JP6234588B2 - 圧力センサ - Google Patents
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- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 93
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 66
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 66
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 52
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 28
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 28
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 25
- 238000009530 blood pressure measurement Methods 0.000 claims description 20
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 19
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims description 19
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 16
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 238000005452 bending Methods 0.000 claims description 10
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 10
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 9
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 9
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 8
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 8
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 8
- 229910001362 Ta alloys Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 6
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 6
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 claims description 5
- -1 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 claims description 5
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 claims description 5
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 claims description 5
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 claims description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 3
- 210000004914 menses Anatomy 0.000 claims 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 5
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 4
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 4
- 229910000963 austenitic stainless steel Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 3
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 2
- 239000000806 elastomer Substances 0.000 description 2
- 239000012777 electrically insulating material Substances 0.000 description 2
- 239000002241 glass-ceramic Substances 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006091 Macor Substances 0.000 description 1
- 229910003126 Zr–Ni Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052810 boron oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 230000000881 depressing effect Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N diboron trioxide Chemical compound O=BOB=O JKWMSGQKBLHBQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005489 elastic deformation Effects 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000007572 expansion measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 230000008014 freezing Effects 0.000 description 1
- 238000007710 freezing Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 239000005355 lead glass Substances 0.000 description 1
- 239000003949 liquefied natural gas Substances 0.000 description 1
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000010445 mica Substances 0.000 description 1
- 229910052618 mica group Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003345 natural gas Substances 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CHWRSCGUEQEHOH-UHFFFAOYSA-N potassium oxide Chemical compound [O-2].[K+].[K+] CHWRSCGUEQEHOH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001950 potassium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N tetrafluoroethene Chemical group FC(F)=C(F)F BFKJFAAPBSQJPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Images
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L19/00—Details of, or accessories for, apparatus for measuring steady or quasi-steady pressure of a fluent medium insofar as such details or accessories are not special to particular types of pressure gauges
- G01L19/14—Housings
- G01L19/142—Multiple part housings
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01L—MEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
- G01L9/00—Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
- G01L9/0041—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
- G01L9/0072—Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in capacitance
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Description
−前領域と、これに隣接する基盤とを有する固体金属センサ体であって、
――前領域は、基盤よりも大きい断面積を有しており、
――前領域は、使用位置に圧力センサを実装するための固定デバイスによってクランプされることが出来る、外縁を有する、固体金属センサ体と、
−前領域に設けられ、基盤から外に面する前領域の前方に向かって開いている凹部と、
−測定動作中に、外部から測定されるべき圧力が印加され、圧力によって弾性的に変形することが出来、センサ体の前方に配置され、外部に向かって凹部を閉止する金属測定ダイアフラムであって、
――センサ体と同じ金属からなり、
――前領域の外縁から離間されている金属測定ダイアフラムと、
−絶縁素子によって、測定ダイアフラムとセンサ体から電気的に絶縁されている、少なくとも1つの測定素子を有する、測定ダイアフラムの圧力による変形を、計測的に検出するための電気機械的トランスデューサと、
を備える圧力センサを含む。
−絶縁素子は、凹部に挿入され、特に、活性ハードはんだ(active hard solder)接合によって凹部に取り付けられ、その前面は、測定ダイアフラムに面し、測定ダイアフラムと平行して走り、それから離間されており、
−測定素子の一つは、絶縁素子の前面に搭載された測定電極であり、測定電極は、対向電極として機能する測定ダイアフラムと共に、測定ダイアフラムの圧力による屈曲に依存した容量を有するキャパシタを形成する。
−絶縁素子は、測定ダイアフラムに面する前面上に、測定ダイアフラム用のダイアフラムベッドを形成し、測定ダイアフラムの中心に同心円に配置された波からなる波プロファイルを有し、
−測定ダイアフラムは、絶縁素子の波プロファイルと同一形状を有し、特に、ダイアフラムベッドに測定ダイアフラムを押し付けることにより生成される波プロファイルを有する波ダイアフラムとして設計される。
−絶縁素子は、凹部の内部に面する測定ダイアフラムの内面上に配置され、測定ダイアフラムとラミネート接合されるディスクであり、
−測定素子は、測定ダイアフラムから外に面する絶縁素子の一面上の絶縁素子に挿入されるセンサ、特に、ピエゾ抵抗シリコンセンサである。
−絶縁素子は、サファイアからなり、
−絶縁素子と測定ダイアフラムのラミネート接合は、ハードはんだ接合である。
−測定素子の少なくとも1つに接続された少なくとも1つの接点は、測定ダイアフラムから外に面する絶縁素子の側面上に設けられ、
−接続ラインは、各接点に接続され、
−基盤と凹部の端を通る穴が、各接続ラインのセンサ体に設けられ、
−絶縁材料、特に、セラミックまたはサファイアから作られる小型ダクトは、各穴に挿入され、穴を繋ぎ、
−各接続ラインは、小型ダクトの一つを介して供給される。
−接続素子、特に、接続パイプ、接続部品、または、接続フランジであって−
――測定ダイアフラムを曝す中央凹部を有するものと、
−圧力センサを接続素子に取り付ける固定デバイスであって、
――圧力センサの前領域の外縁上に排他的に配置され、特に、測定ダイアフラムに垂直な面に平行に作用する縁への力を排他的に加えるものと、
を有する。
−接続素子が、シーリングリップと対向する領域において、センサ体のシーリングリップと相補的な、金属シーリング輪郭を有し、
−金属シール、特に、シーリングリップとシーリング輪郭の金属より延性な金属、特に、金または銅で作られた、特に、ポリテトラフルオロエチレンの被覆で外部が被覆されたシールは、シーリングリップとシーリング輪郭との間に配置され、
