TWI426981B - 晶圓研磨盤構造及其製造方法 - Google Patents

Description

晶圓研磨盤構造及其製造方法

本發明係關於一種晶圓研磨盤構造及其製造方法，特別是關於一種利用活性銲料層來媒介連接轉盤及研磨層之晶圓研磨盤構造及其製造方法。

現今，晶片(chip)之製造需要使用矽或砷化鎵等基材，及發光二極體(LED)之製造也需要使用藍寶石等基材，其中這些矽、砷化鎵或藍寶石等基材的製造通常是來自於晶圓。通常，晶圓之製造過程是先由拉晶法長晶形成晶棒，再將晶棒切片，並經外周緣及雙面研磨後，即可製得晶圓。

請參照第1圖所示，其揭示一種習用晶圓研磨盤構造，其中一晶圓研磨盤10包含一轉盤11、一黏接層12及一研磨層13，其中該轉盤11係由金屬或合金製成之轉動基座，其中以鋁合金應用最廣泛；該黏接層12係為兩劑型環氧樹脂(俗稱AB膠)；及該研磨層13係由鑄鐵、軟性金屬合金或陶瓷類所製成，且該研磨層13之一外表面131具有許多溝槽，如同心圓溝槽132。當該晶圓研磨盤10用於研磨晶圓(未繪示)時，該轉盤11首先受一轉動裝置(例如馬達)的帶動而轉動，並另將含有鑽石粉、氧化鋁粉、氧化鈰粉或其他研磨粉等研磨顆粒之研磨液滴入到該研磨層13之一外表面131上。接著，以真空吸持裝置(未繪示)吸取一晶圓，並使該晶圓之一表面接觸該研磨層13，如此即可進行研磨作業。

上述晶圓研磨盤10廣泛用於晶圓之研磨作業，然而，該晶圓研磨盤10在實際製造上仍具有下述問題，例如：在製造時，首先提供該轉盤11，一般材質廣泛地應用鋁合金，其鋁合金是屬於難潤濕金屬材質，是因鋁合金表面會生成一層緻密氧化鋁層，導致難於潤濕接合；其研磨層材質可分為錫基合金、鋅基合金、純銅或陶瓷類。為了能有效地將轉盤11與研磨層接合，一般採用製造方式，是在該轉盤11上依序塗佈上A劑及B劑，並在固化形成環氧樹脂之黏接層12前，將該研磨層13貼在該黏接層12上。惟，當A劑混合於B劑時，兩者將在極短時間(如30至60秒)內固化形成環氧樹脂之黏接層12。因此，經常無法在該黏接層12固化之前完成該研磨層13之水平校準作業，造成該研磨層13之研磨表面未保持水平，因而產生不良品。此時，由於該黏接層12之結合緊密，故也使得該研磨層13難以由該黏接層12上取下，以進行重工(rework)。再者，若發現A、B劑在混合後出現氣泡，通常也未能來得及在該黏接層12固化之前將氣泡去除。若該黏接層12內存在氣泡，則該晶圓研磨盤10可能在長期使用後由氣泡處產生裂縫，因而影響黏接可靠度或轉動時的作用力分佈，進而影響使用壽命或晶圓研磨均勻度。另一方面，在研磨過程，其此研磨液所含之鑽石粉等研磨顆粒在轉動研磨晶圓期間也會同時造成該研磨層13的磨耗，並且必須將晶圓研磨盤10拆除後，在大型切削機器進行平整及研磨層之許多溝槽的切削工作；在切削過程會因上述問題，造成晶圓研磨盤10之轉盤11與研磨層分離；另外，此切削加工降低該研磨層13的使用壽命。當研磨層13耗盡時，則因晶圓研磨盤10之環氧樹脂黏接層12去除，費時耗工；一般耗盡晶圓研磨盤10以廢棄物處理，進而增加成本。

由於該晶圓研磨盤10具有上述缺點，導致該晶圓研磨盤10之構造設計最多僅適用於製造20吋以下研磨盤用，因受限於組裝精度與可靠度，而無法進一步應用於製造下次代之40吋以上晶圓研磨用研磨盤。

