用する用語「初期段階終点またはEPIP」とは、装填時間の転移段階が開始される直前である、装填時間の初期段階の終了時におけるノズル開口部の位置を意味する。
本明細書および請求の範囲において使用する用語「初期段階の経路」とは、初期段階開始点SPIPから初期段階終点EPIPまでの装填時間の初期段階の間におけるノズル開口部の位置の移動(そのような移動がある場合)の経路を意味する。
本明細書および請求の範囲において使用する用語「転移段階開始点またはSPTP」とは、装填時間の転移段階の開始時におけるノズル開口部の位置を意味する。転移段階開始点SPTPと初期段階終点EPIPとは同じ位置である。
本明細書および請求の範囲において使用する用語「転移段階転移点またはTPTP」とは、型凹部の中心軸Caxisに対応するノズル開口部の位置の移動の方向(すなわち、xおよびy次元での移動の方向)が変化する、装填時間の転移段階の間におけるノズル開口部の位置を意味する。
本明細書および請求の範囲において使用する用語「転移段階終点またはEPTP」とは、型凹部の中心軸Caxisに対応するノズル開口部の位置の移動の方向が変化する、型凹部のドーナツ領域内におけるノズル開口部の最初の位置を意味する。転移段階終点EPTPは、装填時間の残段階の直前である、装填時間の転移段階の終了時におけるノズル開口部の位置でもある。
本明細書および請求の範囲において使用する用語「転移段階の経路」とは、転移段階開始点SPTPから転移段階終点EPTPまでの装填時間の転移段階の間におけるノズル開口部の位置が辿る経路を意味する。
本明細書および請求の範囲において使用する用語「残段階開始点またはSPRP」とは、装填時間の残段階の開始時におけるノズル開口部の位置を意味する。残段階開始点SPRPと転移段階終点EPTPとは同じ位置である。
本明細書および請求の範囲において使用する用語「残段階転移点またはTPRP」とは、型凹部の中心軸Caxisに対応するノズル開口部の位置の移動の方向が変化する、装填時間の残段階の間におけるノズル開口部の位置を意味する。
本明細書および請求の範囲において使用する用語「残段階終点またはEPRP」とは、装填時間の終了と一致する、装填時間の残段階の終了時におけるノズル開口部の位置を意味する。
本明細書および請求の範囲において使用する用語「残段階の経路」とは、残段階開始点SPRPから残段階終点EPRPまでの装填時間の残段階の間におけるノズル開口部の位置が辿る経路を意味する。
本明細書および請求の範囲において使用する用語「ポリ(ウレタン)」とは、ポリオール、ジオール、アミン、水、またはこれらの組み合わせを非限定的に包含する活性水素基を含有する化合物を持つ、(イソシアネート末端プレポリマーを包含する)二官能性または多官能性イソシアネートの反応から得られる生成物を包含する。そのような反応生成物の例は、ポリウレタン、ポリ尿素、ポリウレタン尿素、ポリエーテルウレタン、ポリエステルウレタン、ポリエーテル尿素、ポリエステル尿素、ポリイソシアヌレート、それらのコポリマーおよびそれらの混合物を非限定的に包含する。
本明細書および請求の範囲においてライナーに関して使用する用語「実質的に非多孔性の」とは、ライナーが体積で5%以下の空隙率を含有することを意味する。
本明細書および請求の範囲において装填時間中の硬化性材料の装填流量に関して使用する用語「本質的に一定」とは、下記の式の両方が満たされることを意味し:
CRmax≦(1.1CRavg
CRmin≧(0.9CRavg
ここで、CRmaxは装填時間中に硬化性材料が型凹部内に装填される最大質量流量(kg/sec)であり;CRminは装填時間中に硬化性材料が型凹部内に装填される最小質量流量(kg/sec)であり;CRavgは装填時間にわたり型凹部に装填された硬化性材料の合計質量(kg)を、装填時間(秒)の長さで割ったものである。
本明細書および請求の範囲において硬化性材料に関して使用する用語「ゲル化時間」とは、ASTM D3795-00a (Reapproved 2006)(Standard Test Method for Thermal Flow, Cure, and Behavior Properties of Pourable Thermosetting Materials by Torque Rheometer)による標準試験方法を使用して計測される、その混合物の合計硬化時間を意味する。
本明細書および請求の範囲において溝に関して使用する用語「実質的に円形」とは、溝の最小直径よりも20%以下の差で長い溝の最大直径を意味する。
本明細書および請求の範囲において型凹部(20)に関して使用する用語「実質的に円形の断面」とは、型凹部の中心軸Caxis(22)から囲壁部(15)の垂直内部境界(18)までのx−y平面(30)上に投影される型凹部(20)の最大の半径rが型凹部の中心軸Caxis(22)から垂直内部境界(18)までのx−y平面(30)上に投影される型凹部(20)の最小の半径rよりも20%以下の差で長いことを意味する(図2参照)。
本明細書および請求の範囲において使用する用語「型凹部」とは、ライナー(4)の上面(6,12)に相当する水平内部境界(14)と、囲壁部(15)の垂直内部境界(18)とによって画定される体積を意味する(図1〜3参照)。
本明細書および請求の範囲において研磨面の平面における研磨層の対称軸に対応する曲線溝の対称軸に関して使用する用語「実質的に一致する」とは、中心に研磨層の対称軸を有し、研磨面の平面における研磨層の最大の半径の10%と均等な半径を有する、研磨面の平面における円形区域内に曲線溝の対称軸が入ることを意味する。
本明細書および請求の範囲において第二のフィーチャ(例えば、軸、x−y平面)に対する第一のフィーチャ(例えば、水平内部境界、垂直内部境界)に関して使用する用語「実質的に垂直」とは、第一のフィーチャが第二のフィーチャに対して80〜100°の角度であることを意味する。
本明細書および請求の範囲において第二のフィーチャ(例えば、軸、x−y平面)に対する第一のフィーチャ(例えば、水平内部境界、垂直内部境界)に関して使用する用語「本質的に垂直」とは、第一のフィーチャが第二のフィーチャに対して85〜95°の角度であることを意味する。
本明細書および請求の範囲において使用する用語「密度欠陥」とは、研磨層の残部に対して有意に低減した充填剤濃度を有する、研磨層における領域を意味する。密度欠陥は、研磨層の残部と比較して著しく高い透明度を有する領域として密度欠陥が見えるライトテーブル上に研磨層を置いて肉眼で目視することにより検出可能である。
本明細書および請求の範囲においてノズル開口部に関して使用する用語「ノズル開口部半径またはrNO」とは、ノズル開口部を完全に塞ぐことができる、最小円SCの半径rSCを意味する。換言すれば、rNO=rSCである。実例として、図8Aおよび8Bを参照されたい。図8Aは、半径rSC(64a)を有する最小円SC(63a)によって完全に塞がれたノズル開口部(62a)を示す平面図であり;ノズル開口部が円形である。図8Bは、半径rSC(64b)を有する最小円SC(63b)によって完全に塞がれたノズル開口部(62b)を示す平面図であり;ノズル開口部が非円形である。好ましくは、rNOは5〜13mmである。より好ましくは、rNOは8〜10mmである。
本発明の方法に使用される溝なしの研磨面を持つ研磨層は、好ましくは、型基部(2)および型基部(2)に取り付けられた囲壁部(8)を有する型(1)を使用して作成されたケーキから供給され;上面(6)、底面(3)および平均厚さ(5)tを持つライナー(4)がライナー(4)の底面(3)と型基部(2)との間に介在させた接着剤(7)を使用して型基部(2)に接着される。(図1参照)。