−固定デバイスは、測定ダイアフラムから外に面する側から圧力センサ上にスライドされ、ねじ接続によって接続素子に接続されるスリーブを備える。
−接続素子が、外縁と対向する前面上に、環状周縁溝を備え、
−特に、弾性のある金属、特に、ポリテトラフルオロエチレンの被覆で外面が被覆された金属から作られる、環状周縁シーリングばね、特に、c形状の断面プロファイルを有するシーリングばねは、溝に挿入され、
−固定デバイスは、測定ダイアフラムから外に面する面から圧力センサ上にスライドされ、ねじ接続によって接続素子に接続されるスリーブを備える。
3 前領域
5 基盤
7 凹部
9、9’ 測定ダイアフラム
11 縁
13 溝
15 シーリングリップ
17 接続素子
19 凹部
21 シーリング輪郭
23 シール
25 スリーブ
27 外部ねじ山
29 挿入部
31 ブッシング
33 穴
35 スリーブナット
37 内部ねじ山
39 スリーブ
41 溝
43 シーリングばね
45 スリーブ
47 穴
49 穴
51 絶縁素子
53 絶縁素子
55 測定素子
57 測定素子
59 接合部
61 接触ピン
63 接点
65 接続ライン
67 電子部品
69 接続
71 接点
73 ヒータ
75 穴
77 小型ダクト
Claims (25)
- 圧力センサであって、
前領域(3)と、該前領域に隣接する基盤(5)とを有する固体金属センサ体(1)であって、前記前領域(3)は、前記基盤(5)よりも大きな断面積を有し、前記前領域(3)は、前記圧力センサを使用位置に実装するために、固定デバイスによってクランプされ得る外縁(11)を有する、固体金属センサ体(1)と、
前記前領域(3)に設けられた凹部(7)であって、前記前領域(3)における、前記基盤(5)から離れる方を向いた前面に向かって開いている凹部(7)と、
測定動作中、測定されるべき圧力(p)が外部から印加される金属測定ダイアフラム(9、9’)であって、該金属測定ダイアフラムは、前記圧力に応じて弾性的に変形可能であり、前記センサ体(1)の前記前面上に配置され、前記外部に向かって前記凹部(7)を閉止し、前記センサ体(1)と同一の金属からなり、かつ、前記前領域(3)の前記外縁(11)から離間されている、金属測定ダイアフラム(9、9’)と、
前記測定ダイアフラム(9,9’)の圧力依存の変形を計測的に検出するための電気機械的トランスデューサであって、絶縁素子(51、53)によって前記測定ダイアフラム(9、9’)及び前記センサ体(1)から電気的に絶縁された少なくとも1つの測定素子(55、57)を有する電気機械的トランスデューサと、
を備える圧力センサ。 - 前記測定ダイアフラム(9、9’)と前記外縁(11)との間の前記センサ体(1)の前記前面に、前記測定ダイアフラム(9,9’)を全方位から囲む溝(13)が設けられている、請求項1に記載の圧力センサ。
- 前記前領域(3)は、前記外縁(11)の前記前面に、金属カッティングリングシールの金属シーリングリップ(15)を有し、該金属シーリングリップは、前記測定ダイアフラム(9、9’)を全方位から囲み、前記測定ダイアフラム(9、9’)から離間しており、かつ、外側へ突出している、請求項1に記載の圧力センサ。
- 前記測定ダイアフラム(9、9’)は、−70℃より低い温度を含む温度範囲において10%以上のパーセント膨張(ε)を有する金属からなる、請求項1に記載の圧力センサ。
- 前記絶縁素子(51、53)は、−70℃より低い温度を含む温度範囲において前記センサ体(1)及び前記測定ダイアフラム(9、9’)の金属の熱膨張係数に適合された熱膨張係数を有する材料からなる、請求項1または4に記載の圧力センサ。
- 前記絶縁素子(51)は、前記凹部(7)に挿入された物体であり、該物体の前面は、前記測定ダイアフラム(9)に面し、前記測定ダイアフラム(9)に平行に走り、かつ、前記測定ダイアフラムから離間されており、
前記測定素子(55)の一つは、前記絶縁素子(51)の前記前面に搭載された測定電極であり、前記測定電極は、対向電極として機能する前記測定ダイアフラム(9)と共に、前記測定ダイアフラム(9)の前記圧力依存の屈曲に依存する容量を有するキャパシタを形成する、請求項1に記載の圧力センサ。 - 前記絶縁素子(51)は、前記測定ダイアフラム(9)に面する前面に、前記測定ダイアフラム(9)用のダイアフラムベッドを形成する波形プロファイルを有し、該波形プロファイルは、前記測定ダイアフラム(9)の中心に対して同心円状に配置された複数の波からなり、
前記測定ダイアフラム(9)は、前記絶縁素子(51)の前記波形プロファイルと同一の形状を有する波形プロファイルを有する波形ダイアフラムとして設計される、請求項6に記載の圧力センサ。 - 前記絶縁素子(53)は、前記凹部の内部に面する前記測定ダイアフラム(9’)の内面上に配置されたディスクであり、該ディスクは、前記測定ダイアフラム(9’)とラミネート接合されており、
前記測定素子(57)は、前記絶縁素子(53)における、前記測定ダイアフラム(9’)から離れる方を向いた側に挿入されたセンサである、請求項1に記載の圧力センサ。 - 前記絶縁素子(53)は、サファイアからなり、
前記絶縁素子(53)と前記測定ダイアフラム(9’)との前記ラミネート接合は、ハードはんだ接合である、請求項8に記載の圧力センサ。 - 前記測定素子(55、57)の少なくとも1つに接続された少なくとも1つの接点(63)が、前記絶縁素子(51、53)における、前記測定ダイアフラム(9、9’)から離れる方を向いた側に設けられ、
接続ライン(65)が、各接点(63)に接続され、
前記基盤(5)を通り且つ前記凹部(7)で終端する穴(75)が、各接続ライン(65)毎に前記センサ体(1)に設けられ、
絶縁材料でできた小型ダクト(77)が、各穴(75)に挿入され且つ該穴(75)に沿って走り、
各接続ライン(65)は、前記小型ダクト(77)の一つを通って供給される、請求項1に記載の圧力センサ。 - 前記接続ライン(65)は、それぞれ、前記関連する接点(63)に、はんだ、または、ボンドによって接続されている、請求項10に記載の圧力センサ。
- 前記電気機械的トランスデューサは、前記測定ダイアフラム(9、9’)から離間されて配置された電子部品(67)に、少なくとも1つの接続ライン(65)を介して接続されている、請求項1に記載の圧力センサ。
- 前記測定ダイアフラムは、チタン、タンタル、チタン合金、または、タンタル合金からなり、前記圧力センサは、−165℃から−70℃の温度範囲で使用可能である、請求項4に記載の圧力センサ。
- 前記絶縁素子は、セラミックまたはサファイアからなり、前記圧力センサは、−165℃から−70℃の温度範囲で使用可能である、請求項5に記載の圧力センサ。
- 前記絶縁素子は、活性ハードはんだ接合(59)によって前記凹部(7)内に固定されている、請求項6に記載の圧力センサ。