故，有必要提供一種晶圓研磨盤構造及其製造方法，以解決習用技術所存在的問題。

本發明之主要目的在於提供一種晶圓研磨盤構造及其製造方法，其係利用活性銲料層來媒介連接轉盤及研磨層，以便在組裝期間方便進行研磨層之水平校準，並有效避免在活性銲料層內產生氣泡，進而有利於提升研磨層之組裝水平精準度、組裝良率、接合強度與接合可靠度，並能應用於製造大尺寸晶圓研磨用研磨盤。

本發明之次要目的在於提供一種晶圓研磨盤構造及其製造方法，其係在研磨層磨耗後可進一步加工去除已磨耗的研磨層，再利用新製活性銲料層來媒介接合新製研磨層及原有的轉盤，進而有利於提高轉盤的可回收利用性。

為達上述之目的，本發明提供一種晶圓研磨盤構造，其包含：一轉盤；一活性銲料層，接合於該轉盤上；以及，一研磨層，接合於該活性銲料層上，其中該研磨層切削出數個溝槽。

再者，本發明提供一種晶圓研磨盤構造之製造方法，其包含下列步驟：提供一轉盤，並將該轉盤置入一模具內；並預熱該轉盤後，將熔融活性銲料攪動塗佈以轉盤上；使轉盤表面上銲合一層活性銲料；將熔融軟性金屬基材澆注到該模具內之活性銲料上，因而在該轉盤上依序鑄造形成一活性銲料層及一軟性金屬研磨層，以共同構成一晶圓研磨盤；以及，由該模具內取出該晶圓研磨盤，並加工該軟性金屬研磨層之一外表面，其中該研磨層之外表面具有數個溝槽。

另外，本發明提供另一種晶圓研磨盤構造之製造方法，其包含下列步驟：提供一轉盤，在預熱該轉盤後，將熔融活性銲料攪動塗佈以轉盤上；使轉盤表面上銲合一層活性銲料；將該預熱研磨層置放於具有活性銲料之轉盤上進行活性軟銲接合，因而在該轉盤上依序形成一活性銲料層及一軟性金屬研磨層，以共同構成一晶圓研磨盤；以及，該晶圓研磨盤進行加工該軟性金屬研磨層之一外表面，其中該研磨層之外表面具有數個溝槽。此研磨層以可預先完成接合層之一層活性銲料處理，以及另一側之外表面的溝槽加工處理。

此外，本發明提供另一種晶圓研磨盤構造之製造方法，其包含下列步驟：回收一晶圓研磨盤，其具有一轉盤、一活性銲料層及一已磨耗之研磨層；加工去除該已磨耗之研磨層，以裸露出一接合表面；以及，在該接合表面上塗佈一層熔融活性銲料，以藉由該活性銲料形成一新製活性銲料層來媒介接合一新製研磨層，而共同構成一重製晶圓研磨盤。或是；將一回收一晶圓研磨盤進行加熱至活性銲料的熔點以上，直接地將一轉盤與一已磨耗之研磨層分離；該一轉盤裸露出一層活性銲料；以及，在該接合活性銲料層之表面上攪動塗佈一層新的熔融活性銲料，再藉由該活性銲料形成一新製活性銲料層來媒介連接合一新製研磨層，而共同構成一重製晶圓研磨盤。

在本發明之一實施例中，該轉盤之材質為鋁或鋁合金。

在本發明之一實施例中，該活性銲料選自錫基合金、銦基合金或其他銲錫合金，並加入0.01～2重量%之稀土族元素(Re)，其稀土族元素係泛指：鈧元素(Sc)、釔元素(Y)及「鑭系元素」，其中「鑭系元素」包括：鑭(La)、鈰(Ce)、鐠(Pr)、釹(Nd)、钜(Pm)、釤(Sm)、銪(Eu)釓(Gd)鋱(Td)、鏑Dy、鈥(Ho)、鉺(Er)、銩(Tm)、鐿(Yb)或鑥(Lu)，但在產業的利用上，稀土族元素通常係以混合物的形態存在，常見之稀土族元素混合物通常係由：鑭(La)、鈰(Ce)、鐠(Pr)、釹(Nd)、釤(Sm)以及極少量的鐵、磷、硫或矽所組成。