ライナー(4)は、硬化性材料が反応して凝固したケーキを形成する際の硬化性材料の嵌合を容易にし、硬化性材料が十分な強度でライナー(4)と接着し、これにより、革削ぎされる間、硬化したケーキがライナーから剥離することはない。好ましくは、使用するライナー(4)は、型基部(2)から定期的に取り外され、交換される。使用するライナー(4)は、硬化時に硬化性材料が接着する任意の材料であることができる。好ましくは、使用するライナー(4)は、ポリウレタンポリマー材料である。より好ましくは、使用するライナー(4)は、芳香族ジアミン硬化剤を用いて、トルエンジイソシアネートとポリテトラメチレンエーテルグリコールとのプレポリマー反応生成物から形成される。最も好ましくは、芳香族ジアミン硬化剤は、4,4’−メチレン−ビス−o−クロロアニリンおよび4,4’−メチレン−ビス−(3−クロロ−2,6−ジエチルアニリン)から選択される。好ましくは、プレポリマー反応生成物は、6.5〜15.0重量パーセントの未反応NCO濃度を有する。6.5〜15.0wt%の未反応NCO濃度を有する市販のプレポリマーは、例として、Air Products and Chemicals, Inc.によって製造されたAirthane(登録商標)プレポリマーPET-70D、PHP-70D、PET-75D、PHP-75D、PPT-75DおよびPHP-80D、ならびにChemturaによって製造されたAdiprene(登録商標)プレポリマーLFG740D、LF700D、LF750D、LF751D、LF753DおよびL325を包含する。好ましくは、硬化剤とプレポリマー反応生成物とは、プレポリマー中の未反応NCOに対する硬化剤中のNH(またはOH)の化学量論比が85〜125%(より好ましくは、90〜115パーセント;最も好ましくは、95〜105%)で組み合わされる。この化学量論は、化学量論レベルの原材料を供給することにより直接的に、またはNCOの一部を、意図的にもしくは偶然得た湿気にさらして水と反応させることにより間接的に実現できる。使用するライナー(4)は、多孔性または非多孔性であることができる。好ましくは、使用するライナー(4)は、実質的に非多孔性である。
使用するライナー(4)は、好ましくは、ライナー(4)にわたって複数の無作為に選択された点(すなわち、10点以上)において、花崗岩ベースのコンパレータ(例えば、Chicago Dial Indicator Cat# 6066-10)を使用して測定される2〜10cm(より好ましくは、2〜5cm)の平均厚さ(5)tを示す。(図1参照)。
使用する接着剤(7)は、ライナー(4)と型基部(2)とを接着するのに好適な任意の接着剤であることができる。例として、使用する接着剤(7)は、感圧接着剤、ホットメルト接着剤、コンタクト接着剤およびこれらの組み合わせから選択することができる。好ましくは、使用する接着剤(7)は、(a)ライナー(4)と型基部(2)とを十分な強度で接着してケーキの革削ぎ作業中に型基部(2)からのライナー(4)の剥離を防止することと、(b)型基部(2)に物理的損傷を与えたり有害な残留物(すなわち、型基部(2)と交換ライナーとの間の機能的結合の獲得を損なう残留物)を残したりすることなく型基部(2)から除去可能であることの両方を両立させる。好ましくは、接着剤(7)は感圧接着剤である。
使用する型基部(2)は、型凹部内に装填される硬化性材料の重量を支持する任意の好適な剛体材料であることができ;装填、硬化(例えば、大きな炉)および硬化したケーキの革削ぎのために使用する機器間の充填された型の移送を容易にし、反りを生むことなくプロセスに関連する温度幅に耐えることができる。好ましくは、使用する型基部(2)は、ステンレス鋼(より好ましくは、316ステンレス鋼)から作られる。
使用するライナーの上面(12)は、型凹部(20)の水平内部境界(14)を画定する。(例えば、図2〜3参照)。好ましくは、型凹部(20)の水平内部境界(14)はフラットである。より好ましくは、型凹部(20)の水平内部境界(14)はフラットであり、かつ型凹部の中心軸Caxisと実質的に垂直である。最も好ましくは、型凹部(20)の水平内部境界(14)はフラットであり、かつ型凹部の中心軸Caxisと本質的に垂直である。
使用する型(10)の囲壁部(15)は、型凹部(20)の垂直内部境界(18)を画定する。(例えば、図2〜3参照)。好ましくは、囲壁部は、x−y平面(30)と実質的に垂直な、型凹部(20)の垂直内部境界(18)を画定する。より好ましくは、囲壁部は、x−y平面(30)と本質的に垂直な、型凹部(20)の垂直内部境界(18)を画定する。
型凹部(20)は、z−軸と一致し、型凹部(20)の水平内部境界(14)と中心点(21)で交差する中心軸Caxis(22)を有する。好ましくは、中心点(21)は、x−y平面(30)上に投影される型凹部(20)の断面Cx−sect(24)の幾何学的中心に位置する。(例えば、図2〜4参照)。
x−y平面上に投影される型凹部の断面Cx−sectは、任意の正または非正二次元形状であることができる。好ましくは、型凹部の断面Cx−sectは、多角形および楕円形から選択される。より好ましくは、型凹部の断面Cx−sectは、平均の半径r(好ましくは、rは20〜100cmであり;より好ましくは、25〜65cmであり;最も好ましくは、40〜60cmである)を有する実質的に円形の断面である。最も好ましくは、型凹部は、実質的に円形の断面Cx−sectを有する略直円柱形状領域の形状であり;型凹部が型凹部の中心軸Caxisと一致する対称軸Cx−symを有し;直円柱形状領域が以下に定義される断面積Cx−areaを有し:
x−area=πr
ここで、rはx−y平面上に投影される型凹部の断面積Cx−areaの平均の半径であり;rが20〜100cm(より好ましくは、25〜65cm;最も好ましくは、40〜60cm)である。
型凹部(20)は、ドーナツ穴領域(40)およびドーナツ領域(50)を有する。(例えば、図3〜4参照)。
好ましくは、型凹部(20)のドーナツ穴領域(40)は、x−y平面(30)上に円形断面DHx−sect(44)を投影し、ドーナツ穴領域対称軸DHaxis(42)を有する、型凹部(20)内の直円柱形状領域であり;DHaxisが型凹部の中心軸Caxisおよびz−軸と一致する。(例えば、図3〜4参照)。ドーナツ穴領域(40)の円形断面DHx−sect(44)が以下に定義される断面積DHx−areaを有し:
DHx−area=πrDH
ここで、rDHはドーナツ穴領域の円形断面DHx−sect(44)の半径(46)である。好ましくは、rDH≧rNOである(より好ましくは、rDHが5〜25mmであり、最も好ましくは、8〜15mmである)。
好ましくは、型凹部(20)のドーナツ領域(50)は、x−y平面(30)上に環状断面Dx−sect(54)を投影し、ドーナツ領域対称軸Daxis(52)を有する、型凹部(20)内のトロイド形状領域であり;Daxisが型凹部の中心軸Caxisおよびz−軸と一致する。(例えば、図3〜4参照)。ドーナツ領域(50)の環状断面Dx−sect(54)は、以下に定義される断面積Dx−areaを有し:
x−area=πR −πr
ここで、Rはドーナツ領域の環状断面Dx−sectの外周半径(56)であり;rはドーナツ領域の環状断面Dx−sectの内周半径(58)であり;r≧rDHであり;R>rであり;R<rである。好ましくは、r≧rDHであり、rDが5〜25mmである。より好ましくは、r≧rDHであり、rが8〜15mmである。好ましくは、r≧rDHであり;R>rであり;R≦(K)であり、Kが0.01〜0.2(より好ましくは、0.014〜0.1、最も好ましくは、0.04〜0.086)である。より好ましくは、r≧rDHであり;R>rであり;Rは20〜100mm(より好ましくは、20〜80mm、最も好ましくは、25〜50mm)である。