- 前記測定ダイアフラムの前記波形プロファイルは、前記測定ダイアフラム(9)を前記ダイアフラムベッド上に押圧することにより生成される、請求項7に記載の圧力センサ。
- 前記センサはピエゾ抵抗シリコンセンサである、請求項8に記載の圧力センサ。
- 前記小型ダクトは、セラミックまたはサファイアでできている、請求項10に記載の圧力センサ。
- 前記電子部品はヒータを備える、請求項12に記載の圧力センサ。
- 請求項1乃至19のいずれか一つに記載の圧力センサを有する圧力測定構成であって、
前記測定ダイアフラム(9、9’)を露出する中央凹部(19)を有する接続素子(17、17’)と、
前記接続素子(17、17’)に前記圧力センサを取り付ける固定デバイスであって、前記圧力センサの前記前領域(3)の前記外縁(11)上にのみ載置される固定デバイスと、
を備える圧力測定構成。 - 前記圧力センサは、請求項3に記載の圧力センサであり、
前記接続素子(17)は金属シーリング輪郭(21)を有し、該金属シーリング輪郭は、前記センサ体(1)の前記シーリングリップ(15)と対向する領域において、前記シーリングリップ(15)と相補的であり、
前記シーリングリップ(15)及び前記シーリング輪郭(21)の金属よりも延性な金属によって作られた金属シール(23)が、前記シーリングリップ(15)と前記シーリング輪郭(21)の間に配置され、
前記固定デバイスはスリーブ(25、39)を備え、該スリーブは、前記測定ダイアフラム(9、9’)から離れる方を向いた側から前記圧力センサ上にスライドされ、且つ、ねじ接続によって前記接続素子(17)に接続される、請求項20に記載の圧力測定構成。 - 前記接続素子(17’)は、前記外縁(11)と対向する前面上に、環状周縁溝(41)を備え、
環状周縁シーリングばね(43)が前記溝(41)内に挿入され、
前記固定デバイスはスリーブ(45)を備え、該スリーブは、前記測定ダイアフラム(9、9’)から離れる方を向いた側から前記圧力センサ上にスライドされ、且つ、ねじ接続によって前記接続素子(45)に接続される、請求項20に記載の圧力測定構成。 - 前記接続素子は、接続パイプ、接続部品、または接続フランジであり、前記固定デバイスは、前記測定ダイアフラム(9、9’)に垂直な面に対して平行に作用する力を、前記縁(11)上にのみ及ぼす、請求項20に記載の圧力測定構成。
- 前記金属シールは、金又は銅でできたシールであり、前記金属シールの外側が、ポリテトラフルオロエチレンのコーティングによって被覆されている、請求項21に記載の圧力測定構成。
- 前記環状周縁シーリングばねは、弾性のある金属でできた、c形状断面プロファイルを有するシーリングばねであり、該シーリングばねの外側は、ポリテトラフルオロエチレンのコーティングで被覆されている、請求項22に記載の圧力測定構成。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102013114407.1A DE102013114407A1 (de) | 2013-12-18 | 2013-12-18 | Drucksensor |
DE102013114407.1 | 2013-12-18 | ||
PCT/EP2014/074618 WO2015090757A1 (de) | 2013-12-18 | 2014-11-14 | Drucksensor |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2016540986A JP2016540986A (ja) | 2016-12-28 |
JP6234588B2 true JP6234588B2 (ja) | 2017-11-22 |
Family
ID=51897282
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016540014A Active JP6234588B2 (ja) | 2013-12-18 | 2014-11-14 | 圧力センサ |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10345180B2 (ja) |
EP (1) | EP3084381B1 (ja) |
JP (1) | JP6234588B2 (ja) |
CN (1) | CN105829853B (ja) |
DE (1) | DE102013114407A1 (ja) |
WO (1) | WO2015090757A1 (ja) |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9581468B2 (en) * | 2014-01-31 | 2017-02-28 | DunAn Sensing, LLC | Methods for fabricating apparatus having a hermetic seal |
DE102016109645A1 (de) * | 2016-05-25 | 2017-11-30 | Endress + Hauser Gmbh + Co. Kg | Drucksensorelement und kapazitiver Drucksensor |
DE102017125459B4 (de) * | 2017-10-30 | 2019-12-12 | Samson Aktiengesellschaft | Prozessventil mit Sensorfunktion |
CN108168766B (zh) * | 2018-01-09 | 2020-03-27 | 武汉飞恩微电子有限公司 | 一种重载压力传感器及其制造方法 |
PL3569995T3 (pl) * | 2018-05-14 | 2021-11-02 | Huba Control Ag | Czujnik rejestrujący temperaturę i ciśnienie |
EP3572104A1 (de) * | 2018-05-25 | 2019-11-27 | Berlin Heart GmbH | Bauteil zum führen eines fluids mit einem sensor |
DE102018123041A1 (de) | 2018-09-19 | 2020-03-19 | Endress+Hauser SE+Co. KG | Druckmesseinrichtung |
CN110879111B (zh) * | 2019-11-27 | 2021-07-27 | 中国科学院微电子研究所 | 柔性电极支撑结构 |
DE102019133325A1 (de) * | 2019-12-06 | 2021-06-10 | Endress+Hauser SE+Co. KG | Druckmessaufnehmer |
JP2022018624A (ja) * | 2020-07-16 | 2022-01-27 | アズビル株式会社 | 圧力センサ |