在本發明之一實施例中，該錫基合金或銦基合金混摻有6重量%以下之至少一種活性成分，其選自包含4重量%以下之鈦(Ti)、釩(V)、鎂(Mg)、鋰(Li)、鋯(Zr)、鉿(Hf)或其組合；以及其餘重量為稀土族元素，該稀土族元件選自其稀土族元素係泛指：鈧元素(Sc)、釔元素(Y)及「鑭系元素」或其組合。

在本發明之一實施例中，該研磨層之金屬基材為純錫、錫合金、錫銻合金、純鋅、鋅合金、純銅或樹脂銅盤。

在本發明之一實施例中，該研磨層之外表面具有數個溝槽，其排列方式可為同心圓、放射形或其他曲線形式。

為了讓本發明之上述及其他目的、特徵、優點能更明顯易懂，下文將特舉本發明較佳實施例，並配合所附圖式，作詳細說明如下。

請參照第2圖所示，其揭示本發明較佳實施例之晶圓研磨盤構造之示意圖，其中一晶圓研磨盤20包含：一轉盤21；一活性銲料層22，接合於該轉盤21上；以及，一研磨層23，接合於該活性銲料層22上，其中該研磨層23之一外表面231，該外表面231則具有數個溝槽232。本發明之晶圓研磨盤20係可選擇依下述第一或第二實施例揭露之晶圓研磨盤構造之製造方法來進行製造，或依下述第三實施例揭露之晶圓研磨盤構造之製造方法來進行回收重製，各實施例係分別詳細說明如下：

請參照第3A、3B及3C圖所示，本發明第一實施例之晶圓研磨盤構造之製造方法包含下列步驟：提供一轉盤21，並將該轉盤21置入一模具30內，並加熱至活性銲料熔點以上；在該模具30內之轉盤21上攪動塗佈一熔融活性銲料220；使轉盤21表面與熔融活性銲料接合反應，使轉盤21上形成一層活性銲料層；將熔融金屬基材230澆注到該模具30內之熔融活性銲料220上，因而在該轉盤21上依序形成一活性銲料層22及一研磨層23，以共同構成一晶圓研磨盤20；以及，由該模具30內取出該晶圓研磨盤20，並加工該研磨層23之一外表面231，其中該研磨層之外表面231具有數個溝槽232。

請參照第3A圖所示，本發明第一實施例之晶圓研磨盤構造之製造方法首先係：提供一轉盤21，並將該轉盤21置入一模具30內。在本步驟中，該轉盤21之材質較佳為鋁或鋁合金。該模具30較佳為金屬、合金、陶瓷或石膏等耐熱材料製成，其耐熱溫度需高於後續熔融金屬基材230及活性銲料220之熔點溫度。該模具30具有一內部空間，該內部空間之形狀大致對應於該晶圓研磨盤20之預定外形。

請再參照第3A圖所示，本發明第一實施例之晶圓研磨盤構造之製造方法接著係：在該模具30內之預熱轉盤21達到活性銲料合金的熔點以上，再將一熔融活性銲料220攪動塗佈於轉盤21上，使轉盤21與熔融活性銲料220進行活性軟銲接合反應，因此使轉盤21的表面具有一層活性銲料。在本步驟中，該活性銲料選自錫基合金、銦基合金或其他銲錫合金，並加入0.01～2重量%之稀土族元素(Re)，其稀土族元素係泛指：鈧元素(Sc)、釔元素(Y)及「鑭系元素」，其中「鑭系元素」包括：鑭(La)、鈰(Ce)、鐠(Pr)、釹(Nd)、钜(Pm)、釤(Sm)、銪(Eu)釓(Gd)鋱(Td)、鏑Dy、鈥(Ho)、鉺(Er)、銩(Tm)、鐿(Yb)或鑥(Lu)，但在產業的利用上，稀土族元素通常係以混合物的形態存在，常見之稀土族元素混合物通常係由：鑭(La)、鈰(Ce)、鐠(Pr)、釹(Nd)、釤(Sm)以及極少量的鐵、磷、硫或矽所組成。