装填時間CPの長さ(秒)は、有意に変動することができる。例として、装填時間CPの長さは、型凹部のサイズ、平均装填流量CRavgおよび硬化性材料の特性(例えば、ゲル化時間)に依存する。好ましくは、装填時間CPは、60〜900秒(より好ましくは、60〜600秒、最も好ましくは、120〜360秒)である。通常、装填時間CPは、硬化性材料が示すゲル化時間によって制約される。好ましくは、装填時間CPは、型凹部に装填されている硬化性材料が示すゲル化時間以下である。より好ましくは、装填時間CPは、硬化性材料が示すゲル化時間未満である。
装填流量CR(kg/sec)は、装填時間CPの途中で変動させることができる。例として、装填流量CRは、断続的であることができる。換言すれば、装填流量CRは、装填時間の途中で一回以上、一時的にゼロまで低下させることができる。好ましくは、硬化性材料は、装填時間にわたり、本質的に一定の流量で型凹部に装填される。より好ましくは、硬化性材料は、装填時間CPにわたり、本質的に一定の流量で型凹部内に装填され、平均装填流量CRavgが0.015〜2kg/sec(より好ましくは、0.015〜1kg/sec、最も好ましくは、0.08〜0.4kg/sec)である。
装填時間CPは、初期段階、転移段階および残段階として区別される三つの個別の段階に分割される。初期段階の開始は、装填時間CPの開始に相当する。初期段階の終了後、直ちに転移段階の開始となる。転移段階の終了後、直ちに残段階の開始となる。残段階の終了は、装填時間CPの終了に相当する。
ノズルは、装填時間CPの間、移動または変形(例えば、伸縮)し、これにより、ノズル開口部の位置は三次元全ての次元で移動する。ノズル(60)は、装填時間CPの間、移動または変形(例えば、伸縮)し、これにより、ノズル開口部(62)の位置は、装填時間CPの間、型凹部(120)の水平内部境界(112)に対応する型凹部の中心軸Caxis(122)に沿って移動し、硬化性材料(70)が型凹部(120)内に溜められる際に、ノズル開口部(62)の位置が硬化性材料(70)の上面(72)の上方に維持される。(図5A〜5B参照)。好ましくは、ノズル開口部(62)の位置は、装填時間CPの間、型凹部(120)の水平内部境界(112)に対応する型凹部の中心軸Caxis(122)に沿って移動し、硬化性材料(70)が型凹部(120)内に溜められる際に、硬化性材料(70)の上面(72)の上方の高度(65)にノズル開口部(62)の位置が維持され;ここで、高度は>0〜30mm(より好ましくは、>0〜20mm、最も好ましくは、5〜10mm)である。(図5B参照)。型凹部の中心軸Caxisに沿ったノズル開口部の位置の動き(すなわち、z次元での動き)は、装填時間中に一時的に停止することができる。好ましくは、ノズル開口部の位置は、各転移段階転移点TPTP(そのような転移点がある場合)および各残段階転移点TPRPにおいて、型凹部の中心軸Caxisに対応するその動きを一時的に停止する(すなわち、ノズル開口部の位置のz次元での移動を一時的に止める)。
ノズル開口部の位置は、装填時間の初期段階の全体にわたって(すなわち、初期段階の継続する間)、型凹部のドーナツ穴領域内にある。ノズル開口部の位置は、初期段階の全体にわたって固定させたままにしておくことができ、この場合、初期段階開始点SPIPと初期段階終点EPIPとは同じ位置である(すなわち、SPIP=EPIP)。好ましくは、SPIP=EPIPであるとき、初期段階は、>0〜90秒の長さ(より好ましくは、>0〜60秒の長さ;最も好ましくは、5〜30秒の長さ)である。最も好ましくは、ノズル開口部の位置は、装填時間の初期段階の開始から、型凹部内の硬化性材料の上面が上昇し始め、その時点で転移段階が始まるまで固定されたままであり;この場合、初期段階開始点SPIP(80)と初期段階終点EPIP(81a)(この点は、転移段階開始点SPTP(82a)と一致する)とは、型凹部(220)のドーナツ穴領域(140)内の、型凹部の中心軸Caxis(222)に沿った同じ位置である。好ましくは、ドーナツ穴領域(140)は直円柱形状であり;ドーナツ穴の対称軸DHaxis(142)が型凹部の中心軸Caxis(222)およびz−軸と一致する。(図6A〜6C参照)。ノズル開口部の位置は、初期段階の間に移動することができ、この場合、初期段階開始点SPIPが初期段階終点EPIPとは異なる(すなわち、SPIP≠EPIP)。好ましくは、SPIP≠EPIPのとき、初期段階は、>0〜(CP−10.02)秒の長さであり;ここで、CPは装填時間(秒)である。より好ましくは、SPIP≠EPIPのとき、初期段階は、>0〜(CP−30)秒の長さであり;ここで、CPは装填時間(秒)である。最も好ましくは、装填時間の初期段階の間、型凹部(220)内の硬化性材料の上面が上昇するとき、ノズル開口部の位置は、好ましくは、型凹部(220)のドーナツ穴領域(140)内を型凹部の中心軸Caxis(222)に沿って、初期段階開始点SPIP(80)から初期段階終点EPIP(81b)(この点は、転移段階開始点SPTP(82b)と一致する)へと移動し、硬化性材料が型凹部(220)内に溜められる際に、装填時間の初期段階の全体にわたってノズル開口部の位置が硬化性材料の上面の上方の高度に維持される。(図6A〜6C参照)。
ノズル開口部の位置は、装填時間の転移段階の間、型凹部のドーナツ穴領域内の点からドーナツ領域内の点へと移動する。好ましくは、転移段階は、0.02〜30秒の長さ(より好ましくは、0.2〜5秒の長さ;最も好ましくは、0.6〜2秒の長さ)である。好ましくは、ノズル開口部の位置は、転移段階の間、型凹部の中心軸Caxisに対応して10〜70mm/sec(より好ましくは、15〜35mm/sec、最も好ましくは、20〜30mm/sec)の平均速度で移動する。好ましくは、ノズル開口部の位置の移動は、各転移段階転移点TPTP(そのような転移点がある場合)および転移段階終点EPTPにおいて、型凹部の中心軸Caxisに対応するその動きを一時的に停止する(すなわち、xおよびy次元での移動を一時的に止める)。好ましくは、ノズル開口部の位置は、転移段階の間、転移段階開始点SPTPから任意の転移段階転移点TPTPを通って転移段階終点EPTPへと、型凹部の中心軸Caxisに対応して一定の速度で移動する。好ましくは、転移段階の間、ノズル開口部の位置は、転移段階開始点SPTPから複数の転移段階転移点TPTPを通って転移段階終点EPTPへと移動し;x−y平面上に投影される転移段階の経路が略曲線の形状である(より好ましくは、転移段階の経路が略螺旋状緩和曲線の形状である)。最も好ましくは、転移段階の間、ノズル開口部の位置は、転移段階開始点SPTPから転移段階終点EPTPへと直接移動し;x−y平面上に投影される転移段階の経路は直線である。