US11378480B2 (en) * | 2020-09-21 | 2022-07-05 | Rosemount Inc. | Polysilicon on sapphire oil-less pressure sensor |
DE102020131299B3 (de) * | 2020-11-26 | 2021-10-07 | Ifm Electronic Gmbh | Druckmessgerät mit am Steckeranschluss vorgesehenem Luftdurchgang |
CN113483942A (zh) * | 2021-07-01 | 2021-10-08 | 南京特敏传感技术有限公司 | 一种多用途一体式压力传感芯体 |
Family Cites Families (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5921497B2 (ja) * | 1978-11-02 | 1984-05-21 | 富士電機株式会社 | 圧力測定装置 |
DE3121799A1 (de) * | 1981-06-02 | 1982-12-23 | Alexander Wiegand Gmbh U. Co Armaturen- U. Manometerfabrik, 8763 Klingenberg | Messmembrane gegen druckmedien-diffusion |
JPH04143627A (ja) | 1990-10-05 | 1992-05-18 | Yamatake Honeywell Co Ltd | 静電容量式圧力センサおよびその製造方法 |
DE4129414A1 (de) | 1990-11-13 | 1993-03-11 | Endress Hauser Gmbh Co | Verwendung eines speziellen tiegels beim melt-spinning einer aktivlot-legierung |
JPH08219917A (ja) | 1995-02-08 | 1996-08-30 | Fuji Electric Co Ltd | 差圧検出装置における差圧検出部のリード引出し構造 |
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JP3494594B2 (ja) | 1999-08-05 | 2004-02-09 | 忠弘 大見 | 圧力検出器の取付け構造 |
EP1128172B1 (de) * | 2000-02-22 | 2011-04-06 | Endress + Hauser GmbH + Co. KG | Drucksensor |
JP3502807B2 (ja) * | 2000-04-14 | 2004-03-02 | 長野計器株式会社 | 圧力センサ |
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JP5186725B2 (ja) * | 2006-03-15 | 2013-04-24 | 株式会社デンソー | 圧力センサ |
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US7437939B1 (en) | 2007-04-13 | 2008-10-21 | Rosemount Inc. | Pressure and mechanical sensors using titanium-based superelastic alloy |
JP5187529B2 (ja) * | 2008-07-22 | 2013-04-24 | セイコーエプソン株式会社 | 圧力センサー |
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CN202210010U (zh) * | 2011-09-28 | 2012-05-02 | 杭州吉星仪表机械有限公司 | 具有非金属和金属组合式表壳的膜片式压力表 |
CN102967408B (zh) * | 2012-11-27 | 2014-05-28 | 中国航天科技集团公司第五研究院第五一〇研究所 | 一种具有应力消除作用的电容薄膜压力传感器 |
-
2013
- 2013-12-18 DE DE102013114407.1A patent/DE102013114407A1/de not_active Withdrawn
-
2014
- 2014-11-14 EP EP14796784.8A patent/EP3084381B1/de active Active
- 2014-11-14 CN CN201480069108.4A patent/CN105829853B/zh active Active
- 2014-11-14 US US15/103,016 patent/US10345180B2/en active Active
- 2014-11-14 WO PCT/EP2014/074618 patent/WO2015090757A1/de active Application Filing
- 2014-11-14 JP JP2016540014A patent/JP6234588B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP3084381B1 (de) | 2019-09-04 |
CN105829853A (zh) | 2016-08-03 |
DE102013114407A1 (de) | 2015-06-18 |
JP2016540986A (ja) | 2016-12-28 |
EP3084381A1 (de) | 2016-10-26 |
US20160305839A1 (en) | 2016-10-20 |
WO2015090757A1 (de) | 2015-06-25 |
US10345180B2 (en) | 2019-07-09 |
CN105829853B (zh) | 2019-10-08 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
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|
A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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R250 | Receipt of annual fees |
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