在本發明之一實施例中，該錫基合金或銦基合金混摻有6重量%以下之至少一種活性成分，其選自包含4重量%以下之鈦(Ti)、釩(V)、鎂(Mg)、鋰(Li)、鋯(Zr)、鉿(Hf)或其組合；以及其餘重量為稀土族元素，該稀土族元件選自其稀土族元素係泛指：鈧元素(Sc)、釔元素(Y)及「鑭系元素」或其組合。該活性銲料220之預設熔點係依實際產品需求來經由調整銲料組成比例而進行設定，其熔點溫度範圍可能在123℃至300℃之間，但並不限於此。再者，該活性銲料220之塗佈厚度係依銲料組成比例造成之結合性質以及與該轉盤21及研磨層23之銲接性質來進行調整，並不加以限制。

請參照第3B圖所示，本發明第一實施例之晶圓研磨盤構造之製造方法接著係：將熔融金屬基材230澆注到該模具30內之活性銲料220上，因而在該轉盤21上依序形成一活性銲料層22及一研磨層23，以共同構成一晶圓研磨盤20。在本步驟中，該研磨層23之澆注金屬基材230較佳選自為純錫、錫合金、錫銻合金、純鋅、鋅合金、純銅或樹脂銅盤，其中合金種類係依最終研磨盤欲研磨之對象或用途而進行選擇。接著，在澆注該熔融金屬基材230時，由於該金屬基材230之熔點通常高於該活性銲料220之熔點，因而會同時造成該活性銲料220熔融，故該金屬基材230與活性銲料220將能順利緊密相互接合。

在活性軟銲接合期間，該活性銲料220中之活性成分有利於增加軟銲接合性質。更詳言之，該活性成分對氧、碳或氮元素的親和性(如氧化鋁、碳化物或氮化物等各種陶瓷薄膜的氧基、碳基或氮基)，其可經由化學反應使該轉盤21之鋁或鋁合金表面的氧化鋁層產生表面分解而形成一反應層，該反應層所含的反應生成物主要是由活性成分之金屬與氧化鋁的複合物，其具有與金屬近似之微結構，故能有效促進熔融金屬潤濕該反應層處之表面並填入該氧化鋁表面之微細孔洞等死角內，如此可使液態熔融之活性銲料220直接潤濕銲接於清潔後的氧化鋁表面。藉此，本發明即可達到簡單快速的將該活性銲料220銲接結合於該轉盤21之目的，且其製程容易控制及銲接結合性質良好。在鑄造後，該活性銲料220與金屬基材230分別冷卻固化成為該活性銲料層22及研磨層23，其中該活性銲料層22媒介結合在該轉盤21及研磨層23之間，因而共同構成該晶圓研磨盤20。

請參照第3C圖所示，本發明第一實施例之晶圓研磨盤構造之製造方法接著係：由該模具30內取出該晶圓研磨盤20，並加工該研磨層23之一外表面231。在本步驟中，在移去該模具30後，利用切削工具對該研磨層23之外表面231進行加工，使該研磨層23之外表面231形成數個溝槽232，其溝槽排列為同心圓、放射狀或其他形式。另外，亦可利用多晶鑽石刨平工具對該晶圓研磨盤20之外周面進行刨平加工。在本發明中，該溝槽232可在研磨晶圓期間用以含蓄研磨液及避免晶圓過度吸附在該外表面231上。