図6A〜6Cは、中心軸Caxis(222);対称軸DHaxis(142)を持つ直円柱形状のドーナツ穴領域(140);および対称軸Daxis(152)を持つトロイド形状のドーナツ領域(150)を有する型凹部(220)内での三つの異なる転移段階の経路を示し;型凹部の中心軸Caxis(222)、ドーナツ穴の対称軸DHaxis(142)およびドーナツの対称軸Daxis(152)の各々がz軸と一致する。図6A〜6Cに示した転移段階の第一の経路は、型凹部(220)のドーナツ穴領域(140)内の転移段階開始点SPTP(82a)から始まり、型凹部(220)のドーナツ領域(150)内の転移段階終点EPTP(89)へと直接進行し、この場合、転移段階の経路83aが単一直線(84)としてx−y平面(130)上に投影される。図6A〜6Cに示した転移段階の第二の経路は、型凹部(220)のドーナツ穴領域(140)内の転移段階開始点SPTP(82b)から始まり、型凹部(220)のドーナツ領域(150)内の転移段階終点EPTP(89)へと直接進行し、この場合、転移段階の経路83bが単一直線(84)としてx−y平面(130)上に投影される。図6A〜6Cに示した転移段階の第三の経路は、ドーナツ穴領域(140)内の転移段階開始点SPTP(82a)から始まり、ドーナツ穴領域(140)内の転移段階転移点TPTP(88)を通って転移し、次に、ドーナツ領域(150)内に位置する転移段階終点EPTP(89)へと進行し、この場合、転移段階の経路(85)が一対の接続線(87)をx−y平面(130)上に投影する。ここで留意すべきことは、転移段階終点EPTP(89)が残段階開始点SPRP(90)に相当することである(すなわち、これらは同じ位置である)。
ノズル開口部の位置は、装填時間の残段階の間、ドーナツ領域内にある(すなわち、装填時間の残段階のほんの一部の間において、ノズル開口部の位置はドーナツ穴領域を通過する、またはドーナツ穴領域にあることができる)。好ましくは、ノズル開口部の位置は、装填時間の残段階の全体にわたって(すなわち、残段階の継続する間)ドーナツ領域内にある。好ましくは、残段階は≧10秒の長さである。より好ましくは、残段階は、10〜<(CP−0.2)秒の長さであり;ここで、CPは装填時間(秒)である。なおもより好ましくは、残段階は、30〜<(CP−0.2)秒の長さであり;ここで、CPは装填時間(秒)である。最も好ましくは、残段階は、0.66CP〜<(CP−0.2)秒の長さであり;ここで、CPは装填時間(秒)である。好ましくは、ノズル開口部の位置は、残段階の間、型凹部の中心軸Caxisに対応して10〜70mm/sec(より好ましくは、15〜35mm/sec、最も好ましくは、20〜30mm/sec)の平均速度で移動する。好ましくは、ノズル開口部の位置は、各残段階転移点TPRPにおいて、型凹部の中心軸Caxisに対応するその動きを一時的に停止することができる(すなわち、ノズル開口部の位置のxおよびy次元での移動を一時的に止めることができる)。好ましくは、ノズル開口部の位置は、残段階の間、残段階開始点SPRPから残段階転移点TPRPの各々を通って、型凹部の中心軸Caxisに対応して一定の速度で移動する。好ましくは、残段階の間、ノズル開口部の位置は、残段階開始点SPRPから複数の残段階転移点TPRPを通って移動し;残段階の経路が一連の接続線をx−y平面上に投影する。好ましくは、残段階転移点TPRPは、全て型凹部のドーナツ領域内に位置する。好ましくは、残段階の経路によってx−y平面上に投影される一連の接続線は、略円または型凹部の中心軸Caxisからの変動し得る距離の二次元の略螺旋状の形状である。好ましくは、残段階の経路によってx−y平面上に投影される一連の接続線は、二次元の略螺旋状の形状であり、次に続く残段階転移点TPRPが型凹部の中心軸Caxisからの距離を増加または減少させてx−y平面上に投影される。より好ましくは、残段階の経路によってx−y平面上に投影される一連の接続線は、略円の形状であり、次に続く残段階転移点TPRPが型凹部の中心軸Caxisからの均等な距離でx−y平面上に投影し、残段階の経路によってx−y平面上に投影される一連の接続線が正(すなわち、等辺等角)多角形である。好ましくは、正多角形は、≧5個の辺(より好ましくは、≧8個の辺;最も好ましくは、≧10個の辺;好ましくは、≦100個の辺;より好ましくは、≦50個の辺;最も好ましくは、≦20個の辺)を有する。最も好ましくは、残段階の経路は、略渦巻の形状である。換言すれば、残段階の間、ノズル開口部の位置は、型凹部の中心軸Caxisに沿って移動を続けて、型凹部内に溜められている硬化性材料の上面の上方における所望の高度を維持し、一方、それと同時にノズル開口部の位置は、x−y平面上に正多角形を投影する経路を進む(好ましくは、正多角形が5〜100個の辺;より好ましくは、5〜50個の辺;なおもより好ましくは、8〜25個の辺;最も好ましくは、8〜15個の辺を有する)。
図7A〜7Cは、中心軸Caxis(222);対称軸DHaxis(142)を持つ直円柱形状のドーナツ穴領域(140);および対称軸Daxis(152)を持つトロイド形状のドーナツ領域(150)を有する型凹部(220)内において略渦巻の形状の、好ましい残段階の経路(95)の一部分を示し;型凹部の中心軸Caxis(222)、ドーナツ穴の対称軸DHaxis(142)およびドーナツの対称軸Daxis(152)の各々がz軸と一致する。残段階の経路(95)は、型凹部(220)のドーナツ領域(150)内の残段階開始点SPRP(90)から始まり、型凹部(220)のドーナツ領域(150)内の複数の残段階転移点TPRP(92)を通って進行し;全ての残段階転移点TPRPが型凹部の中心軸Caxis(222)から均等の距離にあり;残段階の経路(95)が正十面体(100)を形成する十本の均等の長さの線(97)としてx−y平面(130)上に投影される。ここで留意すべきことは、残転移開始点SPRP(90)が転移段階終点EPTP(89)に相当することである(すなわち、これらは同じ位置である)。
硬化性材料は、好ましくは、液状プレポリマーを含む。より好ましくは、硬化性材料は、液状プレポリマーおよび複数の微小成分を含み、複数の微小成分が液状プレポリマー中に均一に分散している。
液状プレポリマーは、好ましくは、重合(すなわち、硬化)して、ポリ(ウレタン)を含む材料を形成する。より好ましくは、液状プレポリマーは、重合して、ポリウレタンを含む材料を形成する。最も好ましくは、液状プレポリマーは、重合(硬化)して、ポリウレタンを形成する。あるいは、液状プレポリマーは、溶融加工可能な熱可塑性材料である。好ましくは、溶融加工可能な熱可塑性材料は、熱可塑性ポリ(ウレタン)(TPU)、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ナイロン、ポリエーテル、ポリエステル、ポリスチレン、アクリル系ポリマー、ポリ尿素、ポリアミド、ポリ塩化ビニル、ポリフッ化ビニル、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリブタジエン、ポリエチレンイミン、ポリアクリロニトリル、ポリエチレンオキサイド、ポリオレフィン、ポリアクリル酸アルキル、ポリメタクリル酸アルキル、ポリアミド、ポリエーテルイミド、ポリケトン、エポキシ、シリコーン、エチレンプロピレンジエン単量体から形成されたポリマー、タンパク質、多糖類、ポリアセテートおよび前述の少なくとも二つの組み合わせからなる群より選択される。
好ましくは、液状プレポリマーは、ポリイソシアネート含有材料を含む。より好ましくは、液状プレポリマーは、ポリイソシアネート(例えば、ジイソシアネート)と水酸基含有材料との反応生成物を含む。