再者，請參照第4A、4B及4C圖所示，本發明第二實施例之晶圓研磨盤構造及其製造方法係相似於本發明第一實施例，但該第二實施例之晶圓研磨盤構造及其製造方法係包含下列步驟：利用一新製研磨層23，並對該研磨層23之一外表面231進行加工後，預熱該研磨層23達到預活性軟銲之活性銲料熔點以上，另將一熔融活性銲料攪動塗佈於研磨層23之另一側上(未繪示)；提供一轉盤21，並在該預熱轉盤21上達到活性銲料合金的熔點以上，再將一熔融活性銲料攪動塗佈於轉盤21上；將該具有活性銲料層22之研磨層23放置在具有熔融活性銲料層22之轉盤21上；再藉由加熱、加壓及轉動來去除轉盤21與研磨層23之熔化活性銲料層22的間隙，以便在該研磨層23及轉盤21之間以摩擦銲接方式接合形成一活性銲料層22，其中該研磨層23、活性銲料層22及轉盤21共同構成一晶圓研磨盤20。

相較於該第一實施例，該第二實施例係進一步預先完成該研磨層23，接著再藉由加熱熔融該活性銲料220，來形成該活性銲料層22，以媒介結合在該轉盤21及研磨層23之間，因而共同構成該晶圓研磨盤20。在活性軟銲期間，該活性銲料220中之活性成分有利於增加接合性質。更詳言之，該活性成分對氧、碳或氮元素的親和性(如氧化鋁、碳化物或氮化物等各種陶瓷薄膜的氧基、碳基或氮基)，其可經由化學反應使該轉盤21之鋁或鋁合金表面的氧化鋁層以及該研磨層23之錫或錫合金、鋅和鋅合金、銅或陶瓷之表面的氧化層產生表面分解而形成一反應層，該反應層對活性銲料具有良好潤濕性，故能有效促進熔融活性銲料與金屬或陶瓷的活性軟銲接合反應。藉此，本發明即可達到簡單快速的將該活性銲料220銲接結合於該轉盤21及研磨層23之目的，且其製程容易控制及接合性質良好。在接合後，該活性銲料220冷卻固化成為該活性銲料層22，其中該活性銲料層22媒介結合在該轉盤21及研磨層23之間，因而共同構成該晶圓研磨盤20。

另一方面，請參照第5A、5B、5C、5D及5E圖所示，本發明第三實施例之晶圓研磨盤構造及其製造方法係相似於本發明第一及第二實施例，但該第三實施例之晶圓研磨盤構造之製造方法係屬於一種回收重製方法，其包含下列步驟：回收一晶圓研磨盤20，其具有一轉盤21、一活性銲料層22及一已磨耗之研磨層23；加工去除該已磨耗之研磨層23，以裸露出一接合表面24；以及，在該接合表面24上攪動塗佈一熔融活性銲料250，以藉由該活性銲料250形成一新製活性銲料層25來媒介接合一新製研磨層26，而共同構成一重製晶圓研磨盤20’；另其二方式：回收一晶圓研磨盤20，其具有一轉盤21、一活性銲料層22及一已磨耗之研磨層23；直接加熱升溫到活性銲料熔點以上，直接地將一轉盤21與一已磨耗之研磨層23分離及移除；該一轉盤21裸露出一活性銲料層22之接合表面24；以及，在該接合活性銲料層22之表面上攪動塗佈一層新的熔融活性銲料25，以藉由該活性銲料250形成一新製活性銲料層25來媒介連接一新製研磨層26，而共同構成一重製晶圓研磨盤20’，其中該重製步驟可選擇使用相似於本發明第一及第二實施例之製造方法。

相較於該第一及第二實施例，該第三實施例係屬於回收重製該晶圓研磨盤20之製造方法，其特徵在於先回收一已使用過之晶圓研磨盤20，再以車削加工或其他研磨工具或加熱熔化活性銲料層方式進行加工去除該已磨耗之研磨層23，其中本發明可選擇移除整個該研磨層23或是移除一部分之研磨層23。接著，裸露出之接合表面24，可以是該活性銲料層22、該研磨層23或該轉盤21之一裸露表面。例如，在第5B圖中，本實施例係以裸露出該活性銲料層22之接合表面24為例，但並不限於此。隨後，該新製活性銲料層25及新製研磨層26之製作方式係可實質相同於第一實施例，或可能採用第二實施例之方法先預製該新製研磨層26，再透過該新製活性銲料層25之媒介來接合於該轉盤21。