好ましくは、ポリイソシアネートは、メチレンビス−4,4’−シクロヘキシル−イソシアネート;シクロヘキシルジイソシアネート;イソホロンジイソシアネート;ヘキサメチレンジイソシアネート;プロピレン−1,2−ジイソシアネート;テトラメチレン−1,4−ジイソシアネート;1,6−ヘキサメチレン−ジイソシアネート;ドデカン−1,12−ジイソシアネート;シクロブタン−1,3−ジイソシアネート;シクロヘキサン−1,3−ジイソシアネート;シクロヘキサン−1,4−ジイソシアネート;1−イソシアナト−3,3,5−トリメチル−5−イソシアナトメチルシクロヘキサン;メチルシクロヘキシレンジイソシアネート;ヘキサメチレンジイソシアネートのトリイソシアネート;2,4,4−トリメチル−1,6−ヘキサンジイソシアネートのトリイソシアネート;ヘキサメチレンジイソシアネートのウレトジオン;エチレンジイソシアネート;2,2,4−トリメチルヘキサメチレンジイソシアネート;2,4,4−トリ−メチルヘキサメチレンジイソシアネート;ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート;およびこれらの組み合わせから選択される。最も好ましくは、ポリイソシアネートは、脂肪族であり、14パーセント未満の未反応イソシアネート基を有する。
好ましくは、本発明で使用する水酸基含有材料は、ポリオールである。例示的なポリオールは、例として、ポリエーテルポリオール、(部分的および完全に水素化された誘導体を包含する)水酸基末端ポリブタジエン、ポリエステルポリオール、ポリカプロラクトンポリオール、ポリカーボネートポリオールおよびこれらの混合物を包含する。
好ましいポリオールは、ポリエーテルポリオールを包含する。ポリエーテルポリオールの例は、ポリテトラメチレンエーテルグリコール(「PTMEG」)、ポリエチレンプロピレングリコール、ポリオキシプロピレングリコールおよびこれらの混合物を包含する。炭化水素鎖は、飽和または不飽和結合、ならびに置換または無置換の芳香族および環状基を有することができる。好ましくは、本発明のポリオールは、PTMEGを包含する。好適なポリエステルポリオールは、ポリエチレンアジペートグリコール;ポリブチレンアジペートグリコール;ポリエチレンプロピレンアジペートグリコール;o−フタレート−1,6−ヘキサンジオール;ポリ(ヘキサメチレンアジペート)グリコール;およびこれらの混合物を非限定的に包含する。炭化水素鎖は、飽和もしくは不飽和結合、または置換もしくは無置換の芳香族および環状基を有することができる。好適なポリカプロラクトンポリオールは、1,6−ヘキサンジオール開始ポリカプロラクトン;ジエチレングリコール開始ポリカプロラクトン;トリメチロールプロパン開始ポリカプロラクトン;ネオペンチルグリコール開始ポリカプロラクトン;1,4−ブタンジオール開始ポリカプロラクトン;PTMEG開始ポリカプロラクトン;およびこれらの混合物を非限定的に包含する。炭化水素鎖は、飽和もしくは不飽和結合、または置換もしくは無置換の芳香族および環状基を有することができる。好適なポリカーボネートは、ポリフタレートカーボネートおよびポリ(ヘキサメチレンカーボネート)グリコールを非限定的に包含する。
好ましくは、複数の微小成分は、封入気泡、中空ポリマー材料(すなわち、微小球)、液状充填中空ポリマー材料、水溶性材料(例えば、シクロデキストリン)および不溶相材料(例えば、鉱物油)から選択される。好ましくは、複数の微小成分は、ポリビニルアルコール、ペクチン、ポリビニルピロリドン、ポリアクリロニトリル、ポリ(二塩化ビニリデン)、ヒドロキシエチルセルロース、メチルセルロース、ヒドロプロピルメチルセルロース、カルボキシメチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロース、ポリアクリル酸、ポリアクリルアミド、ポリエチレングリコール、ポリヒドロキシエーテルアクリライト、デンプン、マレイン酸共重合体、ポリエチレンオキサイド、ポリウレタン、シクロデキストリンおよびこれらの組み合わせ(例えば、スウェーデン、スンツヴァル市のAkzo Nobelより入手可能なExpancel(商標))などの微小球である。微小球は、例として、分岐化、ブロッキングおよび架橋により化学的に修飾し、溶解性、膨潤性および他の特性を変化させることができる。好ましくは、微小球は、150μm未満の平均径、より好ましくは、50μm未満の平均径を有する。最も好ましくは、微小球48は、15μm未満の平均径を有する。微小球の平均径は変動することもでき、サイズの異なる微小球、または異なる微小球48の混合物を使用することができることに留意されたい。最も好ましい微小球の材料は、アクリロニトリルおよび二塩化ビニリデンの共重合体(例えば、Akzo Nobelより入手可能なExpancel(登録商標))である。
液状プレポリマーは、場合により、さらに硬化剤を含む。好ましい硬化剤は、ジアミンを包含する。好適なポリジアミンは、第一級および第二級アミンの両方を包含する。好ましいポリジアミンは、ジエチルトルエンジアミン(「DETDA」);3,5−ジメチルチオ−2,4−トルエンジアミンおよびその異性体;3,5−ジエチルトルエン−2,4−ジアミンおよびその異性体(例えば、3,5−ジエチルトルエン−2,6−ジアミン);4,4’−ビス−(sec−ブチルアミノ)−ジフェニルメタン;1,4−ビス−(sec−ブチルアミノ)−ベンゼン;4,4’−メチレン−ビス−(2クロロアニリン);4,4’−メチレン−ビス−(3−クロロ−2,6−ジエチルアニリン)(「MCDEA」);ポリテトラメチレンオキサイド−ジ−p−アミノベンゾエート;N,N’−ジアルキルジアミノジフェニルメタン;p,p’−メチレンジアニリン(「MDA」);m−フェニレンジアミン(「MPDA」);メチレン−ビス2−クロロアニリン(「MBOCA」);4,4’−メチレン−ビス−(2−クロロアニリン)(「MOCA」);4,4’−メチレン−ビス−(2,6−ジエチルアニリン)(「MDEA」);4,4’−メチレン−ビス−(2,3−ジクロロアニリン)(「MDCA」);4,4’−ジアミノ−3,3’−ジエチル−5,5’−ジメチルジフェニルメタン、2,2’,3,3’−テトラクロロジアミノジフェニルメタン;トリメチレングリコール−ジ−p−アミノベンゾエート;およびこれらの混合物を非限定的に包含する。好ましくは、ジアミン硬化剤は、3,5−ジメチルチオ−2,4−トルエンジアミンおよびその異性体から選択される。
硬化剤は、ジオール、トリオール、テトラオールおよび水酸基末端硬化剤を包含することもできる。好適なジオール、トリオールおよびテトラオール基は、エチレングリコール;ジエチレングリコール;ポリエチレングリコール;プロピレングリコール;ポリプロピレングリコール;低分子量ポリテトラメチレンエーテルグリコール;1,3−ビス−(2−ヒドロキシエトキシ)ベンゼン;1,3−ビス−[2−(2−ヒドロキシエトキシ)エトキシ]ベンゼン;1,3−ビス−{2−[2−(2−ヒドロキシエトキシ)エトキシ]エトキシ}ベンゼン;1,4−ブタンジオール;1,5−ペンタンジオール;1,6−ヘキサンジオール;レゾルシノール−ジ−(ベータ−ヒドロキシエチル)エーテル;ヒドロキノン−ジ−(ベータ−ヒドロキシエチル)エーテル;およびこれらの混合物を包含する。好ましい水酸基末端硬化剤は、1,3−ビス(2−ヒドロキシエトキシ)ベンゼン;1,3−ビス−[2−(2−ヒドロキシエトキシ)エトキシ]ベンゼン;1,3−ビス−{2−[2−(2−ヒドロキシエトキシ)エトキシ]エトキシ}ベンゼン;1,4−ブタンジオール;およびこれらの混合物を包含する。水酸基末端硬化剤およびジアミン硬化剤は、飽和、不飽和の芳香族および環状基を一つ以上包含することができる。また、水酸基末端硬化剤およびジアミン硬化剤は、ハロゲン基を一つ以上包含することができる。
好ましくは、本発明の方法で提供される研磨層は、ASTM D412(バージョンD412-02)に定められている試験法によって測定した際に、350MPa以下(好ましくは、10〜200MPa)のヤング弾性率を示す。