如第5C、5D及5E圖所示，當第三實施例之重製步驟選用第一實施例之製造方法時，本發明係將熔融金屬基材260澆注到該模具30內之活性銲料250上，以在該接合表面24上依序鑄造形成一新製活性銲料層25及一新製研磨層26，以共同構成一重製晶圓研磨盤20’；以及，由該模具30內取出該重製晶圓研磨盤20’，並加工該新製研磨層26之一外表面261。

或者，當第三實施例之重製步驟選用第二實施例之製造方法時(未繪示，但可參照第4A至4C圖)，本發明係將熔融金屬基材260澆注到一模具30內，以鑄造形成一新製研磨層26；加工該新製研磨層26之一外表面261；預熱新製研磨層26至預銲接之活性銲料的熔點以上，並在預熱完成之新製研磨層26的另一側上塗佈一熔融活性銲料250；在該回收之晶圓研磨盤20預熱至活性銲料的熔點以上，並在預熱完成之晶圓研磨盤20的接合表面24上塗佈一熔融活性銲料250；將該新製研磨層26放置在該熔融活性銲料250上；以及，加熱熔融該活性銲料250，以便在該新製研磨層26及轉盤21之間形成一新製活性銲料層25，其中該新製研磨層26、新製活性銲料層25及轉盤21共同構成一重製晶圓研磨盤30。

如此，本發明第三實施例即可由該回收之轉盤21、該新製活性銲料層25及該新製研磨層26來共同構成一重製晶圓研磨盤20’，其中亦可能包含一部分原有的活性銲料層22(及研磨層23)。該重製晶圓研磨盤20’能提供與原有的研磨層23具相同研磨性質之新製研磨層26，其中該新製研磨層26之外表面261同樣具有數個溝槽262。

如上所述，相較於習用晶圓研磨盤10使用兩劑型環氧樹脂做為該黏接層12來媒介結合該轉盤11及研磨層13而產生組裝水平精準度、黏接品質與容易磨耗等缺點導致無法進一步應用於製造大尺寸晶圓研磨用研磨盤，第2至5E圖之本發明藉由係利用該活性銲料層22來媒介接合該轉盤21及研磨層23，以便在組裝期間方便進行該研磨層23之水平校準，並有效避免在該活性銲料層22內產生氣泡，進而有利於提升該研磨層23之組裝水平精準度、組裝良率、接合強度與接合可靠度，並能應用於製造大尺寸晶圓研磨用研磨盤。再者，在該研磨層23磨耗後，可進一步加工去除已磨耗的研磨層23，再利用新製活性銲料層25來媒介接合新製研磨層26及原有的轉盤21，進而有利於提高該轉盤21的可回收利用性。

雖然本發明已以較佳實施例揭露，然其並非用以限制本發明，任何熟習此項技藝之人士，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種更動與修飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

10‧‧‧晶圓研磨盤

11‧‧‧轉盤

12‧‧‧黏接層

13‧‧‧研磨層

131‧‧‧外表面

132‧‧‧同心圓溝槽

20‧‧‧晶圓研磨盤

21‧‧‧轉盤

22‧‧‧活性銲料層

220‧‧‧活性銲料

23‧‧‧研磨層

230‧‧‧金屬基材

231‧‧‧外表面

232‧‧‧溝槽

24‧‧‧接合表面

25‧‧‧新製活性銲料層

250‧‧‧活性銲料

26‧‧‧新製研磨層

260‧‧‧金屬基材

261‧‧‧外表面

262‧‧‧溝槽

20’‧‧‧晶圓研磨盤

30‧‧‧模具

第1圖：習用晶圓研磨盤構造之示意圖。

第2圖：本發明較佳實施例之晶圓研磨盤構造之示意圖。

第3A至3C圖：本發明第一實施例之晶圓研磨盤構造之製造方法之流程示意圖。

第4A至4C圖：本發明第二實施例之晶圓研磨盤構造之製造方法之流程示意圖。

第5A至5E圖：本發明第三實施例之晶圓研磨盤構造之製造方法之流程示意圖。

20．．．晶圓研磨盤

21．．．轉盤

22．．．活性銲料層

23．．．研磨層

231．．．外表面

232．．．溝槽

Claims (9)