本発明の好ましい方法において、刃先を有する革削ぎブレードを使用して、硬化したケーキを溝なしの研磨面を有する少なくとも一つの研磨層に革削ぎすることにより、溝なしの研磨面を有する研磨層が硬化したケーキから得られる。好ましくは、革砥研ぎ研磨剤が革削ぎブレードの刃先に適用され、ケーキを革削ぎして溝なしの研磨面を有する少なくとも一つの研磨層を供給する前に、革砥を使用して刃先をホーニングする。本発明の方法で使用する革砥研ぎ研磨剤は、好ましくは、脂肪酸に分散した酸化アルミニウムの砥粒を含む。より好ましくは、本発明の方法で使用する革砥研ぎ研磨剤は、18〜35wt%の脂肪酸に分散した70〜82wt%の酸化アルミニウムの砥粒を含む。本発明の方法で使用する革砥は、好ましくは、革製の革砥である。最も好ましくは、本発明の方法で使用する革砥は、回転工具(例えば、Dremel(登録商標)回転工具)とともに使用するように設計された革製の革砥である。場合により、硬化したケーキを加熱して、革削ぎ作業を容易にする。好ましくは、硬化したケーキを革削ぎして溝なしの研磨面を持つ研磨層を供給する革削ぎ作業中に、硬化したケーキは、赤外線加熱灯を使用して加熱される。
好ましくは、溝なしの研磨面に機械加工される少なくとも一つの曲線溝は、複数の同心円形溝および少なくとも一つの螺旋状溝からなる群より選択される。より好ましくは、溝なしの研磨面に機械加工される少なくとも一つの曲線溝は、複数の同心の実質的に円形の溝である。最も好ましくは、研磨層は実質的に円形の断面を有し、溝なしの研磨面に機械加工される少なくとも一つの曲線溝は複数の同心の実質的に円形の溝であり、各溝が研磨面の平面において研磨層の対称軸と実質的に一致する対称軸を有する。
好ましくは、少なくとも一つの曲線溝は、350μm以上の溝深さを有する。より好ましくは、少なくとも一つの曲線溝は、500μm以上の溝深さを有する。なおもより好ましくは、少なくとも一つの曲線溝は、500〜2,500μmの溝深さを有する。その上なおもより好ましくは、少なくとも一つの曲線溝は、500〜1,500μmの溝深さを有する。最も好ましくは、少なくとも一つの曲線溝は、500〜1,250ミルの溝深さを有する。
XYグリッドパターンの複数の線形溝は、少なくとも一つの曲線溝の機械加工の後、研磨面に機械加工される。好ましくは、複数の線形溝は、ステップダウンプロセスによって機械加工され、溝切削工具が複数の連続的な切削パスを作って各線形溝を形成し、各連続的な切削パスが形成される線形溝の深さを増大させる。好ましくは、ステップダウンプロセスは、切削工具を用いて少なくとも2本の連続的なパスを伴う。より好ましくは、ステップダウンプロセスは、切削工具を用いて4〜10本の連続的なパスを伴う。最も好ましくは、ステップダウンプロセスは、切削工具を用いて4〜6本の連続的なパスを伴う。パスごとの好ましい最大切削深さは、溝が形成される材料の弾性率に依存し、溝が形成される材料の弾性率が低くなるほど、パスごとの好ましい最大切削深さが小さくなる。好ましくは、溝切削工具は、1〜60cm/sec(より好ましくは、5〜60cm/sec;最も好ましくは、5〜20cm/sec)の送り速度を有する。好ましくは、(研磨面を包含する)研磨層は、XYグリッドパターンを形成する機械加工作業の間、室温にある。より好ましくは、研磨層(研磨面を包含する)は、XYグリッドパターンを形成する機械加工作業の間、18〜25°Cの温度にある。
好ましくは、XYグリッドを形成する複数の線形溝は、350μm以上の溝深さを示す。より好ましくは、XYグリッドを形成する複数の線形溝は、500μm以上の溝深さを示す。なおもより好ましくは、XYグリッドを形成する複数の線形溝は、500〜2,500μmの溝深さを示す。その上なおもより好ましくは、XYグリッドを形成する複数の線形溝は、500〜1,500μmの溝深さを示す。最も好ましくは、XYグリッドを形成する複数の線形溝は、500〜1,250μmの溝深さを示す。
好ましくは、本発明の好ましい方法によって生成されたケーキは、装填時間CPの全体にわたってノズル開口部の位置が型凹部の中心軸Caxisに沿って一次元でのみ(すなわち、硬化性材料を型凹部内に溜める際に、硬化性材料の上面の上方に設定された高度にノズル開口部の位置を維持するために)移動すること以外は同じプロセスを使用して生成されたケーキと比較して、より少ない密度欠陥を含有する。より好ましくは、本発明の好ましい方法で生成されたケーキは、ケーキごとに、少なくとも50%以上(より好ましくは、少なくとも75%以上;最も好ましくは、少なくとも100%以上)密度欠陥のない研磨層を供給する。なおもより好ましくは、型凹部は40〜60cmである平均の半径rを有する実質的に円形の断面を有し;本発明の方法を使用して生成したケーキは装填時間CPの全体にわたってノズル開口部の位置が型凹部の中心軸Caxisに沿って一次元でのみ移動すること以外は同じプロセスを使用して生成されたケーキによって供給された密度欠陥のない研磨層の数と比較して、密度欠陥のない研磨層の数において2倍の増加(より好ましくは、3倍の増加)を提供する。
好ましくは、本発明の好ましい方法を使用して供給された溝なしの研磨面を持つ研磨層は、装填時間CPの全体にわたってノズル開口部の位置が型凹部の中心軸Caxisに沿って一次元でのみ(すなわち、硬化性材料を型凹部内に溜める際に、硬化性材料の上面の上方に設定された高度にノズル開口部の位置を維持するために)移動し、ケーキを革削ぎする前に革削ぎブレードを革砥で研ぐのではなく砥石で研ぐこと以外は同じプロセスを使用して供給された溝なし研磨層と比較して、表面粗さが低減した研磨面を示す。より好ましくは、本発明の好ましい方法を使用して供給された溝なしの研磨面を持つ研磨層は、表面粗さが少なくとも10%(より好ましくは、少なくとも20%;最も好ましくは、少なくとも25%)低減した研磨面を示す。
好ましくは、本発明の方法を使用して生成した、少なくとも一つの曲線溝とXYグリッドパターンの複数の線形溝との組み合わせを持つ溝付き研磨面を有する研磨層は、軟質フォームを機械加工する従来の手法を使用して複数の線形溝を機械加工(すなわち、単一パスの全深さ切削技術を使用して機械加工)すること以外は同じプロセスを使用して生成された研磨層と比較して、より少ないストリンガ欠陥を含有する。
本発明の一部の実施態様を下記の実施例において、ここで詳細に記載する。
実施例
溝なしの研磨面、2.0mmの平均厚さおよび表1に報告するASTM D412-02により測定されたヤング弾性率を有する研磨層を、上に記載した鋳造および革削ぎプロセスを使用して作成した。次に、溝なし研磨層の各々を、最初に旋盤上で機械加工して、762ミクロンの深さ、508ミクロンの幅および3.0mmのピッチの呼び寸法を有する円形の溝パターンを研磨面に形成した。次に、研磨層の各々に、フライス盤上で第二の機械加工作業を受けさせ、787ミクロンの深さ、2.0mmの幅および40.0mmのピッチの呼び寸法を有するXYグリッドパターンの複数の線形溝を作り出し、XYグリッドパターンを円形の溝パターンに重ね合わせた。XYグリッドパターンを2セットの研磨層上に機械加工した。第一のセットでは、単一の全深さ切削パスを使用してXYグリッドパターンを形成した。第二のセットでは、6本の連続的な全深さではない切削パスを使用して溝を形成するステップダウンプロセスを使用してXYグリッドパターンを形成した。各研磨層に作り出された(図9に図示するタイプの)ストリンガ欠陥の数を表1に報告する。このデータから明らかなように、ストリンガ欠陥の数は、ステップダウンプロセスの使用を通じて有意に低減した。ストリンガ欠陥の低減Δを表1に報告する(Δ=全深さ切削プロセスによるストリンガ欠陥の総数−ステップダウン切削プロセスによるストリンガ欠陥の総数)。また、概して、研磨層に使用する材料の弾性率が低くなるほど、ステップダウンプロセスを使用した溝の機械加工に関連する恩恵が大きくなる。

Claims (8)

  1. 化学機械研磨パッドに使用する溝付き研磨面を持つ研磨層を製造する方法であって:
    方法が、
    溝なしの研磨面を持つ研磨層を供給する工程であって、
    型基部および前記型基部に取り付けられた囲壁部を有する型を供給する工程、
    上面、底面、および、2〜10cmの平均厚さを持つライナーを供給する工程であって、前記ライナーの前記上面が型凹部の水平内部境界を画定し、前記型の前記水平内部境界がx−y平面に沿って向いており、前記型凹部がx−y平面と垂直の中心軸Caxisを有し、前記型凹部がドーナツ穴領域およびドーナツ領域を有する、工程、
    接着剤を供給する工程、
    液状プレポリマー及び複数の微小成分を含む硬化性材料を供給する工程、
    ノズル開口部を有するノズルを供給する工程、
    刃先を持つ革削ぎブレードを供給する工程、
    革砥を供給する工程、
    革砥研ぎ研磨剤を供給する工程、
    前記ライナーの上面と前記囲壁部とが前記型凹部を画定するように、接着剤を使用して前記ライナーの底面と前記型基部とを接着する工程、
    装填時間CPの間、前記ノズル開口部を通して前記型凹部に前記硬化性材料を装填する工程であって、
    前記装填時間CPが初期段階、転移段階および残段階として区別される三つの個別の段階に分割され、
    前記ノズル開口部がある位置を有しており、硬化性材料を型凹部内に溜める際に、その前記ノズル開口部の前記位置が、前記型凹部内の前記硬化性材料の上面の上方に維持されるように、前記装填時間CPの間、型基部に対して前記型凹部の中心軸Caxisに沿って移動し、
    前記初期段階の全体にわたって前記ノズル開口部の前記位置が前記ドーナツ穴領域内にあり、
    前記転移段階の間、前記ノズル開口部の前記位置が前記ドーナツ穴領域内にある状態から前記ドーナツ領域内にある状態へと転移し、
    前記残段階の間、前記ノズル開口部の前記位置が前記ドーナツ領域内にある、工程、
    前記型凹部内の前記硬化性材料をケーキへと硬化させる工程、
    前記型基部および前記ケーキから前記囲壁部を分離させる工程、
    前記革砥研ぎ研磨剤を前記刃先に適用する工程、
    前記革削ぎブレードを前記革砥で研ぐ工程、及び
    前記革削ぎブレードを使用して前記ケーキを薄く切り出すことによって、溝なしの研磨面を持つ前記研磨層を供給する工程
    を含む、工程と;
    前記溝なしの研磨面に少なくとも一つの曲線溝を第1の機械加工する工程と;
    その後、溝付き研磨面を持つ研磨層を生成するために、前記研磨面にXYグリッドパターンの複数の線形溝を機械加工する工程と;
    を含み
    前記複数の線形溝は、ステップダウンプロセスによって機械加工され、溝切削工具は、各線形溝を形成するために、複数の連続的な切削パスを作り、前記各連続的な切削パスは、形成される前記線形溝の深さを増大させる
    方法。
  2. XYグリッドを形成する前記複数の線形溝が、350μm以上の溝深さを有する、
    請求項1記載の方法。
  3. 前記溝切削工具が、1〜60cm/secの送り速度を有する、
    請求項1記載の方法。
  4. 前記少なくとも一つの曲線溝が、複数の同心溝、および、少なくとも一つの螺旋状溝、からなる群より選択される、
    請求項1記載の方法。
  5. 前記供給された研磨層が、350MPa以下のヤング弾性率を示す、
    請求項1記載の方法。
  6. 前記残段階の間、前記ノズル開口部の前記位置の前記移動が前記型凹部の中心軸Caxisに対応するその動きを一時的に停止する、
    請求項1記載の方法。
  7. 前記型凹部が実質的に円形の断面Cx−sectを有する略直円柱形状領域であり;前記型凹部が、前記型凹部の中心軸Caxisと一致する対称軸Cx−symを有し;前記直円柱形状領域が以下に定義される断面積Cx−areaを有し:
    x−area=πr
    ここで、rは前記x−y平面上に投影される前記型凹部の断面積Cx−areaの平均の半径であり;前記ドーナツ穴領域は前記x−y平面上に円形断面DHx−sectを投影し、対称軸DHaxisを有する、前記型凹部内の直円柱形状領域であり;ドーナツ穴は以下に定義される断面積DHx−areaを有し:
    DHx−area=πrDH
    ここで、rDHは前記ドーナツ穴領域の円形断面DHx−sectの半径であり;前記ドーナツ領域は前記x−y平面上に環状断面Dx−sectを投影し、ドーナツ領域対称軸Daxisを有する、前記型凹部内のトロイド形状領域であり;前記環状断面Dx−sectは以下に定義される断面積Dx−areaを有し:
    x−area=πR −πr
    ここで、Rは前記ドーナツ領域の環状断面Dx−sectの外周半径であり;rは前記ドーナツ領域の環状断面Dx−sectの内周半径であり;r≧rDHであり;R>rであり;R<rであり;前記Cx−sym、前記DHaxisおよび前記Daxisの各々が前記x−y平面と垂直である、
    請求項1記載の方法。
  8. 前記研磨層を供給する前記ケーキが、前記装填時間CPの全体にわたって前記ノズル開口部の前記位置が前記型凹部の中心軸Caxisに沿って一次元でのみ移動すること以外は同じプロセスを使用して生成されたもう一つのケーキと比較してより少ない密度欠陥を示し、前記研磨層が、前記複数の線形溝が単一パスの全深さ切削技術を使用して機械加工すること以外は前記同じプロセスを使用して生成されたもう一つの前記研磨層と比較してより少ないストリンガ欠陥を示す、
    請求項7記載の方法。
JP2013199324A 2012-09-27 2013-09-26 溝付き化学機械研磨層の製造方法 Active JP6238664B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US13/628,364 2012-09-27
US13/628,364 US9034063B2 (en) 2012-09-27 2012-09-27 Method of manufacturing grooved chemical mechanical polishing layers