1. 一種晶圓研磨盤構造，其包含：一轉盤；一活性銲料層，結合於該轉盤上，該活性銲料選自含有0.01~2重量%稀土族元素之錫基合金或銦基合金，該稀土族元素選自鈧、釔或鑭系元素；以及一研磨層，結合於該活性銲料層上；其中該研磨層外表層具有數個溝槽。
2. 如申請專利範圍第1項所述之晶圓研磨盤構造，其中該錫基合金或銦基合金混摻有6重量%以下之至少一種活性成分，其選自包含4重量%以下之鈦、釩、鎂、鋯、鉿或其組合；以及該活性成分其餘重量為稀土族元素，該稀土族元件選自鈧、釔、鑭系元素或其組合。
3. 如申請專利範圍第1項所述之晶圓研磨盤構造，其中該轉盤之材質為鋁或鋁合金；該研磨層之基材為純錫、錫合金、錫銻合金、純鋅、鋅合金、純銅或樹脂銅盤；及該研磨層之外表面具有數個溝槽排列，其排列為同心圓、放射狀或其混合。
4. 一種晶圓研磨盤構造之製造方法，其包含：提供一轉盤，並將該轉盤置入一模具內並預熱到活性銲料熔點以上；在該模具內之轉盤上攪動塗佈一熔融活性銲料；將熔融金屬基材澆注到該模具內之活性銲料上，因而 在該轉盤上依序鑄造形成一活性銲料層及一研磨層，以共同構成一晶圓研磨盤；以及由該模具內取出該晶圓研磨盤，並加工該研磨層之一外表面，其中該研磨層裸露出數個溝槽於該外表面。
5. 一種晶圓研磨盤構造之製造方法，其包含：提供一研磨層，並將該研磨層預熱到活性銲料熔點以上；在該研磨層上攪動塗佈一熔融活性銲料；提供一轉盤，並將該轉盤預熱到活性銲料熔點以上；在該轉盤上攪動塗佈一熔化活性銲料；將該研磨層放置在該熔化活性銲料上；以及加熱、加壓及轉動該研磨層，以便在該研磨層及轉盤之間形成一活性銲料層，其中該研磨層、活性銲料層及轉盤共同構成一晶圓研磨盤。
6. 一種晶圓研磨盤構造之製造方法，其包含：回收一晶圓研磨盤，其具有一轉盤、一活性銲料層及一已磨耗之研磨層；加工去除該已磨耗之研磨層，以裸露出一接合表面；將該晶圓研磨盤置入一模具內並預熱到活性銲料熔點以上；在該接合表面上攪動塗佈一熔化活性銲料；將熔融金屬基材澆注到該模具內之活性銲料上，以在該接合表面上依序形成一新製活性銲料層及一新製研磨層，以共同構成一重製晶圓研磨盤；以及由該模具內取出該重製晶圓研磨盤，並加工該新製研 磨層之一外表面的溝槽。
7. 如申請專利範圍第4、5或6項所述之晶圓研磨盤構造之製造方法，其中該活性銲料選自含有0.01~2重量%稀土族元素之錫基合金或銦基合金，該稀土族元素選自鈧、釔或鑭系元素。
8. 如申請專利範圍第7項所述之晶圓研磨盤構造之製造方法，其中該錫基合金或銦基合金混摻有6重量%以下之至少一種活性成分，其選自包含4重量%以下之鈦、釩、鎂、鋯、鉿或其組合；以及該活性成分其餘重量為稀土族元素，該稀土族元件選自鈧、釔、鑭系元素或其組合。
9. 如申請專利範圍第4、5或6項所述之晶圓研磨盤構造之製造方法，其中該轉盤之材質為鋁或鋁合金；該研磨層之基材為純錫、錫合金、純鋅、鋅合金、純銅或塑質銅盤；及該研磨層之外表面具有數個溝槽排列，其排列為同心圓、放射狀或其混合。