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2014072527A JP2014072527A (ja) 2014-04-21
JP2014072527A5 JP2014072527A5 (ja) 2016-10-27
JP6238664B2 true JP6238664B2 (ja) 2017-11-29

Family

ID=50337486

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013199324A Active JP6238664B2 (ja) 2012-09-27 2013-09-26 溝付き化学機械研磨層の製造方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9034063B2 (ja)
JP (1) JP6238664B2 (ja)
KR (1) KR102085640B1 (ja)
CN (1) CN103692370B (ja)
TW (1) TWI594840B (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10722999B2 (en) * 2016-06-17 2020-07-28 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. High removal rate chemical mechanical polishing pads and methods of making
CN111318956A (zh) * 2018-12-13 2020-06-23 夏泰鑫半导体(青岛)有限公司 聚氨酯研磨垫及其制造方法、及化学机械研磨装置

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2981322B2 (ja) * 1991-10-28 1999-11-22 松下電工株式会社 天井収納装置
MY114512A (en) * 1992-08-19 2002-11-30 Rodel Inc Polymeric substrate with polymeric microelements
CN1312742C (zh) * 1999-03-30 2007-04-25 株式会社尼康 抛光垫、抛光机及制造半导体器件的方法
GB0008553D0 (en) 2000-04-06 2000-05-24 Unilever Plc Process and apparatus for the production of a detergent bar
US6641471B1 (en) * 2000-09-19 2003-11-04 Rodel Holdings, Inc Polishing pad having an advantageous micro-texture and methods relating thereto
KR100877385B1 (ko) 2001-11-13 2009-01-07 도요 고무 고교 가부시키가이샤 연마 패드 및 그 제조 방법
US7073244B2 (en) 2002-09-20 2006-07-11 Lear Corporation Process for machining a flexible foam
TW592894B (en) * 2002-11-19 2004-06-21 Iv Technologies Co Ltd Method of fabricating a polishing pad
US7704125B2 (en) * 2003-03-24 2010-04-27 Nexplanar Corporation Customized polishing pads for CMP and methods of fabrication and use thereof
EP1466699A1 (en) * 2003-04-09 2004-10-13 JSR Corporation Abrasive pad, method and metal mold for manufacturing the same, and semiconductor wafer polishing method
JP2007081322A (ja) * 2005-09-16 2007-03-29 Jsr Corp 化学機械研磨パッドの製造方法
US20050260929A1 (en) * 2004-05-20 2005-11-24 Jsr Corporation Chemical mechanical polishing pad and chemical mechanical polishing method
US7037175B1 (en) * 2004-10-19 2006-05-02 Cabot Microelectronics Corporation Method of sharpening cutting edges
US7275928B2 (en) * 2004-11-23 2007-10-02 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Apparatus for forming a striation reduced chemical mechanical polishing pad
JP3769581B1 (ja) * 2005-05-18 2006-04-26 東洋ゴム工業株式会社 研磨パッドおよびその製造方法
TWI385050B (zh) 2005-02-18 2013-02-11 Nexplanar Corp 用於cmp之特製拋光墊及其製造方法及其用途
TW200744786A (en) * 2005-12-28 2007-12-16 Jsr Corp Chemical mechanical polishing pad and chemical mechanical polishing method
CN101134303A (zh) * 2006-08-30 2008-03-05 力晶半导体股份有限公司 抛光垫及其制造方法
US7300340B1 (en) * 2006-08-30 2007-11-27 Rohm and Haas Electronics Materials CMP Holdings, Inc. CMP pad having overlaid constant area spiral grooves
US7234224B1 (en) * 2006-11-03 2007-06-26 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Curved grooving of polishing pads
JP5166172B2 (ja) * 2008-09-02 2013-03-21 富士紡ホールディングス株式会社 研磨パッドの製造方法
US8585790B2 (en) * 2009-04-23 2013-11-19 Applied Materials, Inc. Treatment of polishing pad window
TWI426981B (zh) * 2010-11-23 2014-02-21 Univ Nat Pingtung Sci & Tech 晶圓研磨盤構造及其製造方法
US8444727B2 (en) * 2011-08-16 2013-05-21 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Method of manufacturing chemical mechanical polishing layers
US8986585B2 (en) * 2012-03-22 2015-03-24 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Method of manufacturing chemical mechanical polishing layers having a window
US8709114B2 (en) * 2012-03-22 2014-04-29 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Method of manufacturing chemical mechanical polishing layers

Also Published As

Publication number Publication date
TW201433411A (zh) 2014-09-01
TWI594840B (zh) 2017-08-11
CN103692370A (zh) 2014-04-02
JP2014072527A (ja) 2014-04-21
KR20140041360A (ko) 2014-04-04
KR102085640B1 (ko) 2020-03-06
CN103692370B (zh) 2016-08-17
US9034063B2 (en) 2015-05-19
US20140083018A1 (en) 2014-03-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6091276B2 (ja) 窓を有するケミカルメカニカル研磨層の製造方法
JP6026931B2 (ja) ケミカルメカニカル研磨層の製造方法
JP6290004B2 (ja) 軟質かつコンディショニング可能な化学機械ウィンドウ研磨パッド
JP6177665B2 (ja) 軟質かつコンディショニング可能なケミカルメカニカル研磨パッド
TWI630066B (zh) 化學機械硏磨基材之方法
JP6367611B2 (ja) 軟質かつコンディショニング可能な研磨層を有する多層化学機械研磨パッドスタック
KR102191947B1 (ko) 연성이고 컨디셔닝가능한 화학 기계적 연마 패드 적층물
JP2017052079A (ja) ケミカルメカニカル研磨パッドのための複合研磨層の製造方法
KR101950040B1 (ko) 화학기계 연마층의 제조 방법
JP2017013224A (ja) ケミカルメカニカル研磨パッドのための研磨層の製造方法
JP7201338B2 (ja) 改善された除去速度および研磨均一性のためのオフセット周方向溝を有するケミカルメカニカル研磨パッド
JP6238664B2 (ja) 溝付き化学機械研磨層の製造方法
JP2017052078A (ja) ケミカルメカニカル研磨パッド及び同研磨パッドの製造方法
KR20200140748A (ko) 엽상 돌출 구조체를 갖는 cmp 연마 패드
KR20210149837A (ko) 연마 패드, 연마 패드의 제조 방법 및 연마 방법

Legal Events

Date Code Title Description
RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20150303

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20160222

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20160912

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20160912

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20170622

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20170627

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20170802

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20171010

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20171031

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6238664

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150